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WO2015047056A1 - 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

유기 발광 소자 및 이의 제조방법 Download PDF

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Publication number
WO2015047056A1
WO2015047056A1 PCT/KR2014/009241 KR2014009241W WO2015047056A1 WO 2015047056 A1 WO2015047056 A1 WO 2015047056A1 KR 2014009241 W KR2014009241 W KR 2014009241W WO 2015047056 A1 WO2015047056 A1 WO 2015047056A1
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WO
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organic light
light emitting
substrate
emitting device
layer
Prior art date
Application number
PCT/KR2014/009241
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English (en)
French (fr)
Inventor
모성호
정문섭
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to CN201480045520.2A priority patent/CN105474425B/zh
Priority to US14/910,226 priority patent/US9728739B2/en
Priority to EP14846850.7A priority patent/EP3018724B1/en
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present application relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same.
  • the organic light emitting device is a device that emits light while emitting holes and electrons injected through excitation of excitons by injecting holes and electrons into the light emitting layer formed between the electrodes.
  • the organic light emitting device Since the organic light emitting device has a self-luminous property, it is thinner than a conventional liquid crystal display, has a low power consumption, and has an excellent viewing angle and high response speed. In addition, as compared to the plasma display panel or the inorganic EL panel display can be driven at a lower voltage of less than 10V has the advantage of low power consumption and excellent color. In addition, the organic light emitting device may be manufactured using a plastic substrate having a bending property.
  • the organic light emitting device is divided into a passive type and an active type.
  • the passive type the bottom emission method of emitting light generated in the light emitting layer to the substrate surface is adopted.
  • the active method the aperture ratio is reduced due to the TFT. Accordingly, in order to increase the aperture ratio, a front emission method of emitting light toward the opposite side of the substrate is required.
  • the conventional encapsulation method and encapsulation structure of an organic light emitting device having such excellent advantages encapsulates a substrate on which a light emitting body consisting of a first electrode, a second electrode and a light emitting layer is located, and a sealing cap encapsulating the same using a thermosetting or photocurable adhesive member. It is common to do
  • An organic light emitting unit in which a first electrode, an organic material layer, and a second electrode are sequentially stacked on the substrate; An encapsulation part that seals an outer side of the organic light emitting part,
  • an organic light emitting device characterized in that a protective portion is provided on at least a portion of a region on a substrate that is not provided with the organic light emitting portion and an encapsulation portion, and at least a portion of a side region of the substrate.
  • the present application provides a lighting device including the organic light emitting device.
  • the present application provides a display device including the organic light emitting device.
  • the organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present application includes a region in which the organic light emitting portion and the encapsulation portion are not provided among the regions on the thin film glass substrate, and a protection portion in the side region of the substrate, thereby protecting the thin film glass substrate from external exposure. As a result, the rigidity of the organic light emitting device product can be reinforced.
  • 1 is a view schematically showing a conventional organic light emitting device.
  • FIG. 2 is a view schematically showing an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present application.
  • Encapsulation process of OLED technology is a key technology that determines OLED life and reliability.
  • OLED materials are very vulnerable to moisture and oxygen, causing deformation of organic layers and electrodes when moisture or oxygen penetrates, and various problems of life. Can be generated. Therefore, OLEDs absolutely need an encapsulation process for blocking outside air.
  • a conventional organic light emitting device is schematically shown in FIG. 1.
  • an organic light emitting part including a first electrode, an organic material layer, and a second electrode is provided on a glass substrate, and includes an encapsulation part sealing an outer side of the organic light emitting part.
  • a module process is performed.
  • a flexible circuit board is provided on a glass substrate on which the organic light emitting part and the encapsulation part are not provided. (FPCB) is provided.
  • FPCB glass substrate on which the organic light emitting part and the encapsulation part are not provided.
  • an out coupling film OCF is provided below the glass substrate.
  • the OCF is a kind of diffuse film, which can reduce the total reflection condition of the light so that the light generated inside the device can be efficiently emitted to the outside, thereby increasing the light efficiency.
  • the OCF may use materials known in the art.
  • the FPCB is designed to reflect the working tolerance and to be smaller than the pad width
  • the OCF is designed to be smaller than the area of the glass substrate to reflect the working tolerance
  • the thin glass substrate when used as the glass substrate of the organic light emitting diode, the thin glass substrate is exposed to the outside, so that the thin glass substrate may be broken when the organic light emitting diode is handled. Can be.
  • An organic light emitting device the substrate; An organic light emitting unit in which a first electrode, an organic material layer, and a second electrode are sequentially stacked on the substrate; And an encapsulation part encapsulating an outer side of the organic light emitting part, wherein a protective part is provided on at least part of a region on a substrate on which the organic light emitting part and the encapsulation part are not provided and on at least part of a side region of the substrate. It is done.
  • the substrate may be a thin glass substrate.
  • the thin glass substrate may have a thickness of 0.1 mm or less, and may be 50 to 100 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • all regions on the substrate that are not provided with the organic light emitting portion and the encapsulation portion, and protection portions may be provided on all regions of the side region of the substrate.
  • protection unit may be further provided on all areas of the upper region and the side region of the encapsulation portion.
  • the protection part may be provided on both the substrate and the encapsulation part of the organic light emitting diode.
  • an OCF having a larger area than the substrate may be further provided below the substrate.
  • the organic light emitting device has a structure in which a substrate having an area smaller than that of the OCF is provided on the OCF, and the protection part may be further provided on an area of the OCF in which the substrate is not provided.
  • the protection unit may not only physically protect the thin film glass substrate exposed to the outside, but also may act as a barrier to prevent penetration of moisture, air, and the like into the thin glass substrate.
  • the protection unit may include a plastic film.
  • the plastic film is polyimide, polyethylene terephthalate (PET), polyester (polyester), PC (polycarbonate), polyethylene naphthalate (PEN), polyether ether ketone (PEEK), polyarylate (PAR), polycyclic olefin (PCO), polynorbornene (polynorbornene), PES (polyethersulphone) and COP (cycloolefin polymer) may be selected from the group consisting of, but is not limited thereto.
  • the protection part may include an insulating layer and a metal pattern layer.
  • the protective part may include a metal pattern layer provided between two insulating layers and the two insulating layers.
  • the insulating layer may include polyimide, but is not limited thereto.
  • the insulating layer may have a thickness of about 1 ⁇ m to about 50 ⁇ m and about 5 ⁇ m to about 20 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • the metal pattern layer may serve as a barrier to prevent penetration of external moisture, air, and the like into the organic light emitting unit.
  • the first electrode or the second electrode may be electrically connected to an external power source through the metal pattern layer.
  • the metal pattern layer may include a first metal pattern electrically connecting the first electrode and an external power source, and the metal pattern layer may include a second electrically connecting the second electrode and an external power source. It may include a metal pattern.
  • the metal layer may include both the first metal pattern and the second metal pattern.
  • the metal pattern layer may be formed by laminating a metal pattern cut in advance on the insulating layer or by depositing a metal layer on the insulating layer and then patterning the metal pattern.
  • the metal pattern layer may have a thickness of 1 to 50 ⁇ m, and may be 5 to 20 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • the metal pattern layer may include at least one of copper, aluminum, iron, magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, platinum, gold, tungsten, tantalum, silver, tin, and lead.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the protection unit may include a contact hole for electrically connecting the first electrode or the second electrode and an external power source.
  • the contact hole may be formed using a method known in the art.
  • the contact hole may include a conductive paste therein for electrically connecting the first electrode or the second electrode and an external power source.
  • the conductive paste may include one or more selected from Ag, Au, Cu, Ni, Al, W, Co, Pd, and alloys thereof, but is not limited thereto.
  • the protection unit may further include an anisotropic conductive film for electrically connecting the first electrode or the second electrode and the external power source.
  • the anisotropic conductive film may use a thermosetting resin film including a conductive ball made of small conductive particles.
  • the encapsulation part may include a sealing layer in contact with the outside of the organic light emitting part, and a metal layer provided on the sealing layer.
  • the sealing layer may use a face seal film_
  • the face seal film may be an adhesive film including a getter The getter absorbs the residual gas or the gas If the compound to make a compound and can absorb the remaining moisture or oxygen contained on the adhesive film or can react with the compound to form the compound, for example, activated carbon, barium, magnesium, zirconium and red phosphorus There may be at least one.
  • the metal layer may include at least one of copper, aluminum, iron, magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, platinum, gold, tungsten, tantalum, silver, tin, and lead.
  • the present invention is not limited thereto.
  • FIG. 2 An organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present application is schematically illustrated in FIG. 2.
  • the organic light emitting unit may include an anode, one or more organic material layers, and a cathode.
  • the anode may be formed of one or more selected from magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, platinum, gold, tungsten, tantalum, copper, silver, tin, and lead.
  • the anode may also be formed of a transparent conductive oxide.
  • the transparent conductive oxide may be formed of indium (In), tin (Sn), zinc (Zn), gallium (Ga), cerium (Ce), cadmium (Cd), magnesium (Mg), beryllium (Be), and silver (Ag). ), Molybdenum (Mo), vanadium (V), copper (Cu), iridium (Ir), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), tungsten (W), cobalt (Co), nickel (Ni), manganese ( Mn), at least one oxide selected from aluminum (Al), and lanthanum (La).
  • the anode is sputtering, e-beam evaporation, thermal evaporation, laser molecular beam epitaxy (L-MBE), and pulsed laser deposition (Pulsed Laser Deposition).
  • PLD any one of the physical vapor deposition method (Physical Vapor Deposition, PVD); Thermal Chemical Vapor Deposition, Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Light Chemical Vapor Deposition, Laser Chemical Vapor Deposition, Metal- Chemical Vapor Deposition selected from any one of an Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) and a Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE);
  • the layer may be formed using atomic layer deposition (ALD).
  • auxiliary electrode may be further included to improve resistance of the anode.
  • the auxiliary electrode may be formed of at least one selected from the group consisting of a conductive sealant and a metal using a deposition process or a printing process. More specifically, the auxiliary electrode may include Cr, Mo, Al, Cu, alloys thereof, and the like, but is not limited thereto.
  • An insulating layer may be further included on the auxiliary electrode.
  • the insulating layer may be formed using materials and methods known in the art. More specifically, common photoresist materials; Polyimide; Polyacrylic; Silicon nitride; Silicon oxide; Aluminum oxide; Aluminum nitride; Alkali metal oxides; It may be formed using an alkaline earth metal oxide or the like, but is not limited thereto.
  • the thickness of the insulating layer may be 10 nm to 10 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • organic material layer is not particularly limited, and materials and formation methods well known in the art may be used.
  • the organic layer may be formed into a smaller number of layers by using a variety of polymer materials, but not by a deposition process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing or thermal transfer. It can manufacture.
  • the organic material layer may include a light emitting layer, and may have a stacked structure including at least one selected from a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • the hole injection material As a material capable of forming the hole injection layer, a material having a large work function is usually preferred to facilitate hole injection into the organic material layer.
  • the hole injection material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc and gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides, such as ZnO: Al or SnO2: Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
  • the material capable of forming the electron injection layer a material having a small work function is usually preferred to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • the electron injection material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead or alloys thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, and the like, and the same material as the hole injection electrode material may be used, but is not limited thereto.
  • a material capable of forming the light emitting layer a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, is preferably a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence.
  • Specific examples include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene; Phosphorescent host CBP [[4,4'-bis (9-carbazolyl) biphenyl]; Etc., but is not limited thereto.
  • Alq 3 8-hydroxyquinoline aluminum complex
  • Carbazole series compounds Dimerized styryl compounds
  • BAlq 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound
  • Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers
  • Spiro compounds Polyfluorene, rubrene
  • the light emitting material may further include a phosphorescent dopant or a fluorescent dopant to improve fluorescence or phosphorescent properties.
  • a phosphorescent dopant include ir (ppy) (3) (fac tris (2-phenylpyridine) iridium) or F2Irpic [iridium (III) bis (4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N, C2) picolinate] Etc.
  • the fluorescent dopant those known in the art may be used.
  • a material capable of injecting electrons well from the electron injection layer and transferring the electrons to the light emitting layer is suitable.
  • Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq3; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.
  • the cathode may include one or more of Al, Ag, Ca, Mg, Au, Mo, Ir, Cr, Ti, Pd, alloys thereof, and the like, but is not limited thereto.
  • the organic light emitting device according to the present application may be more preferably applied to the organic light emitting device for lighting.
  • the organic light emitting device according to the present application may be more preferably applied to the flexible organic light emitting device.
  • the organic light emitting device may include a light extraction structure. More specifically, the light extraction layer may be further included between the substrate and the organic light emitting device.
  • the light extraction layer is not particularly limited so long as it has a structure capable of inducing light scattering to improve the light extraction efficiency of the organic light emitting device. More specifically, the light extraction layer may have a structure in which scattering particles are dispersed in a binder.
  • the light extraction layer may be formed directly on the substrate by a method such as spin coating, bar coating, slit coating, or the like by forming and attaching a film.
  • the light extraction layer may further include a flat layer.
  • the present invention provides a display device including the organic light emitting device.
  • the organic light emitting diode may serve as a pixel or a backlight.
  • Other configurations of the display apparatus may include those known in the art.
  • the present invention provides a lighting device including the organic light emitting device.
  • the organic light emitting element serves as a light emitting unit.
  • Other configurations required for the lighting device may be applied to those known in the art.
  • the organic light emitting device includes a region in which the organic light emitting portion and the encapsulation portion are not provided among the regions on the thin film glass substrate, and a protection portion in the side region of the substrate, thereby providing the thin film glass substrate. Can be protected from external exposure, thereby reinforcing the rigidity of the organic light emitting device product.

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Abstract

본 발명은 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부; 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함하고, 상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 기판 상의 영역 중 적어도 일부 영역과, 상기 기판의 측면영역 중 적어도 일부 영역 상에, 보호부가 구비되는 것을 특징으로 한다.

Description

유기 발광 소자 및 이의 제조방법
본 출원은 2013년 9월 30일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2013-0116192호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 전극 사이에 형성된 발광층에 전극을 통해 정공과 전자를 주입하여 주입된 정공과 전자가 여기자를 이룬 후 소명하면서 빛을 내는 소자이다.
이러한 유기 발광 소자는 자발광 특성을 지니고 있기 때문에 종래의 액정 디스플레이에 비해 얇고, 소비전력이 낮으며 우수한 시야각과 높은 응답 속도를 지니고 있다는 장점이 있다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널이나 무기 이엘 패널 디스플레이에 비해 10V 이하의 낮은 전압에서 구동이 가능하여 소비 전력이 낮고 색감이 뛰어난 장점이 있다. 뿐만 아니라, 유기 발광 소자는 휘는 특성이 있는 플라스틱 기판을 사용하여 제작할 수도 있다.
또한, 유기 발광 소자는 수동형 방식과 능동형 방식으로 나뉘어진다. 수동형 방식의 경우 발광층에서 생성된 빛을 기판면으로 발광시키는 배면 발광 방식을 채택하고 있다. 반면, 능동형 방식에서 배면 발광 방식을 채택할 경우 TFT에 가려져 개구율이 낮아지게 된다. 따라서, 개구율을 높이기 위해서 기판 반대편으로 발광시키는 전면 발광 방식이 요구되고 있다.
이러한 우수한 장점을 지니고 있는 유기 발광 소자의 종래의 봉지 방법 및 봉지 구조는 제1 전극, 제2 전극 및 발광층으로 이루어진 발광체가 위치한 기판과 이를 봉지하는 봉지캡을 열경화성 또는 광경화성 접착부재를 사용하여 봉지하는 것이 일반적이다.
당 기술분야에서는 봉지 특성이 우수한 유기 발광 소자에 대한 연구가 필요하다.
본 출원은,
기판; 상기 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부; 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함하고,
상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 기판 상의 영역 중 적어도 일부 영역과, 상기 기판의 측면영역 중 적어도 일부 영역 상에, 보호부가 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 출원은, 상기 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다.
또한, 본 출원은, 상기 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 박막 글래스 기판 상의 영역 중 유기 발광부와 봉지부가 구비되지 않은 영역과, 기판의 측면영역에 보호부를 포함함으로써, 상기 박막 글래스 기판을 외부 노출로부터 보호할 수 있고, 이에 따라, 유기 발광 소자 제품의 강성을 보강할 수 있다.
도 1은 종래의 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 2 는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 도이다.
이하에서 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
OLED 기술 중 봉지(encapsulation) 공정은 OLED 수명과 신뢰성을 좌우하는 핵심기술로서, OLED 재료는 수분과 산소에 매우 취약한 특성 상 수분 또는 산소가 침투시 유기물층 및 전극의 변형 유발, 수명 저하의 여러 가지 문제를 발생시킬 수 있다. 따라서, OLED는 외기 차단을 위한 봉지 공정이 절대적으로 필요하다.
종래의 유기 발광 소자를 하기 도 1에 개략적으로 나타내었다. 종래의 유기 발광 소자에서는 글래스 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광부가 구비되고, 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함한다. 상기 유기 발광 소자의 제1 전극 및 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하기 위하여, 모듈(module) 공정을 거치게 되는데, 일반적으로 상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 글래스 기판 상에 연성회로기판(FPCB)이 구비되게 된다. 또한, 상기 글래스 기판의 하부에는 OCF(Out Coupling Film)가 구비된다. 상기 OCF는 확산 필름(diffuse film)의 일종으로서, 광의 전반사 조건을 완화하여 소자 내부에서 발생된 광을 효율적으로 외부로 방출될 수 있도록 하여, 광효율을 증대시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 OCF는 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있다.
상기 FPCB는 작업공차를 반영하여, 패드 폭 대비하여 작게 설계하게 되고, 상기 OCF는 작업공차를 반영하여, 글래스 기판의 면적보다 작게 설계하게 된다.
상기 종래기술에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 글래스 기판으로서 박막 글래스 기판을 이용하는 경우에는, 상기 박막 글래스 기판이 외부로 노출되게 되고, 이에 따라 유기 발광 소자 제품 취급시 박막 글래스 기판이 깨지는 현상이 발생될 수 있다.
따라서, 본 출원에서는 유기 발광 소자의 기판으로서 박막 글래스 기판을 이용하는 경우에, 상기 박막 글래스 기판을 보호하는 공정 등을 연구하여 본 발명을 완성하였다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부; 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함하고, 상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 기판 상의 영역 중 적어도 일부 영역과, 상기 기판의 측면영역 중 적어도 일부 영역 상에, 보호부가 구비되는 것을 특징으로 한다.
본 출원에 있어서, 상기 기판은 박막 글래스(thin glass) 기판일 수 있다. 상기 박막 글래스 기판의 두께는 0.1mm 이하일 수 있고, 50 ~ 100㎛일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 기판 상의 모든 영역과, 기판의 측면영역의 모든 영역 상에 보호부가 구비될 수 있다.
또한, 상기 봉지부의 상부영역 및 측면영역의 모든 영역 상에 보호부가 추가로 구비될 수 있다.
즉, 상기 유기 발광 소자의 기판 및 봉지부의 외측에 모두 상기 보호부가 구비될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 기판의 하부에는 기판보다 넓은 면적을 가지는 OCF가 추가로 구비될 수 있다. 이 때, 상기 유기 발광 소자는 OCF 상에 OCF보다 작은 면적을 가지는 기판이 구비되는 형태의 구조를 가지고, 상기 기판이 구비되지 않은 OCF의 영역 상에 상기 보호부가 추가로 구비될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 보호부는 외부로 노출된 박막 글래스 기판을 물리적으로 보호할 뿐만 아니라, 박막 글래스 기판으로 외부의 수분, 공기 등의 침투를 방지하는 배리어 역할을 수행할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 보호부는 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 상기 플라스틱 필름은 폴리이미드, PET(polyethylene terephthalate), 폴리에스테르(polyester), PC(Polycarbonate), PEN(polyethylene naphthalate), PEEK(polyether ether ketone), PAR(polyarylate), PCO(polycyclicolefin), 폴리노보넨(polynorbornene), PES(polyethersulphone) 및 COP(cycloolefin polymer)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 보호부는 절연층 및 금속 패턴층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호부는 2층의 절연층과 상기 2층의 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함할 수 있다.
상기 절연층은 폴리이미드를 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 절연층의 두께는 1 ~ 50㎛ 일 수 있고, 5 ~ 20㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 금속 패턴층은 유기 발광부 내부에 외부의 수분, 공기 등의 침투를 방지하는 배리어 역할을 수행할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 제1 전극 또는 제2 전극은 상기 금속 패턴층을 통하여 외부 전원과 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 금속 패턴층은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴을 포함할 수 있고, 상기 금속 패턴층은 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함할 수 있다. 또한, 본 출원에 있어서, 상기 금속층은 제1 금속 패턴 및 제2 금속 패턴을 모두 포함할 수 있다.
상기 금속 패턴층은 절연층 상에 미리 재단된 금속 패턴을 라미네이션하거나, 절연층 상에 금속층을 증착하여 형성한 후 패터닝하여 형성할 수 있다.
상기 금속 패턴층의 두께는 1 ~ 50㎛ 일 수 있고, 5 ~ 20㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 금속 패턴층은 구리, 알루미늄, 철, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 은, 주석, 납 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 보호부는 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 상기 컨택홀을 당 기술분야에 알려진 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 컨택홀은 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하기 위하여, 그 내부에 도전성 페이스트를 포함할 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 Ag, Au, Cu, Ni, Al, W, Co, Pd 및 이들의 합금으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 보호부는 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 이방성 도전 필름을 추가로 포함할 수 있다. 상기 이방성 도전 필름은 작은 도전성 입자들로 구성된 도전볼을 포함하는 열경화성 수지 필름을 이용할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 봉지부는 상기 유기 발광부의 외측과 접하는 실링층, 및 상기 실링층 상에 구비된 금속층을 포함할 수 있다.
상기 실링층은 페이스 실 필름(Face seal film_을 이용할 수 있다. 상기 페이스 실 필름(Face seal film)은 게터(getter)를 포함하는 점착필름일 수 있다. 상기 게터는 잔류 기체를 흡수하거나 그 기체와 화합물을 만드는 물질이며 점착필름 상에 포함되어 잔존하는 수분 또는 산소를 흡수하거나 이와 반응하여 화합물을 만들 수 있다면 그 종류를 한정하지 않으나, 예를 들면, 활성탄, 바륨, 마그네슘, 지르코늄 및 붉은 인 중 적어도 하나일 수 있다.
또한, 상기 금속층은 구리, 알루미늄, 철, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 은, 주석, 납 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자를 하기 도 2에 개략적으로 나타내었다.
본 출원에 있어서, 상기 유기 발광부는 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드를 포함할 수 있다.
상기 애노드는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 구리, 은, 주석 및 납 중에서 선택된 1종 이상으로 형성될 수 있다.
또한, 애노드는 투명 전도성 산화물로 형성될 수도 있다. 여기서, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 및 란탄(La) 중에서 선택된 적어도 하나의 산화물일 수 있다.
상기 애노드는 스퍼터링(Sputtering)법, 전자-빔 증착법(E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자 빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy, L-MBE), 및 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition, PLD) 중에서 선택된 어느 하나의 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD); 열 화학 기상 증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), 광 화학 기상 증착법(Light Chemical Vapor Deposition), 레이저 화학 기상 증착법(Laser Chemical Vapor Deposition), 금속-유기 화학 기상 증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 및 수소화물 기상 증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 중에서 선택된 어느 하나의 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition); 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성할 수 있다
상기 애노드의 저항 개선을 위하여 보조전극을 추가로 포함할 수 있다. 상기 보조전극은 전도성 실란트(sealant) 및 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 증착 공정 또는 프린팅 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 보조전극은 Cr, Mo, Al, Cu, 이들의 합금 등을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 보조전극 상에 절연층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 절연층은 당 기술분야에 알려진 재료 및 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 일반적인 포토 레지스트 물질; 폴리이미드; 폴리아크릴; 실리콘 나이트라이드; 실리콘 옥사이드; 알루미늄 옥사이드; 알루미늄 나이트라이드; 알카리 금속 산화물; 알카리토금속 산화물 등을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 절연층의 두께는 10nm ~ 10㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기물층의 구체적인 물질, 형성방법은 특별히 제한되는 것은 아니고, 당 기술분야에 널리 알려진 물질 및 형성방법을 이용할 수 있다.
상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 적층 구조일 수 있다.
상기 정공 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 전자 주입 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있고, 정공 주입 전극 물질과 동일한 물질을 사용할 수도 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층을 형성할 수 있는 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌; 인광 호스트 CBP[[4,4'-bis(9-carbazolyl)biphenyl]; 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 발광 물질은 형광 또는 인광 특성을 향상시키기 위해 인광 도판트 또는 형광 도판트를 추가로 포함할 수 있다. 상기 인광 도판트의 구체적인 예로는 ir(ppy)(3)(fac tris(2-phenylpyridine) iridium) 또는 F2Irpic[iridium(Ⅲ)bis(4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N,C2) picolinate] 등이 있다. 형광 도판트로는 당 기술분야에 알려진 것들을 사용할 수 있다.
상기 전자 수송층을 형성할 수 있는 물질로는 전자 주입층으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드는 Al, Ag, Ca, Mg, Au, Mo, Ir, Cr, Ti, Pd, 이들의 합금 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 따른 유기 발광 소자는 조명용 유기 발광 소자에 보다 바람직하게 적용될 수 있다. 또한, 본 출원에 따른 유기 발광 소자는 플렉서블 유기 발광 소자에 보다 바람직하게 적용될 수 있다.
본 출원에 따른 유기 발광 소자는 광추출 구조를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 기판과 유기 발광 소자 사이에 광추출층을 추가로 포함할 수 있다.
상기 광추출층은 광산란을 유도하여, 유기 발광 소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한하지 않는다. 보다 구체적으로, 상기 광추출층은 바인더 내에 산란입자가 분산된 구조일 수 있다.
또한, 상기 광추출층은 기재 위에 스핀 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법에 의하여 직접 형성되거나, 필름 형태로 제작하여 부착하는 방식에 의하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 광추출층 상에 평탄층을 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 디스플레이 장치에서 상기 유기 발광 소자는 화소 또는 백라이트 역할을 할 수 있다. 그 외 디스플레이 장치의 구성은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. 조명 장치에서 상기 유기 발광 소자는 발광부의 역할을 수행한다. 그 외 조명 장치에 필요한 구성들은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 박막 글래스 기판 상의 영역 중 유기 발광부와 봉지부가 구비되지 않은 영역과, 기판의 측면영역에 보호부를 포함함으로써, 상기 박막 글래스 기판을 외부 노출로부터 보호할 수 있고, 이에 따라, 유기 발광 소자 제품의 강성을 보강할 수 있다.

Claims (19)

  1. 기판; 상기 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부; 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함하고,
    상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 기판 상의 영역 중 적어도 일부 영역과, 상기 기판의 측면영역 중 적어도 일부 영역 상에, 보호부가 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 기판은 박막 글래스(thin glass) 기판인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 박막 글래스 기판의 두께는 0.1mm 이하인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 기판 상의 영역과, 기판의 측면영역의 모든 영역 상에 보호부가 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 봉지부의 상부영역 및 측면영역의 모든 영역 상에 보호부가 추가로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 기판의 하부에는 기판보다 넓은 면적을 가지는 OCF(Out Coupling Film)가 추가로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 OCF 상에 OCF보다 작은 면적을 가지는 기판이 구비되고,
    상기 기판이 구비되지 않은 OCF의 영역 상에 상기 보호부가 추가로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 보호부는 플라스틱 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 보호부는 절연층 및 금속 패턴층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 보호부는 2층의 절연층과 상기 2층의 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  11. 청구항 9에 있어서, 상기 제1 전극 또는 제2 전극은 상기 금속 패턴층을 통하여 외부 전원과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  12. 청구항 9에 있어서, 상기 금속 패턴층은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  13. 청구항 9에 있어서, 상기 금속 패턴층은 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  14. 청구항 1에 있어서, 상기 봉지부는 상기 유기 발광부의 외측과 접하는 실링층, 및 상기 실링층 상에 구비된 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  15. 청구항 1에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 플렉서블 유기 발광 소자인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  16. 청구항 1에 있어서, 상기 기판 및 제1 전극 사이에는 광추출층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 광추출층 상에 평탄층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  18. 청구항 1 내지 17 중 어느 한 항의 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치.
  19. 청구항 1 내지 17 중 어느 한 항의 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치.
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EP14846850.7A EP3018724B1 (en) 2013-09-30 2014-09-30 Organic light-emitting device and manufacturing method therefor

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9728739B2 (en) 2013-09-30 2017-08-08 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and manufacturing method therefor

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014189293A1 (ko) * 2013-05-21 2014-11-27 주식회사 엘지화학 유기전자장치
CN107565047A (zh) * 2017-08-18 2018-01-09 福州大学 一种柔性oled器件的封装方法
KR102603870B1 (ko) * 2018-02-01 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 봉지 구조, 상기 봉지 구조를 갖는 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
CN108630732B (zh) * 2018-04-25 2020-07-28 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN110350007B (zh) * 2019-06-28 2024-04-16 福建华佳彩有限公司 一种amoled封装结构及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020030730A (ko) * 2000-10-17 2002-04-25 가네꼬 히사시 불연속 금속보조전극들을 가지는 유기ｅｌ장치
KR20030083529A (ko) * 2002-04-23 2003-10-30 주식회사 대한전광 측면봉지구조의 유기전계발광소자
KR20120062191A (ko) * 2010-12-06 2012-06-14 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자
KR20120074062A (ko) * 2010-12-27 2012-07-05 웅진케미칼 주식회사 유기전계 발광소자용 충전제 및 이를 활용한 유기전계 발광장치
KR20130053038A (ko) * 2011-11-14 2013-05-23 주식회사 엘지화학 워터젯을 이용하여 패턴화된 광추출층을 포함하는 유기전자소자의 제조방법

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100241470B1 (ko) * 1993-10-04 2000-02-01 지. 쇼 데이비드 커패시터 유전체 및 산소 배리어의 형성에 유용한 가교 결합된 아크릴레이트 코팅 물질
US5990615A (en) 1997-02-03 1999-11-23 Nec Corporation Organic electroluminescent display with protective layer on cathode and an inert medium
KR100249784B1 (ko) * 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
TW468283B (en) * 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
JP2002008856A (ja) 2000-06-27 2002-01-11 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネル
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
KR100413450B1 (ko) * 2001-07-20 2003-12-31 엘지전자 주식회사 표시소자의 보호막 구조
JP4154898B2 (ja) 2002-02-21 2008-09-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子の封止方法
US6891330B2 (en) * 2002-03-29 2005-05-10 General Electric Company Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission
US20050136625A1 (en) * 2002-07-17 2005-06-23 Debora Henseler Ultra-thin glass devices
JP2005050697A (ja) 2003-07-29 2005-02-24 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4218450B2 (ja) * 2003-07-29 2009-02-04 株式会社豊田自動織機 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7541671B2 (en) * 2005-03-31 2009-06-02 General Electric Company Organic electronic devices having external barrier layer
US20060278965A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Foust Donald F Hermetically sealed package and methods of making the same
US7663312B2 (en) * 2006-07-24 2010-02-16 Munisamy Anandan Flexible OLED light source
KR20080035835A (ko) * 2006-10-20 2008-04-24 삼성전자주식회사 표시장치
KR101239904B1 (ko) * 2007-08-27 2013-03-06 파나소닉 주식회사 유기 이엘 소자
JP4844520B2 (ja) * 2007-09-25 2011-12-28 パナソニック電工株式会社 照明装置
JP2010055918A (ja) 2008-08-28 2010-03-11 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP5748397B2 (ja) 2009-07-27 2015-07-15 ローム株式会社 有機ｅｌ装置
KR20110012943A (ko) * 2009-07-31 2011-02-09 웅진케미칼 주식회사 광추출 효율이 개선된 유기전계 발광장치
KR101613726B1 (ko) 2009-09-21 2016-04-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
KR101267534B1 (ko) 2009-10-30 2013-05-23 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
JP2011171128A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
EP2557896B1 (en) * 2010-04-08 2019-10-30 AGC Inc. Organic led element, translucent substrate, and method for manufacturing organic led element
KR101769068B1 (ko) 2010-12-14 2017-08-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5698993B2 (ja) 2011-01-27 2015-04-08 富士フイルム株式会社 光拡散層形成材料、及び光取り出し部材、並びに有機電界発光装置及びその製造方法
WO2012119111A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 Nitto Denko Corporation Porous films for use in light-emitting devices
US9239495B2 (en) 2011-04-27 2016-01-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, electronic device including display device, and method for manufacturing display device
WO2013046545A1 (ja) * 2011-09-26 2013-04-04 パナソニック株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
DE102011085034A1 (de) * 2011-10-21 2013-04-25 Tesa Se Klebemasse insbesondere zur Kapselung einer elektronischen Anordnung
JP2013101923A (ja) * 2011-10-21 2013-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 分散組成物の加熱方法、及びガラスパターンの形成方法
WO2013094617A1 (ja) * 2011-12-19 2013-06-27 パナソニック株式会社 面状発光素子
KR20130084848A (ko) * 2012-01-18 2013-07-26 한국전자통신연구원 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자 제조 방법
JP2013186984A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Panasonic Corp 複合基板構造及びその作製方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5609941B2 (ja) 2012-09-26 2014-10-22 セイコーエプソン株式会社 表示装置および電子機器
KR102009727B1 (ko) * 2012-11-26 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치를 제조하기 위한 캐리어 기판
US9196849B2 (en) * 2013-01-09 2015-11-24 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University Polymer/inorganic multi-layer encapsulation film
KR102048467B1 (ko) * 2013-04-03 2019-11-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
JP2014212107A (ja) * 2013-04-05 2014-11-13 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及びその製造方法
EP3018724B1 (en) 2013-09-30 2023-03-01 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and manufacturing method therefor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020030730A (ko) * 2000-10-17 2002-04-25 가네꼬 히사시 불연속 금속보조전극들을 가지는 유기ｅｌ장치
KR20030083529A (ko) * 2002-04-23 2003-10-30 주식회사 대한전광 측면봉지구조의 유기전계발광소자
KR20120062191A (ko) * 2010-12-06 2012-06-14 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자
KR20120074062A (ko) * 2010-12-27 2012-07-05 웅진케미칼 주식회사 유기전계 발광소자용 충전제 및 이를 활용한 유기전계 발광장치
KR20130053038A (ko) * 2011-11-14 2013-05-23 주식회사 엘지화학 워터젯을 이용하여 패턴화된 광추출층을 포함하는 유기전자소자의 제조방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3018724A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9728739B2 (en) 2013-09-30 2017-08-08 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and manufacturing method therefor

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