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WO2009113274A1 - 弾性波フィルタおよびそれを用いたデュプレクサおよび電子機器 - Google Patents

弾性波フィルタおよびそれを用いたデュプレクサおよび電子機器 Download PDF

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WO2009113274A1
WO2009113274A1 PCT/JP2009/000972 JP2009000972W WO2009113274A1 WO 2009113274 A1 WO2009113274 A1 WO 2009113274A1 JP 2009000972 W JP2009000972 W JP 2009000972W WO 2009113274 A1 WO2009113274 A1 WO 2009113274A1
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WO
WIPO (PCT)
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idt electrode
electrode
signal terminal
wave filter
idt
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/000972
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
藤原城二
鶴成哲也
中村弘幸
後藤令
Original Assignee
パナソニック株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to US12/921,580 priority patent/US8427259B2/en
Priority to JP2010502712A priority patent/JP5343965B2/ja
Publication of WO2009113274A1 publication Critical patent/WO2009113274A1/ja
Priority to US13/845,547 priority patent/US9203378B2/en
Priority to US14/943,683 priority patent/US9722576B2/en

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Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave filter used for a mobile phone or the like, a duplexer using the same, and an electronic device.
  • this type of acoustic wave filter has an unbalanced signal terminal 16 and first, second, and third wiring electrodes electrically connected to the unbalanced signal terminal 16 as shown in FIG. IDT electrodes 17A, 17B, and 17C.
  • the conventional acoustic wave filter has a fourth IDT electrode 17D provided between the first and second IDT electrodes 17A and 17B, and a second IDT electrode provided between the second and third IDT electrodes 17B and 17C. 5 IDT electrodes 17E.
  • the conventional acoustic wave filter is electrically connected to the first balanced signal terminal 18A electrically connected to the wiring electrode of the fourth IDT electrode 17D and the wiring electrode of the fifth IDT electrode 17E. And a second balanced signal terminal 18B.
  • the ground electrodes of the first, second, third, fourth, and fifth IDT electrodes 17A, 17B, 17C, 17D, and 17E are electrically connected to the ground.
  • a signal having a phase opposite to that of the signal input from the unbalanced signal terminal 16 is output from the first balanced signal terminal 18A and is in phase with the signal input from the unbalanced signal terminal 16.
  • the wiring electrodes of the second and third IDT electrodes 17B and 17C and the ground electrode of the fifth IDT electrode 17E are adjacent to each other, and the first and second IDT electrodes 17A and 17B The ground electrode and the ground electrode of the fourth IDT electrode 17D are adjacent to each other (see, for example, Patent Document 1).
  • the ground electrodes of the first and second IDT electrodes 17A and 17B and the ground electrode of the fourth IDT electrode 17D are adjacent to each other. As shown, spurious S is generated in the passband.
  • an acoustic wave filter in which an acoustic wave filter as shown in FIG. 14 is connected in parallel to improve the pass characteristic.
  • the conventional parallel type acoustic wave filter is electrically connected to the first unbalanced signal terminal 2 and the first unbalanced signal terminal 2 formed on the piezoelectric substrate 1.
  • a first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 5 having a first balanced signal terminal 3 and a second balanced signal terminal 4 is provided.
  • the second unbalanced signal terminal 6 formed on the piezoelectric substrate 1 and the third balanced signal terminal 7 and the fourth balanced signal electrically connected to the second unbalanced signal terminal 6 are provided.
  • a second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 9 having a terminal 8 is provided.
  • the first unbalanced signal terminal 2 and the second unbalanced signal terminal 6 are electrically connected.
  • the first balanced signal terminal 3 and the second balanced signal terminal 4 are electrically connected to the first input / output terminal 10.
  • the third balanced signal terminal 7 and the fourth balanced signal terminal 8 are electrically connected to the second input / output terminal 11.
  • the phase of the input / output signal from the first input / output terminal 10 is shifted by 180 ° with respect to the phase of the input / output signal from the second input / output terminal 11 (see, for example, Patent Document 2).
  • FIG. 17 is a diagram showing passband characteristics of a conventional parallel type acoustic wave filter. That is, in the conventional parallel type acoustic wave filter, as shown in FIG. 17, spurious S is generated in a high frequency portion in a desired pass band PB0. As a result, the insertion loss deterioration has been increased.
  • the present invention provides an elastic wave filter that can suppress the occurrence of spurious and reduce deterioration of insertion loss, a duplexer using the same, and an electronic apparatus.
  • the present invention provides an unbalanced signal terminal, a first, a second, and a third IDT electrode whose wiring electrodes are electrically connected to the unbalanced signal terminal, and the first and second IDT electrodes.
  • a fourth IDT electrode provided; a fifth IDT electrode provided between the second and third IDT electrodes; and a first electrode electrically connected to the wiring electrode of the fourth IDT electrode.
  • the ground electrode is electrically connected to the ground, and a signal having a phase opposite to that of the signal input from the unbalanced signal terminal is output from the first balanced signal terminal and is input from the unbalanced signal terminal.
  • the wiring electrode of the DT electrode and the ground electrode of the fifth IDT electrode are adjacent to each other, and one of the first and second IDT electrodes is adjacent to the wiring electrode of the fourth IDT electrode.
  • the other ground electrode of the first and second IDT electrodes and the ground electrode of the fourth IDT electrode are adjacent to each other.
  • This configuration can suppress spurious noise in the passband.
  • FIG. 1 is a schematic top view of an acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic top view of another example of the acoustic wave filter in the embodiment.
  • FIG. 3 is a pass characteristic diagram of the acoustic wave filter in the same embodiment.
  • FIG. 4 is a pass characteristic diagram of the acoustic wave filter shown in FIG.
  • FIG. 5 is a schematic top view of a parallel acoustic wave filter according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 6 is a pass characteristic diagram of the parallel-type elastic wave filter in the same embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic top view of a parallel acoustic wave filter according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 8 is a top view showing a specific example of a parallel-type elastic wave filter in the same embodiment.
  • FIG. 9 is a perspective view of a main part of the parallel-type elastic wave filter shown in FIG.
  • FIG. 10 is a schematic top view of a parallel acoustic wave filter according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 11 is an electric circuit diagram of the duplexer according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a pass characteristic diagram of the same embodiment.
  • FIG. 13 is a configuration diagram of an electronic device according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a configuration diagram of a conventional acoustic wave filter.
  • FIG. 15 is a pass characteristic diagram of a conventional acoustic wave filter.
  • FIG. 16 is a configuration diagram of a conventional parallel acoustic wave filter.
  • FIG. 17 is a pass characteristic diagram of a conventional parallel type acoustic wave filter.
  • FIG. 1 is a schematic top view of an acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the acoustic wave filter according to the present embodiment includes an unbalanced signal terminal 12, and first, second, and third IDTs (Interdigital Transducers) whose wiring electrodes are electrically connected to the unbalanced signal terminal 12.
  • Electrodes 13A, 13B, and 13C are provided.
  • the acoustic wave filter in the present embodiment includes a fourth IDT electrode 13D provided between the first and second IDT electrodes 13A and 13B.
  • the acoustic wave filter in the present embodiment includes a fifth IDT electrode 13E provided between the second and third IDT electrodes 13B and 13C.
  • the acoustic wave filter in the present embodiment is electrically connected to the first balanced signal terminal 14A electrically connected to the wiring electrode of the fourth IDT electrode 13D and the wiring electrode of the fifth IDT electrode 13E. And a second balanced signal terminal 14B connected thereto.
  • the ground electrodes of the first, second, third, fourth, and fifth IDT electrodes 13A, 13B, 13C, 13D, and 13E are electrically connected to the ground. Yes.
  • a signal having a phase opposite to that of the signal input from the unbalanced signal terminal 12 is output from the first balanced signal terminal 14A.
  • a signal having the same phase as the signal input from the unbalanced signal terminal 12 is output from the second balanced signal terminal 14B.
  • the wiring electrodes of the second and third IDT electrodes 13B and 13C and the ground electrode of the fifth IDT electrode 13E are adjacent to each other.
  • one wiring electrode of the first and second IDT electrodes 13A and 13B and the wiring electrode of the fourth IDT electrode 13D are adjacent to each other.
  • the other ground electrode of the first and second IDT electrodes 13A and 13B and the ground electrode of the fourth IDT electrode 13D are adjacent to each other.
  • the first, second, third, and fifth IDT electrodes 13A, 13B, 13C, and 13E each have five electrode fingers.
  • the fourth IDT electrode 13D has six electrode fingers.
  • Each electrode finger of the first, second, third, fourth, and fifth IDT electrodes 13A, 13B, 13C, 13D, and 13E includes a wiring electrode and a ground electrode.
  • the ground electrode is disposed on the outermost side, and the ground electrode and the ground electrode in the fourth IDT electrode 13D are disposed adjacent to each other.
  • the fourth IDT electrode 13D has an even number of electrode fingers, and the electrode finger on the side opposite to the ground electrode adjacent to the first IDT electrode 13A is a wiring electrode.
  • the wiring electrode of the fourth IDT electrode 13D is electrically connected to the first balanced signal terminal 14A and is disposed adjacent to the wiring electrode of the second IDT electrode 13B.
  • the electrode finger on the side opposite to the wiring electrode adjacent to the fourth IDT electrode 13D is a wiring electrode.
  • the electrode is adjacent to the ground electrode of the fifth IDT electrode 13E.
  • the wiring electrode of the fifth IDT electrode 13E is electrically connected to the second balanced signal terminal 14B.
  • the electrode finger on the opposite side of the ground electrode adjacent to the second IDT electrode 13B is also a ground electrode.
  • the electrode is adjacent to the wiring electrode of the third IDT electrode 13C.
  • a reflector 15A is disposed on the opposite side of the fourth IDT electrode 13D with respect to the first IDT electrode 13A, and a reflector 15B is disposed on the opposite side of the fifth IDT electrode 13E with respect to the third IDT electrode 13C. It is arranged.
  • Such a configuration can suppress the occurrence of spurious in the passband.
  • FIG. 3 is a pass characteristic diagram of the elastic wave filter according to the present embodiment.
  • a solid line characteristic 301 indicates the characteristic according to the present embodiment
  • a dotted line characteristic 302 indicates the characteristic of the conventional acoustic wave filter (same as FIG. 15).
  • the spurious S appearing in the conventional characteristic 302 disappears from the pass characteristic.
  • the characteristic 301 (the present embodiment) is attenuated more than the characteristic 302 (conventional) as shown in part B of FIG. Characteristics can be improved.
  • the first configuration relates to the pitch interval of the electrode fingers existing in the first, second, third, fourth, and fifth IDT electrodes 13A, 13B, 13C, 13D, and 13E. That is, the pitch interval P1 existing on one side and the pitch interval P2 existing on the other side are asymmetric with respect to the center line A-AA in the second IDT electrode 13B.
  • the second configuration relates to the pitch gradation of the electrode fingers existing in the first, second, third, fourth, and fifth IDT electrodes 13A, 13B, 13C, 13D, and 13E. That is, with the center line A-AA in the second IDT electrode 13B as the center, the pitch gradation of the pitch interval P1 existing on one side and the pitch gradation of the pitch interval P2 existing on the other side are asymmetric. .
  • the pitch gradation of the pitch interval P1 existing on one side is gradually decreased by the interval ⁇ as the distance from the center line A-AA increases, and the pitch gradation of the pitch interval P2 existing on the other side is decreased as the distance ⁇ from the center line A-AA.
  • the third configuration relates to the distance between the first, second, third, fourth, and fifth IDT electrodes 13A, 13B, 13C, 13D, and 13E. That is, at least one of the distance L14 between the first IDT electrode 13A and the fourth IDT electrode 13D and the distance L42 between the fourth IDT electrode 13D and the second IDT electrode 13B is the second IDT electrode 13B. Is different from at least one of an interval L25 between the fifth IDT electrode 13E and an interval L53 between the fifth IDT electrode 13E and the third IDT electrode 13C.
  • the number of electrode fingers of the second IDT electrode 13B is an odd number.
  • the ground electrode of the first IDT electrode 13A and the ground electrode of the fourth IDT electrode 13D are adjacent to each other, and the wiring electrode of the fourth IDT electrode 13D and the wiring electrode of the second IDT electrode 13B are Are adjacent to each other.
  • the number of electrode fingers of the second IDT electrode 13B can be an even number.
  • the wiring electrode of the first IDT electrode 13A and the wiring electrode of the fourth IDT electrode 13D are adjacent to each other, and the ground electrode of the fourth IDT electrode 13D and the ground electrode of the second IDT electrode 13B are adjacent to each other.
  • a suitable configuration is possible configuration.
  • FIG. 4 is a pass characteristic diagram of the acoustic wave filter shown in FIG. 4 shows the characteristics 402 of the acoustic wave filter having the configuration shown in FIG. 2 and the characteristics 401 of the acoustic wave filter having the configuration shown in FIG.
  • the attenuation characteristic of the characteristic 401 is improved as compared with the characteristic 402. Therefore, the configuration shown in FIG.
  • the number of electrode fingers of the second IDT electrode 13B is an odd number
  • the ground electrode of the first IDT electrode 13A and the ground electrode of the fourth IDT electrode 13D are adjacent
  • the wiring electrode of the fourth IDT electrode 13D and the wiring electrode of the second IDT electrode 13B be adjacent to each other because the attenuation characteristics are further improved.
  • the same effect can be obtained even if the arrangement of the electrode fingers of the elastic wave filter in FIG. 1 is inverted upside down.
  • the connection relationship between the unbalanced signal electrode 12, the first balanced signal electrode 14A, the second balanced signal electrode 14B, and each electrode finger is the same as in FIG.
  • the ground electrodes of the second and third IDT electrodes 13B and 13C and the wiring electrode of the fifth IDT electrode 13E are adjacent to each other, and one of the first and second IDT electrodes 13A and 13B.
  • the wiring electrode of the fourth IDT electrode 13D are adjacent to each other, and the other ground electrode of the first and second IDT electrodes 13A and 13B and the ground electrode of the fourth IDT electrode 13D are adjacent to each other.
  • the elastic wave filter according to the second embodiment can further improve the pass characteristics by connecting the elastic wave filters described in the first embodiment in parallel.
  • the parallel acoustic wave filter of the present embodiment includes a piezoelectric substrate 21, a first unbalanced signal terminal 22, a first balanced signal terminal 23 formed on the piezoelectric substrate 21, and A first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 25 having a second balanced signal terminal 24 is provided.
  • Each of the first unbalanced signal terminal 22, the first balanced signal terminal 23, and the second balanced signal terminal 24 is electrically connected to the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 25.
  • a second longitudinally coupled resonator having a piezoelectric substrate 21, a second unbalanced signal terminal 26, a third balanced signal terminal 27, and a fourth balanced signal terminal 28 formed on the piezoelectric substrate 21.
  • a type elastic wave filter 29 is provided.
  • Each of the second unbalanced signal terminal 26, the third balanced signal terminal 27, and the fourth balanced signal terminal 28 is electrically connected to the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 29.
  • first unbalanced signal terminal 22 and the second unbalanced signal terminal 26 are electrically connected.
  • the first balanced signal terminal 23 and the third balanced signal terminal 27 are electrically connected to the first input / output terminal 30.
  • the second balanced signal terminal 24 and the fourth balanced signal terminal 28 are electrically connected to the second input / output terminal 31.
  • the phase of the input / output signal from the first input / output terminal 30 is configured to be opposite in phase to the phase of the input / output signal from the second input / output terminal 31 by 180 °.
  • the phase difference between the input / output signals of the first input / output terminal 30 and the second input / output terminal 31 has a width of about 180 ° ⁇ 10 °.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 25 has first, second, third, fourth, and fifth IDT electrodes 32, 33, 34, 35, and 36.
  • Grating reflectors 42 and 43 are provided on both sides of the first, second, third, fourth, and fifth IDT electrodes 32, 33, 34, 35, and 36 in the elastic wave propagation direction.
  • the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 29 includes sixth, seventh, eighth, ninth, and tenth IDT electrodes 37, 38, 39, 40, and 41.
  • Grating reflectors 44 and 45 are provided on both sides of the sixth, seventh, eighth, ninth, and tenth IDT electrodes 37, 38, 39, 40, and 41 in the elastic wave propagation direction.
  • each of the first, third, and fifth IDT electrodes 32, 34, and 36 is electrically connected to the first unbalanced signal terminal 22, and the other end is connected to the ground.
  • one end of each of the sixth, eighth, and tenth IDT electrodes 37, 39, and 41 is electrically connected to the second unbalanced signal terminal 26, and the other end is connected to the ground.
  • each of the first, third, and fifth IDT electrodes 32, 34, and 36 includes a plurality of commonly connected electrode fingers and a plurality of commonly connected electrode fingers as shown in FIG. Opposing to cross each other.
  • a plurality of commonly connected electrode fingers of each of the first and fifth IDT electrodes 32 and 36 and a plurality of commonly connected electrode fingers of the third IDT electrode 34 have a first imbalance.
  • the signal terminal 22 is electrically connected.
  • a plurality of commonly connected electrode fingers of each of the first and fifth IDT electrodes 32 and 36 and a plurality of commonly connected electrode fingers of the third IDT electrode 34 are connected to the ground. Yes. As shown in FIG.
  • each of the sixth, eighth, and tenth IDT electrodes 37, 39, and 41 has a plurality of commonly connected electrode fingers and a plurality of commonly connected electrode fingers. ing. A plurality of commonly connected electrode fingers of each of the sixth and tenth IDT electrodes 37 and 41 and a plurality of commonly connected electrode fingers of the eighth IDT electrode 39 are in a second unbalanced state. The signal terminal 26 is electrically connected. A plurality of commonly connected electrode fingers of the sixth and tenth IDT electrodes 37 and 41 and a plurality of commonly connected electrode fingers of the eighth IDT electrode 39 are connected to the ground. Yes.
  • One end of the second IDT electrode 33 is connected to the ground, and the other end is electrically connected to the first balanced signal terminal 23.
  • One end of the seventh IDT electrode 38 is connected to the ground, and the other end is electrically connected to the third balanced signal terminal 27. Further, as described above, the first balanced signal terminal 23 and the third balanced signal terminal 27 are electrically connected to the first input / output terminal 30.
  • one end of the fourth IDT electrode 35 is connected to the ground, and the other end is electrically connected to the second balanced signal terminal 24.
  • One end of the ninth IDT electrode 40 is connected to the ground, and the other end is electrically connected to the fourth balanced signal terminal 28. Further, as described above, the second balanced signal terminal 24 and the fourth balanced signal terminal 28 are electrically connected to the second input / output terminal 31.
  • each of the second, fourth, seventh, and ninth IDT electrodes 33, 35, 38, and 40 has a plurality of commonly connected electrode fingers and a plurality of commonly connected electrode fingers as shown in FIG. The electrode fingers are arranged so as to cross each other. At one end of each of the second and seventh IDT electrodes 33 and 38, a plurality of commonly connected electrode fingers are connected to the ground. In the second IDT electrode 33, the other plurality of commonly connected electrode fingers are electrically connected to the first balanced signal terminal 23. In the seventh IDT electrode 38, the other plurality of commonly connected electrode fingers are electrically connected to the third balanced signal terminal 27. Each of the fourth and ninth IDT electrodes 35 and 40 has one common electrode finger connected to the ground. In the fourth IDT electrode 35, the other plurality of commonly connected electrode fingers are electrically connected to the second balanced signal terminal 24. In the ninth IDT electrode 40, the other plurality of commonly connected electrode fingers are electrically connected to the fourth balanced signal terminal 28.
  • phase of the input / output signal from the first balanced signal terminal 23 and the phase of the input / output signal from the second balanced signal terminal 24 are reversed. Further, the phase of the input / output signal from the third balanced signal terminal 27 and the phase of the input / output signal from the fourth balanced signal terminal 28 are reversed.
  • phase of the input / output signal from the first balanced signal terminal 23 and the phase of the input / output signal from the third balanced signal terminal 27 are set to the same phase. Further, the phase of the input / output signal from the second balanced signal terminal 24 and the phase of the input / output signal from the fourth balanced signal terminal 28 are set to the same phase.
  • phase of the input / output signal from the first input / output terminal 30 is opposite to the phase of the input / output signal from the second input / output terminal 31.
  • FIG. 6 is a diagram showing the pass characteristics of the parallel-type elastic wave filter in the present embodiment.
  • the horizontal axis indicates the frequency, and the vertical axis indicates the pass characteristic of the filter at that frequency.
  • FIG. 6 shows a characteristic 201 according to this embodiment and a characteristic 202 according to the conventional example.
  • the characteristic 201 (thick line) of the present embodiment is that the spurious S in the high frequency region is suppressed, and the insertion loss It can be seen that the degradation is reduced.
  • the insertion loss of 2.17 GHz which is the high frequency region, is 1.8 dB in the characteristic 202 (thin line) according to the conventional example, but is 1.4 dB according to the characteristic 202 of the present embodiment. You can see that it has improved.
  • a piezoelectric substrate having piezoelectricity such as a Y-cut X-propagating LiNbO 3 substrate, a LiNbO 3 substrate having another cut angle, a LiTaO 3 substrate, or a crystal can be used.
  • a metal such as aluminum or an alloy can be used as the electrode material formed on the piezoelectric substrate 21.
  • the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 25 and 29 in the present embodiment are each configured to have five IDT electrodes arranged along the acoustic wave propagation direction.
  • the number of IDT electrodes is not limited to this as long as one unbalanced signal can be converted into two balanced signals.
  • first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 25 and 29 in the present embodiment have the same electrode design.
  • each longitudinally coupled resonator type elastic wave filter is configured to convert one unbalanced signal into two balanced signals, the same configuration is not necessarily required.
  • the polarities of the electrode fingers of the outermost IDT electrodes 32 and 36 of the IDT electrodes 32 to 36 included in the first longitudinally coupled acoustic wave filter 25 and the second longitudinally coupled acoustic wave filter 29 are included. It is desirable that the electrode fingers of the IDT electrodes 37 and 41 at the outermost ends of the IDT electrodes 37 to 41 have the same polarity. This is because the combination of the comb-teeth electrodes of the IDT electrodes 32 to 36 included in the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 25 and the IDT electrodes 37 included in the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 29. It can be realized by using the same combination of the comb electrodes of .about.41.
  • the IDT electrodes 32 and 37, the IDT electrodes 33 and 38, the IDT electrodes 34 and 39, the IDT electrodes 35 and 40, and the IDT electrodes 36 and 41 with the same combination of comb electrodes. Can do.
  • the input / output signal from the first balanced signal terminal 23 and the input / output signal from the third balanced signal terminal 27 can be in phase, and the input / output signal of the second balanced signal terminal 24
  • the input / output signals of the four balanced signal terminals 28 can have the same phase, and the parallel type acoustic wave filter in the present embodiment can be easily realized.
  • the cross mode L1 of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 25 is made larger than the crossed width L2 of the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 29, thereby reducing the frequency of occurrence of transverse mode spurious. It can be dispersed effectively.
  • FIG. 7 is a schematic top view showing a parallel-type elastic wave filter according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the parallel type acoustic wave filter according to the present embodiment is different from the parallel type acoustic wave filter according to the second embodiment in that a first input / output terminal 30 and a second input / output terminal 31 are provided.
  • a capacitance component 51 is interposed therebetween.
  • first balanced signal terminal 23 and the third balanced signal terminal 27 are connected to the first connection point 46.
  • the second balanced signal terminal 24 and the fourth balanced signal terminal 28 are connected to the second connection point 47.
  • the first connection point 46 and the third balanced signal terminal 27 are connected by the first wiring 48.
  • the second connection point 47 and the second balanced signal terminal 24 are connected by the second wiring 49.
  • FIG. 7 The configuration shown in FIG. 7 is obtained as specifically shown in FIGS. 8 and 9, for example. 8 is a top view of the specific configuration of FIG. 7, and FIG. 9 is a perspective view of the main part thereof. That is, the first wiring 48 and the second wiring 49 are crossed on the piezoelectric substrate 21. A dielectric film 50 is formed between the first wiring 48 and the second wiring 49. With this configuration, a capacitance component 51 can be interposed between the first input / output terminal 30 and the second input / output terminal 31 as shown in FIG.
  • impedances viewed from the first input / output terminal 30 and the second input / output terminal 31 can be matched.
  • the dielectric film 50 it is desirable to use silicon oxide as the dielectric film 50. Since the silicon oxide film can be manufactured at a low temperature, damage to the element can be avoided. At the same time, it is possible to obtain the dielectric film 50 with high accuracy, good film quality, and easy thickness control.
  • the dielectric film 50 is configured to cover the upper surface of at least one of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 25 and the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 29. Furthermore, it is desirable that the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 25 and the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 29 function as a functional film for at least one of them.
  • the first, second, third, fourth, and fifth IDT electrodes 32 and 33 are formed by the dielectric film 50 interposed between the first wiring 48 and the second wiring 49.
  • the first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh, eighth, ninth, and tenth IDT electrodes 32, 33, 34, 35, 36, 37 By forming a functional film made of, for example, silicon oxide on 38, 39, 40, and 41, a protective film for the IDT electrode can be obtained. At the same time, unnecessary spurious generated in the vicinity of the resonance frequency can be reduced, and the frequency temperature characteristic can be improved.
  • the functional film and the dielectric film 50 are shared by forming the functional film so as to be enlarged between the first wiring 48 and the second wiring 49 existing at positions different from the IDT electrode. Can be realized with high productivity.
  • the functional film and the dielectric film 50 are shared by using a resin-based material such as polyimide with good workability. can do.
  • FIG. 10 is a schematic top view showing a parallel-type elastic wave filter according to Embodiment 4 of the present invention.
  • the parallel type acoustic wave filter according to the present embodiment is different from the parallel type acoustic wave filter according to the second embodiment in that a first input / output terminal 30 and a second input / output terminal 31 are provided.
  • An inductance component 52 is interposed therebetween.
  • the inductance component 52 is interposed.
  • the inductance component 52 By interposing the inductance component 52 between the first input / output terminal 30 and the second input / output terminal 31, impedance matching can be achieved by the inductance component 52. Therefore, the capacitance value required for impedance matching can be reduced. As a result, the cross area of the first wiring 48 and the second wiring 49 shown in FIGS. 8 and 9 can be reduced, and the filter can be downsized.
  • FIG. 11 is an electric circuit diagram showing the duplexer in the present embodiment.
  • the duplexer 56 in the present embodiment is electrically connected to the transmission elastic wave filter 53, the reception elastic wave filter 54, the transmission elastic wave filter 53, and the reception elastic wave filter 54.
  • the reception acoustic wave filter 54 in the present embodiment is configured using the parallel acoustic wave filter described in the second embodiment.
  • FIG. 12 shows the pass characteristic of the antenna duplexer for WCDMA (Wideband Code Multiple Access) using this duplexer 56.
  • FIG. 12 shows a transmission pass characteristic 801 for the transmission pass band PB1 and a reception pass characteristic 802 for the reception pass band PB2. From FIG. 12, it can be seen that a good insertion loss of about ⁇ 2.1 dB is realized in the reception passband PB2 (2.11 GHz to 2.17 GHz).
  • the duplexer 56 having a low insertion loss is obtained. Is possible.
  • FIG. 13 is a block diagram showing an electronic apparatus according to the sixth embodiment of the present invention.
  • a configuration of a mobile phone 90 is shown as an electronic device. That is, in FIG. 13, a 2.0 GHz reception signal received by the antenna 91 is divided to the reception side by the duplexer 92 and sent to the first-stage elastic wave filter 94 via the low noise amplifier 93. The signal from which noise has been removed by the acoustic wave filter 94 is reduced in frequency to 130 MHz by the mixer 95 and sent to the second stage acoustic wave filter 96. A low-loss signal is extracted by the acoustic wave filter 96, and an audio signal can be heard from the speaker 98 through the demodulation circuit 97.
  • the sound emitted from the microphone 99 is converted into a digital signal by the AD converter 100, phase-modulated by the modulator 101, and input to the mixer 102.
  • a signal whose frequency is increased by the mixer 102 is input to the elastic wave filter 103.
  • the signal from which noise has been cut by the elastic wave filter 103 is transmitted as a 2.0 GHz transmission signal from the antenna 91 via the power amplifier 104 and the duplexer 92.
  • the low-loss mobile phone 90 can be obtained. It can. That is, it is possible to improve the listening quality of the mobile phone 90.
  • the present invention has the effect of suppressing the occurrence of spurious in the high band part and reducing the deterioration of insertion loss, and is useful in various electronic devices such as mobile phones.

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Abstract

不平衡信号端子（１２）に配線電極が接続された第１、第２、第３ＩＤＴ電極（１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ）、第１、第２ＩＤＴ電極間に設けられた第４ＩＤＴ電極（１３Ｄ）、第２、第３ＩＤＴ電極間に設けられた第５ＩＤＴ電極（１３Ｅ）、第４、第５ＩＤＴ電極（１３Ｄ、１３Ｅ）の配線電極に接続された第１、第２平衡信号端子（１４Ａ、１４Ｂ）を備え、第１～第５ＩＤＴ電極の接地電極はグランドに接続され、不平衡信号端子（１２）への入力信号と逆相信号及び同相信号が、第１及び第２平衡信号端子（１４Ａ、１４Ｂ）から出力され、第２、第３ＩＤＴ電極（１３Ｂ、１３Ｃ）の配線電極と第５ＩＤＴ電極（１３Ｅ）の接地電極が隣り合い、第１、第２ＩＤＴ電極（１３Ａ、１３Ｂ）の内の、一方の配線電極と第４ＩＤＴ電極（１３Ｄ）の配線電極が隣り合い、他方の接地電極と第４ＩＤＴ電極（１３Ｄ）の接地電極が隣り合う構成により、通過帯域内でスプリアスを抑圧できる。

Description

弾性波フィルタおよびそれを用いたデュプレクサおよび電子機器
　本発明は、携帯電話等に用いられる弾性波フィルタおよびそれを用いたデュプレクサおよび電子機器に関するものである。
　従来この種の弾性波フィルタは、図１４にその構成図を示す如く、不平衡信号端子１６と、不平衡信号端子１６にその配線電極が電気的に接続された第１、第２、第３のＩＤＴ電極１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃとを備えている。また、従来の弾性波フィルタは、第１、第２のＩＤＴ電極１７Ａ、１７Ｂ間に設けられた第４のＩＤＴ電極１７Ｄと、第２、第３のＩＤＴ電極間１７Ｂ、１７Ｃに設けられた第５のＩＤＴ電極１７Ｅとを備えている。また、従来の弾性波フィルタは、第４のＩＤＴ電極１７Ｄの配線電極に電気的に接続された第１の平衡信号端子１８Ａと、第５のＩＤＴ電極１７Ｅの配線電極に電気的に接続された第２の平衡信号端子１８Ｂとを備えている。また、従来の弾性波フィルタは、第１、第２、第３、第４、第５のＩＤＴ電極１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ、１７Ｄ、１７Ｅの接地電極はグランドに電気的に接続されている。また、従来の弾性波フィルタは、不平衡信号端子１６から入力される信号と逆位相の信号が前記第１の平衡信号端子１８Ａから出力され、不平衡信号端子１６から入力される信号と同位相の信号が第２の平衡信号端子１８Ｂから出力される。また、従来の弾性波フィルタは、第２、第３のＩＤＴ電極１７Ｂ、１７Ｃの配線電極と第５のＩＤＴ電極１７Ｅの接地電極とが隣り合い、第１、第２のＩＤＴ電極１７Ａ、１７Ｂの接地電極と第４のＩＤＴ電極１７Ｄの接地電極とが隣り合う構成をしていた（例えば、特許文献１参照）。
　しかし、このような従来の弾性波フィルタは、通過帯域内においてスプリアスが発生することが問題となっていた。
　すなわち、上記従来の構成においては、第１、第２のＩＤＴ電極１７Ａ、１７Ｂの接地電極と第４のＩＤＴ電極１７Ｄの接地電極とが隣り合う構成としていたため、図１５にその通過帯域特性を示す如く、通過帯域内においてスプリアスＳが発生してしまうことが問題となっていた。
　また、図１４に示すような弾性波フィルタを並列接続させて通過特性を改善した弾性波フィルタが知られている。従来の並列型の弾性波フィルタは、図１６に示すごとく、圧電基板１上に形成された、第１の不平衡信号端子２と、第１の不平衡信号端子２に電気的に接続された、第１の平衡信号端子３および第２の平衡信号端子４を有する第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ５を備えている。さらに、圧電基板１上に形成された、第２の不平衡信号端子６と、第２の不平衡信号端子６に電気的に接続された、第３の平衡信号端子７および第４の平衡信号端子８を有する第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ９を備えている。
　第１の不平衡信号端子２と第２の不平衡信号端子６とが電気的に接続されている。第１の平衡信号端子３と第２の平衡信号端子４とが第１の入出力端子１０に電気的に接続されている。第３の平衡信号端子７と第４の平衡信号端子８とが第２の入出力端子１１に電気的に接続されている。第１の入出力端子１０からの入出力信号の位相が、第２の入出力端子１１からの入出力信号の位相に対して１８０°ずれている構成である（例えば、特許文献２参照）。
　しかし、このような従来の並列型の弾性波フィルタは、帯域高域部分の挿入損失劣化が大きいことが問題となっていた。
　図１７は、従来の並列型の弾性波フィルタの通過帯域特性を示す図である。すなわち、従来の並列型の弾性波フィルタでは、図１７に示すごとく、所望の通過帯域ＰＢ０における高域部分にスプリアスＳが発生する。その結果として、挿入損失劣化が大きくなっていた。
特開２００１－３１３５４０号公報 特開２００２－３１４３７１号公報
　本発明は、スプリアスの発生を抑制し、挿入損失劣化を低減することができる弾性波フィルタならびにこれを用いたデュプレクサおよび電子機器を提供するものである。
　本発明は、不平衡信号端子と、前記不平衡信号端子にその配線電極が電気的に接続された第１、第２、第３のＩＤＴ電極と、前記第１、第２のＩＤＴ電極間に設けられた第４のＩＤＴ電極と、前記第２、第３のＩＤＴ電極間に設けられた第５のＩＤＴ電極と、前記第４のＩＤＴ電極の配線電極に電気的に接続された第１の平衡信号端子と、前記第５のＩＤＴ電極の配線電極に電気的に接続された第２の平衡信号端子とを備え、前記第１、第２、第３、第４、第５のＩＤＴ電極の接地電極はグランドに電気的に接続されており、前記不平衡信号端子から入力される信号と逆位相の信号が前記第１の平衡信号端子から出力され、前記不平衡信号端子から入力される信号と同位相の信号が前記第２の平衡信号端子から出力され、前記第２、第３のＩＤＴ電極の配線電極と前記第５のＩＤＴ電極の接地電極とが隣り合い、前記第１、第２のＩＤＴ電極の内の一方の配線電極と前記第４のＩＤＴ電極の配線電極とが隣り合い、前記第１、第２のＩＤＴ電極の内の他方の接地電極と前記第４のＩＤＴ電極の接地電極とが隣り合っている構成を有する。
　この構成により、通過帯域内においてスプリアスを抑圧させることができる。
図１は、本発明の実施の形態１における弾性波フィルタの概略上面図である。 図２は、同実施の形態における他の例の弾性波フィルタの概略上面図である。 図３は、同実施の形態における弾性波フィルタの通過特性図である。 図４は、図２に示す弾性波フィルタの通過特性図である。 図５は、本発明の実施の形態２における並列型の弾性波フィルタの概略上面図である。 図６は、同実施の形態における並列型の弾性波フィルタの通過特性図である。 図７は、本発明の実施の形態３における並列型の弾性波フィルタの概略上面図である。 図８は、同実施の形態における並列型の弾性波フィルタの具体例を示す上面図である。 図９は、図８に示す並列型の弾性波フィルタの要部斜視図である。 図１０は、本発明の実施の形態４における並列型の弾性波フィルタの概略上面図である。 図１１は、本発明の実施の形態５におけるデュプレクサの電気回路図である。 図１２は、同実施の形態の通過特性図である。 図１３は、本発明の実施の形態６における電子機器の構成図である。 図１４は、従来の弾性波フィルタの構成図である。 図１５は、従来の弾性波フィルタの通過特性図である。 図１６は、従来の並列型の弾性波フィルタの構成図である。 図１７は、従来の並列型の弾性波フィルタの通過特性図である。
符号の説明
　１２　　不平衡信号端子
　１３Ａ，３２　　第１のＩＤＴ電極
　１３Ｂ，３３　　第２のＩＤＴ電極
　１３Ｃ，３４　　第３のＩＤＴ電極
　１３Ｄ，３５　　第４のＩＤＴ電極
　１３Ｅ，３６　　第５のＩＤＴ電極
　１４Ａ，２３　　第１の平衡信号端子
　１４Ｂ，２４　　第２の平衡信号端子
　２１　　圧電基板
　２２　　第１の不平衡信号端子
　２５　　第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ
　２６　　第２の不平衡信号端子
　２７　　第３の平衡信号端子
　２８　　第４の平衡信号端子
　２９　　第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ
　３０　　第１の入出力端子
　３１　　第２の入出力端子
　３７　　第６のＩＤＴ電極
　３８　　第７のＩＤＴ電極
　３９　　第８のＩＤＴ電極
　４０　　第９のＩＤＴ電極
　４１　　第１０のＩＤＴ電極
　４２，４３，４４，４５　　反射器
　４６　　第１の接続点
　４７　　第２の接続点
　４８　　第１の配線
　４９　　第２の配線
　５０　　誘電体膜
　５１　　キャパシタンス成分
　５２　　インダクタンス成分
　５３　　送信用弾性波フィルタ
　５４　　受信用弾性波フィルタ
　５５　　移相回路
　５６　　デュプレクサ
　９０　　携帯電話
　９１　　アンテナ
　９２　　分波器
　９３　　ローノイズアンプ
　９４，９６，１０３　　弾性波フィルタ
　９５，１０２　　ミキサ
　９７　　復調回路
　９８　　スピーカ
　９９　　マイク
　１００　　ＡＤコンバータ
　１０１　　変調器
　１０４　　パワーアンプ
　以下、本発明を実施の形態に基づいて図面を用いて説明する。なお、本発明は以下の実施の形態によって限定されるものではない。
　（実施の形態１）
　図１は、本発明の実施の形態１における弾性波フィルタの概略上面図である。図１において、本実施の形態における弾性波フィルタは、不平衡信号端子１２と、不平衡信号端子１２にその配線電極が電気的に接続された第１、第２、第３のＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃとを備えている。また、本実施の形態における弾性波フィルタは、第１、第２のＩＤＴ電極１３Ａ、１３Ｂ間に設けられた第４のＩＤＴ電極１３Ｄを備えている。また、本実施の形態における弾性波フィルタは、第２、第３のＩＤＴ電極１３Ｂ、１３Ｃ間に設けられた第５のＩＤＴ電極１３Ｅを備えている。また、本実施の形態における弾性波フィルタは、第４のＩＤＴ電極１３Ｄの配線電極に電気的に接続された第１の平衡信号端子１４Ａと、第５のＩＤＴ電極１３Ｅの配線電極に電気的に接続された第２の平衡信号端子１４Ｂとを備えている。また、本実施の形態における弾性波フィルタは、第１、第２、第３、第４、第５のＩＤＴ電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄ、１３Ｅの接地電極はグランドに電気的に接続されている。また、本実施の形態における弾性波フィルタは、不平衡信号端子１２から入力される信号と逆位相の信号が第１の平衡信号端子１４Ａから出力される。また、本実施の形態における弾性波フィルタは、不平衡信号端子１２から入力される信号と同位相の信号が第２の平衡信号端子１４Ｂから出力される。また、本実施の形態における弾性波フィルタは、第２、第３のＩＤＴ電極１３Ｂ、１３Ｃの配線電極と第５のＩＤＴ電極１３Ｅの接地電極とが隣り合っている。また、本実施の形態における弾性波フィルタは、第１、第２のＩＤＴ電極１３Ａ,１３Ｂの内の一方の配線電極と第４のＩＤＴ電極１３Ｄの配線電極とが隣り合っている。また、本実施の形態における弾性波フィルタは、第１、第２のＩＤＴ電極１３Ａ、１３Ｂの内の他方の接地電極と第４のＩＤＴ電極１３Ｄの接地電極とが隣り合っている。
　具体的には、第１、第２、第３、第５のＩＤＴ電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｅは、それぞれ５つの電極指を有している。また、第４のＩＤＴ電極１３Ｄは６つの電極指を有している。第１、第２、第３、第４、第５のＩＤＴ電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄ、１３Ｅのそれぞれの電極指は、配線電極と接地電極とから構成される。第１のＩＤＴ電極１３Ａにおいて、その接地電極が最外側に配置されており、この接地電極と第４のＩＤＴ電極１３Ｄにおける接地電極とが隣り合うよう配置されている。そして、この第４のＩＤＴ電極１３Ｄはその電極指の数が偶数となっており、第１のＩＤＴ電極１３Ａと隣り合う接地電極と反対側の電極指は配線電極となる。この第４のＩＤＴ電極１３Ｄの配線電極は第１の平衡信号端子１４Ａに電気的に接続されるとともに、第２のＩＤＴ電極１３Ｂの配線電極と隣り合うよう配置されている。
　ここで、第２のＩＤＴ電極１３Ｂはその電極指の数が奇数となっているため、第４のＩＤＴ電極１３Ｄと隣り合う配線電極と反対側の電極指は配線電極となっており、この配線電極が第５のＩＤＴ電極１３Ｅの接地電極と隣り合う構成となっている。そして、第５のＩＤＴ電極１３Ｅの配線電極は第２の平衡信号端子１４Ｂに電気的に接続されている。
　ここで、第５のＩＤＴ電極１３Ｅはその電極指の数が奇数となっているため、第２のＩＤＴ電極１３Ｂと隣り合う接地電極と反対側の電極指も接地電極となっており、この接地電極が第３のＩＤＴ電極１３Ｃの配線電極と隣り合う構成となっている。
　そして、第１のＩＤＴ電極１３Ａに関して第４のＩＤＴ電極１３Ｄの反対側には反射器１５Ａを配置すると共に、第３のＩＤＴ電極１３Ｃに関して第５のＩＤＴ電極１３Ｅの反対側には反射器１５Ｂを配置している。
　このような構成により、通過帯域内におけるスプリアスの発生を抑制することができる。
　図３は、本実施の形態における弾性波フィルタの通過特性図である。図３において、実線の特性３０１は本実施の形態による特性を示し、点線の特性３０２は従来の弾性波フィルタの特性（図１５と同じ）を示している。図３のＡ部に示す如く、本実施の形態における弾性波フィルタの特性３０１によれば、従来の特性３０２において現れていたスプリアスＳが通過特性から消えていることがわかる。
　さらに、以下に示す３つの構成のうち、少なくとも１つを採用することにより、図３のＢ部に示す如く、特性３０１（本実施の形態）の方が特性３０２（従来）よりも、その減衰特性を向上させることができる。
　一つ目の構成は、第１、第２、第３、第４、第５のＩＤＴ電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄ、１３Ｅに存在する電極指のピッチ間隔に関するものである。すなわち、第２のＩＤＴ電極１３Ｂにおける中心線Ａ－ＡＡを中心にして、一方側に存在するピッチ間隔Ｐ１と他方側に存在するピッチ間隔Ｐ２とを非対称とする構成である。
　二つ目の構成は、第１、第２、第３、第４、第５のＩＤＴ電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄ、１３Ｅに存在する電極指のピッチグラデーションに関するものである。すなわち、第２のＩＤＴ電極１３Ｂにおける中心線Ａ－ＡＡを中心にして、一方側に存在するピッチ間隔Ｐ１のピッチグラデーションと他方側に存在するピッチ間隔Ｐ２のピッチグラデーションとを非対称とする構成である。例えば、一方側に存在するピッチ間隔Ｐ１のピッチグラデーションを中心線Ａ－ＡＡから離れるに従い間隔αずつ漸減させ、他方側に存在するピッチ間隔Ｐ２のピッチグラデーションを中心線Ａ－ＡＡから離れるに従い間隔β（≠α）ずつ漸減させる構成である。
　三つ目の構成は、第１、第２、第３、第４、第５のＩＤＴ電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄ、１３Ｅの間隔に関するものである。すなわち、第１のＩＤＴ電極１３Ａと第４のＩＤＴ電極１３Ｄとの間隔Ｌ１４と、第４のＩＤＴ電極１３Ｄと第２のＩＤＴ電極１３Ｂとの間隔Ｌ４２の内少なくとも一方が、第２のＩＤＴ電極１３Ｂと第５のＩＤＴ電極１３Ｅとの間隔Ｌ２５と、第５のＩＤＴ電極１３Ｅと第３のＩＤＴ電極１３Ｃとの間隔Ｌ５３の内少なくとも一方と異なる構成である。
　なお、本実施の形態においては、第２のＩＤＴ電極１３Ｂの電極指の本数を奇数とた。さらに、これによって、第１のＩＤＴ電極１３Ａの接地電極と第４のＩＤＴ電極１３Ｄの接地電極とが隣り合うと共に、第４のＩＤＴ電極１３Ｄの配線電極と第２のＩＤＴ電極１３Ｂの配線電極とが隣り合う構成とした。しかし、図２に示す如く、第２のＩＤＴ電極１３Ｂの電極指の本数を偶数とすることも可能である。この場合、第１のＩＤＴ電極１３Ａの配線電極と第４のＩＤＴ電極１３Ｄの配線電極とが隣り合うと共に、第４のＩＤＴ電極１３Ｄの接地電極と第２のＩＤＴ電極１３Ｂの接地電極とが隣り合う構成とする。
　ただし、図１に示す構成とする方が、減衰特性改善の観点からは望ましい。図４は、図２に示す弾性波フィルタの通過特性図である。図４は、図２に示す構成の弾性波フィルタの特性４０２と、図１に示す構成の弾性波フィルタの特性４０１とを重ねて示している。この図４からもわかるように、特性４０１の方が特性４０２よりも減衰特性が改善されている。したがって、図１に示す構成、すなわち、第２のＩＤＴ電極１３Ｂの電極指の本数を奇数とし、第１のＩＤＴ電極１３Ａの接地電極と第４のＩＤＴ電極１３Ｄの接地電極とが隣り合うと共に、第４のＩＤＴ電極１３Ｄの配線電極と第２のＩＤＴ電極１３Ｂの配線電極とが隣り合う構成とした方が、減衰特性がより改善されており望ましい。
　なお、図１の弾性波フィルタの電極指の配置を上下反転した構成としても、同様の効果を得ることができる。この場合、不平衡信号電極１２、第１の平衡信号電極１４Ａ、第２の平衡信号電極１４Ｂと各電極指との接続関係は図１と同じである。これにより、第２、第３のＩＤＴ電極１３Ｂ、１３Ｃの接地電極と第５のＩＤＴ電極１３Ｅの配線電極とが隣り合い、第１、第２のＩＤＴ電極１３Ａ,１３Ｂの内の一方の配線電極と第４のＩＤＴ電極１３Ｄの配線電極とが隣り合い、第１、第２のＩＤＴ電極１３Ａ、１３Ｂの内の他方の接地電極と第４のＩＤＴ電極１３Ｄの接地電極とが隣り合う構成となる。
　（実施の形態２）
　本実施の形態２における弾性波フィルタは、実施の形態１で説明した弾性波フィルタを並列接続することにより、さらに通過特性を改善することができる。
　本実施の形態における並列型の弾性波フィルタについて図面を参照しながら説明する。本実施の形態の並列型の弾性波フィルタは、図５に示すごとく、圧電基板２１と、圧電基板２１上に形成された、第１の不平衡信号端子２２と第１の平衡信号端子２３と第２の平衡信号端子２４とを有する第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ２５を備えている。第１の不平衡信号端子２２、第１の平衡信号端子２３、第２の平衡信号端子２４のそれぞれは、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ２５に電気的に接続されている。さらに、圧電基板２１と、圧電基板２１上に形成された、第２の不平衡信号端子２６と第３の平衡信号端子２７と第４の平衡信号端子２８とを有する第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２９とを備えている。第２の不平衡信号端子２６、第３の平衡信号端子２７、第４の平衡信号端子２８のそれぞれは、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２９に電気的に接続されている。
　また、第１の不平衡信号端子２２と第２の不平衡信号端子２６とが電気的に接続されている。第１の平衡信号端子２３と第３の平衡信号端子２７とが第１の入出力端子３０に電気的に接続されている。第２の平衡信号端子２４と第４の平衡信号端子２８とが第２の入出力端子３１に電気的に接続された構成としている。
　ここで、第１の入出力端子３０からの入出力信号の位相が第２の入出力端子３１からの入出力信号の位相に対して１８０°ずれた逆位相の構成としている。なお、実際には、設計精度やばらつきを考慮すると、第１の入出力端子３０と第２の入出力端子３１の入出力信号の位相差は１８０°±１０°程度の幅を有する。
　さらに、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ２５は、第１、第２、第３、第４、第５のＩＤＴ電極３２、３３、３４、３５、３６を有する。第１、第２、第３、第４、第５のＩＤＴ電極３２、３３、３４、３５、３６の弾性波伝搬方向の両側にはグレーティング型の反射器４２、４３を有している。同様に、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２９は、第６、第７、第８、第９、第１０のＩＤＴ電極３７、３８、３９、４０、４１を有する。第６、第７、第８、第９、第１０のＩＤＴ電極３７、３８、３９、４０、４１の弾性波伝搬方向の両側にはグレーティング型の反射器４４、４５を有している。
　第１、第３、第５のＩＤＴ電極３２、３４、３６の一端は、第１の不平衡信号端子２２に電気的に接続されると共に、その他端はグランドに接続されている。同様に、第６、第８、第１０のＩＤＴ電極３７、３９、４１の一端は第２の不平衡信号端子２６に電気的に接続されると共に、その他端はグランドに接続されている。
　すなわち、第１、第３、第５のＩＤＴ電極３２、３４、３６は、それぞれ、図５に示すように、共通接続された複数本の電極指と、共通接続された複数本の電極指が交差するように対向配置されている。第１、第５のＩＤＴ電極３２、３６のそれぞれの、共通接続された複数本の電極指と、第３のＩＤＴ電極３４の共通接続された複数本の電極指とが、第１の不平衡信号端子２２に電気的に接続されている。第１、第５のＩＤＴ電極３２、３６のそれぞれの、共通接続された複数本の電極指と、第３のＩＤＴ電極３４の共通接続された複数本の電極指とが、グランドに接続されている。第６、第８、第１０のＩＤＴ電極３７、３９、４１は、それぞれ、図５に示すように、共通接続された複数本の電極指と、共通接続された複数本の電極指を有している。第６、第１０のＩＤＴ電極３７、４１のそれぞれの、共通接続された複数本の電極指と、第８のＩＤＴ電極３９の共通接続された複数本の電極指とが、第２の不平衡信号端子２６に電気的に接続されている。第６、第１０のＩＤＴ電極３７、４１のそれぞれの、共通接続された複数本の電極指と、第８のＩＤＴ電極３９の共通接続された複数本の電極指とが、グランドに接続されている。
　第２のＩＤＴ電極３３の一端はグランドに接続されると共に、その他端は第１の平衡信号端子２３に電気的に接続されている。第７のＩＤＴ電極３８の一端はグランドに接続されると共に、その他端は第３の平衡信号端子２７に電気的に接続されている。また、上述の通り、第１の平衡信号端子２３と第３の平衡信号端子２７とが第１の入出力端子３０に電気的に接続されている。
　一方、第４のＩＤＴ電極３５の一端はグランドに接続されると共に、その他端は第２の平衡信号端子２４に電気的に接続されている。第９のＩＤＴ電極４０の一端はグランドに接続されると共に、その他端は第４の平衡信号端子２８に電気的に接続されている。また、上述の通り、この第２の平衡信号端子２４と第４の平衡信号端子２８とが第２の入出力端子３１に電気的に接続されている。
　すなわち、第２、第４、第７、第９のＩＤＴ電極３３、３５、３８、４０は、それぞれ、図５に示すように、共通接続された複数本の電極指と、共通接続された複数本の電極指が交差するように対向配置されている。第２、第７のＩＤＴ電極３３、３８のそれぞれの一端は、共通接続された複数本の電極指がグランドに接続されている。第２のＩＤＴ電極３３は、他方の共通接続された複数本の電極指が第１の平衡信号端子２３に電気的に接続されている。第７のＩＤＴ電極３８は、他方の共通接続された複数本の電極指が第３の平衡信号端子２７に電気的に接続されている。第４、第９のＩＤＴ電極３５、４０のそれぞれは、一方の共通接続された複数本の電極指がグランドに接続されている。第４のＩＤＴ電極３５は、他方の共通接続された複数本の電極指が第２の平衡信号端子２４に電気的に接続されている。第９のＩＤＴ電極４０は、他方の共通接続された複数本の電極指が第４の平衡信号端子２８に電気的に接続されている。
　そして、第１の平衡信号端子２３からの入出力信号の位相と第２の平衡信号端子２４からの入出力信号の位相とを逆位相にする。さらに、第３の平衡信号端子２７からの入出力信号の位相と第４の平衡信号端子２８からの入出力信号の位相とを逆位相にする。
　また、第１の平衡信号端子２３からの入出力信号の位相と第３の平衡信号端子２７からの入出力信号の位相とを同位相にする。さらに、第２の平衡信号端子２４からの入出力信号の位相と第４の平衡信号端子２８からの入出力信号の位相とを同位相にする。
　このことにより、第１の入出力端子３０からの入出力信号の位相が前記第２の入出力端子３１からの入出力信号の位相に対して逆位相の構成としている。
　このような構成により、本実施の形態では、所望の帯域における高域部のスプリアスを抑制し、挿入損失劣化を低減させることができる。
　図６は本実施の形態における並列型の弾性波フィルタの通過特性を示す図である。横軸に周波数を、縦軸にその周波数におけるフィルタの通過特性を示している。図６では、本実施の形態による特性２０１と従来例による特性２０２を示している。図６に示すように、所望の通過帯域ＰＢが２．１１ＧＨｚ～２．１７ＧＨｚの周波数範囲において、本実施の形態の特性２０１（太線）は、その高域部におけるスプリアスＳが抑制され、挿入損失劣化が低減されていることがわかる。具体的には、高域部である２．１７ＧＨｚの挿入損失が従来例による特性２０２（細線）では１．８ｄＢであるのに対し、本実施の形態の特性２０２によれば１．４ｄＢにまで改善されていることがわかる。
　図５に示した圧電基板２１には、ＹカットＸ伝播ＬｉＮｂＯ３基板や、その他のカット角を有するＬｉＮｂＯ３基板、ＬｉＴａＯ３基板、水晶などの圧電性を有する圧電基板を用いることができる。
　圧電基板２１上に形成する電極材料としては、アルミニウム等の金属もしくは合金を用いることができる。
　なお、本実施の形態における第１、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２５、２９は、いずれも弾性波伝播方向に沿って配置された５個のＩＤＴ電極を有する構成とした。しかし、１つの不平衡信号を２つの平衡信号に変換できる構成であれば、ＩＤＴ電極の数はこれに限定されない。
　また、本実施の形態における第１、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２５、２９の電極設計は互いに同一である構成とした。しかし、それぞれの縦結合共振子型弾性波フィルタが１つの不平衡信号を２つの平衡信号に変換できる構成であれば同一構成でなくても構わない。
　ここで、第１の縦結合型弾性波フィルタ２５が有する各ＩＤＴ電極３２～３６の最外端のＩＤＴ電極３２、３６の電極指の極性と、第２の縦結合型弾性波フィルタ２９が有する各ＩＤＴ電極３７～４１の最外端のＩＤＴ電極３７、４１の電極指の極性を同じにすることが望ましい。これは、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ２５が有する各ＩＤＴ電極３２～３６の櫛歯電極の組み合わせ方と、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２９が有する各ＩＤＴ電極３７～４１の櫛歯電極の組み合わせ方は同一とすることにより実現することができる。
　すなわち、ＩＤＴ電極３２と３７、ＩＤＴ電極３３と３８、ＩＤＴ電極３４と３９、ＩＤＴ電極３５と４０、ＩＤＴ電極３６と４１の各対の櫛歯電極の組み合わせ方が同一とすることにより実現することができる。これにより、第１の平衡信号端子２３からの入出力信号と第３の平衡信号端子２７からの入出力信号を同位相とすることができ、第２の平衡信号端子２４の入出力信号と第４の平衡信号端子２８の入出力信号を同位相とすることができ、本実施の形態における並列型の弾性波フィルタを容易に実現することが可能となる。
　なお、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ２５の交差幅Ｌ１を、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２９の交差幅Ｌ２よりも大きくすることにより、横モードスプリアスの発生周波数を効果的に分散させることができる。
　（実施の形態３）
　図７は、本発明の実施の形態３における並列型の弾性波フィルタを示す概略上面図である。本実施の形態の並列型の弾性波フィルタは、実施の形態２の並列型の弾性波フィルタに対して、図７に示すように、第１の入出力端子３０と第２の入出力端子３１との間にキャパシタンス成分５１を介在させている。
　すなわち、第１の平衡信号端子２３と第３の平衡信号端子２７とを第１の接続点４６に接続する。第２の平衡信号端子２４と第４の平衡信号端子２８とを第２の接続点４７に接続する。第１の接続点４６と第３の平衡信号端子２７とを第１の配線４８により接続する。第２の接続点４７と第２の平衡信号端子２４とを第２の配線４９により接続する。
　図７に示す構成は、例えば、図８、図９に具体的に示すようにして得られる。図８は図７の具体的な構成上面図であり、図９はその要部斜視図である。すなわち、第１の配線４８と第２の配線４９とを圧電基板２１上にて交差させる。第１の配線４８と第２の配線４９との間には誘電体膜５０を形成する。この構成により、図７に示す如く第１の入出力端子３０と第２の入出力端子３１との間にはキャパシタンス成分５１を介在させることができる。
　このような構成とすることにより、第１の入出力端子３０と第２の入出力端子３１から見たインピーダンスを整合させることができる。
　なお、誘電体膜５０としては酸化ケイ素を用いることが望ましい。酸化ケイ素膜は、低温で製造することができるので、素子へのダメージを回避することができる。これと共に、精度良く、膜質の良い、厚み制御の容易な誘電体膜５０を得ることができる。
　さらに、誘電体膜５０が第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ２５および第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２９の内少なくとも一方の上面を覆う構成にする。さらに、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ２５および第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２９の内少なくとも一方に対する機能膜として作用する構成とすることが望ましい。
　例えば、具体的には、第１の配線４８と第２の配線４９との間に介在する誘電体膜５０により、第１、第２、第３、第４、第５のＩＤＴ電極３２、３３、３４、３５、３６、および／または第６、第７、第８、第９、第１０のＩＤＴ電極３７、３８、３９、４０、４１を覆う構成としそれらの機能膜として作用する構成とする。
　すなわち、例えば、これらの第１、第２、第３、第４、第５、第６、第７、第８、第９、第１０のＩＤＴ電極３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１上に、例えば、酸化ケイ素からなる機能膜を形成することにより、ＩＤＴ電極の保護膜とすることができる。これとともに、共振周波数付近に発生する不要なスプリアスを低減し、さらに周波数温度特性を改善することができる。この機能膜を、ＩＤＴ電極とは異なる位置に存在する第１の配線４８と第２の配線４９との間へも拡大して形成することにより、機能膜と誘電体膜５０を共用化することができ、生産性高く実現することができる。
　また、圧電基板としてＬｉＴａＯ３を用いた場合などは、共振周波数付近に発生する不要なスプリアスが小さいため、加工性の良いポリイミド等の樹脂系材料を用いて、機能膜と誘電体膜５０を共用化することができる。
　（実施の形態４）
　図１０は、本発明の実施の形態４における並列型の弾性波フィルタを示す概略上面図である。本実施の形態の並列型の弾性波フィルタは、実施の形態２の並列型の弾性波フィルタに対して、図１０に示すように、第１の入出力端子３０と第２の入出力端子３１との間にインダクタンス成分５２を介在させている。
　例えば、第１の入出力端子３０と第２の入出力端子３１の間に、両端が電気的に接続されるように積層インダクタや薄膜インダクタを設けることにより、インダクタンス成分５２を介在させる。
　第１の入出力端子３０と第２の入出力端子３１との間にインダクタンス成分５２を介在させることにより、このインダクタンス成分５２によりインピーダンス整合を図ることができる。そのため、インピーダンス整合をとるために必要なキャパシタンス値を低減させることができる。その結果として、図８、図９に示した第１の配線４８と第２の配線４９との交差面積を小さくすることができ、フィルタの小型化を実現することができる。
　（実施の形態５）
　以下、本発明の実施の形態５におけるデュプレクサについて図面を参照しながら説明する。図１１は、本実施の形態におけるデュプレクサを示す電気回路図である。
　図１１に示すごとく、本実施の形態におけるデュプレクサ５６は、送信用弾性波フィルタ５３と、受信用弾性波フィルタ５４と、これら送信用弾性波フィルタ５３、受信用弾性波フィルタ５４に電気的に接続される移相回路５５とを有する。本実施の形態における受信用弾性波フィルタ５４は、実施の形態２において説明した並列型の弾性波フィルタを用いて構成した。
　図１２にこのデュプレクサ５６を用いたＷＣＤＭＡ（Ｗｉｄｅｂａｎｄ　Ｃｏｄｅ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｍｕｌｔｉｐｌｅ　Ａｃｃｅｓｓ）用アンテナ共用器の通過特性を示す。図１２は、送信通過帯域ＰＢ１に対する送信通過特性８０１と、受信通過帯域ＰＢ２に対する受信通過特性８０２とを示している。図１２から、受信通過帯域ＰＢ２内(２．１１ＧＨｚ～２．１７ＧＨｚ）において、約－２．１ｄＢと良好な挿入損失を実現していることが分かる。
　このように、実施の形態２において説明した並列型の弾性波フィルタを、受信用弾性波フィルタ５４および送信用弾性波フィルタ５３の少なくとも一方として用いることによって、低挿入損失であるデュプレクサ５６を得ることが可能となる。
　（実施の形態６）
　図１３は本発明の実施の形態６における電子機器を示す構成図である。本実施の形態では、電子機器として携帯電話９０の構成を示している。すなわち、図１３において、アンテナ９１で受信した２．０ＧＨｚの受信信号は、デュプレクサ９２で受信側に分けられ、ローノイズアンプ９３を介して第１段の弾性波フィルタ９４に送られる。弾性波フィルタ９４でノイズを除去された信号は、ミキサ９５で周波数を１３０ＭＨｚに低減され、第２段の弾性波フィルタ９６に送られる。弾性波フィルタ９６で低損失な信号が取り出され、復調回路９７を介してスピーカ９８から音声信号を聞くことができる。
　一方、マイク９９に発した音声は、ＡＤコンバータ１００でデジタル信号に変換され、変調器１０１で位相変調されてミキサ１０２に入力される。ミキサ１０２で周波数を高くした信号は弾性波フィルタ１０３に入力される。弾性波フィルタ１０３で雑音をカットされた信号は、パワーアンプ１０４およびデュプレクサ９２を介してアンテナ９１から２．０ＧＨｚの送信信号として送信される。
　このように、例えば、携帯電話９０の弾性波フィルタ９２、９４、９６、１０３に、実施の形態２で説明した並列型の弾性波フィルタを用いることにより、低損失の携帯電話９０を得ることができる。すなわち、携帯電話９０の聞き安さの品質向上を図ることができる。
　本発明は、帯域高域部分のスプリアスの発生を抑制し、挿入損失劣化を低減させることができるという効果を有し、携帯電話等の各種電子機器において有用である。

Claims (20)

  1. 不平衡信号端子と、
    前記不平衡信号端子に配線電極が電気的に接続された第１のＩＤＴ電極、第２のＩＤＴ電極、および第３のＩＤＴ電極と、
    前記第１のＩＤＴ電極および前記第２のＩＤＴ電極の間に設けられた第４のＩＤＴ電極と、
    前記第２のＩＤＴ電極および前記第３のＩＤＴ電極の間に設けられた第５のＩＤＴ電極と、
    前記第４のＩＤＴ電極の配線電極に電気的に接続された第１の平衡信号端子と、
    前記第５のＩＤＴ電極の配線電極に電気的に接続された第２の平衡信号端子とを備え、
    前記第１のＩＤＴ電極、前記第２のＩＤＴ電極、前記第３のＩＤＴ電極、前記第４のＩＤＴ電極、および前記第５のＩＤＴ電極のそれぞれの接地電極はグランドに電気的に接続されており、
    前記不平衡信号端子から入力される信号と逆位相の信号が前記第１の平衡信号端子から出力され、
    前記不平衡信号端子から入力される信号と同位相の信号が前記第２の平衡信号端子から出力され、
    前記第２のＩＤＴ電極および前記第３のＩＤＴ電極のそれぞれの配線電極と前記第５のＩＤＴ電極の接地電極とが隣り合い、
    前記第１のＩＤＴ電極および前記第２のＩＤＴ電極の内の一方の配線電極と前記第４のＩＤＴ電極の配線電極とが隣り合い、
    前記第１のＩＤＴ電極および前記第２のＩＤＴ電極の内の他方の接地電極と前記第４のＩＤＴ電極の接地電極とが隣り合っている弾性波フィルタ。
  2. 不平衡信号端子と、
    前記不平衡信号端子に配線電極が電気的に接続された第１のＩＤＴ電極、第２のＩＤＴ電極、および第３のＩＤＴ電極と、
    前記第１のＩＤＴ電極および前記第２のＩＤＴ電極の間に設けられた第４のＩＤＴ電極と、
    前記第２のＩＤＴ電極および前記第３のＩＤＴ電極の間に設けられた第５のＩＤＴ電極と、
    前記第４のＩＤＴ電極の配線電極に電気的に接続された第１の平衡信号端子と、
    前記第５のＩＤＴ電極の配線電極に電気的に接続された第２の平衡信号端子とを備え、
    前記第１のＩＤＴ電極、前記第２のＩＤＴ電極、前記第３のＩＤＴ電極、前記第４のＩＤＴ電極、および前記第５のＩＤＴ電極のそれぞれの接地電極はグランドに電気的に接続されており、
    前記不平衡信号端子から入力される信号と逆位相の信号が前記第１の平衡信号端子から出力され、
    前記不平衡信号端子から入力される信号と同位相の信号が前記第２の平衡信号端子から出力され、
    前記第２のＩＤＴ電極および前記第３のＩＤＴ電極のそれぞれの接地電極と前記第５のＩＤＴ電極の配線電極とが隣り合い、
    前記第１のＩＤＴ電極および前記第２のＩＤＴ電極の内の一方の配線電極と前記第４のＩＤＴ電極の配線電極とが隣り合い、
    前記第１のＩＤＴ電極および前記第２のＩＤＴ電極の内の他方の接地電極と前記第４のＩＤＴ電極の接地電極とが隣り合っている弾性波フィルタ。
  3. 前記第２のＩＤＴ電極は奇数本の電極指を有し、
    前記第１のＩＤＴ電極の接地電極と前記第４のＩＤＴ電極の接地電極とが隣り合うと共に、
    前記第４のＩＤＴ電極の配線電極と前記第２のＩＤＴ電極の配線電極とが隣り合う請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  4. 前記第２のＩＤＴ電極は奇数本の電極指を有し、
    前記第１のＩＤＴ電極の接地電極と前記第４のＩＤＴ電極の接地電極とが隣り合うと共に、
    前記第４のＩＤＴ電極の接地電極と前記第２のＩＤＴ電極の接地電極とが隣り合う請求項２に記載の弾性波フィルタ。
  5. 前記第１のＩＤＴ電極、前記第２のＩＤＴ電極、前記第３のＩＤＴ電極、前記第４のＩＤＴ電極、および前記第５のＩＤＴ電極のそれぞれに存在する電極指のピッチ間隔について、
    前記第２のＩＤＴ電極における中心線に対して、一方側に存在する前記ピッチ間隔と他方側に存在する前記ピッチ間隔とが非対称である請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
  6. 前記第１のＩＤＴ電極、前記第２のＩＤＴ電極、前記第３のＩＤＴ電極、前記第４のＩＤＴ電極、前記第５のＩＤＴ電極のそれぞれに存在する電極指のピッチ間隔のピッチグラデーションについて、
    前記第２のＩＤＴ電極における中心線に対して、一方側に存在する前記ピッチグラデーションと
    他方側に存在する前記ピッチグラデーションとが非対称である請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
  7. 前記第１のＩＤＴ電極と前記第４のＩＤＴ電極との間隔、
    および前記第４のＩＤＴ電極と前記第２のＩＤＴ電極との間隔の内少なくとも一方が、
    前記第２のＩＤＴ電極と前記第５のＩＤＴ電極との間隔、
    および前記第５のＩＤＴ電極と前記第３のＩＤＴ電極との間隔の内少なくとも一方と異なる請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
  8. 第１の不平衡信号端子と第１の平衡信号端子と第２の平衡信号端子とを有する第１の縦結合型弾性波フィルタと、
    第２の不平衡信号端子と第３の平衡信号端子と第４の平衡信号端子とを有する第２の縦結合型弾性波フィルタとを備え、
    前記第１の不平衡信号端子と前記第２の不平衡信号端子とが電気的に接続され、
    前記第１の平衡信号端子と前記第３の平衡信号端子とが第１の入出力端子に電気的に接続され、
    前記第２の平衡信号端子と前記第４の平衡信号端子とが第２の入出力端子に電気的に接続された弾性波フィルタ。
  9. 前記第１の平衡信号端子と前記第２の平衡信号端子は互いに逆相の信号を出力するとともに、前記第３の平衡信号端子と前記第４の平衡信号端子は互いに逆相の信号を出力する請求項８に記載の弾性波フィルタ。
  10. 前記第１平衡信号端子と前記第３の平衡信号端子は互いに同相の信号を出力するとともに、前記第２の平衡信号端子と前記第４の平衡信号端子は互いに同相の信号を出力する請求項８に記載の弾性波フィルタ。
  11. 前記第１の縦結合型弾性波フィルタおよび前記第２の縦結合型弾性波フィルタは、それぞれ同数のＩＤＴ電極を有し、前記第１の縦結合型弾性波フィルタが有する前記各ＩＤＴ電極の最外端の電極指の極性は、前記第２の縦結合型弾性波フィルタが有する前記各ＩＤＴ電極の最外端の電極指の極性と同じである請求項８に記載の弾性波フィルタ。
  12. 前記第１の縦結合型弾性波フィルタが有する前記各ＩＤＴ電極の交差幅は、前記第２の縦結合型弾性波フィルタが有する前記各ＩＤＴ電極の交差幅よりも大きい請求項１１に記載の弾性波フィルタ。
  13. 前記第１の入出力端子と前記第２の入出力端子との間にキャパシタンス成分を介在させた請求項８に記載の弾性波フィルタ。
  14. 前記第１の平衡信号端子と前記第３の平衡信号端子とが第１の接続点で接続され、
    前記第２の平衡信号端子と前記第４の平衡信号端子とが第２の接続点で接続され、
    前記第１の接続点と前記第３の平衡信号端子とが第１の配線により接続され、
    前記第２の接続点と前記第２の平衡信号端子とが第２の配線により接続され、
    前記第１の配線と前記第２の配線とを交差させるとともに、前記第１の配線と前記第２の配線との間には誘電体膜を介在させた請求項９に記載の弾性波フィルタ。
  15. 前記誘電体膜は酸化ケイ素を用いて形成した請求項１４に記載の弾性波フィルタ。
  16. 前記誘電体膜が、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタおよび前記第２の縦結合共振子型弾性波フィルタの内少なくとも一方の上面を覆うとともに、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタおよび前記第２の縦結合共振子型弾性波フィルタの内少なくとも一方に対する機能膜として作用する請求項１４に記載の弾性波フィルタ。
  17. 前記誘電体膜は樹脂系材料を用いて形成した請求項１４に記載の弾性波フィルタ。
  18. 前記第１の入出力端子と前記第２の入出力端子との間にインダクタンス成分を介在させた請求項８に記載の弾性波フィルタ。
  19. 請求項８に記載の弾性波フィルタを用いたデュプレクサ。
  20. 請求項８に記載の弾性波フィルタを用いた電子機器。
PCT/JP2009/000972 2008-03-14 2009-03-04 弾性波フィルタおよびそれを用いたデュプレクサおよび電子機器 WO2009113274A1 (ja)

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