CN105493627A - 电致发光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
在具备有机EL元件(电致发光元件)(4)的有机EL显示装置(电致发光装置)(1)中，具备将有机EL元件(4)密封的密封膜(14)，在密封膜(14)中，依次设置有第一无机层(14a)、第一有机层(14b)、第二无机层(14c)、第二有机层(14d)和第三无机层(最上层的无机层)(14e)。此外，第一有机层和第二有机层的各有机层(14b、14d)形成为其端部(14b2、14d2)的膜厚从其中央部(14b1、14d1)的膜厚逐渐减小。此外，第三无机层(14e)以覆盖第一无机层(14a)、第一有机层(14b)、第二无机层(14c)和第二有机层(14d)的各端部的方式设置。
Description
技术领域
本发明涉及具有EL(电致发光)元件的电致发光装置及其制造方法。
背景技术
近年来，在各种商品和领域中使用平板显示器，要求平板显示器进一步大型化、高画质化、低消耗电力化。
在这样的状況下，具备利用有机材料的电场发光(ElectroLuminescence)的有机EL(电致发光)元件的有机EL显示装置，作为全固体型且在能够低电压驱动、高速响应性、自发光性等方面优异的平板显示器，受到高度关注。
例如在有源矩阵方式的有机EL显示装置中，在设置有TFT(薄膜晶体管)的基板上设置有薄膜状的有机EL元件。在有机EL元件中，在一对电极之间层叠有包括发光层的有机EL层。TFT与一对电极中的一个电极连接。通过在一对电极间施加电压使发光层发光来进行图像显示。
此外，已知在上述那样的以往的有机EL显示装置中，为了防止由水分或氧气引起的有机EL元件的劣化，在该有机EL元件上形成密封膜。此外，提出了在这样的以往的有机EL显示装置中，使用将无机层和有机层层叠而得到的层叠膜作为上述密封膜。
具体而言，提出了在上述那样的以往的有机EL显示装置中，例如如下述专利文献1中记载的那样，设置从该有机EL显示装置的中央部越向边缘部去，密度和厚度越增大的密封膜。在该以往的有机EL显示装置中，能够防止侧面方向的水分或氧气的渗透。
此外，提出了在以往的有机EL显示装置中，例如如下述专利文献2中记载的那样，设置将有机层和无机层交替地层叠而得到的密封膜，并且在该密封膜中，最上层的有机层以外的各有机层形成在比无机层窄的区域。即，在该以往的有机EL显示装置中，与密封玻璃基板紧贴的、上述最上层的有机层以外的各有机层，以其端部不露出在外部的方式，由相互层叠的2个无机层覆盖。在该以往的有机EL显示装置中，能够防止由露出导致的有机层的劣化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-124213号公报
专利文献2：日本特开2009-37812号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，在上述那样的以往的有机EL显示装置(电致发光装置)中，存在不能可靠地抑制水分渗透，不能防止有机EL元件(电致发光元件)的劣化，可靠性大幅下降的问题。
具体而言，在上述专利文献1中记载的以往的有机EL显示装置中，以有机层露出的方式设置，因此，即使增大该有机层的密度和厚度，也不能可靠地抑制水分或氧气渗透。此外，在该以往的有机EL显示装置中，以无机层的膜厚在端部逐渐减小的方式设置，因此，在该无机层产生了针孔等缺陷的情况下，水分等容易经由该缺陷或有机层渗透。
此外，在上述专利文献2中记载的以往的有机EL显示装置中，多个无机层相互直接接触地层叠，因此，层叠部分的膜应力增高，由于该应力，会产生无机层相互剥离、或者无机层从基板剥离的问题。其结果，在该以往的有机EL显示装置中，水分等经由有机层渗透，有机EL显示装置的可靠性大幅下降。
鉴于上述的技术问题，本发明的目的是提供可靠地抑制水分渗透、并且可靠性优异的电致发光装置及其制造方法。
用于解决技术问题的手段
为了实现上述目的，本发明的电致发光装置具备基板和设置在上述基板上的电致发光元件，其特征在于：具备将上述电致发光元件密封的密封膜，在上述密封膜中设置有2层以上的有机层和2层以上的无机层，并且，在上述密封膜中，上述有机层和上述无机层交替地设置，上述2层以上的各有机层形成为该各有机层的端部的膜厚逐渐减小，在上述密封膜中，上述无机层设置在上述密封膜的最上层，并且，该最上层的无机层以覆盖下层的上述有机层的端部和下层的上述无机层的端部的方式设置。
在如上述那样构成的电致发光装置中，在上述密封膜中，设置有2层以上的有机层和2层以上的无机层，并且该有机层和无机层交替地设置。此外，在2层以上的各有机层形成为该各有机层的端部的膜厚逐渐减小。此外，在密封膜中，无机层设置在该密封膜的最上层，并且该最上层的无机层以覆盖下层的有机层的端部和下层的无机层的端部的方式设置。由此，与上述以往例不同，能够构成可靠地抑制水分渗透、并且可靠性优异的电致发光装置。
此外，在上述电致发光装置中，优选上述2层以上的各无机层形成为该各无机层的端部的膜厚不逐渐减小。
在该情况下，能够容易地提高密封膜对电致发光元件的密封性。
此外，在上述电致发光装置中，优选在上述2层以上的各有机层中，该各有机层的膜厚逐渐减小的渐减区域设置在上述基板上的上述电致发光元件的外侧区域。
在该情况下，能够可靠地防止密封膜的可靠性、进而电致发光装置的可靠性下降，并且也能够防止电致发光装置的性能下降。
此外，在上述电致发光装置中，优选上述2层以上的各有机层形成为该各有机层的上述电致发光元件上的部分的膜厚实质上均匀。
在该情况下，能够容易地提高密封膜对电致发光元件的密封性，并且也能够防止电致发光装置的性能下降。
此外，在上述电致发光装置中，优选在上述电致发光元件侧设置有与上述基板相对的对置基板，在上述基板与上述对置基板之间设置有将上述电致发光元件封入的框状的密封件。
在该情况下，能够更可靠地防止电致发光元件的劣化。
此外，本发明的电致发光装置的制造方法，是具备基板和设置在上述基板上的电致发光元件的电致发光装置的制造方法，该电致发光装置的制造方法的特征在于，具备：在上述电致发光元件上或在将上述电致发光元件密封的最下层的无机层上，形成端部的膜厚逐渐减小的第一有机层的工序；在上述第一有机层上形成中间层的无机层的工序；在上述中间层的无机层上形成端部的膜厚逐渐减小的第二有机层工序；和以覆盖上述无机层的端部以及上述第一有机层和上述第二有机层的各端部的方式形成最上层的无机层的工序。
在如上述那样构成的电致发光装置的制造方法中，设置有在电致发光元件上或在将电致发光元件密封的最下层的无机层上形成端部的膜厚逐渐减小的第一有机层的工序。此外，依次进行在第一有机层上形成中间层的无机层的工序、在中间层的无机层上形成端部的膜厚逐渐减小的第二有机层的工序、和以覆盖无机层的端部以及第一有机层和第二有机层的各端部的方式形成最上层的无机层的工序。由此，与上述以往例不同，能够构成可靠地抑制水分渗透、并且可靠性优异的电致发光装置。
此外，在上述电致发光装置的制造方法中，上述无机层可以使用CVD法或ALD法形成。
在该情况下，能够高精度并且容易地形成无机层。
此外，在上述电致发光装置的制造方法中，上述第一有机层和上述第二有机层中的至少上述第二有机层可以使用蒸镀法或溅射法形成。
在该情况下，能够高精度并且容易地形成至少第二有机层。
此外，在上述电致发光装置的制造方法中，在上述电致发光元件上形成的上述第一有机层可以使用湿法形成。
在该情况下，能够高精度、容易并且成本低廉地形成第一有机层。
此外，在上述电致发光装置的制造方法中，在形成上述最上层的无机层以外的上述无机层以及上述第一有机层和上述第二有机层的工序中，使用倒锥状的掩模。
在该情况下，能够实现制造工序的简化和制造时间的缩短。
发明效果
根据本发明，能够提供可靠地抑制水分渗透、并且可靠性优异的电致发光装置及其制造方法。
附图说明
图1是对本发明的第一实施方式的有机EL显示装置进行说明的截面图。
图2是对图1所示的密封膜的具体结构进行说明的截面图。
图3是表示上述密封膜的端部的放大截面图。
图4是上述有机EL显示装置的俯视图。
图5是对在上述有机EL显示装置的制造工序中使用的掩模进行说明的图，图5的(a)是表示在最上层的无机层以外的无机层和有机层的形成工序中使用的第一掩模的平面图，图5的(b)是表示在最上层的无机层的形成工序中使用的第二掩模的平面图。
图6是对上述有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图6的(a)～图6的(b)对一连串的主要制造工序进行说明。
图7是对上述有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图7的(a)～图7的(b)对接着图6的(b)所示的工序之后进行的一连串的主要制造工序进行说明。
图8是对上述密封膜的具体效果进行说明的图，图8的(a)是对第一比较例中的具体问题进行说明的图，图8的(b)是对第二比较例中的具体问题进行说明的图，图8的(c)是对上述密封膜的具体效果进行说明的图。
图9是对本发明的第二实施方式的有机EL显示装置中的密封膜的具体结构进行说明的截面图。
图10是表示图9所示的密封膜的端部的放大截面图。
图11是对图9所示的有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图11的(a)～图11的(b)对一连串的主要制造工序进行说明。
图12是对图9所示的有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图12的(a)～图12的(b)对接着图11(b)所示的工序之后进行的一连串的主要制造工序进行说明。
图13是对图9所示的密封膜的具体效果进行说明的图，图13的(a)是对第三比较例中的具体问题进行说明的图，图13的(b)是对第四比较例中的具体问题进行说明的图，图13的(c)是对图9所示的密封膜的具体效果进行说明的图。
图14是对本发明的第三实施方式的有机EL显示装置进行说明的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图，对表示本发明的电致发光装置及其制造方法的优选实施方式进行说明。另外，在以下的说明中，以将本发明应用于有机EL显示装置的情况为例进行说明。此外，各图中的构成部件的尺寸并没有忠实地表示实际的构成部件的尺寸和各构成部件的尺寸比率等。
[第一实施方式]
图1是对本发明的第一实施方式的有机EL显示装置进行说明的截面图。在图1中，本实施方式的有机EL显示装置1具备作为基板的TFT基板2和设置在该TFT基板2上的作为电致发光(ElectroLuminescence)元件的有机EL元件4。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置1中，有机EL元件4构成具有多个像素的矩形状的像素区域A，该有机EL元件4由密封膜14密封。此外，上述像素区域A构成有机EL显示装置1的显示部，进行信息显示。
返回到图1，TFT基板2例如由玻璃材料构成。此外，在TFT基板2，以覆盖其整个面的方式设置有基底膜(绝缘膜)6，在该基底膜6上，按像素区域A的每个像素设置有TFT(薄膜晶体管)7。此外，在基底膜6上形成有配线8，该配线8包括设置成矩阵状的多个源极线(信号线)和多个栅极线。源极线和栅极线分别与源极驱动器和栅极驱动器(未图示)连接，根据从外部输入的图像信号，驱动每个像素的TFT7。此外，TFT7作为控制对应的像素的发光的开关元件发挥作用，控制由有机EL元件4构成的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)中的任意颜色的像素的发光。
另外，基底膜6用于防止由于杂质从TFT基板2向TFT7扩散而导致TFT7的特性劣化，如果不担心这样的劣化，则能够省略设置。
此外，在TFT基板2上形成有层间绝缘膜9、边缘罩10和有机EL元件4的第一电极11。层间绝缘膜9也作为平坦化膜发挥作用，以覆盖TFT7和配线8的方式设置在基底膜6上。边缘罩10在层间绝缘膜9上以覆盖第一电极11的图案端部的方式形成。此外，边缘罩10也作为用于防止第一电极11与后述的第二电极13短路的绝缘层发挥作用。此外，第一电极11经由在层间绝缘膜9中形成的接触孔与TFT7连接。
此外，本实施方式的有机EL显示装置1构成为，边缘罩10的开口部、即第一电极11露出的部分实质上构成有机EL元件4的发光区域，如上所述，能够通过发出RGB中的任意颜色的光来进行全彩色的显示。
此外，在第一电极11上形成有有机EL层12和第二电极13，由该第一电极11、有机EL层12和第二电极13构成有机EL元件4。即，有机EL元件4例如是能够通过低电压直流驱动进行高亮度发光的发光元件，具备第一电极11、有机EL层12和第二电极13。
具体而言，在第一电极11为阳极的情况下，从第一电极11侧起，作为有机EL层12层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层等(未图示)，进而形成作为阴极的第二电极13。此外，除了该说明以外，也可以是像空穴注入层兼空穴输送层等那样单一层具有2种以上的功能的结构。此外，也可以在有机EL层12中适当地插入载流子阻挡层等。
另一方面，在第二电极13为阳极的情况下，有机EL层12中的层顺序与上述的层顺序相反。
此外，在利用透射电极或半透射电极构成第一电极11，利用反射电极构成第二电极13的情况下，有机EL显示装置1成为从TFT基板2侧射出光的底部发光型。相反，在利用反射电极构成第一电极11，利用透射电极或半透射电极构成第二电极13的情况下，有机EL显示装置1成为从密封膜14射出光的顶部发光型。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置1中，如上所述，有机EL元件4由密封膜14密封，利用密封膜14防止水分和氧气等从外部渗透(渗入)，防止有机EL元件4劣化。
在此，也参照图2至图4，对本实施方式的密封膜14进行具体说明。
图2是对图1所示的密封膜的具体结构进行说明的截面图。图3是表示上述密封膜的端部的放大截面图。图4是上述有机EL显示装置的俯视图。
如图2所示，本实施方式的密封膜14中包括例如合计5层的无机层和有机层，这些无机层和有机层交替地设置。即，在本实施方式的密封膜14中，以覆盖有机EL元件4的方式设置有第一无机层14a。此外，在第一无机层14a上设置有第一有机层14b，在第一有机层14b上设置有第二无机层14c。进一步，在第二无机层14c上设置有第二有机层14d，在第二有机层14d上设置有第三无机层14e。
此外，在密封膜14中，作为最上层的无机层的第三无机层14e以覆盖下层的第一无机层和第二无机层14a和14c的各端部以及下层的第一有机层和第二有机层14b和14d的各端部的方式设置。即，在密封膜14中，构成为第三无机层14e的内表面与第一无机层和第二无机层14a和14c的各端面以及第一有机层和第二有机层14b和14d的各端面接触。
此外，第一无机层～第三无机层的各无机层14a、14c和14e形成为其端部的膜厚不逐渐减小。即，第一无机层～第三无机层的各无机层14a、14c和14e形成为其端部的膜厚与有机EL元件4上的部分(即像素区域A的部分，以下称为中央部)的膜厚实质上相同。
具体而言，在图3中，简略地记载了有机EL元件4的厚度的影响，第一无机层14a，因为是跟随基底的台阶差而形成的，所以其端部14a2的膜厚与中央部14a1的膜厚形成为实质上相同。此外，第二无机层14c，其膜厚形成为实质上相同，其中央部14c1的膜厚与其端部14c2的膜厚形成为实质上相同。同样，第三无机层14e，其膜厚形成为实质上相同，其中央部14e1的膜厚与其端部14e2的膜厚形成为实质上相同。
此外，第一无机层～第三无机层的各无机层14a、14c和14e例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或Al2O3等的无机膜构成。
此外，第一有机层和第二有机层的各有机层14b和14d形成为其端部的膜厚逐渐减小，并且形成为其中央部的膜厚实质上均匀。即，第一有机层和第二有机层的各有机层14b和14d形成为其端部的膜厚从中央部(有机EL元件4上的部分)的膜厚逐渐减小而变薄。
具体而言，如图3例示的那样，第一有机层14b形成为其端部14b2的膜厚从其中央部14b1的膜厚逐渐减小。此外，第二有机层14d形成为其端部14d2的膜厚从其中央部14d1的膜厚逐渐减小。
此外，在第一有机层和第二有机层的各有机层14b和14d中，端部14b2的端面的膜厚和端部14d2的端面的膜厚被调整为例如几nm～几十nm。由此，第一有机层14b构成为尽可能地防止第一无机层和第二无机层14a和14c相互直接接触地层叠，第二有机层14d构成为尽可能地防止第二无机层和第三无机层14c和14e相互直接接触地层叠。换言之，利用第一有机层14b防止第一无机层和第二无机层14a和14c在与TFT基板2的表面垂直的方向上相互重合，利用第二有机层14d防止第二无机层和第三无机层14c和14e在与TFT基板2的表面垂直的方向上相互重合。
此外，第一有机层和第二有机层的各有机层14b和14d，如图3例示的那样，以端部14b2的端面和端部14d2的端面一致的方式形成在TFT基板2的上方。
此外，如图4所示，在第一有机层和第二有机层的各有机层14b和14d，其膜厚逐渐减小的渐减区域D设置在TFT基板2上的有机EL元件4的外侧区域。即，在第一有机层和第二有机层的各有机层14b和14d，在与矩形状的像素区域A对应的膜厚实质上均匀的中央部14b1和14d1的均匀区域、以及如图4的点划线B所示与该均匀区域相比向外侧设定规定尺寸的中间区域中，膜厚实质上均匀地形成。另外，如图4的点划线C所示，端部14b2的端面和端部14d2的端面设置在上述均匀区域和中间区域的外侧，上述渐减区域D设置在像素区域A(有机EL元件4)的外侧区域。
此外，第一有机层和第二有机层的各有机层14b和14d例如由丙烯酸酯或聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺或聚酰胺等的有机膜构成。
此外，在本实施方式的密封膜14中，第一无机层和第二无机层14a和14c以及第一有机层和第二有机层14b和14d，如后文详细说明的那样，使用1个掩模形成在TFT基板2上。
接着，使用图5至图7，对本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法进行具体说明。另外，在以下的说明中，主要对本实施方式的密封膜14的成膜方法进行说明。
图5是对在上述有机EL显示装置的制造工序中使用的掩模进行说明的图，图5的(a)是表示在最上层的无机层以外的无机层和有机层的形成工序中使用的第一掩模的平面图，图5的(b)是表示在最上层的无机层的形成工序中使用的第二掩模的平面图。图6是对上述有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图6的(a)～图6的(b)对一连串的主要制造工序进行说明。图7是对上述有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图7的(a)～图7的(b)对接着图6的(b)所示的工序之后进行的一连串的主要制造工序进行说明。
首先，使用图5，对在本实施方式的密封膜14的制造工序中使用的2个(沉积)掩模M1和M2进行具体说明。
在图5的(a)中，掩模M1是在第一无机层和第二无机层14a和14c以及第一有机层和第二有机层14b和14d的形成工序中使用的掩模，构成为倒锥状。即，掩模M1构成为从成膜用气体等材料的供给侧看，开口部扩展。具体而言，如图5的(a)所示，在掩模M1中，在成膜时与上述材料的供给侧相对配置的面设置有由4条边M1a规定的开口部K1。此外，在掩模M1中，在成膜时与TFT基板2侧相对配置的面设置有由4条边M1b规定的开口部K2。这些开口部K1和K2构成为，TFT基板2侧的开口部K2具有比开口部K1大的开口，掩模M1构成为倒锥状。即，掩模M1如后述的例如图6的(a)所示，具有倒锥状的开口截面。
此外，在图5的(b)中，掩模M2是在第三无机层14e的形成工序中使用的掩模，具有均匀的开口部K3。即，如图5的(b)所示，在掩模M2中设置有由4条边M2a规定的开口部K3。此外，该开口部K3构成为具有比掩模M1的开口部K1和K2大的开口。
接着，使用图6和图7，对本实施方式的密封膜14的具体的形成工序进行说明。
如图6的(a)所示，在本实施方式的有机EL显示装置1中，首先进行在TFT基板2上的有机EL元件4上形成第一无机层14a的工序。即，如图6的(a)所示，掩模M1以形成有边M1b的下表面与TFT基板2侧相对的方式配置，并且以有机EL元件4配置在开口部K2的内部的方式配置在TFT基板2的基底膜6上。通过使用例如CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)法或ALD(AtomicLayerDeposition：原子层沉积)法等，以覆盖有机EL元件4的方式形成第一无机层14a。
此外，CVD法或ALD法是覆盖率(覆盖性)高的成膜方法，通过利用这些方法进行成膜，能够以距基底的高度一定的方式，高精度并且容易地形成第一无机层14a(第二无机层和第三无机层14c和14e也是同样)。
接着，如图6的(b)所示，进行在将有机EL元件4密封的最下层的第一无机层14a上，形成端部的膜厚逐渐减小的第一有机层14b的工序。即，在该工序中，与图6的(a)所示的工序同样地使用掩模M1，例如通过使用蒸镀法或溅射法等，在第一无机层14a上形成第一有机层14b。
此外，蒸镀法或溅射法中，成膜颗粒的飞翔方向具有指向性，因此，通过使用倒锥状的掩模M1，从由在该掩模M1的上表面形成的边M1a规定的上侧的开口部K1的内侧飞翔的成膜颗粒，例如对开口部K1的左端部的成膜有贡献，从开口部K1的外侧飞翔的成膜颗粒对该左端部的成膜没有贡献。利用这样的现象，能够高精度并且容易地形成端部的膜厚逐渐减小的第一有机层14b(第二有机层14d也是同样)。
接着，如图7的(a)所示，进行在第一有机层14b上形成作为中间层的第二无机层14c的工序、和在第二无机层14c上形成端部的膜厚逐渐减小的第二有机层14d的工序。即，在这些工序中，与图6的(a)所示的工序同样地使用掩模M1，例如通过使用CVD法或ALD法等，在第一有机层14b上形成第二无机层14c，通过使用蒸镀法或溅射法等，在第二无机层14c上形成第二有机层14d。在该第二无机层14c的形成工序中使用CVD法或ALD法等，因此，即使在使用掩模M1的情况下，也能够以实质上均匀的膜厚进行成膜。
此外，在第一有机层和第二有机层14b和14d的各形成工序中，膜厚逐渐减小的程度能够通过调整掩模M1的锥角(由边M1a和边M1b形成的角)来控制。此外，例如通过调整成膜颗粒的供给源的位置(例如从相对于开口部K1倾斜的方向进行蒸镀的、所谓的斜方蒸镀等)，也能够对端部的膜厚逐渐减小进行控制。在该情况下，不一定要使用倒锥状的掩模M1。
此外，只要通过气体种类、气体量、圧力或成膜室内的构造等能够实现第一有机层和第二有机层14b和14d的端部膜厚逐渐减小构造，可以与第一、第二和第三无机层14a、14c和14e的形成工序同样，在第一有机层和第二有机层14b和14d的形成工序中也使用CVD法或ALD法。在该情况下，第一、第二和第三无机层14a、14c和14e、以及第一有机层和第二有机层14b和14d能够在同一成膜室中一贯地形成，能够提高生产率，减少在切换成膜室时混入的异物的产生。
接着，如图7的(b)所示，进行以覆盖第一无机层和第二无机层14a和14c的各端部以及第一有机层和第二有机层14b和14d的各端部的方式，形成作为最上层的第三无机层14e的工序。即，如图7的(b)所示，以第一无机层和第二无机层14a和14c以及第一有机层和第二有机层14b和14d配置在开口部K3的内部的方式，在TFT基板2的基底膜6上配置有掩模M2。例如通过使用CVD法或ALD法等，以覆盖第一无机层和第二无机层14a和14c的各端部以及第一有机层和第二有机层14b和14d的各端部的方式形成第三无机层14e。
通过以上的制造工序，本实施方式的有机EL显示装置1完成。
在如以上那样构成的本实施方式的有机EL显示装置1中，在密封膜14中，设置有第一有机层和第二有机层14b和14d以及第一无机层～第三无机层14a、14c和14e，并且这些第一有机层和第二有机层14b和14d以及第一无机层～第三无机层14a、14c和14e交替地设置。此外，第一有机层和第二有机层的各有机层14b和14d形成为其端部14b2和14d2的膜厚逐渐减小。此外，在本实施方式的密封膜14中，在其最上层设置有第三无机层14e，并且该第三无机层14e以覆盖下层的第一有机层和第二有机层14b和14d的各端部14b2和14d2以及下层的第一无机层和第二无机层14a和14c的各端部14a2和14c2的方式设置。由此，在本实施方式中，与上述以往例不同，能够构成可靠地抑制水分渗透并且可靠性优异的有机EL显示装置(电致发光装置)1。
在此，参照图8，对本实施方式的密封膜14的具体效果进行说明。
图8是对上述密封膜的具体效果进行说明的图，图8的(a)是对第一比较例的具体问题进行说明的图，图8的(b)是对第二比较例的具体问题进行说明的图，图8的(c)是对上述密封膜的具体效果进行说明的图。
如图8的(a)所示，在第一比较例中，在TFT基板51上依次设置有基底膜52和有机EL元件53。此外，在第一比较例中，以覆盖有机EL元件53的方式设置有第一无机层54。此外，在第一无机层54上依次设置有第一有机层55、第二无机层56、第二有机层57和第三无机层58。此外，在第一比较例中，第一有机层和第二有机层的各有机层55和57的端面露出在外部。
在如上所述的第一比较例中，水分容易从露出的第一有机层和第二有机层55和57的各端面渗入，渗透到有机EL元件(像素区域)53。
具体而言，来自外部的水分，即使如在图8的(a)中用箭头符号H1表示的那样，从第二有机层57的端面渗入，到达有机EL元件53上方，也如在图8的(a)中用箭头符号H2表示的那样，被其下层的第二无机层56阻挡。即使在第二无机层56产生了针孔，也在第一有机层55被扩散，进而被第一无机层54阻挡。即，用箭头符号H1表示的水分，为了到达有机EL元件53，需要在第二有机层57内扩散、通过第二无机层56的针孔、在第一有机层55内扩散、并且通过第一无机层54的针孔。
另一方面，当如在图8的(a)中用箭头符号H3表示的那样，水分从第一有机层55的端面渗入时，会通过第一无机层54的针孔，容易地到达有机EL元件53，造成损伤。即，来自第二有机层57的端面的水分，到达有机EL元件53需要时间，但是来自第一有机层55的端面的水分较早地对有机EL元件53造成损伤。
此外，如图8的(b)所示，在第二比较例中，在TFT基板61上依次设置有基底膜62和有机EL元件63。此外，在第二比较例中，以覆盖有机EL元件63的方式设置有第一无机层64。此外，在第一无机层64上依次设置有第一有机层65、第二无机层66和第二有机层67。此外，在第二比较例中，以覆盖第一无机层和第二无机层64和66的各端面以及第一有机层和第二有机层65和67的各端面的方式设置有第三无机层68。
在如上所述的第二比较例中，当如在图8的(b)中用箭头符号H5表示的那样，不通过第三无机层68的针孔时，不会渗入到第二有机层67内，不会到达有机EL元件63上方。此外，即使到达有机EL元件63上方，也如在图8的(b)中用箭头符号H6表示的那样，被其下层的第二无机层66阻挡。即，在该第二比较例中，与在图8的(a)中用箭头符号H1表示的水分的渗入相比，水分的渗入受到了抑制。
此外，在第二比较例中，当如在图8的(b)中用箭头符号H7表示的那样，不通过第三无机层68的针孔时，不会渗入到第一有机层65内。因此，在该第二比较例中，与在图8的(a)中用箭头符号H3表示的水分的渗入相比，水分的渗入受到了抑制。
然而，当水分通过第三无机层68的针孔时，水分在第一有机层65内容易地扩散，如在图8的(b)中用箭头H8表示的那样，通过第一无机层64的针孔，到达有机EL元件63。其结果，在第二比较例中，有机EL元件63的损伤的抑制也不充分。
此外，如在图8的(c)中用箭头符号H9表示的那样，在本实施方式制品中，即使在第三无机层14e产生了针孔，因为构成为第二有机层14d的端面14d2(图3)的膜厚小，所以水分在该第二有机层14d的扩散也被大幅限制。其结果，在本实施方式中，能够进一步抑制用箭头符号H9表示的水分的渗入。
此外，如在图8的(c)中用箭头符号H10表示的那样，在本实施方式制品中，当不仅不通过第三无机层14e，而且也不通过第二无机层14c时，无法渗入到第一有机层14b。此外，在本实施方式制品中，即使在第三无机层14e产生了针孔，因为被第二无机层14c阻挡，所以也能够充分地抑制有机EL元件4的损伤。
即，在本实施方式中，通过设置第三无机层14e，在最上层的第二有机层14d以外的第一有机层14b，如果不贯穿第二无机层和第三无机层14c和14e，则水分无法到达第一有机层14b。因此，即使在第三无机层14e产生了针孔，也能够有效地抑制水分的渗透。
此外，在本实施方式中，不存在2层以上的无机层直接接触地层叠的部分。因此，难以发生由无机层的应力引起的膜剥离，能够提高有机EL显示装置1的可靠性。
此外，在本实施方式中，在第一有机层和第二有机层的各有机层14b和14d，膜厚逐渐减小的渐减区域D设置在TFT基板2上的有机EL元件4的外侧区域。由此，在本实施方式中，能够可靠地防止密封膜14的可靠性、进而有机EL显示装置1的可靠性下降，并且也能够防止电致发光装置的性能(例如有机EL显示装置1的显示品质)的下降。即，在渐减区域D与有机EL元件4的区域重叠的情况下，在顶部发光构造的电致发光装置中，射出的光根据其区域的不同而穿过不同膜厚的密封膜。因此，透过率和视野角特性等光学特性根据显示区域(或者发光区域等)而不同，因此，电致发光装置的性能(例如有机EL显示装置1的显示品质或有机EL照明装置的发光品质等)下降。然而，当渐减区域D设置在TFT基板2上的有机EL元件4的外侧区域时，显示区域(或者发光区域等)的光学特性均匀，因此，电致发光装置的性能不下降。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法中，进行下述工序：在TFT基板2上的有机EL元件4上形成第一无机层14a的工序；在第一无机层14a上形成端部的膜厚逐渐减小的第一有机层14b的工序；在第一有机层14b上形成作为中间层的第二无机层14c的工序；在第二无机层14c上形成端部的膜厚逐渐减小的第二有机层14d的工序；和以覆盖第一无机层和第二无机层14a和14c的各端部以及第一有机层和第二有机层14b和14d的各端部的方式，形成作为最上层的第三无机层14e的工序。由此，在本实施方式中，与上述以往例不同，能够构成可靠地抑制水分渗透、并且可靠性优异的有机EL显示装置1。
此外，在本实施方式中，在形成最上层的第三无机层14e以外的第一无机层和第二无机层14a和14c以及第一有机层和第二有机层14b和14d的工序中，使用倒锥状的掩模M1。由此，在本实施方式中，能够实现制造工序的简化和制造时间的缩短。
[第二实施方式]
图9是对本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的密封膜的具体结构进行说明的截面图。图10是表示图9所示的密封膜的端部的放大截面图。
在图中，本实施方式与上述第一实施方式的主要的不同点在于，在密封膜中，在有机EL元件上设置有第一有机层，在该第一有机层上设置有第一无机层和第二有机层，并且设置有作为最上层的无机层的第二无机层。另外，对与上述第一实施方式相同的要素，标注相同的符号，省略其重复说明。
即，如图9和图10所示，在本实施方式的有机EL显示装置1中，作为将有机EL元件4密封的密封膜14，例如包括合计4层的无机层和有机层，这些无机层和有机层交替地设置。即，在本实施方式的密封膜14中，以覆盖有机EL元件4的方式设置有第一有机层14f。此外，在第一有机层14f上设置有第一无机层14g，在第一无机层14g上设置有第二有机层14h。另外，在第二有机层14h上设置有第二无机层14i。
此外，在密封膜14中，作为最上层的无机层的第二无机层14i以覆盖下层的第一无机层14g的端部以及下层的第一有机层和第二有机层14f和14h的各端部的方式设置。即，在密封膜14中，构成为第二无机层14i的内表面与第一无机层14g的端面以及第一有机层和第二有机层14f和14h的各端面接触。
此外，第一无机层和第二无机层的各无机层14g和14i形成为其端部的膜厚不逐渐减小。即，第一无机层和第二无机层的各无机层14g和14i形成为其端部的膜厚与其中央部(有机EL元件4上的部分)的膜厚实质上相同。
具体而言，如图10所例示的那样，在第一无机层14g中，其膜厚形成为实质上相同，其中央部14g1的膜厚与其端部14g2的膜厚形成为实质上相同。同样，在第二无机层14i中，其膜厚形成为实质上相同，其中央部14i1的膜厚与其端部14i2的膜厚形成为实质上相同。
此外，第一无机层和第二无机层的各无机层14g和14i，与第一实施方式同样，例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或Al2O3等的无机膜构成。
此外，第一有机层和第二有机层的各有机层14f和14h形成为其端部的膜厚逐渐减小，并且形成为其中央部的膜厚实质上均匀。即，第一有机层和第二有机层的各有机层14h和14h形成为其端部的膜厚从该端部的内侧部分的膜厚逐渐减小而变薄。
具体而言，如图10所例示的那样，在第一有机层14f中，在其中央部14f1与端部14f2之间设置有规定的中间区域，该中间区域具有将该第一有机层14f覆盖的有机EL元件4的厚度与具有实质上均匀的膜厚的中央部14f1的膜厚相加而得到的膜厚，其端部14f2的膜厚形成为从该中间区域的膜厚逐渐减小。此外，第二有机层14h形成为其端部14h2的膜厚从其中央部14h1的膜厚逐渐减小。这样，在本实施方式中，第一有机层14f的中间区域，与第一实施方式的第一有机层和第二有机层的各有机层14b和14d的中间区域不同，其膜厚比中央部14f1的膜厚更厚。
此外，在第一有机层和第二有机层的各有机层14f和14h中，端部14f2的端面的膜厚和端部14h2的端面的膜厚与第一实施方式同样地被调整为例如几nm～几十nm。由此，第二有机层14h构成为尽可能防止第一无机层和第二无机层14g和14i相互层叠。换言之，利用第二有机层14h，防止第一无机层和第二无机层14g和14i在与TFT基板2的表面垂直的方向上相互重合。
此外，第一有机层和第二有机层的各有机层14f和14h，如图10所例示的那样，以端部14f2的端面和端部14h2的端面一致的方式形成在TFT基板2的上方。
另外，除了该说明以外，也可以构成为第一有机层14f的端部14f2的端面与第二有机层14h的端部14h2的端面相比位于有机EL元件4侧。
此外，第一有机层和第二有机层的各有机层14f和14h，与第一实施方式同样，例如由丙烯酸酯或聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺或聚酰胺等的有机膜构成。
接着，使用图11和图12，对本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法进行具体说明。另外，在以下的说明中，主要对本实施方式的密封膜14的成膜方法进行说明。
图11是对图9所示的有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图11的(a)～图11的(b)对一连串的主要制造工序进行说明。图12是对图9所示的有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图12的(a)～图12的(b)对接着图11的(b)所示的工序之后进行的一连串的主要制造工序进行说明。
如图11的(a)所示，在本实施方式的有机EL显示装置1中，首先进行在TFT基板2上的有机EL元件4上形成端部的膜厚逐渐减小的第一有机层14f的工序。即，在该工序中，与第一实施方式不同，不使用掩模M1，而使用例如印刷法等湿法形成第一有机层14f。
在该湿法中，通过涂敷液化的有机层前体，并利用UV曝光或热处理(固化烘焙)进行固化，来形成第一有机层14f。此外，作为材料，有UV树脂或环氧树脂等。此外，因为材料是液体，所以涂敷端能够利用表面张力形成平缓的膜厚渐减形状。另外，也能够利用热处理时的再流动来控制端部的膜厚渐减形状。
另外，除了该说明以外，也可以与第一实施方式同样，使用掩模M1，利用例如蒸镀法或溅射法等形成第一有机层14f。
接着，如图11的(b)所示，进行在第一有机层14f上形成作为中间层的第一无机层14g的工序。即，在该工序中，与图6的(a)所示的工序同样，使用掩模M1，通过使用例如CVD法或ALD法等，在第一有机层14f上形成第一无机层14g。在该第一无机层14g的形成工序中，使用CVD法或ALD法等，因此，即使在使用掩模M1的情况下，也能够以实质上均匀的膜厚进行成膜。
接着，如图12的(a)所示，进行在第一无机层14g上形成端部的膜厚逐渐减小的第二有机层14h的工序。即，在该工序中，与图11的(b)所示的工序同样，使用掩模M1，通过使用例如蒸镀法或溅射法等，在第一无机层14g上形成第二有机层14h。
接着，如图12的(b)所示，进行以覆盖第一无机层14g的端部以及第一有机层和第二有机层14f和14h的各端部的方式，形成作为最上层的第二无机层14i的工序。即，在该工序中，与图7的(b)所示的工序同样，使用掩模M2。通过使用例如CVD法或ALD法等，以覆盖第一无机层14g的端部以及第一有机层和第二有机层14f和14h的各端部的方式形成第二无机层14i。
通过以上的制造工序，本实施方式的有机EL显示装置1完成。
利用以上的结构，在本实施方式中，能够得到与上述第一实施方式同样的作用和效果。
在此，参照图13，对本实施方式的密封膜14的具体效果进行说明。
图13是对图9所示的密封膜的具体效果进行说明的图，图13的(a)是对第三比较例的具体问题进行说明的图，图13的(b)是对第四比较例的具体问题进行说明的图，图13的(c)是对图9所示的密封膜的具体效果进行说明的图。
如图13的(a)所示，在第三比较例中，在TFT基板71上依次设置有基底膜72和有机EL元件73。此外，在第三比较例中，以覆盖有机EL元件73的方式设置有第一有机层74。此外，在第一有机层74上依次设置有第一无机层75、第二有机层76和第二无机层77。此外，在第三比较例中，第一有机层和第二有机层的各有机层74和76的端面露出在外部。
在如上所述的第三比较例中，水分容易从露出的第一有机层和第二有机层74和76的各端面渗入，渗透到有机EL元件(像素区域)73。
具体而言，来自外部的水分，即使如在图13的(a)中用箭头符号H11表示的那样，从第二有机层76的端面渗入，到达有机EL元件73上方，也如在图13的(a)中用箭头符号H12表示的那样，被其下层的第一无机层75阻挡。即使在第一无机层75产生了针孔，也在第一有机层74被扩散，到达有机EL元件73。即，用箭头符号H11表示的水分，为了到达有机EL元件73，需要经过在第二有机层76内的扩散、通过第一无机层75的针孔、以及在第一有机层74内的扩散。
另一方面，当如在图13的(a)中用箭头符号H13表示的那样，水分从第一有机层74的端面渗入时，水分迅速地渗透，容易地到达有机EL元件53，造成损伤。即，来自第二有机层76的端面的水分，到达有机EL元件73需要时间，但是来自第一有机层74的端面的水分较早地对有机EL元件73造成损伤。
此外，如图8的(b)所示，在第四比较例中，在TFT基板81上依次设置有基底膜82和有机EL元件83。此外，在第四比较例中，以覆盖有机EL元件83的方式设置有第一有机层84。此外，在第一有机层84上依次设置有第一无机层85和第二有机层86。此外，在第四比较例中，以覆盖第一有机层和第二有机层84和86的各端面以及第一无机层85的端面的方式设置有第二无机层87。
在如上所述的第四比较例中，当如在图13的(b)中用箭头符号H15表示的那样，不通过第二无机层87的针孔时，不会渗入到第二有机层86内，不会到达有机EL元件83上方。此外，即使到达有机EL元件83上方，也如在图13的(b)中用箭头符号H16表示的那样，被其下层的第一无机层85阻挡。即，在该第四比较例中，与在图13的(a)中用箭头H11表示的水分的渗入相比，水分的渗入受到了抑制。
此外，在第四比较例中，当如在图13的(b)中用箭头符号H17表示的那样，不通过第二无机层87的针孔时，不会渗入到第一有机层84内。因此，在该第四比较例中，与在图13的(a)中用箭头符号H13表示的水分的渗入相比，水分的渗入受到了抑制。
然而，当水分通过第二无机层87的针孔时，水分容易地在第一有机层84内扩散，如在图13的(b)中用箭头符号H18表示的那样，到达有机EL元件83。其结果，在第四比较例中，有机EL元件83的损伤的抑制也不充分。
此外，如在图13的(c)中用箭头符号H19表示的那样，在本实施方式制品中，即使在第二无机层14i产生了针孔，因为构成为第二有机层14h的端面14h2(图10)的膜厚小，所以水分在该第二有机层14h的扩散也被大幅限制。其结果，在本实施方式中，能够进一步抑制用箭头符号H19表示的水分的渗入。
此外，如在图13的(c)中用箭头符号H20表示的那样，在本实施方式制品中，当不仅不通过第二无机层14i，而且也不通过第一无机层14g时，无法渗入到第一有机层14f。此外，在本实施方式制品中，即使在第二无机层14i产生了针孔，因为被第一无机层14g阻挡，所以也能够充分地抑制有机EL元件4的损伤。
即，在本实施方式中，通过设置第二无机层14i，在最上层的第二有机层14h以外的第一有机层14f中，如果不贯穿第一无机层和第二无机层14g和14i，则水分无法到达第一有机层14f。因此，即使在第二无机层14i产生了针孔，也能够有效地抑制水分的渗透。
此外，在本实施方式中，不存在2层以上的无机层直接接触地层叠的部分。因此，难以发生由无机层的应力引起的膜剥离，能够提高有机EL显示装置1的可靠性。
此外，在本实施方式中，第一有机层14f是使用湿法形成的，因此，能够高精度、容易并且成本低廉地形成该第一有机层14f。此外，能够将第一有机层14f形成得较厚，由此，能够更容易地覆盖位于有机EL元件4上的异物，进一步抑制第一无机层和第二无机层14g和14i的应力施加于有机EL元件4。其结果，在本实施方式中，能够提高有机EL显示装置1的制造上的成品率。
[第三实施方式]
图14是对本发明的第三实施方式的有机EL显示装置进行说明的截面图。
在图中，本实施方式与上述第一实施方式的主要的不同点在于，在有机EL元件侧，设置有与TFT基板相对的对置基板，在TFT基板与对置基板之间，设置有将有机EL元件封入的框状的作为密封件的密封树脂。另外，对与上述第一实施方式相同的要素，标注相同的符号，省略其重复说明。
即，如图14所示，在本实施方式的有机EL显示装置1中，设置有：以与TFT基板2相对的方式设置的对置基板3；和设置在TFT基板2与对置基板3之间的作为密封件的框状的密封树脂5，有机EL元件4由上述的TFT基板2、对置基板3和密封树脂5封入。
对置基板3例如由玻璃材料构成。此外，密封树脂5例如由在环氧树脂等树脂中分散有用于规定TFT基板2与对置基板3之间的间隙的间隔物、和无机颗粒而得到的物质构成。此外，在密封树脂5中，通过分散无机颗粒，能够使透湿性进一步下降。另外，在图14中，表示了密封树脂5形成在密封膜14上的结构，但是，除了该结构以外，也可以是在密封树脂5的内侧形成密封膜14，在基底膜6上形成密封树脂5的结构。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置1中，在对置基板3、密封树脂5和密封膜13之间的空间封入有不活泼气体。
另外，除了该说明以外，也可以设置干燥剂或氧气吸收剂、或者填充树脂，来代替不活泼气体。此外，也可以使该树脂含有干燥剂或氧气吸收剂。
利用以上的结构，在本实施方式中，能够得到与上述第一实施方式同样的作用和效果。此外，在本实施方式中，在有机EL元件4侧设置有与TFT基板2相对的对置基板3，在TFT基板2与对置基板3之间设置有将有机EL元件4封入的框状的密封树脂(密封件)5，由此，在本实施方式中，能够更可靠地防止有机EL元件4的劣化。
另外，上述实施方式全部是例示而不是限制。本发明的技术范围由权利要求书规定，与记载在其中的技术方案等同的范围内的全部变更也包含在本发明的技术范围内。
例如，在上述的说明中，对使用有机EL元件作为电致发光元件的情况进行了说明，但是本发明并不限定于此，例如也可以使用具有无机化合物的无机EL元件。
此外，在上述的说明中，对应用于有机EL显示装置的情况进行了说明，但是本发明并不限定于此，例如也能够应用于背光源装置等照明装置。
此外，在上述的说明中，对设置有2层有机层和2层或3层无机层的情况进行了说明。然而，本发明，只要设置有2层以上的有机层和2层以上的无机层作为密封膜，并且在密封膜中，有机层和无机层交替地设置，且2层以上的各有机层形成为该各有机层的端部的膜厚逐渐减小，并且在密封膜中，无机层设置在该密封膜的最上层，并且该最上层的无机层以覆盖下层的有机层和下层的无机层的各端部的方式设置，就没有任何限定。例如，也能够使用由合计6层以上的有机层和无机层构成的密封膜。
此外，在上述的说明中，对在2层以上的各无机层中，其端部的膜厚形成为不逐渐减小的情况进行了说明，但是本发明并不限定于此，也可以在各无机层中，其端部的膜厚形成为逐渐减小。
然而，如上述的各实施方式那样，在2层以上的各无机层中，其端部的膜厚形成为不逐渐减小的情况，在能够容易地提高密封膜对电致发光元件的密封性的方面优选。此外，在能够容易地实现无机层的形成、进而电致发光装置的制造的简化的方面也优选。
此外，在上述的说明中，对在2层以上的各有机层中，形成为其有机EL元件(电致发光元件)上的部分的膜厚实质上均匀的情况进行了说明，但是本发明并不限定于此，也可以在各有机层中，以其电致发光元件上的部分的膜厚实质上不均匀的方式，使该膜厚变化地形成。
然而，如上述的各实施方式那样，在2层以上的各有机层中，形成为其电致发光元件上的部分的膜厚实质上均匀的情况，在能够容易地提高密封膜对电致发光元件的密封性、并且也能够防止电致发光装置的性能的下降的方面优选。此外，在能够容易地实现有机层的形成、进而电致发光装置的制造的简化的方面也优选。
此外，在上述的说明中，对例如由玻璃材料构成TFT基板(基板)和对置基板的情况进行了说明，但是本发明并不限定于此，例如也可以使用塑料等柔性材料构成基板或对置基板。在这样构成的情况下，能够容易地构成显示面形成为曲面形状的显示装置等。此外，在本发明中，多个无机层没有相互层叠，因此，即使在使用柔性材料使显示装置等弯曲的情况下，也能够尽可能地防止由弯曲时施加的应力导致的无机层剥离等不良情况的发生。
此外，除了上述的说明以外，也可以将上述第一实施方式～第三实施方式的各实施方式适当组合。
产业上的可利用性
本发明对于可靠地抑制水分渗透、并且可靠性优异的电致发光装置及其制造方法是有用的。
符号说明
1有机EL显示装置
2TFT基板(基板)
3对置基板
4有机EL元件(电致发光元件)
5密封树脂(密封件)
14密封膜
14a第一无机层(下层的无机层)
14b第一有机层(下层的有机层)
14b1中央部
14b2端部
14c第二无机层(下层的无机层)
14d第二有机层(下层的有机层)
14d1中央部
14d2端部
14e第三无机层(最上层的无机层)
14f第一有机层(下层的有机层)
14f1中央部
14f2端部
14g第一无机层(下层的无机层)
14h第二有机层(下层的有机层)
14h1中央部
14h2端部
14i第二无机层(最上层的无机层)
M1(倒锥状)掩模
D渐减区域
Claims (10)
1.一种电致发光装置，其具备基板和设置在所述基板上的电致发光元件，其特征在于：
具备用于将所述电致发光元件密封的密封膜，
在所述密封膜中设置有2层以上的有机层和2层以上的无机层，并且，
在所述密封膜中，所述有机层和所述无机层交替地设置，
所述2层以上的各有机层形成为该各有机层的端部的膜厚逐渐减小，
在所述密封膜中，所述无机层设置在所述密封膜的最上层，并且，该最上层的无机层以覆盖下层的所述有机层的端部和下层的所述无机层的端部的方式设置。
2.如权利要求1所述的电致发光装置，其特征在于：
所述2层以上的各无机层形成为该各无机层的端部的膜厚不逐渐减小。
3.如权利要求1或2所述的电致发光装置，其特征在于：
在所述2层以上的各有机层中，该各有机层的膜厚逐渐减小的渐减区域设置在所述基板上的所述电致发光元件的外侧区域。
4.如权利要求1至3中任一项所述的电致发光装置，其特征在于：
所述2层以上的各有机层形成为该各有机层的所述电致发光元件上的部分的膜厚实质上均匀。
5.如权利要求1至4中任一项所述的电致发光装置，其特征在于：
在所述电致发光元件侧设置有与所述基板相对的对置基板，
在所述基板与所述对置基板之间设置有将所述电致发光元件封入的框状的密封件。
6.一种电致发光装置的制造方法，该电致发光装置具备基板和设置在所述基板上的电致发光元件，所述电致发光装置的制造方法的特征在于，具备：
在所述电致发光元件上或在将所述电致发光元件密封的最下层的无机层上，形成端部的膜厚逐渐减小的第一有机层的工序；
在所述第一有机层上形成中间层的无机层的工序；
在所述中间层的无机层上形成端部的膜厚逐渐减小的第二有机层的工序；和
以覆盖所述无机层的端部以及所述第一有机层和所述第二有机层的各端部的方式形成最上层的无机层的工序。
7.如权利要求6所述的电致发光装置的制造方法，其特征在于：
所述无机层使用CVD法或ALD法形成。
8.如权利要求6或7所述的电致发光装置的制造方法，其特征在于：
所述第一有机层和所述第二有机层中的至少所述第二有机层使用蒸镀法或溅射法形成。
9.如权利要求6至8中任一项所述的电致发光装置的制造方法，其特征在于：
在所述电致发光元件上形成的所述第一有机层使用湿法形成。
10.如权利要求6至8中任一项所述的电致发光装置的制造方法，其特征在于：
在形成所述最上层的无机层以外的所述无机层以及所述第一有机层和所述第二有机层的工序中，使用倒锥状的掩模。
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