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WO2015198497A1 - はんだ合金、ソルダペーストおよび電子回路基板 - Google Patents

はんだ合金、ソルダペーストおよび電子回路基板 Download PDF

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WO2015198497A1
WO2015198497A1 PCT/JP2014/072576 JP2014072576W WO2015198497A1 WO 2015198497 A1 WO2015198497 A1 WO 2015198497A1 JP 2014072576 W JP2014072576 W JP 2014072576W WO 2015198497 A1 WO2015198497 A1 WO 2015198497A1
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WO
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mass
content ratio
solder alloy
less
solder
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/072576
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English (en)
French (fr)
Inventor
池田 一輝
高輔 井上
和也 市川
竹本 正
Original Assignee
ハリマ化成株式会社
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Publication date
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Priority to EP14853188.2A priority patent/EP3093098B1/en
Priority to JP2014542601A priority patent/JP5654716B1/ja
Priority to CN201480003546.0A priority patent/CN105377503B/zh
Priority to ES14853188T priority patent/ES2710219T3/es
Priority to CA2892420A priority patent/CA2892420C/en
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Definitions

  • the present invention relates to a solder alloy, a solder paste and an electronic circuit board, and more particularly to a solder alloy, a solder paste containing the solder alloy, and an electronic circuit board obtained by using the solder paste.
  • solder bonding using solder paste is employed for metal bonding in electric and electronic devices and the like, and a solder alloy containing lead is conventionally used for such solder paste.
  • a lead-free solder alloy for example, a tin-copper alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-silver-indium-bismuth alloy, a tin-bismuth alloy, a tin-zinc alloy etc.
  • tin-silver-copper alloys, tin-silver-indium-bismuth alloys and the like are widely used although they are known.
  • the lead-free solder alloy contains 0.5 to 5% by weight of Ag, 0.5 to 20% by weight of In, and 0.1 to 3% by weight of Bi, and further contains Sb
  • a Sn-based solder alloy has been proposed which contains at least one selected from the group consisting of Zn, Ni, Ga, Ge and Cu in a proportion of 3% by weight or less, with the balance being Sn (patent document 1).
  • solder material contains at a ratio of 1% by weight or less of one or more elements selected from the group consisting of Cu, Ni, Co, Fe and Sb, and the balance is Sn. (See Patent Document 2).
  • parts soldered by such solder alloys may be used under relatively severe temperature cycle conditions (eg, temperature cycles between -40 ° C. and 150 ° C., etc.), such as automobile engine compartments.
  • relatively severe temperature cycle conditions eg, temperature cycles between -40 ° C. and 150 ° C., etc.
  • solder alloys are required to have excellent durability (particularly, resistance to thermal fatigue) even when exposed to relatively severe temperature cycle conditions.
  • electronic components of relatively small size for example, chip components of 1005 size (1.0 mm ⁇ 0.5 mm)
  • electronic components of relatively large size for example, 1608 size (1 .6 mm x 0.8 mm) chip parts, 3216 size (3.2 mm x 1.6 mm) chip parts etc. may be used.
  • the object of the present invention is to suppress short circuiting due to phase transformation even when exposed to relatively severe temperature cycle conditions, and have excellent durability regardless of the size of the electronic component to be soldered.
  • Another object of the present invention is to provide a solder alloy capable of suppressing damage to a soldered electronic component or the like, a solder paste containing the solder alloy, and an electronic circuit board obtained by using the solder paste.
  • the solder alloy according to one aspect of the present invention is a solder alloy substantially consisting of tin, silver, indium, bismuth and antimony, and the content ratio of the silver to the total amount of the solder alloy is 2. 8% by mass to 4% by mass, the content ratio of the indium is 6.2% by mass to 9.0% by mass, and the content ratio of the bismuth is 0.7% by mass to 5.0% % Or less, the content ratio of said antimony is 0.3 mass% or more and 5.0 mass% or less, the content ratio of said tin is a ratio of the remainder, and the value of A of the following discriminant (1) However, it is characterized by being 4.36 or less.
  • the content ratio of the bismuth is preferably 1.0% by mass or more and 3.0% by mass or less.
  • the content ratio of the antimony is 1.0% by mass or more and 3.0% by mass or less.
  • the solder alloy further contains at least one element selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, gallium, germanium and phosphorus, and the content ratio of the element to the total amount of the solder alloy is Preferably, the content is more than 0% by mass and not more than 1% by mass.
  • a solder paste according to another aspect of the present invention is characterized by containing a solder powder composed of the above-described solder alloy and a flux.
  • An electronic circuit board is characterized by including a soldered portion by the above-mentioned solder paste.
  • the solder alloy according to one aspect of the present invention is such that the value of A in the discriminant equation (1) becomes a predetermined value in a solder alloy substantially consisting of tin, silver, indium, bismuth and antimony in a predetermined amount It is designed.
  • solder alloy according to one aspect of the present invention even when exposed to relatively severe temperature cycle conditions, a short circuit due to phase transformation can be suppressed, and depending on the size of the electronic component to be soldered. Therefore, it has excellent durability and can further suppress damage to a soldered electronic component or the like.
  • solder paste concerning the other one viewpoint of the present invention contains the above-mentioned solder alloy, even when exposed to comparatively severe temperature cycle conditions, it can control the short circuit by phase transformation, and soldering It has excellent durability regardless of the size of the electronic parts to be used, and can further suppress damage to the soldered electronic parts and the like.
  • solder paste is used in soldering, even when exposed to relatively severe temperature cycle conditions, short circuit due to phase transformation is suppressed. Therefore, regardless of the size of the electronic component to be soldered, it has excellent durability and can further suppress damage to the soldered electronic component or the like.
  • the solder alloy according to one aspect of the present invention is a tin-silver-indium-bismuth type solder alloy, and as essential components, tin (Sn), silver (Ag), indium (In), bismuth (Bi) and Contains antimony (Sb).
  • the solder alloy consists essentially of tin, silver, indium, bismuth and antimony.
  • the term "essentially” means that each of the above-described elements is an essential component, and that an arbitrary component described later is allowed to be contained at a ratio described later.
  • the content ratio of tin is the remaining ratio of each component to be described later, and is appropriately set according to the blending amount of each component.
  • the content ratio of silver is 2.8% by mass or more, preferably 3.0% by mass or more, and 4% by mass or less, preferably 3.8% by mass or less, based on the total amount of the solder alloy.
  • the content ratio of silver is in the above range, short circuit due to phase transformation can be suppressed even when exposed to relatively severe temperature cycle conditions, and it is excellent regardless of the size of the electronic part to be soldered It is durable and can further suppress damage to a soldered electronic component or the like.
  • the content ratio of indium is 6.2% by mass or more, preferably 6.5% by mass or more, and 9.0% by mass or less, preferably 8.0% by mass or less based on the total amount of the solder alloy. is there.
  • the content ratio of indium is in the above range, short circuit due to phase transformation can be suppressed even when exposed to relatively severe temperature cycle conditions, and it is excellent regardless of the size of the electronic component to be soldered It is durable and can further suppress damage to a soldered electronic component or the like.
  • this solder alloy contains tin and silver, an Ag 3 Sn (silver tritin) structure is usually present therein.
  • Ag 3 Sn structure may be coagulated by raising and lowering the temperature repeatedly to cause a crack.
  • parts (such as circuit boards) to be soldered with such solder alloys may be damaged by repeated exposure to heating and cooling conditions, but the percentage of indium in the solder alloy is the above If it is contained in the above, destruction of parts can be favorably suppressed.
  • the durability when exposed to relatively severe temperature cycle conditions (especially, the durability when used for electronic components of relatively large size) is inferior. Furthermore, the electronic parts to be soldered may be damaged. In addition, even when the content ratio of indium exceeds the above upper limit, the durability when exposed to relatively severe temperature cycle conditions (especially, the durability when used for a relatively large size electronic component) is inferior. Furthermore, damage to the electronic components to be soldered may occur.
  • the content ratio of bismuth is 0.7% by mass or more, preferably 1.0% by mass or more, and 5.0% by mass or less, preferably 3.0% by mass or less based on the total amount of the solder alloy. is there.
  • the content ratio of bismuth is in the above range, short circuit due to phase transformation can be suppressed even when exposed to relatively severe temperature cycle conditions, and it is excellent regardless of the size of the electronic part to be soldered It is durable and can further suppress damage to a soldered electronic component or the like.
  • the durability when exposed to relatively severe temperature cycle conditions is inferior.
  • the durability when exposed to relatively severe temperature cycle conditions is inferior.
  • the durability when exposed to relatively severe temperature cycle conditions is inferior
  • the electronic parts to be soldered may be damaged.
  • the content of antimony is 0.3% by mass or more, preferably 1.0% by mass or more, and 5.0% by mass or less, preferably 3.0% by mass or less, based on the total amount of the solder alloy. is there.
  • the content ratio of antimony is in the above range, short circuit due to phase transformation can be suppressed even when exposed to relatively severe temperature cycle conditions, and it is excellent regardless of the size of the electronic part to be soldered It is durable and can further suppress damage to a soldered electronic component or the like.
  • the solder alloy may undergo phase transformation, which may cause a short circuit, and the durability when exposed to relatively severe temperature cycle conditions It is inferior to (in particular, the durability when used for electronic components of relatively large size).
  • the durability to a relatively large size electronic component when exposed to relatively severe temperature cycle conditions may be inferior, and it may be soldered. It causes damage such as electronic parts.
  • the solder alloy can further contain copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), gallium (Ga), germanium (Ge), phosphorus (P), and the like as optional components.
  • the content ratio is, for example, more than 0% by mass, for example, 1.0% by mass or less with respect to the total amount of the solder alloy.
  • the content ratio is, for example, more than 0% by mass, for example, 1.0% by mass or less based on the total amount of the solder alloy.
  • the content ratio is, for example, more than 0% by mass, for example, 1.0% by mass or less with respect to the total amount of the solder alloy.
  • the content ratio is, for example, more than 0% by mass, for example, 1.0% by mass or less with respect to the total amount of the solder alloy.
  • the content ratio is, for example, more than 0% by mass, for example, 1.0% by mass or less with respect to the total amount of the solder alloy.
  • the content ratio is, for example, more than 0% by mass, for example, 1.0% by mass or less with respect to the total amount of the solder alloy.
  • the content ratio (the total amount of two or more types when used in combination) exceeds, for example, 0% by mass with respect to the total amount of the solder alloy, for example And 1.0 mass% or less.
  • the content rate of indium, the content rate of silver, and the content rate of antimony are adjusted so that the value of A of the following discriminant equation (1) becomes a predetermined value described later .
  • the In content is the content (% by mass) of indium to the total amount of the solder alloy
  • the Ag content is the content (silver) of the content to the total amount of the solder alloy
  • the Sb content is the content (% by mass) of antimony with respect to the total amount of the solder alloy.
  • the value of A in the above discriminant equation (1) is, for example, 4.36 or less, preferably less than 4.20.
  • the value of A in the above discriminant equation (1) is less than or equal to the above upper limit, short circuit due to phase transformation can be suppressed even when exposed to relatively severe temperature cycle conditions, and the electronic component to be soldered Regardless of the size, it has excellent durability and can further suppress damage to a soldered electronic component or the like.
  • solder alloy can be obtained by alloying by known methods, such as making each above-mentioned metal component fuse
  • each above-mentioned each metal component used for manufacture of a solder alloy can contain a trace amount impurity (unavoidable impurity) in the range which does not inhibit the excellent effect of this invention.
  • Al aluminum
  • Fe iron
  • Zn zinc
  • Au gold
  • the melting point of the solder alloy thus obtained which is measured by the DSC method (measurement condition: heating rate: 0.5 ° C./min), is, for example, 190 ° C. or more, preferably 200 ° C. or more, For example, it is 250 ° C. or less, preferably 240 ° C. or less.
  • the above-mentioned solder alloy is designed such that the value of A in the above discriminant equation (1) becomes a predetermined value in a solder alloy substantially consisting of tin, silver, indium, bismuth and antimony in a predetermined amount. ing.
  • solder alloy even when exposed to relatively severe temperature cycle conditions, short circuit due to phase transformation can be suppressed, and excellent durability can be obtained regardless of the size of the electronic component to be soldered. In addition, damage to the soldered electronic parts and the like can be suppressed.
  • solder alloy is preferably contained in a solder paste (solder paste bonding material).
  • solder paste according to another aspect of the present invention contains the above-described solder alloy and a flux.
  • the solder alloy is preferably contained as a powder.
  • the powder form is not particularly limited, and examples thereof include, for example, a substantially complete sphere, for example, a flat block, for example, a needle, and the like, and may be indeterminate.
  • the powder shape is appropriately set according to the performance (for example, thixotropy, viscosity, etc.) required for the solder paste.
  • the average particle size (if spherical) or the average longitudinal length (if not spherical) of the solder alloy powder is, for example, 5 ⁇ m or more, as measured using a particle diameter / particle size distribution measuring apparatus by laser diffraction. Preferably, it is 15 ⁇ m or more, for example, 100 ⁇ m or less, preferably 50 ⁇ m or less.
  • the flux is not particularly limited, and a known solder flux can be used.
  • the flux may be, for example, a base resin (rosin, acrylic resin, etc.), an activator (eg, ethylamine, an amine hydrohalide such as propylamine, etc., organic such as lactic acid, citric acid, benzoic acid, etc. Carboxylic acids and the like), thixotropic agents (hardened castor oil, beeswax, carnauba wax and the like) and the like can be used as main components, and when the flux is used in liquid form, it can further contain an organic solvent.
  • a base resin rosin, acrylic resin, etc.
  • an activator eg, ethylamine, an amine hydrohalide such as propylamine, etc.
  • organic such as lactic acid, citric acid, benzoic acid, etc.
  • Carboxylic acids and the like Carboxylic acids and the like
  • thixotropic agents hardened castor oil, beeswax, carnauba wax and the like
  • solder paste can be obtained by mixing the powder which consists of an above-described solder alloy, and the above-mentioned flux with a well-known method.
  • the blending ratio of the solder alloy to the flux is, for example, 70:30 to 90:10 as a solder alloy solder alloy: flux (mass ratio).
  • the said solder paste contains the said solder alloy, even when it exposes on comparatively severe temperature cycle conditions, the short circuit by phase transformation can be suppressed, and according to the magnitude of the electronic part soldered Therefore, it has excellent durability and can further suppress damage to a soldered electronic component or the like.
  • the present invention includes an electronic circuit board provided with a soldered portion by the above-mentioned solder paste.
  • solder paste is suitably used, for example, in soldering (metal bonding) between an electrode of an electronic circuit board such as an electric / electronic device and an electronic component.
  • the electronic component is not particularly limited, and examples thereof include known electronic components such as chip components (such as IC chips), resistors, diodes, capacitors, and transistors.
  • the length of one side is, for example, 0.2 mm or more, and for example, 6.4 mm or less.
  • the length of the other side is, for example, 0.1 mm or more, and for example, 3.2 mm or less.
  • the thickness is, for example, 0.05 mm or more, and for example, 3.0 mm or less.
  • the product of the length of one side and the length of the other side is, for example, 0.02 mm 2 or more, and for example, 21 mm 2 or less.
  • an electronic component having a product of the length of one side and the length of the other side (area in plan view) of 0.5 mm 2 or less is treated as an electronic component of a relatively small size, specifically, for example, 1005
  • the electronic component of a size (1.0 mm x 0.5 mm) etc. are mentioned.
  • an electronic component having a product of the length of one side and the length of the other side (area in plan view) exceeding 0.5 mm 2 is treated as an electronic component of a relatively large size.
  • Examples include electronic components of 1608 size (1.6 mm ⁇ 0.8 mm) and electronic components of 3216 size (3.2 mm ⁇ 1.6 mm).
  • solder paste is used in soldering in such an electronic circuit board, even if it is exposed to comparatively severe temperature cycle conditions in the soldering part, a short circuit by phase transformation is controlled.
  • it regardless of the size of the electronic component to be soldered, it has excellent durability and can further suppress damage to the soldered electronic component or the like.
  • the usage method of the said solder alloy is not limited to the said solder paste,
  • it can also be used for manufacture of a core solder joining material.
  • a core solder joint material can be obtained by forming the above-mentioned solder alloy into a linear shape by using the above-mentioned flux as a core by a known method (for example, extrusion molding etc.).
  • solder paste as well as solder paste is suitably used, for example, in soldering (metal bonding) of electronic circuit boards such as electric and electronic devices.
  • Examples 1 to 46 and Comparative Examples 1 to 44 -Preparation of solder alloy Powders of the respective metals listed in Tables 1 and 2 are respectively mixed in the blending proportions described in Tables 1 and 2, and the obtained metal mixture is melted and homogenized in a melting furnace to obtain solder.
  • the alloy was prepared.
  • the compounding ratio of tin (Sn) in the compounding prescription of each Example and each comparative example is each metal (tin (Sn), silver (Ag), indium (In), bismuth (Bi) described in Tables 1-2. ), Antimony (Sb), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), gallium (Ga), germanium (Ge), phosphorus (P), and the remainder after subtracting the blending ratio (mass%) .
  • each metal of Ag, In, Bi and Sb is blended at a ratio shown in Table 1, and the balance is Sn.
  • Examples 2 to 3 are examples of formulations in which the blending ratio of Ag is increased with respect to the formulation of Example 1, and Example 4 increases the content ratio of In with respect to the formulation of Example 3 It is an example of the prescription made.
  • Examples 5 to 7 are examples of formulations in which the blending ratio of Sb is increased with respect to the formulations of Examples 1 to 3, and Examples 8 to 10 are for the formulations of Examples 5 to 7,
  • Examples 11 to 12 are examples of formulations in which the mixing ratio of In is increased, and Examples 11 to 12 are examples of formulations in which the mixing ratio of In is further increased with respect to the formulations of Examples 9 to 10.
  • Examples 13 to 15 are examples of formulations in which the proportion of Sb is further increased with respect to the formulations of Examples 5 to 7, and Examples 16 to 24 are for the formulations of Examples 13 to 15. , And In are mixed.
  • Examples 25 to 30 are examples of a formulation in which any one of Cu, Ni, Co, Ga, Ge and P is added to the formulation of Example 9 in the ratio shown in Table 1, and
  • Example 31 is an example of a formulation in which all of Cu, Ni, Co, Ga, Ge and P were added in the proportions shown in Table 1.
  • Examples 32 and 36 are examples of formulations in which the proportion of Sb is increased or decreased with respect to the formulation of Example 9.
  • Examples 33 to 35 are examples of formulations in which the blending ratio of Bi is increased or decreased with respect to the formulation of Example 9.
  • Example 37 is an example of a formulation in which the blend ratio of Bi is increased relative to the formulation of Example 1.
  • Example 38 is an example of a formulation in which the proportion of Sb is increased relative to the formulation of Example 1.
  • Example 39 is an example of a formulation in which the blend ratio of Bi is increased with respect to the formulation of Example 3.
  • Example 40 is an example of a formulation in which the proportion of Sb is increased relative to the formulation of Example 3.
  • Example 41 is an example of a formulation in which the proportion of In is increased relative to the formulation of Example 38.
  • Example 42 is an example of a formulation in which the blend ratio of Bi is increased with respect to the formulation of Example 38.
  • Example 43 is an example of a formulation in which the proportion of In is increased relative to the formulation of Example 40.
  • Example 44 is an example of a formulation in which the blend ratio of Bi is increased with respect to the formulation of Example 40.
  • Example 45 is an example of a formulation in which the blend ratio of In and the blend ratio of Bi are increased with respect to the formulation of Example 38.
  • Example 46 is an example of a formulation in which the blending ratio of In and the blending ratio of Bi are increased relative to the formulation of Example 40.
  • Comparative Examples 1 and 2 the blending ratio of Sb is decreased relative to the formulations of Examples 45 to 46, and the value of A in the above discriminant equation (1) is adjusted so as to exceed the predetermined value. It is an example.
  • Comparative Examples 3 to 6 are examples of formulations in which the blending ratio of any one of Ag, In, Bi and Sb is reduced with respect to the formulation of Example 1 and is insufficient.
  • Comparative Examples 7 to 10 are examples of formulations in which the blending ratio of any one of Ag, In, Bi, and Sb was increased to the formulation of Example 46 to be an excess.
  • Comparative Examples 11 to 18 are examples of formulations in which the blending ratio of any one of Ag, In, Bi and Sb is increased or decreased with respect to the formulation of Example 9 so as to be insufficient or excessive.
  • Comparative Example 19 is an example of a formulation in which the blending ratio of In is increased with respect to the formulation of Example 5, and the value of A in the above discriminant equation (1) is adjusted to exceed 4.36.
  • Comparative Example 20 is a formulation in which the blending ratio of In and the blending ratio of Bi are increased with respect to the formulation of Example 5, and the value of A in the above discriminant equation (1) is adjusted to exceed 4.36.
  • Comparative Example 21 is an example of a formulation in which the proportion of In is increased with respect to the formulation of Example 7, and the value of A in the above discriminant equation (1) is adjusted to exceed 4.36.
  • Comparative Example 22 is a formulation in which the proportion of In and the proportion of Bi are increased with respect to the prescription of Example 7, and the value of A in the above discriminant equation (1) is adjusted to exceed 4.36.
  • Comparative Example 23 is an example of a formulation in which the blending ratio of Sb is decreased with respect to the formulation of Example 23, and the value of A in the above discriminant equation (1) is adjusted to exceed 4.36.
  • Comparative Example 24 decreases the compounding ratio of Sb and increases the compounding ratio of Bi with respect to the formulation of Example 23, and the value of A in the above discriminant equation (1) exceeds 4.36. It is an example of the prescription adjusted as follows.
  • each metal of Ag, In, Bi and Sb is blended in the ratio shown in Table 1, and Cu, Ni and P are further added in the ratio shown in Table 1, and the remainder is Sn and It is
  • solder Paste The obtained solder alloy was pulverized to a particle size of 25 to 38 ⁇ m, and the obtained solder alloy powder was mixed with a known flux to obtain a solder paste.
  • solder paste was printed on a printed circuit board for mounting a chip component, and the chip component was mounted by a reflow method. About the printing conditions of the solder paste at the time of mounting, the size of a chip component, etc., it set suitably according to each evaluation mentioned later.
  • the solder paste obtained in each of the examples and the comparative examples was printed on a chip component mounting printed circuit board, and the chip components were mounted by a reflow method.
  • the printed film thickness of the solder paste was adjusted using a 150 ⁇ m thick metal mask.
  • chip capacitors and chip resistor components of 1005 size and 3216 size were mounted at predetermined positions of the printed circuit board, and were heated in a reflow furnace to mount the chip components.
  • the reflow conditions are set such that the preheating time is 170 to 190 ° C., the peak temperature is 260 ° C., and the time of 220 ° C. or more is 45 seconds, and the cooling rate from the peak temperature to 200 ° C. is 3 It was set to ⁇ 8 ° C / s.
  • the printed circuit board was subjected to a thermal cycle test in which it was held for 30 minutes in a 150 ° C. environment and then for 30 minutes in a -40 ° C. environment.
  • the number of evaluation chips was set to 10 chip capacitors of 1005 size or 3216 size, and the ranking was performed with the largest crack at each chip size.
  • B The percentage of cracks was less than 100% of the full length of the fillet.
  • C The crack completely crossed the fillet.
  • solder alloy, the solder composition and the solder paste of the present invention are used in electronic circuit boards used for electric and electronic devices and the like.

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Abstract

 実質的にスズ、銀、インジウム、ビスマスおよびアンチモンからなるはんだ合金においてはんだ合金の総量に対して銀の含有割合を2.8質量%以上4質量%以下インジウムの含有割合を6.2質量%以上9.0質量%以下ビスマスの含有割合を0.7質量%以上5.0質量%以下アンチモンの含有割合を0.3質量%以上5.0質量%以下スズの含有割合を残部とし判別式(1)のAを4.36以下とする。 A=0.87×[In含有割合(質量%)]-0.41×[Ag含有割合(質量%)]-0.82×[Sb含有割合(質量%)](1)

Description

はんだ合金、ソルダペーストおよび電子回路基板
 本発明は、はんだ合金、ソルダペーストおよび電子回路基板に関し、詳しくは、はんだ合金、そのはんだ合金を含有するソルダペースト、さらに、そのソルダペーストを用いて得られる電子回路基板に関する。
 一般的に、電気・電子機器などにおける金属接合では、ソルダペーストを用いたはんだ接合が採用されており、このようなソルダペーストには、従来、鉛を含有するはんだ合金が用いられる。
 しかしながら、近年、環境負荷の観点から、鉛の使用を抑制することが要求されており、そのため、鉛を含有しないはんだ合金(鉛フリーはんだ合金)の開発が進められている。
 このような鉛フリーはんだ合金としては、例えば、スズ-銅系合金、スズ-銀-銅系合金、スズ-銀-インジウム-ビスマス系合金、スズ-ビスマス系合金、スズ-亜鉛系合金などがよく知られているが、とりわけ、スズ-銀-銅系合金、スズ-銀-インジウム-ビスマス系合金などが広く用いられている。
 鉛フリーはんだ合金として、より具体的には、Agを0.5~5重量%、Inを0.5~20重量%、Biを0.1~3重量%の割合で含有し、さらに、Sb、Zn、Ni、Ga、GeおよびCuからなる群より選択される少なくとも1種を、3重量%以下の割合で含有し、残部がSnであるSn系はんだ合金が、提案されている(特許文献1参照)。
 また、鉛フリーはんだ合金としては、上記の他、例えば、Agを1.0~4.0重量%、Inを4.0~6.0重量%、Biを0.1~1.0重量%の割合で含有し、さらに、Cu、Ni、Co、FeおよびSbからなる群より選択される1種類以上の元素を1重量%以下の割合で含有し、残部がSnであるはんだ材料が、提案されている(特許文献2参照)。
特開2004-188453号公報 国際公開第2010/122764号パンフレット
 一方、このようなはんだ合金によりはんだ付される部品は、自動車のエンジンルームなど、比較的厳しい温度サイクル条件(例えば、-40~150℃間の温度サイクルなど)下において用いられる場合がある。
 そのため、はんだ合金としては、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露される場合にも、耐久性(とりわけ、耐冷熱疲労性)に優れることが要求される。また、はんだ付においては、比較的小さなサイズの電子部品(例えば、1005サイズ(1.0mm×0.5mm)のチップ部品)のみならず、比較的大きなサイズの電子部品(例えば、1608サイズ(1.6mm×0.8mm)のチップ部品、3216サイズ(3.2mm×1.6mm)のチップ部品など)が用いられる場合がある。
 そのため、比較的厳しい温度サイクル条件下においても、サイズの大小によらず、電子部品を良好にはんだ付できるはんだ合金が、要求されている。
 この点、特許文献1および特許文献2に記載のはんだ合金を用いて、比較的大きなサイズの電子部品をはんだ付し、得られた部品を比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露すると、例えば、相変態によってはんだ合金が変形し、互いに隣接するはんだ合金間に短絡を生じる場合や、例えば、はんだ合金にクラックを生じる場合があり、さらには、電子部品に損傷を生じる場合がある。
 本発明の目的は、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、相変態による短絡を抑制することができ、はんだ付される電子部品の大小によらず、優れた耐久性を有し、さらに、はんだ付された電子部品などの損傷を抑制することができるはんだ合金、そのはんだ合金を含有するソルダペースト、さらに、そのソルダペーストを用いて得られる電子回路基板を提供することにある。
 本発明の一観点に係るはんだ合金は、実質的に、スズ、銀、インジウム、ビスマスおよびアンチモンからなるはんだ合金であって、前記はんだ合金の総量に対して、前記銀の含有割合が、2.8質量%以上4質量%以下であり、前記インジウムの含有割合が、6.2質量%以上9.0質量%以下であり、前記ビスマスの含有割合が、0.7質量%以上5.0質量%以下であり、前記アンチモンの含有割合が、0.3質量%以上5.0質量%以下であり、前記スズの含有割合が、残部の割合であり、下記判別式(1)のAの値が、4.36以下であることを特徴としている。
 A=0.87×[In含有割合(質量%)]-0.41×[Ag含有割合(質量%)]-0.82×[Sb含有割合(質量%)]・・・(1)
 また、前記はんだ合金では、前記ビスマスの含有割合が、1.0質量%以上3.0質量%以下であることが好適である。
 また、前記はんだ合金では、前記アンチモンの含有割合が、1、0質量%以上3.0質量%以下であることが好適である。
 また、前記はんだ合金は、さらに、銅、ニッケル、コバルト、ガリウム、ゲルマニウムおよびリンからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含有し、はんだ合金の総量に対して、前記元素の含有割合が、0質量%を超過し1質量%以下であることが好適である。
 また、本発明の他の一観点に係るソルダペーストは、上記のはんだ合金からなるはんだ粉末と、フラックスとを含有することを特徴としている。
 また、本発明のさらに他の一観点に係る電子回路基板は、上記のソルダペーストによるはんだ付部を備えることを特徴としている。
 本発明の一観点に係るはんだ合金は、実質的に所定量のスズ、銀、インジウム、ビスマスおよびアンチモンからなるはんだ合金において、上記判別式(1)のAの値が、所定の値となるように設計されている。
 そのため、本発明の一観点に係るはんだ合金によれば、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、相変態による短絡を抑制することができ、はんだ付される電子部品の大小によらず、優れた耐久性を有し、さらに、はんだ付された電子部品などの損傷を抑制することができる。
 そして、本発明の他の一観点に係るソルダペーストは、上記はんだ合金を含有するので、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、相変態による短絡を抑制することができ、はんだ付される電子部品の大小によらず、優れた耐久性を有し、さらに、はんだ付けされた電子部品などの損傷を抑制することができる。
 また、本発明のさらに他の一観点に係る電子回路基板は、はんだ付において、上記ソルダペーストが用いられるので、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、相変態による短絡を抑制することができ、はんだ付される電子部品の大小によらず、優れた耐久性を有し、さらに、はんだ付された電子部品などの損傷を抑制することができる。
 本発明の一観点に係るはんだ合金は、スズ-銀-インジウム-ビスマス系のはんだ合金であって、必須成分として、スズ(Sn)、銀(Ag)、インジウム(In)、ビスマス(Bi)およびアンチモン(Sb)を含有している。換言すれば、はんだ合金は、実質的に、スズ、銀、インジウム、ビスマスおよびアンチモンからなる。なお、本明細書において、実質的とは、上記の各元素を必須成分とし、また、後述する任意成分を後述する割合で含有することを許容する意味である。
 このようなはんだ合金において、スズの含有割合は、後述する各成分の残余の割合であって、各成分の配合量に応じて、適宜設定される。
 銀の含有割合は、はんだ合金の総量に対して、2.8質量%以上、好ましくは、3.0質量%以上であり、4質量%以下、好ましくは、3.8質量%以下である。
 銀の含有割合が上記範囲であれば、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、相変態による短絡を抑制することができ、はんだ付される電子部品の大小によらず、優れた耐久性を有し、さらに、はんだ付された電子部品などの損傷を抑制することができる。
 一方、銀の含有割合が上記下限未満である場合には、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露する場合の耐久性(とりわけ、比較的大きいサイズの電子部品に用いる場合の耐久性)に劣る。また、銀の含有割合が上記上限を超過する場合にも、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露する場合の耐久性(とりわけ、比較的大きいサイズの電子部品に用いる場合の耐久性)に劣り、さらには、はんだ付される電子部品などの破損を生じる場合がある。
 インジウムの含有割合は、はんだ合金の総量に対して、6.2質量%以上、好ましくは、6.5質量%以上であり、9.0質量%以下、好ましくは、8.0質量%以下である。
 インジウムの含有割合が上記範囲であれば、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、相変態による短絡を抑制することができ、はんだ付される電子部品の大小によらず、優れた耐久性を有し、さらに、はんだ付された電子部品などの損傷を抑制することができる。
 具体的には、このはんだ合金は、スズおよび銀を含むので、通常、その中にAgSn(銀三スズ)組織が存在している。このようなAgSn組織は、繰り返し温度が上下されることにより凝集し、クラックを惹起する場合がある。
 これに対して、はんだ合金にインジウムが上記割合で含有されている場合には、インジウムと銀が化合物を形成することにより、AgSnの凝集が抑制されるため、耐久性の向上を図ることができる。
 さらに、このようなはんだ合金によりはんだ付される部品(回路基板など)は、繰り返し加温状態および冷却状態に曝露されることにより、破損を生じる可能性があるが、はんだ合金にインジウムが上記割合で含有されていれば、部品の破壊を良好に抑制できる。
 なお、上記メカニズムは、本発明者等により推測されたものであり、したがって、本発明は、上記メカニズムに限定されない。
 一方、インジウムの含有割合が上記下限未満である場合には、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露する場合の耐久性(とりわけ、比較的大きいサイズの電子部品に用いる場合の耐久性)に劣り、さらには、はんだ付される電子部品などの破損を生じる。また、インジウムの含有割合が上記上限を超過する場合にも、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露する場合の耐久性(とりわけ、比較的大きいサイズの電子部品に用いる場合の耐久性)に劣り、さらには、はんだ付される電子部品などの破損を生じる場合がある。
 ビスマスの含有割合は、はんだ合金の総量に対して、0.7質量%以上、好ましくは、1.0質量%以上であり、5.0質量%以下、好ましくは、3.0質量%以下である。
 ビスマスの含有割合が上記範囲であれば、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、相変態による短絡を抑制することができ、はんだ付される電子部品の大小によらず、優れた耐久性を有し、さらに、はんだ付された電子部品などの損傷を抑制することができる。
 一方、ビスマスの含有割合が上記下限未満である場合には、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露する場合の耐久性(とりわけ、比較的大きいサイズの電子部品に用いる場合の耐久性)に劣る。また、ビスマスの含有割合が上記上限を超過する場合には、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露する場合の耐久性(とりわけ、比較的大きいサイズの電子部品に用いる場合の耐久性)に劣る場合があり、さらに、はんだ付される電子部品などの破損を生じる。
 アンチモンの含有割合は、はんだ合金の総量に対して、0.3質量%以上、好ましくは、1.0質量%以上であり、5.0質量%以下、好ましくは、3.0質量%以下である。
 アンチモンの含有割合が上記範囲であれば、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、相変態による短絡を抑制することができ、はんだ付される電子部品の大小によらず、優れた耐久性を有し、さらに、はんだ付された電子部品などの損傷を抑制することができる。
 一方、アンチモンの含有割合が上記下限未満である場合には、はんだ合金が相変態する場合があるため、短絡を生じるおそれがあり、また、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露する場合の耐久性(とりわけ、比較的大きいサイズの電子部品に用いる場合の耐久性)に劣る。また、アンチモンの含有割合が上記上限を超過する場合には、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露する場合の比較的大きいサイズの電子部品に対する耐久性に劣る場合があり、また、はんだ付される電子部品などの破損を生じる。
 また、上記はんだ合金は、任意成分として、さらに、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、リン(P)などを含有することができる。
 任意成分として銅を含有する場合には、その含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、0質量%を超過し、例えば、1.0質量%以下である。
 銅の含有割合が上記範囲であれば、本発明の優れた効果を維持することができる。
 任意成分としてニッケルを含有する場合には、その含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、0質量%を超過し、例えば、1.0質量%以下である。
 ニッケルの含有割合が上記範囲であれば、本発明の優れた効果を維持することができる。
 任意成分としてコバルトを含有する場合には、その含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、0質量%を超過し、例えば、1.0質量%以下である。
 コバルトの含有割合が上記範囲であれば、本発明の優れた効果を維持することができる。
 任意成分としてガリウムを含有する場合には、その含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、0質量%を超過し、例えば、1.0質量%以下である。
 ガリウムの含有割合が上記範囲であれば、本発明の優れた効果を維持することができる。
 任意成分としてゲルマニウムを含有する場合には、その含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、0質量%を超過し、例えば、1.0質量%以下である。
 ゲルマニウムの含有割合が上記範囲であれば、本発明の優れた効果を維持することができる。
 任意成分としてリンを含有する場合には、その含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、0質量%を超過し、例えば、1.0質量%以下である。
 リンの含有割合が上記範囲であれば、本発明の優れた効果を維持することができる。
 これら任意成分は、単独使用または2種類以上併用することができる。
 任意成分として上記の元素が含有される場合、その含有割合(2種類以上併用される場合には、それらの総量)は、はんだ合金の総量に対して、例えば、0質量%を超過し、例えば、1.0質量%以下となるように、調整される。
 任意成分の含有割合の総量が上記範囲であれば、本発明の優れた効果を維持することができる。
 そして、このようなはんだ合金では、インジウムの含有割合、銀の含有割合、および、アンチモンの含有割合が、下記判別式(1)のAの値が後述する所定値となるように、調整される。
 A=0.87×[In含有割合(質量%)]-0.41×[Ag含有割合(質量%)]-0.82×[Sb含有割合(質量%)]・・・(1)
 上記の判別式(1)において、In含有割合とは、はんだ合金の総量に対するインジウムの含有割合(質量%)であり、また、Ag含有割合とは、はんだ合金の総量に対する銀の含有割合(質量%)であり、さらに、Sb含有割合とは、はんだ合金の総量に対するアンチモンの含有割合(質量%)である。
 上記判別式(1)におけるAの値としては、4.36以下であることが挙げられ、好ましくは、4.20未満である。
 上記判別式(1)におけるAの値が上記上限以下であれば、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、相変態による短絡を抑制することができ、はんだ付される電子部品の大小によらず、優れた耐久性を有し、さらに、はんだ付された電子部品などの損傷を抑制することができる。
 一方、上記判別式(1)におけるAの値が上記上限を超過する場合には、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露する場合の耐久性(とりわけ、比較的大きいサイズの電子部品に用いる場合の耐久性)に劣る場合や、はんだ付される電子部品などの破損を生じる場合があり、さらに、相変態により短絡が生じる。
 そして、このようなはんだ合金は、上記した各金属成分を溶融炉において溶融させ、均一化するなど、公知の方法で合金化することにより得ることができる。
 なお、はんだ合金の製造に用いられる上記した各金属成分は、本発明の優れた効果を阻害しない範囲において、微量の不純物(不可避不純物)を含有することができる。
 不純物としては、例えば、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)、亜鉛(Zn)、金(Au)などが挙げられる。
 そして、このようにして得られるはんだ合金の、DSC法(測定条件:昇温速度0.5℃/分)により測定される融点は、例えば、190℃以上、好ましくは、200℃以上であり、例えば、250℃以下、好ましくは、240℃以下である。
 はんだ合金の融点が上記範囲であれば、ソルダペーストに用いた場合に、簡易かつ作業性よく金属接合することができる。
 そして、上記のはんだ合金は、実質的に所定量のスズ、銀、インジウム、ビスマスおよびアンチモンからなるはんだ合金において、上記判別式(1)のAの値が、所定の値となるように設計されている。
 そのため、上記のはんだ合金によれば、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、相変態による短絡を抑制することができ、はんだ付される電子部品の大小によらず、優れた耐久性を有し、さらに、はんだ付された電子部品などの損傷を抑制することができる。
 そのため、このようなはんだ合金は、好ましくは、ソルダペースト(ソルダペースト接合材)に含有される。
 具体的には、本発明の他の一観点に係るソルダペーストは、上記したはんだ合金と、フラックスとを含有している。
 ソルダペーストにおいて、はんだ合金は、好ましくは、粉末として含有される。
 粉末形状としては、特に制限されず、例えば、実質的に完全な球状、例えば、扁平なブロック状、例えば、針状などが挙げられ、また、不定形であってもよい。粉末形状は、ソルダペーストに要求される性能(例えば、チクソトロピー、粘度など)に応じて、適宜設定される。
 はんだ合金の粉末の平均粒子径(球状の場合)、または、平均長手方向長さ(球状でない場合)は、レーザ回折法による粒子径・粒度分布測定装置を用いた測定で、例えば、5μm以上、好ましくは、15μm以上、例えば、100μm以下、好ましくは、50μm以下である。
 フラックスとしては、特に制限されず、公知のはんだフラックスを用いることができる。
 具体的には、フラックスは、例えば、ベース樹脂(ロジン、アクリル樹脂など)、活性剤(例えば、エチルアミン、プロピルアミンなどアミンのハロゲン化水素酸塩、例えば、乳酸、クエン酸、安息香酸などの有機カルボン酸など)、チクソトロピー剤(硬化ひまし油、蜜ロウ、カルナバワックスなど)などを主成分とし、また、フラックスを液状にして使用する場合には、さらに有機溶剤を含有することができる。
 そして、ソルダペーストは、上記したはんだ合金からなる粉末と、上記したフラックスとを、公知の方法で混合することにより得ることができる。
 はんだ合金と、フラックスとの配合割合は、はんだ合金はんだ合金:フラックス(質量比)として、例えば、70:30~90:10である。
 そして、上記ソルダペーストは、上記はんだ合金を含有するので、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、相変態による短絡を抑制することができ、はんだ付される電子部品の大小によらず、優れた耐久性を有し、さらに、はんだ付された電子部品などの損傷を抑制することができる。
 また、本発明は、上記のソルダペーストによるはんだ付部を備える電子回路基板を含んでいる。
 すなわち、上記のソルダペーストは、例えば、電気・電子機器などの電子回路基板の電極と、電子部品とのはんだ付(金属接合)において、好適に用いられる。
 電子部品としては、特に制限されず、例えば、チップ部品(ICチップなど)、抵抗器、ダイオード、コンデンサ、トランジスタなどの公知の電子部品が挙げられる。
 電子部品のサイズとしては、例えば、電子部品が平面視略矩形状である場合などには、一辺の長さが、例えば、0.2mm以上であり、例えば、6.4mm以下である。
 また、他辺の長さが、例えば、0.1mm以上であり、例えば、3.2mm以下である。
 また、厚みが、例えば、0.05mm以上であり、例えば、3.0mm以下である。
 また、一辺の長さと、他辺の長さとの積(平面視面積)が、例えば、0.02mm以上であり、例えば、21mm以下である。
 なお、一辺の長さと、他辺の長さとの積(平面視面積)が、0.5mm以下の電子部品は、比較的小さなサイズの電子部品として扱われ、具体的には、例えば、1005サイズ(1.0mm×0.5mm)の電子部品などが挙げられる。
 また、一辺の長さと、他辺の長さとの積(平面視面積)が、0.5mmを超過する電子部品は、比較的大きなサイズの電子部品として扱われ、具体的には、例えば、1608サイズ(1.6mm×0.8mm)の電子部品、3216サイズ(3.2mm×1.6mm)の電子部品などが挙げられる。
 そして、このような電子回路基板は、はんだ付において、上記ソルダペーストが用いられるので、そのはんだ付部において、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、相変態による短絡を抑制することができ、はんだ付される電子部品の大小によらず、優れた耐久性を有し、さらに、はんだ付された電子部品などの損傷を抑制することができる。
 なお、上記はんだ合金の使用方法は、上記ソルダペーストに限定されず、例えば、やに入りはんだ接合材の製造に用いることもできる。具体的には、例えば、公知の方法(例えば、押出成形など)により、上記のフラックスをコアとして、上記はんだ合金を線状に成形することにより、やに入りはんだ接合材を得ることもできる。
 そして、このようなやに入りはんだ接合材も、ソルダペーストと同様、例えば、電気・電子機器などの電子回路基板のはんだ付(金属接合)において、好適に用いられる。
 次に、本発明を実施例および比較例に基づいて説明するが、本発明は下記の実施例によって限定されるものではない。以下に示す実施例の数値は、実施形態において記載される数値(すなわち、上限値または下限値)に代替することができる。
  実施例1~46および比較例1~44
 ・はんだ合金の調製
 表1~2に記載の各金属の粉末を、表1~2に記載の配合割合でそれぞれ混合し、得られた金属混合物を溶解炉にて溶解および均一化させて、はんだ合金を調製した。
 なお、各実施例においては、下記判別式(1)のAの値が、4.36以下となるように調整した。
 A=0.87×[In含有割合(質量%)]-0.41×[Ag含有割合(質量%)]-0.82×[Sb含有割合(質量%)]・・・(1)
 また、各実施例および各比較例の配合処方におけるスズ(Sn)の配合割合は、表1~2に記載の各金属(スズ(Sn)、銀(Ag)、インジウム(In)、ビスマス(Bi)、アンチモン(Sb)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、リン(P))の配合割合(質量%)を差し引いた残部である。
 実施例1のはんだ合金は、Ag、In、BiおよびSbの各金属を表1に示す割合で配合して、残部をSnとしたものである。
 実施例2~3は、実施例1の処方に対して、Agの配合割合を増加させた処方の例であり、実施例4は、実施例3の処方に対して、Inの含有割合を増加させた処方の例である。
 実施例5~7は、実施例1~3の処方に対して、Sbの配合割合を増加させた処方の例であり、実施例8~10は、実施例5~7の処方に対して、Inの配合割合を増加させた処方の例であり、実施例11~12は、実施例9~10の処方に対して、Inの配合割合をさらに増加させた処方の例である。
 実施例13~15は、実施例5~7の処方に対して、Sbの配合割合をさらに増加させた処方の例であり、実施例16~24は、実施例13~15の処方に対して、Inの配合割合を増加させた処方の例である。
 実施例25~30は、実施例9の処方に対して、Cu、Ni、Co、Ga、GeおよびPの内のいずれか1種を表1に示す割合で添加した処方の例であり、実施例31は、Cu、Ni、Co、Ga、GeおよびPの全てを表1に示す割合で添加した処方の例である。
 実施例32および36は、実施例9の処方に対して、Sbの配合割合を増減させた処方の例である。
 実施例33~35は、実施例9の処方に対して、Biの配合割合を増減させた処方の例である。
 実施例37は、実施例1の処方に対して、Biの配合割合を増加させた処方の例である。
 実施例38は、実施例1の処方に対して、Sbの配合割合を増加させた処方の例である。
 実施例39は、実施例3の処方に対して、Biの配合割合を増加させた処方の例である。
 実施例40は、実施例3の処方に対して、Sbの配合割合を増加させた処方の例である。
 実施例41は、実施例38の処方に対して、Inの配合割合を増加させた処方の例である。
 実施例42は、実施例38の処方に対して、Biの配合割合を増加させた処方の例である。
 実施例43は、実施例40の処方に対して、Inの配合割合を増加させた処方の例である。
 実施例44は、実施例40の処方に対して、Biの配合割合を増加させた処方の例である。
 実施例45は、実施例38の処方に対して、Inの配合割合およびBiの配合割合を増加させた処方の例である。
 実施例46は、実施例40の処方に対して、Inの配合割合およびBiの配合割合を増加させた処方の例である。
 比較例1~2は、実施例45~46の処方に対して、Sbの配合割合を減少させ、上記の判別式(1)におけるAの値が上記所定値を超過するように調整した処方の例である。
 比較例3~6は、実施例1の処方に対して、Ag、In、BiおよびSbの内のいずれか1種の配合割合を減少させ、不十分とした処方の例である。
 比較例7~10は、実施例46の処方に対して、Ag、In、BiおよびSbの内のいずれか1種の配合割合を増加させ、過剰とした処方の例である。
 比較例11~18は、実施例9の処方に対して、Ag、In、BiおよびSbの内のいずれか1種の配合割合を増減させ、不十分または過剰とした処方の例である。
 比較例19は、実施例5の処方に対して、Inの配合割合を増加させ、上記の判別式(1)におけるAの値が4.36を超過するように調整した処方の例である。
 比較例20は、実施例5の処方に対して、Inの配合割合およびBiの配合割合を増加させ、上記の判別式(1)におけるAの値が4.36を超過するように調整した処方の例である。
 比較例21は、実施例7の処方に対して、Inの配合割合を増加させ、上記の判別式(1)におけるAの値が4.36を超過するように調整した処方の例である。
 比較例22は、実施例7の処方に対して、Inの配合割合およびBiの配合割合を増加させ、上記の判別式(1)におけるAの値が4.36を超過するように調整した処方の例である。
 比較例23は、実施例23の処方に対して、Sbの配合割合を減少させ、上記の判別式(1)におけるAの値が4.36を超過するように調整した処方の例である。
 比較例24は、実施例23の処方に対して、Sbの配合割合を減少させ、また、Biの配合割合を増加させ、上記の判別式(1)におけるAの値が4.36を超過するように調整した処方の例である。
 比較例25~32は、実施例1~3のいずれかの処方に対して、Inの配合割合を増加させ、上記の判別式(1)におけるAの値が4.36を超過するように調整した処方の例である。
 比較例33~36は、実施例5~7のいずれかの処方に対して、Inの配合割合を増加させ、上記の判別式(1)におけるAの値が4.36を超過するように調整した処方の例である。
 比較例37~44は、Ag、In、BiおよびSbの各金属を表1に示す割合で配合して、さらに、Cu、Ni、Pを表1に示す割合で添加して、残部をSnとしたものである。
 ・ソルダペーストの調製
 得られたはんだ合金を、粒径が25~38μmとなるように粉末化し、得られたはんだ合金の粉末と、公知のフラックスとを混合して、ソルダペーストを得た。
 ・ソルダペーストの評価
 得られたソルダペーストをチップ部品搭載用のプリント基板に印刷して、リフロー法によりチップ部品を実装した。実装時のソルダペーストの印刷条件、チップ部品のサイズ等については、後述する各評価に応じて適宜設定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  評価
 <電子回路基板の製造>
 各実施例および各比較例において得られたソルダペーストを、チップ部品搭載用プリント基板に印刷して、リフロー法によりチップ部品を実装した。ソルダペーストの印刷膜厚は、厚さ150μmのメタルマスクを用いて調整した。ソルダペーストの印刷後、1005サイズおよび3216サイズのチップコンデンサおよびチップ抵抗部品を、上記プリント基板の所定位置に搭載して、リフロー炉で加熱し、チップ部品を実装した。リフロー条件は、プリヒートを170~190℃、ピーク温度を260℃として、220℃以上である時間が45秒間となるように設定し、また、ピーク温度から200℃までの降温時の冷却速度を3~8℃/秒に設定した。
 さらに、上記プリント基板を150℃の環境下で30分間保持し、次いで-40℃の環境下で30分間保持する冷熱サイクル試験に供した。
  <相変態>
 上記冷熱サイクルを3000サイクル繰り返したプリント基板について、0.4mmピッチのQFNランド部分(0.2mm幅ランド、0.2mm幅ギャップ)を外観観察し、下記の基準でランク付けした。
A:はんだ合金の変形が認められなかった。
B:はんだ合金の変形が認められたが、隣り合うランドのはんだ合金のブリッジは認められなかった。
C:隣り合うランドのはんだ合金との間にブリッジが形成されていた。
  <耐久性>
 冷熱サイクル3000サイクル後の1005サイズおよび3216サイズのチップコンデンサ部分を切断して、断面を研磨後、はんだフィレット部に発生した亀裂の割合を、以下の基準によりランク付けした。評価チップ数は、1005サイズまたは3216サイズのチップコンデンサを各10個とし、各チップサイズにおいて、亀裂が最大のものにより、ランク付けを実施した。
A:亀裂の割合がフィレット全長の70%以下であった。
B:亀裂の割合がフィレット全長の100%未満であった。
C:亀裂がフィレット部を完全に横断していた。
  <部品破壊>
 冷熱サイクル3000サイクル後の3216サイズチップ抵抗部分を切断して、断面を研磨後、チップ抵抗部品自体の電極部分に発生した亀裂の程度を、以下の基準によりランク付けした。なお、評価チップ数は10個とし、亀裂が最大のものでランク付けを実施した。
A:部品電極に亀裂が発生していなかった。
B:部品電極に亀裂が入っているが断裂していなかった。
C:部品電極の亀裂により、電極部分が断裂していた。
  <総合評価>
 「相変態」、「1005サイズチップを用いた際の耐久性」、「3216サイズチップを用いた際の耐久性」および「部品破壊」の各評価に対する評点として、評価“A”を2点、評価“B”を1点、評価“C”を0点とした。次いで、各評価項目の評点の合計を算出し、評価の合計に基づいて、各実施例および各比較例により得られたソルダペーストを、下記の基準によって総合的に評価した。
A:極めて良好(評点合計が8点である。)
B:良好(評点合計が6点または7点であり、かつ、評価“C”を含まない。)
C:不良(ランクCの項目を一つでも含む。)
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記特許請求の範囲に含まれる。
 本発明のはんだ合金、はんだ組成物およびソルダペーストは、電気・電子機器などに用いられる電子回路基板において、利用される。
 

Claims (6)

  1.  実質的に、スズ、銀、インジウム、ビスマスおよびアンチモンからなるはんだ合金であって、
     前記はんだ合金の総量に対して、
     前記銀の含有割合が、2.8質量%以上4質量%以下であり、
     前記インジウムの含有割合が、6.2質量%以上9.0質量%以下であり、
     前記ビスマスの含有割合が、0.7質量%以上5.0質量%以下であり、
     前記アンチモンの含有割合が、0.3質量%以上5.0質量%以下であり、
     前記スズの含有割合が、残部の割合であり、
     下記判別式(1)のAの値が、4.36以下であることを特徴とする、はんだ合金。
     A=0.87×[In含有割合(質量%)]-0.41×[Ag含有割合(質量%)]-0.82×[Sb含有割合(質量%)]・・・(1)
  2.  前記ビスマスの含有割合が、1.0質量%以上3.0質量%以下である、請求項1に記載のはんだ合金。
  3.  前記アンチモンの含有割合が、1、0質量%以上3.0質量%以下である、
    請求項1に記載のはんだ合金。
  4.  さらに、銅、ニッケル、コバルト、ガリウム、ゲルマニウムおよびリンからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含有し、
     はんだ合金の総量に対して、前記元素の含有割合が、0質量%を超過し1質量%以下である、請求項1に記載のはんだ合金。
  5.  はんだ合金からなるはんだ粉末と、フラックスとを含有し、
     前記はんだ合金は、
     実質的に、スズ、銀、インジウム、ビスマスおよびアンチモンからなるはんだ合金であって、
     前記はんだ合金の総量に対して、
     前記銀の含有割合が、2.8質量%以上4質量%以下であり、
     前記インジウムの含有割合が、6.2質量%以上9.0質量%以下であり、
     前記ビスマスの含有割合が、0.7質量%以上5.0質量%以下であり、
     前記アンチモンの含有割合が、0.3質量%以上5.0質量%以下であり、
     前記スズの含有割合が、残部の割合であり、
     下記判別式(1)のAの値が、4.36以下である
    ことを特徴とする、ソルダペースト。
     A=0.87×[In含有割合(質量%)]-0.41×[Ag含有割合(質量%)]-0.82×[Sb含有割合(質量%)]・・・(1)
  6.  ソルダペーストによるはんだ付部を備え、
     前記ソルダペーストは、
     はんだ合金からなるはんだ粉末と、フラックスとを含有し、
     前記はんだ合金は、
     実質的に、スズ、銀、インジウム、ビスマスおよびアンチモンからなるはんだ合金であって、
     前記はんだ合金の総量に対して、
     前記銀の含有割合が、2.8質量%以上4質量%以下であり、
     前記インジウムの含有割合が、6.2質量%以上9.0質量%以下であり、
     前記ビスマスの含有割合が、0.7質量%以上5.0質量%以下であり、
     前記アンチモンの含有割合が、0.3質量%以上5.0質量%以下であり、
     前記スズの含有割合が、残部の割合であり、
     下記判別式(1)のAの値が、4.36以下である
    ことを特徴とする、電子回路基板。
     A=0.87×[In含有割合(質量%)]-0.41×[Ag含有割合(質量%)]-0.82×[Sb含有割合(質量%)]・・・(1)
     
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