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WO2006051585A1 - 枚葉式ウェーハ処理装置 - Google Patents

枚葉式ウェーハ処理装置 Download PDF

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Publication number
WO2006051585A1
WO2006051585A1 PCT/JP2004/016672 JP2004016672W WO2006051585A1 WO 2006051585 A1 WO2006051585 A1 WO 2006051585A1 JP 2004016672 W JP2004016672 W JP 2004016672W WO 2006051585 A1 WO2006051585 A1 WO 2006051585A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
wafer
woofer
rotating disk
chemical
chemical solution
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/016672
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Masato Tsuchiya
Syunichi Ogasawara
Original Assignee
Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. filed Critical Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd.
Priority to US11/718,484 priority Critical patent/US20090032188A1/en
Priority to PCT/JP2004/016672 priority patent/WO2006051585A1/ja
Priority to JP2006544691A priority patent/JPWO2006051585A1/ja
Priority to EP04799570A priority patent/EP1811552A1/en
Priority to CNA2004800371631A priority patent/CN1894779A/zh
Priority to TW094130773A priority patent/TW200625402A/zh
Publication of WO2006051585A1 publication Critical patent/WO2006051585A1/ja

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Definitions

  • the present invention relates to a single wafer woofer processing apparatus that can perform spin processing and immersion processing on wafers, in particular, semiconductor wafers.
  • FIG. 6 is a perspective explanatory view showing an example of a conventional single-wafer type spin processing apparatus
  • FIG. 7 is a perspective explanatory view showing a state in which a wafer is held in the single-wafer type spin processing apparatus of FIG.
  • reference numeral 10 denotes a wafer holding device according to the present invention, which has a rotating disk 12.
  • a through hole 14 is formed in the center of the rotating disk 12.
  • a plurality of (16 in the illustrated example) blades 16 are erected in a radial pattern at a predetermined interval.
  • a woofer receiving portion 18 for receiving the outer peripheral portion of the woofer W is provided at the outer end portion of the upper surface of the plurality of blades 16.
  • the shape of the wafer receiving portion 18 is not particularly limited as long as it can receive the outer peripheral portion of the wafer W, but in the illustrated example, it is a receiving step portion.
  • the woofer receiving portion 18 can be directly provided on the upper surface of the rotating disk 12 as long as it is not necessarily required to be provided on the blade plate 16. Further, the number of the wafer receiving portions 18 may be the number that the woofer W can hold even in the rotating state, for example, 3 or more. However, in the example shown in the figure, four wafer receiving portions 18 are provided at symmetrical positions.
  • Reference numeral 20 denotes a rotating shaft that is suspended from the center of the lower surface of the rotating disk 12, and a hollow portion 22 that communicates with the through hole 14 is bored in the inside thereof.
  • the hollow portion 22 opens at the lower end of the rotating shaft 20 to form a lower end opening portion 24.
  • a pressure reducing adjusting means 26 in the illustrated example, a pressure reducing adjusting valve is attached.
  • the decompression adjusting means 26 can control the amount of air flowing through the hollow portion 22 by adjusting the opening degree of the hollow portion 22 of the rotary shaft 20.
  • Etc. can be installed at appropriate positions.
  • Reference numeral 28 denotes a pulley provided at the lower portion of the rotary shaft 20, and is connected to a motor pulley 32 of the motor 30 via a pulley belt 34.
  • the motor pulley 32 rotates, and the rotation is transmitted to the pulley 28 via the pulley belt 34, so that the rotating shaft 20 rotates.
  • a gas such as air
  • a liquid such as pure water or a chemical solution, or a mixture of both
  • air used as a medium
  • the action is explained as follows.
  • the wafer W is placed above the upper surface of the rotating disk 12 via the wafer receiving portion 18, that is, with an interval therebetween, specifically, the upper surface of the blade plate 16. Arranged above with a gap in between. Further, the degree of opening of the hollow portion 22 of the rotary shaft 20 is adjusted by the pressure reduction adjusting means 26 so as to obtain an optimal pressure reduction state corresponding to the thickness of the wafer W. If the opening of the hollow portion 22 is widened, the degree of depressurization becomes small, and if the opening is narrowed, the degree of depressurization becomes large. Even if the through-hole 14 is not opened, a reduced pressure state can be formed on the surface of the rotating disk 12, and it is not necessary to hold the UENO and W by the suction force! ⁇ .
  • the reduced pressure state can be adjusted by adjusting the rotation speed of the rotating disk 12 in addition to the opening degree of the hollow portion 22 described above. If the rotation of the rotating disk 12 is made faster, the degree of decompression becomes larger, and if the rotation is made slower, the degree of decompression becomes smaller.
  • the motor 30 is driven in this state, the rotation of the motor 30 is transmitted to the rotating shaft 20 via the motor pulley 32, the pulley belt 34, and the pulley 28, and the rotating disk connected to the rotating shaft 20 is connected. 12 rotates.
  • the medium on the upper surface of the rotating disk 12 air in the illustrated example
  • the medium A on the rotating disk 12 is discharged outwardly through a plurality of medium flow paths 36 formed between the facing blades 16 and 16 and the lower surface of the wafer W.
  • the inside of the medium flow path 36 is decompressed.
  • the medium A sucked from the lower end opening 24 of the hollow portion 22 of the rotating shaft 20 is supplied to the upper surface of the rotating disk 12 through the hollow portion 22 and the through-hole 14 by the suction force in the reduced pressure state, and continuously.
  • the air is continuously exhausted outwardly through the medium flow path 36, and the inside of the medium flow path 36 is maintained in a reduced pressure state while continuing the bow I.
  • the inside of the medium flow path 36 is in a reduced pressure state.
  • the outer periphery of the wafer W is fixedly held by the wafer receiver 18 by the suction force of the medium flow path 36 in the reduced pressure state.
  • the rear surface of the woofer W is located above the upper surface of the slat 16 and does not contact the upper surface of the slat 16! /.
  • FIGS. 6 and 7 the force is shown when the blades 16 are erected radially on the upper surface of the rotating disk 12.
  • a spiral or as shown in FIG. It can also be provided in a spiral shape.
  • the blade plate 16 is provided radially or spirally, it is necessary to provide a plurality of medium flow paths 36 using a plurality of blade plates 16, but when the blade plate 16 is provided spirally, the blade plate 16 is Of course, a plurality of sheets can be used, but the same effect can be achieved even if one medium channel 36 is formed by one vane plate 16 as shown in FIG.
  • the blade plate 16 is erected as a separate member on the upper surface of the rotating disk 12, but the medium flow path 36 is formed on the upper surface of the rotating disk 12 by the blade plate 16.
  • the blade plate 16 is integrally formed on the upper surface of the rotating disk 12.
  • the capacity of the chemical tank 100 is generally in the range of 20L-50L, and it is necessary to replenish the chemical solution for deterioration by the time management of the first chemical preparation power and to drain and recreate the chemical liquid after a certain period of time.
  • 106 is the pipe for the first chemical
  • 108 is the pipe for the second chemical
  • 110 is the pipe for pure water
  • 112 is the pipe for hot pure water
  • PI, P2, P3, P4, P15, P16 are the pump means
  • VI , V2, V3, V4 are noreb means.
  • the upper nozzle force is applied to the rotating wafer, and the chemical solution is washed by the reaction effect of the chemical when passing over the wafer.
  • there is a more effective method of immersing the conventional woofer and in particular, a single-wafer type spin processing device that can process the front and back surfaces of the woofer is desired. It was.
  • Patent Document 1 JP 2001-148414 A
  • Patent Document 2 JP 2001-267278
  • the present inventor has some more effective methods of immersing the conventional wafer depending on the processing content of the wafer. Especially for woofers that need to treat the front and back surfaces of the woofer at the same time, it is possible to obtain the maximum overall effect by placing the wafer in the wafer holding section of the single wafer processing system.
  • the present invention has been found.
  • the present invention can perform the same immersion process as the conventional immersion process in the spin process, can reduce the chemical consumption in the chemical process per wafer, and can utilize the reaction heat of the chemical to add it.
  • the chemical solution can be supplied as a stock solution, and there is no need for management of the compounded chemical solution that does not require circulation heating, and the chemical solution is compounded at the rotating disk part and used immediately after that.
  • the maximum effect point of the chemical solution An object of the present invention is to provide a single wafer processing apparatus that can be used and can reduce the concentration of the chemical solution compared to the conventional concentration of the chemical solution.
  • a first aspect of a single wafer processing apparatus includes a rotating disk having a medium flow path formed on an upper surface thereof, and an upper surface of the rotating disk.
  • a plurality of wafer receivers and an outer edge located above the outer peripheral edge of the wafer mounted on the wafer receiver, and the upper edge is above the upper surface of the mounted wafer An annular weir member provided on the outer peripheral portion of the rotating disk so as to be positioned on the nozzle, and a nozzle means provided above the wafer placed on the woofer receiving portion and for supplying a chemical solution and a rinsing solution And have.
  • the medium in the medium flow path is discharged outward by a centrifugal force due to rotation, and thereby the medium flow path is decompressed.
  • the wafer is sucked downward by the suction force in the reduced pressure state and is held by the wafer receiving portion, and the wafer is spaced above the rotating disk via the wafer receiving portion.
  • the nozzle means force chemical solution or rinsing liquid is supplied to the inside of the annular weir member so that the wafer is immersed in a state where the wafer is placed in the annular dam member.
  • the processing is performed, and the rotating disk is rotated at high speed while the immersed wafer is held in the wafer receiving portion, so that the chemical solution or the rinsing liquid on the wafer and the rotating disk is shaken off. It is as possible out to do.
  • a second aspect of the single wafer type wafer processing apparatus is a rotating disk having a medium flow path formed on the upper surface, and a plurality of wafers provided on the upper surface of the rotating disk.
  • the rotating circle so that the receiving portion and the outer peripheral edge portion of the wafer placed on the wafer receiving portion are located outside and the upper edge portion is located above the upper surface of the placed wafer.
  • An annular weir member provided on the outer periphery of the plate, nozzle means provided above the wafer placed on the wafer receiving portion and supplying a chemical solution and a rinsing solution, and the rotating disk A through hole formed in the central portion; and supply means for supplying a chemical solution, a rinse solution or a drying gas to the through hole.
  • the medium in the medium flow path is rotated. Due to the centrifugal force, it is discharged outward, thereby causing a reduced pressure state to appear in the medium flow path, and the wafer is sucked downward by the suction force of the reduced pressure state and held by the wafer receiving portion.
  • the nozzle means and the through-hole force chemical solution or the rinse solution are immersed in a state in which the wafer is placed above the rotating disk via the wafer receiving portion with a space therebetween.
  • the wafer is subjected to chemical solution immersion treatment or immersion rinse treatment by supplying it to the inside of the annular weir member, and the rotating disk is moved at a high speed in a state where the immersed wafer is held in the wafer receiving portion.
  • the chemical solution or the rinse solution on the wafer and the rotating disk is shaken off by rotating, and the through-hole force drying gas is blown out and supplied.
  • the woofer can be dried.
  • a hollow portion communicating with the through hole is provided in the axial direction, and further includes a rotating shaft that is suspended from a central portion of the lower surface of the rotating disk, and the wafer chemical solution immersion treatment or immersion rinse treatment is performed.
  • a chemical solution or a rinsing solution is supplied to the through hole from the lower end opening of the hollow portion of the rotating shaft through the hollow portion, and when the wafer is dried, the hollow portion of the rotating shaft is hollowed. It is preferable that the drying gas is supplied to the through hole through the hollow portion.
  • the woofer receiving portion includes a lower guide pin that receives the lower surface of the woofer and an outer guide pin that receives the outer surface of the woofer.
  • a vane plate is provided radially, spirally, or spirally on the upper surface of the rotating disk, and the medium flow path is between the vane plate facing the upper surface of the rotating disk and the lower surface of the wafer. Can be formed. It is also possible to provide the woofer receiving part on the upper surface of the blade.
  • a baffle plate is provided above a through hole formed in the center of the rotating disk, and a chemical solution, a rinsing liquid, or a drying gas supplied to the upper surface of the rotating disk through the through hole is provided. It is also possible to adopt a configuration in which the baffle plate guides in the direction of the blade.
  • the nozzle means force the individual chemical liquids to be supplied on the wafer placed on the wafer receiving portion at a predetermined mixing ratio, Porosity Each chemical solution is mixed on the rotating disk at a specified ratio.
  • the chemical solution can be supplied as a stock solution and management of the compounded chemical solution that does not require circulation heating is possible.
  • the chemical solution is blended at the rotating disk and used immediately after that, so there is no problem of chemical solution degradation, and the maximum effect point of the chemical solution can be used. Therefore, it is possible to reduce the chemical concentration.
  • the single wafer type wafer processing apparatus of the present invention it is possible to perform the same immersion process as the conventional immersion process in the spin process, and it is possible to reduce the consumption of the chemical solution in the chemical process per wafer.
  • it eliminates the need for a heater for heating by using the reaction heat of the chemical solution enables energy savings, and the chemical solution is blended with the nozzle means and / or the rotating disk to minimize the amount of chemical solution added. It is possible to improve safety and reduce chemical costs.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional side view illustrating one embodiment of a single wafer processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged top view of the rotating disk of FIG.
  • FIG. 3 is an explanatory view showing an electrical connection state between each member of the single wafer type wafer processing apparatus shown in FIG. 1 and a controller.
  • FIG. 4 is a flowchart showing an example of an operation procedure of a woofer immersion process using the single wafer type woofer processing apparatus of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic sectional side view showing another embodiment of the single wafer processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 6 is a perspective explanatory view showing an example of a conventional single wafer woofer processing apparatus.
  • FIG. 7 is a perspective explanatory view showing a state in which the wafer is held by the wafer holding device of FIG. 6.
  • FIG. 8 is a top view showing another example of a blade.
  • FIG. 9 is a top view showing another example of a blade.
  • FIG. 10 is a schematic explanatory diagram showing a chemical solution supply mechanism in a conventional single wafer processing wafer processing apparatus. It is.
  • 10 Conventional single wafer type wafer processing device 11
  • 11a Single wafer type wafer processing device of the present invention
  • 12 Rotating disk
  • 14 Through hole
  • 16 Blade plate
  • 18 Wafer receiving portion
  • 20 Rotating shaft
  • 22 Hollow part
  • 24 Lower end opening
  • 26 Depressurization adjusting means
  • 26A Rotary joint
  • 28 Pulley
  • 30 Motor
  • 32 Motor pulley
  • 34 Pulley belt
  • 46 Disturbance Plate
  • 48 annular weir member
  • A medium
  • W wafer.
  • FIG. 1 is a schematic sectional side view showing one embodiment of a single wafer processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged top view of the rotating disk of FIG. In FIG. 1 and FIG. 2, the same or similar members as those in FIG. 6 and FIG.
  • reference numeral 11 denotes a single wafer woofer processing apparatus according to the present invention, which has a rotating disk 12 having a medium flow path formed on its upper surface.
  • a plurality of wafer receiving portions 18 are provided on the upper surface of the rotating disk 12.
  • the woofer receiving portion 18 is composed of a lower guide pin 18a that receives the lower surface of the wafer W and an outer guide pin 18b that receives the outer surface of the wafer W.
  • . 48 is an annular weir member provided on the outer peripheral portion of the rotating disk 12, and is positioned outside the outer peripheral edge portion of the wafer W placed on the wafer receiving portion 18 and the wafer placed thereon.
  • Reference numeral 60 denotes a oscillating nozzle means, which is provided above the wafer W placed on the wafer receiving portion 18 and discharges a chemical solution such as sulfuric acid and hydrogen peroxide water, and a rinse solution such as pure water and warm pure water. It fulfills the supply action.
  • Reference numeral 50 denotes an upper conduit for a first chemical solution, for example, sulfuric acid, which is provided with pump means P5 and valve means V5.
  • 52 is an upper conduit for a second chemical solution, for example, hydrogen peroxide solution, and is provided with pump means P6 and valve means V6.
  • 54 is an upper conduit for pure water, which is provided with pump means P7 and valve means V7.
  • 56 is an upper conduit for hot pure water, which is provided with pump means P8 and valve means V8.
  • Each upper conduit 50, 52, 54, 56 is a rotating circle Connected to the oscillating nozzle means 60 disposed above the plate 12, the first nozzle 60a, the second nozzle 60b, the third nozzle 60c, the fourth nozzle 60d force are projected on the peristaltic nozzle means 60. ! / Speak.
  • the first chemical liquid power is supplied from the first nozzle 60a
  • the second chemical liquid power is supplied from the second nozzle 60b
  • the pure hydraulic power is supplied from the third nozzle 60c
  • the warm pure water is discharged from the fourth nozzle 60d.
  • a through hole 14 is formed in the center of the rotating disk 12.
  • Reference numeral 20 denotes a rotating shaft that is suspended from the central portion of the lower surface of the rotating disk 12.
  • a hollow portion 22 that communicates with the through hole 14 is formed in the axial direction of the rotating shaft.
  • a rotary joint 26 A is provided at the lower end portion of the rotary shaft 20 so as to communicate with the hollow portion 22.
  • 62 is a lower gas conduit for drying gas, for example, nitrogen gas or air, and is provided with valve means V9.
  • 64 is a lower conduit for a first chemical solution, for example, sulfuric acid, and is provided with pump means P10 and valve means V10.
  • 66 is a lower conduit for a second chemical solution, for example, hydrogen peroxide, and is provided with pump means P11 and valve means VI I.
  • 68 is a lower conduit for pure water, and is provided with pump means P12 and valve means V12.
  • 70 is a conduit for hot pure water, and is provided with pump means P13 and valve means V13.
  • Each of the lower conduits 62, 64, 6 6, 68, 70 is connected to the rotary joint 26A via a main conduit 72.
  • a medium such as a drying gas, a first chemical solution, a second chemical solution, pure water or hot pure water whose flow rate is adjusted by the rotary joint 26A passes through the hollow portion 22 of the rotary shaft 20 and the upper surface of the rotary disc 12 Supplied to the side.
  • the supply means for supplying the chemical liquid, the rinsing liquid or the drying gas to the through-hole 14 also on the lower surface side of the rotating disk 12 includes the pump means P10-P13 and the lower parts in addition to the hollow part 20. Constrains are also formed of conduits 62, 64, 66, 68, 70 and main conduit 72.
  • Reference numeral 46 denotes a baffle plate provided in the rotating disk 12 so as to be positioned above the through hole 14 formed in the center of the rotating disk 12.
  • the medium A supplied to the upper surface of the rotary disk 12 through the through hole 14 is guided by the baffle plate 46 in the direction of the blade plate 16.
  • FIG. 3 is an explanatory view showing an electrical connection state between each member and the controller of the single wafer type wafer processing apparatus shown in FIG.
  • reference numeral 74 denotes a handling robot installed adjacent to the single wafer processing apparatus body 1 la.
  • the wafer W placed on the wafer loading section 76 is loaded into the wafer receiving section 18 and placed on the wafer receiving section 18. It operates so that the wafer W placed on the receiving part 18 is carried out and placed on the wafer unloading part 78.
  • Reference numeral 80 denotes a controller, which is electrically connected to the single wafer type wafer processing device body 11a, the handling robot 74, the knob means V5—V8, V9— ⁇ 13 and the pump means 1 3 5—8, PIO—P13. Control of spin processing, control of handling robot, control of each valve means and each pump means. Since the configuration other than the above description is the same as the configuration shown in FIGS. 6 and 7, the description thereof will be omitted.
  • the chemical solution or the liquid W is rotated at a low speed while the wafer W is placed above the rotating disk 12 with an interval interposed therebetween via the wafer receiving portion 18.
  • the chemical solution immersion treatment or immersion rinse treatment of the wafer W is performed.
  • the chemical solution or the rinse solution on the wafer 18 and the rotating disc 12 is shaken off by rotating the rotating disc 12 at a high speed while holding the wafer W in the immersed state in the wafer receiving portion 18.
  • the wafer W can be dried.
  • the medium on the upper surface of the rotating disk 12 in the case of FIG.
  • the medium A that has passed through the through hole 14 is guided laterally through the lower surface of the baffle plate 46, and then the upper surface of the rotating disk 12 and a pair of opposed blade plates 16, 16 and The medium A on the rotating disk 12 is discharged to the outside through a plurality of medium flow paths 36 formed between the lower surface of the wafer W.
  • the handling robot 74 is used to move the wafer W from the wafer load section 76.
  • the nozzle means 60 is moved above the wafer W (step 202).
  • the rotating disk 12 is rotated at a low speed (0—lOOrpm) (step 20 4).
  • a chemical solution for example, sulfuric acid and the like
  • Hydrogen peroxide water is supplied to the inside of the annular weir member 48 so that the woofer W is immersed.
  • valve means V5 and V6 are opened and the pump means P5 and P6 are operated to feed the chemical solution to the nozzle means 60, and the nozzle means 60 discharges and injects the chemical liquid onto the upper surface of the wafer W.
  • the nozzle means V10 and VI I are opened and the pump means P10 and P11 are operated to supply the chemical solution through the rotary joint 26A and the hollow portion 22 so that the force of the through hole 14 is also discharged and supplied to the upper surface of the rotating disk 12.
  • the annular dam member 48 is filled with a chemical solution so that the woofer W is immersed (step 206).
  • the wafer W is immersed in the chemical solution for a predetermined time (for example, about 5 to 10 minutes) (step 208).
  • the rotating disk 12 is rotated at a high speed (about 500 to 2000 rpm) while the wafer W in the immersed state is held in the wafer receiving portion 18 (step 210).
  • the chemical solution on the woofer 18 and the rotating disk 12 is shaken off (step 212).
  • the valve means V7 or V8 With the woofer W rotated at a high speed, the valve means V7 or V8 is opened and the pump means P7 or P8 is operated to feed pure water or hot pure water to the nozzle means 60, and the woofer W is fed by the nozzle means 60. Pure water or hot pure water is discharged and injected on the upper surface of the valve, and the valve means V12 or V13 is opened, and the pump means P12 or P13 is operated to supply pure water or hot pure water from the through hole 14 via the rotary joint 26A and the hollow portion 22.
  • the spin rinse treatment of wafer W from which the chemical solution has been shaken off is performed by discharging and supplying the upper surface of the rotating disk 12 (step 214).
  • the rotating disk 12 is rotated at a low speed (0—lOOrpm) (step 216). While rotating the rotating disk 12 at a low speed, pure water or warm pure water is supplied into the annular weir member 48 so that the wafer W is immersed. [0049] Specifically, the valve means V7 or V8 is opened and the pump means P7 or P8 is operated to send pure water or hot pure water to the nozzle means 60, and the nozzle means 60 causes the pure water or pure water to reach the upper surface of the wafer W.
  • An immersion rinse treatment of the wafer W is performed by immersing the wafer W in the pure water or warm pure water for a predetermined time (for example, about 1 minute) (step 220).
  • the rotating disk 12 is rotated at a high speed (about 500-20 OO rpm) while the wafer W in the immersed state is held in the wafer receiving portion 18 (step 222).
  • the nozzle means V7 or V8 is opened and the pump means P7 or P8 is operated to feed pure water or hot pure water into the nozzle means 60. Pure water or warm pure water is discharged and injected onto the upper surface of the wafer W, the nozzle means VI 2 or VI 3 is opened, and the pump means P 12 or P 13 is operated to supply pure water or warm pure water to the rotary joint 26A and The wafer W is spin-rinsed by being discharged and supplied from the through hole 14 to the upper surface of the rotating disk 12 through the hollow portion 22 (step 224).
  • the rotating disk 12 is rotated at an ultra-high speed (about 1500-2500 rpm) (step 226).
  • the valve means V9 drying gas for example, nitrogen or air
  • the spin drying process of Ueno and W is performed (step 228).
  • the rotation of the rotating disk 12 is stopped (step 230).
  • the handling wafer 74 is taken out from the wafer receiver 18 and the wafer W after the immersion treatment is taken out and stored in the wafer unloading section 78 (step 232).
  • reaction heat during the preparation of a chemical solution
  • a mixed solution of sulfuric acid and peroxyhydrogen water as a particularly usable chemical solution for reaction heat
  • This mixed solution removes organic substances in the device process. It is used for purposes and also used for removing resist films.
  • the mixing ratio of this mixed liquid is that the weight ratio of hydrogen peroxide solution 1 to sulfuric acid 4 is large, and the operating temperature is about 80 ° C-130 ° C.
  • the reaction heat generated when mixing at this ratio raises the temperature of the whole mixture from 25 ° C to about 100 ° C, so the stock solution temperature is 55 ° C when the operating temperature is 130 ° C. If it is heated to a certain extent, it can be handled. If the operating temperature is about 100 ° C, the stock solution can be used at room temperature.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional side view showing another embodiment of the single wafer type wafer processing apparatus according to the present invention.
  • the same or similar members as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
  • 11a is a single wafer woofer processing apparatus according to the present invention, which is different from the apparatus shown in FIG. 1 in that a through hole 12, a hollow part 22, a rotary joint 26A, a baffle plate 46, a lower conduit 62, 64, 66, 68, 70 and the main conduit 72 are omitted, and the other configuration is exactly the same as the processing apparatus 11 of FIG.
  • the operation is exactly the same as that shown in the flowchart of FIG. 4 except that no chemical solution or the like is supplied from below, and the same explanation is omitted.
  • the drying gas for example, nitrogen or air
  • the treatment device 11a in Fig. 5 has the inconvenience that it cannot spray dry gas from below.
  • the blowing gas may be blown by a blowing means (not shown) other than the nozzle means and this blowing means.
  • the chemical solution can be supplied as a raw solution, and management of a compounded chemical solution that does not require circulation heating is not required. Since it is used immediately after that, there is no problem of chemical deterioration, and the maximum effect point of the chemical can be used, enabling the concentration of the chemical to be lower than the conventional concentration of the chemical. be able to.

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Description

枚葉式ゥ ーハ処理装置
技術分野
[0001] 本発明は、ゥエーノヽ、特に半導体ゥエーハに対してスピン処理と浸漬処理を行うこと のできる枚葉式ゥ ーハ処理装置に関する。
背景技術
[0002] スピンエッチング等のスピン処理を行うゥエーハ処理装置は、近年スピンプロセッサ 一等の名称で、特に半導体ゥヱーハの大口径ィヒに伴い、その認知度が上昇している 。その理由には、ゥエーハの大口径ィ匕による処理薬液の増大や回路パターンの微細 ィ匕に伴うパーティクルレベルの向上、コンタミ汚染低減の為のクロスコンタミの防止等 から、ゥエーハ 1枚当りに使用する薬液の量を最小限に抑え洗浄等の処理レベルを 最高レベルにする方法として、薬液の使!、捨て(lpass)処理を実施し易 ヽ方法とし て枚葉式スピン処理が注目されて ヽる。この種の枚葉式スピン処理装置にっ 、て本 願出願人は種々の提案を行って 、る (特許文献 1及び 2)。
[0003] 以下に従来の枚葉式スピン処理装置の構造例を図 6及び図 7によって説明する。
図 6は従来の枚葉式スピン処理装置の一例を示す斜視的説明図、図 7は図 6の枚葉 式スピン処理装置にゥエーハを保持させた状態を示す斜視的説明図である。
[0004] 図 6及び図 7において、 10は本発明に係るゥエーハ保持装置で、回転円板 12を有 している。該回転円板 12の中心部には貫通孔 14が穿設されている。該回転円板 12 の上面には、複数枚(図示例では 16枚)の羽根板 16が所定間隔をおいて放射状に 立設されている。
[0005] 該複数枚の羽根板 16の上面外端部にはゥヱーハ Wの外周部を受けるゥヱーハ受 け部 18が設けられている。このゥエーハ受け部 18の形状はゥエーハ Wの外周部を受 けることができれば特別の限定はないが、図示例では受け段部とされている。このゥ ーハ受け部 18は必ずしも羽根板 16に設ける必要性はなぐ支障がない限り、該回 転円板 12の上面に直接設けることも可能である。また、このゥエーハ受け部 18の設 置個数は、ゥ ーハ Wが回転状態でも保持できる個数、例えば 3個以上であればよ いが、図示例では 4個のゥエーハ受け部 18を対称位置に設けた場合を示した。
[0006] 20は該回転円板 12の下面中央部に垂設された回転シャフトで、その内部には上 記貫通孔 14に連通する中空部 22が軸方向に穿設されて 、る。該中空部 22は該回 転シャフト 20の下端で開口し、下端開口部 24となって 、る
[0007] 該回転シャフト 20の下端部には、減圧調整手段 26、図示例では減圧調整バルブ が取りつけられている。該減圧調整手段 26は、該回転シャフト 20の中空部 22の開口 度合を調整することによって該中空部 22内を流れる空気量を制御することができる。 図示例では、この減圧調整手段 26を回転シャフト 20の下端部に設けた場合を示し た力 中空部 22の開口度合を調整できればよいもので、必ずしも下端部に設ける必 要はなぐ中間部や上部など適宜位置に設置することができる。
[0008] 28は該回転シャフト 20の下部に設けられたプーリで、モータ 30のモータプーリ 32 にプーリベルト 34を介して接続されている。該モータ 30を駆動するとモータプーリ 32 が回転し、その回転はプーリベルト 34を介してプーリ 28に伝達され、該回転シャフト 20が回転するように構成されて 、る。
[0009] 上述した従来装置 10においては、媒体としては、例えば空気等の気体や純水、薬 液等の液体の他に両者を混合したものも用いられるが、空気を媒体とした場合を例と してその作用を説明する。
[0010] まず、図 7に示したように、ゥエーハ受け部 18を介してゥエーハ Wを回転円板 12の 上面の上方に、即ち間隔を介在させて、具体的には羽根板 16の上面の上方に間隔 を介在させて配置する。さらに、減圧調整手段 26によって回転シャフト 20の中空部 2 2の開口度合を該ゥエーハ Wの厚さに対応して最適の減圧状態となるように調整する 。該中空部 22の開口を広げれば減圧の度合が小となり、その開口を狭めれば減圧 の度合が大となる。なお、貫通孔 14を開穿しない構造であっても回転円板 12面上に 減圧状態を形成することができ、その吸引力によってゥエーノ、 Wの保持を行うことが でさることは勿!^である。
[0011] この減圧状態の調整は、上記した中空部 22の開口度合の他に、回転円板 12の回 転速度の調整によって行うことができる。回転円板 12の回転を早くすれば減圧度合 は大となり、その回転を遅くすれば減圧度合は小となる。 [0012] この状態で、モータ 30を駆動すると、モータプーリ 32、プーリベルト 34及びプーリ 2 8を介してモータ 30の回転が回転シャフト 20に伝達され、該回転シャフト 20に連結さ れた回転円板 12が回転する。この回転円板 12が回転すると、回転による遠心力によ つて、回転円板 12上面の媒体(図示例の場合は空気)が外方に排出され、すなわち 回転円板 12の上面と一対の相対向する羽根板 16, 16とゥエーハ Wの下面との間に 形成された複数の媒体流路 36を介して該回転円板 12上の媒体 Aが外方に排出さ れる。
[0013] この媒体 Aの外方への排出によって該媒体流路 36内は減圧状態となる。この減圧 状態の吸引力によって該回転シャフト 20の中空部 22の下端開口部 24から吸気され た媒体 Aが該中空部 22及び貫通孔 14を通って該回転円板 12の上面に供給され、 引き続いて該媒体流路 36内を通って外方に連続的に排気され、該媒体流路 36内 は弓 Iき続 ヽて減圧状態を維持する。
[0014] 該回転円板 12が回転を続ける限り、該媒体流路 36内は減圧状態となっている。こ の媒体流路 36の減圧状態の吸引力によって該ゥエーハ Wはその外周部がゥエーハ 受け部 18に固定保持される。この時、該ゥ ーハ Wの背面は羽根板 16の上面の上 方に位置しており、該羽根板 16の上面に接触することはな!/、。
[0015] 図 6及び図 7に示した例では、羽根板 16を回転円板 12上面に放射状に立設した 場合を示した力 図 8に示したように螺旋状又は図 9に示したように渦巻状に設けるこ ともできる。放射状又は螺旋状に羽根板 16を設ける場合には、羽根板 16を複数枚 用いて複数の媒体流路 36を設ける必要があるが、渦巻状に羽根板 16を設ける場合 には羽根板 16を複数枚用いることも勿論できるが、図 9に示したように 1枚の羽根板 1 6によって 1個の媒体流路 36を形成するようにしても同様の作用効果を達成すること ができる。
[0016] なお、図示例では、羽根板 16は回転円板 12の上面に別体として立設する例を示し たが、羽根板 16によって回転円板 12の上面に媒体流路 36が形成されればよいもの で、例えば媒体流路 36の部分を溝状に穿設して羽根板 16の部分を隆起させた状態 で残すことによって、該回転円板 12の上面に一体的に羽根板 16を設けることも可能 である。 [0017] 上述した従来の枚葉式スピン処理装置 10では、図 10に示すように混合薬液タンク 100の中で薬液の混合を実施し、処理薬液を作製しヒーター 102により加温温調を 行い、ワーク処理点 104に送り処理を行っていた。薬液タンク 100の容量は 20L— 5 0Lの範囲が一般的で最初の薬液作製力 の時間管理で劣化分の薬液補給や一定 時間以上の時間経過時には、排液し薬液の再作製を必要とした。図 10において、 1 06は第 1薬液用配管、 108は第 2薬液用配管、 110は純水用配管、 112は温純水用 配管、 PI, P2, P3, P4, P15, P16はポンプ手段, VI, V2, V3, V4はノ レブ手段 である。上記した従来の枚葉スピン処理装置 10においては、回転中のゥエーハに対 し上方のノズル力 薬液を流下させ、ゥエーハ上を通過する際の薬液の反応効果で 洗浄等の処理を行って 、る。ゥヱーハの処理内容により従来からのゥヱーハを浸漬さ せる方法がより効果的なものも有り、特にゥ ーハの表面と裏面を同時に処理するこ とのできる枚葉式スピン処理装置が待望されて 、た。
特許文献 1:特開 2001—148414
特許文献 2:特開 2001— 267278
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0018] 本発明者は、上記した従来の枚葉式スピン処理装置の改良を行うべく研究を重ね た結果、ゥエーハの処理内容により従来からのゥエーハを浸漬させる方法がより効果 的なものも有り、特にゥ ーハの表面と裏面を同時に処理する必要の有るゥ ーハに 関しては枚葉式スピン処理装置のゥエーハ保持部にてゥエーハを浸漬状態にすると 総合的な最大の効果を得ることが出来ることを見出し本発明に到達した。
[0019] 本発明は、スピン処理において従来の浸漬処理と同様の浸漬処理を行うことができ 、ゥエーハー枚当りの薬液処理において薬液消費量を低減することができ、薬液の 反応熱を利用し加温用ヒーターを不要とし省エネ化を可能とし、薬液の配合をノズル 手段及び又は回転円板部で実施することにより薬液の配合量が必要最小限となり安 全性向上と薬液コストの低減が可能となり、その結果薬液は原液供給が可能となり循 環加温が不要な配合薬液の管理が不要とし、薬液の配合が回転円板部で実施され 、その直後に使用されることから薬液の劣化の問題が無くなり、薬液の最大効果点を 利用することができ、従来の薬液の使用濃度よりも薬液濃度の低減を可能とすること ができるようにした枚葉式ゥエーハ処理装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0020] 上記課題を解決するため、本発明に係る枚葉式ゥヱーハ処理装置の第 1の態様は 、上面に媒体流路を形成した回転円板と、該回転円板の上面に設けられた複数個の ゥエーハ受け部と、該ゥ ーハ受け部に載置されるゥ ーハの外周縁部よりも外方に 位置しかつ該載置されるゥ ーハの上面より上縁部が上方に位置するように該回転 円板の外周部に設けられた環状堰部材と、該ゥ ーハ受け部に載置されるゥ ーハ の上方に設けられかつ薬液及びリンス液を供給するノズル手段とを有している。
[0021] 上記枚葉式ゥエーハ処理装置の第 1の態様は、前記媒体流路内の媒体が、回転に よる遠心力によって外方に排出され、これによつて該媒体流路内に減圧状態を出現 せしめ、この減圧状態の吸引力によって前記ゥエーハを下方に吸引し前記ゥエーハ 受け部によって保持するようにしたものであって、該ゥエーハ受け部を介してゥエーハ を該回転円板の上方に間隔を介在させて載置した状態で前記ノズル手段力 薬液 又はリンス液を該ゥ ーハが浸漬状態となるように前記環状堰部材の内部に供給す ることによって該ゥエーハの薬液浸漬処理又は浸漬リンス処理を行 、、また該浸漬状 態のゥエーハを該ゥエーハ受け部に保持した状態で該回転円板を高速回転せしめる ことによって該ゥエーハ及び回転円板上の薬液又はリンス液の振り切りを行うことがで きる。
[0022] 本発明に係る枚葉式ゥエーハ処理装置の第 2の態様は、上面に媒体流路を形成し た回転円板と、該回転円板の上面に設けられた複数個のゥ ーハ受け部と、該ゥ ーハ受け部に載置されるゥエーハの外周縁部よりも外方に位置しかつ該載置される ゥエーハの上面より上縁部が上方に位置するように該回転円板の外周部に設けられ た環状堰部材と、該ゥ ーハ受け部に載置されるゥ ーハの上方に設けられかつ薬 液及びリンス液を供給するノズル手段と、該回転円板の中心部に穿設された貫通孔 と、該貫通孔に薬液又はリンス液又は乾燥用気体を供給する供給手段とを有して 、 る。
[0023] 上記枚葉式ゥエーハ処理装置の第 2の態様は、前記媒体流路内の媒体が、回転に よる遠心力によって外方に排出され、これによつて該媒体流路内に減圧状態を出現 せしめ、この減圧状態の吸引力によって前記ゥエーハを下方に吸引し前記ゥエーハ 受け部によって保持するようにしたものであって、該ゥエーハ受け部を介してゥエーハ を該回転円板の上方に間隔を介在させて載置した状態で前記ノズル手段及び前記 貫通孔力 薬液又はリンス液を該ゥヱーハが浸漬状態となるように前記環状堰部材 の内部に供給することによって該ゥヱーハの薬液浸漬処理又は浸漬リンス処理を行 い、また該浸漬状態のゥエーハを該ゥエーハ受け部に保持した状態で該回転円板を 高速回転せしめることによって該ゥエーハ及び回転円板上の薬液又はリンス液の振り 切りを行い、さらに該貫通孔力 乾燥用気体を噴出供給することによって該ゥ ーハ の乾燥処理を行うことができる。
[0024] 前記貫通孔に連通する中空部が軸方向に穿設されかつ前記回転円板の下面中央 部に垂設された回転シャフトをさらに有し、前記ゥエーハの薬液浸漬処理又は浸漬リ ンス処理を行う際には該回転シャフトの中空部の下端開口部から該中空部を介して 該貫通孔に薬液又はリンス液を供給し、また該ゥエーハの乾燥処理を行う際には該 回転シャフトの中空部の下端開口部力 該中空部を介して該貫通孔に乾燥用気体 を供給するように構成するのが好適である。
[0025] 前記ゥ ーハ受け部がゥ ーハ下面を受ける下側ガイドピンとゥ ーハ外側面を受 ける外側ガイドピンとからなるのが好ましい。
[0026] 前記回転円板の上面に羽根板を放射状、螺旋状又は渦巻状に設け、前記媒体流 路が該回転円板の上面と相対向する羽根板とゥ ーハの下面との間に形成されるよ うにすることができる。前記ゥ ーハ受け部を羽根板の上面に設けることも可能である
[0027] 前記回転円板の中心部に穿設された貫通孔の上方に邪魔板を設け、該貫通孔を 介して該回転円板の上面に供給される薬液又はリンス液又は乾燥用気体を該邪魔 板によって羽根板方向に誘導する構成を採用することもできる。
[0028] 複数の薬液を所定の配合割合の配合薬液として供給するに際し、前記ノズル手段 力 個々の薬液を所定の配合割合で前記ゥエーハ受け部に載置されたゥエーハ上 に供給し、また前記貫通孔力 個々の薬液を所定の配合割合で前記回転円板の上 面に噴出供給することにより、薬液の配合量が必要最小限となり安全性向上と薬液コ ストの低減が可能となり、その結果薬液は原液供給が可能となり循環加温が不要な 配合薬液の管理が不要とし、薬液の配合が回転円板部で実施され、その直後に使 用されることから薬液の劣化の問題が無くなり、薬液の最大効果点を利用することが でき、従来の薬液の使用濃度よりも薬液濃度の低減を可能とすることができる。 発明の効果
[0029] 本発明の枚葉式ゥエーハ処理装置によれば、スピン処理において従来の浸漬処理 と同様の浸漬処理を行うことができ、ゥエーハー枚当りの薬液処理において薬液消費 量を低減することができ、薬液の反応熱を利用して加温用ヒーターを不要とするととも に省エネ化を可能とし、薬液の配合をノズル手段及び又は回転円板部で実施するこ とにより薬液の配合量が必要最小限となり安全性向上と薬液コストの低減が可能とな る。
図面の簡単な説明
[0030] [図 1]本発明に係る枚葉式ゥ ーハ処理装置の一つ実施形態を示す断面的側面概 略説明図である。
[図 2]図 1の回転円板の拡大上面図である。
[図 3]図 1に示した枚葉式ゥエーハ処理装置の各部材とコントローラーとの電気的接 続状態を示す説明図である。
[図 4]本発明の枚葉式ゥヱーハ処理装置を用いたゥヱーハ浸漬処理の操作手順の一 例を示すフローチャートである。
[図 5]本発明に係る枚葉式ゥ ーハ処理装置の他の実施形態を示す断面的側面概 略説明図である。
[図 6]従来の枚葉式ゥ ーハ処理装置の一例を示す斜視的説明図である。
[図 7]図 6のゥエーハ保持装置にゥエーハを保持させた状態を示す斜視的説明図で ある。
[図 8]羽根板の他の例を示す上面図である。
[図 9]羽根板の別の例を示す上面図である。
[図 10]従来の枚葉式ゥエーハ処理装置における薬液等供給機構を示す概略説明図 である。
符号の説明
[0031] 10 :従来の枚葉式ゥヱーハ処理装置、 11, 11a:本発明の枚葉式ゥエーハ処理装 置、 12 :回転円板、 14 :貫通孔、 16 :羽根板、 18 :ゥエーハ受け部、 20 :回転シャフト 、 22 :中空部、 24 :下端開口部、 26 :減圧調整手段、 26A:ロータリジョイント、 28 :プ ーリ、 30 :モータ、 32 :モータプーリ、 34 :プーリベルト、 46 :邪魔板、 48 :環状堰部材 、 A:媒体、 W:ゥエーハ。
発明を実施するための最良の形態
[0032] 以下に、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明するが、本発明の技術 思想力 逸脱しない限り図示例以外にも種々の変形が可能なことは 、うまでもな!/、。
[0033] 図 1は本発明に係る枚葉式ゥ ーハ処理装置の一つの実施形態を示す断面的側 面概略説明図である。図 2は図 1の回転円板の拡大上面図である。図 1及び図 2にお いて、図 6及び図 7と同一又は類似部材は同一符号で示される。
[0034] 図 1において、 11は本発明の枚葉式ゥヱーハ処理装置で、上面に媒体流路を形成 した回転円板 12を有している。該回転円板 12の上面には、複数個のゥエーハ受け 部 18が設けられている。該ゥ ーハ受け部 18は、図 6及び図 7に示した例と異なり、 ゥエーハ Wの下面を受ける下側ガイドピン 18aとゥエーハ Wの外側面を受ける外側ガ イドピン 18bとから構成されている。 48は該回転円板 12の外周部に設けられた環状 堰部材で、該ゥエーハ受け部 18に載置されるゥエーハ Wの外周縁部よりも外方に位 置しかつ該載置されるゥエーハの上面よりも該環状堰部材 48の上縁部が上方に位 置するように形成されている。 60は揺動ノズル手段で、該ゥエーハ受け部 18に載置 されるゥ ーハ Wの上方に設けられかつ硫酸や過酸ィ匕水素水等の薬液及び純水や 温純水等のリンス液を吐出供給する作用を果たす。
[0035] 50は第 1薬液、例えば、硫酸用上部導管で、ポンプ手段 P5及びバルブ手段 V5が 設けられている。 52は第 2薬液、例えば、過酸化水素水用上部導管で、ポンプ手段 P6及びバルブ手段 V6が設けられている。 54は純水用上部導管で、ポンプ手段 P7 及びバルブ手段 V7が設けられている。 56は温純水用上部導管で、ポンプ手段 P8 及びバルブ手段 V8が設けられている。上記各上部導管 50, 52, 54, 56は回転円 板 12の上方に配置される揺動ノズル手段 60に接続され、該摇動ノズル手段 60には 第 1ノズノレ 60a、第 2ノズノレ 60b、第 3ノズノレ 60c、第 4ノズノレ 60d力 ^突設されて!/ヽる。 第 1ノズル 60aからは第 1薬液力 第 2ノズル 60bからは第 2薬液力 第 3ノズル 60cか らは純水力 第 4ノズル 60dからは温純水がそれぞれ吐出供給されるようになってい る。
[0036] 前記回転円板 12の中心部には貫通孔 14が穿設されている。 20は前記回転円板 1 2の下面中央部に垂設された回転シャフトで、その軸方向には該貫通孔 14に連通す る中空部 22が穿設されている。該回転シャフト 20の下端部には該中空部 22に連通 してロータリジョイント 26Aが設けられて 、る。
[0037] 62は乾燥用気体、例えば、窒素ガス又は空気用下部導管で、バルブ手段 V9が設 けられている。 64は第 1薬液、例えば、硫酸用下部導管で、ポンプ手段 P10及びバ ルブ手段 V10が設けられている。 66は第 2薬液、例えば、過酸化水素水用下部導管 で、ポンプ手段 P11及びバルブ手段 VI Iが設けられている。 68は純水用下部導管 で、ポンプ手段 P12及びバルブ手段 V12が設けられている。 70は温純水用導管で、 ポンプ手段 P13及びバルブ手段 V13が設けられている。上記各下部導管 62, 64, 6 6, 68, 70は主導管 72を介して前記ロータリジョイント 26Aに接続されている。該ロー タリジョイント 26Aで流量が調節された乾燥用気体,第 1薬液,第 2薬液,純水又は温 純水等の媒体 Aが回転シャフト 20の中空部 22を通って回転円板 12の上面側に供 給される。従って、該回転円板 12の下面側カも該貫通孔 14に薬液又はリンス液又は 乾燥用気体を供給する供給手段は、中空部上記 20の他に上記ポンプ手段 P10— P 13、上記各下部導管 62, 64, 66, 68, 70及び主導管 72等力も構成されている。前 記ゥ ーハの薬液浸漬処理又は浸漬リンス処理を行う際には該回転円板の下面側 力 該貫通孔に薬液又はリンス液を供給し、また該ゥエーハの乾燥処理を行う際には 該回転円板の下面側力 該貫通孔に乾燥用気体を供給する。
[0038] 46は該回転円板 12の中心部に穿設された貫通孔 14の上方に位置するように該回 転円板 12に設けられた邪魔板である。該貫通孔 14を介して該回転円板 12の上面に 供給される媒体 Aは該邪魔板 46によって羽根板 16方向に誘導される。
[0039] この邪魔板 46の設置によって、媒体 A中に不純物が混入した場合でも媒体 Aがゥ ヱーハ wの下面に直接吹き付けられることはないので不純物等によって汚染されると いう事故が防止され、また操業中にゥヱーハ Wが割れた場合の媒体 Aの上方への吹 き出しが防止されるという利点がある。
[0040] 図 3は図 1に示した枚葉式ゥエーハ処理装置の各部材とコントローラーとの電気的 接続状態を示す説明図である。図 3において、 74は枚葉式ゥエーハ処理装置本体 1 laに隣接して設置されたハンドリングロボットで、ゥエーハロード部 76に載置されるゥ エーハ Wをゥエーハ受け部 18に搬入載置せしめ、該ゥエーハ受け部 18に載置され ているゥエーハ Wをゥエーハアンロード部 78に搬出載置せしめるように作動する。 80 はコントローラーで、枚葉式ゥエーハ処理装置本体 11a,ハンドリングロボット 74, ノ ルブ手段 V5— V8, V9— ¥13及びポンプ手段135—?8, PIO— P13に電気的に接続し ており、スピン処理の制御、ハンドリングロボットの制御、各バルブ手段及び各ポンプ 手段の制御を行う。なお、上記説明以外の構成は、図 6及び図 7の構成と同様である ので再度の説明は省略する。
[0041] 上記の構成によって、該ゥエーハ受け部 18を介してゥエーハ Wを該回転円板 12の 上方に間隔を介在させて載置した状態で該回転円板 12を低速回転させつつ薬液又 はリンス液を該ゥヱーハ Wが浸漬状態となるように前記環状堰部材 48の内部に供給 することによって該ゥエーハ Wの薬液浸漬処理又は浸漬リンス処理を行う。次 、で、 該浸漬状態のゥエーハ Wを該ゥエーハ受け部 18に保持した状態で該回転円板 12を 高速回転せしめることによって該ゥエーハ 18及び回転円板 12上の薬液又はリンス液 を振り切り又は該ゥエーハ Wの乾燥処理を行うことができる。図 6及び図 7に示した装 置の場合と同様に、回転円板 12を回転させると、回転による遠心力によって、回転円 板 12上面の媒体 (図 1の場合は薬液等)が外方に排出し、即ち貫通孔 14を通った媒 体 Aは邪魔板 46の下面を介して側方に誘導され、続いて回転円板 12の上面と一対 の相対向する羽根板 16, 16とゥ ーハ Wの下面との間に形成された複数の媒体流 路 36を介して該回転円板 12上の媒体 Aが外方に排出する。
[0042] さらに具体的に本発明の枚葉式ゥ ーハ処理装置を用いたゥ ーハの浸漬処理の 操作手順について図 4に示したフローチャートに基づいて説明する。
[0043] まず、ハンドリングロボット 74を用いてゥエーハロード部 76からゥエーハ Wをゥエー ハ支持部 18にセットする(ステップ 200)。ノズル手段 60をゥエーハ Wの上方に移動 する (ステップ 202)。次に回転円板 12を低速回転 (0— lOOrpm)させる (ステップ 20 4)。
[0044] 該ゥエーハ受け部 18を介してゥエーノ、 Wを該回転円板 12の上方に間隔を介在さ せて載置した状態で該回転円板 12を低速回転させつつ薬液 (例えば、硫酸及び過 酸ィ匕水素水)を該ゥ ーハ Wが浸漬状態となるように前記環状堰部材 48の内部に供 給する。
[0045] 具体的には、バルブ手段 V5及び V6を開放しかつポンプ手段 P5及び P6を作動し て薬液を該ノズル手段 60に送り込み該ノズル手段 60によって該ゥエーハ Wの上面に 薬液を吐出噴射するとともにノ レブ手段 V10及び VI Iを開放しかつポンプ手段 P10 及び P11を作動して薬液をロータリジョイント 26A及び中空部 22を介して貫通孔 14 力も回転円板 12の上面に吐出供給することによって該ゥヱーハ Wが浸漬状態となる ように前記環状堰部材 48の内部に薬液を満たす (ステップ 206)。
[0046] この薬液中に該ゥエーハ Wを所定時間(例えば、 5— 10分程度)浸漬することによ つて該ゥエーハ Wの浸漬処理を行う(ステップ 208)。該浸漬状態のゥエーハ Wを該ゥ エーハ受け部 18に保持した状態で該回転円板 12を高速回転(500— 2000rpm程 度)せしめる (ステップ 210)。
[0047] この高速回転を所定時間(例えば、 30秒程度)行うことによって該ゥ ーハ 18及び 回転円板 12上の薬液を振り切る (ステップ 212)。該ゥヱーハ Wを高速回転させた状 態で、バルブ手段 V7又は V8を開放しかつポンプ手段 P7又は P8を作動して純水又 は温純水を該ノズル手段 60に送り込み該ノズル手段 60によって該ゥヱーハ Wの上 面に純水又は温純水を吐出噴射するとともにバルブ手段 V12又は V13を開放しか つポンプ手段 P12又は P13を作動して純水又は温純水をロータリジョイント 26A及び 中空部 22を介して貫通孔 14から回転円板 12の上面に吐出供給することによって薬 液の振り切られたゥエーハ Wのスピンリンス処理を行う(ステップ 214)。
[0048] このリンス処理終了後、回転円板 12の回転を低速回転 (0— lOOrpm)にする (ステ ップ 216)。該回転円板 12を低速回転させつつ純水又は温純水を該ゥエーハ Wが浸 漬状態となるように前記環状堰部材 48の内部に供給する。 [0049] 具体的には、バルブ手段 V7又は V8を開放しかつポンプ手段 P7又は P8を作動し て純水又は温純水を該ノズル手段 60に送り込み該ノズル手段 60によって該ゥエー ハ Wの上面に純水又は温純水を吐出噴射するとともにノ レブ手段 V12又は V13を 開放しかつポンプ手段 P12又は P13を作動して純水又は温純水をロータリジョイント 26A及び中空部 22を介して貫通孔 14から回転円板 12の上面に吐出供給すること によって該ゥヱーハ Wが浸漬状態となるように前記環状堰部材 48の内部に純水又は 温純水を満たす (ステップ 218)。
[0050] この純水又は温純水中に該ゥ ーハ Wを所定時間(例えば、 1分程度)浸漬するこ とによって該ゥヱーハ Wの浸漬リンス処理を行う(ステップ 220)。該浸漬状態のゥエー ハ Wを該ゥエーハ受け部 18に保持した状態で該回転円板 12を高速回転(500— 20 OOrpm程度)せしめる(ステップ 222)。
[0051] 該ゥエーハ Wを高速回転させた状態で、ノ レブ手段 V7又は V8を開放しかつボン プ手段 P7又は P8を作動して純水又は温純水を該ノズル手段 60に送り込み該ノズル 手段 60によって該ゥエーハ Wの上面に純水又は温純水を吐出噴射するとともにノ レ ブ手段 VI 2又は VI 3を開放しかつポンプ手段 P 12又は P 13を作動して純水又は温 純水をロータリジョイント 26A及び中空部 22を介して貫通孔 14から回転円板 12の上 面に吐出供給することによってゥエーハ Wのスピンリンス処理を行う(ステップ 224)。
[0052] このスピンリンス処理後、該回転円板 12を超高速回転(1500— 2500rpm程度)せ しめる (ステップ 226)。該ゥエーハ Wを超高速回転させた状態で、バルブ手段 V9乾 燥用気体 (例えば、窒素又は空気)をロータリジョイント 26A及び中空部 22を介して 貫通孔 14から回転円板 12の上面に吐出供給することによってゥエーノ、 Wのスピン乾 燥処理を行う(ステップ 228)。
[0053] スピン乾燥処理終了後、回転円板 12の回転を停止する (ステップ 230)。最後に、 ハンドリングロボット 74を用いてゥエーハ受け部 18から浸漬処理の終了したゥエーハ Wを取り出しゥエーハアンロード部 78に収納する(ステップ 232)
[0054] 本発明装置を用いることによる作用について述べる。本発明装置によるスピン処理 においては複数の薬液を回転円板 12上に流下させ配合を行う為薬液のミキシング 状態を良くする必要力 回転円板の正転及び逆転を行う構成を採用することができ、 ノズル手段 60から吐出する薬液を連続吐出するのでは無ぐそれぞれの薬液が同期 しない様に断続的な吐出条件を設定するのが好ましい。
[0055] 薬液作製時の反応熱利用につ 、て 、えば、反応熱の特に利用可能な薬液として 硫酸と過酸ィ匕水素水の混合液が有り、この混合液はデバイス工程では有機物除去を 目的に利用され、またレジスト膜の除去にも使用されている。この混合液の混合比率 は硫酸 4に対し過酸化水素水 1の重量比率が多く使用温度は 80°C— 130°C程度で ある。この比率での混合時に発生する反応熱は混合液全体を 25°Cから 100°C程度 に昇温させることから使用温度が 130°Cでの高温領域である場合では原液温度を 5 5°C程度に加温しておけば対応可能である。また使用温度が 100°C程度であれば原 液は室温のままで使用可能となる。
[0056] 反応熱が少な!/ヽ混合液の場合、 RCA洗浄の SC— 1、 SC— 2の様な混合液の場合 には、そのほとんどの成分が水であるので温水として混合することにより目的温度に 合わせることが可能で有る。
[0057] 反応熱が少な!/ヽ薬液と薬液の場合、それぞれの原液を加温しておき供給することと なるが、薬液の配合比等を考慮に入れ加温による劣化の少な ヽ薬液を加温し供給 することにより薬液劣化を最小限に抑えることが出来る。
[0058] 図 1一図 4に示した本発明装置の実施形態においては、環状堰部材 48の内部に 薬液等を供給する手段方法としては、ノズル手段 60によって上方から薬液等を流下 させる他に、回転円板 12の中央に穿設された貫通孔 14から薬液等を噴出させるとい う上下両方向から薬液等を供給する態様によって行う例について説明したが、下方 からの薬液等の供給、即ち、貫通孔 14から薬液等を
噴出させる構成を省略しても本発明の作用効果は十分に達成されるものであり、以 下に説明する。
[0059] 図 5は本発明に係る枚葉式ゥ ーハ処理装置の他の実施形態を示す断面的側面 概略説明図である。図 5において、図 1と同一部材又は類似部材は同一符号で示さ れる。
[0060] 図 5において、 11aは本発明の枚葉式ゥヱーハ処理装置で、図 1に示した装置との 相違点は、貫通孔 12,中空部 22,ロータリジョイント 26A,邪魔板 46,下部導管 62, 64, 66, 68, 70及び主導管 72が省略されている点にあり、その他の構成は図 1の 処理装置 11と全く同一であるので再度の説明は省略する。また、その作用は図 4の フローチャートに示したものと下方からの薬液等の供給がない点を除いて全く同一で あり、同様に再度の説明は省略する。
[0061] なお、図 1に示した処理装置 11において、下部導管 62によって供給される乾燥用 気体 (例えば、窒素又は空気)はゥ ーハの乾燥用としての作用の他に、ゥ ーハ下 面への薬液等の回り込み防止ゃゥ ーハ下面中心部への過剰吸着の防止等の作 用を行うが、図 5の処理装置 11aでは下方からの乾燥気体の吹きつけができない不 都合がある。図 5の処理装置 11aにおいては、乾燥用気体の吹きつけはノズル手段 以外の吹きつけ手段(図示せず)を設け、この吹きつけ手段によって行えばよい。 産業上の利用可能性
[0062] 本発明の枚葉式ゥヱーハ処理装置によれば、薬液は原液供給が可能となり循環加 温が不要な配合薬液の管理が不要とし、薬液の配合がノズル手段及び Z又は回転 円板部で実施され、その直後に使用されることから薬液の劣化の問題が無くなり、薬 液の最大効果点を利用することができ、従来の薬液の使用濃度よりも薬液濃度の低 減を可能とすることができる。

Claims

請求の範囲
[1] 上面に媒体流路を形成した回転円板と、該回転円板の上面に設けられた複数個の ゥエーハ受け部と、該ゥ ーハ受け部に載置されるゥ ーハの外周縁部よりも外方に 位置しかつ該載置されるゥ ーハの上面より上縁部が上方に位置するように該回転 円板の外周部に設けられた環状堰部材と、該ゥ ーハ受け部に載置されるゥ ーハ の上方に設けられかつ薬液及びリンス液を供給するノズル手段とからなることを特徴 とする枚葉式ゥ ーハ処理装置。
[2] 前記媒体流路内の媒体が、回転による遠心力によって外方に排出され、これによつ て該媒体流路内に減圧状態を出現せしめ、この減圧状態の吸引力によって前記ゥ ーハを下方に吸引し前記ゥ ーハ受け部によって保持するようにした請求項 1記載の 枚葉式ゥヱーハ処理装置であって、該ゥヱーハ受け部を介して該ゥヱーハを前記回 転円板の上方に間隔を介在させて載置した状態で前記ノズル手段力 薬液又はリン ス液を該ゥ ーハが浸漬状態となるように前記環状堰部材の内部に供給することによ つて該ゥエーハの薬液浸漬処理又は浸漬リンス処理を行! \また該浸漬状態のゥヱ ーハを該ゥエーハ受け部に保持した状態で該回転円板を高速回転せしめることによ つて該ゥエーハ及び回転円板上の薬液又はリンス液の振り切りを行うようにしたことを 特徴とする枚葉式ゥ ーハ処理装置。
[3] 上面に媒体流路を形成した回転円板と、該回転円板の上面に設けられた複数個の ゥエーハ受け部と、該ゥ ーハ受け部に載置されるゥ ーハの外周縁部よりも外方に 位置しかつ該載置されるゥ ーハの上面より上縁部が上方に位置するように該回転 円板の外周部に設けられた環状堰部材と、該ゥ ーハ受け部に載置されるゥ ーハ の上方に設けられかつ薬液及びリンス液を供給するノズル手段と、該回転円板の中 心部に穿設された貫通孔と、該貫通孔に薬液又はリンス液又は乾燥用気体を供給 する供給手段とからなることを特徴とする枚葉式ゥエーハ処理装置。
[4] 前記媒体流路内の媒体が、回転による遠心力によって外方に排出され、これによつ て該媒体流路内に減圧状態を出現せしめ、この減圧状態の吸引力によって前記ゥ ーハを下方に吸引し前記ゥ ーハ受け部によって保持するようにした請求項 3記載の 枚葉式ゥヱーハ処理装置であって、該ゥヱーハ受け部を介して該ゥヱーハを前記回 転円板の上方に間隔を介在させて載置した状態で前記ノズル手段及び前記貫通孔 力 薬液又はリンス液を該ゥヱーハが浸漬状態となるように前記環状堰部材の内部 に供給することによって該ゥエーハの薬液浸漬処理又は浸漬リンス処理を行 、、また 該浸漬状態のゥエーハを該ゥエーハ受け部に保持した状態で該回転円板を高速回 転せしめることによって該ゥエーハ及び回転円板上の薬液又はリンス液の振り切りを 行い、さらに該貫通孔力 乾燥用気体を噴出供給することによって該ゥ ーハの乾燥 処理を行うようにしたことを特徴とする請求項 3記載の枚葉式ゥ ーハ処理装置。
[5] 前記貫通孔に連通する中空部が軸方向に穿設されかつ前記回転円板の下面中央 部に垂設された回転シャフトをさらに有し、前記ゥエーハの薬液浸漬処理又は浸漬リ ンス処理を行う際には該回転シャフトの中空部の下端開口部から該中空部を介して 該貫通孔に薬液又はリンス液を供給し、また該ゥエーハの乾燥処理を行う際には該 回転シャフトの中空部の下端開口部力 該中空部を介して該貫通孔に乾燥用気体 を供給するようにしたことを特徴とする請求項 3又は 4記載の枚葉式ゥエーハ処理装 置。
[6] 前記ゥヱーハ受け部がゥヱーハ下面を受ける下側ガイドピンとゥヱーハ外側面を 受ける外側ガイドピンとからなることを特徴とする請求項 1一 5のいずれか 1項記載の 枚葉式ゥヱーハ処理装置。
[7] 前記回転円板の上面に羽根板を放射状、螺旋状又は渦巻状に設け、前記媒体流 路が該回転円板の上面と相対向する羽根板とゥ ーハの下面との間に形成されるよ うにしたことを特徴とする請求項 1一 6のいずれか 1項記載の枚葉式ゥヱーハ処理装 置。
[8] 前記ゥ ーハ受け部を前記羽根板の上面に設けたことを特徴とする請求項 7記載 の枚葉式ゥ ーハ処理装置。
[9] 前記回転円板の中心部に穿設された貫通孔の上方に邪魔板を設け、該貫通孔を 介して該回転円板の上面に供給される薬液又はリンス液又は乾燥用気体を該邪魔 板によって羽根板方向に誘導するようにしたことを特徴とする請求項 7又は 8記載の 枚葉式ゥヱーハ処理装置。
[10] 複数の薬液を所定の配合割合の配合薬液として供給するに際し、前記ノズル手段 から個々の薬液を所定の配合割合で前記ゥ ーハ受け部に載置されたゥ ーハ上 に供給するようにしたことを特徴とする請求項 1一 9のいずれか 1項記載の枚葉式ゥェ ーハ処理装置。
複数の薬液を所定の配合割合の配合薬液として供給するに際し、前記貫通孔から 個々の薬液を所定の配合割合で前記回転円板の上面に噴出供給するようにしたこと を特徴とする請求項 3— 10の 、ずれ力 1項記載の枚葉式ゥエーハ処理装置。
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