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Reporte de Práctica - 4 Transistor BJT 2n3904

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CUADRO DE DATOS:

Materia: Electrónica

Número de práctica: 4

El alumno armará y comprobará el funcionamiento de los


Competencia: transistores 𝐵𝐽𝑇, en sus aplicaciones fundamentales

Fecha de la práctica: 22 de marzo de 2022

Nombre laboratorio: Ingeniería básica

Nombre del profesor: Pérez Vidal Enrique

Ciclo de la materia: 2022-2022

Parcial en el que se aplica: 2do


Tiempo en horas y minutos para el 2 horas
desarrollo:
Nota: Anotar los datos de participantes del equipo

No. CUENTA NOMBRE DE LOS PARTICIPANTES

620165675 Lázaro Vidal Díaz


620177695 Mauricio Rafael De La Cruz Melquiades
620178462 Luis Gonzalo Guzman Sánchez

INSTRUCCIONES:
El material requerido debe ser revisado y solicitado con dos semanas de anticipación al coordinador de laboratorio
con el propósito de garantizar los materiales, insumos y/ o herramientas para el estudiante.

LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO

De la Institución:

MATERIAL DESCRIPCIÓN
1 multímetro digital
2 resistencias 1kΩ
470 OHMS
Transistor BJT BC548 - 2N3904
1 potenciómetro 10k Ohms

Del alumno:
• Simbología impresa
• Partes de los componentes
• 1 tarjeta prototipo

TEMA DE LA PRÁCTICA-

- Transistor BJT 2N3904

DESCRIPCIÓN DE REGLAS DE SEGURIDAD.


a).- Prevención del riesgo en el laboratorio.
Cualquier operación del laboratorio en la que se operen o maneje equipo o herramientas presenta siempre
unos riesgos. Para eliminarlos o reducirlos de manera importante es conveniente, antes de efectuar
cualquier operación o manejo:
- hacer una lectura crítica del procedimiento a seguir
- asegurarse de disponer del material adecuado
- llevar las prendas y accesorios de protección adecuados
- tener previsto un plan de actuación en caso de incidente o accidente

NOTA: No olvides que el uso de la bata es obligatorio para estudiantes y docentes.

INTRODUCCIÓN MARCO TEÓRICO DEL TEMA

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)


Un transistor es un dispositivo electrónico de tres terminales que se utiliza para controlar o regular la
circulación de la corriente. Se fabrican uniendo dos junturas P - N de material semiconductor, es decir,
uniendo dos diodos rectificadores “espalda con espalda “. La abreviatura BJT, de Transistor de Unión Bipolar
(del inglés Bipolar Juntion Transistor), dependiendo de la forma como se haga la unión de las junturas se
forman dos tipos de transistores bipolares, los tipos NPN y los tipos PNP. Cada una de las partes tendrá una
terminal conectada a un electrodo, y reciben la denominación: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). Los
extremos del comportamiento del transistor cuando conduce totalmente la corriente y cuando no conduce
nada, se denominan respectivamente saturación y corte. Un transistor cortado no tiene corriente en el
colector (𝐼𝑐 = 0). A continuación, se muestra su construcción, su símbolo y el circuito equivalente con diodos
rectificadores.

El elemento que posee la flecha siempre es el emisor. Cuando la flecha esta hacia afuera del símbolo
tenemos un transistor NPN y cuando la flecha esta hacia adentro del símbolo tenemos un transistor PNP.
Esta flecha corresponde al sentido de la corriente que circula por este dispositivo cuando está en
funcionamiento. La base corresponde al elemento que entra perpendicularmente a la barra en el interior del
símbolo y la otra terminal es el colector la cual está conectada a la carga. Los transistores bipolares pueden
ser de silicio o de germanio, aunque la diferencia existe en las características y no en los principios de
operación. Teniendo en cuenta que ambos tipos tienen el mismo principio de funcionamiento, y materiales
de que están compuestos, para analizar el funcionamiento podemos tomar un sólo tipo como referencia, lo
único que cambia es la dirección de las corrientes. Realizando un análisis del transistor se tendrá que el
emisor está altamente impurificado y su función consiste en inyectar electrones a la base. La base está
ligeramente impurificada y es muy delgada, por ella pasa la mayor parte de los electrones inyectados y se
dirigen hacia el colector, el nivel de impurificación de éste es intermedio y se le da ese nombre porque recibe
o capta los electrones provenientes de la base

RESULTADO DE APRENDIZAJE DE LA PRÁCTICA

Armando el circuito anterior, el LED que actúa como carga deberá permanecer apagado, ahora girando
lentamente el cursor del potenciómetro, aumentará el voltaje de base del transistor, hasta el momento que
comienza a circular una corriente. En este momento el LED comienza a encenderse, primero con poca
intensidad debido a la pequeña corriente del colector, y después proporcionalmente que la corriente de la
base aumente, el LED se encenderá con mayor brillante, pues también aumenta la corriente del colector.

DESARROLLO DE LAS ACTIVIDADES

• Paso 1

Con los valores no finales de nuestras resistencias vamos a medir con nuestro amperímetro o multímetro,
tendremos que medir con las puntas cuales son los valores.

1KΩ 470 OHMS

Resistencias medida
1kΩ 0.990Ω
470 OHMS 476 Ohms
• Paso 2

Medir cuánto vale el voltaje de salida de la fuente con la maquina BK PRECISION, mediremos hasta tener 10
volts calibrados y 3 Volts, también debemos medirlo en el multímetro.

 Paso 3

Armar el siguiente circuito:


 Paso 4

Conecta el circuito a la fuente de corriente

 Paso 5

Medir el voltaje de la vr2 y medir la corriente del colector IC para los diferentes voltajes 7v, 7.5v, 8v, 9v y
10v.Aplicar diferentes valores al voltaje de base mediante el potenciómetro y rellenar la siguiente tabla.

Vbase VR2 IC

7v 0.00 0.00

7.5v 237mV 431uA

8v 310mV 563uA

9v 335mV 604uA

10v/9.33v máximo 338mV 609uA


Voltaje VR2 Ic

7v

7.5v

8v
9v

10v / 9.33v máximo

CONCLUSIÓN DEL ALUMNO(S)

En conclusión, aprendimos el uso del transistor que utiliza las propiedades del silicio para
amplificar señales de voltaje o corriente. Así aprendimos su uso y el uso del potenciómetro de
10k.

BIBLIOGRAFÍA

Recursos Tecnológicos
Equipo Autor Título Liga
WEB https://www.vistronica.co
m/componentes-
activos/transistores/transis
tor-npn-bc548-detail.html
BÁSICA:

COMPLEMENTARIA:

CALIFICACIÓN DE LA PRÁCTICA

OBSERVACIONES DEL DESEMPEÑO DEL ESTUDIANTE:

______________________________________ ______________________________________

NOMBRE Y FIRMA DEL DIR. DE PROGRAMA NOMBRE Y FIRMA DEL DOCENTE

NUMERO DE PRÁCTICA DEL TOTAL DE ESTA MATERIA. 4 DE 8

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