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CN108235792A - 标签用基板、rfid标签以及rfid系统 - Google Patents

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CN108235792A CN201780003350.5A CN201780003350A CN108235792A CN 108235792 A CN108235792 A CN 108235792A CN 201780003350 A CN201780003350 A CN 201780003350A CN 108235792 A CN108235792 A CN 108235792A
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Abstract

一种标签用基板(10)等，具备：绝缘基板(1)，具有与外部接合的下表面以及包含凹部(1a)的上表面；上表面导体(2)，设置在绝缘基板(1)的上表面；接地导体(3)，设置在绝缘基板(1)的下表面；以及短路部贯通导体(4)，在厚度方向上贯通绝缘基板(1)，并对上表面导体(2)和接地导体(3)进行电连接，短路部贯通导体(4)仅在上表面导体(2)的外周部的一部分与上表面导体(2)连接。

Description

标签用基板、RFID标签以及RFID系统
技术领域
本公开涉及具有作为辐射导体(天线导体)的上表面导体的标签用基板、RFID(Radio Frequency Identification，射频识别)标签以及RFID系统。
背景技术
用安装于物品的RFID标签来感测各种物品的信息并进行管理逐渐盛行。作为该情况下的RFID标签，逐渐应用具有用于通过UHF(Ultra High Frequency，超高频)带等的电波进行信息的收发的天线导体以及IC(Integrated circuit，集成电路)等半导体元件的RFID标签。例如，由作为天线导体而在绝缘基板设置了上表面导体而成的标签用基板和设置在标签用基板并与上表面导体电连接的供电部构成RFID标签。RFID标签经由各种接合材料安装(接合等)于物品。
在RFID标签的天线导体与具有电波的收发功能的读写器等外部设备之间进行信息的收发。收发的信号用半导体元件进行存储或调用等。在该情况下，半导体元件还作为对天线导体的供电部而发挥功能(例如，参照专利文献1)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-101335号公报
发明内容
本公开的一个方式的RFID标签具有：绝缘基板，具有与外部接合的下表面以及包含凹部的上表面；上表面导体，设置在该绝缘基板的上表面；接地导体，设置在所述绝缘基板的下表面；以及短路部贯通导体，在厚度方向上贯通所述绝缘基板，并对所述上表面导体和所述接地导体进行电连接，该短路部贯通导体仅在所述上表面导体的外周部的一部分与所述上表面导体连接。
本公开的一个方式的RFID标签具备上述结构的标签用基板和容纳在所述凹部的供电部，该供电部具有与所述上表面导体电连接的第一电极和与所述上表面导体电连接的第二电极。
本公开的一个方式的RFID系统具有读写器，上述读写器具有与上述结构的RFID标签的上表面导体之间收发电波的天线。
附图说明
图1(a)是示出本公开的实施方式的标签用基板的一个例子的俯视图，图1(b)是图1(a)的B-B线处的剖视图。
图2(a)是示出图1所示的标签用基板的变形例的俯视图，图2(b)是图2(a)的B-B线处的剖视图。
图3是示出本公开的实施方式的RFID标签的一个例子的剖视图。
图4是示出本公开的实施方式的RFID系统的一个例子的示意图。
图5是示出RFID标签的第一变形例的剖视图。
图6是示出RFID标签的第二变形例的剖视图。
图7是示出RFID标签的第三变形例的剖视图。
图8是示出RFID标签的第四变形例的剖视图。
图9(a)以及图9(b)示出比较例的RFID标签的反射特性。
图10(a)以及图10(b)示出本公开的实施方式包含的RFID标签的反射特性。
图11是示出比较例的RFID标签的一个例子的剖视图。
具体实施方式
参照附图对本公开的实施方式的标签用基板、RFID标签以及RFID系统进行说明。另外，以下的说明中对上下的区分是为了便于说明，并非限定实际使用标签用基板、RFID标签或RFID系统时的上下。
图1(a)是示出本公开的实施方式的标签用基板的一个例子的俯视图，图1(b)是图1(a)的B-B线处的剖视图。图2是示出图1所示的标签用基板的变形例的俯视图，图2(b)是图2(a)的B-B线处的剖视图。图3是示出本公开的实施方式的RFID标签的一个例子的剖视图，包含图1所示的标签用基板。图4是示出本公开的实施方式的RFID系统的示意图，包含图3所示的RFID标签的剖视图以及读写器的立体图。
在以往的标签用基板中，在为了用作RFID标签而作为供电部使半导体元件与供电用端子电连接的情况下，需要将半导体元件安装在标签用基板的外表面。因此，难以提高半导体元件的接合的可靠性。即，难以制作可靠性高的RFID标签。相对于此，例如可考虑如下方法，即，在标签用基板设置凹部，在凹部内容纳供电部，并用物品的表面封住凹部，从而安装RFID标签。
然而，在设置了这样的凹部的情况下，起因于凹部的存在，作为RFID标签的谐振频率可能会从给定的范围偏离。而且，若谐振频率偏离，则有可能导致作为RFID标签的通信距离的下降等。
作为标签用基板，使用作为天线导体的上表面导体与接地导体配置为夹着作为电介质的绝缘基板而对置的标签用基板。若在作为向物品的安装面的标签用基板的下表面设置凹部，则设置在下表面的接地导体成为在凹部的部分具有开口的形状。如上所述，RFID标签用物品的表面封住凹部而进行安装。即，例如RFID标签使下表面与金属制的物品的表面接触或者用接合材料进行接合而使用。这样，上表面导体和与其对置的具有接地电位的层(接地导体或物品的表面)之间的距离在存在凹部的部分和不存在凹部的部分变得不同。更具体地，在存在凹部的部分，因为在绝缘基板的下表面不存在接地导体，所以上表面导体与具有接地电位的层之间的距离变大。前述的谐振频率的偏离起因于这样的上表面导体与具有接地电位的层之间的距离的偏差。
(标签用基板)
实施方式的标签用基板10具有：具有上表面以及下表面的绝缘基板1；设置在绝缘基板1的上表面的上表面导体2；以及设置在绝缘基板1的下表面的接地导体3。绝缘基板1的下表面与外部(后述的物品等)接合。绝缘基板1的上表面包含凹部1a。此外，该标签用基板10具有在厚度方向上贯通绝缘基板1的短路部贯通导体4。短路部贯通导体4对上表面导体2和接地导体3进行电连接。短路部贯通导体4仅在上表面导体2的外周部的一部分与上表面导体2连接。
例如像图1以及图2所示的例子那样，在标签用基板10配置第一电极11a、第二电极11b，并将它们与上表面导体2进行电连接而制作RFID标签。第一电极11a以及第二电极11b例如是与容纳在凹部1a内的半导体元件12电连接的布线导体(作为布线导体没有附图标记)。第一电极11a以及第二电极11b既可以与上表面导体2等同样地预先与绝缘基板1一体地形成，也可以通过接合材料等另外进行接合。第一电极11a、第二电极11b以及半导体元件12构成RFID标签20中的供电部F。
另外，在图1以及图2所示的例子中，用假想线(双点划线)示意性地示出第一电极11a以及第二电极11b针对上表面导体2的连接。关于它们的电连接的细节，将后述。
根据本公开的一个方式的标签用基板，能够有效地降低上述谐振频率的偏离。即，根据该结构的标签用基板，因为在上表面具有凹部，所以在作为RFID标签而安装于物品时，能够有效地降低作为天线导体的上表面导体和与其对置的具有接地电位的层(接地导体或物品的表面)之间的距离在存在凹部的部分和不存在凹部的部分不同的可能性。如前所述，谐振频率的偏离起因于上述上表面导体与具有接地电位的层之间的距离的偏差，通过该距离的偏差的降低，能够抑制谐振频率的偏离。因此，该结构的标签用基板能够容易地制作能够抑制谐振频率的偏离的RFID标签。
绝缘基板1作为用于使上表面导体2以及接地导体3等导体部分相互电绝缘地进行配置的电绝缘性的基体而发挥功能。此外，绝缘基板1还作为用于搭载并固定后述的半导体元件12等构件的基体而发挥功能。
绝缘基板1例如是正方形等四边形的平板状。该绝缘基板1在上表面的中央部等给定部位具有凹部1a。如上所述，凹部1a是容纳构成供电部F的半导体元件12的部分，在凹部1a的底面固定有半导体元件12。半导体元件12向凹部1a的底面的固定例如通过经由了金-硅钎料等低熔点钎料、玻璃复合材料或树脂粘接剂等接合材料(未图示)的接合法来进行。
绝缘基板1例如由氧化铝质烧结体、氮化铝质烧结体、多铝红柱石质烧结体或玻璃陶瓷烧结体等陶瓷烧结体形成。例如，如果是由氧化铝质烧结体构成的情况，则绝缘基板1能够像以下那样进行制作。首先，将氧化铝以及氧化硅等原料粉末与适当的有机粘合剂以及有机溶剂一起成型为片状而制作四边形片状的多个陶瓷生片。接着，层叠这些陶瓷生片而制作层叠体。此后，通过将该层叠体在1300～1600℃的温度进行烧成，从而能够制作绝缘基板1。
在实施方式的标签用基板中，对上述陶瓷生片进行烧成而成的多个绝缘层(无附图标记)相互层叠而形成绝缘基板1。
此时，只要将一部分的陶瓷生片的中央部等在厚度方向上打通而加工成框状，并将框状的陶瓷生片层叠在最上层等而进行烧成，则能够制作具有凹部1a的绝缘基板1。该情况下的绝缘基板1成为各个陶瓷生片烧结而成的多个绝缘层相互层叠的层叠体。
上表面导体2以及接地导体3这样的导体部分是在标签用基板10用作RFID标签20时作为天线(无附图标记)而发挥功能的部分。该天线具有上表面导体2和接地导体3、以及使它们电连接的短路部贯通导体4，构成在与后述的读写器31的天线32之间收发电波的天线导体(倒F天线)。倒F天线是以贴片天线为基础的天线，能够直接装配到金属制的物品，此外在与贴片天线相比能够进一步小型化方面适合用于RFID标签。
上表面导体2是实际上进行电波的收发的天线导体，例如由正方形框状的导体层形成。在绝缘基板1的上表面设置有凹部1a，在凹部1a的部分未设置上表面导体2。因此，上表面导体2在俯视下成为框状。
该上表面导体2本身是天线导体，在四边形框状的天线导体的端部分(在图2所示的例子中，是与上表面导体2的一个边的中央部接近的外周部)连接有短路部贯通导体4的上端部分。即，短路部贯通导体4仅在上表面导体2的外周部的一部分与上表面导体2连接。像这样，短路部贯通导体4不是在上表面导体2的中央部而是在偏向外周部的位置被连接，因此能够与接地导体3一起构成作为倒F型天线而有效地发挥功能的天线导体。
另外，虽然在图1以及图2所示的例子中，短路部贯通导体4仅由一个贯通导体构成，但是也可以由多个贯通导体(未图示)构成。这些贯通导体例如彼此相邻地配置在上表面导体的外周部的一部分。在由多个贯通导体构成短路部贯通导体4时，对于降低短路部贯通导体4的导通电阻而有效地使接地电位稳定等是有利的。
上表面导体2、接地导体3以及短路部贯通导体4这样的导体部分例如由钨、钼、锰、铜、银、钯、金、铂、镍或钴等金属材料形成。此外，这些导体部分也可以由包含上述的金属材料的合金材料等形成。这样的金属材料等作为金属化导体或镀覆导体等导体而设置在绝缘基板1的给定部位。该导体例如包括呈层状地设置在绝缘层的露出表面或绝缘层彼此的层间的导体、和填充到在厚度方向上贯通绝缘层的贯通孔(无附图标记)内的柱状等的导体。
在例如是钨的金属化层的情况下，上述的导体部分能够通过如下方法来形成，即，将钨的粉末与有机溶剂以及有机粘合剂混合而制作的金属膏用丝网印刷法等方法印刷在成为绝缘基板1的陶瓷生片的给定位置，然后将它们同时进行烧成。
短路部贯通导体4等的在厚度方向上贯通绝缘基板1(绝缘层)的部分能够通过预先在陶瓷生片设置贯通孔并在该贯通孔内填充与上述同样的金属膏并进行烧成而形成。贯通孔能够通过机械的开孔加工或激光加工等方法设置在陶瓷生片。
此外，在这样的导体部分由金属化层形成时，也可以用从镍、钴、钯以及金等适当选择的镀覆层对该金属化层的露出表面进行被覆，使得进行氧化腐蚀的抑制以及后述的接合线13的接合性等特性的提高。
如前所述，图2是示出图1所示的标签用基板10的变形例的剖视图。在图2中，对于与图1同样的部位标注同样的附图标记。图2所示的例子中的标签用基板10还具有：设置在绝缘基板1的内部，并与接地导体3的一部分对置的电容导体5；以及从电容导体5一直到上表面导体2设置为在厚度方向上贯通绝缘基板1的电容部贯通导体6。
在配置有这样的电容导体5时，能够将倒F天线进一步小型化。即，能够做成为对RFID标签20的小型化有效的标签用基板10。电容导体5与不具有由凹部1a形成的开口的接地导体3对置，因此能够做成为更大的电容导体，能够使形成在电容导体5与接地导体3之间的电容更大，且能够将标签用基板10进一步小型化。
此外，因为在绝缘基板1内具有与第一电极11a电连接的上述结构的电容导体5，所以也容易在不增大绝缘基板1的外形的情况下加长供电部F与上表面导体(天线导体)2的电连接的布线长度而进行宽带化。即，对于在保持小型的状态下进行宽带化是有效的。
因此，根据本实施方式的标签用基板10，能够提供一种有利于制作小型化以及宽带化容易的RFID标签的标签用基板10。
电容导体5将绝缘基板1的一部分夹在中间而与接地导体3彼此对置，并经由电容部贯通导体6与上表面导体2电连接，具有对天线导体赋予给定的静电电容的功能。电容导体5从连接有短路部贯通导体4的端部分的相反侧的一端朝向中央部延伸。而且，在连接有短路部贯通导体4的端部分的相反侧的一端，通过电容部贯通导体6与上表面导体2电连接。
关于电容导体5的与接地导体3的对置面积，从小型化方面考虑，对置面积大更有利，但是从高增益化方面考虑，对置面积小更佳。在考虑了这样的方面以及作为RFID标签20的生产效率以及经济性等时，只要设定为在俯视下在接地导体3的面积的10～90％程度的范围内使电容导体5与接地导体3相互对置即可。
电容导体5以及电容部贯通导体6能够与上表面导体2、接地导体3以及短路部贯通导体4同样地形成。
(RFID标签)
是示出本公开的实施方式的RFID标签的一个例子的剖视图。在图3中，对于与图1以及图2同样的部位标注同样的附图标记。实施方式的RFID标签具备上述结构的标签用基板10和容纳在凹部1a的供电部F。像在与上述标签用基板10相关的说明中叙述的那样，该供电部F具有：在第一连接点14a处与上表面导体2电连接的第一电极11a；以及在比第一连接点14a更靠近短路部贯通导体4的第二连接点14b处与上表面导体2电连接的第二电极11b。第一电极11a以及第二电极11b通过接合线13与半导体元件12电连接。
即，实施方式的RFID标签20中的供电部F包含第一电极11a以及第二电极11b、和半导体元件(半导体集成电路元件)12而构成。供电部F具有对作为天线导体而发挥功能的上表面导体2进行供电的功能。半导体元件12还具有对在RFID标签20与外部之间收发的信号进行存储以及调用等的信息管理的功能。
根据本公开的一个方式的RFID标签，因为包含上述结构的标签用基板10，所以能够提供一种有效地降低了谐振频率从给定的范围偏离的可能性的RFID标签20。
此外，在实施方式的RFID标签20中，从第一电极11a一直到上表面导体2设置有在厚度方向上(部分地)贯通绝缘基板1的上部的贯通导体7A。该贯通导体7A在第一连接点14a处与上表面导体2直接连接。通过贯通导体7A，第一电极11a与上表面导体2相互电连接。
此外，在实施方式的RFID标签20中，从第二电极11b一直到接地导体3设置有在厚度方向上贯通绝缘基板1的下部的贯通导体7B。第二电极11b经由下部的贯通导体7B、接地导体3、以及短路部贯通导体4与上表面导体2电连接。即，第二电极11b在短路部贯通导体4与上表面导体2直接连接的第二连接点14b处与上表面导体2电连接。第二连接点14b比第一连接点14a更靠近短路部贯通导体4，因此能够提高半导体元件12的阻抗与标签用基板10的阻抗的匹配的自由度。
此外，第一电极11a、第二电极11b、贯通导体7A以及贯通导体7B也能够与上表面导体2、接地导体3以及短路部贯通导体4同样地形成。
半导体元件12固定在凹部1a的底面。半导体元件12向凹部1a的底面的固定，例如通过经由了金-硅(Au-Si)钎料等低熔点钎料、玻璃复合材料或树脂粘接剂等接合材料的接合法来进行。在图3所示的例子中，半导体元件12具有的端子(无附图标记)经由接合线13与第一电极11a以及第二电极11b电连接。半导体元件12的端子与第一电极11a以及第二电极11b的电连接并不限于此，例如还能够通过使用了焊料球、由金等金属构成的凸块等的倒装芯片连接进行连接。
另外，容纳在凹部1a内的供电部F也可以用密封树脂15进行密封。在用密封树脂15对供电部F进行了密封时，供电部F与外部气体的接触被抑制，作为RFID标签20的可靠性提高。
密封树脂15被覆半导体元件12，具有例如保护其不受外部气体的水分或氧等外部气体以及来自外部的机械应力等的损害的功能。作为形成这样的密封树脂15的树脂材料，例如可举出环氧树脂、聚酰亚胺树脂以及硅酮树脂等。此外，也可以在这些树脂材料中添加有二氧化硅粒子或玻璃粒子等的填料粒子。填料粒子例如为了调整密封树脂15的机械强度、耐湿性或电特性等各种特性而添加。密封树脂15能够根据RFID标签20的生产时的作业性(生产效率)以及经济性等条件而从这样的各种树脂材料适当地选择而进行使用。
(RFID系统)
如前所述，包含上述结构的RFID标签20而构成了如图4所示的实施方式的RFID系统30。实施方式的RFID系统30具有：上述结构的RFID标签20；以及具有在与RFID标签20的上表面导体2之间收发电波的天线32的读写器31。读写器31例如在由电绝缘材料构成的基体33设置矩形等的天线32而形成。基体33也可以是容纳天线32的壳体(未图示)。
根据本公开的一个方式的RFID系统，因为包含上述结构的RFID标签，所以能够提供一种在宽频带对物品与读写器之间的信息的通信距离的增大等有效的RFID系统。
安装RFID标签20的物品40是在使用时需要其使用履历等的各种物品。例如，可举出在机械加工、金属加工、树脂加工等各种工业用加工中使用的夹具或工具等用具。该用具还包含切削或研磨等消耗性的用具。此外，不限于工业用，家庭用的日用品、农产品、交通机关用等各种预付卡以及医疗用的器具等也包含于上述的物品40。
RFID标签20向物品40的安装例如以接地导体3与物品40的金属部接地的方式来进行。通过设为这样的安装的方式，物品40的金属部还能够作为RFID标签20的天线(上述倒F天线等)的接地导体而工作。由此，天线的增益提高，还能够增大RFID标签20的通信范围。即，能够形成对于增大物品40与读写器之间的信息的收发的距离等有利的RFID系统30。
此外，换言之，根据包含上述实施方式的RFID标签20的RFID系统30，能够构成即使是包含金属部的物品40，进而，即使是模具、剪刀等切断用具等金属制的物品40，也能够良好地在与读写器31的天线32之间进行电波的收发的RFID系统30。即，能够降低被由物品(金属)造成的电磁感应所妨碍的可能性。因此，例如变得容易在多个金属制的物品40与读写器31之间同时进行信息(电波)的收发，能够构成有效地提高了实用性的RFID系统。
(变形例)
图5是示出RFID标签20的第一变形例的剖视图。在图5中，对于与图3同样的部位标注同样的附图标记。在图5所示的例子中，第一电极11a经由电容导体5与上表面导体2电连接。该例子的RFID标签20还能够看作是例如在包括具有如图2所示的电容导体5的标签用基板10的RFID标签20中，第一电极11a和电容导体5通过在两者之间在厚度方向上贯通绝缘基板1的贯通导体7C而相互电连接的例子。此外，电容导体5与上表面导体2通过电容部贯通导体6相互电连接。除了这些方面以外，图5所示的例子的RFID标签20与图3所示的例子的RFID标签20相同。对于它们的相同点将省略说明。
像在与具有前述的电容导体5的标签用基板10相关的说明中叙述的那样，该例子的RFID标签20能够容易地形成小型化的倒F天线。即，能够做成为对小型化有效的RFID标签20。
此外，因为在绝缘基板1内具有与接地导体层3对置的电容导体5，所以能够有效地加长设置在绝缘基板1的内部以及下表面的、供电部F与上表面导体(天线导体)2的电连接的布线长度，因此能够做成为对小型化以及宽带化有效的RFID标签20。
因此，根据该变形例的RFID标签20，能够提供一种小型化以及宽带化容易的RFID标签。
图6是示出RFID标签的第二变形例的剖视图。在图6中，对于与图3同样的部位标注同样的附图标记。在图6所示的例子中，在绝缘基板1的内部配置有电容导体5，电容导体5与上表面导体2通过电容部贯通导体6相互电连接，但是该电容导体5不介于第一电极11a与上表面导体2之间。代替于此，第一电极11a通过贯通导体7A与上表面导体2直接(即，以比较短的连接长度)电连接。
在该第二变形例的RFID标签中，也由于与接地导体3对置的电容导体5配置在绝缘基板1的内部，因此能够容易地形成小型化的倒F天线。即，能够做成为对小型化有效的RFID标签20。换言之，也能够在不使电容导体5介于第一电极11a与上表面导体2之间的情况下使RFID标签20小型化。
此外，在图6所示的第二变形例的RFID标签中，从第一电极11a到贯通导体7A、上表面导体2、短路部贯通导体4、接地导体3、贯通导体7B、第二电极11b的路径比图5所示的该路径(从第一电极11a到第二电极11b的路径)短，因此第一电极11a与第二电极11b间的损耗小，能够提高该路径的Q值。因此，能够做成为在有效地高增益化方面有效的RFID标签20。
因此，根据该变形例的RFID标签20，能够提供一种小型化、高增益化等容易的RFID标签。
关于RFID标签20及其包含的标签用基板10，第二电极11b与上表面导体2的电连接并不限于前述的例子(经由贯通导体7B、接地导体3以及短路部贯通导体4的方式)，也可以是基于其它方式的电连接。以下，对该例子进行说明。
图7是示出RFID标签的第三变形例的剖视图。在图7中，对于与图3同样的部位标注了同样的附图标记。在图7所示的例子中，设置有从第二电极11b的端部分通过绝缘层的层间而与短路部贯通导体4连接的内部导体8A。即，第二电极11b经由内部导体8A以及短路部贯通导体4(不经由接地导体3)与上表面导体2电连接。内部导体8A也可以看作是第二电极11b的外侧的端部分延长至短路部贯通导体4而成的。
在像该变形例的RFID标签那样第二电极11b经由短路部贯通导体4与上表面导体2连接时，在如下方面是有利的。即，在图7所示的第三变形例的RFID标签中，从第一电极11a到贯通导体7A、上表面导体2、短路部贯通导体4、内部导体8A、第二电极11b的路径比图5所示的该路径(从第一电极11a到第二电极11b的路径)短，因此第一电极11a与第二电极11b间的损耗小，能够提高该路径的Q值。因此，能够做成为在有效地高增益化方面有效的RFID标签20。
因此，根据该变形例的RFID标签20，能够提供一种对于高增益化等更有效的RFID标签。
图8是示出RFID标签的第四变形例的剖视图。在图8中，对于与图3同样的部位标注了同样的附图标记。在图8所示的例子中，从第二电极11b的外侧的端部分一直到绝缘层的层间配置了内部导体8B，在该内部导体8B与上表面导体2之间配置有在厚度方向上贯通绝缘基板1的贯通导体7D。内部导体8B也可以看作是第二电极11b的外侧的端部分延长至绝缘层的层间而成的。
即，在该变形例中，第二电极11b不经由接地导体3以及短路部贯通导体4中的任一个而与上表面导体2电连接。该例子中的第二连接点是贯通导体7D的上端与上表面导体2连接的部分。
在像该变形例的RFID标签那样第二电极11b直接与上表面导体2连接时，在如下方面是有利的。即，在图8所示的第四变形例的RFID标签中，从第一电极11a到贯通导体7A、上表面导体2、贯通导体7D、内部导体8A、第二电极11b的路径比图5所示的该路径(从第一电极11a到第二电极11b的路径)短，因此第一电极11a与第二电极11b间的损耗小，能够提高该路径的Q值。因此，能够做成为在有效地高增益化方面有效的RFID标签20。
因此，根据该变形例的RFID标签20，能够提供一种对于高增益化等更加有效的RFID标签。
另外，在图7以及图8所示的例子中，也能够设置与图6所示的例子同样的电容导体5。即，在图7以及图8所示的例子中，也可以在绝缘基板1的内部配置电容导体5，并通过电容部贯通导体6将电容导体5和上表面导体2相互电连接。在该情况下，第一电极11a也是通过贯通导体7A与上表面导体2直接(即，以比较短的连接长度)电连接，因此比从第一电极11a到第二电极11b的路径短，能够做成为在有效地高增益化方面有效的RFID标签20。而且，通过具备电容导体5，从而能够做成为在小型化方面有效的RFID标签20。
(仿真例)
在图9示出图11所示的RFID标签200的基于电磁场仿真的反射特性。另外，图11是示出比较例的RFID标签200的剖视图。在图11中，对于与图1～图8同样的部位，标注同样的附图标记。在比较例的RFID标签200中，不是在绝缘基板1的上表面导体202侧，而是在接地导体203侧设置有凹部1a。在图9(a)、图9(b)中，曲线图的横轴为频率，纵轴为反射特性S11，数值表示谐振频率。图9(a)是将RFID标签200的接地导体203侧空开0.3mm的间隔设置在铜板上的情况下的反射特性，谐振频率为921MHz。另一方面，图9(b)是将RFID标签200的接地导体203侧未空开空间而设置在铜板上的情况下的反射特性，谐振频率为993MHz。即，在图11所示的RFID标签200的示例中，若RFID标签200与铜板的间隔改变，则谐振频率大幅偏离72MHz。
在图10示出图5所示的本公开的实施方式包含的第一变形例的RFID标签20的基于电磁场仿真的反射特性。在图10(a)、图10(b)中，曲线图的横轴也是频率，纵轴也是反射特性S11，数值表示谐振频率。图10(a)是将RFID标签20的接地导体3侧空开0.3mm的间隔而设置在铜板上的情况下的反射特性，谐振频率为918MHz。另一方面，图10(b)是将RFID标签20的接地导体3侧未空开空间而设置在铜板上的情况下的反射特性，谐振频率为919MHz。即，即使图5所示的本公开的第一变形例的RFID标签20与铜板的间隔改变，谐振频率也只偏离1MHz。
如上所述，根据本公开的实施方式的标签用基板10以及RFID标签20，能够提供一种对抑制谐振频率的偏差有效的标签用基板以及RFID标签。
另外，本公开并不限定于以上的实施方式的例子，只要在本公开的主旨的范围内，就能够进行各种变更。例如，也可以用金镀覆层等镀覆层来被覆上表面导体2等的露出表面。
此外，不限于短路部贯通导体4，对于其它贯通导体(电容部贯通导体4以及贯通导体7A～7D)，也可以是并列设置有多个。即，例如，也可以在电容导体5与上表面导体2之间，在俯视下相互并列地设置有多个电容部贯通导体(未图示)。在该情况下，多个电容部贯通导体一起与上述结构的标签用基板10等中的一个电容部贯通导体4同样地发挥功能。此时，例如还能够得到电容导体5与上部导体2之间的导通电阻的降低等效果。
附图标记说明
1：绝缘基板
1a：凹部
2：上表面导体
3：接地导体
4：短路部贯通导体
5：电容导体
6：电容部贯通导体
7A～7D：贯通导体
8A、8B：内部导体
10：标签用基板
F：供电部
11a：第一电极
11b：第二电极
12：半导体元件
14a：第一连接点
14b：第二连接点
15：密封树脂
20：RFID标签
30：RFID系统
31：读写器
32：天线
33：基体
40：物品

Claims (6)

1.一种标签用基板，具备：
绝缘基板，具有与外部接合的下表面以及包含凹部的上表面；
该绝缘基板的上表面的上表面导体；
所述绝缘基板的下表面的接地导体；以及
短路部贯通导体，在厚度方向上贯通所述绝缘基板，并对所述上表面导体和所述接地导体进行电连接，
该短路部贯通导体仅在所述上表面导体的外周部的一部分与所述上表面导体连接。
2.根据权利要求1所述的标签用基板，其中，还具备：
电容导体，处于所述绝缘基板的内部，与所述接地导体的一部分对置；以及
电容部贯通导体，在厚度方向上贯通所述绝缘基板，并对所述电容导体和所述上表面导体进行电连接。
3.一种RFID标签，具备：
权利要求1或权利要求2所述的标签用基板；以及
供电部，容纳在所述凹部，
该供电部具有：
第一电极，在第一连接点处与所述上表面导体电连接；以及
第二电极，在比所述第一连接点更靠近所述短路部贯通导体的第二连接点处与所述上表面导体电连接。
4.根据权利要求3所述的RFID标签，其具备权利要求2所述的标签用基板，其中，
所述第一电极经由所述电容导体与所述上表面导体电连接。
5.根据权利要求3所述的RFID标签，其中，
所述第一电极与所述电容导体直接连接。
6.一种RFID系统，具备：
权利要求3～权利要求5中的任一项所述的RFID标签；以及
读写器，具有在与该RFID标签的所述上表面导体之间收发电波的天线。
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