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WO2022196399A1 - プローブカード用プローブおよびその製造方法 - Google Patents

プローブカード用プローブおよびその製造方法 Download PDF

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WO2022196399A1
WO2022196399A1 PCT/JP2022/009492 JP2022009492W WO2022196399A1 WO 2022196399 A1 WO2022196399 A1 WO 2022196399A1 JP 2022009492 W JP2022009492 W JP 2022009492W WO 2022196399 A1 WO2022196399 A1 WO 2022196399A1
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deformation
shape
region
probe card
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和正 大久保
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日本電子材料株式会社
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Definitions

  • This application relates to a probe for a probe card and a manufacturing method thereof.
  • Probe cards are used to perform operation tests of individual semiconductor devices formed on a wafer by contacting probes to the electrode pads of semiconductor devices to supply power, input/output signals, and ground. It is an electrical connection device that is The probes are provided on the surface of the probe card, and configured such that their tips are pressed against the electrode pads of the semiconductor device with a predetermined pressing force.
  • the electrode pads of the semiconductor device are designed to be small, and the distance (pitch) between the electrode pads is designed to be small.
  • Probes must be miniaturized as semiconductor devices are miniaturized. However, when the probe is made fine, there is a problem that the mechanical strength of the probe is weakened.
  • Patent Document 1 proposes a configuration using a multi-layer metal sheet.
  • the probe shown in Patent Literature 1 has a multi-layered metal sheet structure with a core provided with a highly conductive layer and a highly rigid layer, which is completely covered with a highly rigid material.
  • a configuration in which multiple layers of different materials are stacked is preferable, but the cross-sectional thickness of the probe is reduced. There is a limit to responding to this demand, and further breakthroughs were necessary.
  • the probes are moved closer to the semiconductor wafer (overdrive) after the probes have contacted the electrode pads. Pressing against the electrode pads is performed. For this reason, the probe is required to have a strength that does not break even if a contact pressure of a predetermined value or more is applied. In order to prevent the probe from breaking, it is necessary to avoid localized stress concentrations on the probe. In addition, in order to prevent stress concentration from occurring, it has been demanded that the surface of the probe be as smooth and flawless as possible.
  • An object of the present invention is to provide a probe with That is, the probe for the probe card of the present application provides a structure with large stress (high mechanical strength) by intentionally dispersing stress concentration instead of preventing stress concentration from occurring. With the goal.
  • the probe card probe disclosed in the present application is characterized by having, on its surface, a plurality of depression-shaped or protrusion-shaped deformation regions, and a framework region provided at the boundary between the adjacent deformation regions.
  • the probe card probe disclosed in the present application it is possible to provide a structure that can increase the stress to a predetermined value or more even if the plate thickness is reduced.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a probe according to Embodiment 1;
  • FIG. 4 is a characteristic diagram of stylus pressure of the probe of Embodiment 1.
  • FIG. 4 is a characteristic diagram of stress of the probe of Embodiment 1.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram of a method for manufacturing the probe of Embodiment 1;
  • FIG. 4 is an explanatory diagram of a method for manufacturing the probe of Embodiment 1;
  • 4 is a perspective view of the surface of the probe of Embodiment 2.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram of a method for manufacturing the probe of Embodiment 2;
  • FIG. 13 is a diagram showing an area expansion pattern according to the third embodiment;
  • FIG. 12 is a diagram showing a schematic configuration of a probe according to Embodiment 4;
  • FIG. 13 is a diagram showing a schematic configuration of a probe according to Embodiment 5;
  • FIG. 13 is a diagram showing a schematic configuration of a probe according to Embodiment 5;
  • FIG. 12 is a diagram showing a pattern of deformation regions on the surface of the probe according to Embodiment 6;
  • FIG. 13 is a diagram showing a schematic configuration of a probe according to Embodiment 7;
  • FIG. 20 is a diagram showing a schematic configuration of a probe according to Embodiment 8;
  • FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of probes for a probe card according to the first embodiment.
  • the probe 1 shown in Embodiment 1 is a so-called vertical probe, and is held substantially vertically by a first guide plate 2 on the upper side and a second guide plate 3 on the lower side.
  • a tip portion 4 of the probe 1 is guided by a second guide plate 3 so as to come into contact with an electrode pad 5 of a semiconductor device.
  • a rear end portion 6 of the probe 1 is guided by a first guide plate 2 so as to be connected to an electrode (not shown) connected to the circuit board of the probe card.
  • the probe 1 is made of a thin metal plate, which is a conductive member, and on the surface of the central portion 7 of this probe 1, a plurality of deformation regions 8 and a framework region 9 are formed.
  • a deformation area 8 indicates an area where the original plane is deformed.
  • a framework region 9 indicates a region that connects the plurality of deformation regions 8 .
  • a boundary portion 10 corresponds to a ridgeline between the deformation area 8 and the framework area 9 .
  • the stylus force when the overdrive amount was 70 ⁇ m was 1.72 gf for the probe without the recess, while it was 1.19 gf for the probe 1 with the recess.
  • the maximum stress when the overdrive amount was 110 ⁇ m was 670 MPa for the probe without the recess, whereas it was 891 MPa for the probe 1 with the recess. It was confirmed that the mechanical properties were satisfactory.
  • the difference in the surface area of the probe 1 can be considered as the structural singularity. That is, the surface area of the probe 1 is increased by providing the deformed region 8 of a quadrangular prism-shaped depression on the surface of the probe 1 .
  • the surface area of the top of the quadrangular prism is only depressed from the original surface, so there is no change in area. do not have.
  • the area of the inner wall surface caused by the depression is increased.
  • the dimensions of the recesses provided on the front and back sides of the probe are squares each side of which is 20 ⁇ m, the depth of the recess on the front side is 3.5 ⁇ m, and the depth of the recess on the back side is 2.5 ⁇ m.
  • there is 429 dents of this size are provided on each of the front and back sides.
  • the surface area increases by 120120 ⁇ m 2 and the rear surface increases by 85800 ⁇ m 2 .
  • the surface area increases by the area of the inner wall surface of the dent caused by the depression.
  • the surface area can be arbitrarily changed by designing the size and arrangement of this recess shape.
  • Probe A with no dents (smooth surface)
  • Probe B with square prism-shaped dents arranged in a matrix
  • Probe C with square prism-shaped dents arranged in a staggered manner
  • Table 1 shows the stylus pressure and maximum stress of the probe for D based on the finite element method (FEM).
  • probe A As shown in Table 1, in the case of probe A, the stylus force was 1.72 gf when the overdrive was 70 ⁇ m, and the maximum stress was 670 MPa when the overdrive was 110 ⁇ m.
  • probe B has a stylus pressure of 1.19 gf and a maximum stress of 891 Mpa
  • probe C has a stylus pressure of 1.18 gf and a maximum stress of 899 Mpa
  • probe D has a stylus pressure of 1.18 gf and a maximum stress of 899 Mpa.
  • the pressure was 1.18 gf and the maximum stress was 1164 Mpa.
  • the deformation area 8 is formed by a cone-shaped or pyramid-shaped recess, the stress can be distributed not only at each apex of the outer circumference but also at the apexes of the cone or pyramid. In this case, stress concentration occurring at the boundary portion 10 between the deformation region 8 and the frame region 9 can be reduced.
  • the first manufacturing method is a method by electroforming, and as shown in FIG. B, a metal layer 43 that serves as a member of the probe is provided on the surface of the conductive layer 42 to form the deformation region 8 that expands the area. It can be done by casting. Thereafter, the surface is flattened, a mask is provided, and etching is performed to form a target probe. The probe 1 is then removed from the substrate 41 by removing the conductive layer 42 .
  • a depression shape is formed on the surface of a metal plate 53 using a first mold 51 and a second mold 52 having depression-shaped surfaces.
  • the manufacturing time can be shortened compared to forming the metal layer by electroforming.
  • Embodiment 2 the shape of the depression of the deformation area 8 in the first embodiment is changed from the shape of the depression of a quadrangular prism to the shape of a depression of a triangular pyramid. That is, as shown in FIG. 6, which is a perspective view of a part of the surface of the probe 1 cut out, the depressions are formed by a triangular pyramid pattern 61 . That is, as shown in FIG. 7, this triangular pyramid pattern 61 consists of a male mold 71 having a shape in which a plurality of triangular pyramids are arranged and a female mold having a receiving side shape corresponding to the protruding shape of the triangular pyramids. The metal plate 73 is sandwiched from both sides by the metal mold 72 and is formed by applying pressure.
  • a metal plate 73 can be sandwiched between the male mold 71 and the female mold 72 to form the triangular pyramid pattern 61 with recesses or protrusions on the front and back surfaces of the metal plate 73 .
  • the efficiency of the manufacturing process of the probe 1 can be improved by punching the metal plate at the same time as forming the triangular pyramid pattern 61 .
  • by performing surface processing and punching of the metal plate 73 by pressing in one step it is possible to manufacture the probe 1 having the triangular pyramid pattern 61 with recesses or protrusions on the surface.
  • the increase in the surface area of the deformation region 8 is the difference between the surface area of the side surface and the area of the bottom surface of the triangular pyramid.
  • the surface of the probe 1 is formed by combining the square prism pattern of the first embodiment and the triangular pyramid pattern 61 of the second embodiment.
  • the surface area can be increased in various ways.
  • FIG. 8 shows the pattern of the surface of the probe 1.
  • the planar shape is a combination of a quadrangular prism pattern 81 and a triangular pyramid pattern 61 .
  • a square prism pattern 81 and a triangular pyramid pattern 61 are combined and arranged so that the sides of the square prism pattern 81 do not touch each other, and the square prism patterns 81 are connected by the triangular pyramid pattern 61 . It is designed to
  • the combination of the square pole pattern 81 and the triangular pyramid pattern 61 can fill the entire plane. Furthermore, it is possible to expand the area even if it is not a combination of rectangles and triangles. For example, even with a corrugated plate-shaped pattern, the area can be similarly increased.
  • Embodiment 4 As shown in FIG. 9, the probe 1 of Embodiment 4 shows a planar pattern in FIG. 9A, and FIG. 9B shows a cross section along the straight line A9-A9 in FIG. 9A.
  • FIGS. 9A and 9B a structure in which a first deformation region 91 having a spherical recess shape with a first diameter and a second deformation region 92 having a spherical projection shape with a second diameter are provided on the surface. It's becoming On the surface of the probe 1, first deformation regions 91 are arranged in a zigzag pattern, and second deformation regions 92 are arranged in spaces between the first deformation regions 91. As shown in FIG. It is presumed that the arrangement of the first deformation region 91 and the second deformation region 92 distributes the stress evenly and serves as a probe for a highly stressed structure.
  • Embodiment 5 In Embodiments 1 and 2, an example of forming a recessed or protruded pattern on the vertical probe 1 is shown, but as shown in FIG.
  • a probe having the same stylus pressure and stress characteristics as in the first embodiment can be obtained.
  • FIG. 11 by providing an area expansion pattern region 101 around the stress concentration region 102 generated in a part of the probe 1, the stress of the stress concentration region 102 is dispersed and relieved. The required mechanical strength can be obtained.
  • Embodiment 6 If the pattern of the deformation area 8 is a concave shape or a protruding shape in the shape of a polygonal prism, specific examples of polygons include triangles, quadrilaterals, pentagons, hexagons, and further polygonal shapes. . In polygonal depressions or protrusions, stress concentrations will occur at the vertices of the polygon. The stress is then distributed to each vertex according to the number of vertices. That is, in the case of a triangle, it is estimated that 1/3 of the stress is generated at each vertex of the external force.
  • the stress is concentrated on the vertices of the polygon and the stress is distributed according to the number of vertices, if the number of vertices is increased to form a circle, the stress will be distributed over the entire perimeter of the circle. .
  • the plane of the skeleton region 9 can further include a plurality of second deformation regions 122 of recessed or protruded shape.
  • the second deformation region 122 When the second deformation region 122 is set to have a polygonal prism recessed or protruding shape like the first deformation region 121, the second deformation region 122 is placed around the first deformation region 121 without gaps. It is preferable to provide it, and as the depression of the prism of the first deformation area 121, as shown in FIG. 12, it is preferable to use a dodecagonal prism.
  • the periphery By forming the first deformation region 121 into a dodecagonal prism shape, the periphery can be filled with triangular, quadrangular, or hexagonal recesses or projections without any gaps, so stress distribution can be simulated. In addition to the effect of being easy to perform, since the same pattern can be repeatedly arranged, it is possible to obtain the effect of uniform dispersion of stress.
  • FIG. 13 shows a partial cross-sectional shape of the probe 1 of the seventh embodiment.
  • FIG. 13A shows a planar pattern
  • FIG. 13B shows a cross section along line A13-A13 in FIG. 13A.
  • a coating layer 13 is provided on the surface of the metal plate of the probe 1 shown in the fourth embodiment so that foreign matter does not adhere.
  • the surface of the metal plate is smoothly covered so that even if foreign matter adheres, it can be easily removed.
  • This configuration is not limited to the probe of Embodiment 4, and any probe having a depression-shaped or protruded deformation region on the surface of a metal plate can similarly have the problem of adhesion of foreign matter by providing a coating layer. can be resolved.
  • the material of the coating layer 13 is preferably a resin layer that does not interfere with the deformation of the metal plate.
  • the surface is provided with a plurality of deformation regions 8 having a concave shape or a protruding shape, so there is a concern that foreign matter may adhere.
  • a covering layer 13 for is effective.
  • Embodiment 8 If the probe has a structure in which the first metal layer 141 with low resistance is wrapped by the second metal layer 142 made of a harder material than the first metal layer 141, as shown in FIG. A probe with high mechanical strength can be provided by providing a depression-shaped or projected-shaped deformation region 8 on the surface or the back surface of the second metal layer 142 of , so as to disperse stress.
  • “hollow shape or protruding shape” means the case where only “hollow shape” is arranged, the case where only “protruding shape” is arranged, and the case where "hollow shape” and “protruding shape” are arranged. is.
  • FIG. 14A is a schematic perspective view of the probe, and FIG. 14B shows a cross section along line A14-A14 of FIG. 14A.
  • a low-resistance first metal layer 141 is covered with a high-hardness second metal layer 142 .
  • a depression-shaped deformation region 8 is provided on the surface of the second metal layer 142 . Even if the deformed region 8 due to the concave shape is changed to the protruded shape, the effect of dispersing the stress remains the same.
  • the coating layer 13 on the surface of the depression-shaped or projecting deformation region 8 as in the seventh embodiment adhesion of foreign matter can be prevented.

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Abstract

半導体デバイスの電極ピッチに対応するようにプローブ(1)を薄くすると、機械的強度が不十分になる。薄い金属板で十分な機械的強度を得るための工夫が必要であった。 プローブカード用プローブ(1)の表面に、窪み形状または突出形状の複数の変形領域(8)と、隣り合う前記変形領域(8)の境界に設けられた骨組み領域(9)とを設け、前記変形領域(8)の応力を分散するようにした。

Description

プローブカード用プローブおよびその製造方法
 本願は、プローブカード用プローブおよびその製造方法に関するものである。
 プローブカードは、ウエハ上に形成された個々の半導体デバイスの動作テストを行うために、半導体デバイスの電極パッドにプローブを接触させて、電力の供給、信号の入出力、および接地を行うために使用される電気的な接続装置である。
 プローブは、プローブカードの表面に設けられ、所定の押圧力で先端が半導体デバイスの電極パッドに押し付けられるように構成されている。
 ウエハ上に形成される半導体デバイスの数量を増加させるためには、半導体デバイスのサイズを小さくすることが必要である。このため、半導体デバイスの電極パッドが小さく設計されるとともに、電極パッド間の距離(ピッチ)が小さく設計されている。
 半導体デバイスの微小化に応じて、プローブを微細にする必要がある。しかし、プローブを微細にすると、プローブの機械的強度が弱くなるという問題がある。
 このため、プローブは、半導体デバイスの電極パッドとの良好な電気的接触および機械的接触が保証されるために、例えば、特許文献1では、多層金属シートを使用する構成が提案されている。
特表2018-501490号公報
 特許文献1に示されているプローブは、コアに、高導電層と高硬度層とを設けた多層金属シートによる構造を、高い硬度の材料で完全に被覆されている。
 特許文献1に示されているように、良好な電気的接触および機械的接触を果たすためには、材質の異なる複数の層を重ね合わせた構成が好ましいが、プローブの断面の厚さを薄くするという要求に応えるには限度があり、さらなるブレークスルーが必要であった。
 プローブカード用のプローブは、半導体デバイスの電極パッドへの接触を確実にするため、プローブが電極パッドに接触した後に、さらにプローブカードを半導体ウエハに近づけること(オーバードライブ)によって、プローブを半導体デバイスの電極パッドに押し付けることが行われる。
 このため、プローブには、所定値以上の接触圧を加えても破壊されない強度が必要とされる。プローブが破壊されないために、プローブに局部的な応力集中が生じないようにする必要がある。そして、応力集中が生じないようにするため、できるだけ、表面が滑らかで、傷の無いプローブとすることが求められていた。
 しかし、金属表面を滑らかにするにも限度があり、プローブの断面の厚さが薄くなるほど外力に対して変形し易くなる(応力が小さくなる)という問題があった。
 本願は、上述の問題を解決する技術を開示するものであり、プローブを微細にしても、半導体デバイスの電極に適切な針圧で接触し、所定値以上の接触圧を加えても破壊されない強度を備えたプローブを提供することを目的とする。
 すなわち、本願のプローブカード用プローブは、応力集中が生じないようにするのではなく、応力集中を意図的に分散させる構造とすることによって応力の大きな(機械的強度の高い)構造を提供することを目的とする。
 本願に開示されるプローブカード用プローブは、窪み形状または突出形状の複数の変形領域と、隣り合う前記変形領域の境界に設けられた骨組み領域とを表面に有したことを特徴とする。
 本願に開示されるプローブカード用プローブによれば、板厚を薄くしたとしても所定値以上に応力を高くすることのできる構造体を提供することができる。
実施の形態1のプローブの概略的な構成を示す斜視図である。 実施の形態1のプローブの針圧の特性図である。 実施の形態1のプローブの応力の特性図である。 実施の形態1のプローブの製造方法の説明図である。 実施の形態1のプローブの製造方法の説明図である。 実施の形態2のプローブの表面の斜視図である。 実施の形態2のプローブの製造方法の説明図である。 実施の形態3の面積拡張パターンを示す図である。 実施の形態4のプローブの概略的な構成を示す図である。 実施の形態5のプローブの概略的な構成を示す図である。 実施の形態5のプローブの概略的な構成を示す図である。 実施の形態6のプローブの表面の変形領域のパターンを示す図である。 実施の形態7のプローブの概略的な構成を示す図である。 実施の形態8のプローブの概略的な構成を示す図である。
実施の形態1
 以下、図面に従って実施の形態1を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当部分には同一の符号を付ける。
 図1は、この実施の形態1に係るプローブカード用のプローブの構成を示す斜視図である。
 この実施の形態1に示すプローブ1は、いわゆる垂直プローブと呼ばれるプローブであって、上側の第1のガイド板2と下側の第2のガイド板3によってほぼ垂直に保持されている。プローブ1の先端部分4は、半導体デバイスの電極パッド5に接触するように第2のガイド板3によって案内されている。プローブ1の後端部分6は、プローブカードの回路基板につながる電極(図示せず)に接続されるように第1のガイド板2によって案内されている。
 プローブ1は、導電部材の薄い金属板によって作られ、このプローブ1の中央部分7の表面には、複数の変形領域8と骨組み領域9とが形成されている。
 変形領域8とは、元の平面が変形された領域を示している。また骨組み領域9とは、複数の変形領域8の間を結合する領域を示している。また、変形領域8と骨組み領域9との間の稜線に相当するところは境界部分10として表している。
 この実施の形態1では、変形領域8として、元の平面に四角柱の形の窪みを設けた例を示している。また、骨組み領域9は、変形領域8間の平面の部分が該当している。
 ここで、変形領域8を何も設けなかった構造のプローブと、変形領域8を表面側および裏面側に設けた構造のプローブとを比較すると、次の結果を得ることができた。すなわち、表面に変形領域8を設けなかったプローブの測定結果をAとし、変形領域8を設けたプローブ1の特性の測定結果をBとして表して、プローブ1の先端部分4が電極パッド5に接触した後に、さらに荷重を加えてプローブ1を電極パッド5に押し付ける状態(オーバードライブ状態)において、オーバードライブ量に対する針圧の関係は、図2に示すようになった。また、オーバードライブ量に対する応力の関係は、図3に示すようになった。
 図2に示すように、オーバードライブ量が70μmの時の針圧は、窪みの無いプローブでは1.72gfであったのに対して、窪みを設けたプローブ1では1.19gfであった。また、図3に示すように、オーバードライブ量が110μmの時の最大応力は、窪みの無いプローブでは670MPaであったのに対して、窪みを設けたプローブ1では891MPaであって、プローブとしての機械的特性を満足できる状態であることが確認された。
 最大応力が大きくなった要因を検討したところ、構造上の特異点としては、プローブ1の表面積の相違が考えられる。
 すなわち、プローブ1の表面に四角柱の窪みの変形領域8を設けることによって表面積が増加している。四角い平面を陥没させた窪みの形状(すなわち、四角柱形の陥没形状を表している)の場合、四角柱形の頂部の表面積は、元の表面を押し下げただけであるので、面積に変化はない。これに対して、陥没によって生じた内壁面の部分の面積が増加している。
 この実施の形態1では、プローブの表裏に設けられた窪みの寸法は、一辺が20μmの四角形で、表面側の窪み深さを3.5μmとし、裏面側の窪みの深さを2.5μmとしている。このサイズの窪みを表面側および裏面側にそれぞれ、429個設けている。これによって、表面側では、120120μmの面積が増加し、裏面側では85800μmの面積が増加している。陥没による窪みの内壁面の面積の分について表面積が増加することになる。ここで、大きな窪みは、プローブ1の厚さに影響するため、表面積を大きくするには、小さな窪みを数多く設けることによって達成することが望ましい。この窪み形状の大きさおよび配置を設計することによって、表面積を任意に変化させることができる。
 さらに、変形領域8によって、どのような効果を得ることができるのかについて分析した。窪みの無い(表面が滑らかな形状)のプローブA、四角柱の形状の窪みをマトリクス状に配置したプローブB,四角柱の形状の窪みを千鳥配置したプローブC、円形の窪みを千鳥配置したプローブDについて、有限要素法(FEM)に基づいて、プローブの針圧および最大応力を求めた結果は、表1に表すとおりであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 この表1に示すとおり、プローブAの場合には、オーバードライブが70μmの時には針圧が1.72gfであり、オーバードライブが110μmの時には最大応力670MPaであった。これに対して、同じ条件で、プローブBでは、針圧が1.19gf、最大応力が891Mpaであり、プローブCでは、針圧が1.18gf、最大応力が899Mpaであり、プローブDでは、針圧が1.18gf、最大応力が1164Mpaであった。
 また、プローブA、プローブB、プローブCおよびプローブDについて、応力コンター図(コンター図とは、計算結果を等高線表示した図)を作成したところ、プローブAでは、最大応力670MPaでほぼ均一に分布している状態となっていた。プローブBでは、変形領域8の底面の平面部において74MPa、骨組み領域9において668MPaとなり、最大応力は891Mpaであった。プローブCでは、変形領域8の底面の平面部において74MPa、骨組み領域9において674MPaとなり、最大応力は899Mpaであった。プローブDでは、変形領域8の底面の球面部において97MPa、骨組み領域9において873MPaとなり、最大応力は1164Mpaであった。
 この結果から、プローブA、プローブB、プローブCおよびプローブDに、外部から力が加えられた場合、応力は、変形領域8と骨組み領域9との境界部分10に集中していると推定される。また、変形領域8の底面を平面形状または球面形状とすることによって、変形領域8と骨組み領域9との境界部分10に応力が集中することになる。
 このことは、変形領域8を多角柱の窪みで形成した場合には、多角形の各頂点に応力集中が生じることになることから、外力が加えられた場合には、応力が各頂点に分散することになることを表している。
 したがって、変形領域8を円錐形状または角錐形状の窪みによって形成すれば、外周の各頂点だけでなく、円錐あるいは角錐の頂点も含めて、応力を分散することができる。
 この場合には、変形領域8と骨組み領域9との境界部分10に生じる応力集中を軽減できることになる。
 なお、境界部分10が多角形の場合、各頂点に応力集中が生じるが、角数が多いほど各頂点の負担する応力集中は小さくなる。
 このことから、窪みの周縁が円形の場合、その周縁に応力が分散されることになるため、プローブDとして説明したように、変形領域8として球形の窪み形状を設ける構造が、応力を最も分散する構造となって、応力の高い構造のプローブとなると推定される。
 次に、この図1に示したプローブ1の製造方法について説明する。
 プローブの製作方法としては、二通りの方法がある。まず第1の製作方法は、電鋳による方法であって、図4のAに示すように、基板41の表面に導電層42による窪み形状に対応する突出形状8aを形成し、その後、図4のBに示すように、導電層42の表面に、プローブの部材となる金属層43を設けることによって、面積を拡張する変形領域8を形成するもので、この金属層43の形成は、例えば電鋳によって行うことができる。その後、表面を平たんに加工し、マスクを設けて、エッチングを行い目標とするプローブを作成する。その後、導電層42を取り除くことによって、基板41からプローブ1を取り外す。
 第2の製作方法は、図5に示すように、窪み形状の面を有する第1の金型51と第2の金型52によって、金属板53の表面に窪み形状を形成するものである。この場合は、電鋳によって金属層を形成することに比べて、製作時間を短縮することができるという効果がある。
 なお、実施の形態1において、変形領域8を窪み形状にした構造について説明したが、この形状を突出形状としても同様の効果を得ることができる。
実施の形態2
 この実施の形態2は、実施の形態1における変形領域8の窪みの形状を四角柱による窪みの形状としていたものを、三角錐の窪みの形状に変更したものである。すなわち、プローブ1の表面の一部を切り出した斜視図を、図6に示すように、窪みを三角錐のパターン61によって形成している。すなわち、この三角錐のパターン61は、図7に示すように、複数の三角錐を並べた形状の雄型の金型71と、三角錐の突出した形状に対応する受け側の形状の雌型の金型72とによって、金属板73を両側から挟み込んで圧力を加えることによって形成したものである。
 この雄型の金型71と雌型の金型72とによって、金属板73を挟み込んで、金属板73の表面および裏面に窪み形状または突出形状の三角錐のパターン61を形成することができる。また、三角錐のパターン61を形成する際に、金属板を打ち抜くことを同時に行うことによって、プローブ1の製作工程の効率を高めることができる。特に、プレスによって金属板73の表面加工と打ち抜きとを1工程で行うことによって、表面に窪み形状または突出形状の三角錐のパターン61を有するプローブ1を製作することができる。
 この実施の形態2の場合には、変形領域8の表面積の増加分は、三角錐の側面の表面積と底面の面積との差分となる。図1に示した四角柱のパターンと、図6に示した三角錐のパターン61とを比較した場合、四角柱のパターンの場合には窪みの内壁面が必要であるため、四角柱のパターンを近づけるには限りがある。これに対して、三角錐のパターン61では、隣り合う三角錐を限りなく接近できるという効果を得ることができる。
実施の形態3
 この実施の形態3のプローブでは、プローブ1の表面に、実施の形態1の四角柱のパターンと実施の形態2の三角錐のパターン61とを組み合わせて形成している。この実施の形態3のプローブでは、表面積の増加を様々に実現することができる。
 図8に、プローブ1の表面のパターンを示す。図8に示すように、ここでは、四角柱のパターン81と三角錐のパターン61とを組み合わせた平面形状となっている。この形状では、四角柱のパターン81と三角錐のパターン61とを組み合わせて、四角柱のパターン81の辺が接しないように配置し、四角柱のパターン81の間を三角錐のパターン61によって繋ぐようにしたものである。
 このように四角柱のパターン81と三角錐のパターン61との組み合わせによって平面全体を埋め尽くすことができる。
 さらに、矩形と三角との組み合わせ以外であっても面積を拡張することが可能である。例えば、波板形状のパターンであっても同様に面積を増加させることができる。
実施の形態4
 実施の形態4のプローブ1は、図9に示すように、図9Aは平面のパターンを示し、図9Bは、図9Aの直線A9-A9における断面を示している。この図9A,Bに示すように、第1の径の球形の窪み形状の第1の変形領域91と第2の径の球形の突出形状の第2の変形領域92を表面に設けた構造となっている。
 このプローブ1の表面には、第1の変形領域91が千鳥状に配列され、第1の変形領域91の間の空間に第2の変形領域92が配置されている。この第1の変形領域91と第2の変形領域92との配置によって応力が均一に分散され、応力の高い構造のプローブとなると推定される。
実施の形態5
 実施の形態1および2においては、垂直のプローブ1を対象に、窪み形状または突出形状のパターンを形成する事例を示したが、図10に示すように、カンチレバー形状のプローブ1に変形領域として面積拡張パターン領域101を設けた場合、実施の形態1と同様の針圧および応力の特性を備えたプローブを得ることができる。
 また、図11に示すように、プローブ1の一部に生じていた応力集中領域102の周辺に面積拡張パターン領域101を設けることによって、応力集中領域102の応力を分散させて緩和させることによって、必要とされる機械的強度を得ることができる。
実施の形態6
 変形領域8のパターンとして、多角柱の形状の窪み形状または突出形状である場合、多角形の具体的な事例としては、三角形、四角形、五角形、六角形およびさらに多角形の形状などが想定される。
 多角形の窪み形状または突出形状において、応力集中は、多角形の頂点に生じることになる。そして応力は、頂点の数に応じて、それぞれの頂点に分散される。すなわち、三角形の場合には、外力に対する応力は、各頂点に1/3の応力が生じると推定される。
 応力が多角形の頂点に集中し、頂点の数に応じて応力が分散されるとした場合、頂点の数を多くして円形とした場合、円形の周辺全体に応力が分散されることになる。しかし、応力の分散を把握して最適な状態にコントロールするためには、予め定めた頂点の数を予め定めた位置に配置することが望ましい。
 ここで、この実施の形態6においては、図12に示すように、隣り合う第1の変形領域121の間に存在する骨組み領域9に平面が含まれている場合には、骨組み領域9の平面の部分にさらに、窪み形状または突出形状の複数の第2の変形領域122を含ませることができる。
 第2の変形領域122に第1の変形領域121と同様に多角形の角柱の窪み形状または突出形状を設定する場合、この第2の変形領域122を第1の変形領域121の周辺に隙間なく設けることが好ましく、第1の変形領域121の角柱の窪みとしては、図12に示すように、12角形の角柱とすることが好ましい。
 第1の変形領域121を12角形の角柱の窪み形状とすることによって、その周囲は、三角形、四角形、六角形の窪み形状または突出形状によって隙間なく埋めることができることから、応力の分散のシミュレーションが行い易いという効果だけでなく、同じパターンを繰り返して配置できることから、応力の分散を均一にできるという効果を得ることができる。
実施の形態7
 図13に、実施の形態7のプローブ1の部分的な断面形状を示す。図13に示すように、図13Aは平面のパターンを示し、図13Bは、図13Aの直線A13-A13における断面を示している。この図13A,Bに示すように、この実施の形態7では、実施の形態4において示したプローブ1の金属板の表面に異物が付着しないように被覆層13を設けている。また、たとえ、異物が付着したとしても、容易に取り除くことができるように、金属板の表面を滑らかに覆っている。この構成は、実施の形態4のプローブに限られるものではなく、金属板の表面に窪み形状または突出形状の変形領域を有するプローブであれば、同様に被覆層を設けることによって異物の付着という問題を解決することができる。
 被覆層13の材質としては、金属板の変形を妨げない樹脂層が望ましい。特に、実施の形態1から6においては、表面に窪み形状または突出形状の複数の変形領域8を設けているため、異物の付着が懸念されるので、その懸念を取り除くため、表面が滑らかにするための被覆層13は、有効である。窪み形状または突出形状の複数の変形領域8と骨組み領域9とを導電体の表面に有し、表面に被覆層13を設けることによって、機械強度が高く、異物の付着の無いプローブを得ることができる。
実施の形態8
 プローブが、低抵抗の第1の金属層141を、この第1の金属層141よりも硬い材質の第2の金属層142によって包み込む構造のプローブである場合には、図14のように、表層の第2の金属層142の表面または裏面に、応力を分散させるように窪み形状または突出形状の変形領域8を設けることによって機械強度の高いプローブを提供することができる。
 なお、「窪み形状または突出形状」とは「窪み形状」だけを並べた場合、「突出形状」だけを並べた場合、および「窪み形状」と「突出形状」とを並べた場合を意味するものである。
 図14Aは、プローブの概略的な斜視図で、図14Bは、図14AのA14-A14線における断面を示している。図に示すように、低抵抗の第1の金属層141を、高硬質の第2の金属層142が覆っている。そして第2の金属層142の表面に窪み形状の変形領域8を設けている。
 この窪み形状による変形領域8は、突出形状に変えた場合であっても、応力を分散させるという効果に変わりはない。
 また、窪み形状または突出形状の変形領域8の表面に、実施の形態7のように、被覆層13を設けることによって、異物の付着を防ぐことができる。
 本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、1つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
 従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
 1 プローブ、2 第1のガイド板、3 第2のガイド板、4 先端部分、5 電極パッド、6 後端部分、7 中央部分、8 変形領域、9 骨組み領域、10 境界部分、13 被覆層、41 基板、42 導電層、43 金属層、51 第1の金型、52 第2の金型、53 金属板、61 三角錐のパターン、71 雄型の金型、72 雌型の金型、73 金属板、81 四角柱のパターン、91 第1の変形領域、92 第2の変形領域、101 面積拡張パターン領域、102 応力集中領域、121 第1の変形領域、122 第2の変形領域、141 第1の金属層、142 第2の金属層

Claims (10)

  1.  窪み形状または突出形状の複数の変形領域と、隣り合う前記変形領域の境界に設けられた骨組み領域とを表面に有したことを特徴とするプローブカード用プローブ。
  2.  前記変形領域が多角柱形の窪み形状または突出形状であることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード用プローブ。
  3.  前記変形領域が多角錐形の窪み形状または突出形状であることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード用プローブ。
  4.  前記変形領域が球形の窪み形状または突出形状であることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード用プローブ。
  5.  前記変形領域が四角柱のパターンと三角錐のパターンとを組み合わせた形状であることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード用プローブ。
  6.  前記変形領域が12角形の窪み形状または突出形状を含んでいることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード用プローブ。
  7.  前記変形領域および前記骨組み領域が、被覆層によって覆われていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のプローブカード用プローブ。
  8.  低抵抗の第1の金属層が、硬い材質の第2の金属層によって包み込まれ、前記第2の金属層の表面に前記変形領域を備えたことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のプローブカード用プローブ。
  9.  基板の表面に導電層を形成し、前記導電層の表面に窪み形状または突出形状の変形領域と前記変形領域の境界に設定された骨組み領域とを形成したことを特徴とするプローブカード用プローブの製造方法。
  10.  表面に窪み形状または突出形状を有する第1の金型と、表面に突出形状または窪み形状を有する第2の金型とによって、金属板の表面に窪み形状または突出形状の変形領域と前記変形領域の境界に設定された骨組み領域とを形成したことを特徴とするプローブカード用プローブの製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024062560A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 日本電子材料株式会社 プローブカード用プローブ
WO2024062561A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 日本電子材料株式会社 プローブカード用プローブ
WO2025057792A1 (ja) * 2023-09-15 2025-03-20 株式会社日本マイクロニクス プローブ

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10501895A (ja) * 1995-08-17 1998-02-17 ジャエ ウー ナム. 垂直型の針を有するプローブカードおよびプローブカードの製造法
JP2003185674A (ja) * 2001-10-11 2003-07-03 Yamaha Corp プローブユニットおよびその製造方法
JP2003202350A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd プローブカード用探針、プローブカード用探針ユニット、プローブカード及びそれらの製造方法
JP2004029035A (ja) * 1994-02-21 2004-01-29 Renesas Technology Corp 接続装置
WO2009072368A1 (ja) * 2007-12-05 2009-06-11 Tokyo Electron Limited プローブ
JP2009162683A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Alps Electric Co Ltd プローブカード
JP2014035335A (ja) * 2012-08-10 2014-02-24 Micronics Japan Co Ltd コンタクトプローブ及びプローブカード
JP2018515752A (ja) * 2015-03-31 2018-06-14 テクノプローベ エス.ピー.エー. 高周波適用のためのバーチカル接触プローブ、及びバーチカル接触プローブをもつ試験ヘッド

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55114962A (en) * 1979-02-28 1980-09-04 Ricoh Co Ltd Surface potentiometer
JP2005265720A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Nec Corp 電気接点構造及びその形成方法と素子検査方法
US9702904B2 (en) * 2011-03-21 2017-07-11 Formfactor, Inc. Non-linear vertical leaf spring
US9774121B2 (en) * 2012-12-04 2017-09-26 Japan Electronics Material Corporation Contact probe
WO2015006499A1 (en) * 2013-07-09 2015-01-15 Formfactor, Inc. Multipath electrical probe and probe assemblies with signal paths through and secondary paths between electrically conductive guide plates
CN107257928B (zh) 2014-12-30 2020-12-01 泰克诺探头公司 用于测试头的接触探针
CN111474391B (zh) 2019-01-23 2022-11-01 台湾中华精测科技股份有限公司 高速探针卡装置及其矩形探针

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004029035A (ja) * 1994-02-21 2004-01-29 Renesas Technology Corp 接続装置
JPH10501895A (ja) * 1995-08-17 1998-02-17 ジャエ ウー ナム. 垂直型の針を有するプローブカードおよびプローブカードの製造法
JP2003185674A (ja) * 2001-10-11 2003-07-03 Yamaha Corp プローブユニットおよびその製造方法
JP2003202350A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd プローブカード用探針、プローブカード用探針ユニット、プローブカード及びそれらの製造方法
WO2009072368A1 (ja) * 2007-12-05 2009-06-11 Tokyo Electron Limited プローブ
JP2009162683A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Alps Electric Co Ltd プローブカード
JP2014035335A (ja) * 2012-08-10 2014-02-24 Micronics Japan Co Ltd コンタクトプローブ及びプローブカード
JP2018515752A (ja) * 2015-03-31 2018-06-14 テクノプローベ エス.ピー.エー. 高周波適用のためのバーチカル接触プローブ、及びバーチカル接触プローブをもつ試験ヘッド

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024062560A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 日本電子材料株式会社 プローブカード用プローブ
WO2024062561A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 日本電子材料株式会社 プローブカード用プローブ
WO2025057792A1 (ja) * 2023-09-15 2025-03-20 株式会社日本マイクロニクス プローブ

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