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WO2023188369A1 - プローブピンおよびプローブカード - Google Patents

プローブピンおよびプローブカード Download PDF

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WO2023188369A1
WO2023188369A1 PCT/JP2022/016805 JP2022016805W WO2023188369A1 WO 2023188369 A1 WO2023188369 A1 WO 2023188369A1 JP 2022016805 W JP2022016805 W JP 2022016805W WO 2023188369 A1 WO2023188369 A1 WO 2023188369A1
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WO
WIPO (PCT)
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probe
layer
probe pin
low resistance
high resistance
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/016805
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
江輝 大隈
Original Assignee
日本電子材料株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電子材料株式会社 filed Critical 日本電子材料株式会社
Priority to PCT/JP2022/016805 priority Critical patent/WO2023188369A1/ja
Priority to KR1020247004655A priority patent/KR20240033254A/ko
Priority to PCT/JP2023/005990 priority patent/WO2023188999A1/ja
Priority to JP2023539245A priority patent/JP7506267B2/ja
Priority to CN202380012631.2A priority patent/CN117616289A/zh
Publication of WO2023188369A1 publication Critical patent/WO2023188369A1/ja

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    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks

Definitions

  • This application relates to probe pins and probe cards.
  • a vertical contact type probe pin (hereinafter simply referred to as a probe pin) is a component used in a probe card, which is an inspection device that inspects the electrical characteristics of an electronic circuit of a semiconductor device.
  • the probe card includes a number of probe pins that each contact an electrode on the electronic circuit. Characteristics testing of electronic circuits is performed by bringing a semiconductor device close to a probe card, bringing the tips of probe pins into contact with electrodes on the electronic circuit, and establishing continuity between the tester device and the electronic circuit via the probe pins.
  • a current is supplied to the semiconductor device to operate the semiconductor device, and by confirming that the semiconductor device outputs a predetermined signal, it is determined whether the device is normal or abnormal. .
  • a large current flows through a power supply probe pin (power supply pin) that supplies current and a ground probe pin (ground pin) for grounding.
  • a technique has been proposed in which a probe pin is constructed by arranging conductors made of a plurality of materials having different electrical resistivities in the buckling direction, and creating a gap between each conductor.
  • the part of the probe pin that exerts its mechanical strength and the part that carries a large current are separated through a gap in the buckling direction, so that the heat generated by the current does not transfer to the part that exerts its mechanical strength (for example, see Patent Document 1).
  • the probe pin is constructed by arranging conductors made of metals having a plurality of different resistivities in the buckling direction, so the conductor with low electrical resistance generates heat and expands. Due to the difference in rate, the probe comes into contact with adjacent parts in the buckling direction that exhibit high electrical resistance and exhibit mechanical strength, and heat is conducted to the parts, resulting in a decrease in strength. There was a problem in that it was not possible to secure the stylus pressure of the pin.
  • the present application discloses a technique for solving the above-mentioned problems, and aims to provide a probe pin and a probe card that can ensure both mechanical strength and current withstand performance.
  • the probe pin disclosed in this application is A probe pin having a contact portion that contacts an electrode to be inspected at one longitudinal end, and a terminal portion that contacts a circuit board at the other longitudinal end,
  • the probe pin is composed of a low resistance part made of a first metal with conductivity and a high resistance part made of a second metal with conductivity, which has a higher resistivity than the low resistance part,
  • the high resistance part, a slit which is a void, the low resistance part, and a void are arranged in a first direction different from the buckling direction of the probe pin during the inspection of the test object.
  • the probe card disclosed in the present application includes a plurality of the probe pins.
  • probe pin and probe card it is possible to provide a probe pin and a probe card that can ensure both mechanical strength and current withstand performance.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing a test state of an electronic circuit using the probe card according to the first embodiment.
  • FIG. 2A is an enlarged view of the main part of FIG.
  • FIG. 2B is a perspective view of the probe pin.
  • FIG. 2C is a cross-sectional view taken along A1-A1 and A2-A2 in FIG. 2B.
  • FIG. 2D is a cross-sectional view taken along lines B1-B1 and B2-B2 in FIG. 2B.
  • FIG. 2E is a sectional view taken along line CC in FIG. 2B.
  • FIG. 3 is a diagram showing the permissible range in the arrangement of the five-layer section according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing the permissible range in the arrangement of the five-layer section according to the first embodiment.
  • FIG. 4A is a diagram showing a configuration of a low resistance portion of a probe pin according to the second embodiment.
  • FIG. 4B is a diagram showing the configuration of a probe pin according to the second embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram of the probe pin viewed from buckling direction Z;
  • FIG. 4C is a sectional view taken along line DD in FIG. 4B.
  • FIG. 4D is a cross-sectional view taken along E1-E1 and E2-E2 in FIG. 4B.
  • FIG. 4E is a sectional view taken along line FF in FIG. 4B.
  • 7 is a sectional view perpendicular to the longitudinal direction of a five-layer portion of a probe pin according to Embodiment 3.
  • FIG. 6A is a diagram showing the configuration of a probe pin according to Embodiment 4.
  • FIG. 3 is a diagram of the probe pin viewed from buckling direction Z;
  • FIG. 6B is a sectional view taken along line DD in FIG. 6A.
  • FIG. 6C is a sectional view taken along lines E1-E1, E2-E2, and GG in FIG. 6A.
  • FIG. 6D is a sectional view taken along line FF in FIG. 6A.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a test state of an electronic circuit using a probe card 100 according to the first embodiment.
  • the upper side of the page in FIG. 1 will be referred to as “top” and the lower side of the page will be referred to as “bottom.” That is, when viewed from the probe card 100, the side to be inspected is the "lower" side.
  • the left-right direction in the paper of FIG. 1 is defined as a buckling direction Z
  • the direction from the front to the back of the paper and the opposite direction thereof is defined as a direction Y (first direction) perpendicular to the buckling direction Z for convenience.
  • the probe card 100 is a device used to test the electrical characteristics of an electronic circuit formed on a semiconductor wafer W.
  • the probe card 100 includes a large number of probe pins 20 that are brought into contact with electrodes C on an electronic circuit formed on a semiconductor wafer W, respectively.
  • To test the characteristics of an electronic circuit bring the semiconductor wafer W close to the probe card 100, bring the tips of the probe pins 20 into contact with the electrodes C on the electronic circuit, and wire the probe card 100 to a tester device (not shown) via the probe pins 20. This is done by making the tester connection electrode TC of the substrate 14 conductive.
  • the probe card 100 includes a hollow frame 10, an upper guide 11 attached to the upper end of the frame 10, a lower guide 12 attached to the lower end of the frame 10, a fixing plate 13 for fixing the upper guide 11, and a wiring board 14. Equipped with. An intermediate guide may be further provided between the upper guide 11 and the lower guide 12.
  • the upper guide 11 has a plurality of guide holes 11H penetrating in the vertical direction
  • the lower guide 12 provided below the upper guide 11 also has a plurality of guide holes 12H penetrating in the vertical direction.
  • Above the group of guide holes 11H provided in the upper guide 11 is an opening 13H provided in the fixed plate 13.
  • a wiring board 14 is arranged on the upper surface of the fixed plate 13.
  • the wiring board 14 includes, on its lower surface, a plurality of probe connection pads 14P that come into contact with the terminal portions 20t at the upper ends of the probe pins 20.
  • the probe pin 20 is a vertical probe pin arranged perpendicularly to the object to be inspected (electronic circuit formed on the semiconductor wafer W).
  • FIG. 2A is an enlarged view of the main part of FIG. One probe pin 20, upper guide 11 and lower guide 12 are shown.
  • the left-right direction in FIG. 2A is the buckling direction Z of the probe pin 20, that is, the direction in which the probe pin 20 is elastically deformed when the probe card 100 is overdriven.
  • FIG. 2B is a perspective view of the probe pin 20.
  • the direction Y shown in the figure is perpendicular to the buckling direction Z.
  • the probe pin 20 has an elongated shape.
  • the central portion is curved, and the upper and lower portions extend vertically in a straight line.
  • the curved central portion is the elastic deformation portion 20m.
  • a contact portion 20c is provided at the lower end (one end) of the probe pin 20.
  • a terminal portion 20t is formed at the upper end (other end).
  • the contact portion 20c is a contact portion that is brought into contact with the object to be inspected. Further, the terminal portion 20t is provided at the upper end portion of the probe pin 20, and is pressed against the probe connection pad 14P of the wiring board 14 during inspection.
  • the elastically deformable portion 20m is a portion that easily undergoes buckling deformation when compressive force is applied in the longitudinal direction during so-called overdrive. During overdrive, the elastically deformable portion 20m undergoes buckling deformation in the buckling direction Z in response to the reaction force from the test object, and the contact portion 20c retreats toward the terminal portion 20t.
  • a predetermined range above the elastic deformation portion 20m is the upper guide storage portion 20U. This portion is accommodated in the guide hole 11H of the upper guide 11. Further, a predetermined range below the elastic deformation portion 20m is the lower guide storage portion 20D. This portion is accommodated in the guide hole 12H of the lower guide 12.
  • the probe pin 20 is made of two types of metals that are electrically conductive and have different resistivities.
  • One is a metal (first metal) constituting the low resistance part L, which is made of a metal with low resistivity such as copper, gold, silver (Cu, Au, Ag).
  • the low resistance portion L has high conductivity and functions to improve current withstand performance.
  • the other is a metal (second metal), such as palladium cobalt (PdCo) alloy, which has higher resistivity and lower conductivity than the low resistance part L, but has high mechanical strength. be.
  • the high resistance portion H functions to maintain the mechanical strength of the probe pin 20.
  • the high resistance part H generates less heat than the low resistance part L because the current flow rate is small.
  • the resistivity of PdCu is about 35.8 ⁇ m, while that of Au is about 1.55 ⁇ m, and if the cross-sectional area is the same, the amount of heat generated will be 12 times as much. .
  • FIG. 2C is a sectional view taken along lines A1-A1 and A2-A2 in FIG. 2B, and is a sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the single-layer portion T1 of the probe pin 20.
  • FIG. 2D is a sectional view taken along lines B1-B1 and B2-B2 in FIG. 2B, and is a sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the three-layer portion T3 of the probe pin 20.
  • FIG. 2E is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 2B, and is a cross-sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the five-layer portion T5 of the probe pin 20.
  • the upper end portion including the terminal portion 20t and the lower end portion including the contact portion 20c are a single layer portion T1 composed of a single layer of only the high resistance portion H.
  • the number of "layers” refers to the number of layers of material that constitutes the probe pin 20 in the direction Y perpendicular to the buckling direction Z, and the layers include voids (gas).
  • the single-layer portion T1 is composed of only a single-layer high-resistance portion H in the direction Y perpendicular to the buckling direction Z.
  • the terminal portion 20t is repeatedly pressed against the probe connection pad 14P of the wiring board 14, and the contact portion 20c is pressed against the electrode C on the electronic circuit formed on the semiconductor wafer W. Since mechanical strength is required, it is composed only of high resistance portions H having strong mechanical strength.
  • the three-layer section T3 is composed of three layers: a high-resistance section H, a low-resistance section L, and a high-resistance section H in the direction Y perpendicular to the buckling direction Z in the cross section of FIG. 2D. Although it is divided into three layers in the direction Y, the adjacent layers are fixed to each other. A part of the upper three-layer part T3 becomes the above-mentioned upper guide internal storage part 20U, and a part of the lower three-layer part T3 becomes the lower guide internal storage part 20D.
  • the portion corresponding to the elastic deformation portion 20m between the upper and lower two three-layer portions T3 is provided with high resistance portions H on both sides of the direction Y perpendicular to the buckling direction Z, and between the two high resistance portions H.
  • a five-layer portion T5 is formed with a low resistance portion L sandwiched therebetween via slits S penetrating on both sides in the buckling direction Z.
  • the five-layer section T5 includes a high resistance section H, a slit S as a void, a low resistance section L, a slit S as a void, and a high resistance section in the direction Y perpendicular to the buckling direction Z. It is composed of five layers of H.
  • the high-resistance portion H of the probe pin 20 splits into two parts downward from the upper end of the probe pin 20, and then comes together again at the lower end.
  • the low resistance part L of the upper three-layer part T3, the low resistance part L of the five-layer part T5, and the low resistance part L of the lower three-layer part T3 are all connected, and the cross section perpendicular to the longitudinal direction is , is a plate-like rectangle.
  • the low resistance part L generates 12 times more heat than the high resistance part H.
  • an upper guide storage section 20U and a lower guide storage section 20D which are parts thereof, are stored in the guide holes 11H and 12H of the upper guide 11 and the lower guide 12, respectively, and the upper guide 11. Since the outer peripheral surface contacts the lower guide 12, the heat conducted from the low resistance part L to the high resistance part H at that part is radiated by the upper guide 11 and the lower guide 12, and the high resistance part H is damaged by the heat. There's nothing to do.
  • the range in which the heat dissipation effect of the upper guide 11 and the lower guide 12 can be obtained is from 500 ⁇ m to 1000 ⁇ m from the upper guide 11 and the lower guide 12. Therefore, the length of the three-layer section T3 from the upper guide 11 and the lower guide 12 to the five-layer section T5 is preferably set in the range of 500 ⁇ m to 1000 ⁇ m.
  • the heat of the low resistance part L is conducted to the high resistance part H.
  • a slit S is provided between the low resistance part L and the high resistance part H to dissipate the heat generated in the low resistance part L, and at the same time, the high heat of the low resistance part L is directly conducted to the high resistance part H. This prevents the mechanical strength of the high resistance portion H from decreasing.
  • FIG. 3 is a diagram showing a design tolerance range in the arrangement of the five-layer portion T5.
  • the five-layer part T5 has been described as having a low resistance part L, a high resistance part H, and a slit S arranged in a direction Y perpendicular to the buckling direction Z. is a direction different from the buckling direction Z, and as shown in FIG. It's fine if you don't have it. Even in this case, contact between the low resistance part L and the high resistance part H due to the difference in expansion coefficient does not occur.
  • the probe pin 20 is manufactured using so-called MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology.
  • MEMS technology is a technology for creating fine three-dimensional structures using photolithography technology and sacrificial layer etching technology.
  • Photolithography technology is a fine pattern processing technology using photoresist used in semiconductor manufacturing processes.
  • sacrificial layer etching technology creates a three-dimensional structure by forming a lower layer called a sacrificial layer, forming the layers that make up the structure on top of it, and then removing only the sacrificial layer by etching. It's technology.
  • each layer including the sacrificial layer can be formed using metal ions in the electrolyte.
  • metal ions in the electrolyte can be attached to the substrate surface by immersing a substrate as a cathode and a metal piece as an anode in an electrolyte and applying a voltage between the two electrodes.
  • Such a process is called an electroplating process, and since it is a wet process in which the substrate is immersed in an electrolytic solution, a drying process is performed after the plating process.
  • the probe pin 20 and the probe card 100 when inspecting an electric circuit formed on a semiconductor wafer W, the adjacent low resistance portions L and both sides of the probe pin 20 are connected to each other through the slit S of the probe pin 20. Since the high resistance parts H are not lined up in the buckling direction Z, they do not come into contact with each other even if their expansion coefficients are different. Therefore, the high heat of the low-resistance portion L is not conducted to the high-resistance portion H, making it possible to provide a probe pin and a probe card with high heat dissipation and current withstand performance.
  • FIG. 4A is a diagram showing the configuration of the low resistance portion L of the probe pin 220.
  • FIG. 4B is a diagram showing the configuration of the probe pin 220.
  • FIG. 3 is a diagram of the probe pin 220 viewed from the buckling direction Z.
  • FIG. 4C is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 4B, and is a cross-sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the single-layer portion T1 of the probe pin 220.
  • the cross-sectional shape of this portion is the same as in the first embodiment.
  • FIG. 4D is a cross-sectional view taken along lines E1-E1 and E2-E2 in FIG. 4B, and is a cross-sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the upper guide housing portion 220U and the lower guide housing portion 220D of the probe pin 220.
  • the cross-sectional shape of this portion is different from that of the first embodiment.
  • FIG. 4C is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 4B, and is a cross-sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the single-layer portion T1 of the probe pin 220.
  • the cross-sectional shape of this portion is the same as in the first embodiment.
  • FIG. 4D shows a cross-sectional shape of a portion corresponding to the three-layer portion T3 of the first embodiment.
  • FIG. 4E is a sectional view taken along line FF in FIG. 4B, and is a sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the five-layer portion T5 of the probe pin 220.
  • the cross-sectional shape of this portion is the same as in the first embodiment.
  • the width of the low resistance portion L in the buckling direction Z is narrower above and below the five-layer portion T5.
  • the low resistance part L is embedded in the high resistance part H. That is, the entire periphery of the outer peripheral surface of the low resistance part L is covered with the high resistance part H.
  • the same effects as in the first embodiment can be achieved when inspecting the electric circuit formed on the semiconductor wafer W.
  • the periphery of the outer peripheral surface of the upper guide housing part 220U that contacts the upper guide 11 and the lower guide housing part 220D that contacts the lower guide 12 of the probe pin 220 is a high resistance part that is harder than the low resistance part L. Since the probe pins 220 and the probe card 100 are completely covered by H, it is possible to provide the probe pins 220 and the probe card 100 with even higher durability.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the five-layer portion T5 of the probe pin 320.
  • the low resistance portion L and the high resistance portion H have different expansion coefficients during inspection.
  • the low resistance part L which becomes hotter, expands more than the high resistance part H, and the amount of buckling becomes larger. Therefore, in the third embodiment, a thin plate-like high resistance part H is also provided on the end face in the buckling direction Z of the low resistance part L of the five-layer part T5 to reduce the difference in expansion coefficient. Thereby, the difference in expansion rate between the low resistance part L and the high resistance part H can be suppressed from affecting the stylus pressure of the probe pin 320.
  • the same effects as in the first embodiment can be achieved when inspecting the electric circuit formed on the semiconductor wafer W. Moreover, since the expansion rate of the low resistance part L of the five-layer part T5 can be adjusted and the needle pressure of the probe pin 320 can be stabilized, a more reliable probe pin 320 and probe card 100 can be provided.
  • FIG. 6A is a diagram showing the configuration of the probe pin 420.
  • 5 is a diagram of the probe pin 420 viewed from the buckling direction Z.
  • FIG. 6B is a sectional view taken along the line DD in FIG. 6A, which is a sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the single layer portion T1 of the probe pin 420. The cross-sectional shape of this portion is the same as in the first to third embodiments.
  • FIG. 6C is a sectional view taken along lines E1-E1, E2-E2, and GG in FIG. 6A.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the upper guide housing portion 220U, the lower guide housing portion 220D, and the bridge portion Br of the probe pin 420.
  • the storage parts in each guide are the same as those in the second embodiment, in the fourth embodiment, an upper guide storage part 220U and a lower guide storage part 220D are formed in the middle of the five-layer part T5 in the longitudinal direction. Bridge portions Br having the same shape are arranged.
  • FIG. 6D is a cross-sectional view along line FF in FIG. 6A, which is a cross-sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the five-layer portion T5 of the probe pin 220. The cross-sectional shape of this portion is the same as in the first embodiment.
  • the low resistance portion L has a higher temperature than the high resistance portion H, and due to the difference in expansion coefficient, the amount of buckling of the low resistance portion L and the high resistance portion H is also different.
  • the resistance part L buckles and bends more. Therefore, in the middle of the longitudinal direction of the five-layer portion T5 of the second embodiment, a cross section perpendicular to the longitudinal direction extends along the longitudinal direction of the upper guide storage section 220U and the lower guide storage section 220D described in the second embodiment.
  • a bridge portion Br having the same shape as the cross section perpendicular to the direction is arranged.
  • the bridge portion Br may be provided at one location or may be provided at a plurality of locations.
  • the low resistance part L is greatly bent and unexpected This can further prevent the mechanical strength of the high-resistance portion H from being damaged due to contact with the high-resistance portion H at that portion.
  • the same effects as in the first embodiment can be achieved when inspecting the electric circuit formed on the semiconductor wafer W.
  • the amount of expansion of the low resistance part L of the five-layer part T5 is dispersed by the bridge part Br, and the buckling shape of the low resistance part L and the high resistance part H can be controlled, so that the probe pin 320 and A probe card 100 can be provided.
  • probe card 100 probe card, 10 frame, 11 upper guide, 12 lower guide, 11H, 12H guide hole, 13 fixing plate, 13H opening, 14 wiring board, 14P probe connection pad, 20, 220, 320, 420 probe pin, 20c contact section, 20m elastic deformation section, 20t terminal section, 20U, 220U upper guide storage section, 20D, 220D lower guide storage section, T1 single layer section, T3 3 layer section, T5 5 layer section, Br bridge section, C electrode , H high resistance part, L low resistance part, S slit, TC tester connection electrode, W semiconductor wafer, Z buckling direction.

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Abstract

プローブピン（２０））は、導電性を有する第１金属からなる低抵抗部（Ｌ）と、低抵抗部（Ｌ）よりも抵抗率の高い、導電性を有する第２金属からなる高抵抗部（Ｈ）によって構成され、コンタクト部（２０ｃ）と端子部（２０ｔ）との間に、検査対象（Ｗ）の検査時におけるプローブピン（２０）の座屈方向（Ｚ）とは異なる第１方向（Ｙ）に、高抵抗部（Ｈ）、空隙であるスリット（Ｓ）、低抵抗部（Ｌ）、空隙であるスリット（Ｓ）、高抵抗部（Ｈ）の順に５層に構成された５層部（Ｔ５）を有し、５層部（Ｔ５）を座屈方向（Ｚ）から見たときに、低抵抗部（Ｌ）と高抵抗部（Ｈ）とは重なり合わない。

Description

プローブピンおよびプローブカード
　本願は、プローブピンおよびプローブカードに関するものである。
　垂直コンタクト型プローブピン（以下、単にプローブピンという）は、半導体デバイスの電子回路の電気的特性を検査する検査装置であるプローブカードに用いられる部品である。プローブカードは、電子回路上の電極にそれぞれ接触させる多数のプローブピンを備えている。電子回路の特性検査は、プローブカードに半導体デバイスを近づけてプローブピンの先端を電子回路上の電極に接触させ、プローブピンを介してテスタ装置と電子回路を導通させて行われる。
　半導体デバイスを検査するために、半導体デバイスに電流を供給して半導体デバイスを動作させ、半導体デバイスが予め定められた信号を出力することを確認することによって当該デバイスの正常／異常の判定が行われる。この検査において、電流を供給する電源供給用のプローブピン（電源ピン）および接地用のグランドプローブピン（グランドピン）には大きな電流が流れる。
　半導体デバイスの検査時に、電源ピン、グランドピンに大電流が流れると、プローブピンが焼損してしまう不具合が発生する場合がある。したがって、許容電流値の高いプローブピン、プローブカードに対する顧客からの要望が強く、耐電流性能の向上が求められている。
　そこで、プローブピンを座屈方向に、複数の異なる電気抵抗率を有する材料からなる導体を並べて構成し、それぞれの導体間に空隙を設ける技術が提案されている。プローブピンの機械的強度を発揮させる部分と、大電流を流す部分とを座屈方向に空隙を介して分離し、電流による熱が、機械的強度を発揮させる部分に伝わらないようにしている（例えば、特許文献１参照）。
特許第５９９５９５３号公報
　しかしながら、特許文献１の技術では、プローブピンを座屈方向に、複数の異なる抵抗率を有する金属からなる導体を並べて構成しているため、電気的抵抗の小さい導体が発熱して膨張し、膨張率の違いから座屈方向に隣り合う、電気的抵抗が大きい、機械的強度を発揮させる部分に接触し、当該部分に熱が伝導して強度低下をもたらし、半導体デバイスの検査時において十分なプローブピンの針圧を確保できないという課題があった。
　本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、機械的強度と耐電流性能の確保を両立できるプローブピンおよびプローブカードを提供することを目的とする。
　本願に開示されるプローブピンは、
長手方向の一端に検査対象の電極に接触させるコンタクト部を有し、長手方向の他端に回路基板に接触させる端子部を有するプローブピンであって、
前記プローブピンは、導電性を有する第１金属からなる低抵抗部と、前記低抵抗部よりも抵抗率の高い、導電性を有する第２金属からなる高抵抗部によって構成され、
前記コンタクト部と前記端子部との間に、前記検査対象の検査時における前記プローブピンの座屈方向とは異なる第１方向に、前記高抵抗部、空隙であるスリット、前記低抵抗部、空隙であるスリット、前記高抵抗部の順に５層に構成された５層部を有し、
前記５層部を前記座屈方向から見たときに、前記低抵抗部と前記高抵抗部とは重なり合わないものである。
　また、本願に開示されるプローブカードは、複数の前記プローブピンを備えるものである。
　本願に開示されるプローブピンおよびプローブカードによれば、機械的強度と耐電流性能の確保を両立できるプローブピンおよびプローブカードを提供できる。
実施の形態１に係るプローブカードによる電子回路の検査状態を概略的に示す図である。 図２Ａは、図１の要部拡大図である。図２Ｂは、プローブピンの斜視図である。図２Ｃは、図２ＢのＡ１－Ａ１およびＡ２－Ａ２断面図である。図２Ｄは、図２ＢのＢ１－Ｂ１およびＢ２－Ｂ２断面図である。図２Ｅは、図２ＢのＣ－Ｃ断面図である。 実施の形態１に係る５層部の配置における許容範囲を示す図である。 図４Ａは、実施の形態２に係るプローブピンの低抵抗部の構成を示す図である。図４Ｂは、実施の形態２に係るプローブピンの構成を示す図である。プローブピンを座屈方向Ｚから見た図である。図４Ｃは、図４ＢのＤ－Ｄ断面図である。図４Ｄは、図４ＢのＥ１－Ｅ１およびＥ２－Ｅ２断面図である。図４Ｅは、図４ＢのＦ－Ｆ断面図である。 実施の形態３に係るプローブピンの５層部の長手方向に対して垂直な断面図である。 図６Ａは、実施の形態４に係るプローブピンの構成を示す図である。プローブピンを座屈方向Ｚから見た図である。図６Ｂは、図６ＡのＤ－Ｄ断面図である。図６Ｃは、図６ＡのＥ１－Ｅ１、Ｅ２－Ｅ２、Ｇ－Ｇ断面図である。図６Ｄは、図６ＡのＦ－Ｆ断面図である。
実施の形態１．
　以下、実施の形態１に係るプローブピンおよびプローブカードを、図を用いて説明する。
図１は、実施の形態１に係るプローブカード１００による電子回路の検査状態を概略的に示す図である。
本明細書においては、図１の紙面上方を「上」、同紙面下方を「下」として説明する。すなわち、プローブカード１００から見て、検査対象側を「下」とする。また、図１の紙面左右方向を、便宜上、座屈方向Ｚとし、紙面手前から奥に向かう方向およびその逆方向を、便宜上、座屈方向Ｚに垂直な方向Ｙ（第１方向）とする。
　プローブカード１００は、半導体ウエハＷに形成された電子回路の電気的特性を検査するために用いられる装置である。プローブカード１００は、半導体ウエハＷ上に形成された電子回路上の電極Ｃにそれぞれ接触させる多数のプローブピン２０を備えている。電子回路の特性検査は、半導体ウエハＷをプローブカード１００に近づけて、プローブピン２０の先端を電子回路上の電極Ｃに接触させ、プローブピン２０を介して図示しないテスタ装置とプローブカード１００の配線基板１４のテスタ接続電極ＴＣを導通させて行われる。
　プローブカード１００は、中空のフレーム１０と、フレーム１０の上端に取り付けた上部ガイド１１と、フレーム１０の下端に取り付けた下部ガイド１２と、上部ガイド１１を固定する固定板１３と、配線基板１４とを備える。上部ガイド１１と下部ガイド１２との間に、さらに中間ガイドを設けてもよい。
　上部ガイド１１は、上下方向に貫通する複数のガイド孔１１Ｈを有し、上部ガイド１１の下方に設けられた下部ガイド１２も、上下方向に貫通する複数のガイド孔１２Ｈを有する。上部ガイド１１に設けた複数のガイド孔１１Ｈ群の上方は、固定板１３に設けた開口部１３Ｈとなっている。固定板１３の上面には、配線基板１４が配置されている。配線基板１４は、その下面に、プローブピン２０の上端の端子部２０ｔと接触する複数のプローブ接続パッド１４Ｐを備える。
　そして、複数のプローブピン２０が、それぞれガイド孔１２Ｈおよびガイド孔１１Ｈ内を通るように挿入されてガイドされる。プローブピン２０は、検査対象（半導体ウエハＷに形成された電子回路）に対し垂直に配置される垂直型プローブピンである。
　図２Ａは、図１の要部拡大図である。１本のプローブピン２０と、上部ガイド１１および下部ガイド１２を示している。図２Ａの左右方向が、プローブピン２０の座屈方向Ｚ、すなわち、プローブカード１００の所謂オーバードライブ時にプローブピン２０が弾性変形する方向である。
図２Ｂは、プローブピン２０の斜視図である。図に示す方向Ｙが、座屈方向Ｚに垂直な方向である。
　プローブピン２０は、細長い形状をしている。中央部は、湾曲しており、上部と下部は、直線状に上下方向に延びている。湾曲した中央部が、弾性変形部２０ｍである。プローブピン２０の下端（一端）にコンタクト部２０ｃを備える。そして、上端（他端）に端子部２０ｔが形成されている。
　コンタクト部２０ｃは、検査対象に当接させる当接部である。また、端子部２０ｔは、プローブピン２０の上端部に設けられており、検査時において配線基板１４のプローブ接続パッド１４Ｐに圧接される。弾性変形部２０ｍは、いわゆるオーバードライブ時に、その長手方向の圧縮力が加えられることにより、容易に座屈変形する部分である。オーバードライブ時には、検査対象からの反力に応じて、弾性変形部２０ｍが座屈方向Ｚに座屈変形し、コンタクト部２０ｃが、端子部２０ｔ側に後退する。
　弾性変形部２０ｍよりも上の部分の予め定められた範囲が、上部ガイド内収納部２０Ｕである。この部分が、上部ガイド１１のガイド孔１１Ｈの中に収納される。また、弾性変形部２０ｍより下の部分の予め定められた範囲が、下部ガイド内収納部２０Ｄである。この部分が、下部ガイド１２のガイド孔１２Ｈの中に収納される。
　プローブピン２０は、導電性を有し、抵抗率の異なる２種類の金属によって構成されている。１つは、銅、金、銀（Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ）等の抵抗率が低い金属からなる低抵抗部Ｌを構成する金属（第１金属）である。低抵抗部Ｌは、導電性が高く耐電流性能の向上のために機能する。もう１つは、パラジウムコバルト（ＰｄＣｏ）合金等の、低抵抗部Ｌよりも抵抗率が高く、導電性が低いが、機械的強度の高い高抵抗部Ｈを構成する金属（第２金属）である。高抵抗部Ｈは、プローブピン２０の機械的強度を維持するために機能する。
　そして、電流は抵抗が低い部分に多く流れる。高抵抗部Ｈは、電流の流量が少ないため発熱は、低抵抗部Ｌよりも少ない。抵抗率は、ＰｄＣｕが、３５．８μΩ・ｍ程度であるのに対して、Ａｕは、１．５５μΩ・ｍ程度であり、断面積が同じであれば、発熱量は１２倍に及ぶことになる。
　図２Ｃは、図２ＢのＡ１－Ａ１およびＡ２－Ａ２断面図であり、プローブピン２０の単層部Ｔ１の長手方向に対して垂直な断面図である。
図２Ｄは、図２ＢのＢ１－Ｂ１およびＢ２－Ｂ２断面図であり、プローブピン２０の３層部Ｔ３の長手方向に対して垂直な断面図である。
図２Ｅは、図２ＢのＣ－Ｃ断面図であり、プローブピン２０の５層部Ｔ５の長手方向に対して垂直な断面図である。
プローブピン２０は、その長手方向における各部分において、上述の低抵抗部Ｌと高抵抗部Ｈの配置が異なる。端子部２０ｔを含む上端部と、コンタクト部２０ｃを含む下端部は、高抵抗部Ｈのみの単層で構成される単層部Ｔ１である。なお、「層」の数は、座屈方向Ｚに対して垂直な方向Ｙに向かって、プローブピン２０を構成する物質の層数をいうものとし、空隙（気体）も層に含むものとする。単層部Ｔ１は、図２Ｃの断面において、座屈方向Ｚに対して垂直な方向Ｙに単層の高抵抗部Ｈのみで構成されている。
　検査時において、端子部２０ｔは、配線基板１４のプローブ接続パッド１４Ｐに、コンタクト部２０ｃは、半導体ウエハＷ上に形成された電子回路上の電極Ｃに、それぞれ圧接を繰り返すために、これらの部分は、機械的強度が要求されるので機械的強度の強い高抵抗部Ｈのみで構成されている。
　上述の高抵抗部Ｈのみで構成されるプローブピン２０の上端部の下方、および上述の下端部の上方は、座屈方向Ｚに垂直な方向Ｙの両側にそれぞれ高抵抗部Ｈを備え、当該２つの高抵抗部Ｈの間に低抵抗部Ｌを挟んで形成される３層部Ｔ３である。３層部Ｔ３は、図２Ｄの断面において、座屈方向Ｚに対して垂直な方向Ｙに、高抵抗部Ｈ、低抵抗部Ｌ、高抵抗部Ｈの３層によって構成されている。方向Ｙに３層に分かれているが、隣り合うそれぞれの層は、相互に固着されている。上方の３層部Ｔ３の一部が、上述の上部ガイド内収納部２０Ｕとなり、下方の３層部Ｔ３の一部が、下部ガイド内収納部２０Ｄとなる。
　上下２カ所の３層部Ｔ３の間の弾性変形部２０ｍに相当する部分は、座屈方向Ｚに垂直な方向Ｙの両側にそれぞれ高抵抗部Ｈを備え、当該２つの高抵抗部Ｈの間に、それぞれ座屈方向Ｚの両側に貫通するスリットＳを介して低抵抗部Ｌを挟んで形成される５層部Ｔ５である。５層部Ｔ５は、図２Ｅの断面において、座屈方向Ｚに対して垂直な方向Ｙに、高抵抗部Ｈ、空隙であるスリットＳ、低抵抗部Ｌ、空隙であるスリットＳ、高抵抗部Ｈの５層によって構成されている。
　図２Ｂに示すように、プローブピン２０の高抵抗部Ｈは、プローブピン２０の上端部から下方に向かって二股に分かれ、下端部で再度１本に纏まる。また、上方の３層部Ｔ３の低抵抗部Ｌ、５層部Ｔ５の低抵抗部Ｌ、下方の３層部Ｔ３の低抵抗部Ｌは、すべて繋がっており、その長手方向に垂直な断面は、板状の矩形である。
　検査時において、低抵抗部Ｌは、高抵抗部Ｈに比較して１２倍発熱する。３層部Ｔ３は、その一部である上部ガイド内収納部２０Ｕ、下部ガイド内収納部２０Ｄが、上部ガイド１１、下部ガイド１２のガイド孔１１Ｈ、ガイド孔１２Ｈの中にそれぞれ収納され、上部ガイド１１、下部ガイド１２に外周面が接触するので、当該部分で低抵抗部Ｌから高抵抗部Ｈに伝導した熱は、上部ガイド１１および下部ガイド１２によって放熱され、高抵抗部Ｈが熱によって損傷することはない。なお、上部ガイド１１および下部ガイド１２による放熱効果が得られる範囲は、上部ガイド１１、下部ガイド１２から５００μｍ～１０００μｍまでの範囲である。したがって、上部ガイド１１および下部ガイド１２から５層部Ｔ５までの３層部Ｔ３の長さは５００μｍ～１０００μｍの範囲に設定するとよい。
　一方、弾性変形部２０ｍにおいては、上部ガイド１１および下部ガイド１２から離れており、３層部Ｔ３と同じ構成では、低抵抗部Ｌの熱が、高抵抗部Ｈに伝導し、高抵抗部Ｈの強度低下を引き起こす可能性がある。そこで、低抵抗部Ｌと高抵抗部Ｈとの間にスリットＳを設けて、低抵抗部Ｌに発生する熱を放熱すると同時に、低抵抗部Ｌの高熱が、直接、高抵抗部Ｈに伝導して高抵抗部Ｈの機械的強度が低下することを防止している。
　電子回路の特性検査において、プローブピンは、オーバードライブ時に座屈方向に座屈する。このとき、低抵抗部は、高抵抗部よりも遙かに高温になるので、高抵抗部よりも膨張する。先行技術文献１のように、高抵抗部と低抵抗部とを座屈方向に、座屈方向に垂直な方向の両側に貫通するスリットを介して並べて配置すると、膨張率の違いから、高温の低抵抗部が、座屈方向に隣り合う高抵抗部に接触し、低抵抗部の高熱が高抵抗部に伝導してしまう。これによって高抵抗部が塑性変形して、電子回路の電極に対するコンタクト部の針圧が下がるという問題があった。
　しかしながら、本実施の形態１のように、座屈方向Ｚに対して垂直な方向Ｙに高抵抗部Ｈと低抵抗部Ｌとを、座屈方向Ｚに貫通するスリットＳを介して配置すれば、それぞれの膨張率が異なっていても、スリットＳを介して隣り合う低抵抗部Ｌと両側の高抵抗部Ｈとが接触することがないので、上述の不具合は発生しない。
　図３は、５層部Ｔ５の配置における設計上の許容範囲を示す図である。
これまで説明した各図において、５層部Ｔ５は、低抵抗部Ｌ、高抵抗部Ｈ、スリットＳが、座屈方向Ｚに対して垂直な方向Ｙに並ぶものとして説明したが、第１方向は座屈方向Ｚとは異なる方向であって、図３に示すように、プローブピン２０の５層部Ｔ５を座屈方向Ｚから見て、低抵抗部Ｌと高抵抗部Ｈとが重なり合わなければよい。この場合でも、膨張率の違いによる低抵抗部Ｌと高抵抗部Ｈとの接触は起こらない。
　プローブピン２０は、いわゆるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて作製される。ＭＥＭＳ技術は、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を作成する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造工程などで利用されるフォトレジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層を形成した後、犠牲層のみをエッチングによって除去することにより、立体的な構造物を作成する技術である。
　犠牲層を含む各層の形成処理には、周知のめっき技術を利用することができる。例えば、陰極としての基板と、陽極としての金属片とを電解液に浸し、両電極間に電圧を印加することにより、電解液中の金属イオンを基板表面に付着させることができる。この様な処理は、電気めっき処理と呼ばれ、基板を電解液に浸すウエットプロセスであることから、めっき処理後には、乾燥処理が行われる。
　実施の形態１に係るプローブピン２０およびプローブカード１００によれば、半導体ウエハＷ上に形成された電気回路の検査時において、プローブピン２０のスリットＳを介して隣り合う低抵抗部Ｌと両側の高抵抗部Ｈとが、座屈方向Ｚに並んでいないので、膨張率が異なっても相互に接触しない。したがって、低抵抗部Ｌの高熱が、高抵抗部Ｈに伝導せず、放熱性、耐電流性能の高いプローブピンとプローブカードを提供できる。
実施の形態２．
　以下、実施の形態２に係るプローブピンおよびプローブカードを、実施の形態１と異なる部分を中心に説明する。
図４Ａは、プローブピン２２０の低抵抗部Ｌの構成を示す図である。
図４Ｂは、プローブピン２２０の構成を示す図である。プローブピン２２０を座屈方向Ｚから見た図である。
　図４Ｃは、図４ＢのＤ－Ｄ断面図であり、プローブピン２２０の単層部Ｔ１の長手方向に対して垂直な断面図である。この部分の断面形状は実施の形態１と同じである。
図４Ｄは、図４ＢのＥ１－Ｅ１およびＥ２－Ｅ２断面図であり、プローブピン２２０の上部ガイド内収納部２２０Ｕおよび下部ガイド内収納部２２０Ｄの長手方向に対して垂直な断面図である。この部分の断面形状が、実施の形態１と異なる。実施の形態１の３層部Ｔ３に相当する部分の断面形状が図４Ｄである。
図４Ｅは、図４ＢのＦ－Ｆ断面図であり、プローブピン２２０の５層部Ｔ５の長手方向に対して垂直な断面図である。この部分の断面形状は実施の形態１と同じである。
　図４Ａに示すように、低抵抗部Ｌは、５層部Ｔ５よりも上側および下側において、座屈方向Ｚの幅が狭くなっている。そして、当該部分では、低抵抗部Ｌは、高抵抗部Ｈの中に埋め込まれている。すなわち、低抵抗部Ｌの外周面の周囲は、全て、高抵抗部Ｈで覆われている。
　実施の形態２に係るプローブピン２２０、プローブカード１００によれば、半導体ウエハＷ上に形成された電気回路の検査時において、実施の形態１と同様の効果を奏する。また、プローブピン２２０の、上部ガイド１１と接触する上部ガイド内収納部２２０Ｕおよび、下部ガイド１２と接触する下部ガイド内収納部２２０Ｄの外周面の周囲が、低抵抗部Ｌよりも硬い高抵抗部Ｈによって全て覆われているので、さらに耐久性の高いプローブピン２２０およびプローブカード１００を提供できる。
実施の形態３．
　以下、実施の形態３に係るプローブピンおよびプローブカードを、実施の形態１、２と異なる部分を中心に説明する。
図５は、プローブピン３２０の５層部Ｔ５の長手方向に対して垂直な断面図である。
上述したように、低抵抗部Ｌと高抵抗部Ｈとは、検査時の膨張率が異なる。より高温になる低抵抗部Ｌの方が、高抵抗部Ｈよりも膨張し、座屈量も大きくなる。そこで、本実施の形態３では、５層部Ｔ５の低抵抗部Ｌの座屈方向Ｚの端面にも薄板状の高抵抗部Ｈを設けて膨張率の差を低減する。これにより、低抵抗部Ｌと高抵抗部Ｈの膨張率の違いが、プローブピン３２０の針圧に影響することを抑制できる。
　実施の形態３に係るプローブピン３２０、プローブカード１００によれば、半導体ウエハＷ上に形成された電気回路の検査時において、実施の形態１と同様の効果を奏する。また、５層部Ｔ５の低抵抗部Ｌの膨張率を調整し、プローブピン３２０の針圧を安定化できるので、さらに信頼性の高いプローブピン３２０およびプローブカード１００を提供できる。
実施の形態４．
　以下、実施の形態４に係るプローブピンおよびプローブカードを、実施の形態１～３と異なる部分を中心に説明する。
図６Ａは、プローブピン４２０の構成を示す図である。プローブピン４２０を座屈方向Ｚから見た図である。
図６Ｂは、図６ＡのＤ－Ｄ断面図であり、プローブピン４２０の単層部Ｔ１の長手方向に対して垂直な断面図である。この部分の断面形状は実施の形態１～３と同じである。
図６Ｃは、図６ＡのＥ１－Ｅ１、Ｅ２－Ｅ２、Ｇ－Ｇ断面図である。プローブピン４２０の上部ガイド内収納部２２０Ｕ、下部ガイド内収納部２２０Ｄ、およびブリッジ部Ｂｒの長手方向に対して垂直な断面図である。各ガイド内収納部については実施の形態２と同じであるが、本実施の形態４では、５層部Ｔ５の長手方向の途中に、上部ガイド内収納部２２０Ｕおよび下部ガイド内収納部２２０Ｄと断面が同形状のブリッジ部Ｂｒを配置している。
図６Ｄは、図６ＡのＦ－Ｆ断面図であり、プローブピン２２０の５層部Ｔ５の長手方向に対して垂直な断面図である。この部分の断面形状は実施の形態１と同じである。
　上述のように、５層部Ｔ５においては、低抵抗部Ｌが高抵抗部Ｈよりも高温になり、膨張率の違いから、低抵抗部Ｌと高抵抗部Ｈの座屈量も異なり、低抵抗部Ｌの方が大きく座屈して撓む。そこで、実施の形態２の５層部Ｔ５の長手方向の途中に、長手方向に対して垂直な断面が、実施の形態２で説明した上部ガイド内収納部２２０Ｕおよび下部ガイド内収納部２２０Ｄの長手方向に対して垂直な断面と同形状のブリッジ部Ｂｒを配置する。ブリッジ部Ｂｒは、１カ所であってもよいし複数設けてもよい。
　ブリッジ部Ｂｒを設けて低抵抗部Ｌと高抵抗部Ｈとを、５層部の長手方向の全長の中間部分で、物理的に固着することによって、低抵抗部Ｌが大きく撓んで、予期しない部分で高抵抗部Ｈに接触し、高抵抗部Ｈの機械的強度を損なうことをさらに防止できる。
　実施の形態４に係るプローブピン４２０、プローブカード１００によれば、半導体ウエハＷ上に形成された電気回路の検査時において、実施の形態１と同様の効果を奏する。また、５層部Ｔ５の低抵抗部Ｌの膨張量を、ブリッジ部Ｂｒによって分散し、低抵抗部Ｌと高抵抗部Ｈの座屈形状を管理できるので、さらに信頼性の高いプローブピン３２０およびプローブカード１００を提供できる。
　本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
　１００　プローブカード、１０　フレーム、１１　上部ガイド、１２　下部ガイド、１１Ｈ，１２Ｈ　ガイド孔、１３　固定板、１３Ｈ　開口部、１４　配線基板、１４Ｐ　プローブ接続パッド、２０，２２０，３２０，４２０　プローブピン、２０ｃ　コンタクト部、２０ｍ　弾性変形部、２０ｔ　端子部、２０Ｕ，２２０Ｕ　上部ガイド内収納部、２０Ｄ，２２０Ｄ　下部ガイド内収納部、Ｔ１　単層部、Ｔ３　３層部、Ｔ５　５層部、Ｂｒ　ブリッジ部、Ｃ　電極、Ｈ　高抵抗部、Ｌ　低抵抗部、Ｓ　スリット、ＴＣ　テスタ接続電極、Ｗ　半導体ウエハ、Ｚ　座屈方向。

Claims (9)

  1. 長手方向の一端に検査対象の電極に接触させるコンタクト部を有し、長手方向の他端に回路基板に接触させる端子部を有するプローブピンであって、
    前記プローブピンは、導電性を有する第１金属からなる低抵抗部と、前記低抵抗部よりも抵抗率の高い、導電性を有する第２金属からなる高抵抗部によって構成され、
    前記コンタクト部と前記端子部との間に、前記検査対象の検査時における前記プローブピンの座屈方向とは異なる第１方向に、前記高抵抗部、空隙であるスリット、前記低抵抗部、空隙であるスリット、前記高抵抗部の順に５層に構成された５層部を有し、
    前記５層部を前記座屈方向から見たときに、前記低抵抗部と前記高抵抗部とは重なり合わないプローブピン。
  2. 前記５層部の、前記長手方向の両側に、前記第１方向に、２つの前記高抵抗部の間に前記低抵抗部を挟んで形成される３層部を有し、前記５層部の前記低抵抗部と前記３層部の前記低抵抗部とは前記長手方向に連続して繋がり、前記５層部の前記高抵抗部と前記３層部の前記高抵抗部とは前記長手方向に連続して繋がり、前記コンタクト部と前記端子部は、前記高抵抗部のみで構成される請求項１に記載のプローブピン。
  3. 前記端子部と前記５層部との間、および前記５層部と前記コンタクト部との間に、前記低抵抗部の外周面の周囲が、全て、前記高抵抗部で覆われた、ガイド内収納部を備える請求項２に記載のプローブピン。
  4. 前記５層部の前記低抵抗部は、前記座屈方向の少なくとも一方の面に、前記高抵抗部を備える請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプローブピン。
  5. 前記５層部の前記長手方向の上端と、下端との間に、前記低抵抗部の外周面の周囲が、全て、前記高抵抗部で覆われ、前記低抵抗部と前記高抵抗部とが固着されたブリッジ部を備える請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプローブピン。
  6. 前記第１方向は、前記座屈方向に対して垂直な方向である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプローブピン。
  7. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の複数の前記プローブピンを備えるプローブカード。
  8. 請求項３に記載の複数のプローブピンと、
    それぞれの前記プローブピンを挿入してガイドする複数のガイド孔を有するガイドを備え、前記ガイド内収納部は、前記ガイド孔内に挿入されているプローブカード。
  9. 前記ガイド内収納部から前記５層部までの前記３層部の長さは、５００ｕｍ～１０００μｍである請求項８に記載のプローブカード。
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