Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

TWI793801B - 鈣鈦礦光學元件及其製造方法 - Google Patents

鈣鈦礦光學元件及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI793801B
TWI793801B TW110138191A TW110138191A TWI793801B TW I793801 B TWI793801 B TW I793801B TW 110138191 A TW110138191 A TW 110138191A TW 110138191 A TW110138191 A TW 110138191A TW I793801 B TWI793801 B TW I793801B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
perovskite
single crystal
guide unit
optical element
Prior art date
Application number
TW110138191A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202316696A (zh
Inventor
德暉 阮
孫嘉遠
羅家堯
劉佳明
蔡宛卲
黎明宏
楊欣彰
林呈家
曾賢德
馬遠榮
林銘儀
賴建智
Original Assignee
國立東華大學
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 國立東華大學 filed Critical 國立東華大學
Priority to TW110138191A priority Critical patent/TWI793801B/zh
Priority to US17/547,434 priority patent/US11719880B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI793801B publication Critical patent/TWI793801B/zh
Publication of TW202316696A publication Critical patent/TW202316696A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/182—OLED comprising a fiber structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/02395—Glass optical fibre with a protective coating, e.g. two layer polymer coating deposited directly on a silica cladding surface during fibre manufacture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
    • C03C25/10—Coating
    • C03C25/104—Coating to obtain optical fibres
    • C03C25/105—Organic claddings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
    • C03C25/10—Coating
    • C03C25/24—Coatings containing organic materials
    • C03C25/26—Macromolecular compounds or prepolymers
    • C03C25/32—Macromolecular compounds or prepolymers obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C03C25/328—Polyamides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
    • C03C25/10—Coating
    • C03C25/42—Coatings containing inorganic materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
    • C03C25/10—Coating
    • C03C25/465—Coatings containing composite materials
    • C03C25/47—Coatings containing composite materials containing particles, fibres or flakes, e.g. in a continuous phase
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
    • C03C2218/111—Deposition methods from solutions or suspensions by dipping, immersion
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

一種鈣鈦礦光學元件，用以解決習知鈣鈦礦元件不耐高溫且使用壽命短的問題。係包含：一導光單元，用於傳遞光線及作為共振腔；及一發光層，由鈣鈦礦材料所形成之薄膜包覆該導光單元，由一激發模組驅動該發光層發光，再透過該導光單元傳導及輸出。本發明另揭示一種鈣鈦礦光學元件的製造方法，包含：調配一浸塗溶液；將一單晶光纖浸入該浸塗溶液一小時後取出乾燥；及將該單晶光纖入一管式爐加熱，並導入一合成分子。

Description

鈣鈦礦光學元件及其製造方法
本發明係關於一種光電材料，尤其是一種在室溫下操作且輸出穩定的鈣鈦礦光學元件及其製造方法。
鈣鈦礦(Perovsite)係具有通式ABX3結構的化合物，通常A位為陽離子，B位為金屬離子，X位為鹵素陰離子，其中，由金屬鹵化物鈣鈦礦(Metal Halide Perovsite)所製造的鈣鈦礦薄膜，例如：甲基胺碘化鉛(CH3NH3PbI3,MAPbI3)，具有高光能轉換效率及低閾值的光致發光特性，可以做為光伏材料或發光元件，應用於太陽能發電、雷射、發光二極體等技術。又，調整鈣鈦礦薄膜的鹵化物比例，係可以產生不同波長範圍的發光，能夠使用於節能半導體照明裝置及積體光路光源。
上述習知的鈣鈦礦薄膜接觸環境中的水及氧會發生劣化而縮短使用壽命，且鈣鈦礦材料的散熱效果差又不耐高溫，係導致習知的鈣鈦礦薄膜必須在無水、無氧且低溫的工作環境中使用，利用習知的鈣鈦礦薄膜所製作的光學元件，係無法在室溫及非密閉條件下操作，而難以應用於照明、光學晶片等技術領域。又，由於鈣鈦礦材料中的交互作用機制複雜，使習知鈣鈦礦薄膜的製造過程及後處理方式複雜，而增加生產及維護的成本。
有鑑於此，習知的鈣鈦礦薄膜及其製造方法確實仍有加以改善 之必要。
為解決上述問題，本發明的目的是提供一種鈣鈦礦光學元件，係可以在室溫環境下操作發光。
本發明的次一目的是提供一種鈣鈦礦光學元件，係可以多波長輸出光線。
本發明的又一目的是提供一種鈣鈦礦光學元件，係可以縮小體積及降低耗能。
本發明的再一目的是提供一種鈣鈦礦光學元件的製造方法，係可以降低元件製造難度。
本發明全文所述方向性或其近似用語，例如「內」、「外」、「側面」等，主要係參考附加圖式的方向，各方向性或其近似用語僅用以輔助說明及理解本發明的各實施例，非用以限制本發明。
本發明全文所記載的元件及構件使用「一」或「一個」之量詞，僅是為了方便使用且提供本發明範圍的通常意義；於本發明中應被解讀為包括一個或至少一個，且單一的概念也包括複數的情況，除非其明顯意指其他意思。
本發明的鈣鈦礦光學元件，包含：一導光單元，為單晶光纖切段的柱狀結構，用於傳遞光線及作為共振腔；及一發光層，由鈣鈦礦材料所形成之薄膜包覆該導光單元，由一脈衝雷射將雷射光以任意角度入射該發光層，以驅動該發光層發光，再透過該導光單元傳導及輸出。
本發明的鈣鈦礦光學元件的製造方法，包含：調配一浸塗溶液；將一單晶光纖浸入該浸塗溶液一小時後取出乾燥；及將該單晶光纖入一 管式爐加熱，並導入一合成分子，在該單晶光纖上形成鈣鈦礦薄膜。
據此，本發明的鈣鈦礦光學元件及其製造方法，藉由該導光單元之高導熱、光傳遞及微型共振腔特性，結合該發光層之高發光效率及發光波長可調特性，所產生的光學元件係可以在常溫下操作，並提供全波段的光線，另外，鈣鈦礦光學元件的體積小且可選擇由電或光簡單驅動，係具有降低製造複雜度、減少驅動耗能及適合應用於光學晶片等功效。
其中，該導光單元是單晶光纖切段的柱狀結構，該發光層包覆該導光單元的側表面，該導光單元兩端的橫切面用以連接光源或輸出光線。如此，該發光層包覆該導光單元的面積可以最大化，係具有快速散熱及提升光傳輸效率的功效。
其中，該發光層之鈣鈦礦材料是甲基胺碘化鉛。如此，該發光層可以收低耗能激發產生光線，且調整其鹵化物比例可以產生不同波長的光線，係具有降低驅動能量及多波長輸出的功效。
本發明的鈣鈦礦光學元件另具有一保護層，覆蓋於該發光層之外表面。如此，該保護層係可以防止環境中的水及氧直接接觸該發光層，係具有增加光學元件使用壽命的功效。
其中，該浸塗溶液係將碘化鉛溶於二甲基甲醯胺溶劑製成，在該單晶光纖表面形成碘化鉛結晶，又，該合成分子為甲基碘化銨，加熱後，該單晶光纖上的碘化鉛合成該合成分子產生甲基胺碘化鉛薄膜。如此，係可以調整碘化鉛的比例，及形成均勻甲基胺碘化鉛薄膜，係具有提升發光效率及多波長輸出的功效。
其中，該管式爐由兩端封閉並對爐具中段加熱，在該管式爐內部空間導入惰性氣體及該合成分子。如此，該管式爐係可以調整並維持內部的溫度及壓力，係具有提升合成反應穩定度的功效。
其中，該單晶光纖進入該管式爐後，先將該管式爐抽真空至氣壓為0.01至5Torr之間，再逐漸加熱該管式爐達到100℃至130℃之範圍內，同時填充惰性氣體使氣壓上升到5至20Torr之間，並加入該合成分子進行反應，在反應過程中，該管式爐維持上述溫度及氣壓區間，並持續1~5小時。如此，該合成分子在密閉且穩定的環境條件進行反應，係具有避免異物摻雜及提升鈣鈦礦材料品質的功效。
1:導光單元
2:發光層
3:保護層
S:激發模組
B:基座
F:玻璃光纖
D:浸塗溶液
C:單晶光纖
T:管式爐
M:合成分子
P:載台
〔第1圖〕本發明較佳實施例的局部放大立體圖。
〔第2圖〕本發明較佳實施例的發光操作情形圖。
〔第3圖〕本發明較佳實施例的浸塗乾燥製程的動作情形圖。
〔第4圖〕本發明較佳實施例的合成製程的動作情形圖。
為讓本發明之上述及其他目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：請參照第1圖所示，其係本發明鈣鈦礦光學元件的較佳實施例，係包含一導光單元1及一發光層2，該發光層2係圍繞包覆該導光單元1。
該導光單元1可以是將單晶光纖(Single Crystal Optical Fiber,SCF)裁切段並去除外層保護套而產生，使該導光單元1為包括纖芯(Core)及包層(Cladding)的柱狀結構，該導光單元1兩端的橫切面係可以連接光源或一般通信光纖，該導光單元1用以傳遞光信號並兼具共振腔特性，又，該導光單元1的側表面較佳具有原子級介面平整度，使奈米材料可以順利結 晶成長於單晶光纖表面。
該發光層2係由鈣鈦礦材料所形成之薄膜，使鈣鈦礦薄膜除該導光單元1兩端的橫切面外，還能夠完整包覆該導光單元1的側表面，該發光層2係可以接受外加光源或電壓的激發而產生光線，且該光線可以透過該導光單元1傳遞，或在該導光單元1內進行共振後輸出雷射，該光線的波長可以依據鈣鈦礦材料的鹵素比例調整。在本實施例中，該發光層2之鈣鈦礦材料是甲基胺碘化鉛。
本發明的鈣鈦礦光學元件還可以具有一保護層3，該保護層3覆蓋於該發光層2之外表面，係可以防止環境中的水及氧直接接觸該發光層2，以避免鈣鈦礦材料劣化而降低元件壽命；另外，藉由該導光單元1之單晶光纖高導熱係數特性，覆蓋於該導光單元1之該發光層2能夠快速散熱，解決鈣鈦礦材料不耐高溫的問題。
請參照第2圖所示，其係本發明鈣鈦礦光學元件用於發光的裝置圖，該發光層2連接一激發模組S，該激發模組S可以是脈衝雷射，將雷射光打入該發光層2，使鈣鈦礦材料產生光致發光，又，雷射光可以由任意角度入射，例如：該激發模組S可以位於該導光單元1側面，使雷射以垂直導光方向的路線進入該發光層2，以節省該激發模組S的安裝空間。該激發模組S還可以是電壓源，透過將電壓源的正負極分別電性連接該發光層2，係可以將電場作用於該發光層2，使鈣鈦礦材料產生電致發光，電場的正負極位置較佳對應該導光單元1的兩端，係可以使該發光層2在電場範圍內的面積最大化，以提升發光效率。
另外，包覆該發光層2之該導光單元1固定於一基座B，該基座B可以是光纖固定器，在該導光單元1之纖芯接合校準後由該基座B固定，以維持光路暢通；該導光單元1之一端係對準連接一玻璃光纖F，使該發光 層2產生的光線在該導光單元1傳遞或共振後，再透過該玻璃光纖F輸出至光學晶片或其他光學元件，係可以取代二極體雷射作為積體光路的前端光源。
請參照第3及4圖所示，其係本發明的鈣鈦礦光學元件的製造方法之較佳實施例的製程步驟，係包含調配一浸塗溶液D；將一單晶光纖C浸入該浸塗溶液D一小時後取出乾燥；將該單晶光纖C入一管式爐T加熱，並導入一合成分子M。
該浸塗溶液D係將碘化鉛(PbI2)溶於二甲基甲醯胺(Dimethylformamide,C3H7NO,DMF)溶劑製成；在該單晶光纖C浸泡該浸塗溶液D及乾燥過程中，碘化鉛結晶形成於該單晶光纖C表面，上述流程皆在室溫環境中進行。
請參照第4圖所示，該管式爐T可以由兩端封閉並對爐具中段加熱，該管式爐T內部空間可以導入惰性氣體及該合成分子M，該管式爐T內還可以設置一載台P用以放置待加工件。在本實施例中，將被碘化鉛結晶包覆之該單晶光纖C置於該載台P後，先將該管式爐T抽真空至氣壓為0.01至5Torr之間，再逐漸加熱該管式爐T達到100℃至130℃之範圍內，同時填充惰性氣體使氣壓上升到5至20Torr之間，加入該合成分子M進行反應，在反應過程中，該管式爐T維持上述溫度及氣壓區間，並持續1~5小時，惟，本發明不以此為限。其中，該惰性氣體可以是氬(Ar)氣，該合成分子M為甲基碘化銨(CH3NH3I,MAI)，係可以與該單晶光纖C上的碘化鉛合成產生甲基胺碘化鉛薄膜。
綜上所述，本發明的鈣鈦礦光學元件及其製造方法，藉由該導光單元之高導熱、光傳遞及微型共振腔特性，結合該發光層之高發光效率及發光波長可調特性，所產生的光學元件係可以在常溫下操作，並提供全波段的光線，另外，鈣鈦礦光學元件的體積小且可選擇由電或光簡單驅動，係具 有降低製造複雜度、減少驅動耗能及適合應用於光學晶片等功效。
雖然本發明已利用上述較佳實施例揭示，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者在不脫離本發明之精神和範圍之內，相對上述實施例進行各種更動與修改仍屬本發明所保護之技術範疇，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1:導光單元
2:發光層
3:保護層
S:激發模組
B:基座
F:玻璃光纖

Claims (8)

  1. 一種鈣鈦礦光學元件，包含：一導光單元，為單晶光纖切段的柱狀結構，用於傳遞光線及作為共振腔；及一發光層，由鈣鈦礦材料所形成之薄膜包覆該導光單元，由一脈衝雷射將雷射光以任意角度入射該發光層，以驅動該發光層發光，再透過該導光單元傳導及輸出。
  2. 如請求項1之鈣鈦礦光學元件，其中，該發光層包覆該導光單元的側表面，該導光單元兩端的橫切面用以連接光源或輸出光線。
  3. 如請求項1之鈣鈦礦光學元件，其中，該發光層之鈣鈦礦材料是甲基胺碘化鉛。
  4. 如請求項1之鈣鈦礦光學元件，另具有一保護層，覆蓋於該發光層之外表面。
  5. 一種鈣鈦礦光學元件的製造方法，包含：調配一浸塗溶液；將一單晶光纖浸入該浸塗溶液一小時後取出乾燥；及將該單晶光纖入一管式爐加熱，並導入一合成分子，在該單晶光纖上形成鈣鈦礦薄膜。
  6. 如請求項5之鈣鈦礦光學元件的製造方法，其中，該浸塗溶液係將碘化鉛溶於二甲基甲醯胺溶劑製成，在該單晶光纖表面形成碘化鉛結晶，又，該合成分子為甲基碘化銨，加熱後，該單晶光纖上的碘化鉛合成該合成分子產生甲基胺碘化鉛薄膜。
  7. 如請求項5之鈣鈦礦光學元件的製造方法，其中，該管式爐由兩端封閉並對爐具中段加熱，在該管式爐內部空間導入惰性氣體及該合成 分子。
  8. 如請求項7之鈣鈦礦光學元件的製造方法，其中，該單晶光纖進入該管式爐後，先將該管式爐抽真空至氣壓為0.01至5Torr之間，再逐漸加熱該管式爐達到100℃至130℃之範圍內，同時填充惰性氣體使氣壓上升到5至20Torr之間，並加入該合成分子進行反應，在反應過程中，該管式爐維持上述溫度及氣壓區間，並持續1~5小時。
TW110138191A 2021-10-14 2021-10-14 鈣鈦礦光學元件及其製造方法 TWI793801B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110138191A TWI793801B (zh) 2021-10-14 2021-10-14 鈣鈦礦光學元件及其製造方法
US17/547,434 US11719880B2 (en) 2021-10-14 2021-12-10 Perovskite optical element and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110138191A TWI793801B (zh) 2021-10-14 2021-10-14 鈣鈦礦光學元件及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI793801B true TWI793801B (zh) 2023-02-21
TW202316696A TW202316696A (zh) 2023-04-16

Family

ID=85982753

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110138191A TWI793801B (zh) 2021-10-14 2021-10-14 鈣鈦礦光學元件及其製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11719880B2 (zh)
TW (1) TWI793801B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104081553A (zh) * 2012-01-30 2014-10-01 默克专利有限公司 在纤维上的纳米晶体
CN106848076A (zh) * 2017-01-06 2017-06-13 西安交通大学 一种有机无机复合钙钛矿发光二极管器件及其制备方法
CN112313815A (zh) * 2018-05-23 2021-02-02 佩罗莱德有限公司 堆叠式钙钛矿发光装置
CN113113834A (zh) * 2021-03-10 2021-07-13 华东师范大学 一种集成有电致发光结构的中红外空芯光纤及制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
CN106558650B (zh) * 2016-12-07 2019-08-13 北京科技大学 一种柔性铜铟镓硒/钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104081553A (zh) * 2012-01-30 2014-10-01 默克专利有限公司 在纤维上的纳米晶体
CN106848076A (zh) * 2017-01-06 2017-06-13 西安交通大学 一种有机无机复合钙钛矿发光二极管器件及其制备方法
CN112313815A (zh) * 2018-05-23 2021-02-02 佩罗莱德有限公司 堆叠式钙钛矿发光装置
CN113113834A (zh) * 2021-03-10 2021-07-13 华东师范大学 一种集成有电致发光结构的中红外空芯光纤及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11719880B2 (en) 2023-08-08
TW202316696A (zh) 2023-04-16
US20230118309A1 (en) 2023-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Alsalloum et al. 22.8%-Efficient single-crystal mixed-cation inverted perovskite solar cells with a near-optimal bandgap
Wang et al. High thermal stability of phosphor-converted white light-emitting diodes employing Ce: YAG-doped glass
JP6139600B2 (ja) 太陽電池の後処理装置
CN102718180A (zh) 同心环芯纳米硅微盘微腔器件及其制备方法
KR20110104421A (ko) 가열 장치
CN108365511B (zh) Led泵浦的钙钛矿量子点连续激光器及其制备方法
TWI793801B (zh) 鈣鈦礦光學元件及其製造方法
Wong et al. Silicon integrated photonics begins to revolutionize
KR20120055580A (ko) 유전체 코팅을 이용한 고출력 ｌｅｄ 디바이스 아키텍처 및 제조 방법
JP2009530837A (ja) 電磁放射エネルギーを電気エネルギーに変換する装置およびこの変換装置を製造する方法
CN111864532A (zh) 提高钙钛矿纳米片激光器稳定性的表面保护层及制备方法
JP5774900B2 (ja) 発光ダイオード素子及びその製造方法
CN204185555U (zh) 一种激光辅助低温生长氮化物材料的装置
CN104701729A (zh) 硅基激光器及其制备方法
CN113161452B (zh) 一种钙钛矿薄膜、钙钛矿led器件及其制备方法
WO2019080925A1 (zh) 胶体量子点连续激光器及其制备方法
CN107086890A (zh) 红外光通信发射装置及系统
US20090080486A1 (en) Laser Device Using an Inorganic Electro-Luminescent Material Doped With a Rare-Earth Element
CN107527983B (zh) 全无机柔性上转换发光器件及其制备方法
CN207021290U (zh) 红外光源
JPH06283755A (ja) 発光素子
JP2006036618A (ja) フッ化カルシウム結晶およびその作製方法ならびにその使用方法
CN110429474A (zh) 一种全四族硅基c波段半导体激光器
CN110718648A (zh) 基于无机空穴传输材料钙钛矿量子点发光二极管的原位合成制作方法
KR101178400B1 (ko) 단면미러 질화갈륨 기판 제조방법