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WO2010101423A2 - 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치 - Google Patents

리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치 Download PDF

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WO2010101423A2
WO2010101423A2 PCT/KR2010/001349 KR2010001349W WO2010101423A2 WO 2010101423 A2 WO2010101423 A2 WO 2010101423A2 KR 2010001349 W KR2010001349 W KR 2010001349W WO 2010101423 A2 WO2010101423 A2 WO 2010101423A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
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support
wafer
lift pin
insertion hole
support plate
Prior art date
Application number
PCT/KR2010/001349
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English (en)
French (fr)
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WO2010101423A3 (ko
Inventor
최명호
박진성
박진철
장지숙
Original Assignee
주식회사 코미코
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Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 코미코 filed Critical 주식회사 코미코
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Priority to JP2011552889A priority patent/JP2012519393A/ja
Priority to SG2011063328A priority patent/SG173910A1/en
Priority to US13/254,375 priority patent/US20110315080A1/en
Publication of WO2010101423A2 publication Critical patent/WO2010101423A2/ko
Publication of WO2010101423A3 publication Critical patent/WO2010101423A3/ko

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Definitions

  • the present invention relates to a lift pin and a wafer processing apparatus including the same, and more particularly, to a lift pin for moving the wafer in a vertical direction and an apparatus for processing the wafer including the same.
  • a semiconductor device includes a process of forming a circuit pattern on a silicon wafer, a process of inspecting electrical characteristics of the wafer on which the circuit pattern is formed, and cutting the inspected wafer into a plurality of chips. Thereafter, the chips are manufactured by performing a series of processes, such as a packaging process of individually encapsulating the epoxy resin.
  • the circuit pattern may include forming a thin film on the wafer, forming a photoresist pattern on the thin film, etching the thin film using the photoresist pattern, and removing the photoresist pattern. It is formed by performing a process or the like.
  • the thin film may be formed by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) process.
  • PE-CVD plasma-enhanced chemical vapor deposition
  • the PE-CVD process may form a thin film having a relatively thin thickness at low temperature, and may also have an excellent deposition rate.
  • the apparatus for performing the PE-CVD process includes a reaction chamber, a susceptor disposed in the reaction chamber to support the wafer, a shower head for uniformly providing a reaction gas on the wafer, and plasma formed from the reaction gas. It includes a high frequency electrode to which a high frequency power source (RF) is applied.
  • RF high frequency power source
  • the wafer After forming a thin film on the wafer in the reaction chamber, the wafer can be unloaded from the susceptor and then taken out of the reaction chamber.
  • the wafer may be separated from the susceptor in a vertical direction through a plurality of lift pins arranged to be movable in the vertical direction through the susceptor.
  • the lift pins are made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) or anodized aluminum (Al) having a higher hardness than the wafer, scratch defects may occur on the rear surface of the wafer. have.
  • Another object of the present invention is to provide a wafer processing apparatus comprising the lift pin described above.
  • a lift pin includes a body portion inserted to be movable in a vertical direction to a through hole of a support plate on which a wafer is placed, and coupled to an upper portion of the body portion to support the wafer, and having a hardness greater than that of the wafer.
  • the support may include yttrium oxide (Y 2 O 3 ).
  • the body portion may have an insertion hole in the upper surface, the support portion may be inserted so that a portion protrudes in the insertion hole.
  • the support portion may be fixed in the insertion hole by an adhesive.
  • the support portion may have an air hole in the lower surface portion to accommodate the air remaining in the insertion hole when inserted into the insertion hole.
  • a first thread may be formed on an outer circumferential surface of the support part, and a second thread corresponding to the first thread may be formed on an inner circumferential surface of the insertion hole.
  • the support portion may be coupled to the upper surface of the body by a thermocompression method, and a phase change layer is formed between the support portion and the body portion while coupling the support portion and the body portion.
  • a thermocompression method a thermocompression method
  • a phase change layer is formed between the support portion and the body portion while coupling the support portion and the body portion.
  • the support portion may include yttrium oxide (Y 2 O 3 ), the body portion may include aluminum oxide (Al 2 O 3 ), the phase change layer is yttrium aluminum It may include a garnet (yttrium aluminum garnet).
  • a protrusion may be provided on an upper surface of the body portion, and an insertion hole into which the protrusion is inserted may be formed below the support portion.
  • a third thread may be formed on an outer circumferential surface of the protrusion, and a fourth thread corresponding to the third thread may be formed on an inner circumferential surface of the insertion hole.
  • an adhesive material may be interposed between the ceiling surface of the insertion hole and the upper surface of the protrusion.
  • a wafer processing apparatus including: a reaction chamber into which a reaction gas for processing a wafer is supplied; a support plate disposed in the reaction chamber and having a through hole disposed in the wafer and penetrating in a vertical direction; An electrode disposed on an upper portion of the support plate and to which a high frequency power is applied to generate plasma from the reaction gas, and in a direction perpendicular to the through hole of the support plate for loading the wafer into the support plate and unloading it from the support plate;
  • the lift pin may include a trunk portion inserted to be movable and a support pin coupled to an upper portion of the trunk portion and having a support portion made of a material having a lower hardness than the wafer.
  • the lift pin may include a body portion and a support portion, and the support portion is made of a material having a lower hardness than the wafer so that the wafer is vertically formed using the lift pin. It is possible to reduce or prevent the occurrence of scratch defects on the surface of the wafer during movement.
  • FIG. 1 is a block diagram schematically illustrating a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a view illustrating a lift pin portion of the wafer processing apparatus illustrated in FIG. 1 in detail.
  • 3 to 8 are enlarged cross-sectional views for describing examples of the lift pin shown in FIG. 2.
  • the element When an element is described as being disposed or connected on another element or layer, the element may be placed or connected directly on the other element, and other elements or layers may be placed therebetween. It may be. Alternatively, where one element is described as being directly disposed or connected on another element, there may be no other element between them. Similar reference numerals will be used throughout for similar elements, and the term “and / or” includes any one or more combinations of related items.
  • first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or parts, but the items are not limited by these terms. Will not. These terms are only used to distinguish one element from another. Accordingly, the first element, composition, region, layer or portion described below may be represented by the second element, composition, region, layer or portion without departing from the scope of the invention.
  • Embodiments of the invention are described with reference to cross-sectional illustrations that are schematic illustrations of ideal embodiments of the invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, such as changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be expected. Accordingly, embodiments of the present invention are not to be described as limited to the particular shapes of the areas described as the illustrations but to include deviations in the shapes. For example, a region described as flat may generally have roughness and / or nonlinear shapes. Also, the sharp edges described as illustrations may be rounded. Accordingly, the regions described in the figures are entirely schematic and their shapes are not intended to describe the exact shapes of the regions and are not intended to limit the scope of the invention.
  • FIG. 1 is a schematic view illustrating a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a view illustrating a lift pin portion of the wafer processing apparatus illustrated in FIG. 1 in detail.
  • a wafer processing apparatus 1000 may include a reaction chamber 100, a susceptor 200, a gas injection unit 300, a shower head 400, and a high frequency wave. Electrode 500 and lift pin 600.
  • the reaction chamber 100 provides a space for depositing a thin film on a wafer W of silicon material for manufacturing a semiconductor device.
  • the inner wall of the reaction chamber 100 may be thermally coated with a ceramic material to protect from the plasma generated in the interior space.
  • the susceptor 200 is disposed in the reaction chamber 100.
  • the wafer W is placed on the susceptor 200. Accordingly, the susceptor 200 extends through the lower portion of the reaction chamber 100 from the center of the support plate 210 and the support plate 210 on which the wafer W is substantially placed. ).
  • the support plate 210 may include a guide part (not shown) for guiding the wafer W to a predetermined position on a surface on which the wafer W is placed.
  • the support plate 210 may include a heater (not shown) for heating the wafer W to a process temperature.
  • the support plate 210 may have a plurality of through holes 212 penetrated in the vertical direction.
  • the tube 220 is configured to be movable in the vertical direction while passing through the lower portion of the reaction chamber 100. As a result, the support plate 210 is moved in the vertical direction by the tube 220.
  • wires for supplying driving power from the outside to the heater (not shown) built in the support plate 210 may be embedded in the tube 220.
  • the gas injection unit 300 is configured above the reaction chamber 100.
  • the gas injection unit 300 injects a reaction gas G into the reaction chamber 100.
  • the reaction gas (G) may include, for example, argon (Ar), silane (SiH 4 ), nitrogen (N 2 ), ammonia (NH 3 ), chlorine (Cl) or fluorine (F). .
  • the shower head 400 is connected to the gas injection part 300 and supplies the reaction gas G onto the wafer W placed in the susceptor 200 in the reaction chamber 100.
  • injection holes 410 having a predetermined size are formed at regular intervals. As a result, the reaction gas G may be uniformly supplied from the shower head 400 onto the wafer W.
  • the high frequency electrode 500 is disposed above the shower head 400, and a high frequency power RF is applied to the high frequency electrode 500 to generate a plasma from the reaction gas G. Meanwhile, the shower head 400 may be electrically connected to the high frequency electrode 500, whereby the high frequency power RF may be applied to the shower head 400.
  • the thin film may be deposited on the wafer W by plasma generated from the reaction gas G.
  • the susceptor 222 may be electrically grounded.
  • the lift pin 600 is inserted to be movable in a vertical direction to the through hole 212 formed in the support plate 210 of the susceptor 200.
  • the lift pin 600 may be used to load the wafer W onto the susceptor 200 and to unload it from the susceptor 200.
  • the wafer W loaded into the reaction chamber 100 by a transfer robot (not shown) may be loaded on the lift pin 600 which is relatively raised relative to the support plate 210, and the lift It may be placed on the support plate 210 by the lowering of the pin 600.
  • the lift pin 600 may be raised to unload the wafer W from the support plate 210, and then the wafer W is transferred to the transfer plate 600. It may be carried out from the reaction chamber 100 by a robot.
  • the upper portion of the lift pin 600 may have a gradually increasing diameter
  • the through hole 212 of the support plate 210 may have a diameter corresponding to the lift pin 600. Therefore, the upper portion of the lift pin 600 may be supported by the inner surface of the through hole 212 when the support plate 210 moves upward.
  • the wafer processing apparatus 1000 may further include a fixed plate 700 and a moving plate 800 for vertical movement of the lift pin 600.
  • the fixing plate 700 is fixed to the reaction chamber 100 while surrounding the tube 220 at the bottom of the support plate 210.
  • the movable plate 800 is connected to the lower end of the lift pin 600 between the support plate 210 and the fixed plate 700.
  • the moving plate 800 may be supported by the fixing plate 700 when the susceptor 200 moves downward, thereby rising relative to the support plate 210.
  • the lift pin 600 may be lowered relative to the support plate 210, and an upper portion of the lift pin 600 is located in the through hole 212. ) And may be supported by the inner side surface of the through hole 212. Subsequently, the lift pin 600 and the movable plate 800 may move upward together with the susceptor 200.
  • the wafer W is moved into the reaction chamber 100 by the transfer robot. Can be imported. Subsequently, the wafer W may be placed on the lift pin 600 by the transfer robot.
  • the susceptor 200 may move upward, whereby the lift pin 600 and the wafer W may move downward relative to the support plate 210. As a result, the wafer W may be placed on the support plate 210 while the susceptor 200 moves upward. After the wafer W is placed on the support plate 210, the wafer W is set at a predetermined position together with the lift pin 600 and the moving plate 800 by the upward movement of the susceptor 200. Can be moved to the process location.
  • the susceptor 200 may move downward, and thus the movable plate 800 may be placed on the fixed plate 700. Subsequently, the lift pin 600 may be raised relative to the support plate 210 by the downward movement of the susceptor 200, so that the wafer W is unloaded from the support plate 210. Can be.
  • the wafer W may be taken out of the process chamber 100 by the transfer robot.
  • the lift pin 600 may be moved in the vertical direction by a separate driver (not shown) regardless of the susceptor 200.
  • the moving plate 800 may be connected to the driving unit, and the driving unit may move the lift pin 600 and the moving plate 800 in the vertical direction for loading and unloading the wafer W. have.
  • the wafer processing apparatus 1000 may include three or four lift pins 600, and the support plate 210 may include the lift pins 600. It may have three or four through holes 212 to mount the.
  • 3 to 8 are enlarged cross-sectional views for describing examples of the lift pin shown in FIG. 2.
  • the lift pin 600 includes a body 610 and a support 620.
  • the body 610 may have a rod shape extending in a vertical direction, and inserted into the through hole 212 of the support plate 210 so as to be movable in a vertical direction.
  • the body 610 is made of a material having a relatively high hardness to improve durability.
  • the body 610 may be anodized aluminum (Al), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium (Ti), or titanium nitride (harder) than the silicon wafer (W). Materials such as TiN).
  • aluminum oxide may have a hardness of about 11.8 to 16.0 Gpa higher than silicon having a hardness of about 10 to 10.5 Gpa.
  • the body portion 610 has a first insertion hole 612 processed to a predetermined depth on the upper surface.
  • the support part 620 is inserted into and fastened to the first insertion hole 612 at the upper surface of the body part 610.
  • the support part 620 has a structure in which a part of the support part 620 is inserted into the first insertion hole 612 so as to protrude from the upper surface of the body part 610. As a result, the support part 620 supports the wafer W when the body part 610 is raised.
  • the support part 620 may be fastened to protrude from the top surface of the body part 610 such that the side part is partially exposed as the upper surface thereof.
  • the support 620 may be fastened such that only the upper surface thereof protrudes from the upper surface of the body 610.
  • the contact portion of the support portion 620 and the body portion 610 is configured to be smooth, it is possible to prevent the contaminants such as by-products generated during the process to be bonded to the junction portion.
  • the support part 620 is made of a ceramic material having a lower hardness than silicon, which is a material of the wafer (W).
  • the support part 620 may include a yttrium oxide (Y 2 O 3 ) material having a hardness of about 6 to 6.5 Gpa lower than about 10 to 10.5 Gpa of silicon.
  • the support pin 620 supporting the wafer W of the lift pin 600 is made of a material having a lower hardness than the wafer W, so that the lift pin 600 is raised to the wafer ( When the W is spaced apart from the support plate 210, the occurrence of scratch defects on the wafer W by the lift pin 600 may be reduced or prevented.
  • the lift pin 600 convexly forms an upper surface of the support part 620 to guide the support part 620 and the wafer W in point contact with each other, thereby greatly increasing the possibility of the scratch defect. Can be reduced.
  • the yttrium oxide (Y 2 O 3 ) has a relatively low reactivity with the reactive plasma generated in the reaction chamber 100 compared to other ceramic materials, it is possible to reduce the production of reaction by-products. As a result, contamination of the wafer W may be reduced.
  • the aluminum oxide (Al 2 O 3 ) may react with fluorine (F) in the reaction gas (G) to produce by-products such as aluminum fluoride (AlF), but yttrium oxide (Y 2 O 3 ) may It does not react with the fluorine (F).
  • the lift pin 600 includes only the aluminum oxide (Al 2 O 3 ), contaminants including the aluminum fluoride (AlF) may remain on the wafer (W). This may cause errors in the alignment operation using the optical equipment in the subsequent photolithography process.
  • an adhesive material 630 for adhering the support 620 is applied to fix the support 620.
  • the adhesive material 630 is usually made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), and aluminum nitride. (AlN) or silicon (SiO 2 ).
  • an adhesive paste may be applied in the first insertion hole 612, and the adhesive paste may be cured over time after the support part 620 is inserted into the insertion hole 612. have. As a result, the support part 620 may be firmly fixed in the first insertion hole 612 by the adhesive material 630.
  • the support part 620 may not be sufficiently inserted by the air remaining in the first insertion hole 612 when the support portion 620 is inserted into the first insertion hole 612.
  • the support part 620 may have an air hole 622 for receiving air in the first insertion hole 612. That is, air remaining in the first insertion hole 612 may be accommodated in the air hole 622, and thus the support part 620 may be sufficiently inserted into the first insertion hole 612.
  • the support portion 620 may be fit-fitted to the first insertion hole 612 of the body portion 610.
  • the lift pin 640 may be formed in the body portion 641 having the first insertion hole 642 and the first insertion hole 642.
  • Head portion 645 includes a support 644 coupled to protrude.
  • the support part 644 has a first thread 646 along an outer circumferential surface, and the body 641 is engaged with the first thread 646 along an inner circumferential surface of an inner side of the first insertion hole 642. Has a second thread 643.
  • an adhesive material 647 made of ceramic material is applied between the bottom of the first insertion hole 642 and the lower surface of the support part 644 to more securely fix the support part 644 inserted into the screw. Can be.
  • the support part 644 may be configured to protrude from the upper surface of the body 641 such that the head portion 645 partially exposes the side surface such as the upper surface thereof.
  • the support 644 is fastened such that the head portion 645 is inserted into the first insertion hole 642 so that only the upper surface thereof protrudes from the upper surface of the body portion 641.
  • the contact portion of the support portion 644 and the body portion 641 is configured to be smooth, it is possible to prevent the contaminants, such as by-products generated during the process to be bonded to the junction portion.
  • the head portion 645 of the support portion 644 can be removed, in which case the body portion of the support portion 644 having the first thread 646 has its upper surface. It may be fastened to the body portion 641 to be exposed.
  • the support part 644 may be configured such that the head portion 645 protruding from the first insertion hole 642 is larger than the inner diameter of the first insertion hole 642.
  • the head part 645 may serve as a stopper when the support part 644 is inserted into the first insertion hole 642.
  • the upper surface of the head portion 645 may be configured to be convex to make point contact with the wafer (W).
  • the support part 644 is coupled to the support part 644 from the first insertion hole 642 by coupling the support part 644 and the body part 641 to each other using a screwing method capable of providing a relatively strong coupling force as described above. The separation can be prevented sufficiently.
  • the lift pin 650 according to another embodiment of the present invention is coupled to the body portion 652 and the upper surface of the body portion 652 by a thermocompression method, that is, a method for pressurizing at a high temperature And a support 653.
  • the support part 653 is made of yttrium oxide (Y 2 O 3 ), and the body part 652 is made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), the support part 653 is referred to as the support part 653.
  • the support part 653 In the case where the upper surface of the body portion 652 is pressurized and bonded at a high temperature, the junction portion is partially melted to generate the phase change layer 654.
  • the temperature for the thermocompression bonding is not preferable because the bonding site is not melted if it is less than about 900 °C, if the support portion 653 and the body 652 is excessively melted if it exceeds about 1100 °C It is not desirable because it can. Therefore, the temperature for the thermocompression may be set in the range of about 900 °C to 1100 °C.
  • the phase change layer 645 may include an intermediate material between yttrium oxide (Y 2 O 3 ) and aluminum oxide (Al 2 O 3 ).
  • the phase change layer 645 may include a yttrium aluminum garnet (YAG).
  • the support part 653 may be attached to the upper surface of the body 652 through a strong bonding force of the phase change layer 654 and fastened.
  • the support part 653 may be attached to the plurality of body parts 652 at one time through a single thermocompression process.
  • the upper surface of the support portion 653 may be configured to be convex so as to make point contact with the wafer (W).
  • the lift pin 660 has a body portion 662 having a protrusion 663 on the upper surface and a second insertion hole 666 into which the protrusion 663 is inserted. And a support 665 coupled to the protrusion 663.
  • the protrusion 663 has a third thread 664 on the outer circumferential surface
  • the support portion 665 is a fourth thread engaged with the third thread 664 on the inner circumferential surface of the inner side of the second insertion hole 666. Has 667.
  • the adhesive material 668 made of a ceramic material to more securely fix the protrusion 663 inserted while being screwed between the ceiling surface of the second insertion hole 666 and the upper surface of the protrusion 663. Can be applied.
  • the lift pin according to the embodiments of the present invention as described above is scratched on the wafer by forming a support portion in contact with the wafer from a material having a lower hardness than the wafer, for example, yttrium oxide (Y 2 O 3 ). ) It can reduce or prevent the occurrence of defects.
  • a material having a lower hardness than the wafer for example, yttrium oxide (Y 2 O 3 ).
  • the support part 665 is formed of yttrium oxide (Y 2 O 3 ), thereby reducing manufacturing cost of the lift pin.
  • the support can be easily coupled to the body, thereby reducing the time required for manufacturing the lift pin.

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Abstract

몸통부 및 지지부를 포함하는 리프트 핀에 있어서, 상기 몸통부는 웨이퍼가 놓여지는 서셉터의 관통홀에 수직 방향으로 이동이 가능하도록 삽입되고, 상기 지지부는 몸통부의 상부면에 체결되어 웨이퍼를 지지하며 상기 웨이퍼의 표면에 스크래치(scratch) 결함이 발생되는 것을 방지하기 위하여 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진다.

Description

리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
본 발명은 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 웨이퍼를 수직 방향으로 이동시키기 위한 리프트 핀 및 이를 포함하여 상기 웨이퍼를 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 실리콘 재질의 웨이퍼(wafer) 상에 회로 패턴을 형성하는 공정과, 상기 회로 패턴이 형성된 웨이퍼의 전기적인 특성을 검사하는 공정과, 상기 검사한 웨이퍼를 다수의 칩들로 절단한 후 상기 칩들을 에폭시 수지로 개별 봉지하는 패키징 공정 등과 같은 일련의 공정들을 수행하여 제조된다.
여기서, 상기 회로 패턴은 상기 웨이퍼에 박막을 형성하는 공정과, 상기 박막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 박막을 식각하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 공정 등을 수행하여 형성된다.
상기 박막은 플라즈마 화학기상증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; 이하, PE-CVD) 공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 PE-CVD 공정은 저온에서 상대적으로 얇은 두께를 갖는 박막을 형성할 수 있으며, 또한 우수한 증착율을 가질 수 있다.
상기 PE-CVD 공정을 수행하기 위한 장치는 반응 챔버, 상기 반응 챔버 내에 배치되어 상기 웨이퍼를 지지하는 서셉터, 반응 가스를 상기 웨이퍼 상에 균일하게 제공하기 위한 샤워 헤드 및 상기 반응 가스로부터 플라즈마를 형성하기 위하여 고주파 전원(RF)이 인가되는 고주파 전극을 포함한다.
상기 반응 챔버 내에서 상기 웨이퍼 상에 박막을 형성한 후, 상기 웨이퍼는 상기 서셉터로부터 언로드될 수 있으며, 이어서 상기 반응 챔버로부터 반출될 수 있다. 여기서, 상기 웨이퍼는 상기 서셉터를 통하여 수직 방향으로 이동이 가능하도록 배치된 다수의 리프트 핀들을 통해 상기 서셉터로부터 수직 방향으로 분리될 수 있다.
그러나, 상기 리프트 핀들은 상기 웨이퍼보다 높은 경도를 갖는 알루미늄 산화물(Al2O3) 또는 아노다이징(anodizing) 처리된 알루미늄(Al)으로 이루어지기 때문에 상기 웨이퍼의 후면에 스크래치(scratch) 결함이 발생될 수 있다.
본 발명의 목적은 웨이퍼의 스크래치 결함이 발생되는 것을 감소시킬 수 있는 리프트 핀을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 리프트 핀을 포함하는 웨이퍼 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 리프트 핀은 웨이퍼가 놓여지는 서포트 플레이트의 관통홀에 수직 방향으로 이동이 가능하도록 삽입된 몸통부와, 상기 웨이퍼를 지지하기 위하여 상기 몸통부의 상부에 결합되며 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진 지지부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 지지부는 이트륨 산화물(Y2O3)을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 몸통부는 상부면에 삽입홀을 가질 수 있으며, 상기 지지부는 상기 삽입홀에 일부가 돌출되도록 삽입될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 지지부는 접착제에 의해 상기 삽입홀 내에 고정될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 지지부는 상기 삽입홀에 삽입될 때 상기 삽입홀에 잔존하는 에어를 수용하기 위하여 하부면 부위에 에어홀을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 지지부의 외주면에는 제1 나사산이 형성될 수 있으며, 상기 삽입홀의 내주면에는 상기 제1 나사산에 대응하는 제2 나사산이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 지지부는 상기 몸통부의 상부면에 열압착 방법에 의해 결합될 수 있으며, 상기 지지부와 상기 몸통부를 결합하는 동안 상기 지지부와 상기 몸통부 사이에는 상변이층이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 지지부는 이트륨 산화물(Y2O3)을 포함할 수 있고, 상기 몸통부는 알루미늄 산화물(Al2O3)을 포함할 수 있으며, 상기 상변이층은 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet)을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 몸통부의 상부면에는 돌기가 구비될 수 있으며, 상기 지지부의 하부에는 상기 돌기가 삽입되는 삽입홀이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 돌기의 외주면에는 제3 나사산이 형성될 수 있으며, 상기 삽입홀의 내주면에는 상기 제3 나사산에 대응하는 제4 나사산이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 삽입홀의 천장면 및 상기 돌기의 상부면 사이에는 접착 물질이 개재될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 웨이퍼 처리 장치는 웨이퍼를 처리하기 위한 반응 가스가 공급되는 반응 챔버와, 상기 반응 챔버 내에 배치되어 상기 웨이퍼가 놓여지며 수직 방향으로 관통된 관통홀을 갖는 서포트 플레이트와, 상기 서포트 플레이트의 상부에 배치되며 상기 반응 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위하여 고주파 전원이 인가되는 전극과, 상기 웨이퍼를 상기 서포트 플레이트로 로드하고 상기 서포트 플레이트로부터 언로드하기 위하여 상기 서포트 플레이트의 관통홀에 수직 방향으로 이동이 가능하도록 삽입되는 몸통부 및 상기 몸통부의 상부에 결합되며 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진 지지부를 갖는 리프트 핀을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 리프트 핀은 몸통부와 지지부를 포함할 수 있으며, 상기 지지부를 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 구성함으로써 상기 웨이퍼를 상기 리프트 핀을 이용하여 수직 방향으로 이동시키는 동안 상기 웨이퍼의 표면에 스크래치 결함이 발생되는 것을 감소 또는 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 처리 장치의 리프트 핀 부위를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 3 내지 도 8은 도 2에 도시된 리프트 핀의 예들을 설명하기 위한 확대 단면도들이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 유사한 요소들에 대하여는 전체적으로 유사한 참조 부호들이 사용될 것이며 또한, "및/또는"이란 용어는 관련된 항목들 중 어느 하나 또는 그 이상의 조합을 포함한다.
다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다. 이들 용어들은 단지 다른 요소로부터 하나의 요소를 구별하기 위하여 사용되는 것이다. 따라서, 하기에서 설명되는 제1 요소, 조성, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 제2 요소, 조성, 영역, 층 또는 부분으로 표현될 수 있을 것이다.
공간적으로 상대적인 용어들, 예를 들면, "하부" 또는 "바닥" 그리고 "상부" 등의 용어들은 도면들에 설명된 바와 같이 다른 요소들에 대하여 한 요소의 관계를 설명하기 위하여 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면에 도시된 방위에 더하여 장치의 다른 방위들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도면들 중 하나에서 장치가 방향이 바뀐다면, 다른 요소들의 하부 쪽에 있는 것으로 설명된 요소들이 상기 다른 요소들의 상부 쪽에 있는 것으로 맞추어질 것이다. 따라서, "하부"라는 전형적인 용어는 도면의 특정 방위에 대하여 "하부" 및 "상부" 방위 모두를 포함할 수 있다. 이와 유사하게, 도면들 중 하나에서 장치가 방향이 바뀐다면, 다른 요소들의 "아래" 또는 "밑"으로서 설명된 요소들은 상기 다른 요소들의 "위"로 맞추어질 것이다. 따라서, "아래" 또는 "밑"이란 전형적인 용어는 "아래"와 "위"의 방위 모두를 포함할 수 있다.
하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 하기에서 사용된 바와 같이, 단수의 형태로 표시되는 것은 특별히 명확하게 지시되지 않는 이상 복수의 형태도 포함한다. 또한, "포함한다" 또는 "포함하는"이란 용어가 사용되는 경우, 이는 언급된 형태들, 영역들, 완전체들, 단계들, 작용들, 요소들 및/또는 성분들의 존재를 특징짓는 것이며, 다른 하나 이상의 형태들, 영역들, 완전체들, 단계들, 작용들, 요소들, 성분들 및/또는 이들의 그룹들의 추가를 배제하는 것은 아니다.
달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들인 단면 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화들은 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차들을 포함하는 것이다. 예를 들면, 평평한 것으로서 설명된 영역은 일반적으로 거칠기 및/또는 비선형적인 형태들을 가질 수 있다. 또한, 도해로서 설명된 뾰족한 모서리들은 둥글게 될 수도 있다. 따라서, 도면들에 설명된 영역들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상들은 영역들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 처리 장치의 리프트 핀 부위를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치(1000)는 반응 챔버(100), 서셉터(200), 가스 주입부(300), 샤워 헤드(400), 고주파 전극(500) 및 리프트 핀(600)을 포함한다.
상기 반응 챔버(100)는 반도체 소자의 제조를 위한 실리콘 재질의 웨이퍼(W)에 박막을 증착하기 위한 공간을 제공한다. 여기서, 상기 반응 챔버(100)의 내벽은 그 내부 공간에 생성되는 플라즈마로부터 보호하기 위하여 세라믹 물질로 용사 코팅될 수 있다.
상기 서셉터(200)는 상기 반응 챔버(100)의 내에 배치된다. 상기 서셉터(200)에는 상기 웨이퍼(W)가 놓여진다. 이에, 상기 서셉터(200)는 상기 웨이퍼(W)가 실질적으로 놓여지는 서포트 플레이트(210) 및 상기 서포트 플레이트(210)의 중심 부위로부터 상기 반응 챔버(100)의 하부를 통해 연장된 튜브(220)를 포함한다.
상기 서포트 플레이트(210)는 상기 웨이퍼(W)가 놓여지는 면에 상기 웨이퍼(W)를 기 설정된 위치로 안내하기 위한 안내부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 서포트 플레이트(210)에는 상기 웨이퍼(W)를 공정 온도로 가열하기 위한 히터(미도시)가 내장될 수 있다. 또한, 상기 서포트 플레이트(210)는 수직 방향으로 관통된 다수의 관통홀(212)을 가질 수 있다.
상기 튜브(220)는 상기 반응 챔버(100)의 하부를 통과하면서 수직 방향으로 이동이 가능하게 구성된다. 이로써, 상기 서포트 플레이트(210)는 상기 튜브(220)에 의해 수직 방향으로 이동하게 된다. 또한, 상기 튜브(220)에는 상기 서포트 플레이트(210)에 내장된 히터(미도시)에 외부로부터 구동 전원을 공급하기 위한 배선들이 내장될 수 있다.
상기 가스 주입부(300)는 상기 반응 챔버(100)의 상부에 구성된다. 상기 가스 주입부(300)는 상기 반응 챔버(100)의 내부에 반응 가스(G)를 주입한다. 여기서, 상기 반응 가스(G)는 일 예로, 아르곤(Ar), 실란(SiH4), 질소(N2), 암모니아(NH3), 염소(Cl) 또는 플루오르(F) 등을 포함할 수 있다.
상기 샤워 헤드(400)는 상기 가스 주입부(300)와 연결되며 상기 반응 챔버(100)의 내부에서 상기 서셉터(200)에 놓여진 웨이퍼(W) 상으로 상기 반응 가스(G)를 공급한다. 상기 샤워 헤드(400)에는 일정 크기의 분사홀(410)들이 일정한 간격으로 형성된다. 이로써, 상기 반응 가스(G)가 상기 샤워 헤드(400)로부터 상기 웨이퍼(W) 상으로 균일하게 공급될 수 있다.
상기 고주파 전극(500)은 상기 샤워 헤드(400)의 상부에 배치되며, 상기 고주파 전극(500)에는 상기 반응 가스(G)로부터 플라즈마를 발생시키기 위하여 고주파 전원(RF)이 인가된다. 한편, 상기 샤워 헤드(400)는 상기 고주파 전극(500)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 의해 상기 샤워 헤드(400)에도 상기 고주파 전원(RF)이 인가될 수 있다.
상기 웨이퍼(W) 상에는 상기 반응 가스(G)로부터 생성된 플라즈마에 의해 박막이 증착될 수 있다. 한편, 상기 서셉터(222)는 전기적으로 접지될 수 있다.
상기 리프트 핀(600)은 상기 서셉터(200)의 서포트 플레이트(210)에 형성된 상기 관통홀(212)에 수직 방향으로 이동이 가능하도록 삽입된다. 상기 리프트 핀(600)은 상기 웨이퍼(W)를 상기 서셉터(200) 상으로 로드하기 위하여 그리고 상기 서셉터(200)로부터 언로드하기 위하여 사용될 수 있다. 특히, 이송 로봇(미도시)에 의해 반응 챔버(100) 내부로 반입된 웨이퍼(W)는 상기 서포트 플레이트(210)에 대하여 상대적으로 상승된 리프트 핀(600) 상에 로드될 수 있으며, 상기 리프트 핀(600)의 하강에 의해 상기 서포트 플레이트(210) 상에 놓여질 수 있다.
또한 상기 웨이퍼(W) 상에 박막을 증착한 후 상기 리프트 핀(600)은 상기 웨이퍼(W)를 상기 서포트 플레이트(210)로부터 언로드하기 위하여 상승될 수 있으며, 이어서 상기 웨이퍼(W)는 상기 이송 로봇에 의해 상기 반응 챔버(100)로부터 반출될 수 있다.
한편, 상기 리프트 핀(600)의 상부는 점차 증가되는 직경을 가질 수 있으며, 상기 서포트 플레이트(210)의 관통홀(212)은 상기 리프트 핀(600)과 대응하는 직경을 가질 수 있다. 따라서, 상기 리프트 핀(600)의 상부는 상기 서포트 플레이트(210)가 상방으로 이동하는 경우 상기 관통홀(212)의 내측면에 의해 지지될 수 있다.
상기 웨이퍼 처리 장치(1000)는 상기 리프트 핀(600)의 수직 방향 이동을 위하여 고정판(700) 및 이동판(800)을 더 포함할 수 있다.
상기 고정판(700)은 상기 서포트 플레이트(210)의 하부에서 상기 튜브(220)를 감싸면서 상기 반응 챔버(100)에 고정된다.
상기 이동판(800)은 상기 서포트 플레이트(210)와 상기 고정판(700) 사이에서 상기 리프트 핀(600)의 하단부와 연결된다. 이러한 이동판(800)은 상기 서셉터(200)가 하방으로 이동하는 경우 상기 고정판(700)에 의해 지지될 수 있으며, 이에 의해 상기 서포트 플레이트(210)에 대하여 상대적으로 상승할 수 있다.
또한, 상기 서셉터(200)가 상방으로 이동하는 경우 상기 리프트 핀(600)은 상기 서포트 플레이트(210)에 대하여 상대적으로 하강할 수 있으며, 상기 리프트 핀(600)의 상부가 상기 관통홀(212) 내부로 삽입된 후 상기 관통홀(212)의 내측면에 의해 지지될 수 있다. 이어서, 상기 리프트 핀(600)과 상기 이동판(800)은 상기 서셉터(200)와 함께 상방으로 이동할 수 있다.
상기 리프트 핀(600)과 이동판(800)을 이용하여 상기 웨이퍼(W)를 상기 서셉터(200) 상에 로드하고 이어서 상기 서셉터(200)로부터 언로드하는 방법을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
상기 서셉터(200)의 하방 이동에 의해 상기 리프트 핀(600)이 상기 서포트 플레이트(210)에 대하여 상대적으로 상승된 후 상기 이송 로봇에 의해 상기 웨이퍼(W)가 상기 반응 챔버(100) 내부로 반입될 수 있다. 이어서, 상기 웨이퍼(W)는 상기 이송 로봇에 의해 상기 리프트 핀(600) 상에 놓여질 수 있다.
상기 서셉터(200)는 상방으로 이동될 수 있으며, 이에 의해 상기 리프트 핀(600)과 웨이퍼(W)는 상기 서포트 플레이트(210)에 대하여 상대적으로 하방 이동될 수 있다. 결과적으로 상기 서셉터(200)가 상방으로 이동하는 동안 상기 웨이퍼(W)는 상기 서포트 플레이트(210) 상에 놓여질 수 있다. 상기 웨이퍼(W)가 상기 서포트 플레이트(210)에 놓여진 후 상기 웨이퍼(W)는 상기 서셉터(200)의 상방 이동에 의해 상기 리프트 핀(600) 및 이동판(800)과 함께 기 설정된 위치 즉 공정 위치로 이동될 수 있다.
상기 웨이퍼(W) 상에 박막이 형성된 후, 상기 서셉터(200)는 하방으로 이동할 수 있으며, 이에 따라 상기 이동판(800)이 상기 고정판(700) 상에 놓여질 수 있다. 이어서 상기 리프트 핀(600)은 상기 서셉터(200)의 하방 이동에 의해 상기 서포트 플레이트(210)에 대하여 상대적으로 상승될 수 있으며, 이에 따라 상기 웨이퍼(W)가 상기 서포트 플레이트(210)로부터 언로드될 수 있다.
상기 리프트 핀(600)에 의해 상기 웨이퍼(W)가 상기 서포트 플레이트(210)로부터 언로드된 후 상기 웨이퍼(W)는 상기 이송 로봇에 의해 상기 공정 챔버(100)로부터 반출될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 서셉터(200)와는 상관없이 상기 리프트 핀(600)은 별도의 구동부(미도시)에 의해 수직 방향으로 이동될 수도 있다. 이 경우, 상기 이동판(800)은 상기 구동부와 연결될 수 있으며, 상기 구동부는 상기 웨이퍼(W)의 로드 및 언로드를 위하여 상기 리프트 핀(600)과 이동판(800)을 수직 방향으로 이동시킬 수 있다.
한편, 상기 웨이퍼(W)를 안정적으로 지지하기 위하여 상기 웨이퍼 처리 장치(1000)는 세 개 또는 네 개의 리프트 핀들(600)을 포함할 수 있으며, 상기 서포트 플레이트(210)는 상기 리프트 핀들(600)을 장착하기 위하여 세 개 또는 네 개의 관통홀들(212)을 가질 수 있다.
도 3 내지 도 8은 도 2에 도시된 리프트 핀의 예들을 설명하기 위한 확대 단면도들이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 리프트 핀(600)은 몸통부(610) 및 지지부(620)를 포함한다.
상기 몸통부(610)는 수직 방향으로 연장하는 로드 형태를 가질 수 있으며, 상기 서포트 플레이트(210)의 관통홀(212)에 수직 방향으로 이동이 가능하도록 삽입된다. 상기 몸통부(610)는 내구성 향상을 위하여 비교적 경도가 높은 물질로 이루어진다.
예를 들어, 상기 몸통부(610)는 실리콘 재질의 웨이퍼(W)보다 경도가 높은 아노다이징(Anodizing) 처리된 알루미늄(Al), 알루미늄 산화물(Al2O3), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 질화물(TiN) 등의 재질을 포함할 수 있다.
이중, 알루미늄 산화물(Al2O3)은 약 10 내지 10.5 Gpa의 경도를 갖는 실리콘보다 높은 약 11.8 내지 16.0 Gpa의 경도를 가질 수 있다. 한편, 상기 몸통부(610)는 상부면에 소정 깊이로 가공된 제1 삽입홀(612)을 갖는다.
상기 지지부(620)는 상기 몸통부(610)의 상부면에서 상기 제1 삽입홀(612)에 삽입되어 체결된다. 이때, 상기 지지부(620)는 일부가 상기 몸통부(610)의 상부면으로부터 돌출되도록 상기 제1 삽입홀(612)에 삽입되는 구조를 갖는다. 이로써, 상기 지지부(620)는 상기 몸통부(610)가 상승할 때 상기 웨이퍼(W)를 지지한다.
여기서, 상기 지지부(620)는 도 3에서와 같이, 그 상부면과 같이 측면부가 일부 노출되도록 상기 몸통부(610)의 상부면으로부터 돌출되도록 체결될 수 있다.
이와 달리, 상기 지지부(620)는 도 4에서와 같이, 그 상부면만이 상기 몸통부(610)의 상부면으로부터 돌출되도록 체결될 수 있다. 이럴 경우, 상기 지지부(620)와 상기 몸통부(610)의 접하는 부위가 매끄럽게 구성되므로, 그 접합 부위에 공정 중 생성되는 부산물 등의 오염 물질이 안착되는 것을 방지할 수 있다.
상기 지지부(620)는 상기 웨이퍼(W)의 재질인 실리콘보다 경도가 낮은 세라믹 재질로 이루어진다. 일 예로, 상기 지지부(620)는 실리콘의 경도인 약 10 내지 10.5 Gpa보다 낮은 약 6 내지 6.5 Gpa의 경도를 갖는 이트륨 산화물(Y2O3) 재질을 포함할 수 있다.
이와 같이, 상기 리프트 핀(600)의 상기 웨이퍼(W)를 지지하는 지지부(620)를 상기 웨이퍼(W)보다 낮은 경도를 갖는 물질로 구성함으로써, 상기 리프트 핀(600)이 상승하여 상기 웨이퍼(W)를 상기 서포트 플레이트(210)로부터 이격시킬 때 상기 리프트 핀(600)에 의해 상기 웨이퍼(W)에 스크래치(scratch) 불량이 발생되는 것이 감소 또는 방지될 수 있다.
또한, 상기 리프트 핀(600)은 상기 지지부(620)의 상부면을 볼록하게 구성하여 상기 지지부(620)와 상기 웨이퍼(W)가 서로 점 접촉하도록 유도함으로써, 상기 스크래치 불량이 발생될 가능성을 크게 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 이트륨 산화물(Y2O3)은 다른 세라믹 물질들과 비교하여 상기 반응 챔버(100) 내에서 생성되는 반응성 플라즈마와의 반응성이 상대적으로 낮기 때문에 반응 부산물의 생성을 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 상기 웨이퍼(W)의 오염을 감소시킬 수 있다.
특히, 상기 알루미늄 산화물(Al2O3)은 상기 반응 가스(G) 중 플루오르(F)와 반응하여 플루오르화 알루미늄(AlF)과 같은 부산물을 생성할 수 있으나, 이트륨 산화물(Y2O3)은 상기 플루오르(F)와의 반응하지 않는 특징이 있다.
다시 말해, 상기 리프트 핀(600)을 상기 알루미늄 산화물(Al2O3)로만 구성할 경우에는 상기 플루오르화 알루미늄(AlF)을 포함하는 오염물이 상기 웨이퍼(W) 상에 잔류할 수 있으며, 상기 오염물은 후속 공정인 포토리소그래피 공정에서 광학 장비를 이용한 얼라인 작업에 오류를 발생시키는 원인이 될 수 있다.
한편, 상기 제1 삽입홀(612)의 내측 표면들 상에는 상기 지지부(620)를 고정시키기 위하여 상기 지지부(620)를 접착시키는 접착 물질(630)이 도포된다. 여기서, 상기 접착 물질(630)은 상기 몸통부(610)와 상기 지지부(620)가 모두 세라믹 재질로 이루어져 있으므로, 통상 알루미늄 산화물(Al2O3), 이트륨 산화물(Y2O3), 알루미늄 질화물(AlN) 또는 실리콘(SiO2)을 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 삽입홀(612) 내에는 접착 페이스트가 도포될 수 있으며, 상기 접착 페이스트는 상기 지지부(620)가 상기 삽입홀(612) 내에 삽입된 후 시간의 경과에 따라 경화될 수 있다. 결과적으로, 상기 지지부(620)는 상기 접착 물질(630)에 의해 상기 제1 삽입홀(612) 내에서 견고하게 고정될 수 있다.
또한, 상기 지지부(620)는 상기 제1 삽입홀(612)에 삽입될 때 상기 제1 삽입홀(612) 내에 잔존하는 에어에 의해서 충분히 삽입되지 않을 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 지지부(620)는 상기 제1 삽입홀(612) 내의 에어를 수용하기 위한 에어홀(622)을 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 삽입홀(612)에 잔존하는 에어는 상기 에어홀(622)에 수용될 수 있으며, 이에 따라 상기 지지부(620)가 상기 제1 삽입홀(612)에 충분히 삽입될 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 지지부(620)는 상기 몸통부(610)의 제1 삽입홀(612)에 억지끼워맞춤 결합될 수도 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 리프트 핀(640)은 상부면에 제1 삽입홀(642)을 갖는 몸통부(641) 및 상기 제1 삽입홀(642)에 머리 부분(645)이 돌출되도록 결합되는 지지부(644)를 포함한다.
특히, 상기 지지부(644)는 외주면을 따라 제1 나사산(646)을 갖고, 상기 몸통부(641)는 상기 제1 삽입홀(642) 안쪽의 내주면을 따라 상기 제1 나사산(646)과 맞물리는 제2 나사산(643)을 갖는다.
이때, 상기 제1 삽입홀(642)의 저면 및 상기 지지부(644)의 하부면 사이에는 나사 체결되면서 삽입되는 지지부(644)를 보다 확실하게 고정시키기 위하여 세라믹 재질로 이루어진 접착 물질(647)이 도포될 수 있다.
상기 지지부(644)는 도 5에서와 같이, 상기 머리 부분(645)이 그 상부면과 같이 측면부가 일부 노출되도록 상기 몸통부(641)의 상부면으로부터 돌출되도록 구성될 수 있다.
이와 달리, 상기 지지부(644)는 도 6에서와 같이, 상기 머리 부분(645)이 상기 제1 삽입홀(642)에 삽입되어 그 상부면만이 상기 몸통부(641)의 상부면으로부터 돌출되도록 체결될 수 있다. 이 경우, 상기 지지부(644)와 상기 몸통부(641)의 접하는 부위가 매끄럽게 구성되므로, 그 접합 부위에 공정 중 생성되는 부산물 등의 오염 물질이 안착되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 지지부(644)의 머리 부분(645)이 제거될 수 있으며, 이 경우 상기 제1 나사산(646)을 갖는 상기 지지부(644)의 몸통 부분은 그 상부면이 노출되도록 상기 몸통부(641)에 체결될 수 있다.
한편, 상기 지지부(644)는 상기 제1 삽입홀(642)로부터 돌출된 머리 부분(645)이 상기 제1 삽입홀(642)의 내경보다 더 크게 구성될 수 있다. 이럴 경우, 상기 머리 부분(645)이 상기 지지부(644)가 상기 제1 삽입홀(642)에 삽입될 때 스토퍼(stopper) 역할을 수행할 수 있다. 한편, 상기 머리 부분(645)의 상부면은 상기 웨이퍼(W)와 점 접촉하도록 볼록하게 구성될 수 있다.
상기 지지부(644)와 상기 몸통부(641)를 상기한 바와 같은 상대적으로 강한 결합력을 제공할 수 있는 나사 결합 방법을 이용하여 서로 결합함으로써 상기 지지부(644)가 상기 제1 삽입홀(642)로부터 분리되는 것을 충분히 방지할 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리프트 핀(650)은 몸통부(652) 및 상기 몸통부(652)의 상부면에 열압착 방법 즉 고온에서 가압하는 방법에 의해 결합되는 지지부(653)를 포함한다.
예를 들어, 상기 지지부(653)가 이트륨 산화물(Y2O3) 재질로 이루어지고, 상기 몸통부(652)가 알루미늄 산화물(Al2O3)로 이루어져 있을 경우, 상기 지지부(653)를 상기 몸통부(652)의 상부면에 고온 상태에서 가압하여 접합하는 경우 그 접합 부위가 일부 용융되어 상변이층(654)이 생성된다.
이때, 상기 열압착을 위한 온도는 약 900℃ 미만일 경우에는 접합 부위가 용융되지 않으므로 바람직하지 않고, 약 1100℃를 초과할 경우에는 상기 지지부(653)와 상기 몸통부(652)가 과도하게 용융될 수 있으므로 바람직하지 않다. 따라서, 상기 열압착을 위한 온도는 약 900℃ 내지 1100℃의 범위에서 설정될 수 있다.
이러한 상변이층(645)은 이트륨 산화물(Y2O3) 및 알루미늄 산화물(Al2O3) 사이의 중간적인 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 상변이층(645)은 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet; YAG)을 포함할 수 있다.
이에, 상기 지지부(653)는 상기 상변이층(654)의 강한 결합력을 통해 상기 몸통부(652)의 상부면에 부착되어 체결될 수 있다. 특히, 본 실시예에 따르면 한번의 열압착 공정을 통해 다수의 지지부(653)들을 다수의 몸통부(652)들에 한번에 부착시킬 수 있다는 장점이 있다. 한편, 상기 지지부(653)의 상부면은 상기 웨이퍼(W)와 점 접촉하도록 볼록하게 구성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 리프트 핀(660)은 상부면에 돌기(663)를 갖는 몸통부(662) 및 상기 돌기(663)가 삽입되는 제2 삽입홀(666)을 가지면서 상기 돌기(663)와 결합되는 지지부(665)를 포함한다.
특히, 상기 돌기(663)는 외주면에 제3 나사산(664)을 갖고, 상기 지지부(665)는 상기 제2 삽입홀(666) 안쪽의 내주면에 상기 제3 나사산(664)과 맞물리는 제4 나사산(667)을 갖는다.
이때, 상기 제2 삽입홀(666)의 천장면 및 상기 돌기(663)의 상부면 사이에는 나사 체결되면서 삽입되는 상기 돌기(663)를 보다 확실하게 고정시키기 위하여 세라믹 재질로 이루어진 접착 물질(668)이 도포될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 리프트 핀은 웨이퍼와 접촉하는 지지부를 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질, 예를 들면, 이트륨 산화물(Y2O3)로 형성함으로써, 상기 웨이퍼에 스크래치(scratch) 불량이 발생되는 것을 감소 또는 방지할 수 있다.
또한, 상기 이트륨 산화물(Y2O3)이 상대적으로 고가인 점을 고려하여 상기 지지부(665)만 상기 이트륨 산화물(Y2O3)로 형성함으로써 상기 리프트 핀의 제조 원가를 절감할 수 있으며, 접착제를 사용하는 방법, 열압착 방법 또는 나사 결합 방법 등을 이용하여 상기 지지부를 몸통부에 간단하게 결합할 수 있으므로 상기 리프트 핀의 제조에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (12)

  1. 웨이퍼가 놓여지는 서포트 플레이트의 관통홀에 수직 방향으로 이동이 가능하도록 삽입된 몸통부; 및
    상기 웨이퍼를 지지하기 위하여 상기 몸통부의 상부에 결합되며 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진 지지부를 포함하는 리프트 핀.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지지부는 이트륨 산화물(Y2O3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  3. 제1항에 있어서, 상기 몸통부는 상부면에 삽입홀을 갖고, 상기 지지부는 상기 삽입홀에 일부가 돌출되도록 삽입되는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  4. 제3항에 있어서, 상기 지지부는 접착제에 의해 상기 삽입홀 내에 고정되는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  5. 제3항에 있어서, 상기 지지부는 상기 삽입홀에 삽입될 때 상기 삽입홀에 잔존하는 에어를 수용하기 위하여 하부면 부위에 에어홀을 갖는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  6. 제3항에 있어서, 상기 지지부의 외주면에는 제1 나사산이 형성되어 있고, 상기 삽입홀의 내주면에는 상기 제1 나사산에 대응하는 제2 나사산이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  7. 제1항에 있어서, 상기 지지부는 상기 몸통부의 상부면에 열압착 방법에 의해 결합되며, 상기 지지부와 상기 몸통부를 결합하는 동안 상기 지지부와 상기 몸통부 사이에는 상변이층이 형성되는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  8. 제7항에 있어서, 상기 지지부는 이트륨 산화물(Y2O3)을 포함하고, 상기 몸통부는 알루미늄 산화물(Al2O3)을 포함하며, 상기 상변이층은 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet)을 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  9. 제1항에 있어서, 상기 몸통부의 상부면에는 돌기가 구비되며, 상기 지지부의 하부에는 상기 돌기가 삽입되는 삽입홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  10. 제9항에 있어서, 상기 돌기의 외주면에는 제3 나사산이 형성되어 있고, 상기 삽입홀의 내주면에는 상기 제3 나사산에 대응하는 제4 나사산이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  11. 제10항에 있어서, 상기 삽입홀의 천장면 및 상기 돌기의 상부면 사이에는 접착 물질이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  12. 웨이퍼를 처리하기 위한 반응 가스가 공급되는 반응 챔버;
    상기 반응 챔버 내에 배치되어 상기 웨이퍼가 놓여지며, 수직 방향으로 관통된 관통홀을 갖는 서포트 플레이트;
    상기 서포트 플레이트의 상부에 배치되며, 상기 반응 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위하여 고주파 전원이 인가되는 전극; 및
    상기 웨이퍼를 상기 서포트 플레이트로 로드하고 상기 서포트 플레이트로부터 언로드하기 위하여 상기 서포트 플레이트의 관통홀에 수직 방향으로 이동이 가능하도록 삽입되는 몸통부 및 상기 웨이퍼를 지지하기 위하여 상기 몸통부의 상부에 결합되며 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진 지지부를 갖는 리프트 핀을 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
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