ELECTRÓNICA DE POTENCIA

LABORATORIO N° 1

“Pruebas estáticas de los SCRs, triacs y transistores”

Profesor:
Gamboa Choque, Jaime Lenar
Alumno:
Meléndez Ávila, Raúl Alonso
Veliz Atencia, Gonzalo

Fecha de realización: 21 de agosto del 2019

Fecha de entrega. 23 de mayo del 2019

5 C4 A

2019 – 2

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 INDICE
I. INTRODUCCIÓN: .............................................................................................................. 3
II. OBJETIVOS:....................................................................................................................... 3
III. MARCO TEÓRICO: ....................................................................................................... 3
BT151 -500R ............................................................................................................................... 3
TIP31C ......................................................................................................................................... 4
1N5408 ......................................................................................................................................... 5
2N3055 ......................................................................................................................................... 6
IV. EQUIPOS Y MATERIALES: ........................................................................................ 7
V. PROCEDIMIENTO: ............................................................................................................ 8
NOMBRE DEL 1er DISPOSITIVO: SILICON CONTROLLED RECTIFIER (SCR). 9
TABLA DE PRUEBAS: .................................................................................................... 10
NOMBRE DEL 2do DISPOSITIVO: SILICON CONTROLLED RECTIFIER (SCR) ..... 13
NOMBRE DEL 3er DISPOSITIVO: Silicon Complementary Transistors ................... 18
NOMBRE DEL 4to DISPOSITIVO: HIGH CURRENT PLASTIC SILICON
REACTIFIER ............................................................................................................................. 22
TABLA DE PRUEBAS: .................................................................................................... 23
IMAGEN DEL DISPOSITIVO: ........................................................................................ 24
Dibujo del dispositivo, tipo de encapsulado, símbolo y terminales. ................ 24
NOMBRE DEL 5to DISPOSITIVO: Transistor de potencia de silicio (TPS) ............. 26
TABLA DE PRUEBAS: .................................................................................................... 27
NOMBRE DEL 6to DISPOSITIVO: Transistor de potencia de silicio Amplificador
de potencia de audio, interruptor de velocidad media................................................. 31
Terminales: ...................................................................................................................... 35
VI. OBSERVACIONES: .................................................................................................... 36
VII. CONCLUSIONES: ....................................................................................................... 36
VIII. APLICACIONES: ......................................................................................................... 37
IX. BIBLIOGRAFIA: ........................................................................................................... 38

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 I. INTRODUCCIÓN:

En este laboratorio recordaremos varios puntos aprendidos en electrónica

digital en el cual para conversiones de tensión utilizamos semiconductores
rectificadores y como parte primordial de este curso es importante que
tengamos presente esa información para revisar el estado operativo.
Al existir tipos de transistores, necesitamos reconocerlos y distinguirlos de los
demás por lo cual utilizamos el multímetro para hacer pruebas.
Con ayuda del docente daremos enfoque a la parte práctica de este curso.

II. OBJETIVOS:

 Identificar tipos de encapsulados de tiristores y transistores.

 Comprobar estado operativo de tiristor y transistores.
 Comprender la información de las hojas de datos dadas por el
fabricante.
 Comprobar el estado de los transistores de potencia.
 Comprender el funcionamiento de los transistores en conmutación.

III. MARCO TEÓRICO:

BT151 -500R
El BT151-500R de NXP es un SCR (rectificador controlado de silicio) pasivado
plano para montaje por orificio pasante en un encapsulado plástico SOT78
(TO-220AB; SC-46). Este rectificador controlado se utiliza en circuitos de
ignición, circuitos de protección y conmutación estática.

 Alta fiabilidad
 Alta resistencia a sobre corriente transitoria
 Ciclado térmico de alto rendimiento
 Corriente media en estado conductor de 7,5A
 Corriente máxima de disparo de puerta de 15mA

3
 Tensión máxima de disparo de puerta de 1,5V
 Corriente de retención de 20mA
 Corriente eficaz RMS en estado conductor de 12A
 Tensión de pico repetitiva en estado bloqueado de 500V
 Corriente de pico no repetitiva en estado conductor de 120ª
Aplicaciones
 Control de Motor, Industrial, Administración de Potencia, Electrónica de
Consumo, Dispositivos Portátiles

TIP31C
El TIP31C es un transistor de 100V con polaridad NPN epitaxia de
silicio usado para la conmutación de potencia lineal media. Este producto es de
uso general y adecuados para muchas aplicaciones
diferentes. Es complementaria a TIP29 / 29A / 29B / 29C.

 Polaridad: NPN
 Tensión colector emisor V(br)ceo: 100 V
 Frecuencia de transición ft: 3 MHz
 Disipación de potencia Pd : 40 W
 Corriente de colector: 3 A
 Ganancia de corriente DC hFE: 10
 Temperatura de trabajo Máx. 150°C
 5V emisor de tensión de base (VEBO)
 Encapsulado TO-220
 3 pines

4
1N5408

El diodo 1N5408 es un rectificador de propósito general, encapsulado en

plástico, que trabaja a 1000 volts y 3 amperes. Pertenece a la serie 1N5400 -
1N5408, diferenciándose en los siguientes parámetros:

 Tensión pico inversa máxima recurrente (VRRM).

 Tensión RMS máxima inversa (VRMS).
 Tensión máxima de bloqueo de CC (VDC).
 Alta capacidad de corriente
 Baja corriente de fuga
 Baja caída de tensión en sentido directo
 Alta fiabilidad

Aplicaciones:

 Propósitos generales.
 Rectificador en fuentes de alimentación DC
 Inversores, convertidores
 En drivers cuando se manejan cargas inductivas.

5
2N3055

Es un transistor bipolar, compuesto por silicio. Consiste en una plaquita de

semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad
eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen
un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo,
estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las
industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos
electrónicos.

 Polaridad (N-P-N)
 Transistor amplificador de potencia de audio
 Corriente máxima de colector (Ic) 15 Ampere
 De colector a base (CBO) 100 Voltios
 De colector a emisor (CEO) 60 Voltios
 De emisor a base (EBO) 7 Voltios
 Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 45
 Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 115 (Watts)

Aplicaciones:

 La radio
 Televisión
 Equipos electrónicos de medicina
 Amplificadores de alta potencia
 Fuente estabilizadora de Voltaje

MJ2955

Es un transistor bipolar, compuesto por silicio. Consiste en una plaquita de

semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad
eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen
un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo,
estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las

6
industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos
electrónicos.

 Polaridad (P-N-P)
 Transistor amplificador de potencia de audio
 Corriente máxima de colector (Ic) 15 Ampere
 De colector a base (CBO) 100 Voltios
 De colector a emisor (CEO) 60 Voltios
 De emisor a base (EBO) 7 Voltios
 Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 45
 Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 115 (Watts)

Aplicaciones:

 La radio
 Televisión
 Equipos electrónicos de medicina
 Amplificadores de alta potencia
 Fuente estabilizadora de Voltaje

IV. EQUIPOS Y MATERIALES:

 Multímetro digital.
 Aplicativos Virtuales, ejecutables.
 Transistores BJT
 SCRs
 Darlington
 MOSFET e IGTBs.

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V. PROCEDIMIENTO:
Realice las siguientes tareas para cada dispositivo de potencia entregado por el
profesor:

1. Anote el nombre, código e indique su código de reemplazo según ECG o

NTE (este libro) tal como se indica en la guía del laboratorio.

2. Busque en el datasheet del dispositivo, sus características eléctricas y

anótelo en sus tablas.

3. Realice las mediciones de prueba entre todos los terminales del

dispositivo, para determinar su correcto estado.

4. Dibuje el dispositivo indicando el tipo de encapsulado, símbolo y

terminales.

*Tipo de encapsulado
TO220AB
CO3

8
NOMBRE DEL 1er DISPOSITIVO: SILICON CONTROLLED RECTIFIER
(SCR)
CÓDIGO ORIGINAL CÓDIGO DE
REEMPLAZO
BT151-500R NTE 5498

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:
CON RESPECTO AL REAL

REEMPLAZO

9
TABLA DE PRUEBAS:

Ajuste el multímetro para medidas en escala de diodo (debe observarse

unidades de “voltios” en la pantalla). Realice la tabla de pruebas para
detectar su estado.

AK OL
AG 0,230V
KA OL
KG OL
GK OL
GA 0,230V

Su estado es estable y dispuesto a su funcionamiento

10
IMAGEN DEL DISPOSITIVO:
Dibujo del dispositivo, tipo de encapsulado, símbolo y terminales.

Tipo de encapsulado:
TO220AB

Símbolo:

11
Terminales:

REAL:

REEMPLAZO:

12
NOMBRE DEL 2do DISPOSITIVO: SILICON CONTROLLED RECTIFIER
(SCR)

CÓDIGO ORIGINAL CÓDIGO DE

REEMPLAZO
BT150-500R NTE 5437

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:

REAL:

REEMPLAZO:

13
TABLA DE PRUEBAS:

Ajuste el multímetro para medidas en escala de diodo (debe observarse

unidades de “voltios” en la pantalla). Realice la tabla de pruebas para
detectar su estado.

AK OL
AG 0,146V

KA OL
KG OL
GK OL
GA 0,146V

Su estado es estable y dispuesto a su funcionamiento

14
IMAGEN DEL DISPOSITIVO:
Dibujo del dispositivo, tipo de encapsulado, símbolo y terminales.

Tipo de encapsulado: T0220

15
Simbolo:

TERMINALES:

16
REAL:

REEMPLAZADO:

17
NOMBRE DEL 3er DISPOSITIVO: Silicon Complementary Transistors

CÓDIGO ORIGINAL CÓDIGO DE

REEMPLAZO
TIP31C NTE 291(NTP)

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:
REAL:

REEMPLAZO:

18
TABLA DE PRUEBAS:

Ajuste el multímetro para medidas en escala de diodo (debe observarse

unidades de “voltios” en la pantalla). Realice la tabla de pruebas para
detectar su estado.

BC 0,620V
BE 0,622V
CB OL
CE OL
EB OL
EC OL

Su estado es estable y dispuesto a su funcionamiento

19
IMAGEN DEL DISPOSITIVO:
Dibujo del dispositivo, tipo de encapsulado, símbolo y terminales.

Tipo de encapsulado TO220

20
REAL :

REEMPLAZO :

21
NOMBRE DEL 4to DISPOSITIVO: HIGH CURRENT PLASTIC SILICON
REACTIFIER

CÓDIGO ORIGINAL CÓDIGO DE

REEMPLAZO
1N5408 NTE 5809

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:

REAL

REEMPLAZO

22
TABLA DE PRUEBAS:

Ajuste el multímetro para medidas en escala de diodo (debe observarse

unidades de “voltios” en la pantalla). Realice la tabla de pruebas para
detectar su estado.

AK 0,511V
KA OL

Su estado es estable y dispuesto a su funcionamiento

23
IMAGEN DEL DISPOSITIVO:
Dibujo del dispositivo, tipo de encapsulado, símbolo y terminales.

TIPO DE ENCAPSULADO: D0-201

TERLES Y SIMBOLO

24
REAL:

REEMPLAZO:

25
NOMBRE DEL 5to DISPOSITIVO: Transistor de potencia de silicio (TPS)

Amplificador de potencia de audio, interruptor de velocidad media

CÓDIGO ORIGINAL CÓDIGO DE

REEMPLAZO
2N3055 NTE130 (NPN)

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:

26
TABLA DE PRUEBAS:

Ajuste el multímetro para medidas en escala de diodo (debe observarse

unidades de “voltios” en la pantalla). Realice la tabla de pruebas para
detectar su estado.

BC 0,578
BE 0,582
CB OL
CE OL
EB OL
EC OL

Con esta prueba verificamos que nuestro transistor TO-3 es un NPN.

27
IMAGEN DEL DISPOSITIVO:
Dibujo del dispositivo, tipo de encapsulado, símbolo y terminales.

Tipo de encapsulado:

TO-3

Símbolo:

28
Terminales:

Real:

29
Reemplazo:

30
NOMBRE DEL 6to DISPOSITIVO:
Transistor de potencia de silicio Amplificador de potencia de audio,
interruptor de velocidad media

CÓDIGO ORIGINAL CÓDIGO DE

REEMPLAZO
MJ2955 NTE219 (PNP)

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:

Real:

Reemplazo:

31
32
TABLA DE PRUEBAS:

Ajuste el multímetro para medidas en escala de diodo (debe observarse

unidades de “voltios” en la pantalla). Realice la tabla de pruebas para
detectar su estado.

BC 0,603
BE 0,605
CB OL
CE OL
EB OL
EC OL

Con esta prueba verificamos que nuestro transistor TO-3 es un PNP.

33
IMAGEN DEL DISPOSITIVO:
Dibujo del dispositivo, tipo de encapsulado, símbolo y terminales.

Tipo de encapsulado:

TO-3

Símbolo:

34
Terminales:

Real:

35
Reemplazo:

VI. OBSERVACIONES:

 Para revisar si es PNP o NPN lo puedes buscar con el datasheet o

manualmente con un multímetro verificar el ánodo en la base para el NPN y el
cátodo en la base para el PNP.
 Todas las computadoras deben tener el aplicativo para buscar más fácil la
información de cada dispositivo electrónico.
 Trabajar en equipo debido a que el tiempo es escaso con respecto a los
dispositivos de las cuales tenemos que buscar información.

VII. CONCLUSIONES:

Culminamos este laboratorio habiendo cumplido con nuestros objetivos

propuestos al principio de este laboratorio.

 Identificamos tipos de encapsulados de tiristores y transistores.

 Comprobamos estado operativo de tiristor y transistores.
 Comprendimos la información de las hojas de datos dadas por el
fabricante.

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  Comprobamos el estado de los transistores de potencia.
 Comprendimos el funcionamiento de los transistores en
conmutación.
Tuvimos algunos inconvenientes a la hora de buscar información de algunos
dispositivos y por lo cual el docente nos ayudo con un aplicativo compartido
para todos.

VIII. APLICACIONES:
BT151 -500R:
Aplicaciones
 Control de Motor, Industrial, Administración de Potencia, Electrónica de
Consumo, Dispositivos Portátiles
1N5408:

Aplicaciones:

 Propósitos generales.
 Rectificador en fuentes de alimentación DC
 Inversores, convertidores
 En drivers cuando se manejan cargas inductivas.

2N3055 Y MJ2955:

Aplicaciones:

 La radio
 Televisión
 Equipos electrónicos de medicina
 Amplificadores de alta potencia
 Fuente estabilizadora de Voltaje

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IX. BIBLIOGRAFIA:

https://www.sencico.gob.pe/publicaciones.php?id=230
https://www.medigraphic.com/pdfs/rma/cma-2017/cmas171bj.pdf
https://electronicengineerlife.blogspot.com/2011/03/tipos-de-encapsulados.html

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