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WO2021131287A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2021131287A1
WO2021131287A1 PCT/JP2020/039837 JP2020039837W WO2021131287A1 WO 2021131287 A1 WO2021131287 A1 WO 2021131287A1 JP 2020039837 W JP2020039837 W JP 2020039837W WO 2021131287 A1 WO2021131287 A1 WO 2021131287A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
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light emitting
emitting device
wavelength
phosphor
emitting element
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/039837
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
真規子 岩浅
佐藤　裕二
Original Assignee
日亜化学工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日亜化学工業株式会社 filed Critical 日亜化学工業株式会社
Priority to EP20905287.7A priority Critical patent/EP4083167A4/en
Priority to CN202080085714.0A priority patent/CN114830361A/zh
Priority to US17/757,918 priority patent/US20230045870A1/en
Publication of WO2021131287A1 publication Critical patent/WO2021131287A1/ja

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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • the peak wavelength of luminosity factor by pyramidal cells that work actively in the light is 555 nm
  • the peak wavelength of luminosity factor by rod cells that work actively in the dark is 507 nm
  • the peak wavelength of luminosity factor in the dark and bright places Is known to be different.
  • Such a phenomenon is known as the Purkinje Phenomenon, in which the color on the long wavelength side looks vivid in a bright place and the color on the short wavelength side looks vivid in a dark place.
  • Patent Document 1 As a lighting device utilizing the Purkinje phenomenon, the driver has high visibility on the sidewalk side and the pedestrian has visibility in a mesopic environment with a brightness between a dark place and a bright place.
  • a road light that emits white light has been proposed, which is high in color and makes it difficult to feel color spots on the road side and sidewalk side.
  • Patent Document 1 states that the higher the S / P ratio, which is the ratio of scotopic vision to light vision, the higher the visibility of light in a mesopic vision environment.
  • One aspect of the present invention is to provide a light emitting device that is bright in both scotopic vision and photopic vision, reduces glare to humans, and has higher wavelength conversion efficiency of a phosphor.
  • One aspect of the present invention comprises a light emitting element having a main wavelength in the range of 430 nm or more and 500 nm or less, and a phosphor which is excited by the light of the light emitting element and has an emission peak wavelength in the range of 507 nm or more and 660 nm or less.
  • It is a light emitting device including, and emits light having a main wavelength in the range of 490 nm or more and 500 nm or less, and has an S / P ratio of 6.5 or less, which is the ratio of the light beam in bright vision to the light beam in dark vision.
  • a light emitting device that is bright in both scotopic vision and photopic vision and has reduced glare to humans.
  • FIG. 1 is a diagram showing a standard spectroscopic visual efficiency V ( ⁇ ) for photopic vision and a standard spectroscopic visual efficiency V'( ⁇ ) for scotopic vision.
  • FIG. 2 is a diagram showing a region A in a part of the xy chromaticity coordinate system of the CIE 1931 chromaticity diagram.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the light emitting device according to the first aspect of the present invention.
  • FIG. 4A is a schematic plan view of the light emitting device according to the second aspect of the present invention.
  • FIG. 4B is a schematic cross-sectional view of the light emitting device of the second aspect of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing an emission spectrum of each phosphor.
  • FIG. 6 is a diagram showing an emission spectrum of each phosphor.
  • FIG. 7 is a diagram showing an emission spectrum of the light emitting device according to Examples 1 to 3.
  • FIG. 8 is a diagram showing an emission spectrum of the light emitting device according to Examples 4 to 6.
  • FIG. 9 is a diagram showing an emission spectrum of the light emitting device according to Comparative Examples 1 to 5.
  • FIG. 10 is a diagram showing the chromaticity coordinates (x D , y D ) of the emission color of the light emitting device according to the first to sixth embodiments and the target color tone range (region A) in the CIE 1931 chromaticity diagram.
  • FIG. 10 is a diagram showing the chromaticity coordinates (x D , y D ) of the emission color of the light emitting device according to the first to sixth embodiments and the target color tone range (region A) in the CIE 1931 chromaticity diagram.
  • FIG. 11 is a diagram showing the chromaticity coordinates (x D , y D ) of the emission color of the light emitting device according to Comparative Examples 1 to 5 and the target color tone range (region A) in the CIE 1931 chromaticity diagram.
  • FIG. 12 is a diagram showing an emission spectrum of the light emitting device according to Examples 7 to 9.
  • FIG. 13 is a diagram showing an emission spectrum of the light emitting device according to Examples 10 to 13.
  • FIG. 14 is a diagram showing an emission spectrum of the light emitting device according to Comparative Examples 6 to 11.
  • FIG. 15 is a diagram showing chromaticity coordinates (x D , y D ) of the emission color of the light emitting device according to Examples 7 to 13 and a target color tone range (region A) in the CIE 1931 chromaticity diagram.
  • FIG. 16 is a diagram showing the chromaticity coordinates (x D , y D ) of the emission color of the light emitting device according to Comparative Examples 6 to 11 and the target color tone range (region A) in the CIE 1931 chromaticity diagram.
  • the light emitting device according to the present invention will be described based on one embodiment.
  • the embodiments shown below are examples for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited to the following light emitting devices.
  • the relationship between the color name and the chromaticity coordinate, and the relationship between the wavelength range of light and the color name of monochromatic light follow JIS Z8110.
  • the content of each component in the composition means the total amount of the plurality of substances present in the composition portion when a plurality of substances corresponding to each component are present in the composition, unless otherwise specified. To do.
  • the light emitting device includes a light emitting element having a main wavelength in the range of 430 nm or more and 500 nm or less, and a phosphor which is excited by the light of the light emitting element and has an emission peak wavelength in the range of 507 nm or more and 660 nm or less. It is a light emitting device that emits light having a main wavelength in the range of 490 nm or more and 500 nm or less, and has an S / P ratio of 6.5 or less, which is the ratio of the luminous flux in bright vision to the luminous flux in dark vision, and the fluorescence.
  • the emission intensity at the emission peak wavelength of the light emitting element is higher than the emission intensity at the emission peak wavelength of the body.
  • the wavelength of the point where the chromaticity coordinates (x E , y E ) of the emission color of are connected by a straight line and the extension line and the spectral locus intersect.
  • the light emitting device includes a light emitting element having a main wavelength in the wavelength range of blue to blue-green, and a phosphor having an emission peak wavelength in the wavelength range of green, yellow-green, yellow, yellow-red, and red, from blue-green. It emits light with a main wavelength in the green wavelength range. It is known that the higher the S / P ratio, which is the ratio of the luminous flux in scotopic vision to the luminous flux in photopic vision, the higher the human visibility.
  • FIG. 1 is a diagram showing a standard spectroscopic visual efficiency V ( ⁇ ) for photopic vision and a standard spectroscopic visual efficiency V'( ⁇ ) for scotopic vision. As shown in FIG.
  • the peak wavelength of the photopic vision standard spectroscopic luminous efficiency V ( ⁇ ) is 555 nm
  • the peak wavelength of the scotopic vision standard spectroscopic luminous efficiency V'( ⁇ ) is 507 nm, which is a dark place.
  • the peak of visual sensitivity is different in the bright place. Since the peak wavelength of the luminosity factor of the human eye differs between the bright and dark places, the color on the long wavelength side appears vividly in the bright place and the color on the short wavelength side in the dark place due to the Purkinje phenomenon. Is known to look vivid.
  • the light emitting device has an S / P ratio of 6.5 or less and a luminous flux in a dark place even when emitting light having a main wavelength in the wavelength range from blue to green including bluish green. It is possible to reduce the difference in luminous flux in a bright place, to look bright in both dark and bright places, maintain excellent visibility, and reduce the glare felt by humans.
  • the S / P ratio which is the ratio of the luminous flux in the photopic vision to the luminous flux in the scotopic vision of the light emitted from the light emitting device, is 6.5 or less, preferably 6.0 or less, and preferably 2.0 or more. It is more preferably 3.0 or more, and further preferably 4.0 or more.
  • the S / P ratio of the light emitted from the light emitting device is 6.5 or less, and by reducing the difference between the light beam in scotopic vision and the light beam in photopic vision, it is mainly in the wavelength range from blue to green including bluish green.
  • the main wavelength and luminous flux of light emitted from the light emitting device or light emitting element, the chromaticity coordinates in the xy chromaticity coordinate system of the CIE1931 chromaticity diagram described later, and the radiant flux are those of a spectrophotometric device (for example, PMA-11, manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. ) And an integrating sphere can be used for measurement. Further, the S / P ratio, which is the ratio of the luminous flux in the dark place to the luminous flux in the bright place, can be calculated based on the calculation formula (i).
  • V ( ⁇ ) is the spectroscopic vision efficiency in photopic vision (standard spectroscopic vision efficiency in photopic vision), and V'( ⁇ ) is the spectroscopic vision efficiency in scotopic vision ( ⁇ ).
  • scotopic vision standard spectroscopic vision efficiency it can be calculated based on the following formula (i).
  • the constant K is 6831 lm / W
  • the constant K' is 1700 lm / W
  • ⁇ e ( ⁇ ) is the radiant flux (spectral total radiant flux) of each light emitting device of Examples and Comparative Examples. ).
  • the light emitting device 1 is in the region A surrounded by a straight line connecting the first and second points, the second and third points, the third and fourth points, the fourth point and the first point in FIG. It is preferable to emit light.
  • the light emitting device emits light in the region A in FIG. 2, and the light in the region A has a main wavelength in the range of 490 nm or more and 500 nm or less, and exhibits blue to green including blue-green.
  • the ratio of the integrated value Ib / Ia of the integrated value Ib in the wavelength range of 380 nm or more and 531 nm or less to the integrated value Ia in the wavelength range of 380 nm or more and 780 nm is preferably 0.6 or more and 0. It is in the range of 95 or less, more preferably in the range of 0.65 or more and 0.94 or less, further preferably in the range of 0.70 or more and 0.93 or less, and particularly preferably in the range of 0.75 or more and 0. It is within the range of .92 or less.
  • the ratio Ib / Ia of the integrated value is within the range of 0.6 or more and 0.95 or less, light having a main wavelength in the wavelength range from blue to green including bluish green is emitted from the light emitting device. It is possible to emit light with reduced glare felt by humans in both scotopic vision and photopic vision, while maintaining excellent visibility that looks bright in both scotopic vision and photopic vision.
  • the emission intensity b of the wavelength and the emission intensity a of the emission peak wavelength of the light emitting element in the emission spectrum of the light emitting device are determined by an optical measurement system combining a spectrophotometer (for example, PMA-11, manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) and an integrating sphere. Can be measured using.
  • the ratio Ib / Ia of the integrated value can be obtained from the measured integrated value Ia and the integrated value Ib.
  • the ratio a / b of the emission intensity which will be described later, can be obtained from the emission intensity a of the emission peak wavelength of the light emitting element and the emission intensity b of the emission peak wavelength of the phosphor in the emission spectrum of the measured light emitting device.
  • the light emitting device has a higher light emitting intensity a of the light emitting peak wavelength of the light emitting element than the light emitting intensity b of the light emitting peak wavelength of the phosphor. Since the emission intensity a of the emission peak wavelength of the light emitting element is higher than the wavelength intensity b of the emission peak wavelength of the phosphor, the light emitting device can emit light having a main wavelength in the wavelength range from blue to green including bluish green. Even when it is emitted, the S / P ratio is set to 6.5 or less to reduce the difference between the luminous flux in the dark and the luminous flux in the bright place, and it looks bright in both dark and bright vision and maintains excellent visibility. It is possible to reduce the glare felt by humans.
  • the ratio a / b of the emission intensity a of the emission intensity a of the emission peak wavelength of the light emitting element to the emission intensity b of the emission peak wavelength of the phosphor is 3.0 or more.
  • the ratio a / b of the emission intensity a of the emission intensity a of the emission peak wavelength of the light emitting element to the emission intensity b of the emission peak wavelength of the phosphor is 3.0 or more, 490 nm from the light emitting device.
  • dark vision In dark vision, it emits light with a main wavelength within the range of 500 nm or less, has an S / P ratio of 6.5 or less, and maintains excellent visibility that looks bright in both scotopic and photopic vision. It can emit light with reduced glare felt by humans even in photopic vision.
  • the ratio a / b of the emission intensity is less than 3.0, the light emitted from the light emitting device has the emission peak wavelength of the light emitting element with respect to the emission intensity of the emission peak wavelength of the phosphor. The emission intensity becomes low, and it may not be possible to maintain visibility that looks bright in both dark and bright areas.
  • the ratio a / b of the emission intensity is more preferably 3.5 or more, and may be 4.0 or more.
  • the ratio a / b of the emission intensity a of the emission intensity a of the emission peak wavelength of the light emitting element to the emission intensity b of the emission peak wavelength of the phosphor may be 50 or less, and may be 45 or less. There may be.
  • the light emitting device preferably emits light in which the ratio Fb / Fa of the radiant flux of the radiant flux Fb of the light emitting device to the radiant flux Fa of the light emitting element is 0.75 or more.
  • the ratio Fb / Fa of the radiation bundle Fb / Fa of the radiation bundle Fb of the light emitted from the light emitting device and the radiation bundle Fa of the light emitting element used in the light emitting device is 0.75 or more, the radiation energy of the light emission of the light emitting element is maintained. In this state, it emits blue to green emission colors including bluish green, and while reducing the glare felt by humans, it looks bright in both dark and bright visions, and the light that maintains excellent visibility is the light emitting device. Is emitted from.
  • the light emitting device more preferably emits light having a radiant flux ratio Fb / Fa of 0.76 or more, and further preferably emits light having a radiant flux ratio Fb / Fa of 0.78 or more. It is particularly preferable to emit light having a ratio of Fb / Fa of 0.80 or more.
  • the ratio Fb / Fa of the radiant flux Fb radiant flux of the light emitting device to the radiant flux Fa of the light emitting element is usually 1 or less, may be 0.99 or less, or may be 0.98 or less.
  • the light-emitting element is, for example, a semiconductor light-emitting device using a diode-based semiconductor whose composition formula is represented by In X Al Y Ga 1-XY N (0 ⁇ X, 0 ⁇ Y, X + Y ⁇ 1).
  • a light emitting diode (LED) chip or a laser diode (LD) chip can be used, and it is preferable to use an LED chip.
  • the light emitting element has a main wavelength in the range of 430 nm or more and 500 nm or less.
  • the main wavelength of the light emitted from the light emitting element is preferably in the range of 440 nm or more and 500 nm or less, and more preferably in the range of 450 nm or more and 500 nm or less.
  • the light emitting device preferably has an emission peak wavelength in the range of 380 nm or more and 500 nm or less, more preferably has an emission peak wavelength in the range of 390 nm or more and 495 nm or less, and further preferably has an emission peak wavelength in the range of 400 nm or more and 490 nm or less. It has an emission peak wavelength, and particularly preferably has an emission peak wavelength in the range of 420 nm or more and 490 nm or less.
  • the light emitting element is provided with a p electrode and an n electrode.
  • the p electrode and the n electrode of the light emitting element may be formed on the same side surface of the light emitting element, or may be provided on different side surfaces.
  • the light emitting element may be mounted on a flip chip.
  • Fluorescent material The fluorescent material is excited by the light of the light emitting element and has an emission peak wavelength in the range of 507 nm or more and 660 nm or less.
  • the emission peak wavelength of the phosphor is preferably in the range of 510 nm or more and 655 nm or less, and more preferably in the range of 520 nm or more and 650 nm or less.
  • the half width of the phosphor is preferably in the range of 45 nm or more and 120 nm or less.
  • the full width at half maximum (full width at half maximum) of the phosphor means the wavelength width of the emission spectrum showing an emission intensity of 50% of the maximum emission intensity in the emission spectrum of the phosphor.
  • the half width of the phosphor is more preferably in the range of 48 nm or more and 110 nm or less, and further preferably in the range of 50 nm or more and 105 nm or less.
  • the phosphor is (I) at least one element Ln selected from the group consisting of Y, La, Lu, Gd and Tb, Ce, Al, and at least one selected from Ga and Sc, if necessary.
  • Rare earth aluminate phosphors having a composition containing elements, (II) Si, Al, O, N, and Eu, ⁇ -sialon phosphors having a composition containing, (III) Ca , Eu, Mg, Si, O, a halosilicate phosphor having a composition containing at least one halogen element selected from the group consisting of F, Cl and Br, and (IV) Ca.
  • the light emitting device is at least one selected from the group consisting of rare earth aluminate phosphors, ⁇ -sialon phosphors, halosilicate phosphors and nitride phosphors, together with a light emitting element having a main wavelength in the range of 430 nm or more and 500 nm or less.
  • the phosphor is a rare earth aluminate phosphor having a composition represented by the following formula (1), a halosilicate phosphor having a composition represented by the following formula (2), and a composition represented by the following formula (3). It is preferable to contain at least one fluorescent substance selected from the group consisting of a ⁇ -sialone fluorescent substance having the above and a nitride fluorescent substance having a composition represented by the following formula (4).
  • the phosphor may contain two or more kinds of phosphors having compositions represented by the following formulas (1) to (4).
  • the plurality of elements separated by commas (,) mean that at least one element among these plurality of elements is included in the composition. However, it may contain a combination of two or more kinds from a plurality of elements.
  • the element before the colon (:) represents the element constituting the parent crystal and its molar ratio
  • the element after the colon (:) represents the activating element.
  • the "molar ratio" represents the molar amount of an element in one mole of the composition of the phosphor.
  • the rare earth aluminate phosphor may have a composition represented by the following formula (1a).
  • a, b, c and d are 0 ⁇ a ⁇ 1.0, 0 ⁇ b ⁇ 1.0, 0 ⁇ a + b ⁇ 1.0, 0 ⁇ c ⁇ 1.0, 0 ⁇ , respectively. It is a number satisfying d ⁇ 0.022.
  • d may be 0.001 ⁇ d ⁇ 0.021.
  • the halosilicate phosphor may have a composition represented by the following formula (2a).
  • e, f, g, h and i are 0 ⁇ e ⁇ 1.0, 0 ⁇ f ⁇ 1.0, 0 ⁇ e + f ⁇ 1.0, 0 ⁇ g ⁇ 1.0, respectively. It is a number that satisfies 0 ⁇ h ⁇ 1.0, 0 ⁇ g + h ⁇ 1.0, and 0 ⁇ i ⁇ 1.0.
  • i may be a number satisfying 0.01 ⁇ i ⁇ 0.9.
  • g may be a number satisfying 0 ⁇ g ⁇ 1.0.
  • the ⁇ -sialon phosphor may have a composition represented by the following formula (3a). Si 6-z Al z Oz N 8-z : Eu j (3a)
  • j and z are numbers satisfying 0 ⁇ j ⁇ 1.0 and 0 ⁇ z ⁇ 4.2.
  • j may be a number satisfying 0.01 ⁇ j ⁇ 0.9.
  • the nitride phosphor may have a composition represented by the following formula (4a).
  • k and m are numbers satisfying 0 ⁇ k ⁇ 1.0 and 0 ⁇ m ⁇ 1.0.
  • m may be a number satisfying 0.0001 ⁇ m ⁇ 0.9.
  • the average particle size of the phosphor is preferably in the range of 2 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less, more preferably in the range of 3 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less, and further preferably in the range of 5 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less.
  • the larger the particle size of the phosphor particles the more efficiently the wavelength of the light emitted from the light emitting element can be converted, and the more the light extraction efficiency can be improved.
  • the phosphor particles are too large, the workability in the manufacturing process of the light emitting device is lowered.
  • the average particle size of the phosphor particles can be measured by the Fisher Sub-Sieve Sizar method (hereinafter, also referred to as “FSSS method”).
  • the FSSS method is a kind of air permeation method, and is a method of measuring the specific surface area by utilizing the flow resistance of air and mainly determining the particle size of primary particles.
  • the average particle size measured by the FSSS method is the Fisher Sub-Sieve Sizar's Number.
  • the light emitting device preferably includes a wavelength conversion member including a phosphor and a translucent material.
  • the wavelength conversion member preferably contains a phosphor in a range of 0.5 parts by mass or more and 65 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the translucent material.
  • the light emitting device includes a wavelength conversion member including a phosphor excited by the light emission of the light emitting element, and by arranging the wavelength conversion member on the light emitting side of the light emitting element, the light from the light emitting element is included in the wavelength conversion member. Wavelength conversion can be performed efficiently with the fluorescent material.
  • the wavelength conversion member may contain 1 part by mass or more of the phosphor and 60 parts by mass or less of the phosphor with respect to 100 parts by mass of the translucent material.
  • the translucent material includes at least one selected from the group consisting of resins, glasses and inorganic substances.
  • the resin is preferably at least one selected from the group consisting of epoxy resin, silicone resin, phenol resin, and polyimide resin.
  • the inorganic substance include at least one selected from the group consisting of aluminum oxide and aluminum nitride.
  • the wavelength conversion member may contain a filler, a colorant, and a light diffusing material, if necessary, in addition to the phosphor and the translucent material.
  • the filler include silicon oxide, barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide and the like.
  • the content of other components other than the phosphor and the translucent material contained in the wavelength conversion member is the total content of the other components, which is 0.01 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the translucent material.
  • the range may be 50 parts by mass or less, 0.1 parts by mass or more and 45 parts by mass or less, or 0.5 parts by mass or more and 40 parts by mass or less.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the light emitting device 100 of the first aspect.
  • the light emitting device 100 includes a wavelength conversion member 31 including a light emitting element 11 having a main wavelength in the range of 430 nm or more and 500 nm or less, at least one kind of phosphor 21 that is excited by light from the light emitting element 11 and emits light, and a molded body. It includes 41.
  • the molded body 41 is formed by integrally molding the first lead 51, the second lead 52, and the resin portion 42 containing the resin.
  • the molded body 41 forms a recess having a bottom surface and a side surface, and the light emitting element 11 is placed on the bottom surface of the recess.
  • the light emitting element 11 has a pair of positive and negative electrodes, and the pair of positive and negative electrodes are electrically connected to the first lead 51 and the second lead 52, respectively, via a wire which is a conductive member 61.
  • the light emitting element 11 is covered with a wavelength conversion member 31.
  • the wavelength conversion member 31 includes a phosphor 21 and a translucent material.
  • the phosphor 21 is excited by the light from the light emitting element 11 and has at least one emission peak wavelength in a specific wavelength range.
  • the wavelength conversion member 31 may include two or more types of phosphors 21 having different emission peak wavelengths.
  • the light emitting device 100 can be made to emit light by receiving electric power from the outside of the light emitting device 100 via the first lead 51 and the second lead 52.
  • the wavelength conversion member 31 in the light emitting device 100 of the first aspect includes a phosphor 21 and a translucent material, and the translucent material is preferably a resin.
  • the resin used for the wavelength conversion member 31 used in the light emitting device 100 of the first aspect include the resin used for the above-mentioned translucent material.
  • the method for manufacturing the light emitting device preferably includes a step of preparing the molded product, a step of arranging the light emitting element, a step of arranging the composition for the wavelength conversion member, and a step of forming a resin package.
  • a step of preparing the molded product a step of arranging the light emitting element, a step of arranging the composition for the wavelength conversion member, and a step of forming a resin package.
  • a plurality of leads are integrally molded using a thermosetting resin or a thermoplastic resin to prepare a molded body having a recess having a side surface and a bottom surface.
  • the molded body may be a molded body composed of an aggregate substrate including a plurality of recesses.
  • the light emitting element is arranged on the bottom surface of the concave portion of the molded body, and the positive and negative electrodes of the light emitting element are connected to the first lead and the second lead by a wire.
  • the composition for the wavelength conversion member is arranged in the recess of the molded body.
  • the composition for a wavelength conversion member arranged in the concave portion of the molded body is cured to form a resin package, and a light emitting device is manufactured.
  • a molded product composed of an aggregate substrate containing a plurality of recesses is used, it is separated into each resin package in each unit region of the aggregate substrate having a plurality of recesses in the individualization step after the resin package forming step.
  • Individual light emitting devices are manufactured. As described above, the light emitting device of the first aspect shown in FIG. 3 can be manufactured.
  • FIG. 4A is a schematic plan view of the light emitting device 200 of the second aspect
  • FIG. 4B is a schematic cross-sectional view of the light emitting device 200 shown in FIG. 4A along the line IIA-IIA'.
  • the light emitting device 200 includes a wavelength conversion member 32 and a wavelength conversion member 32 including a light emitting element 12 having a main wavelength in the range of 430 nm or more and 500 nm or less, and at least one kind of phosphor that is excited by light from the light emitting element 12 and emits light. It includes a wavelength converter 34 including a translucent body 33 integrally molded with.
  • the light emitting element 12 is flip-chip mounted on the substrate 72 via a bump which is a conductive member 62.
  • the wavelength conversion member 32 of the wavelength converter 34 is provided on the light emitting surface of the light emitting element 12 via the adhesive layer 82.
  • the side surfaces of the light emitting element 12 and the wavelength converter 34 are covered with a coating member 92 that reflects light.
  • the wavelength conversion member 32 includes a phosphor that is excited by light from the light emitting element 12 and has at least one emission peak wavelength in a specific wavelength range.
  • the wavelength conversion member 32 may include two or more types of phosphors having different wavelength ranges of emission peak wavelengths.
  • the light emitting element 12 can make the light emitting device 200 emit light by receiving electric power from the outside of the light emitting device 200 via the wiring and the conductive member 62 formed on the substrate 72.
  • the light emitting device 200 may include a semiconductor element 13 such as a protective element for preventing the light emitting element 12 from being destroyed by applying an excessive voltage.
  • the covering member 92 is provided so as to cover, for example, the semiconductor element 13.
  • the substrate is preferably made of an insulating material that does not easily transmit light from the light emitting element or external light.
  • the substrate material include ceramics such as aluminum oxide and aluminum nitride, phenol resins, epoxy resins, polyimide resins, bismaleimide triazine resin (BT resin), and polyphthalamide (PPA) resins. Ceramics have high heat resistance and are therefore preferable as a substrate material.
  • the wavelength converter preferably includes a wavelength converter containing a phosphor and a translucent material, and further comprises a translucent body on which the wavelength converter is arranged. It is more preferable to prepare.
  • the wavelength conversion member may be formed in the form of a sheet or a plate, including a phosphor and at least one of the above-mentioned translucent materials selected from the group consisting of a resin, glass and an inorganic substance (for example, aluminum oxide). preferable.
  • the wavelength conversion member may have one layer or two or more layers.
  • the wavelength conversion member may contain a filler, a colorant, and a light diffusing material, if necessary, in addition to the phosphor and the translucent material.
  • a ceramic composite obtained by sintering the above-mentioned glass or inorganic substance, which is a phosphor and a translucent material may be used as a wavelength conversion member in the form of a sheet or a plate.
  • Translucent body As the translucent body, a plate-like body made of a translucent material such as glass or resin can be used. Examples of the glass include borosilicate glass and quartz glass. Examples of the resin include silicone resin and epoxy resin.
  • the thickness of the translucent body may be a thickness that does not reduce the mechanical strength in the manufacturing process and can sufficiently support the phosphor layer.
  • the translucent body may contain a diffusing agent. When the light-transmitting body contains a diffusing agent, it is possible to suppress color unevenness and brightness unevenness of light emitted from a light emitting device.
  • the diffusing agent at least one selected from the group consisting of titanium oxide, barium titanate, aluminum oxide, and silicon oxide can be used.
  • Adhesive layer An adhesive layer is interposed between the light emitting element and the wavelength conversion member to fix the light emitting element and the wavelength conversion member.
  • the adhesive constituting the adhesive layer is preferably made of a material capable of optically connecting the light emitting element and the wavelength conversion member.
  • the material constituting the adhesive layer is preferably at least one resin selected from the group consisting of epoxy resin, silicone resin, phenol resin, and polyimide resin.
  • semiconductor elements provided in a light emitting device as needed include a transistor for controlling the light emitting element and a protective element for suppressing destruction or performance deterioration of the light emitting element due to an excessive voltage application.
  • the protective element include a Zener diode.
  • Coating member As the material of the coating member, it is preferable to use an insulating material. More specific examples thereof include phenol resin, epoxy resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), polyphthalamide (PPA) resin, and silicone resin. Colorants and fillers may be added to the covering member, if necessary.
  • the filler is preferably an oxide containing at least one element selected from the group consisting of yttrium, zirconium, aluminum, titanium, magnesium and silicon.
  • the amount of the filler contained in the covering member is preferably in the range of 10 parts by mass or more and 100 parts by mass or less in consideration of reflectivity and workability with respect to 100 parts by mass of the resin.
  • Conductive member A bump can be used as the conductive member, Au or an alloy thereof is used as the material of the bump, and eutectic solder (Au-Sn), Pb-Sn, lead-free solder or the like is used as another conductive member. be able to.
  • the light emitting device may include an underfill to protect the light emitting element, the semiconductor element, and the conductive member arranged on the substrate from dust, moisture, and external force.
  • Examples of the underfill material include silicone resin, epoxy resin, and urea resin. Underfill can contain a colorant, a light diffusing agent, and a filler in these resins, if necessary.
  • the method for manufacturing the light emitting device includes a step of arranging a light emitting element, a step of arranging a semiconductor element if necessary, a step of forming a wavelength converter including a wavelength conversion member, a step of bonding the light emitting element and the wavelength conversion member, and a step of forming a covering member. Is preferably included. When a collective substrate in which a plurality of light emitting elements, wavelength conversion members, and semiconductor elements are arranged on one substrate is formed, an individualization step of separating each resin package in each unit region may be included.
  • Light emitting element arrangement step In the light emitting element arrangement process, the light emitting element is arranged and mounted on the substrate. When a collective substrate is used, a plurality of light emitting elements are arranged on the collective substrate. Further, a semiconductor element may be arranged between the light emitting element and the light emitting element adjacent to the light emitting element in either the row direction or the column direction of the arranged light emitting element, if necessary.
  • the light emitting element and the semiconductor element are, for example, flip-chip mounted on a substrate.
  • the wavelength conversion member is formed on one surface of a translucent body by a printing method, an adhesion method, a compression molding method, or an electrodeposition method. It may be obtained by forming a shape, sheet or layer of wavelength conversion member.
  • a composition for a wavelength conversion member containing a phosphor and a resin as a binder or a solvent can be printed on one surface of a translucent body to form a wavelength converter including the wavelength conversion member.
  • the wavelength conversion member is made to face the light emitting surface of the light emitting element, and the wavelength conversion including the wavelength conversion member and the translucent body on the light emitting element.
  • the bodies are joined by an adhesive layer.
  • the bonding surface of the wavelength converter with the light emitting element that is, the bonding surface of the wavelength conversion member with the light emitting element is preferably larger than the bonding surface of the light emitting element.
  • Coating member forming step In the coating member forming step, the side surface of the light emitting element excluding the light emitting surface and the wavelength converter including the wavelength conversion member and the translucent body is covered with the coating member composition to remove the light emitting surface.
  • a covering member is formed on the side surface of the light emitting element and the wavelength converter.
  • a coating member composition is filled between the light emitting element and the wavelength converter and the semiconductor element. Will be done.
  • This covering member is for reflecting the light emitted from the light emitting element, and is formed so as to cover the side surface of the wavelength converter without covering the light emitting surface and to embed the semiconductor element.
  • the covering member and the assembly include one light emitting element, one wavelength converter, and one semiconductor element for each unit region.
  • the substrate is cut and separated into unit regions to manufacture individual light emitting devices.
  • Each unit region of resin package is separated and individual light emitting devices are manufactured.
  • the light emitting device of the second aspect shown in FIGS. 4A and 4B can be manufactured.
  • Fluorescent materials Table 1 shows the fluorescent materials 1 to 8 used in each of the light emitting devices of Examples and Comparative Examples.
  • the phosphor 1 (BSiON) is a nitride phosphor having a composition represented by BaSi 2 O 2 N 2: Eu.
  • Fluorescent substance 2 (SAE) is an aluminate phosphor having a composition represented by Sr 4 Al 4 O 25: Eu.
  • the phosphor 3 (LAG) is a rare earth aluminate phosphor having a composition represented by the above formula (1).
  • the fluorescent substance 4 ( ⁇ -sialone) is a ⁇ -sialon fluorescent substance having a composition represented by the above formula (3).
  • the fluorescent substance 5 is a kind of halosilicate fluorescent substance having a composition represented by the above formula (2) and having a composition containing Cl.
  • the phosphor 6 (SCASN-1), the phosphor 7 (SCASN-2) and the phosphor 8 (CASN-1) having different molar ratios from the phosphor 6 have the composition represented by the above formula (4). It is a nitride phosphor. The evaluation method of each phosphor is described below, and the evaluation results are shown in Table 1.
  • the emission characteristics of each phosphor were measured.
  • the emission characteristics of the phosphors are as follows: using a quantum efficiency measuring device (QE-2000, manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.), each phosphor is irradiated with light having a wavelength of excitation light of 450 nm, and the temperature is room temperature (25 ° C ⁇ 5 ° C).
  • the emission spectrum in was measured. From the emission spectrum of each phosphor, the chromaticity coordinates (x, y) in the chromaticity coordinate system in the CIE chromaticity diagram were obtained for each phosphor.
  • the emission spectra of each phosphor are shown in FIGS. 5 and 6. From the emission spectrum of each of the obtained phosphors, the emission peak wavelength (nm) and the full width at half maximum were determined.
  • Average particle size For each phosphor, the average particle size was measured by the FSSS method using Fisher Sub-Sieve Sizer Model 95 (manufactured by Fisher Scientific).
  • Nitride phosphors having a composition represented by the formulas (4) of phosphors 6 to 8 are being composed using an ICP-AES apparatus (manufactured by Perkin Elmer) and an ion chromatography system (manufactured by DIONEX Japan). Sr, Eu and Ca were analyzed. The molar ratio of each element of Sr, Eu and Ca was calculated when the total of Sr, Eu and Ca was 1 mol.
  • the phosphor 3 (LAG) having the composition represented by the formula (1)
  • the phosphor 4 ( ⁇ -sialon) having the composition represented by the formula (3)
  • the formula (2) The phosphor 5 (chlorosilicate) having the composition represented by) and the phosphors 6, 7, 8 (SCASN-1, SCASN-2, CASN-1) having the composition represented by the formula (4) are dark. It had an emission peak wavelength in the wavelength range of 507 nm or more, which is the peak wavelength of the spectroscopic standard visual efficiency. As shown in FIG.
  • the nitride phosphor (BSiON) and the aluminate phosphor (SAE) have a peak wavelength of spectroscopic standard visual efficiency of 507 nm in scotopic vision. It had emission peak wavelengths in the following wavelength range.
  • Example 1 The light emitting device of the first aspect was manufactured.
  • a molded body having a first lead, a second lead, and a recess having a side surface and a side surface was prepared.
  • a light emitting element using a nitride semiconductor having a main wavelength of 483 nm was prepared, the light emitting element was arranged on the bottom surface of the recess, and was connected to the first lead and the second lead by a wire.
  • a composition for a wavelength conversion member containing 30 parts by mass of a phosphor 3 (LAG) having a composition represented by the formula (1) with respect to 100 parts by mass of a silicone resin as a translucent material was prepared, and the inside of the recess of the molded body was prepared.
  • the composition for a wavelength conversion member was cured by heating at 150 ° C. for 3 hours to form a wavelength conversion member to form a resin package, and the light emitting device of the first aspect was manufactured.
  • LAG phosphor 3
  • Example 2 A composition for a wavelength conversion member containing 20 parts by mass of a phosphor 4 ( ⁇ -sialon) having a composition represented by the formula (3) with respect to 100 parts by mass of a silicone resin as a translucent material was prepared, and the wavelength conversion member was prepared.
  • the light emitting device of the first aspect was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the wavelength conversion member was formed using the silicon resin.
  • Example 3 A composition for a wavelength conversion member containing 10 parts by mass of a phosphor 5 (chlorosilicate) having a composition represented by the formula (2) with respect to 100 parts by mass of a silicone resin as a translucent material was prepared, and the wavelength conversion member was prepared.
  • the light emitting device of the first aspect was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the wavelength conversion member was formed using the silicon resin.
  • Example 4 A phosphor 6 (SCASEN) having a composition represented by the formula (4) with respect to 100 parts by mass of a silicone resin as a translucent material and using a light emitting device using a nitride semiconductor having a main wavelength of 494 nm.
  • a first aspect is the same as in the first embodiment, except that a composition for a wavelength conversion member containing 1 part by mass of -1) is prepared and a wavelength conversion member is formed using this composition for a wavelength conversion member.
  • Example 5 A composition for a wavelength conversion member containing 2 parts by mass of a phosphor 7 (SCASSN-2) having a composition represented by the formula (4) with respect to 100 parts by mass of a silicone resin as a translucent material is prepared, and this wavelength conversion is performed.
  • the light emitting device of the first aspect was manufactured in the same manner as in Example 4 except that the wavelength conversion member was formed by using the composition for the member.
  • Example 6 A composition for a wavelength conversion member containing 2 parts by mass of a phosphor 8 (CASN-1) having a composition represented by the formula (4) with respect to 100 parts by mass of a silicone resin as a translucent material is prepared, and this wavelength conversion is performed.
  • the light emitting device of the first aspect was manufactured in the same manner as in Example 4 except that the wavelength conversion member was formed by using the composition for the member.
  • Comparative Example 1 A light emitting element using a nitride semiconductor having a main wavelength of 449 nm was prepared, and this light emitting element was used, and a silicone resin was used as a translucent material, and a phosphor-free sealing member was used as a wavelength conversion member.
  • the light emitting device of the first aspect was manufactured in the same manner as in Example 1 except that it was used instead of.
  • Comparative Example 2 The light emitting device of the first aspect was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a silicone resin was used as the translucent material and a sealing member containing no phosphor was used instead of the wavelength conversion member.
  • Comparative Example 3 A light emitting element using a nitride semiconductor having a main wavelength of 494 nm was prepared, and this light emitting element was used, and a silicone resin was used as a translucent material, and a phosphor-free sealing member was used as a wavelength conversion member.
  • the light emitting device of the first aspect was manufactured in the same manner as in Example 1 except that it was used instead of.
  • Comparative Example 4 A light emitting element using a nitride-based semiconductor having a main wavelength of 449 nm was prepared, and this light emitting element was used, and a phosphor which is a nitride phosphor with respect to 100 parts by mass of a silicone resin as a translucent material.
  • the first aspect is the same as in Example 1 except that a composition for a wavelength conversion member containing 45 parts by mass of 1 (BSiON) is prepared and a wavelength conversion member is formed using this composition for a wavelength conversion member.
  • BSiON a wavelength conversion member containing 45 parts by mass of 1
  • Comparative Example 5 A light emitting device using a nitride-based semiconductor having a main wavelength of 449 nm was prepared, and this light emitting device was used, and fluorescence which is an aluminate phosphor with respect to 100 parts by mass of a silicone resin as a translucent material.
  • a composition for a wavelength conversion member containing 80 parts by mass of body 2 (SAE) was prepared, and a wavelength conversion member was formed using the composition for the wavelength conversion member.
  • SAE body 2
  • the chromaticity coordinates (x E , y E ) of the emission color of No. 1 were connected by a straight line, and the wavelength of the point where the extension line and the spectral locus intersected was obtained as the main wavelength. The results are shown in Table 2.
  • Chromaticity coordinates (x D , y D ), luminous flux, radiant flux Fb of the light emitting device For each light emitting device used in Examples and Comparative Examples, a color in the chromaticity coordinate system of the CIE1931 chromaticity diagram was used by using an optical measurement system combining a spectrophotometric device (PMA-11, Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) and an integrating sphere. The degree coordinates (x D , y D ), luminous flux, and radiant flux (total radiant flux) were obtained. Chromaticity coordinates (x D, y D) of the light-emitting device shown in Table 2. The radiant flux Fb of each light emitting device is shown in Table 3.
  • the chromaticity coordinates (x D , y D ) of the emission color of No. 1 were connected by a straight line, and the wavelength of the point where the extension line and the spectral locus intersected was obtained as the main wavelength. The results are shown in Table 2.
  • the S / P ratio which is the ratio of the luminous flux in the photopic vision to the luminous flux in the scotopic vision, was calculated based on the above formula (i).
  • the S / P ratio is shown in Table 2.
  • Ratio of integrated value of emission intensity Ib / Ia In the relative emission spectrum of each light emitting device of the example and the comparative example, the ratio Ib / Ia of the integrated value of the integrated value Ib in the wavelength range of 380 nm or more and 531 nm or less is obtained with respect to the integrated value Ia in the wavelength range of 380 nm or more and 780 nm or less. It was. The results are shown in Table 3.
  • Emission peak wavelength and emission intensity of the light emitting element in the emission spectrum of the light emitting device a In the emission spectra of the light emitting devices of Examples and Comparative Examples, the peak wavelength on the shorter wavelength side than the peak wavelength of the phosphor is determined as the emission peak wavelength of the light emitting element in the emission spectrum of the light emitting device, and the emission intensity at this emission peak wavelength is obtained.
  • Emission intensity b of the emission peak wavelength of the phosphor in the emission spectrum of the light emitting device In the emission spectra of the light emitting devices of Examples and Comparative Examples, the emission intensity at the emission peak wavelength of each phosphor used in the light emitting device was determined as the emission intensity b of the emission peak wavelength of the phosphor in the light emitting device. The results are shown in Table 3.
  • Emission intensity ratio a / b The ratio a / b of the emission intensity a of the emission peak wavelength of the light emitting element in the emission spectrum of the light emitting device to the emission intensity b of the emission peak wavelength of the phosphor in the emission spectrum of the light emitting device was determined. The results are shown in Table 3.
  • the light emitting devices according to Examples 1 to 6 had a high relative luminous flux of 450% or more and an S / P ratio of 6.5 or less. Further, in the light emitting device according to Examples 1 to 6, the ratio of the integrated value Ib of the integrated value Ib in the wavelength range of 380 nm or more and 531 nm or less to the integrated value Ia in the wavelength range of 380 nm or more and 780 nm or less in the light emitting spectrum of the light emitting device. / Ia was in the range of 0.6 or more and 0.95 or less.
  • the ratio Fb / Fa of the radiant flux of the radiant flux Fb of the light emitting device to the radiant flux Fa of the light emitting element is as large as 0.75 or more, and the light emitted from the light emitting element is wavelength-converted. The wavelength was efficiently converted by the phosphor contained in the member. Further, in the emission spectrum of the light emitting device according to Examples 1 to 6, the ratio a / b of the emission intensity a of the emission intensity a of the emission peak wavelength of the light emitting element to the emission intensity b of the emission peak wavelength of the phosphor is 3.0 or more.
  • the light emitted from the light emitting element was stronger than the light wavelength-converted by the phosphor, and the desired light having a main wavelength in the wavelength range of blue to green including bluish green was emitted from the light emitting device. ..
  • desired light having a main wavelength in the wavelength range of blue to green including bluish green is emitted from the light emitting device from the result of the ratio a / b of the light emitting intensity in the light emitting spectrum of the light emitting device.
  • excellent visibility that looks bright in both scotopic vision and photopic vision was maintained.
  • the light emitting device emits light with reduced glare felt by humans in both scotopic vision and photopic vision, based on the results of the S / P ratio and the integrated value ratio Ib / Ia. I was able to confirm that.
  • the emission spectrum of the light emitting device according to Examples 1 to 6 is an integrated value of the emission spectrum in a range overlapping the integrated value range of the photopic standard spectroscopic visual efficiency V ( ⁇ ).
  • the range is increasing.
  • the light emitting device according to Comparative Examples 1 to 3 had an S / P ratio of more than 6.5 and became large. Further, since the light emitting device according to Comparative Examples 1 to 3 does not contain a phosphor, the integral value in the wavelength range of 380 nm or more and 531 nm or less with respect to the integrated value Ia in the wavelength range of 380 nm or more and 780 nm or less in the light emitting spectrum of the light emitting device. The ratio Ib / Ia of the integrated value of the value Ib became larger than 0.95.
  • the light emitting device according to Comparative Example 4 has an S / P ratio of 6.5, but the integral value in the wavelength range of 380 nm or more and 531 nm or less with respect to the integrated value Ia in the wavelength range of 380 nm or more and 780 nm or less in the light emitting spectrum of the light emitting device.
  • the ratio Ib / Ia of the integrated value of the value Ib became larger than 0.95. This is because the phosphor contained in the light emitting device has an emission peak wavelength smaller than 507 nm, which is the peak wavelength of the spectral standard visual efficiency in scotopic vision, so that the standard spectral visual efficiency V ( ⁇ ) for photopic vision is high.
  • the light emitting device according to Comparative Example 4 may feel dazzling the light emitted from the light emitting device having a main wavelength in the wavelength range from blue to green including blue-green. Further, in the light emitting device according to Comparative Example 4, the ratio Fb / Fa of the radiation bundle of the radiation bundle Fb of the light emitting device to the radiation bundle Fa of the light emitting element is 0.75 or less, and the light emitting device is excited by the light emitted from the light emitting element. The wavelength conversion efficiency of the phosphor was low, and excellent visibility could not be maintained.
  • the light emitting device according to Comparative Example 5 has an S / P ratio of 6.5 or less, and the integration value in the wavelength range of 380 nm or more and 531 nm or less with respect to the integrated value Ia in the wavelength range of 380 nm or more and 780 nm or less in the light emitting spectrum of the light emitting device.
  • the ratio Ib / Ia of the integrated value of the value Ib is 0.95 or less, but the ratio Fb / Fa of the radiation bundle of the light emitting device Fb to the radiation bundle Fa of the light emitting element is as low as 0.74, which is that of the phosphor.
  • the wavelength conversion efficiency was not good.
  • the ratio a / b of the light emitting intensity in the light emitting spectrum of the light emitting device is as small as 0.29, and the light emitted from the light emitting element is more wavelength-converted by the phosphor. Was also weak, and excellent visibility could not be maintained.
  • the chromaticity coordinates (x D , y D ) of the emission color of the light emitting device according to Examples 1 to 6 are all within the target color tone range (region A). It was included, and the emission color of the desired color tone was obtained.
  • Example 7 The light emitting device of the second aspect was manufactured.
  • a ceramic substrate made of aluminum nitride was used as the substrate.
  • a light emitting device having a nitride semiconductor layer having a main wavelength of 488 nm laminated was used as the substrate.
  • the size of the light emitting element is a substantially square having a planar shape of about 1.0 mm square and a thickness of about 0.11 mm.
  • the light emitting element was arranged so that the light emitting surface was on the substrate side, and was flip-chip mounted by a bump using a conductive member made of Au. Further, the semiconductor element was flip-chip mounted by a bump using a conductive member made of Au at a distance from the light emitting element.
  • the phosphor 3 (LAG) having the composition represented by the formula (1) is contained in 100 parts by mass of the silicone resin as the translucent material.
  • a composition for a wavelength conversion member containing 5 parts by mass of aluminum oxide as a filler and 30 parts by mass of spherical silica having an average particle size of 11 ⁇ m (catalog value) was prepared in order to stabilize the shape.
  • As a translucent body it is made of borosilicate glass, is approximately 0.15 mm larger in length and width than the planar shape of the light emitting element, has a planar shape of approximately 1.15 mm square, and has a thickness of approximately 0.10 mm. I prepared a light body.
  • the composition for a wavelength conversion member is printed on one surface of a substantially square shape of a translucent body by a printing method and heated at 150 ° C. for 3 hours to cure the composition for a wavelength conversion member to form a layer having a thickness of about 80 ⁇ m.
  • a wavelength conversion member was formed, and a wavelength conversion body in which a layered wavelength conversion member and a translucent body were integrated was formed.
  • one side of the wavelength conversion member having a substantially square shape of about 1.15 mm square and one side of the light emitting element having a plane shape of about 1.0 mm square are made of silicone. Adhesion was performed using an adhesive containing a resin, and an adhesive layer was formed between the light emitting element and the wavelength conversion member. Since the joint surface of the wavelength conversion member with the light emitting element is about 0.15 mm larger in length and width than the joint surface of the light emitting element, the adhesive protruding from the joint surface of the light emitting element is the light emitting element.
  • a protruding portion of the adhesive layer having a substantially triangular vertical cross-sectional shape is formed by adhering to the side surface of the adhesive layer.
  • the protruding portion of the adhesive layer adhering to the side surface of the light emitting element had a triangular shape in which the thickness of the layer decreased toward the lower side of the light emitting element, and had an inclination extending toward the upper wavelength conversion member side. ..
  • a coating member containing dimethyl silicone resin and titanium oxide particles having an average particle size (catalog value) of 0.28 ⁇ m in the coating member forming step, and containing 30 parts by mass of titanium oxide particles with respect to 100 parts by mass of the dimethyl silicone resin.
  • the composition was prepared.
  • the side surface of the wavelength converter including the light emitting element, the wavelength conversion member, and the translucent body arranged on the substrate is covered with the coating member composition, and the semiconductor element is completely embedded in the coating member composition.
  • the composition for coating member was filled, the composition for coating member was cured, the coating member was formed, a resin package was formed, and the light emitting device of the second aspect was manufactured.
  • Example 8 A wavelength conversion member containing 60 parts by mass of a phosphor 4 ( ⁇ -sialon) having a composition represented by the formula (3) and 5 parts by mass of aluminum oxide as a filler with respect to 100 parts by mass of a silicone resin as a translucent material.
  • the light emitting device of the second aspect was manufactured in the same manner as in Example 7 except that the composition for the wavelength conversion member was prepared and the composition for the wavelength conversion member was used.
  • Example 9 23 parts by mass of phosphor 5 (chlorosilicate) having a composition represented by the formula (2) is contained in 100 parts by mass of silicone resin as a translucent material, and 5 parts by mass of aluminum oxide is used as a filler to stabilize the shape.
  • phosphor 5 chlorosilicate
  • Example 7 23 parts by mass of phosphor 5 (chlorosilicate) having a composition represented by the formula (2) is contained in 100 parts by mass of silicone resin as a translucent material, and 5 parts by mass of aluminum oxide is used as a filler to stabilize the shape.
  • a composition for a wavelength conversion member containing 30 parts by mass of spherical silica having an average particle size of 11 ⁇ m (catalog value) was prepared and the composition for the wavelength conversion member was used.
  • the second aspect of the light emitting device was manufactured.
  • Example 10 A light emitting device of the second aspect was manufactured in the same manner as in Example 7 except that a light emitting device having a nitride semiconductor layer having a main wavelength of 495 nm laminated was used as the light emitting device.
  • Example 11 A light emitting device of the second aspect was manufactured in the same manner as in Example 8 except that a light emitting device having a nitride semiconductor layer having a main wavelength of 495 nm laminated was used as the light emitting device.
  • Example 12 A light emitting device of the second aspect was manufactured in the same manner as in Example 9 except that a light emitting device having a nitride semiconductor layer having a main wavelength of 495 nm laminated was used as the light emitting device.
  • Example 13 As the light emitting element, a light emitting element in which a nitride semiconductor layer having a main wavelength of 495 nm is laminated is used, and as a translucent material, fluorescence having a composition represented by the formula (4) with respect to 100 parts by mass of a silicone resin. Except for the fact that a composition for a wavelength conversion member containing 4 parts by mass of body 6 (SCASN-1), 5 parts by mass of aluminum oxide as a filler, and 30 parts by mass of spherical silica having an average particle size of 11 ⁇ m (catalog value) was used.
  • the light emitting device of the second aspect was manufactured in the same manner as in Example 7.
  • Comparative Example 6 Using a light emitting element using a nitride-based semiconductor having a main wavelength of 449 nm, instead of the composition for a wavelength conversion member, 100 parts by mass of silicone resin as a translucent material and 10 parts by mass of aluminum oxide as a filler are used. A composition for a light diffusing member containing the light diffusing member is prepared, and the composition for a light diffusing member is applied to a translucent body having a thickness of about 0.15 ⁇ m to form a layered light diffusing member having a thickness of about 35 ⁇ m. In the same manner as in Example 7, a light emitting device of the second aspect including the light diffusing member instead of the wavelength conversion member was manufactured except that the light diffusing member and the light emitting element were bonded to each other.
  • Comparative Example 7 A second-mode light emitting device including a light diffusing member instead of the wavelength conversion member was manufactured in the same manner as in Comparative Example 6 except that a light emitting element using a nitride semiconductor having a main wavelength of 488 nm was used.
  • Comparative Example 8 A second-mode light emitting device including a light diffusing member instead of the wavelength conversion member was manufactured in the same manner as in Comparative Example 6 except that a light emitting element using a nitride semiconductor having a main wavelength of 492 nm was used.
  • Comparative Example 9 A second-mode light emitting device including a light diffusing member instead of the wavelength conversion member was manufactured in the same manner as in Comparative Example 6 except that a light emitting element using a nitride semiconductor having a main wavelength of 495 nm was used.
  • Comparative Example 10 A light emitting device using a nitride semiconductor having a main wavelength of 449 nm is used, and 150 parts by mass of phosphor 1 (BSiON), which is a nitride phosphor, is contained in 100 parts by mass of silicone resin as a translucent material.
  • the light emitting device of the second aspect was manufactured in the same manner as in Example 7 except that the composition for the wavelength conversion member containing 20 parts by mass of aluminum oxide was used as the filler.
  • Comparative Example 11 A light emitting device using a nitride semiconductor having a main wavelength of 449 nm is used, and 150 parts by mass of phosphor 2 (SAE), which is an aluminate phosphor, is contained in 100 parts by mass of silicone resin as a translucent material.
  • SAE phosphor 2
  • the light emitting device of the second aspect was manufactured in the same manner as in Example 7 except that the composition for the wavelength conversion member containing 20 parts by mass of aluminum oxide was used as the filler.
  • Light-emitting device according to the evaluation in Example 7 from the 13 and Comparative Example 6 11 of the light emitting device, in the same manner as in Example 1, the chromaticity coordinates (x D, y D), the light flux, radiant flux Fb, dominant wavelength, relative Luminous flux, S / P ratio, emission spectrum, ratio of integrated value Ib / Ia, emission peak wavelength and emission intensity a of the light emitting element in the emission spectrum of the light emitting device, emission intensity of emission peak wavelength of the phosphor in the emission spectrum of the light emitting device b, the emission intensity ratio a / b, and the radiation flux ratio Fb / Fa were determined.
  • FIG. 12 shows the relative emission spectra of the light emitting devices of Examples 7 to 9.
  • FIG. 13 shows the relative emission spectra of the light emitting devices of Examples 10 to 13.
  • FIG. 14 shows the relative emission spectra of the light emitting devices of Comparative Examples 6 to 11.
  • the light emitting devices according to Examples 7 to 13 had a high relative luminous flux of 500% or more and an S / P ratio of 6.5 or less. Further, in the light emitting device according to Examples 7 to 13, the ratio of the integrated value Ib of the integrated value Ib in the wavelength range of 380 nm or more and 531 nm or less to the integrated value Ia in the wavelength range of 380 nm or more and 780 nm or less in the light emitting spectrum of the light emitting device. / Ia was in the range of 0.6 or more and 0.95 or less.
  • the ratio Fb / Fa of the radiant flux of the radiant flux Fb of the light emitting device to the radiant flux Fa of the light emitting element is as large as 0.75 or more, and the light emitted from the light emitting element is wavelength-converted. The wavelength conversion efficiency by the phosphor contained in the member became higher. Further, in the emission spectrum of the light emitting device according to Examples 7 to 13, the ratio a / b of the emission intensity a of the emission intensity a of the emission peak wavelength of the light emitting element to the emission intensity b of the emission peak wavelength of the phosphor is 3.0 or more.
  • the light emitted from the light emitting element is stronger than the light wavelength-converted by the phosphor, and the desired light having a main wavelength in the wavelength range of blue to green including bluish green is emitted from the light emitting device. ..
  • desired light having a main wavelength in the wavelength range of blue to green including bluish green is emitted from the light emitting device based on the result of the ratio a / b of the light emitting intensity, and the relative luminous flux and radiation are emitted. From the result of the bundle ratio Fb / Fa, excellent visibility that looks bright in both scotopic vision and photopic vision was maintained.
  • the light emitting device emits light with reduced glare felt by humans in both scotopic vision and photopic vision, based on the results of the S / P ratio and the integrated value ratio Ib / Ia. I was able to confirm that.
  • the emission spectrum of the light emitting device according to Examples 7 to 13 is an integrated value of the emission spectrum in a range overlapping the integrated value range of the photopic standard spectroscopic visual efficiency V ( ⁇ ).
  • the range is increasing.
  • the light emitting device according to Comparative Examples 6 to 9 had an S / P ratio of more than 6.5 and increased. Further, since the light emitting device according to Comparative Examples 6 to 9 uses a light diffusing member that does not contain a phosphor instead of the wavelength conversion member that contains a phosphor, the wavelength range of 380 nm or more and 780 nm or less in the light emitting spectrum of the light emitting device. The ratio Ib / Ia of the integrated value of the integrated value Ib in the wavelength range of 380 nm or more and 531 nm or less with respect to the integrated value Ia in was larger than 0.95.
  • the light emitting device according to Comparative Example 10 has an S / P ratio of 6.5 or less, but is within the wavelength range of 380 nm or more and 531 nm or less with respect to the integrated value Ia in the wavelength range of 380 nm or more and 780 nm or less in the light emitting spectrum of the light emitting device.
  • the ratio Ib / Ia of the integrated value of the integrated value Ib became larger than 0.95. This is because the phosphor contained in the light emitting device has an emission peak wavelength smaller than 507 nm, which is the peak wavelength of the spectral standard visual efficiency in scotopic vision, so that the standard spectral visual efficiency V ( ⁇ ) for photopic vision is high.
  • the light emitting device according to Comparative Example 10 may feel dazzling the light emitted from the light emitting device having a main wavelength in the wavelength range from blue to green including blue-green. Further, in the light emitting device according to Comparative Example 10, the ratio Fb / Fa of the radiation bundle of the radiation bundle Fb of the light emitting device to the radiation bundle Fa of the light emitting element is as small as 0.31, and the light emission intensity in the light emission spectrum of the light emitting device.
  • the ratios a / b were smaller than 0.1 and 1.0, and the wavelength conversion efficiency of the phosphor excited by the light emitted from the light emitting element was low.
  • the light emitting device according to Comparative Example 10 required a larger amount of phosphor than in Examples in order to lower the S / P ratio and ensure excellent visibility.
  • the light emitting device according to Comparative Example 11 has an S / P ratio of 6.5 or less, and the integration value in the wavelength range of 380 nm or more and 531 nm or less with respect to the integrated value Ia in the wavelength range of 380 nm or more and 780 nm or less in the light emitting spectrum of the light emitting device.
  • the ratio Ib / Ia of the integrated value of the value Ib is 0.95 or less, but the ratio Fb / Fa of the radiation bundle of the light emitting device Fb to the radiation bundle Fa of the light emitting element is as low as 0.69, which is the phosphor.
  • the wavelength conversion efficiency was not good.
  • the ratio a / b of the light emitting intensity in the light emitting spectrum is smaller than 0.5 and 1.0, and the wavelength conversion efficiency of the phosphor excited by the light emitted from the light emitting element. was low.
  • the light emitting device according to Comparative Example 11 required a larger amount of phosphor than in Examples in order to lower the S / P ratio and ensure excellent visibility.
  • the chromaticity coordinates (x D , y D ) of the emission color of the light emitting device according to Examples 7 to 13 are all within the target color tone range (region A). It was included, and the emission color of the desired color tone was obtained.
  • the light emitting device can be used as a light emitting device for general lighting, a light emitting device for vehicles, a display device, a lighting fixture, a display, and the like.

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Abstract

暗所視でも明所視でも明るく、ヒトに対する眩しさを低減した発光装置を提供する。　４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する発光素子と、前記発光素子の光に励起され、５０７ｎｍ以上６６０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体と、を含む発光装置であり、４９０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する光を発し、暗所視における光束に対する明所視における光束の比率であるＳ／Ｐ比が６．５以下であり、前記蛍光体の発光ピーク波長における発光強度よりも前記発光素子の発光ピーク波長における発光強度が高い、発光装置である。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　暗所と明所ではヒトの眼の視感度が変わることが知られている。明るい環境下である明所視（Ｐｈｏｔｏｐｉｃ　Ｖｉｓｉｏｎ）では、ヒトの眼の光受容細胞（視細胞）である錐体細胞の働きにより色の知覚が可能である。暗い環境下である暗所視（Ｓｃｏｔｏｐｉｃ　Ｖｉｓｉｏｎ）では、錐体細胞が機能しないため多くの色は知覚できないが、桿体細胞の働きによって視感度が向上する。
　明所で活発に働く錐体細胞による視感度のピーク波長は５５５ｎｍであり、暗所で活発に働く桿体細胞による視感度のピーク波長は５０７ｎｍであり、暗所と明所では視感度のピークが異なることが知られている。このような現象は、明所では長波長側の色が鮮やかに見え、暗所では短波長側の色が鮮やかに見えるプルキニェ現象（Ｐｕｒｋｉｎｊｅ　Ｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎ）として知られている。
　例えば、特許文献１には、プルキニェ現象を利用した照明装置として、暗所と明所の中間の明るさの薄明視環境下において、運転手は歩道側の視認性が高く、歩行者は視認性が高く、車道側と歩道側とで色斑を感じにくい、白色光を発する道路灯が提案されている。特許文献１には、明所視に対する暗所視の比率であるＳ／Ｐ比が高いほど、薄明視環境下における視認性が高い光であるとされている。
特開２０１７－２２０３１２号公報
　しかしながら、Ｓ／Ｐ比が高すぎると、ヒトの眼では、明所視で暗く感じられ、暗所視で眩しく感じられる場合がある。また、発光素子と蛍光体とを組み合わせて発光装置を構成する場合には、蛍光体の波長変換効率がより高いことも求められる。
　本発明の一態様は、暗所視でも明所視でも明るく、ヒトに対する眩しさを低減するとともに、蛍光体の波長変換効率がより高い発光装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様は、４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する発光素子と、前記発光素子の光に励起され、５０７ｎｍ以上６６０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体と、を含む発光装置であり、４９０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する光を発し、暗所視における光束に対する明所視における光束の比率であるＳ／Ｐ比が６．５以下であり、前記蛍光体の発光ピーク波長における発光強度よりも前記発光素子の発光ピーク波長における発光強度が高い、発光装置である。
　本発明の一態様によれば、暗所視でも明所視でも明るく、ヒトに対する眩しさを低減した発光装置を提供することができる。
図１は、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）と暗所視標準分光視感効率Ｖ’（λ）を示す図である。 図２は、ＣＩＥ１９３１色度図のｘｙ色度座標系の一部における領域Ａを示す図である。 図３は、本発明の第一態様の発光装置の概略断面図である。 図４Ａは、本発明の第二態様の発光装置の概略平面図である。 図４Ｂは、本発明の第二態様の発光装置の概略断面図である。 図５は、各蛍光体の発光スペクトルを示す図である。 図６は、各蛍光体の発光スペクトルを示す図である。 図７は、実施例１から３に係る発光装置の発光スペクトルを示す図である。 図８は、実施例４から６に係る発光装置の発光スペクトルを示す図である。 図９は、比較例１から５に係る発光装置の発光スペクトルを示す図である。 図１０は、実施例１から６に係る発光装置の発光色の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）と、目的とする色調範囲（領域Ａ）をＣＩＥ１９３１色度図に示した図である。 図１１は、比較例１から５に係る発光装置の発光色の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）と、目的とする色調範囲（領域Ａ）をＣＩＥ１９３１色度図に示した図である。 図１２は、実施例７から９に係る発光装置の発光スペクトルを示す図である。 図１３は、実施例１０から１３に係る発光装置の発光スペクトルを示す図である。 図１４は、比較例６から１１に係る発光装置の発光スペクトルを示す図である。 図１５は、実施例７から１３に係る発光装置の発光色の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）と、目的とする色調範囲（領域Ａ）をＣＩＥ１９３１色度図に示した図である。 図１６は、比較例６から１１に係る発光装置の発光色の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）と、目的とする色調範囲（領域Ａ）をＣＩＥ１９３１色度図に示した図である。
　以下、本発明に係る発光装置を一実施形態に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具現化するための例示であって、本発明は、以下の発光装置に限定されない。なお、色名と色度座標との関係、光の波長範囲と単色光の色名との関係は、ＪＩＳ　Ｚ８１１０に従う。また、組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分が該当する物質が複数存在する場合は、特に断りのない限り、組成部中に存在する複数の物質の合計量を意味する。
発光装置
　発光装置は、４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する発光素子と、前記発光素子の光に励起され、５０７ｎｍ以上６６０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体と、を含む発光装置であり、４９０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する光を発し、暗所視における光束に対する明所視における光束の比率であるＳ／Ｐ比が６．５以下であり、前記蛍光体の発光ピーク波長における発光強度よりも前記発光素子の発光ピーク波長における発光強度が高い。
　発光素子の主波長とは、ＣＩＥ（国際照明委員会：Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｅ　ｄｅ　ｌ’Ｅｃｌａｉｒａｇｅ）１９３１色度図における白色光の色度座標（ｘ＝０．３３３３、ｙ＝０．３３３３）と、発光素子の発光色の色度座標（ｘＥ、ｙＥ）を直線で結び、その延長線とスペクトル軌跡が交わる点の波長をいう。発光装置の主波長とは、ＣＩＥ１９３１色度図における白色光の色度座標（ｘ＝０．３３３３、ｙ＝０．３３３３）と、発光装置の発光色の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）を直線で結び、その延長線とスペクトル軌跡が交わる点の波長をいう。
　発光装置は、青色から青緑色の波長範囲に主波長を有する発光素子と、緑色、黄緑色、黄色、黄赤色、及び赤色の波長範囲に発光ピーク波長を有する蛍光体とを含み、青緑色から緑色の波長範囲に主波長を有する光を発する。明所視における光束に対する暗所視における光束の比率であるＳ／Ｐ比が高いほど、ヒトの視認性が高くなることが知られている。図１は、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）と暗所視標準分光視感効率Ｖ’（λ）を示す図である。図１に示すように、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）におけるピーク波長は５５５ｎｍであり、暗所視標準分光視感効率Ｖ’（λ）のピーク波長は５０７ｎｍであり、暗所と明所では視感度のピークが異なる。明所と暗所ではヒトの眼の視感度のピーク波長が異なるため、ヒトの眼には、プルキニェ現象によって、明所では長波長側の色が鮮やかに見え、暗所では短波長側の色が鮮やかに見えることが知られている。青緑色から緑色の波長範囲に主波長を有する光を発する発光装置は、視認性を高めるためにＳ／Ｐ比を高くすると、暗所で視認された場合に、短波長側の色が鮮やかになりすぎて、眩しく感じられる場合がある。本発明の実施形態に係る発光装置は、青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する光を発する場合においても、Ｓ／Ｐ比を６．５以下にして、暗所における光束と明所における光束の差を低減し、暗所視でも明所視でも明るく見え、優れた視認性を維持することができ、ヒトが感じる眩しさを低減することができる。
　発光装置から発せられる光の暗所視における光束に対する明所視における光束の比率であるＳ／Ｐ比は、６．５以下であり、好ましくは６．０以下であり、好ましくは２．０以上であり、より好ましくは３．０以上であり、さらに好ましくは４．０以上である。発光装置から発せられる光のＳ／Ｐ比が６．５以下であり、暗所視における光束と明所視における光束の差を低減することによって、青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する光を発する発光装置においても、暗所視でも明所視でも明るく見える優れた視認性を維持しながら、暗所視においても明所視においてもヒトが感じる眩しさを低減した光を発することができる。発光装置又は発光素子から発せられる光の主波長、光束、後述するＣＩＥ１９３１色度図のｘｙ色度座標系における色度座標、放射束は、分光測光装置（例えばＰＭＡ－１１、浜松ホトニクス株式会社製）及び積分球を組み合わせた光計測システム用いて測定することができる。また、暗所における光束と明所における光束の比率であるＳ／Ｐ比は、計算式（ｉ）に基づき算出することができる。
　Ｓ／Ｐ比（ＲＳＰ）は、Ｖ（λ）を明所視における分光視感効率（明所視標準分光視感効率）とし、Ｖ’（λ）を暗所視における分光視感効率（暗所視標準分光視感効率）とした場合、下記計算式（ｉ）に基づき算出することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　計算式（ｉ）中、定数Ｋは、６８３１ｌｍ／Ｗであり、定数Ｋ’は１７００ｌｍ／Ｗであり、Φｅ（λ）は、実施例及び比較例の各発光装置の放射束（分光全放射束）である。
　発光装置は、ＣＩＥ１９３１色度図のｘｙ色度座標系において、色度座標（ｘ、ｙ）が、（ｘ＝０．００８２、ｙ＝０．５３８４）を第一点とし、（ｘ＝０．０４５４、ｙ＝０．２９５０）を第二点とし、（ｘ＝０．２０００、ｙ＝０．３２００）を第三点とし、（ｘ＝０．２０００、ｙ＝０．４０００）を第四点とし、前記第一点と前記第二点を結ぶ第一直線と、前記第二点と前記第三を結ぶ第二直線と、前記第三点と前記第四点を結ぶ第三直線と、前記第四点と前記第一点を結ぶ第四直線とで画定された領域内の光を発することが好ましい。図２は、ＣＩＥ１９３１色度図のｘｙ色度座標系の一部を示す。発光装置１は、図２における第一点及び第二点、第二点及び第三点、第三点及び第四点、第四点及び第一点を結ぶ直線で囲われた領域Ａ内の光を発することが好ましい。発光装置は、図２における領域Ａ内の光を発し、領域Ａ内の光は、４９０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有し、青緑色を含む青色から緑色を呈する。
　発光装置の発光スペクトルにおいて、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉａに対する３８０ｎｍ以上５３１ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉｂの積分値の比率Ｉｂ／Ｉａが、好ましくは０．６以上０．９５以下の範囲内であり、より好ましくは０．６５以上０．９４以下の範囲内であり、さらに好ましくは０．７０以上０．９３以下の範囲内であり、特に好ましくは０．７５以上０．９２以下の範囲内である。発光装置の発光スペクトルにおいて、前記積分値の比率Ｉｂ／Ｉａが０．６以上０．９５以下の範囲内であると、青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する光が発光装置から発せられ、暗所視でも明所視でも明るく見える優れた視認性を維持しながら、暗所視においても明所視においてもヒトが感じる眩しさを低減した光を発することができる。発光装置の発光スペクトル、測定した発光スペクトルにおける３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉａ、３８０ｎｍ以上５３１ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉｂ、後述する発光装置の発光スペクトルにおける蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂ、及び発光装置の発光スペクトルにおける発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａは、分光測光装置（例えばＰＭＡ－１１、浜松ホトニクス株式会社製）及び積分球を組み合わせた光計測システムを用いて測定することができる。測定した積分値Ｉａ及び積分値Ｉｂから積分値の比率Ｉｂ／Ｉａを求めることができる。測定した発光装置の発光スペクトルにおける発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａ及び蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂから、後述する発光強度の比率ａ／ｂを求めることができる。
　発光装置は、発光装置の発光スペクトルにおいて、蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂよりも、発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａが高い。発光装置は、発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａの方が、蛍光体の発光ピーク波長の波長強度ｂよりも高いため、青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する光を発する場合においても、Ｓ／Ｐ比を６．５以下にして、暗所における光束と明所における光束の差を低減し、暗所視でも明所視でも明るく見え、優れた視認性を維持することができ、ヒトが感じる眩しさを低減することができる。
　発光装置の発光スペクトルにおいて、蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂに対する、発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａの発光強度の比率ａ／ｂが３．０以上であることが好ましい。発光装置の発光スペクトルにおいて、蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂに対する、発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａの発光強度の比率ａ／ｂが３．０以上であると、発光装置から４９０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する光を発し、Ｓ／Ｐ比が６．５以下であり、暗所視でも明所視でも明るく見える優れた視認性を維持しながら、暗所視においても明所視においてもヒトが感じる眩しさを低減した光を発することができる。発光装置の発光スペクトルにおいて、発光強度の比率ａ／ｂが３．０未満であると、発光装置から発せられる光は、蛍光体の発光ピーク波長の発光強度に対して発光素子の発光ピーク波長の発光強度が低くなり、暗所視でも明所視でも明るく見える視認性を維持できない場合がある。発光装置の発光スペクトルにおいて、発光強度の比率ａ／ｂは、より好ましくは３．５以上であり、４．０以上であってもよい。発光装置の発光スペクトルにおいて、蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂに対する、発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａの発光強度の比率ａ／ｂは、５０以下であってもよく、４５以下であってもよい。
　発光装置は、発光素子の放射束Ｆａに対する発光装置の放射束Ｆｂの放射束の比率Ｆｂ／Ｆａが０．７５以上である光を発することが好ましい。発光装置から発せられる光の放射束Ｆbと、発光装置に用いる発光素子の放射束Ｆａとの放射束の比率Ｆｂ／Ｆａが、０．７５以上であると、発光素子の発光の放射エネルギーが維持された状態で、青緑色を含む青色から緑色の発光色を呈し、ヒトが感じる眩しさを低減しながら、暗所視でも明所視でも明るく見え、優れた視認性を維持した光が発光装置から出射される。発光装置は、放射束の比率Ｆｂ／Ｆａが０．７６以上である光を発することがより好ましく、放射束の比率Ｆｂ／Ｆａが０．７８以上である光を発することがさらに好ましく、放射束の比率Ｆｂ／Ｆａが０．８０以上の光を発することが特に好ましい。発光素子の放射束Ｆａに対する発光装置の放射束Ｆｂ放射束の比率Ｆｂ／Ｆａは、通常１以下であり、０．９９以下であってもよく、０．９８以下であってもよい。
発光素子
　発光素子は、例えば、組成式がＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）表される窒化物系半導体を用いた半導体発光素子である、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ又はレーザダイオード（ＬＤ）チップを用いることができ、ＬＥＤチップを用いることが好ましい。
　発光素子は、４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する。発光素子から発せられる光の主波長は、４４０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であることが好ましく、４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。
　発光素子は、好ましくは３８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有し、より好ましくは３９０ｎｍ以上４９５ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有し、さらに好ましくは４００ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有し、特に好ましくは４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する。
　発光素子は、ｐ電極及びｎ電極が設けられている。発光素子のｐ電極及びｎ電極は、発光素子の同じ側の面に形成されていてもよく、異なる側の面に設けられていてもよい。発光素子は、フリップチップ実装されていてもよい。
蛍光体
　蛍光体は、発光素子の光に励起され、５０７ｎｍ以上６６０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する。蛍光体の発光ピーク波長は、５１０ｎｍ以上６５５ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、５２０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
　蛍光体の半値幅は、４５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。蛍光体の半値幅（半値全幅）は、蛍光体の発光スペクトルにおいて最大発光強度の５０％の発光強度を示す発光スペクトルの波長幅を意味する。蛍光体の半値幅は、より好ましくは４８ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の範囲内であり、さらに好ましくは５０ｎｍ以上１０５ｎｍ以下の範囲内である。
　蛍光体は、（Ｉ）Ｙ、Ｌａ、Ｌｕ、Ｇｄ及びＴｂからなる群から選択される少なくとも一種の元素Ｌｎと、Ｃｅと、Ａｌと、必要に応じてＧａ及びＳｃから選択される少なくとも一種の元素と、を含む組成を有する、希土類アルミン酸塩蛍光体、（ＩＩ）Ｓｉと、Ａｌと、Ｏと、Ｎと、Ｅｕと、を含む組成を有する、βサイアロン蛍光体、（ＩＩＩ）Ｃａと、Ｅｕと、Ｍｇと、Ｓｉと、Ｏと、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒからなる群から選択される少なくとも一種のハロゲン元素と、を含む組成を有する、ハロシリケート蛍光体、及び（ＩＶ）Ｃａと、Ｅｕと、Ｓｉと、Ａｌと、Ｎと、必要に応じてＳｒと、を含む、組成を有する、窒化物蛍光体からなる群から選択される少なくとも一種の蛍光体を含むことが好ましい。発光装置は、４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する発光素子と共に、希土類アルミン酸塩蛍光体、βサイアロン蛍光体、ハロシリケート蛍光体及び窒化物蛍光体からなる群から選択される少なくとも一種の蛍光体を含むことにより、４９０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する光が発せられる。
　蛍光体は、下記式（１）で表される組成を有する希土類アルミン酸塩蛍光体、下記式（２）で表される組成を有するハロシリケート蛍光体、下記式（３）で表される組成を有するβサイアロン蛍光体、及び、下記式（４）で表される組成を有する窒化物蛍光体からなる群から選択される少なくとも一種の蛍光体を含むことが好ましい。蛍光体は、下記式（１）から（４）で表される組成を有する蛍光体の二種以上を含んでいてもよい。
（Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ　　（１）
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）８ＭｇＳｉ４Ｏ１６（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ）２：Ｅｕ　　（２）
Ｓｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ：Ｅｕ、０≦ｚ≦４．２　　（３）
（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ　　（４）
　本明細書において、蛍光体の組成を示す組成式中、カンマ（，）で区切られて記載されている複数の元素は、これら複数の元素のうち少なくとも一種の元素を組成中に含むことを意味し、複数の元素から二種以上を組み合わせて含んでいてもよい。また、蛍光体の組成を示す式中、コロン（：）の前は母体結晶を構成する元素及びそのモル比を表し、コロン（：）の後は賦活元素を表す。「モル比」は、蛍光体の組成の１モル中の元素のモル量を表す。
　希土類アルミン酸塩蛍光体は、下記式（１ａ）で表される組成を有していてもよい。
　（Ｙ１－ａ－ｂ－ｃＬｕａＧｄｂ）３（Ａｌ１－ｃＧａｃ）５Ｏ１２：Ｃｅｄ　(１ａ)
　式（１ａ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、それぞれ０≦ａ≦１．０、０≦ｂ≦１．０、０≦ａ＋ｂ≦１．０、０≦ｃ≦１．０、０＜ｄ≦０．０２２を満たす数である。式（１ａ）中、ｄは、０．００１≦ｄ≦０．０２１であってもよい。
　ハロシリケート蛍光体は、下記式（２ａ）で表される組成を有していてもよい。
　（Ｃａ１－ｅ－ｆＳｒｅＢａｆ）８ＭｇＳｉ４Ｏ１６（Ｆ１－ｇ－ｈＣｌｇＢｒｈ）２：Ｅｕｉ　（２ａ）
　式（２ａ）中、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ及びｉは、それぞれ０≦ｅ≦１．０、０≦ｆ≦１．０、０≦ｅ＋ｆ≦１．０、０≦ｇ≦１．０、０≦ｈ≦１．０、０≦ｇ＋ｈ≦１．０、０＜ｉ≦１．０を満たす数である。式（２ａ）中、ｉは、０．０１≦ｉ≦０．９を満たす数であってもよい。式（２ａ）中、ｇは、０＜ｇ≦１．０を満たす数であってもよい。
　βサイアロン蛍光体は、下記式（３ａ）で表される組成を有していてもよい。
　Ｓｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ：Ｅｕｊ　　　（３ａ）
　式（３ａ）中、ｊ及びｚは、０＜ｊ≦１．０、０＜ｚ≦４．２を満たす数である。式（３ａ）中、ｊは、０．０１≦ｊ≦０．９を満たす数であってもよい。
　窒化物蛍光体は、下記式（４ａ）で表される組成を有していてもよい。
　（Ｓｒ１－ｋＣａｋ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕｍ　　（４ａ）
　式（４ａ）中、ｋ及びｍは、０≦ｋ≦１．０、０＜ｍ≦１．０を満たす数である。式（４ａ）中、ｍは、０．０００１≦ｍ≦０．９を満たす数であってもよい。
　蛍光体の平均粒径は、好ましくは２μｍ以上４０μｍ以下の範囲内であり、より好ましくは３μｍ以上３０μｍ以下の範囲内であり、さらに好ましくは５μｍ以上２５μｍ以下の範囲内である。蛍光体粒子の粒径は大きいほうが、発光素子から発せられた光を効率よく波長変換することができ、光取り出し効率を向上させることができる。一方、蛍光体粒子が大きすぎると、発光装置の製造工程における作業性が低下する。蛍光体粒子の平均粒径は、フィッシャーサブシーブサイザー法（Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｕｂ－Ｓｉｅｖｅ　Ｓｉｚｅｒ）法（以下、「ＦＳＳＳ法」とも称する。）で測定することができる。ＦＳＳＳ法は、空気透過法の一種であり、空気の流通抵抗を利用して比表面積を測定し、主に一次粒子の粒径を求める方法である。ＦＳＳＳ法で測定された平均粒径は、フィッシャーサブシーブサイザーズナンバー（Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｕｂ－Ｓｉｅｖｅ　Ｓｉｚｅｒ’ｓ　Ｎｕｍｂｅｒ）である。
波長変換部材
　発光装置は、蛍光体と、透光性材料とを含む波長変換部材を備えることが好ましい。波長変換部材は、透光性材料１００質量部に対して、蛍光体を０．５質量部以上６５質量部以下の範囲内で含むことが好ましい。発光装置は、発光素子の発光によって励起される蛍光体を含む波長変換部材を備え、発光素子の光の出射側に波長変換部材を配置することによって、発光素子からの光を波長変換部材に含まれる蛍光体で効率よく波長変換することができる。波長変換部材は、透光性材料１００質量部に対して、蛍光体を１質量部以上含んでいてもよく、６０質量部以下含んでいてもよい。
透光性材料
　透光性材料は、樹脂、ガラス及び無機物からなる群から選択される少なくとも一種が挙げられる。樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、及びポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも一種であることが好ましい。無機物は、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種が挙げられる。波長変換部材には、蛍光体と透光性材料の他に、必要に応じてフィラー、着色剤、光拡散材を含んでいてもよい。フィラーとしては、例えば酸化ケイ素、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム等が挙げられる。波長変換部材に含まれる蛍光体及び透光性材料以外のその他の成分の含有量は、その他の成分の合計の含有量で、透光性材料１００質量部に対して、０．０１質量部以上５０質量部以下の範囲内とすることができ、０．１質量部以上４５質量部以下の範囲内でもよく、０．５質量部以上４０質量部以下の範囲内でもよい。
第一態様の発光装置
　発光装置の例を図面に基づき説明する。図３は、第一態様の発光装置１００の概略断面図である。発光装置１００は、４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する発光素子１１と、発光素子１１からの光により励起されて発光する少なくとも一種の蛍光体２１を含む波長変換部材３１と、成形体４１とを備える。成形体４１は、第１リード５１と、第２リード５２と、樹脂を含む樹脂部４２が一体的に成形されてなるものである。成形体４１は、底面と側面とを有する凹部を形成しており、凹部の底面に発光素子１１が載置されている。発光素子１１は、一対の正負の電極を有しており、その一対の正負電極はそれぞれ第１リード５１と第２リード５２に導電部材６１であるワイヤを介して電気的に接続されている。発光素子１１は、波長変換部材３１により被覆されていている。波長変換部材３１は、蛍光体２１と透光性材料を含む。蛍光体２１は、発光素子１１からの光により励起されて特定の波長範囲に少なくとも１つの発光ピーク波長を有する。波長変換部材３１には、発光ピーク波長が異なる二種以上の蛍光体２１が含まれていてもよい。発光素子１１の正負一対の電極に接続された第１リード５１及び第２リード５２は、成形体４１の外方に向けて一部が露出されている。第１リード５１及び第２リード５２を介して、発光装置１００の外部から電力の供給を受けて、発光装置１００を発光させることができる。
　第一態様の発光装置１００における波長変換部材３１は、蛍光体２１と透光性材料とを含み、透光性材料が樹脂であることが好ましい。第一態様の発光装置１００に用いる波長変換部材３１に用いる透光性材料である樹脂は、前述の透光性材料に用いる樹脂が挙げられる。
第一態様の発光装置の製造方法
　第一態様の発光装置の製造方法の一例を説明する。なお、詳細は、例えば特開２０１０－０６２２７２号公報の開示を参照することもできる。発光装置の製造方法は、成形体の準備工程と、発光素子の配置工程と、波長変換部材用組成物の配置工程と、樹脂パッケージ形成工程とを含むことが好ましい。成形体として、複数の凹部を有する集合成形体を用いる場合には、樹脂パッケージ形成工程後に、各単位領域の樹脂パッケージごとに分離する個片化工程を含んでいてもよい。
　成形体の準備工程において、複数のリードを熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いて一体成形し、側面と底面とを有する凹部を有する成形体を準備する。成形体は、複数の凹部を含む集合基体からなる成形体であってもよい。
　発光素子の配置工程において、成形体の凹部の底面に発光素子が配置され、発光素子の正負の電極が第１リード及び第２リードにワイヤにより接続される。
　波長変換部材用組成物の配置工程において、成形体の凹部に波長変換部材用組成物が配置される。
　樹脂パッケージ成形工程において、成形体の凹部に配置された波長変換部材用組成物を硬化させて、樹脂パッケージが形成され、発光装置が製造される。複数の凹部を含む集合体基体からなる成形体を用いた場合は、樹脂パッケージの形成工程後に、個片化工程において、複数の凹部を有する集合基体の各単位領域の樹脂パッケージごとに分離され、個々の発光装置が製造される。以上のようにして、図３に示す第一態様の発光装置を製造することができる。
第二態様の発光装置
　図４Ａは、第二態様の発光装置２００の概略平面図であり、図４Ｂは、図４Ａに示す発光装置２００のＩＩＡ－ＩＩＡ’線の概略断面図である。発光装置２００は、４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する発光素子１２と、発光素子１２からの光により励起されて発光する少なくとも一種の蛍光体を含む波長変換部材３２と波長変換部材３２と一体的に成形された透光体３３とを含む波長変換体３４とを備える。発光素子１２は、基板７２上に導電部材６２であるバンプを介してフリップチップ実装されている。波長変換体３４の波長変換部材３２は、接着層８２を介して発光素子１２の発光面上に設けられている。発光素子１２及び波長変換体３４は、その側面が光を反射する被覆部材９２によって覆われている。波長変換部材３２は、発光素子１２からの光により励起されて特定の波長範囲に少なくとも１つの発光ピーク波長を有する蛍光体を含む。波長変換部材３２には、発光ピーク波長の波長範囲の異なる二種以上の蛍光体が含まれていてもよい。発光素子１２は、基板７２上に形成された配線及び導電部材６２を介して、発光装置２００の外部からの電力の供給を受けて、発光装置２００を発光させることができる。発光装置２００は、発光素子１２を過大な電圧の印加による破壊から防ぐための保護素子等の半導体素子１３を含んでいてもよい。被覆部材９２は、例えば半導体素子１３を覆うように設けられる。以下、第二態様の発光装置に用いる各部材について説明する。なお、詳細は、例えば特開２０１４－１１２６３５号公報の開示を参照することもできる。
第二態様の発光装置の基板
　基板は、絶縁性材料であって、発光素子からの光や外光を透過し難い材料からなることが好ましい。基板の材料としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等のセラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴレジン）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂等の樹脂を上げることができる。セラミックスは耐熱性が高いため、基板の材料として好ましい。
第二態様の発光装置の波長変換体
波長変換部材
　波長変換体は、蛍光体と透光性材料を含む波長変換部材を含むことが好ましく、さらにその波長変換部材が配置される透光体とを備えることがより好ましい。
　波長変換部材は、蛍光体と、樹脂、ガラス及び無機物（例えば、酸化アルミニウム）からなる群から選択される少なくとも一種の前述の透光性材料とを含み、シート状又は板状に形成することが好ましい。波長変換部材は一層であってもよく、二層以上であってもよい。波長変換部材には、蛍光体と透光性材料の他に、必要に応じてフィラー、着色剤、光拡散材を含んでいてもよい。
　波長変換部材は、蛍光体と透光性材料である前述のガラスや無機物を焼結させたセラミックス複合体を用い、シート状又は板状にして、波長変換部材として用いてもよい。
透光体
　透光体は、ガラスや樹脂のような透光性材料からなる板状体を用いることができる。ガラスは、例えばホウ珪酸ガラスや石英ガラスが挙げられる。樹脂は、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂が挙げられる。透光体の厚さは、製造工程における機械的強度が低下せず、蛍光体層を十分に支持することができる厚さであればよい。透光体には拡散剤が含有されていてもよい。透光体に拡散剤が含有されていると、発光装置から発せられる光の色むら、輝度むらを抑制することができる。拡散剤は、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、及び酸化ケイ素からなる群から選択される少なくとも一種を用いることができる。
接着層
　発光素子と波長変換部材の間には、接着層が介在し、発光素子と波長変換部材とを固着する。接着層を構成する接着剤は、発光素子と波長変換部材を光学的に連結できる材料からなることが好ましい。接着層を構成する材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、及びポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも一種の樹脂であることが好ましい。
半導体素子
　発光装置に必要に応じて設けられる半導体素子は、例えば発光素子を制御するためのトランジスタや、過大な電圧印加による発光素子の破壊や性能劣化を抑制するための保護素子が挙げられる。保護素子としてはツェナーダイオード（Ｚｅｎｅｒ　Ｄｉｏｄｅ）が挙げられる。
被覆部材
　被覆部材の材料としては、絶縁材料を用いることが好ましい。より具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴレジン）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂、シリコーン樹脂が挙げられる。被覆部材には、必要に応じて着色剤、フィラーを添加してもよい。フィラーとしては、イットリウム、ジルコニウム、アルミニウム、チタン、マグネシウム及びケイ素からなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む酸化物であることが好ましい。被覆部材に含まれるフィラーの量は、樹脂１００質量部に対して、反射性及び作業性を考慮して、１０質量部以上１００質量部以下の範囲内であることが好ましい。
導電部材
　導電部材としては、バンプを用いることができ、バンプの材料としては、Ａｕあるいはその合金、他の導電部材として、共晶ハンダ（Ａｕ－Ｓｎ）、Ｐｂ－Ｓｎ、鉛フリーハンダ等を用いることができる。発光装置は、基板上に配置された発光素子、半導体素子、導電部材を、塵芥、水分、外力から保護するためにアンダーフィルを備えていてもよい。アンダーフィルの材料としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂が挙げられる。アンダーフィルは、これらの樹脂に、必要に応じて着色剤、光拡散剤、フィラーを含有させることができる。
第二態様の発光装置の製造方法
　第二態様の発光装置の製造方法の一例を説明する。なお、詳細は、例えば特開２０１４－１１２６３５号公報、又は、特開２０１７－１１７９１２号公報の開示を参照することもできる。発光装置の製造方法は、発光素子の配置工程、必要に応じて半導体素子の配置工程、波長変換部材を含む波長変換体の形成工程、発光素子と波長変換部材の接着工程、被覆部材の形成工程を含むことが好ましい。複数の発光素子、波長変換部材及び半導体素子を１つの基板上に配置させた集合基板を形成した場合には、各単位領域の樹脂パッケージごとに分離する個片化工程を含んでいてもよい。
発光素子の配置工程
　発光素子の配置工程において、基板上に発光素子を配置し、実装する。集合基板を用いる場合には、集合基板上に複数の発光素子を配置する。また、配置された発光素子の行又は列方向のいずれか一方向で、発光素子とその隣の発光素子の間に、必要に応じて半導体素子を配置してもよい。発光素子と半導体素子とは、例えば、基板上にフリップチップ実装される。
波長変換部材を含む波長変換体の形成工程
　波長変換部材を含む波長変換体の形成工程において、波長変換部材は、透光体の一面に印刷法、接着法、圧縮成形法、電着法により板状、シート状又は層状の波長変換部材を形成することによって得てもよい。例えば、印刷法は、蛍光体と、バインダー又は溶剤となる樹脂とを含む波長変換部材用組成物を透光体の一面に印刷し、波長変換部材を含む波長変換体を形成することができる。
発光素子と波長変換部材の接着工程
　発光素子と波長変換部材の接着工程において、波長変換部材を発光素子の発光面に対向させて、発光素子上に波長変換部材と透光体とを含む波長変換体を接着層により接合する。好ましい形態では、波長変換体の発光素子との接合面、すなわち、波長変換部材の発光素子との接合面は、発光素子の接合面より大きい方が好ましい。
被覆部材の形成工程
　被覆部材の形成工程において、発光面を除く、発光素子、及び波長変換部材と透光体を含む波長変換体の側面が、被覆部材用組成物で覆われ、発光面を除く発光素子及び波長変換体の側面に被覆部材が形成される。集合基板上に複数の発光素子及び半導体素子が配置され、各発光素子上に波長変換体が接合される場合は、発光素子及び波長変換体と、半導体素子の間に被覆部材用組成物が充填される。この被覆部材は、発光素子から出射された光を反射させるためのものであり、波長変換体の発光面を覆うことなく側面を覆い、かつ半導体素子を埋設するように形成される。
　集合基板上に複数の発光素子及び波長変換体と、半導体素子が配置されている場合には、単位領域ごとに、発光素子及び波長変換体と半導体素子を１つずつ含むように被覆部材及び集合基板を切断して、単位領域ごとに分離され、個々の発光装置が製造される。各単位領域の樹脂パッケージごとに分離され、個々の発光装置が製造される。以上のようにして、図４Ａ及び図４Ｂに示す第二態様の発光装置を製造することができる。
　以下、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
蛍光体
　実施例及び比較例の各発光装置に用いる蛍光体１から蛍光体８を表１に示す。蛍光体１（ＢＳｉＯＮ）は、ＢａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕで表される組成を有する窒化物蛍光体である。蛍光体２（ＳＡＥ）はＳｒ４Ａｌ４Ｏ２５：Ｅｕで表される組成を有するアルミン酸塩蛍光体である。蛍光体３（ＬＡＧ）は、前記式（１）で表される組成を有する希土類アルミン酸塩蛍光体である。蛍光体４（βサイアロン）は、前記式（３）で表される組成を有するβサイアロン蛍光体である。蛍光体５（クロロシリケート）は、前記式（２）で表される組成を有し、Ｃｌを含む組成を有するハロシリケート蛍光体の一種である。蛍光体６（ＳＣＡＳＮ－１）、蛍光体６と組成のモル比が異なる蛍光体７（ＳＣＡＳＮ－２）及び蛍光体８（ＣＡＳＮ－１）は、前記式（４）で表される組成を有する窒化物蛍光体である。各蛍光体の評価の方法を以下に記載し、評価の結果を表１に示す。
蛍光体の評価
発光特性
　各蛍光体について、発光特性を測定した。蛍光体の発光特性は、量子効率測定装置（ＱＥ－２０００、大塚電子株式会社製）を用いて、励起光の波長を４５０ｎｍの光を各蛍光体に照射し、室温（２５℃±５℃）における発光スペクトルを測定した。各蛍光体の発光スペクトルから、各蛍光体について、ＣＩＥ色度図における色度座標系における色度座標（ｘ、ｙ）を求めた。図５及び図６に各蛍光体の発光スペクトルを示す。得られた各蛍光体の発光スペクトルから、発光ピーク波長（ｎｍ）及び半値幅を求めた。
平均粒径
　各蛍光体について、Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｕｂ－Ｓｉｅｖｅ　Ｓｉｚｅｒ　Ｍｏｄｅｌ　９５（Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、ＦＳＳＳ法により平均粒径を測定した。
組成分析
　蛍光体６から８の式（４）で表される組成を有する窒化物蛍光体について、ＩＣＰ－ＡＥＳ装置（Ｐｅｒｋｉｎ　Ｅｌｍｅｒ製）及びイオンクロマトグラフィーシステム（ＤＩＯＮＥＸ日本製）を用いて組成中のＳｒ、Ｅｕ及びＣａを分析した。ＳｒとＥｕとＣａの合計を１モルとした場合のＳｒ、Ｅｕ及びＣａの各元素のモル比率を算出した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　図５及び図６に示すように、式（１）で表される組成を有する蛍光体３（ＬＡＧ）、式（３）で表される組成を有する蛍光体４（βサイアロン）、式（２）で表される組成を有する蛍光体５（クロロシリケート）、式（４）で表される組成を有する蛍光体６、７、８（ＳＣＡＳＮ－１、ＳＣＡＳＮ－２、ＣＡＳＮ－１）は、暗所における分光標準視感効率のピーク波長である５０７ｎｍ以上の波長範囲に発光ピーク波長を有していた。
　図５に示すように、窒化物蛍光体である蛍光体１（ＢＳｉＯＮ）及びアルミン酸塩蛍光体である蛍光体２（ＳＡＥ）は、暗所視における分光標準視感効率のピーク波長である５０７ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有していた。
実施例１
　第一態様の発光装置を製造した。第１リードと第２リードと、側面と側面とを有する凹部を有する成形体を準備した。主波長が４８３ｎｍである窒化物系半導体を用いた発光素子を準備し、凹部の底面に発光素子を配置し、第１リード及び第２リードにワイヤにより接続した。透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して式（１）で表される組成を有する蛍光体３（ＬＡＧ）を３０質量部含む波長変換部材用組成物を準備し、成形体の凹部内に波長変換部材用組成物を充填した。１５０℃で３時間加熱して波長変換部材用組成物を硬化させ、波長変換部材を形成して樹脂パッケージを形成し、第一態様の発光装置を製造した。
実施例２
　透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して式（３）で表される組成を有する蛍光体４（βサイアロン）を２０質量部含む波長変換部材用組成物を準備し、この波長変換部材用組成物を用いて波長変換部材を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、第一態様の発光装置を製造した。
実施例３
　透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して式（２）で表される組成を有する蛍光体５（クロロシリケート）を１０質量部含む波長変換部材用組成物を準備し、この波長変換部材用組成物を用いて波長変換部材を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、第一態様の発光装置を製造した。
実施例４
　主波長が４９４ｎｍである窒化物系半導体を用いた発光素子を用いたことと、透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して式（４）で表される組成を有する蛍光体６（ＳＣＡＳＮ－１）を１質量部含む波長変換部材用組成物を準備し、この波長変換部材用組成物を用いて波長変換部材を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、第一態様の発光装置を製造した。
実施例５
　透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して式（４）で表される組成を有する蛍光体７（ＳＣＡＳＮ－２）を２量部含む波長変換部材用組成物を準備し、この波長変換部材用組成物を用いて波長変換部材を形成したこと以外は、実施例４と同様にして、第一態様の発光装置を製造した。
実施例６
　透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して式（４）で表される組成を有する蛍光体８（ＣＡＳＮ－１）を２量部含む波長変換部材用組成物を準備し、この波長変換部材用組成物を用いて波長変換部材を形成したこと以外は、実施例４と同様にして、第一態様の発光装置を製造した。
比較例１
　主波長が４４９ｎｍである窒化物系半導体を用いた発光素子を準備し、この発光素子を用いたことと、透光性材料としてシリコーン樹脂を用い、蛍光体を含まない封止部材を波長変換部材の代わりに用いたこと以外は、実施例１と同様にして、第一態様の発光装置を製造した。
比較例２
　透光性材料としてシリコーン樹脂を用い、蛍光体を含まない封止部材を波長変換部材の代わりに用いたこと以外は、実施例１と同様にして、第一態様の発光装置を製造した。
比較例３
　主波長が４９４ｎｍである窒化物系半導体を用いた発光素子を準備し、この発光素子を用いたことと、透光性材料としてシリコーン樹脂を用い、蛍光体を含まない封止部材を波長変換部材の代わりに用いたこと以外は、実施例１と同様にして、第一態様の発光装置を製造した。
比較例４
　主波長が４４９ｎｍである窒化物系半導体を用いた発光素子を準備し、この発光素子を用いたことと、透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して、窒化物蛍光体である蛍光体１（ＢＳｉＯＮ）を４５質量部含む波長変換部材用組成物を準備し、この波長変換部材用組成物を用いて波長変換部材を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、第一態様の発光装置を製造した。
比較例５
　主波長が４４９ｎｍである窒化物系半導体を用いた発光素子を準備し、この発光素子を用いたことと、透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して、アルミン酸塩蛍光体である蛍光体２（ＳＡＥ）を８０質量部含む波長変換部材用組成物を準備し、この波長変換部材用組成物を用いて波長変換部材を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、第一態様の発光装置を製造した。
発光素子の評価
発光素子の色度座標（ｘＥ、ｙＥ）、放射束
　実施例及び比較例に用いた各発光素子について、分光測光装置（ＰＭＡ－１１、浜松ホトニクス株式会社）と積分球を組み合わせた光計測システムを用いて、ＣＩＥ１９３１色度図の色度座標系における色度座標（ｘＥ、ｙＥ）、放射束Ｆａを求めた。
発光素子の主波長
　実施例及び比較例に用いた各発光素子の主波長は、ＣＩＥ１９３１色度図における白色光の色度座標（ｘ＝０．３３３３、ｙ＝０．３３３３）と、各発光素子の発光色の色度座標（ｘＥ、ｙＥ）を直線で結び、その延長線とスペクトル軌跡が交わる点の波長を主波長として求めた。結果を表２に示す。
発光装置の評価
発光装置の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）、光束、放射束Ｆｂ
　実施例及び比較例に用いた各発光装置について、分光測光装置（ＰＭＡ－１１、浜松ホトニクス株式会社）と積分球を組み合わせた光計測システムを用いて、ＣＩＥ１９３１色度図の色度座標系における色度座標（ｘＤ、ｙＤ）、光束、放射束（分光全放射束）を求めた。各発光装置の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）を表２に示す。各発光装置の放射束Ｆｂを表３に示す。
発光装置の主波長
　実施例及び比較例に用いた各発光装置の主波長は、ＣＩＥ１９３１色度図における白色光の色度座標（ｘ＝０．３３３３、ｙ＝０．３３３３）と、各発光装置の発光色の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）を直線で結び、その延長線とスペクトル軌跡が交わる点の波長を主波長として求めた。結果を表２に示す。
発光装置の相対光束
　比較例１の光束を１００％として、実施例１から６及び比較例２から５の各発光装置の光束の相対値を相対光束として求めた。結果を表２に示す。
Ｓ／Ｐ比
　実施例及び比較例の各発光装置について、暗所視における光束に対する明所視における光束の比であるＳ／Ｐ比を前記計算式（ｉ）に基づいて算出した。Ｓ／Ｐ比を表２に示す。
発光装置の発光スペクトルの測定
　実施例及び比較例の各発光装置について、分光測光装置（ＰＭＡ－１１、浜松ホトニクス株式会社）と積分球を組み合わせた光計測システムを用いて、室温（２５℃±５℃）における発光スペクトルを測定した。各発光装置について、各発光装置の発光スペクトルにおいて最大の発光強度を１として相対発光スペクトルを求めた。図７に実施例１から３の発光装置の相対発光スペクトルを示す。図８に実施例４から６の発光装置の相対発光スペクトルを示す。図９に比較例１から５の発光装置の相対発光スペクトルを示す。
発光強度の積分値の比率Ｉｂ／Ｉａ
　実施例及び比較例の各発光装置の相対発光スペクトルにおいて、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉａに対する３８０ｎｍ以上５３１ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉｂの積分値の比率Ｉｂ／Ｉａを求めた。結果を表３に示す。
発光装置の発光スペクトルにおける発光素子の発光ピーク波長及び発光強度ａ
　実施例及び比較例の各発光装置の発光スペクトルにおいて、蛍光体のピーク波長よりも短波長側のピーク波長を発光装置の発光スペクトルにおける発光素子の発光ピーク波長として求め、この発光ピーク波長における発光強度を、発光装置の発光スペクトルにおける発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａとした。結果を表３に示す。
発光装置の発光スペクトルにおける蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂ
　実施例及び比較例の各発光装置の発光スペクトルにおいて、発光装置に用いた各蛍光体の発光ピーク波長における発光強度を、発光装置における蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂとして求めた。結果を表３に示す。
発光強度の比率ａ／ｂ
　発光装置の発光スペクトルにおける蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂに対する発光装置の発光スペクトルにおける発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａの発光強度の比率ａ／ｂを求めた。結果を表３に示す。
放射束の比率Ｆｂ／Ｆａ
　発光素子の放射束Ｆａに対する発光装置の放射束Ｆｂの放射束の比率Ｆｂ／Ｆａを求めた。結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　実施例１から６に係る発光装置は、相対光束が４５０％以上と高く、Ｓ／Ｐ比が６．５以下であった。また、実施例１から６に係る発光装置は、発光装置の発光スペクトルにおける３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉａに対する３８０ｎｍ以上５３１ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉｂの積分値の比率Ｉｂ／Ｉａが０．６以上０．９５以下の範囲内であった。これは、暗所視における分光標準視感効率のピーク波長である５０７ｎｍ以上に発光ピーク波長を有する蛍光体と、４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する発光素子とを組み合わせることで、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）の積分値範囲と重複する発光装置の発光スペクトルの積分値範囲が増加したことによるものであると考えられた。
　実施例１から６に係る発光装置は、発光素子の放射束Ｆａに対する発光装置の放射束Ｆｂの放射束の比率Ｆｂ／Ｆａが０．７５以上と大きく、発光素子から出射された光が波長変換部材に含まれる蛍光体で効率よく波長変換されていた。
　さらに実施例１から６に係る発光装置の発光スペクトルにおいて、蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂに対する発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａの発光強度の比率ａ／ｂが３．０以上と大きく、発光素子から出射された光の方が蛍光体によって波長変換された光よりも強く、青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する所望の光が発光装置から出射されていた。
　実施例１から６に係る発光装置は、発光装置の発光スペクトルにおける発光強度の比率ａ／ｂの結果から青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する所望の光が発光装置から出射し、相対光束、放射束の比率Ｆｂ／Ｆａの結果から暗所視でも明所視でも明るく見える優れた視認性を維持していた。
　また、実施例１から６に係る発光装置は、Ｓ／Ｐ比及び積分値の比率Ｉｂ／Ｉａの結果から、暗所視においても明所視においてもヒトが感じる眩しさを低減した光を発することが確認できた。
　図７及び８に示すように、実施例１から６に係る発光装置の発光スペクトルは、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）の積分値範囲と重複する範囲で、発光スペクトルの積分値範囲が増加している。
　比較例１から３に係る発光装置は、Ｓ／Ｐ比が６．５を超えて大きくなった。
　また、比較例１から３に係る発光装置は、蛍光体を含んでいないため、発光装置の発光スペクトルにおける３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉａに対する３８０ｎｍ以上５３１ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉｂの積分値の比率Ｉｂ／Ｉａが０．９５を超えて大きくなった。これは、蛍光体を含んでいないため、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）の積分値範囲と重複する発光装置の発光スペクトルの積分値範囲が少ないためと考えられた。比較例１から３に係る発光装置は、Ｓ／Ｐ比が６．５を超えて大きくなるため、明所と暗所でヒトの眼に感じる明るさに差があり、暗所では、青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する発光装置から出射される光を眩しく感じてしまうおそれがあった。
　比較例４に係る発光装置は、Ｓ／Ｐ比が６．５であるが、発光装置の発光スペクトルにおける３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉａに対する３８０ｎｍ以上５３１ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉｂの積分値の比率Ｉｂ／Ｉａが０．９５を超えて大きくなった。これは、発光装置に含まれる蛍光体が、暗所視における分光標準視感効率のピーク波長である５０７ｎｍよりも小さい発光ピーク波長を有するため、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）の積分値範囲と重複する発光装置の発光スペクトルの積分値範囲が少ないためと考えられた。比較例４に係る発光装置は、暗所では、青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する発光装置から出射される光を眩しく感じてしまうおそれがあった。また、比較例４に係る発光装置は、発光素子の放射束Ｆａに対する発光装置の放射束Ｆｂの放射束の比率Ｆｂ／Ｆａが０．７５以下であり、発光素子から出射された光によって励起された蛍光体の波長変換効率が低く、優れた視認性を維持できていなかった。
　比較例５に係る発光装置は、Ｓ／Ｐ比が６．５以下であり、発光装置の発光スペクトルにおける３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉａに対する３８０ｎｍ以上５３１ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉｂの積分値の比率Ｉｂ／Ｉａが０．９５以下であるが、発光素子の放射束Ｆａに対する発光装置の放射束Ｆｂの放射束の比率Ｆｂ／Ｆａが０．７４と低く、蛍光体の波長変換効率がよくなかった。また、比較例５に係る発光装置は、発光装置の発光スペクトルにおける発光強度の比率ａ／ｂが０．２９と小さく、発光素子から出射された光の方が蛍光体によって波長変換された光よりも弱く、優れた視認性が維持できていなかった。
　図９に示すように、比較例１から３に係る発光装置の発光スペクトルにおいて、発光素子から発せられる光の発光スペクトルが確認できたが、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）の積分値範囲と重複する範囲が少なく、明所と暗所でヒトの眼に感じる明るさに差があり、暗所では、青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する発光装置から出射される光を眩しく感じてしまうおそれがあった。また、図９に示すように、比較例４及び５に係る発光装置の発光スペクトルにおいて、蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂに対する発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａの発光強度の比率ａ／ｂが小さく、暗所視でも明所視でも明るく見える優れた視認性を維持していなかった。
　図１０に示すように、ＣＩＥ１９３１色度図上で、実施例１から６に係る発光装置の発光色の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）は、全て目的とする色調範囲（領域Ａ）に入っており、目的とする色調の発光色が得られていた。
　図１１に示すように、ＣＩＥ１９３１色度図上で、比較例３から５に係る発光装置の発光色の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）は、目的とする色調範囲（領域Ａ）に入っており、目的とする色調の発光色が得られていたが、比較例１及び２に係る発光装置の発光色の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）は、目的とする色調範囲（領域Ａ）から外れており、目的とする色調の発光色が得られていなかった。
実施例７
　第二態様の発光装置を製造した。
　発光素子の配置工程において、基板は、窒化アルミニウムを材料とするセラミックス基板を用いた。発光素子は、主波長が４８８ｎｍである窒化物系半導体層が積層された発光素子を用いた。発光素子の大きさは、平面形状が約１．０ｍｍ四方の略正方形であり、厚さが約０．１１ｍｍである。発光素子は、光出射面が基板側になるように配置し、Ａｕからなる導電部材を用いたバンプによってフリップチップ実装した。また、発光素子と間隔を空けて半導体素子をＡｕからなる導電部材を用いたバンプによってフリップチップ実装した。
　波長変換部材を含む波長変換体の形成工程において、透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して、式（１）で表される組成を有する蛍光体３（ＬＡＧ）を４６質量部含み、フィラーとして酸化アルミニウムを５質量部、形状を安定させるために平均粒径１１μｍ（カタログ値）の球状シリカを３０質量部含む波長変換部材用組成物を準備した。透光体として、ホウ珪酸ガラスからなり、発光素子の平面形状よりも縦横に約０．１５ｍｍ大きい、平面形状が約１．１５ｍｍ四方の略正方形であり、厚さが約０．１０ｍｍである透光体を準備した。透光体の略正方形状の一面に波長変換部材用組成物を印刷法により印刷し、１５０℃で３時間加熱して、波長変換部材用組成物を硬化させて、厚さ約８０μｍの層状の波長変換部材を形成し、層状の波長変換部材と透光体が一体となった波長変換体を形成した。
　発光素子と波長変換部材の接着工程において、波長変換部材の平面形状が約１．１５ｍｍ四方の略正方形の一面と、発光素子の平面形状が約１．０ｍｍ四方の略正方形の一面とを、シリコーン樹脂を含む接着剤を用いて接着し、発光素子と波長変換部材の間に接着層を形成した。波長変換部材の発光素子との接合面は、波長変換部材の接合面の方が発光素子の接合面より縦横に約０．１５ｍｍ大きいので、発光素子の接合面からはみ出した接着剤が、発光素子の側面に付着して、縦断面形状が略三角形の接着層のはみ出し部分が形成される。発光素子の側面に付着した接着層のはみ出し部分は、層の厚さが発光素子の下方に向かって小さくなる三角形状を有し、上方の波長変換部材側に向かって広がる傾斜を有していた。
　被覆部材の形成工程において、ジメチルシリコーン樹脂と平均粒径（カタログ値）が０．２８μｍの酸化チタン粒子とを含み、ジメチルシリコーン樹脂１００質量部に対して酸化チタン粒子を３０質量部含む被覆部材用組成物を準備した。基板上に配置された発光素子及び波長変換部材及び透光体を含む波長変換体の側面を被覆部材用組成物で覆い、半導体素子は完全に被覆部材用組成物に埋設するように、被覆部材用組成物を充填し、被覆部材用組成物を硬化させ、被覆部材を形成して、樹脂パッケージを形成し、第二態様の発光装置を製造した。
実施例８
　透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して、式（３）で表される組成を有する蛍光体４（βサイアロン）を６０質量部含み、フィラーとして酸化アルミニウムを５質量部含む波長変換部材用組成物を準備して、この波長変換部材用組成物を用いたこと以外は、実施例７と同様にして、第二態様の発光装置を製造した。
実施例９
　透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して、式（２）で表される組成を有する蛍光体５（クロロシリケート）を２３質量部含み、フィラーとして酸化アルミニウムを５質量部、形状を安定させるために平均粒径１１μｍ（カタログ値）の球状シリカを３０質量部含む波長変換部材用組成物を準備して、この波長変換部材用組成物を用いたこと以外は、実施例７と同様にして、第二態様の発光装置を製造した。
実施例１０
　発光素子として、主波長が４９５ｎｍである窒化物系半導体層が積層された発光素子を用いたこと以外は、実施例７と同様にして、第二態様の発光装置を製造した。
実施例１１
　発光素子として、主波長が４９５ｎｍである窒化物系半導体層が積層された発光素子を用いたこと以外は、実施例８と同様にして、第二態様の発光装置を製造した。
実施例１２
　発光素子として、主波長が４９５ｎｍである窒化物系半導体層が積層された発光素子を用いたこと以外は、実施例９と同様にして、第二態様の発光装置を製造した。
実施例１３
　発光素子として、主波長が４９５ｎｍである窒化物系半導体層が積層された発光素子を用い、透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して、式（４）で表される組成を有する蛍光体６（ＳＣＡＳＮ－１）を４質量部含み、フィラーとして酸化アルミニウムを５質量部、平均粒径１１μｍ（カタログ値）の球状シリカを３０質量部含む波長変換部材用組成物用いたこと以外は、実施例７と同様にして、第二態様の発光装置を製造した。
比較例６
　主波長が４４９ｎｍである窒化物系半導体を用いた発光素子を用い、波長変換部材用組成物の代わりに、透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して、フィラーとして酸化アルミニウムを１０質量部含む光拡散部材用組成物を準備し、この光拡散部材用組成物を厚さが約０．１５μｍである透光体に塗布して、厚さが約３５μｍの層状の光拡散部材を形成し、光拡散部材と発光素子を接着したこと以外は、実施例７と同様にして、波長変換部材の代わりに光拡散部材を含む第二態様の発光装置を製造した。
比較例７
　主波長が４８８ｎｍである窒化物系半導体を用いた発光素子を用いたこと以外は比較例６と同様にして、波長変換部材の代わりに光拡散部材を含む第二態様の発光装置を製造した。
比較例８
　主波長が４９２ｎｍである窒化物系半導体を用いた発光素子を用いたこと以外は比較例６と同様にして、波長変換部材の代わりに光拡散部材を含む第二態様の発光装置を製造した。
比較例９
　主波長が４９５ｎｍである窒化物系半導体を用いた発光素子を用いたこと以外は比較例６と同様にして、波長変換部材の代わりに光拡散部材を含む第二態様の発光装置を製造した。
比較例１０
　主波長が４４９ｎｍである窒化物系半導体を用いた発光素子を用い、透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して、窒化物蛍光体である蛍光体１（ＢＳｉＯＮ）を１５０質量部含み、フィラーとして酸化アルミニウムを２０質量部含む波長変換部材用組成物用いたこと以外は、実施例７と同様にして、第二態様の発光装置を製造した。
比較例１１
　主波長が４４９ｎｍである窒化物系半導体を用いた発光素子を用い、透光性材料としてシリコーン樹脂１００質量部に対して、アルミン酸塩蛍光体である蛍光体２（ＳＡＥ）を１５０質量部含み、フィラーとして酸化アルミニウムを２０質量部含む波長変換部材用組成物用いたこと以外は、実施例７と同様にして、第二態様の発光装置を製造した。
発光素子の評価
　実施例７から１３及び比較例６から１１に用いた発光素子の色度座標（ｘＥ、ｙＥ）、放射束、発光素子の主波長は、実施例１に用いた発光素子と同様にして求めた。
発光装置の評価
　実施例７から１３及び比較例６から１１に係る発光装置は、実施例１と同様にして、色度座標（ｘＤ、ｙＤ）、光束、放射束Ｆｂ、主波長、相対光束、Ｓ／Ｐ比、発光スペクトル、積分値の比率Ｉｂ／Ｉａ、発光装置の発光スペクトルにおける発光素子の発光ピーク波長及び発光強度ａ、発光装置の発光スペクトルにおける蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂ、発光強度の比率ａ／ｂ、放射束の比率Ｆｂ／Ｆａを求めた。相対光束は、比較例６の光束を１００％として、実施例７から１３及び比較例７から１１の各発光装置の光束の相対値を求めた。結果を表４及び５に示す。図１２に実施例７から９の発光装置の相対発光スペクトルを示す。図１３に実施例１０から１３の発光装置の相対発光スペクトルを示す。図１４に比較例６から１１の発光装置の相対発光スペクトルを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　実施例７から１３に係る発光装置は、相対光束が５００％以上と高く、Ｓ／Ｐ比が６．５以下であった。また、実施例７から１３に係る発光装置は、発光装置の発光スペクトルにおける３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉａに対する３８０ｎｍ以上５３１ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉｂの積分値の比率Ｉｂ／Ｉａが０．６以上０．９５以下の範囲内であった。これは、暗所視における分光標準視感効率のピーク波長である５０７ｎｍ以上に発光ピーク波長を有する蛍光体と、４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する発光素子とを組み合わせることで、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）の積分値範囲と重複する発光装置の発光スペクトルの積分値範囲が増加したことによるものであると考えられた。
　実施例７から１３に係る発光装置は、発光素子の放射束Ｆａに対する発光装置の放射束Ｆｂの放射束の比率Ｆｂ／Ｆａが０．７５以上と大きく、発光素子から出射された光が波長変換部材に含まれる蛍光体による波長変換効率がより高くなった。
　さらに実施例７から１３に係る発光装置の発光スペクトルにおいて、蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂに対する発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａの発光強度の比率ａ／ｂが３．０以上と大きく、発光素子から出射された光の方が蛍光体によって波長変換された光よりも強く、青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する所望の光が発光装置から出射されている。
　実施例７から１３に係る発光装置は、発光強度の比率ａ／ｂの結果から青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する所望の光が発光装置から出射し、相対光束及び放射束の比率Ｆｂ／Ｆａの結果から暗所視でも明所視でも明るく見える優れた視認性を維持していた。
　また、実施例７から１３に係る発光装置は、Ｓ／Ｐ比及び積分値の比率Ｉｂ／Ｉａの結果から、暗所視においても明所視においてもヒトが感じる眩しさを低減した光を発することが確認できた。
　図１２及び１３に示すように、実施例７から１３に係る発光装置の発光スペクトルは、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）の積分値範囲と重複する範囲で、発光スペクトルの積分値範囲が増加している。
　比較例６から９に係る発光装置は、Ｓ／Ｐ比が６．５を超えて大きくなった。
　また、比較例６から９に係る発光装置は、蛍光体を含む波長変換部材の代わりに蛍光体を含まない光拡散部材を用いているため、発光装置の発光スペクトルにおける３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉａに対する３８０ｎｍ以上５３１ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉｂの積分値の比率Ｉｂ／Ｉａが０．９５を超えて大きくなった。これは、蛍光体を含んでいないため、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）の積分値範囲と重複する発光装置の発光スペクトルの積分値範囲が少ないためと考えられた。比較例６から９に係る発光装置は、Ｓ／Ｐ比が６．５を超えて大きくなるため、明所と暗所でヒトの眼に感じる明るさに差があり、暗所では、青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する発光装置から出射される光を眩しく感じてしまうおそれがあった。
　比較例１０に係る発光装置は、Ｓ／Ｐ比が６．５以下であるが、発光装置の発光スペクトルにおける３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉａに対する３８０ｎｍ以上５３１ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉｂの積分値の比率Ｉｂ／Ｉａが０．９５を超えて大きくなった。これは、発光装置に含まれる蛍光体が、暗所視における分光標準視感効率のピーク波長である５０７ｎｍよりも小さい発光ピーク波長を有するため、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）の積分値範囲と重複する発光装置の発光スペクトルの積分値範囲が少ないためと考えられた。比較例１０に係る発光装置は、暗所では、青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する発光装置から出射される光を眩しく感じてしまうおそれがあった。また、比較例１０に係る発光装置は、発光素子の放射束Ｆａに対する発光装置の放射束Ｆｂの放射束の比率Ｆｂ／Ｆａが０．３１と小さく、また、発光装置の発光スペクトルにおける発光強度の比率ａ／ｂが０．１と１．０よりも小さく、発光素子から出射された光により励起された蛍光体の波長変換効率が低かった。比較例１０に係る発光装置は、Ｓ／Ｐ比を低くして、優れた視認性を確保するために、実施例よりも多量の蛍光体を必要とした。
　比較例１１に係る発光装置は、Ｓ／Ｐ比が６．５以下であり、発光装置の発光スペクトルにおける３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉａに対する３８０ｎｍ以上５３１ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉｂの積分値の比率Ｉｂ／Ｉａが０．９５以下であるが、発光素子の放射束Ｆａに対する発光装置の放射束Ｆｂの放射束の比率Ｆｂ／Ｆａが０．６９と低く、蛍光体の波長変換効率がよくなかった。また、比較例１１に係る発光装置は、発光スペクトルにおける発光強度の比率ａ／ｂが０．５と１．０よりも小さく、発光素子から出射された光により励起された蛍光体の波長変換効率が低かった。比較例１１に係る発光装置は、Ｓ／Ｐ比を低くして、優れた視認性を確保するために、実施例よりも多量の蛍光体を必要とした。
　図１４に示すように、比較例６から９に係る発光装置の発光スペクトルにおいて、発光素子から発せられる光の発光スペクトルが確認できたが、明所視標準分光視感効率Ｖ（λ）の積分値範囲と重複する範囲が少なく、明所と暗所でヒトの眼に感じる明るさに差があり、暗所では、青緑色を含む青色から緑色の波長範囲に主波長を有する発光装置から出射される光を眩しく感じてしまうおそれがあった。また、図１４に示すように、比較例１０及び１１に係る発光装置の発光スペクトルにおいて、蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂに対する発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａの発光強度の比率ａ／ｂが小さかった。
　図１５に示すように、ＣＩＥ１９３１色度図上で、実施例７から１３に係る発光装置の発光色の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）は、全て目的とする色調範囲（領域Ａ）に入っており、目的とする色調の発光色が得られていた。
　図１６に示すように、ＣＩＥ１９３１色度図上で、比較例８から１１に係る発光装置の発光色の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）は、目的とする色調範囲（領域Ａ）に入っており、目的とする色調の発光色が得られていたが、比較例６及び７に係る発光装置の発光色の色度座標（ｘＤ、ｙＤ）は、目的とする色調範囲（領域Ａ）から外れており、目的とする色調の発光色が得られていなかった。
　本発明の一態様に係る発光装置は、一般照明用の発光装置、車両用の発光装置、表示装置、照明器具、ディスプレイ等として利用することができる。
　１１、１２：発光素子、１３：半導体素子、２１：蛍光体、３１、３２：波長変換部材、３３：透光体、３４：波長変換体、４１：成形体、４２：樹脂部、５１：第１リード、５２：第２リード、６１、６２：導電部材、７２：基板、８２：接着層、９２：被覆部材、１００、２００：発光装置。

Claims (11)

  1. 　４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する発光素子と、
    　前記発光素子の光に励起され、５０７ｎｍ以上６６０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体と、を含む発光装置であり、
    　４９０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に主波長を有する光を発し、
    　暗所視における光束に対する明所視における光束の比率であるＳ／Ｐ比が６．５以下であり、
    　前記蛍光体の発光ピーク波長における発光強度よりも前記発光素子の発光ピーク波長における発光強度が高い、発光装置。
  2. 　ＣＩＥ１９３１色度図のｘｙ色度座標系において、色度座標（ｘ、ｙ）が、（ｘ＝０．００８２、ｙ＝０．５３８４）を第一点とし、（ｘ＝０．０４５４、ｙ＝０．２９５０）を第二点とし、（ｘ＝０．２０００、ｙ＝０．３２００）を第三点とし、（ｘ＝０．２０００、ｙ＝０．４０００）を第四点とし、前記第一点と前記第二点を結ぶ第一直線と、前記第二点と前記第三を結ぶ第二直線と、前記第三点と前記第四点を結ぶ第三直線と、前記第四点と前記第一点を結ぶ第四直線とで画定された領域内の光を発する、請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記Ｓ／Ｐ比が６．０以下である、請求項１又は２に記載の発光装置。
  4. 　前記Ｓ／Ｐ比が２．０以上である、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 　前記発光装置の発光スペクトルにおいて、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲内の発光スペクトルの積分値Ｉａに対する、３８０ｎｍ以上５３１ｎｍ以下の波長範囲内の積分値Ｉｂの積分値の比率Ｉｂ／Ｉａが、０．６以上０．９５以下の範囲内である、請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 　前記発光装置の発光スペクトルにおいて、前記蛍光体の発光ピーク波長の発光強度ｂに対する、前記発光素子の発光ピーク波長の発光強度ａの発光強度の比率ａ／ｂが３．０以上である、請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 　前記発光素子の放射束Ｆａに対する前記発光装置の放射束Ｆｂの放射束の比率Ｆｂ／Ｆａが０．７５以上である、請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
  8. 　前記蛍光体と、透光性材料と、を含む波長変換部材を備え、前記波長変換部材は、透光性材料１００質量部に対して、前記蛍光体を０．５質量部以上６５質量部以下の範囲内で含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 　前記蛍光体の半値幅が、４５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である、請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置。
  10. 　前記蛍光体が、
    　Ｙ、Ｌａ、Ｌｕ、Ｇｄ及びＴｂからなる群から選択される少なくとも一種の元素Ｌｎと、Ｃｅと、Ａｌと、必要に応じてＧａ及びＳｃから選択される少なくとも一種の元素と、を含む組成を有する、希土類アルミン酸塩蛍光体、
    　Ｓｉと、Ａｌと、Ｏと、Ｎと、Ｅｕと、を含む組成を有する、βサイアロン蛍光体、
    　Ｃａと、Ｅｕと、Ｍｇと、Ｓｉと、Ｏと、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒからなる群から選択される少なくとも一種のハロゲン元素と、を含む組成を有する、ハロシリケート蛍光体、及び
    　Ｃａと、Ｅｕと、Ｓｉと、Ａｌと、Ｎと、必要に応じてＳｒと、を含む、組成を有する、窒化物蛍光体からなる群から選択される少なくとも一種の蛍光体を含む、請求項１から９のいずれか１項に記載の発光装置。
  11. 　前記蛍光体が、下記式（１）で表される組成を有する希土類アルミン酸塩蛍光体、下記式（２）で表される組成を有するハロシリケート蛍光体、下記式（３）で表される組成を有するβサイアロン蛍光体、及び、下記式（４）で表される組成を有する窒化物蛍光体からなる群から選択される少なくとも一種の蛍光体を含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載の発光装置。
    （Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ　　（１）
    （Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）８ＭｇＳｉ４Ｏ１６（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ）２：Ｅｕ　　（２）
    Ｓｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ：Ｅｕ、０≦ｚ≦４．２　　（３）
    （Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ　　（４）
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