TWI773587B - 燈板 - Google Patents
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Abstract
一種燈板,包含電路基板、複數個發光元件、複數個微控制器及光學膠。微控制器設置於電路基板的顯示區上,各微控制器與發光元件中的一部分電性連接。光學膠覆蓋電路基板、發光元件及微控制器。各微控制器包含突塊層及透明保護層。透明保護層位於微控制器遠離電路基板的一端,突塊層用以折射或散射來自發光元件的光線。如此,透過突塊層將來自發光元件的光線折射或散射,能使發出的光線更加均勻,避免在微控制器的區域形成暗帶。
Description
本發明涉及顯示領域,尤其是一種燈板。
現有技術中,隨著解析度的提升,LED燈板的中的LED數量增加,通常會在顯示區中設置微控制器達到分區的驅動控制。
然而,由於微控制器的表面通常是金屬或陶瓷材料。LED的光源或環境光源經過反射於其上時,容易被吸收或產生全反射,而造成出光的不均勻。在觀看角度,出光的分布不均勻,容易在微控制器的部分形成暗帶,而形成顯示的條紋(Mura)。
為了解決先前技術所面臨的問題,在此提供一種燈板。燈板包含電路基板、複數個發光元件、複數個微控制器以及光學膠。發光元件設置於電路基板的顯示區上。微控制器設置於電路基板的顯示區上,各微控制器與發光元件中的一部分電性連接。光學膠覆蓋電路基板、發光元件及微控制器,其中各微控制器包含突塊層及透明保護層。透明保護層位於微控制器遠離電路基板的一端,突塊層用以折射或散射來自發光元件的光線。
在一些實施例中,電路基板上塗佈有反射層,反射層上具有複數個第一開口及複數個第二開口,分別對應於微控制器及發光元件。
在一些實施例中,發光元件為發光二極體。
在一些實施例中,微控制器包含透明保護層、第一金屬層、第一絕緣層、半導體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層、第三金屬層、第四絕緣層、第四金屬層、防銲層、以及銲墊。
第一金屬層位於透明保護層上。第一絕緣層覆蓋第一金屬層,並包含第一貫孔。半導體層位於第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋半導體層,並包含第二貫孔及第三貫孔,第二貫孔連通第一貫孔。第二金屬層位於第二絕緣層上,並填入第一貫孔及第二貫孔中與第一金屬層連接。第三絕緣層覆蓋第二金屬層,並包含第四貫孔,第四貫孔與第三貫孔連通。第三金屬層位於第三絕緣層上,並填入第三貫孔及第四貫孔中,與半導體層連接。
第四絕緣層覆蓋第三金屬層,並包含第五貫孔。第四金屬層位於第四絕緣層上,並填入第五貫孔中,與第三金屬層連接。防銲層覆蓋第四金屬層,並具有銲接開口。銲墊位於防銲層上,並填入銲接開口中,與第四金屬層連接,並與電路基板銲接。
更詳細地,在一些實施例中,透明保護層具有粗糙表面結構,突塊層為第一金屬層的一部份,且位於粗糙表面結構上。
更詳細地,在一些實施例中,透明保護層與第一金屬層之間包含絕緣緩衝層,絕緣緩衝層覆蓋透明保護層,且具有粗糙表面結構,突塊層為第一金屬層的一部份,且位於粗糙表面結構上。
更詳細地,在一些實施例中,第二絕緣層具有粗糙表面結構,突塊層為第二金屬層的一部份,且位於粗糙表面結構上。
更詳細地,在一些實施例中,第三絕緣層具有粗糙表面結構,突塊層為第三金屬層的一部份,且位於粗糙表面結構上。
更詳細地,在一些實施例中,第四絕緣層具有粗糙表面結構,突塊層為第四金屬層的一部份,且位於粗糙表面結構上。
更詳細地,在一些實施例中,第四絕緣層與防銲層之間包含絕緣緩衝層。絕緣緩衝層開設有第六貫孔,第六貫孔與第五貫孔連通。第四金屬層位於絕緣緩衝層上,並填入第五貫孔及第六貫孔中,與第三金屬層連接。絕緣緩衝層具有粗糙表面結構,突塊層為第四金屬層的一部份,且位於粗糙表面結構上。
如同前述的實施例所述,透過在微控制器上設置透明保護層,能使來自發光元件的光線引入微控制器中,再透過突塊層來產生折射或散射,避免全反射及吸收,而能達到增加微控制器上的亮度,使得光線均勻,避免觀看角度產生暗帶的出光不均現象。
附圖中,為了清楚起見,放大了部分元件、區域等的寬度。在整個說明書中,相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解,當諸如元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時,不存在中間元件。
應當理解,儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、或部分,但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此,下面討論的「第一元件」、「部件」、「區域」、或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、或部分而不脫離本文的教導。
此外,諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係,如圖所示。應當理解,相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如,如果一個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此,示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向,取決於附圖的特定取向。類似地,如果一個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其它元件「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此,示例性術語「下方」或「下面」可以包括上方和下方的取向。
圖1係燈板一實施例的爆炸圖。圖2係燈板一實施例的剖面圖。如圖1及圖2所示,燈板1包含電路基板10、複數個發光元件20、複數個微控制器30以及光學膠60。發光元件20設置於電路基板10的顯示區上。微控制器30設置於電路基板10的顯示區上,各微控制器30與發光元件20中的一部分電性連接。光學膠60覆蓋電路基板10、發光元件20及微控制器30。發光元件20可以為發光二極體,在此,係指LED、Mini-LED及Micro-LED。發光元件20產生的光線,在特定的角度,例如全反射角,會無法穿透光學膠60,而反射到達微控制器30。微控制器30的尺寸,長寬約在500mm,遠大於發光元件20的尺寸。發光元件20的數量大於微控制器30,換言之,微控制器30分區地控制多個發光元件20。
各微控制器30包含突塊層33及透明保護層31。透明保護層31位於微控制器30遠離電路基板10的一端,也就是與發光元件20的出光面相同的方向。容許光線穿透,而突塊層33用以折射或散射來自發光元件20的光線。
再次參閱圖2,電路基板10上塗佈有反射層25,反射層25上具有複數個第一開口25A及第二開口25B,分別用以裝設微控制器30及發光元件20。由於為了避免短路,反射層25採用絕緣材料,從而在面積較大的微控制器30需要額外的增加反射的元件,以避免形成暗區。
圖3係微控制器第一實施例的剖面圖。如圖3所示,微控制器30包含透明保護層31、第一金屬層35、第一絕緣層37、半導體層39、第二絕緣層41、第二金屬層43、第三絕緣層45、第三金屬層47、第四絕緣層49、第四金屬層51、防銲層53、以及銲墊55。在此,是依據製成的堆疊方式來描述,以方便說明,實際上連接是倒置的狀態,以銲墊55連接到電路基板10。
第一金屬層35位於透明保護層31上。第一絕緣層37覆蓋第一金屬層35,並包含第一貫孔H1。半導體層39位於第一絕緣層37上。在此,半導體層39包含了主動區,第一金屬層35是作為遮蔽層,以遮蔽主動區。
第二絕緣層41覆蓋半導體層39,並包含第二貫孔H2及第三貫孔H3,第二貫孔H2連通第一貫孔H1。第二金屬層43位於第二絕緣層41上,並填入第一貫孔H1及第二貫孔H2中與第一金屬層35連接。在此,第二金屬層43可以作為閘極電極,第一金屬層35可以進一步連接外部電路,作為接地。第三絕緣層45覆蓋第二金屬層43,並包含第四貫孔H4,第四貫孔H4與第三貫孔H3連通。在此,第三絕緣層45可以為閘極絕緣層。
第三金屬層47位於第三絕緣層45上,並填入第三貫孔H3及第四貫孔H4中,與半導體層39連接。第三金屬層47作為源極電極及汲極電極。第四絕緣層49覆蓋第三金屬層47,並包含第五貫孔H5。第四金屬層51位於第四絕緣層49上,並填入第五貫孔H5中,與第三金屬層47連接。防銲層53覆蓋第四金屬層51,並具有銲接開口HA。銲墊55位於防銲層53上,並填入銲接開口HA中,與第四金屬層51連接,並與電路基板10銲接。
再次參閱圖3,第一實施例中,透明保護層31具有粗糙表面結構R,突塊層33為第一金屬層35的一部份,且位於粗糙表面結構R上。粗糙表面結構R可以透過蝕刻、電子束轟擊、或是應用半穿透(half-tone)光罩來產生,突塊層33與第一金屬層35可以應用同一道光罩的微影製程來形成。
圖4係微控制器第二實施例的剖面圖。如圖4所示,同時參考圖3,與第一實施例不同之處在於,透明保護層31上先製作第一絕緣緩衝層32。第一絕緣緩衝層32覆蓋透明保護層31,粗糙表面結構R是形成在第一絕緣緩衝層32上。突塊層33同樣為第一金屬層35的一部份,且位於粗糙表面結構R上,突塊層33與第一金屬層35可以應用同一道光罩的微影製程來形成。
圖5係微控制器第三實施例的剖面圖。如圖5所示,同時參考圖3及圖4,主要的不同之處在於,粗糙表面結構R是形成在第二絕緣層41的表面,而突塊層33為第二金屬層43的一部份,且位於粗糙表面結構R上。在此,突塊層33與第二金屬層43可以應用同一道光罩的微影製程來形成。
圖6係微控制器第四實施例的剖面圖。如圖6所示,同時參考圖3至圖5,主要的不同之處在於,粗糙表面結構R是形成在第三絕緣層45的表面,而突塊層33為第三金屬層47的一部份,且位於粗糙表面結構R上。在此,突塊層33與第三金屬層47可以應用同一道光罩的微影製程來形成。
圖7係微控制器第五實施例的剖面圖。如圖7所示,同時參考圖3至圖6,主要的不同之處在於,粗糙表面結構R是形成在第四絕緣層49的表面,而突塊層33為第四金屬層51的一部份,且位於粗糙表面結構R上。在此,突塊層33與第四金屬層51可以應用同一道光罩的微影製程來形成。
圖8係微控制器第六實施例的剖面圖。同時參閱圖7,主要的不同之處在於,第四絕緣層49之上更設置有第二絕緣緩衝層52。第二絕緣緩衝層52開設有第六貫孔H6,第六貫孔H6與第五貫孔H5連通。第四金屬層51位於第二絕緣緩衝層52上,並填入第五貫孔H5及第六貫孔H6中,與第三金屬層47連接。第二絕緣緩衝層52具有粗糙表面結構R,突塊層33為第四金屬層51的一部份,且位於粗糙表面結構R上。
綜上所述,透過在微控制器30上設置透明保護層31,能使來自發光元件20的光線引入微控制器30中,再透過突塊層33來產生折射或散射,避免全反射及吸收,而能達到增加微控制器30上的亮度,使得光線均勻,避免觀看角度產生暗帶的出光不均現象。
雖然本發明的技術內容已經以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神所作些許之更動與潤飾,皆應涵蓋於本發明的範疇內,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1:燈板
10:電路基板
20:發光元件
25:反射層
25A:第一開口
25B:第二開口
30:微控制器
31:透明保護層
32:第一絕緣緩衝層
33:突塊層
35:第一金屬層
37:第一絕緣層
39:半導體層
41:第二絕緣層
43:第二金屬層
45:第三絕緣層
47:第三金屬層
49:第四絕緣層
51:第四金屬層
52:第二絕緣緩衝層
53:防銲層
55:銲墊
60:光學膠
H1:第一貫孔
H2:第二貫孔
H3:第三貫孔
H4:第四貫孔
H5:第五貫孔
H6:第六貫孔
HA:銲接開口
R:粗糙表面結構
圖1係燈板一實施例的爆炸圖。
圖2係燈板一實施例的剖面圖。
圖3係微控制器第一實施例的剖面圖。
圖4係微控制器第二實施例的剖面圖。
圖5係微控制器第三實施例的剖面圖。
圖6係微控制器第四實施例的剖面圖。
圖7係微控制器第五實施例的剖面圖。
圖8係微控制器第六實施例的剖面圖。
10:電路基板
20:發光元件
25:反射層
25A:第一開口
25B:第二開口
30:微控制器
31:透明保護層
33:突塊層
60:光學膠
Claims (10)
- 一種燈板,包含: 一電路基板; 複數個發光元件,設置於該電路基板的一顯示區上; 複數個微控制器,設置於該電路基板的該顯示區上,各該微控制器與該等發光元件中的一部分電性連接;以及 光學膠,覆蓋該電路基板、該等發光元件及該等微控制器,其中各該微控制器包含一突塊層及一透明保護層,該透明保護層位於該微控制器遠離該電路基板的一端,該突塊層用以折射或散射來自該等發光元件的光線。
- 如請求項1所述之燈板,其中該電路基板上塗佈有一反射層,該反射層上具有複數個第一開口及複數個第二開口,分別對應於該等微控制器及該等發光元件。
- 如請求項1所述之燈板,其中該等發光元件為發光二極體。
- 如請求項1所述之燈板,其中該微控制器包含: 該透明保護層; 一第一金屬層,位於該透明保護層上; 一第一絕緣層,覆蓋該第一金屬層,並包含一第一貫孔; 一半導體層,位於該第一絕緣層上; 一第二絕緣層,覆蓋該半導體層,並包含一第二貫孔及一第三貫孔,該第二貫孔連通該第一貫孔; 一第二金屬層,位於該第二絕緣層上,並填入該第一貫孔及該第二貫孔中與該第一金屬層連接; 一第三絕緣層,覆蓋該第二金屬層,並包含一第四貫孔,該第四貫孔與該第三貫孔連通; 一第三金屬層,位於該第三絕緣層上,並填入該第三貫孔及該第四貫孔中,與該半導體層連接; 一第四絕緣層,覆蓋該第三金屬層,並包含一第五貫孔; 一第四金屬層,位於該第四絕緣層上,並填入該第五貫孔中,與該第三金屬層連接; 一防銲層,覆蓋該第四金屬層,並具有一銲接開口;以及 一銲墊,位於該防銲層上,並填入該銲接開口中,與該第四金屬層連接,並與該電路基板銲接。
- 如請求項4所述之燈板,其中該透明保護層具有一粗糙表面結構,該突塊層為該第一金屬層的一部份,且位於該粗糙表面結構上。
- 如請求項4所述之燈板,其中該透明保護層與該第一金屬層之間包含一絕緣緩衝層,該絕緣緩衝層覆蓋該透明保護層,且具有一粗糙表面結構,該突塊層為該第一金屬層的一部份,且位於該粗糙表面結構上。
- 如請求項4所述之燈板,其中該第二絕緣層具有一粗糙表面結構,該突塊層為該第二金屬層的一部份,且位於該粗糙表面結構上。
- 如請求項4所述之燈板,其中該第三絕緣層具有一粗糙表面結構,該突塊層為該第三金屬層的一部份,且位於該粗糙表面結構上。
- 如請求項4所述之燈板,其中該第四絕緣層具有一粗糙表面結構,該突塊層為該第四金屬層的一部份,且位於該粗糙表面結構上。
- 如請求項4所述之燈板,其中該第四絕緣層與該防銲層之間包含一絕緣緩衝層,該絕緣緩衝層開設有一第六貫孔,該第六貫孔與該第五貫孔連通,該第四金屬層位於該絕緣緩衝層上,並填入該第五貫孔及該第六貫孔中,與該第三金屬層連接,該絕緣緩衝層具有一粗糙表面結構,該突塊層為該第四金屬層的一部份,且位於該粗糙表面結構上。
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TWI773587B true TWI773587B (zh) | 2022-08-01 |
TW202322347A TW202322347A (zh) | 2023-06-01 |
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