Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

TWI738816B - 被加工物之切削方法 - Google Patents

被加工物之切削方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI738816B
TWI738816B TW106122724A TW106122724A TWI738816B TW I738816 B TWI738816 B TW I738816B TW 106122724 A TW106122724 A TW 106122724A TW 106122724 A TW106122724 A TW 106122724A TW I738816 B TWI738816 B TW I738816B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
workpiece
cutting
height
thickness
information
Prior art date
Application number
TW106122724A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201812881A (zh
Inventor
小松淳
高木敦史
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW201812881A publication Critical patent/TW201812881A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI738816B publication Critical patent/TWI738816B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)

Abstract

提供可以在短時間高精度控制切削刀對被加工物之切入深度的被加工物之切削方法。

一種被加工物之切削方法，包含：保持面資訊記憶步驟，其係以移動單元使安裝用以測量高度之高度測量器之切削單元，和挾盤台做相對性移動，在複數之座標(X,Y)測量挾盤台之保持面之高度(Z)，記憶各個座標(X,Y)和高度(Z)之關係作為保持面資訊；厚度資訊記憶步驟，其係測量被加工物之厚度，作為厚度資訊而予以記憶；保持步驟，其係以挾盤台保持記憶厚度資訊之被加工物；算出步驟，其係從保持面資訊和厚度資訊，在任意之座標(X,Y)算出在挾盤台所保持的該被加工物之上面之高度；及切削步驟，其係根據在算出步驟所算出之被加工物之高度，使切削刀切入在挾盤台所保持的被加工物，形成期望之深度的溝部。

Description

被加工物之切削方法
本發明係關於切削板狀之被加工物之時所使用的被加工物之切削方法。
於將代表半導體晶圓之板狀被加工物分割成複數晶片之時，使用例如具備用以保持被加工物之挾盤台，和用以切削被加工物之環狀切削刀的切削裝置。一面使旋轉之切削刀對藉由挾盤台所保持之被加工物切入，一面使切削刀和挾盤台做相對性移動，依此沿著該移動之路徑，切削被加工物。
在上述切削裝置中，通常將與被加工物相接之挾盤台之保持面之高度，設定為切削刀之高度的基準(零點)。依此，可以將切削刀之高度對準挾盤台上之被加工物，使切削刀切入至被加工物的期望之深度。
但是，近年來，增加在被加工物設置被稱為Low-k膜等之介電率低的絕緣膜的機會。因該Low-k膜脆弱，故於切削被加工物之時，有在非預期的區域剝落之情形。於是，研究出事先僅除去重疊在切削預定線(切割道、分割預定線)的Low-k膜之方法等(例如，參照專利 文獻1)。
在該方法中，使切削刀切入厚度為數μm左右的Low-k膜，從被加工物僅除去重疊在切削預定線之Low-k膜。另外，在上述挾盤台之保持面，也存在例如數μm以上之高度的偏差。在此情況，由於切削刀對被加工物之切入深度也產生同樣程度的偏差，故無法適當地實施上述方法。
對此，提案有使切削刀切入被加工物之複數位置，以所形成之確認用的溝部(切痕、切口)之長度為基準，確認切削刀之切入深度的方法等(例如，參照專利文獻2)。若使用以該方法所確認出之切入深度，控制切削刀之高度時，即使在挾盤台之保持面具有高度之偏差之情況，亦可以僅切削且除去薄的Low-k膜。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文件1]日本特開2015-18965號公報
[專利文獻2]日本特開2015-142022號公報
但是，在上述方法中，因在被加工物形成複數溝部之後，必須測量其長度，故有至切削完成所需的時間大幅度增長。
本發明係鑑於如此之問題點而創作出，其目的在於提供可以在短時間高精度地控制切削刀對被加工物之切入深度的被加工物之切削方法。
若藉由本發明之一態樣時，提供一種被加工物之切削方法，其係使用切削裝置的被加工物之切削方法，該切削裝置具備：挾盤台，其係在保持面保持板狀之被加工物；切削單元，其係以切削刀加工被保持於該挾盤台之該被加工物；移動單元，其係使該挾盤台和該切削單元在相對於該保持面平行的X軸方向及Y軸方向做相對性移動，該被加工物之切削方法具備：保持面資訊記憶步驟，其係以該移動單元使安裝用以測量高度之高度測量器之該切削單元，和該挾盤台做相對性移動，在複數之座標(X,Y)測量該挾盤台之該保持面之高度(Z)，記憶各個座標(X,Y)和高度(Z)之關係作為保持面資訊；厚度資訊記憶步驟，其係測量該被加工物之厚度，作為厚度資訊而予以記憶；保持步驟，其係在該挾盤台保持記憶該厚度資訊之該被加工物；算出步驟，其係從該保持面資訊和該厚度資訊，在任意之座標(X,Y)算出在該挾盤台所保持的該被加工物之上面之高度；及切削步驟，其係根據在該算出步驟算出之該被加工物之高度，使該切削刀切入在該挾盤台所保持的該被加工物，形成期望之深度的溝部。
在本發明之一態樣中，進一步具備位置資訊記憶步驟，其係於該算出步驟之前，為了攝像該被加工物，使用被安裝於該切削單元之攝像單元或該高度測量器，檢測出在該挾盤台所保持的該被加工物之外周緣的座標，和被形成該外周緣或該被加工物之上面的標記，記憶從該外周緣之座標被算出的該被加工物之中心的座標，和連結該中心和該標記之直線相對於基準線所構成的角度，作為該被加工物相對於該挾盤台的位置資訊，在該厚度資訊記憶步驟中，在複數座標(x,y)測量該被加工物之厚度(t)，記憶各個座標(x,y)和厚度(t)之關係作為該厚度資訊，在該算出步驟中，從該位置資訊和該保持面資訊和該厚度資訊，在任意之座標(x,y)算出該被加工物之該上面之高度為佳。
再者，在本發明之一態樣中，該被加工物具有包含被疊層在一方之面側的機能層的裝置，在該切削步驟中，沿著區劃該裝置之複數切割道以該切削刀形成該溝部為佳。
在本發明之一態樣有關之被加工物之切削方法中，因從在複數座標(X,Y)測量挾盤台之保持面之高度(Z)而所取得之保持面資訊，和測量被加工物之厚度而所取得之厚度資訊，在任意之座標(X,Y)算出以在盤台所保持之被加工物之上面的高度，故可以高精度地控制 切削刀對被加工物的切入深度。
再者，在與本發明之一態樣有關之被加工物之切削方法中，因不需要在被加工物形成確認用之溝部，故比起形成確認用之溝部的以往之方法，可以縮短至切削完成所需的時間。如此一來，若藉由與本發明之一態樣有關之被加工物之切削方法時，可以在短時間高精度地控制切削刀對被加工物的切入深度。
11:被加工物
11a:表面(一方之面、上面)
11b:背面(另一方之面、下面)
11c:凹槽
13:切削預定線(切割道、分割預定線)
15:裝置
21:保護構件
21a:表面
21b:背面
31、33:測量線
35:視野
37:區域(座標)
2:切削裝置
4:基台
4a、4b、4c:開口
6:卡匣支撐台
8:卡匣
10:X軸移動台
12:防塵防滴蓋
14:挾盤台
16:保持面
18:切削單元
20:支撐構造
22:切削單元移動機構
24:Y軸導軌
26:Y軸移動板
28:Y軸滾珠螺桿
30:Y軸脈衝馬達
32:Z軸導軌
34:Z軸移動板
36:Z軸滾珠螺桿
38:Z軸脈衝馬達
40:主軸
42:切削刀
44:複合測量單元(高度測量器、攝像單元)
46:洗淨單元
48:控制單元
48a:記憶部
52:厚度測量裝置
54:保持台
56:保持面
58:測量器
圖1(A)為示意性地表示被加工物之構成例的斜視圖，圖1(B)為示意性地表示在被加工物黏貼保護構件之樣子的斜視圖。
圖2為示意性表示切削裝置之構成例的圖示。
圖3(A)為用以說明保持面資訊記憶步驟的側面圖，圖3(B)為示意性地表示測量線之設定例的俯視圖。
圖4(A)為用以說明厚度資訊記憶步驟的側面圖，圖4(B)為示意性地表示測量線之設定例的俯視圖。
圖5(A)為用以說明保持步驟的側面圖，圖5(B)為用以說明位置資訊記憶步驟的俯視圖。
圖6(A)為視覺性地表示保持面資訊所示的保持面之高度(Z)的圖示，圖6(B)為視覺性地表示厚度資訊所示的被加工物之厚度(t)的圖示，圖6(C)為視覺性地表示被加工物之表面(上面)之高度的圖示。
圖7為示意性地表示切削步驟之俯視圖。
參照附件圖面，針對與本發明之一態樣有關的實施型態進行說明。與本實施型態有關之被加工物之切削方法包含保持面資訊記憶步驟(參照圖3(A)及圖3(B))、厚度資訊記憶步驟(參照圖4(A)及圖4(B))、保持步驟(參照圖5(A))、位置資訊記憶步驟(參照圖5(B))、算出步驟(參照圖6(A)、圖6(B)及圖6(C))及切削步驟(參照圖7)。
在保持面資訊記憶步驟中，在複數座標(X,Y)測量被設置在切削裝置之挾盤台之保持面之高度(Z)，記憶各個座標(X,Y)和高度(Z)之關係作為保持面資訊。在該厚度資訊記憶步驟中，在複數座標(x,y)測量該被加工物之厚度(t)，記憶各個座標(x,y)和厚度(t)之關係作為厚度資訊。
在保持步驟中，係在挾盤台保持被記憶厚度資訊的被加工物。在位置資訊記憶步驟中，檢測出在挾盤台所保持的被加工物之外周緣的座標，和被形成在外周緣的凹槽等之標記(或是被形成在被加工物之上面的標記)，記憶位置資訊。在算出步驟中，從位置資訊和保持面資訊和厚度資訊，在任意之座標(X,Y)算出被加工物之上面之高度。
在切削步驟中，根據在算出步驟算出的被加 工物之上面之高度，使切削刀切入，在被加工物形成期望之深度的溝部。以下，針對與本實施型態有關之被加工物之切削方法予以詳述。
圖1(A)為示意性地表示在本實施型態被切削之被加工物之構成例的斜視圖，圖1(B)為示意性地表示在被加工物黏貼保護構件之樣子的斜視圖。如圖1(A)所示般，本實施型態之被加工物11為例如使用矽等之半導體材料所形成的圓盤狀之晶圓，在其表面(一方之面、上面)11a側，設置成為配線之金屬膜，或絕緣配線間之絕緣膜(包含Low-k膜)等之機能層(無圖示)。
設置該機能層之被加工物11之表面11a側以被配列成格子狀之切削預定線(切割道、分割預定線)13被區劃成複數區域，在各區域，形成IC、LSI等之裝置15。各裝置15包含上述機能層作為構成要素。即是，機能層成為裝置15之一部分。再者，在被加工物11之外周緣，設置有判定被加工物11之方向(例如，結晶方位)之時之標記的凹槽11c(或定向平面)。
另外，在本實施型態中，雖然將以矽等之半導體材料所構成之圓盤狀之晶圓設為被加工物11，但是被加工物11之材質、形狀、構造等不受限制。例如，亦可以使用以陶瓷、金屬、樹脂等之材料所構成之基板作為被加工物11。同樣地，裝置15之種類、數量、配置等也不受限制。
再者，亦可以與上述凹槽11c等一起，或取代 凹槽11c等，利用被形成在被加工物11之表面11a側的裝置15之圖案等，作為判定被加工物11之方向之時的標記。在此情況，不一定在被加工物11之外周緣設置凹槽11c等亦可。
在被加工物11之背面(另一方之面、下面)11b側，如圖1(B)所示般，黏貼保護構件21。保護構件21係持有與被加工物11同等之直徑的圓形之薄膜(膠帶)，在其表面21a側設置具有黏著力之糊層。於在被加工物11黏貼保護構件21之時，使該表面21a側密接於被加工物11之背面11b側。
另外，在本實施型態中，雖然在被加工物11之背面11b側，黏貼保護構件21，使表面11a側露出，但是即使在從背面11b切削被加工物11之情況等，在表面11a側黏貼保護構件21，使背面11b側露出亦可。即是，在此情況，被加工物11之背面11b成為上面，表面11a成為下面。再者，若被加工物11之破損等不成為問題時，即使不一定在被加工物11之背面11b(或是表面11a)黏貼保護構件21亦可。
再者，如上述般，可以藉由從背面11b側切削被加工物11，一面使表面11a側之機能層殘存，一面在被加工物11之背面11b側形成溝部。依此，與本發明有關之被加工物之切削方法，在欲一面使機能層確實地殘存一面除去被加工物11之其他部分之情況等也有效。
圖2為示意性地表示在本實施型態中所使用之 切削裝置2之構成例的圖示。如圖2所示般，切削裝置2具備支撐各構造的基台4。在基台4之前方之角部，形成矩形之開口4a，在該開口4a內，設置升降的卡匣支撐台6。在卡匣支撐台6之上面，被裝載可以收容複數被加工物11的卡匣8。另外，在圖1中，為了便於說明，僅表示卡匣8之輪廓。
在卡匣支撐台6之側方，形成X軸方向(前後方向、加工進給方向)長的矩形之開口4b。在該開口4b內，設置X軸移動台10、使X軸移動台10在X軸方向移動之X軸移動機構(移動單元)(無圖示)及覆蓋X軸移動機構的防塵防滴蓋12。
X軸移動機構具備與X軸方向平行之一對X軸導軌(無圖示)，在X軸導軌，X軸移動台10被安裝成能夠滑動。在X軸移動台10之下面側設置有螺帽部(無圖示)，該螺帽部被螺合於與X軸導軌平行之X軸滾珠螺桿(無圖示)。
在X軸滾珠螺桿之一端部連結有X軸脈衝馬達(無圖示)。藉由以X軸脈衝馬達使X軸滾珠螺桿旋轉，X軸移動台10沿著X軸導軌在X軸方向移動。
在X軸移動台10之上方設置有用以保持被加工物11之挾盤台14。挾盤台14被連結於例如馬達等之旋轉驅動源(無圖示)，在與Z軸方向(垂直方向)大概平行的旋轉軸之周圍旋轉。再者，挾盤台14係以上述X軸移動機構與X軸移動台10一起朝X軸方向被加工進給。
挾盤台14之上面成為吸引、保持被加工物11之保持面16。該保持面16係透過被形成在挾盤台14之內部的吸引路等而被連接於吸引源(無圖示)。
在接近於開口4b之位置，設置有將上述被加工物11搬運至挾盤台14之搬運單元(無圖示)。以搬運單元被搬運的被加工物11係以例如表面11a側露出於上方之方式，被載置於挾盤台14之保持面16。
在基台4之上面，以跨越開口4b之方式配置有用以支撐2組切削單元18之門型支撐構造20。在支撐構造20之前面上部，設置有使各切削單元18在Y軸方向(左右方向、分度進給方向)及Z軸方向移動之2組切削單元移動機構(移動單元)22。
各切削單元移動機構22共同具備被配置在支撐構造20之前面且與Y軸方向平行的一對Y軸導軌24。在Y軸導軌24，構成各切削單元移動機構22之Y軸移動板26分別被安裝成能夠滑動。
在各Y軸移動板26之背面側(後面側)設置有螺帽部(無圖示)，該螺帽部螺合與Y軸導軌24平行之Y軸滾珠螺桿28。在各Y軸滾珠螺桿28之一端部連結有Y軸脈衝馬達30。若以Y軸脈衝馬達30使Y軸滾珠螺桿28旋轉時，Y軸移動板26沿著Y軸導軌24而在Y軸方向移動。
在各Y軸移動板26之表面(前面)設置有與Z軸方向平行之一對Z軸導軌32。在Z軸導軌32，Z軸移動板34被安裝成能夠滑動。
在各Z軸移動板34之背面側(後面側)設置有螺帽部(無圖示)，該螺帽部螺合與Z軸導軌32平行之Z軸滾珠螺桿36。在各Z軸滾珠螺桿36之一端部連結有Z軸脈衝馬達38。若以Z軸脈衝馬達38使Z軸滾珠螺桿36旋轉時，Z軸移動板34沿著Z軸導軌32而在Z軸方向移動。
在各Z軸移動板34之下部設置切削單元18。該切削單元18具備被安裝於成為旋轉軸之主軸40(參照圖7)之一端側的圓環狀之切削刀42。再者，在切削單元18，安裝有用以測量挾盤台14之保持面16等之高度的高度測量器(高度測量單元)，和用以攝像被加工物11等之攝影機(攝像單元)成為一體的複合測量單元(高度測量器(高度測量單元)、攝影機(攝像單元))44。
若以各切削單元移動機構22使Y軸移動板26在Y軸方向移動時，切削單元18及複合測量單元44一起在Y軸方向被分度進給。再者，若以各切削單元移動機構22使Z軸移動板34在Z軸方向移動時，切削單元18及複合測量單元44一起升降。
相對於開口4b，在與開口4a相反側之位置，形成圓形之開口4c。在開口4c內設置用以洗淨切削後之被加工物11等之洗淨單元46。在X軸移動機構、挾盤台14、切削單元18、切削單元移動機構22、複合測量單元44、洗淨單元46等之構成要素，連接著控制單元48。各構成要素藉由該控制單元48被控制。
在與本實施型態有關之被加工物之切削方法 中，首先，進行用以在複數座標(X,Y)測量挾盤台14之保持面16之高度(Z)，記憶各個座標(X,Y)和高度(Z)之關係作為保持面資訊的保持面資訊記憶步驟。圖3(A)為用以說明保持面資訊記憶步驟的側面圖。
如圖3(A)所示般，該保持面資訊記憶步驟係使用被安裝於切削單元18之複合測量單元44之高度測量器而進行。高度測量器係例如使用雷射光束L1而測量對象之位置(高度)的雷射位移計，可以以非接觸測量挾盤台14之保持面16之高度(Z)。
在保持面資訊記憶步驟中，首先，使挾盤台14和複合測量單元44做相對性移動，使複合測量單元44移動至事先設定之保持面16之測量線31(參照圖3(B))之上方。而且，如圖3(A)所示般，一面以複合測量單元44照射測量用之雷射光束L1，一面使挾盤台14和複合測量單元44沿著測量線31做相對性移動。
依此，可以在測量線31上之複數座標(X,Y)測量挾盤台14之保持面16之高度(Z)。藉由複數測量單元44所測量出之高度(Z)和座標(X,Y)之關係，被記憶於控制單元48之記憶部48a作為保持面資訊。當沿著被設定之所有的測量線31測量保持面16之高度(Z)，所對應之保持面資訊被記憶於記憶部48a時，保持面資訊記憶步驟結束。
圖3(B)為示意性地表示測量線31之設定例的俯視圖。在圖3(B)之設定例中，在例如X座標為X1、 X2、X3之位置，分別設定與X軸方向垂直(與Y軸方向平行)之直線狀的測量線31。再者，在Y座標為Y1、Y2、Y3之位置，分別設定與Y軸方向垂直(與X軸方向平行)之直線狀之測量線31。
依此，例如，若X座標沿著X1之測量線31測量保持面16之高度(Z)時，可取得相對於測量線31上之複數座標(X1,Y)的高度(Z)資訊。另外，在本實施型態中，雖然在保持面16上設定合計6條的測量線31，但是被設定的測量線31之數量、配置等不受限制。可以因應所要求之切削的精度等，自由地設定測量線31。
再者，在本實施型態中，雖然沿著事先設定的測量線31連續性地測量保持面16之高度(Z)，但是即使事先設定複數測量點，在該測量點測量保持面16之高度(Z)亦可。即使在此情況，因應所要求之切削的精度等，可以自由地設定測量點。
於保持面資訊記憶步驟之後，進行在複數座標(x,y)測量被加工物之厚度(t)，記憶各個座標(x,y)和厚度(t)之關係作為厚度資訊的厚度資訊記憶步驟。圖4(A)為用以說明厚度資訊記憶步驟的側面圖。
如圖4(A)所示般，該厚度資訊記憶步驟係利用被設置在切削裝置2之內部或外部之任意的厚度測量裝置52來進行。厚度測量裝置52具備用以保持被加工物11之保持台54。保持台54之上面成為用以保持被加工物11之保持面56。該保持面56以可以高精度地測量被加工物11之 厚度之方式被形成平坦。
在保持台54之上方配置有測量器58。測量器58係例如使用雷射光束L2而測量對象之位置(高度)的雷射位移計，可以非接觸地測量被加工物11之表面11a對保持台54之保持面56的高度(即是，包含保護構件21之被加工物11之厚度)。該測量器58被構成可以對保持台54做相對性移動。另外，作為測量器58，即使使用接觸式之測微計等亦可。
在厚度資訊記憶步驟中，首先以保持台54之保持面56，和被黏貼於被加工物11之保護構件21之背面21b相接之方式，將被加工物11載置於保持台54。依此，在被加工物11係在表面11a側露出於上方之狀態，被保持於保持台54。
在以保持台54保持被加工物11之後，使保持台54和測量器58做相對性移動，使測量器58移動至事先設定的被加工物11之測量線33(參照圖4(B))之上方。而且，如圖4(A)所示般，一面以測量器58照射測量用之雷射光束L2，一面使挾盤台14和測量器58沿著測量線33做相對性移動。
依此，可以在測量線33上之複數座標(x,y)測量被加工物11之厚度(t)。藉由測量器58被測量到的厚度(t)和座標(x,y)之關係，以任意的方式被送至切削裝置2，被記憶在控制單元48之記憶部48a作為厚度資訊。當沿著被設定之所有的測量線33測量被加工物11之厚 度(t)，所對應之厚度資訊被記憶於記憶部48a時，厚度資訊記憶步驟結束。
圖4(B)為示意性地表示測量線33之設定例的俯視圖。另外，在圖4(B)中，被加工物11使用固有的座標系(x座標及y座標)。在圖4(B)之設定例中，在例如x座標為x1、x2、x3之位置，分別設定與x軸方向垂直(與y軸方向平行)之直線狀的測量線33。再者，在y座標為y1、y2、y3之位置，分別設定與y軸方向垂直(與x軸方向平行)之直線狀之測量線33。
依此，例如，若x座標沿著x1之測量線33測量被加工物11之厚度(t)時，可取得相對於測量線33上之複數座標(x1,y)的厚度(t)資訊。另外，在本實施型態中，雖然在上述保持面資訊記憶步驟對準被設定在保持面16上之測量線31，在被加工物11之表面11a上設定合計6條之測量線33，但是所設定之測量線33之數量、配置等不受限制。可以因應所要求之切削的精度等，自由地設定測量線33。
再者，在本實施型態中，雖然沿著事先設定的測量線33連續性地測量被加工物11之厚度(t)，但是即使事先設定複數測量點，在該測量點測量被加工物11之厚度(t)亦可。即使在此情況，因應所要求之切削的精度等，可以自由地設定測量點。
於厚度資訊記憶步驟之後，進行在挾盤台保持被記憶厚度資訊的被加工物11之保持步驟。圖5(A)為 用以說明保持步驟的側面圖。在該保持步驟中，以挾盤台14之保持面16，和被黏貼於被加工物11之保護構件21之背面21b相接之方式，將被加工物11載置於挾盤台14。之後，藉由使吸引源之負壓作用於保持面16，被加工物11在表面11a側露出於上方之狀態下，被吸引、保持於挾盤台14。
於保持步驟之後，進行用以檢測出在挾盤台14所保持之被加工物11之外周緣的座標，和被形成在外周緣的凹槽11c(或是，被形成在被加工物11之表面11a的裝置15之圖案等)，記憶位置資訊的位置資訊記憶步驟。圖5(B)為用以說明位置資訊記憶步驟的俯視圖。
在位置資訊記憶步驟中，首先將複合測量單元44所具備之攝影機之視野35對準包含被加工物11之外周緣的區域，以攝影機攝像該區域。攝影機所進行的攝像，例如一面使挾盤台14旋轉，一面在不同的複數位置進行。藉由攝像所形成之畫像之資料被送至控制單元48。
控制單元48係對從攝影機被送出的畫像進行邊緣檢測處理，取得表示被加工物11之外周緣的曲線。之後，控制單元48抽出曲線上之任意的3點A、B、C之座標。3點A、B、C之座標即使從以一次攝像所取得之一個畫像資料被抽出亦可，即使從複數次之攝像所取得之複數畫像資料被抽出亦可。
接著，控制單元48算出與連結點A及點B之線段垂直之2等分線，和與連結點B及點C之線段垂直之2等 分線之交點的座標。該交點之座標相當於被加工物11之中心O的座標。於算出中心O之座標(交點之座標)之後，抽出凹槽11c之座標，算出連結中心O和凹槽11c之直線，通過中心O，而對與表面11a平行之任意的基準線所構成之角度θ(無圖示)。
於算出中心O之座標(交點之座標)，和角度θ之後，將該些作為被加工物11對挾盤台14之位置資訊而記憶於控制單元48之記憶部48a。藉由使用該位置資訊，可以將在被加工物11以固有之座標系(x座標及y座標)所表示的厚度資訊，變換成挾盤台14(切削裝置2)之座標系(X座標及Y座標)。
於位置資訊記憶步驟之後，實施從位置資訊和保持面資訊和厚度資訊，在任意之座標(X,Y)算出被加工物11之表面11a之高度的算出步驟。圖6(A)為視覺性地表示保持面資訊所示的保持面16之高度(Z)的圖示，圖6(B)為視覺性地表示厚度資訊所示的被加工物11之厚度(t)的圖示，圖6(C)為視覺性地表示被加工物11之表面11a之高度的圖示。
另外，在圖6(B)中，表示變換成挾盤台14之座標系之後的厚度(t)。再者，在圖6(A)、圖6(B)及圖6(C)中，以「0」表示高度或厚度之基準值，使用「+1」「-1」等之數值表示從該基準值偏移的量。
例如，如圖6(A)及圖6(B)所示般，在挾 盤台14上之區域(座標)37，保持面16之高度為「0」，被加工物11之厚度為「+1」。依此，在該區域37中，如圖6(C)所示般，算出被加工物11之表面11a之高度(t+Z)為「+1」(即是，僅比基準值「0」高出「1」)。
另外，也可預想保持面資訊之座標和厚度資訊之座標不對應之情形。在此情況，例如若使用相對於任意座標之保持面資訊(高度(Z))，最近的座標之厚度資訊(厚度(t))，算出被加工物11之表面11a之高度即可。另外，若適當設定測量線31、33(或測量點)之後，因應在位置資訊記憶步驟所算出之角度θ，使被加工物11對挾盤台14旋轉時，亦可以使保持面資訊之座標和厚度資訊之座標一致。
於算出步驟之後，進行根據在算出步驟算出的被加工物11之表面11a之高度(t+Z)，使旋轉的切削刀42切入至被加工物11，在被加工物11形成期望之深度的溝部之切削步驟。圖7為示意性地表示切削步驟之俯視圖。
在本實施型態中，因正確地算出被加工物11之表面11a之高度(t+Z)，故可以根據該表面11a之高度(t+Z)，使切削刀42精度佳地切入。依此，可以從被加工物11之表面11a沿著切削預定線13形成期望之深度的溝部。
如上述般，在本實施型態有關之被加工物之切削方法中，因從在複數座標(X,Y)測量挾盤台14之保持面16之高度(Z)而所取得之保持面資訊，和測量被加 工物11之厚度(t)而所取得之厚度資訊，在任意之座標(X,Y)算出在挾盤台14所保持之被加工物11之表面(上面)11a的高度，故可以高精度地控制切削刀42對被加工物11的切入深度。
再者，在與本實施型態有關之被加工物之切削方法中，因不需要在被加工物11形成確認用之溝部，故比起形成確認用之溝部的以往之方法，可以縮短至切削完成所需的時間。
另外，本發明並不限制於上述實施型態之記載，能夠做各種變更而加以實施。例如，在上述實施型態之厚度資訊記憶步驟中，雖然在測量線33上之複數座標(x,y)測量被加工物11之厚度(t)，但是在被加工物11之厚度偏差非常小的情況等，可以使用被加工物11之1點的厚度(t)作為厚度資訊。在此情況，即使省略位置資訊記憶步驟亦可。
再者，在上述實施型態之位置資訊記憶步驟中，使用具備複合測量單元44之攝影機(攝像單元)而檢測出被加工物11之外周緣或凹槽11c等，但是亦可以使用複合測量單元44所具備之高度測量器(高度測量單元)而檢測出被加工物11之外周緣或凹槽11c等。
其他，與上述實施型態有關之構造、方法等只要在不脫離本發明之目的的範圍，可以適當變更而加以實施。
14:挾盤台
16:保持面
31:測量線
44:複合測量單元(高度測量器、攝像單元)

Claims (3)

  1. 一種被加工物之切削方法，其係使用切削裝置的被加工物之切削方法，該切削裝置具備：挾盤台，其係在保持面保持板狀之被加工物；切削單元，其係以切削刀加工被保持於該挾盤台之該被加工物；移動單元，其係使該挾盤台和該切削單元在相對於該保持面平行的X軸方向及Y軸方向做相對性移動，該被加工物之切削方法具備：保持面資訊記憶步驟，其係以該移動單元使安裝用以測量高度之高度測量器之該切削單元，和該挾盤台做相對性移動，在複數之座標(X,Y)測量該挾盤台之該保持面之高度(Z)，記憶各個座標(X,Y)和高度(Z)之關係作為保持面資訊；厚度資訊記憶步驟，其係測量該被加工物之厚度，作為厚度資訊而予以記憶；保持步驟，其係在該挾盤台保持記憶該厚度資訊之該被加工物；算出步驟，其係從該保持面資訊和該厚度資訊，在任意之座標(X,Y)算出在該挾盤台所保持的該被加工物之上面之高度；及切削步驟，其係根據在該算出步驟算出之該被加工物之高度，使該切削刀切入在該挾盤台所保持的該被加工物，形成期望之深度的溝部。
  2. 如請求項1所記載之被加工物之切削方法，其中進一步具備位置資訊記憶步驟，其係於該算出步驟之前，為了攝像該被加工物，使用被安裝於該切削單元之攝像單元或該高度測量器，檢測出在該挾盤台所保持的該被加工物之外周緣的座標，和被形成該外周緣或該被加工物之上面的標記，記憶從該外周緣之座標被算出的該被加工物之中心的座標，和連結該中心和該標記之直線相對於基準線所構成的角度，作為該被加工物相對於該挾盤台的位置資訊，在該厚度資訊記憶步驟中，在複數座標(x,y)測量該被加工物之厚度(t)，記憶各個座標(x,y)和厚度(t)之關係作為該厚度資訊，在該算出步驟中，從該位置資訊和該保持面資訊和該厚度資訊，在任意之座標(X,Y)算出該被加工物之該上面之高度。
  3. 如請求項1或2所記載之被加工物之切削方法，其中該被加工物具有包含被疊層在一方之面側的機能層的裝置，在該切削步驟中，沿著區劃該裝置之複數切割道以該切削刀形成該溝部。
TW106122724A 2016-08-18 2017-07-06 被加工物之切削方法 TWI738816B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016160864A JP6727719B2 (ja) 2016-08-18 2016-08-18 被加工物の切削方法
JP2016-160864 2016-08-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201812881A TW201812881A (zh) 2018-04-01
TWI738816B true TWI738816B (zh) 2021-09-11

Family

ID=61248237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106122724A TWI738816B (zh) 2016-08-18 2017-07-06 被加工物之切削方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6727719B2 (zh)
KR (1) KR102271652B1 (zh)
CN (1) CN107768242B (zh)
TW (1) TWI738816B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7222636B2 (ja) * 2018-09-12 2023-02-15 株式会社ディスコ エッジトリミング装置
JP2020121374A (ja) * 2019-01-30 2020-08-13 株式会社ディスコ 切削装置の原点位置登録方法
JP7250637B2 (ja) 2019-07-01 2023-04-03 株式会社ディスコ 加工装置及びチャックテーブル
JP7348037B2 (ja) * 2019-11-19 2023-09-20 株式会社ディスコ 加工装置
JP2021125592A (ja) * 2020-02-06 2021-08-30 株式会社東京精密 ダイシング装置
JP7394712B2 (ja) * 2020-06-24 2023-12-08 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置及び切断品の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11345785A (ja) * 1998-06-03 1999-12-14 Hitachi Ltd ダイシング方法およびダイシング装置
JP2015099844A (ja) * 2013-11-19 2015-05-28 株式会社ディスコ 加工装置
JP2016031982A (ja) * 2014-07-28 2016-03-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06338564A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Hitachi Ltd ダイシング方法および装置
JP4517269B2 (ja) 2001-06-04 2010-08-04 株式会社東京精密 Ｚ補正付ダイシング装置
JP4669162B2 (ja) 2001-06-28 2011-04-13 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの分割システム及び分割方法
JP2003151923A (ja) 2001-11-14 2003-05-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2003168655A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP4885762B2 (ja) * 2007-02-27 2012-02-29 株式会社ディスコ チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP2014041211A (ja) * 2012-08-21 2014-03-06 Canon Inc 露光システム、露光装置、それを用いたデバイスの製造方法
JP6078272B2 (ja) 2012-09-10 2017-02-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6170769B2 (ja) 2013-07-11 2017-07-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2015107535A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 株式会社ディスコ バイト切削装置のセットアップ方法
US9263352B2 (en) * 2014-01-03 2016-02-16 Asm Technology Singapore Pte Ltd Singulation apparatus comprising an imaging device
JP6215069B2 (ja) * 2014-01-29 2017-10-18 株式会社ディスコ 切削装置
JP6255285B2 (ja) * 2014-03-18 2017-12-27 株式会社ディスコ 検出方法
JP6220312B2 (ja) * 2014-04-30 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の基板検知方法および記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11345785A (ja) * 1998-06-03 1999-12-14 Hitachi Ltd ダイシング方法およびダイシング装置
JP2015099844A (ja) * 2013-11-19 2015-05-28 株式会社ディスコ 加工装置
JP2016031982A (ja) * 2014-07-28 2016-03-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102271652B1 (ko) 2021-06-30
CN107768242B (zh) 2023-06-02
JP6727719B2 (ja) 2020-07-22
CN107768242A (zh) 2018-03-06
KR20180020889A (ko) 2018-02-28
JP2018027601A (ja) 2018-02-22
TW201812881A (zh) 2018-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI738816B (zh) 被加工物之切削方法
JP5122378B2 (ja) 板状物の分割方法
TWI677039B (zh) 晶圓的加工方法
KR102154719B1 (ko) 판형물의 가공 방법
JP6282194B2 (ja) ウェーハの加工方法
KR20160013812A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
TWI751354B (zh) 切割裝置及晶圓的加工方法
KR102186214B1 (ko) 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법
TW202109651A (zh) 加工裝置及被加工物的加工方法
TW202129729A (zh) 加工裝置
JP5357477B2 (ja) 研削方法および研削装置
JP2015142022A (ja) 切削装置
JP2016153154A (ja) ウェーハの位置合わせ方法
US10692767B2 (en) Wafer processing method including cutting wafer based on surface height of wafer
US9569852B2 (en) Alignment method
JP6910723B2 (ja) 研削方法
JP6498073B2 (ja) 切削ブレードの位置ずれ検出方法
JP2011181623A (ja) 板状物の加工方法
JP2009302369A (ja) 板状物の加工方法及び加工装置
JP6037705B2 (ja) 被加工物の加工方法
JP5473715B2 (ja) ウエーハ搬送機構の調整方法
JP2011218477A (ja) 加工装置
TW202123327A (zh) 加工裝置
TWI810429B (zh) 切割裝置的原點位置登錄方法
TWI830921B (zh) 加工裝置