WO2006008939A1

WO2006008939A1 - インダクタンス部品およびその製造方法

Info

Publication number: WO2006008939A1
Application number: PCT/JP2005/012182
Authority: WO
Inventors: Hitoshi Ishimoto; Nobuya Matsutani
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2004-07-15
Filing date: 2005-07-01
Publication date: 2006-01-26
Also published as: US20070030108A1; JP2006032587A; CN1860564A; CN100568413C; US7403091B2

Abstract

　コイル（１）と、少なくとも基材（３）の片面に第１の金属層（４）と第１の金属磁性体層（５）と銅酸化物を含む中間層（６）と第２の金属磁性体層（７）を積層した多層磁性体層（２）とからなるインダクタンス部品であり、第１および第２の金属磁性体層（５）、（７）はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを含むとともに、中間層（６）は第１および第２の金属磁性体層（５）、（７）より比抵抗の大きい材料で形成される。このような構成により、高周波帯域で用いる量産性に優れた小型低背型のインダクタンス部品を提供する。

Description

明細書

インダクタンス部品およびその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、携帯電話等の電源回路に用いられるインダクタンス部品およびその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 従来、この種のインダクタンス部品は、小型 ·低背化の観点力平面型の部品構造をしており、低背化の要望はますます高まってきている。

[0003] さらに、スイッチング周波数の高周波領域へのシフトに対応するためには渦電流を低減させる必要があり、その対応策としては磁性体層と絶縁体層との積層構造を構成する方法が一般的に知られている。これらの技術内容は特開平 9 55316号公報に開示されている。

[0004] 図 9は上記公報に記載された従来のインダクタンス部品の構成を示すものである。

図 9において、インダクタンス部品は Feを含む磁性体層と、この磁性体より比抵抗の大きい陽性元素の窒化物カゝらなる絶縁体層との積層膜と、磁性体層に磁界を印加するコイル導体部とを具備する。すなわち、薄膜プロセスによって成膜された磁性体層 111と、 A1Nなどの絶縁層 112と、平面コイル部分 113とが積層された構成となっている。

[0005] しカゝしながら、電源回路に必要なインダクタンス値を確保するためには磁性体層の層数を多くしたり、一層あたりの磁性体層の膜厚をより厚くしたりする必要がある。従来の構成方法では蒸着あるいはスパッタなどの真空装置を利用する薄膜プロセスを用いて行う必要があることから、設備投資が高額になるとともに生産性においても量産しにく、と、う課題を有して、た。

発明の開示

[0006] 従来の課題を解決するために、本発明は、安価な設備で量産性に優れた、小型低背のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することを目的とする。

[0007] 本発明はコイルと、少なくとも基材の片面に第 1の金属層と第 1の金属磁性体層と銅酸ィ匕物を含む中間層と第 2の金属磁性体層を積層した多層磁性体層とからなるィンダクタンス部品である。そして、第 1および第 2の金属磁性体層は Fe、 Ni、 Coのうちの少なくとも一つを含むとともに、中間層は第 1および第 2の金属磁性体層より比抵抗の大き、材料で構成されて、る。

図面の簡単な説明

[0008] [図 1]図 1は本発明の実施の形態 1におけるインダクタンス部品の斜視図である。

[図 2]図 2は本発明の実施の形態 1におけるインダクタンス部品の多層磁性体層の拡大断面図である。

[図 3]図 3は本発明の実施の形態 2におけるインダクタンス部品の斜視図である。

[図 4]図 4は本発明の実施の形態 2におけるインダクタンス部品の断面図である。

[図 5]図 5は本発明の実施の形態 2におけるインダクタンス部品の多層磁性体層の拡大断面図である。

[図 6]図 6は本発明の実施の形態 3におけるインダクタンス部品の断面図である。

[図 7]図 7は本発明の実施の形態 3におけるインダクタンス部品の多層磁性体層の拡大断面図である。

[図 8]図 8は本発明の実施の形態 4における多層磁性体層の拡大断面図である。

[図 9]図 9は従来のインダクタンス部品の分解斜視図である。

符号の説明

[0009] 1, 11 コイル

2, 22, 23, 24 多層磁性体層

3 基材

4 第 1の金属層

5 第 1の金属磁性体層

6 中間層

7 第 2の金属磁性体層

8 絶縁層

9 第 2の金属層

10a, 10b 端子部 12 コイル絶縁部

13 第 3の金属層

15 スノレホーノレ電極

16 スノレホーノレ咅

発明を実施するための最良の形態

[0010] (実施の形態 1)

以下、本発明の実施の形態 1におけるインダクタンス部品およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。

[0011] 図 1は本発明の実施の形態 1におけるインダクタンス部品であり、図 2は図 1に示したインダクタンス部品の多層磁性体層 2の拡大断面図である。

[0012] 図 1にお、て、コイル 1は銅あるいは銀などの高導電率材料を用いた被覆導線などを多層磁性体層 2の表面に卷廻するように形成して、る。図 1では 4ターン卷ヽてヽるがこの巻き数に制限はない。

[0013] また、必要に応じて絶縁榭脂材料などを用いて多層磁性体層 2の表面を被覆するように絶縁層 8を設けても良ヽ。この絶縁層 8はインダクタンス部品が実装基板上に搭載される場合などに回路の短絡を防止する。絶縁層 8の材料としてはエポキシ榭脂、シリコン榭脂、アクリル榭脂あるいはこれらの混合物等の有機榭脂材料が好ましい。さらに耐熱性と機械的強度を高めるために無機フィラーを混合しても良い。

[0014] 次に、図 2を用いて多層磁性体層 2の構成について説明する。

[0015] 図 2において、シート状の基材 3の少なくとも片面に導電性を有する第 1の金属層 4 が形成される。この第 1の金属層 4の上に第 1の金属磁性体層 5が積層される。さらにこの第 1の金属磁性体層 5の上に銅酸ィ匕物を含む中間層 6が積層される。その後この中間層 6の上に第 2の金属磁性体層 7が積層される。このようにして、これら積層体からなる多層磁性体層 2が構成される。

[0016] このような多層磁性体層 2の構成とすることにより、全てのステップをめつきプロセスで形成することが可能となる。特にこれは銅酸ィ匕物を含む中間層 6を設けることにより実現できるものである。銅酸ィ匕物を含む中間層 6は、第 1および第 2の金属磁性体層 5、 7より比抵抗が大きぐかつ、その表面にめっき膜を形成することができるという特徴を有している。例えば、中間層 6には Cu Oなどが用いられる。 Cu Oは電気めつき

2 2

によって製膜することができる。その後この Cu Oの上に第 2の金属磁性体層 7を電気

2

めっきで製膜することができる。このように、第 1の金属磁性体層 5の下層には第 1の金属層 4があり、第 2の金属磁性体層 7の下層には酸化銅を含んだ中間層 6があることにより、全てのステップをめつきプロセスで製膜することが可能となる。特に、磁気特性の観点からかなりの膜厚を必要とする第 1の金属磁性体層 5と第 2の金属磁性体層 7の製膜に電気めつきプロセスを用いることができるので、安価な設備で、量産性に優れた生産プロセスが実現できる。

[0017] なお、第 1の金属層 4と酸化銅を含んだ中間層 6の厚みは薄く設計しておくことが望まし、ので、どのような工法を用いても生産性への影響は少な!/、。

[0018] 次に、多層磁性体層 2の構成方法について説明する。

[0019] まず始めに、シート状の基材 3を準備する。この基材 3は無機材料、有機材料および金属材料など材質は何でも良いがインダクタンス部品の形状、強度、コスト、信頼性の観点力適宜選択される。そして、この基材 3の少なくとも片面に電気めつきあるいは無電解めつきなどにより第 1の金属層 4が形成される。なお、このとき基材 3が金属材料であれば基材 3を第 1の金属層 4と兼ねることができるので構成を簡略ィ匕することができる。また、第 1の金属層 4は第 1の金属磁性体層 5を電気めつき法で形成しやすくするために設けたものであり、導電性に優れた Cuなどの金属が好ましい。さらに磁性を有する Fe、 Ni、 Coを用いることが磁気特性の観点からより好ましい。従って、磁性を有しな、Cuなどの金属を用いるときは第 1の金属層 4の厚みは薄、ことが望ましい。

[0020] 次に、第 1の金属層 4の上に電気めつきによって第 1の金属磁性体層 5が形成される。この第 1の金属磁性体層 5の材料としては、 Fe、 Ni、 Coのうちの少なくとも一つを含む組成の金属磁性材料が磁束密度、磁気損失の観点から好ましヽ。

[0021] その後、第 1の金属磁性体層 5の上に銅酸化物を含む中間層 6が形成される。中間層 6は第 1の金属磁性体層 5と第 2の金属磁性体層 7とを隔てるように設けられている。中間層 6の比抵抗を第 1および第 2の金属磁性体層 5, 7の比抵抗より大きくすることにより、第 1の金属磁性体層 5と第 2の金属磁性体層 7にまたがる渦電流を遮断することができる。さらに、中間層 6の中に銅酸ィ匕物を含ませ、この銅酸ィ匕物の上にめっき浴を工夫することにより、第 2の金属磁性体層 7を電気めつき法で形成することが可能となる。従って、少なくとも中間層 6の表層に銅酸ィ匕物があれば良い。中間層 6に含まれる銅酸ィ匕物としては Cu Oが製膜速度、膜質の均質性の観点カゝらより優れている。

2

[0022] また、中間層 6の厚みは薄いことが望ましい。例えば、チョークコイルなどで 30Aの電流を流したときにも、中間層 6の厚みは 1 μ mもあれば十分その機能を発揮することがでさる。

[0023] このような構成を有する積層体を多層磁性体層 2とし、必要に応じてシリコン榭脂ぁるいはエポキシ榭脂などの絶縁層 8を多層磁性体層 2の表面に被覆することにより絶縁化処理する。その後、図 1に示すように、被覆銅線などを用いてコイル 1を形成することによってインダクタンス部品とすることができる。

[0024] なお、多層磁性体層 2の構成は基材 3の片面に積層した構造で説明してきた力基材 3の両面に配置した多層磁性体層 2とすることも可能であり、電磁気性能、形状あるいはコストなどの観点力適宜選択される。例えば、磁性体層の総厚を大きくすればインダクタンス値の大きなインダクタンス部品とすることができ、磁性体層の総厚を一定としたときに磁性体層の層数を多くすれば高周波特性に優れたインダクタンス部品とすることができる。なお、この多層磁性体層 2をいかなる方法で積層しても同じ効果が得られる。

[0025] また、第 1の金属磁性体層 5または第 2の金属磁性体層 7の主成分は Fe、 Ni、 Co のうち少なくとも一つを含むことで大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率を有する多層磁性体層 2を実現することができる。これらに用いる金属磁性材料としては、 Fe-Mn系、 Fe— A1系、 Fe— Si— A1系などの磁性合金などがある。また多層磁性体層 2の第 1および第 2の金属磁性体層 5, 7の組成は必ずしも同じである必要はなぐ主成分が Fe、 Ni、 Coのうち少なくとも一つを含むことでその効果は得られる。

[0026] また、中間層 6は第 1および第 2の金属磁性体層 5, 7よりその比抵抗値を高くすることにより、第 1の金属磁性体層 5と第 2の金属磁性体層 7にまたがる渦電流を遮断するという効果を発揮する。中間層 6と第 1および第 2の金属磁性体層 5, 7との比抵抗値の比が 10³以上であれば特にその効果は顕著となる。 [0027] また、中間層 6に少なくとも銅酸ィ匕物が含まれることにより、中間層 6と第 2の金属磁性体層 7との密着性が向上する。例えば、第 2の金属磁性体層 7の厚みが 10〜20 mt 、う厚膜の場合にぉ、ても良好な密着性を有して、ることが分力つた。

[0028] また、多層磁性体層 2の総厚みに対する中間層 6の占める割合が高くなると、インダクタンス部品としてのインダクタンス値が小さくなる。よって、中間層 6の厚みとして第 1 および第 2の金属磁性体層 5, 7の厚みより薄くすることがより望ましい。

[0029] また、中間層 6と第 2の金属磁性体層 7の積層体を基本として、この積層体を 2層以上に積層することにより、よりインダクタンス値が大きぐ且つ高周波特性に優れたインダクタンス部品とすることができる。

[0030] 以上説明してきたような構成を有するインダクタンス部品とすることにより、多層磁性体層 2をめつき工法により連続的に形成することができる。その結果、蒸着あるいはスパッタ装置などの高価な設備を使うことなぐ安価な設備で量産性に優れた小型低背のインダクタンス部品を提供することができる。

[0031] また、従来の蒸着、スパッタといった薄膜工法を用いて磁性体層を形成する場合は成膜速度が遅ぐ密着強度の観点力磁性体層をあまり厚くすることは困難であった。しかし、本発明の構成によれば容易に 10〜20 mの金属磁性体層を形成することができ、インダクタンス値の大きなインダクタンス部品を実現することができる。

[0032] 次に、このインダクタンス部品の製造方法について説明する。

[0033] 図 1、図 2に示したインダクタンス部品の製造方法は次のような製造プロセスを経て製造することができる。

[0034] まず始めに、例えば厚み 20 μ mのポリイミドフィルムを基材 3として準備し、この基材 3の片面に第 1の金属層 4として無電解めつきにより厚み 0. 5 mの Niを形成する。次に、この第 1の金属層 4の上に電気めつきにより厚み 20 /z mの Fe—Ni合金を第 1 の金属磁性体層 5として形成する。次に、この第 1の金属磁性体層 5の上に亜酸化銅を電解めつきにより中間層 6として形成する。

[0035] 次に、その中間層 6の上に電気めつきにより厚み 20 /z mの Fe—Ni合金を第 2の金属磁性体層 7として形成するステップを経ることにより多層磁性体層 2を製造することができる。 [0036] なお、中間層 6と第 2の金属磁性体層 7の成膜プロセスを繰り返すことによってより多層化された多層磁性体層 2を製造することができる。

[0037] その後、必要に応じてエポキシ榭脂などをこの多層磁性体層 2の表面に絶縁層 8として被覆した後、直径 200 mの太さの銅線を所定のターン数に巻き付けることにより、図 1に示すインダクタンス部品を製造することができる。

[0038] このように、全てのステップを高価な設備を必要とする蒸着、スパッタ等の薄膜プロセスを用いることなく設備が比較的安価なめっき装置により製造することが可能となる

[0039] 以上説明してきたように本発明のインダクタンス部品およびその製造方法によれば

、安価な設備で量産性に優れた、小型低背のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することができる。

[0040] (実施の形態 2)

以下、本発明の実施の形態 2におけるインダクタンス部品およびその製造方法について、図面を参照にしながら説明する。

[0041] 図 3は本発明の実施の形態 2におけるインダクタンス部品の斜視図であり、図 4は図

3の 4—4部における断面図である。また、図 5は本発明の実施の形態 2におけるインダクタンス部品の多層磁性体層 22の拡大断面図である。

[0042] 図 3および図 4において、コイル絶縁部 12の中に内蔵されるようにコイル 11が配置されている。コイル絶縁部 12を設けたのは、コイル 11がショートするのを防ぐためである。

[0043] 榭脂フィルムなどで構成されたコイル絶縁部 12の上に、例えば銅や銀などの高導電率材料をめつき法などでパター-ングすることによりコイル 11が形成される。また、コイル 11の上段のラインはインダクタンス部品の一方の側面にある端子部 10bから芯部へ向かって渦巻き状に巻かれて形成されている。そして、中心部でコイル 11の上段のラインはスルホール電極 15を介してコイル 11の下段のラインに移る。コイルの下段のラインは他方の側面に設けた端子部 10aに向力つて今度は渦巻き状に広がるように巻かれて形成されて!、る。

[0044] ここで、このコイル 11の上段のラインと下段のコイル 11のラインの巻かれる方向は同じ方向である。その結果、コイル 11の上段のラインと下段のラインで磁束を打ち消し合うことなぐスルホール電極 15を介してコイル 11の上段のラインから下段のラインに電流が流れ、大きなインダクタンス値を実現することができる。

[0045] この他にも、コイル 11の形成方法としては銅線の加工あるいは薄板状の金属板を加工した後コイル絶縁部 12に埋設することによりコイル部を形成できるものである。なお、コイル 11の厚み（断面積）は用いられる用途の電子機器により異なるが、少なくとも大電流に対応するためには 10 m以上の厚みが必要となる。また、コイル 11は図 4に示したような二段ではなく一段あるいは三段以上であっても良い。

[0046] 上記のように構成されたコイル 11の上下面に多層磁性体層 22が配置されている。

多層磁性体層 22を両面に配置することにより、よりインダクタンス値を大きくすることができる。

[0047] 絶縁層 8は絶縁性を確保するという役割から、少なくとも多層磁性体層 22の表層を被覆してヽれば良ヽ。絶縁層 8はインダクタンス部品が実装基板などに搭載された場合、ショートするのを防ぐ。また、絶縁層 8はエポキシ榭脂、シリコン榭脂、アクリル榭脂等の有機榭脂材料で構成されるのが生産性の観点カゝら好ましい。

[0048] 以上のような構成とすることにより、多層磁性体層 22の厚さ方向に生じる渦電流を抑制することができる。その結果、インダクタンス部品からの発熱が抑制できるので、インダクタンス値を大きくすることができる。コイル 11を平板状に形成することにより、より低背型のインダクタンス部品を実現することができる。また、コイル 11を多段にすることにより低背化しても十分にインダクタンス値の大きいインダクタンス部品を実現することができる。

[0049] コイル 11は銅あるいは銀などを用いてめっきで形成することができる。また、コイル 11の断面が四角形であることから高占積率を有する低背型のコイル 11を得ることができる。

[0050] 特に、このようなパターユング技術により微細な電極パターンを平面上に形成することができるので、実施の形態 1の構成に比較してより低背型のインダクタンス部品を実現することができる。

[0051] 次に、図 5を用いて本発明の実施の形態 2におけるインダクタンス部品の多層磁性体層 22の構成について説明する。

[0052] 図 5において、積層体の基本的な構造は実施の形態 1のインダクタンス部品の多層磁性体層 2とほぼ同様であり、異なっているところは第 2の金属層 9を設けていることである。中間層 6に含まれる銅酸ィ匕物を例えば NaBHなどの還元剤を用いて還元す

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ることにより中間層 6の表面を還元する。そして、金属銅を析出させることにより、容易にかつ安価に第 2の金属層 9を形成することができる。なお、還元剤としては、例えば DMAB、 LiAlH等の還元剤を使用することができる。

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[0053] 第 2の金属層 9を設けることにより、第 2の金属磁性体層 7の均質性と製膜速度をより高めるとともに、中間層 6と第 2の金属磁性体層 7との密着力を高めることができる。

[0054] また、中間層 6と第 2の金属層 9と第 2の金属磁性体層 7の積層体を 2層以上に積層した多層磁性体層 22とすることにより、よりインダクタンス値を大きくすることができる。さら〖こ、基材 3の両面に積層膜を設けることにより、さらに大きなインダクタンス値のィンダクタンス部品を実現することができる。なお、多層磁性体層 22をいかなる方法で積層しても、構造が同じであれば同じ効果が得られる。

[0055] また、本実施の形態 2においても第 1および第 2の金属磁性体層 5, 7の主成分が F e、 Ni、 Coのうち少なくとも一つを含むことで高飽和磁束密度と高透磁率を有する磁性体層を得ることができる。また多層磁性体層 22を構成する第 1および第 2の金属磁性体層 5, 7の組成は必ずしも同じである必要はなぐ主成分が Fe、 Ni、 Coのうち少なくとも一つを含むことでその効果は得られる。

[0056] 以上のように構成した本実施の形態 2のインダクタンス部品について、以下にその製造方法を説明する。

[0057] 本実施の形態 2におけるインダクタンス部品のうち、コイル 11は次のような製造プロセスを経て製造することができる。まず、ポリイミドフィルムなどの基板上にコイル 11の下段のコイルパターンになるようにレジスト膜を形成する。その後、この基板に銅あるいは銀などの高導電率を有する金属をめつき法により数 10 mの厚みになるようにコィル 11の下段のコイルパターンを形成する。次に、コイル 11の下段のコイルパターンが形成されたその上に、再度レジスト膜を設ける。そして、スルホール電極 15を形成する箇所にはエッチングなどにより孔カ卩ェをしておく。その後、コイル 11の上段のコィルパターンを形成するためのレジスト膜を形成する。次に、このレジスト膜が形成された基板にめっき法により銅あるいは銀などの金属を数 10 mの厚みになるようにコィル 11の上段のコイルパターンを形成する。その後、上段のコイルパターンを被覆する。以上のステップを経ることによって、図 4に示すシート状のコイル 11を製造することができる。

[0058] 次に、このようにして形成されたシート状のコイル 11に多層磁性体層 22を形成する。多層磁性体層 22の基本的な製造ステップは、実施の形態 1で示したステップとほぼ同様であるが、中間層 6の上に第 2の金属層 9を設けることが異なっている。従って、中間層 6までの製造ステップは実施の形態 1と同じであるので省略する。

[0059] 図 5に示すように中間層 6を形成した後、中間層 6の少なくとも表面を NaBH等の

4 還元剤を用いて還元することにより第 2の金属層 9である金属銅を形成する。その後、第 2の金属層 9の上に電気めつき法で第 2の金属磁性体層 7を形成する。このように第 2の金属層 9を設けることにより、第 2の金属磁性体層 7の膜質形成が均質であるとともに成膜速度も速くすることができる。また、このような構成とすることによって、大きなサイズの基材 3を用いて効率よく本発明のインダクタンス部品を製造することができる。

[0060] さらに、必要に応じて中間層 6、第 2の金属層 9および第 2の金属磁性体層 7の積層体を 2層以上に積層するステップとすることにより、よりインダクタンス値の大きなインダクタンス部品の製造法を提供することができる。また積層膜を基材 3の両面に形成した多層磁性体層 22についても同様に製造することができる。

[0061] なお、第 2の金属層 9をめつき法で形成してもよい。また、多層磁性体層 22を上記以外の方法で積層しても構造が同じであれば同じ効果が得られる。

[0062] 以上のように、本実施の形態 2のようなインダクタンス部品の構成とすることにより、高周波領域で動作させる場合でも渦電流による損失が少なぐ密着性を高め、小型低背化しても十分なインダクタンス値を有する量産性に優れたインダクタンス部品を提供することができる。

[0063] (実施の形態 3)

以下、本発明の実施の形態 3におけるインダクタンス部品およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。

[0064] 図 6は本発明の実施の形態 3におけるインダクタンス部品の断面図であり、図 7は本発明の実施の形態 3におけるインダクタンス部品の多層磁性体層の拡大断面図である。

[0065] 図 6および図 7において、コイル 11の構成と形成方法は実施の形態 2と同じであるので、ここでの説明は省略する。実施の形態 2の図 4と異なっているところは、コイル 1 1の芯部にスルホール部 16を設けていることである。また、このスルホール部 16の内壁には多層磁性体層 23を設けている。その結果、コイル 11の上下面に分離して設けていた多層磁性体層 23はスルホール部 16の内壁に設けた多層磁性体層 23を介して連結される。

[0066] このような構成とすることにより、磁気ギャップが無くなるとともに漏洩磁束もより少なくなる。さらに、インダクタンス値の大きなインダクタンス部品とすることができる。なお、図 6ではこのスルホール部 16の隙間には絶縁層 8で充填している力磁性体で充填することも可能であり、さらに磁気特性が向上する。

[0067] また、多層磁性体層 23の表面には絶縁層 8を設けている。絶縁層 8はショートを防ぐために設けられており、無機材料、有機材料およびこれらの複合物が好ましい。

[0068] また、多層磁性体層 23はめつき法で一括して形成することができるので、生産性に優れたインダクタンス部品を提供することができる。例えば、直径が lmm以下で、深さ力 SO. lmm以上のスルホール部 16にスパッタ、蒸着等で多層磁性体層 23を形成することは困難であるが、めっき法を用いることによりインダクタンス部品を容易に形成することができる。

[0069] 次に、本実施の形態 3におけるインダクタンス部品の多層磁性体層 23の構造について図 7を用いて詳細に説明する。

[0070] 図 7において、本実施の形態 3におけるインダクタンス部品の多層磁性体層 23の基本的な構造は実施の形態 1で説明してきたものとほぼ同様であるので、ここでは異なつている点のみについて説明する。本実施の形態 3におけるインダクタンス部品の多層磁性体層 23には、第 1の金属磁性体層 5の上に第 3の金属層 13が設けられている。このような構成とすることにより、第 1の金属磁性体層 5と中間層 6の密着力を高めることがでさる。

[0071] その作用について説明する。例えば、第 1の金属磁性体層 5に Fe— Ni合金を製膜したとき、この第 1の金属磁性体層 5の表面には極微量の鉄の酸ィ匕物が析出される。この鉄の酸ィ匕物の発生により、第 1の金属磁性体層 5の上に形成する中間層 6との密着力が低下するときがある。これに対して、ニッケルなどを第 3の金属層 13としてめつき法で形成したとき、鉄の酸ィ匕物は還元されて金属鉄となり第 1の金属磁性体層 5と第 3の金属層 13との密着力が高まり、その上に形成する中間層 6との密着力も高めることができる。

[0072] また、第 3の金属層 13と中間層 6と第 2の金属磁性体層 7の積層体を 2層以上に積層形成することにより、よりインダクタンス値を大きくすることができる。

[0073] 以上のように構成したインダクタンス部品について、以下にその製造方法を説明する。

[0074] 本実施の形態 3におけるインダクタンス部品の製造方法は基本的なステップは実施の形態 2とほぼ同様であるので、異なっている内容についてのみ説明する。

[0075] 実施の形態 2におけるシート状のコイル 11を形成した後、コイル 11の芯部にパンチヤーあるいはレーザー加工などの方法による孔あけカ卩ェによってスルホール部 16を設ける。また、コイル 11の上下面に多層磁性体層 23を設けるときに、スルホール部 1 6の内壁にも多層磁性体層 23を設ける。このスルホール部 16の内壁に多層磁性体層 23を形成することによって、コイル 11の上下面と一体となる多層磁性体層 23とすることがでさる。

[0076] また、第 1の金属磁性体層 5の上に第 3の金属層 13は、第 1の金属磁性体層 5の上に銅、またはニッケルなどをめつきにより製膜することによって製造される。なお、それ以外の製造方法は実施の形態 2と同じである。

[0077] 以上のように、本実施の形態 3におけるインダクタンス部品の製造方法により、より密着力に優れた小型低背型のインダクタンス部品を製造することができる。

[0078] (実施の形態 4)

以下、本発明の実施の形態 4におけるインダクタンス部品について、図面を参照しながら説明する。 [0079] 図 8は本発明の実施の形態 4におけるインダクタンス部品の多層磁性体層 24の拡大断面図である。本実施の形態 4におけるインダクタンス部品の基本的な構成は実施の形態 3のインダクタンス部品とほぼ同様である力多層磁性体層 24の積層構造に違いがある。図 8において、図 7の多層磁性体層 23と異なっている点は中間層 6の上に第 2の金属層 9をさらに設けていることである。

[0080] このような構成とすることにより、第 1の金属磁性体層 5と中間層 6と第 2の金属磁性体層 7の密着力に優れた多層磁性体層 24とすることができ、より信頼性に優れた小型低背型のインダクタンス部品を提供することができる。

[0081] また、第 3の金属層 13と中間層 6と第 2の金属層 9と第 2の金属磁性体層 7の積層体を 2層以上に積層した多層磁性体層 24とすることにより、よりインダクタンス値の大きなインダクタンス部品とすることができる。

[0082] 以上のように構成したインダクタンス部品の製造方法については、実施の形態 2と実施の形態 3で説明してきた製造プロセスを組み合わせることによって製造することができる。

産業上の利用可能性

[0083] 以上のように、本発明にかかるインダクタンス部品は、高周波領域で動作させる場合でも渦電流による損失が少なぐ多層磁性体層における磁性体層と中間層の間の密着性が高い。そして、その量産性に優れた製造方法により、信頼性に優れ、小型低背化しても十分なインダクタンスを有するインダクタンス部品を得ることができる。よつて、本発明は、例えば携帯電話等の電話回路に用いられるインダクタンス部品の生産にも適用できる。

Claims

請求の範囲

[1] コイルと、

基材の上に

第 1の金属層と、

第 1の金属磁性体層と、

銅酸化物を含む中間層と、

第 2の金属磁性体層と、を積層した多層磁性体層と

を有するインダクタンス部品であり、

前記第 1および第 2の金属磁性体層は Fe、 Ni、 Coのうちの少なくとも一つを含み、前記中間層は前記第 1および前記第 2の金属磁性体層より比抵抗の大きい材料で構成される、

インダクタンス咅品。

[2] 前記多層磁性体層は、前記中間層と前記第 2の金属磁性体層の積層体を 2層以上に積層したことを特徴とする、

請求項 1に記載のインダクタンス咅品。

[3] 前記第 1の金属層は Fe、 Ni、 Coのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項 1に記載のインダクタンス咅品。

[4] 前記多層磁性体層は、前記中間層と前記第 2の金属磁性体層との間にさらに第 2の金属層を有することを特徴とする、

請求項 1に記載のインダクタンス咅品。

[5] 前記多層磁性体層は、前記中間層と前記第 2の金属層と前記第 2の金属磁性体層の積層体を 2層以上に積層したことを特徴とする、

請求項 4に記載のインダクタンス部品。

[6] 前記第 1の金属層と前記第 2の金属層は、 Fe、 Ni、 Coのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする、

請求項 4に記載のインダクタンス部品。

[7] 前記多層磁性体層は、前記第 1の金属磁性体層と前記中間層の間にさらに第 3の金属層を有することを特徴とする、請求項 1に記載のインダクタンス咅品。

[8] 前記多層磁性体層は、前記第 3の金属層と前記中間層と前記第 2の金属磁性体層の積層体を 2層以上に積層したことを特徴とする、

請求項 7に記載のインダクタンス部品。

[9] 前記多層磁性体層は、前記中間層と前記第 2の金属磁性体層との間にさらに第 2の金属層を有することを特徴とする、

請求項 7に記載のインダクタンス部品。

[10] 前記多層磁性体層は、前記第 3の金属層と前記中間層と前記第 2の金属層と前記第

2の金属磁性体層の積層体を 2層以上に積層したことを特徴とする、

請求項 9に記載のインダクタンス部品。

[11] 前記第 1の金属層と前記第 2の金属層と前記第 3の金属層は、 Fe、 Ni、 Coのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする、

請求項 7な!、し 10の!、ずれか一つに記載のインダクタンス部品。

[12] 前記コイルの芯部に形成されたスルホール部をさらに有し、

前記多層磁性体層を前記スルホール部の内壁と前記コイルの上面及び下面とに連続して配置したことを特徴とする、

請求項 1、 4、 7、 9のいずれか一つに記載のインダクタンス部品。

[13] 前記中間層に含まれる銅酸ィ匕物が Cu Oであることを特徴とする

2

[14] 前記多層磁性体層の最表面が絶縁層にて被覆されることを特徴とする、

[15] 前記基材と前記第 1の金属層は、同一の金属で構成されることを特徴とする、

[16] 基材の上に第 1の金属層を形成するステップと、

前記第 1の金属層の上に第 1の金属磁性体層を形成するステップと、

前記第 1の金属磁性体層の上に銅酸ィ匕物を含む中間層を形成するステップと、前記中間層の上に第 2の金属磁性体層を形成するステップとを、

実行することにより多層磁性体層を形成するステップと、コイルを形成するステップとを有する

インダクタンス部品の製造方法。

[17] 前記中間層の上に第 2の金属磁性体層を形成するステップは、

前記中間層の上に第 2の金属層を形成した後、前記第 2の金属層の上に前記第 2の金属磁性体層を形成するステップであることを特徴とする

請求項 16に記載のインダクタンス部品の製造方法。

[18] 前記第 1の金属磁性体層の上に銅酸化物を含む中間層を形成するステップは、前記第 1の金属磁性体層の上に第 3の金属層を形成した後、前記第 3の金属層の上に前記中間層を形成するステップであることを特徴とする

請求項 16、 17の、ずれか一つに記載のインダクタンス部品の製造方法。

[19] 基材の上に第 1の金属層をめつき法で形成する方法は、めっき法であることを特徴とする

請求項 16に記載のインダクタンス部品の製造方法。

[20] 前記第 1の金属層の上に第 1の金属磁性体層をめつき法で形成する方法は、めっき法であることを特徴とする

請求項 16に記載のインダクタンス部品の製造方法。

[21] 前記第 1の金属磁性体層の上に銅酸ィ匕物を含む中間層を形成する方法は、めっき法であることを特徴とする

請求項 16に記載のインダクタンス部品の製造方法。

[22] 前記中間層の上に第 2の金属磁性体層を形成する方法は、めっき法であることを特徴とする

請求項 16に記載のインダクタンス部品の製造方法。

[23] 前記中間層の上に前記第 2の金属層を形成する方法は、前記中間層を還元する方法であることを特徴とする

請求項 17に記載のインダクタンス部品の製造方法。