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TWI761723B - 全向內埋模組及製作方法、封裝結構及製作方法 - Google Patents

全向內埋模組及製作方法、封裝結構及製作方法 Download PDF

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TWI761723B
TWI761723B TW108139365A TW108139365A TWI761723B TW I761723 B TWI761723 B TW I761723B TW 108139365 A TW108139365 A TW 108139365A TW 108139365 A TW108139365 A TW 108139365A TW I761723 B TWI761723 B TW I761723B
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傅志杰
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大陸商宏啟勝精密電子（秦皇島）有限公司
大陸商鵬鼎控股（深圳）股份有限公司
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Abstract

一種全向內埋模組，包括：絕緣基材，絕緣基材包括第一表面、與第一表面相背的第二表面及多個連接第一與第二表面的側面；多個形成在第一表面上的第一內埋焊盤；多個形成在第二表面上的第二內埋焊盤；及多個內埋於絕緣基材內且部分從多個側面裸露出來的側壁線路，多個側壁線路分別與多個第一及第二內埋焊盤電連接。本發明還涉及一種全向內埋模組的製作方法、封裝結構及其製作方法。本發明提供的全向內埋模組及製作方法、封裝結構及製作方法能夠實現全方嚮導通，從而能夠大幅度增加封裝結構的封裝彈性及信號傳輸的路徑，且能夠減少封裝製程。

Description

全向內埋模組及製作方法、封裝結構及製作方法
本發明涉及一種全向內埋模組及其製作方法、封裝結構及其製作方法。
近年來，電子產品被廣泛應用在日常工作和生活中，輕、薄、小的電子產品越來越受到歡迎。柔性電路板作為電子產品的主要部件，其佔據了電子產品的較大空間，因此柔性電路板的體積在很大程度上影響了電子產品的體積，大體積的柔性電路板勢必難以符合電子產品輕、薄、短、小之趨勢。
隨著電阻元件向微型化發展，內埋技術應運而生。其具有如下優勢：封裝面積消減與低耗電化、提升信號品質及降低電磁干擾雜訊與高頻電源安定化。內埋技術中常用的內埋被動組件主要有：電感元件、電容元件及電阻元件。現有技術中，內埋被動元件的通常做法是：將一個被動元件水準置於一個腔內，再增層，而內埋被動組件往往無法實現全向封裝導通，如此將限制封裝彈性及信號傳輸的路徑且會增加封裝製程。
有鑑於此，有必要提供一種解決上述問題的全向內埋模組。
還提供一種解決上述問題的全向內埋模組的製作方法。
還提供一種解決上述問題的封裝結構。
還提供一種解決上述問題的封裝結構的製作方法。
一種全向內埋模組，所述全向內埋模組包括：一絕緣基材，所述絕緣基材包括一第一表面、一與所述第一表面相背的第二表面及多個連接所述第一表面與第二表面的側面；多個形成在所述絕緣基材第一表面上的第一內埋焊盤；多個形成在所述絕緣基材第二表面上的第二內埋焊盤；及多個內埋於所述絕緣基材內且部分從所述絕緣基材的多個側面裸露出來的側壁線路，多個側壁線路分別與多個所述第一內埋焊盤及多個所述第二內埋焊盤電連接。
進一步地，所述全向內埋模組還包括至少一元件，所述第一內埋焊盤與所述元件電連接，所述側壁線路環繞所述元件設置。
進一步地，所述全向內埋模組還包括多個形成在所述第一表面上的第一連接線路及多個形成在所述第二表面上的第二連接線路；所述第一內埋焊盤及第二內埋焊盤分別通過所述第一連接線路及第二連接線路與所述側壁線路電連接。
一種全向內埋模組的製作方法，包括步驟：提供一內層電路基板，所述內層電路基板包括一第一絕緣基材，所述第一絕緣基材內埋有一元件，所述第一絕緣基材包括多個側面；在所述內層電路基板的相背兩表面分別壓合一第一單面覆銅基板及一第二單面覆銅基板；所述第一單面覆銅基板包括一第一外層銅箔層，所述第二單面覆銅基板包括一第二外層銅箔層；自所述第一外層銅箔層向所述第二外層銅箔層開設多個長條孔、多個分別與所述長條孔相連通的第一通孔及多個盲孔；所述長條孔及所述第一通孔均貫穿所述內層電路基板、第一單面覆銅基板及第二單面覆銅基板；所述長條孔環繞所述元件設置且鄰近所述側面；部分所述元件從所述盲孔裸露出來；通過電鍍在所述長條孔內壁、所述第一通孔及所述盲孔內鍍銅並將所述第一外層銅箔層及所述第二外層銅箔層分別製作形成一第一外層導電線路層及一第二外層導電線路層；所述第一外層導電線路層包括多個第一內埋焊盤，所述第二外層導電線路層包括多個第二內埋焊盤；所述第一內埋焊盤通過所述盲孔內的鍍銅與所述元件電連接；及沿著所述長條孔的毗鄰所述第一通孔的內壁進行切割，以露出部分所述第一通孔內的鍍銅，所述第一通孔內的鍍銅為側壁線路，多個所述側壁線路分別與多個所述第一內埋焊盤及多個所述第二內埋焊盤電連接。
進一步地，在“自所述第一外層銅箔層向所述第二外層銅箔層開設多個長條孔、多個分別與所述長條孔相連通的第一通孔及多個盲孔”的步驟的同時，還包括步驟：自所述第一銅箔層向所述第二銅箔層開設多個第二通孔；在“通過電鍍在所述長條孔內壁、所述第一通孔及所述盲孔內鍍銅”的步驟的同時，還包括步驟：通過電鍍在所述第二通孔內鍍銅，以形成導電通孔，所述第一內埋焊盤與所述第二焊盤通過所述導電通孔電連接。
一種封裝結構，包括一主機板；所述主機板包括多個第一主機板焊盤；一全向內埋模組陣列，所述全向內埋模組包括一第一陣列層，所述第一陣列層包括多個如上所述的全向內埋模組，多個所述全向內埋模組依序排列，相鄰的所述全向內埋模組的相對的兩個所述側壁線路電連接；及一封膠層；所述封膠層填充在所述主機板與所述全向內埋模組陣列之間的間隙內且封裝在所述全向內埋模組陣列的上。
進一步地，所述全向內埋模組陣列還包括一第二陣列層，所述第二陣列層也包括多個所述全向內埋模組，多個所述全向內埋模組依序設置在所述第一陣列層上，相鄰的所述全向內埋模組的相對的兩個所述側壁線路電連接；所述第二陣列的所述全向內埋模組的第二內埋焊盤與所述第一陣列的所述全向內埋模組的第一內埋焊盤電連接。
進一步地，所述第一陣列層及/或所述第二陣列層還包括至少一被動元件，所述被動元件與所述全向內埋模組的所述第一內埋焊盤、所述第二內埋焊盤及所述側壁線路中的任一個電連接。
一種封裝結構的製作方法，包括步驟：提供一主機板，所述主機板包括多個第一主機板焊盤；將如上所述的全向內埋模組以陣列的方式依序形成在所述主機板上，以形成第一陣列層，並將所述全向內埋模組的所述第二內埋焊盤與所述主機板上的第一主機板焊盤電連接；在相鄰的所述全向內埋模組之間的間隙內填充導電材料，以使得相鄰的所述全向內埋模組的相對的兩個所述側壁線路電連接；提供一封膠層並將所述封膠層填充在所述主機板與所述全向內埋模組陣列之間的間隙內且封裝在所述全向內埋模組陣列上；在所述第一陣列層上依序設置一第二陣列層，所述第二陣列層也包括多個所述全向內埋模 組，所述第二陣列的所述全向內埋模組的第二內埋焊盤與所述第一陣列層的所述全向內埋模組的第一內埋焊盤電連接；在所述第二陣列的相鄰的所述全向內埋模組陣列之間的間隙內填充導電材料，以使得所述第二陣列層的相鄰的所述全向內埋模組的相對的兩個所述側壁線路電連接；及提供另一封膠層並將所述封膠層填充在所述第一陣列層與所述第二陣列能夠之間的間隙內且封裝在所述全向內埋模組陣列上。
進一步地，所述第一陣列層及/或所述第二陣列層還包括至少一被動元件，所述被動元件與所述全向內埋模組的所述第一內埋焊盤、所述第二內埋焊盤及所述側壁線路中的任一個電連接。
本發明提供的全向內埋模組及其製作方法、封裝結構及其製作方法，所述全向內埋模組的上下表面設置有焊盤且其側面設置有側壁線路，從而1)所述全向內埋模組的各個方向均可導通；2)以模組化的方式依序設置並封裝，可以進行全向封裝導通，從而可大幅度提高封裝結構的訊號傳輸路徑；3)本案的全向內埋模組並不需要封裝在絕緣基材內，因此不需要形成槽，因此可以減少封裝製程；4)可以根據實際需要在各個方向增加全向內埋模組的數量，從而可以大幅度提高封裝結構的封裝彈性。
100:封裝結構
1001:全向內埋模組陣列
110:第一陣列層
120:第二陣列層
130:第三陣列層
140:第四陣列層
10:全向內埋模組
11:第一基材層
12:第一內層銅箔層
13:第二內層銅箔層
101:雙面覆銅基板
14:第一內層導電線路層
15:第二內層導電線路層
102:內層電路基板
32:第一內埋焊盤
41:第二連接線路
51:第一導電孔
53:第三導電孔
61:側壁線路
201:絕緣基材
2012:第二表面
71:縫隙
72:導電材料
150:主機板
152:第一主機板焊盤
73:第二導電材料
16:通槽
17:元件
171:元件電極
103:第一單面覆銅基板
21:第二基材層
22:第一外層銅箔層
104:第二單面覆銅基板
23:第三基材層
24:第二外層銅箔層
25:長條孔
26:第一通孔
27:盲孔
28:第二通孔
30:第一外層導電線路層
31:第一連接線路
40:第二外層導電線路層
42:第二內埋焊盤
52:第二導電孔
54:第四導電孔
2011:第一表面
2013:側面
80:被動元件
151:主機板基材
153:第二主機板焊盤
160:封膠層
圖1是本發明較佳實施例提供的全向內埋模組的俯視圖。
圖2是圖1所示的全向內埋模組的沿II-II的剖視圖。
圖3是圖1所示的全向內埋模組的立體示意圖(僅保留側壁線路及部分焊盤)。
圖4是本發明提供的一種銅箔基板的剖視圖。
圖5是將圖4所示的銅箔基板的第一、第二內層銅箔分別製作形成第一、第二內層導電線路層後的剖視圖。
圖6是在圖5所示的銅箔基板的第一絕緣基材內內埋元件並在所述第一、第二內層導電線路層上分別壓合第一、第二單面覆銅基板後的剖視圖。
圖7是自第一單面覆銅基板的第一外層銅箔層向第二單面覆銅基板的第二外層銅箔層開設多個長條孔、多個第一通孔、多個盲孔及多個第二通孔後的剖視圖。
圖8是沿圖7所示的VIII-VIII的剖視圖。
圖9是在圖7所示的長條孔、第一通孔、盲孔及第二通孔內電鍍銅並製作出外層導電線路後的俯視圖。
圖10是沿圖9所示的X-X的剖視圖。
圖11本發明提供的一主機板的剖視圖。
圖12是在圖11所示的主機板上依序放置並電連接多個全向內埋模組後的俯視圖(僅保留側壁線路及部分焊盤)。
圖13是沿圖12所示的XIII-XIII的剖視圖。
圖14是在圖13所示的相鄰的全向內埋模組的間隙內填充導電材料後的剖視圖。
圖15是在圖14所示的主機板與全向內埋模組之間的間隙內形成封膠層後的剖視圖。
圖16是在圖15的基礎上進行增層，形成封裝結構後的剖視圖。
圖17是圖16所示的封裝結構的立體示意圖(保留側壁線路及部分焊盤且顯示3層陣列層)。
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在於限制本發明。
下面結合附圖，對本發明的一些實施方式作詳細說明。在不衝突的情況下，下述的實施例及實施例中的特徵可以相互組合。
請結合參閱圖1~圖17，本發明較佳實施例提供一封裝結構100的製作方法，包括步驟：步驟S1，請參閱圖1-10，製作一全向內埋模組10。
其中，請參閱圖1-3，所述全向內埋模組10包括一絕緣基材201、至少一元件17、一第一外層導電線路層30、一第二外層導電線路層40及多條側壁線路61。
所述絕緣基材201包括一第一表面2011、一與所述第一表面2011相背的第二表面2012及多個連接所述第一表面2011及所述第二表面2012的側面2013。所述元件17內埋在所述絕緣基材201內。所述第一外層導電線路層30形成在所述第一表面2011上，所述第二外層導電線路層40形成在所述第二表面2012上，所述側壁線路61內埋在所述絕緣基材201內且從所述絕緣基材201的多個所述側面2013內裸露出來。
所述元件17具有多個元件電極171。
所述第一外層導電線路層30包括多條第一連接線路31及多個第一內埋焊盤32，多個所述第一內埋焊盤32通過多條所述第一連接線路31與多條所述側壁線路61電連接。多個所述第一內埋焊盤32與所述元件17電連接。多個所述第一內埋焊盤32通過多個第三導電孔53與所述元件17的多個所述元件電極171電連接。
所述第二外層導電線路層40包括多條第二連接線路41及多個第二內埋焊盤42，多個所述第二內埋焊盤42通過多條所述第二連接線路41與多條所述側壁線路61電連接。
所述全向內埋模組10還包括多個第四導電孔54，所述第一外層導電線路層30通過多個所述第四導電孔54與所述第二外層導電線路層40電連接。具體地，所述第一連接線路31通過多個所述第四導電孔54與所述第二內埋焊盤42電連接。
其中，所述絕緣基材201包括一次疊設在一起的第二基材層21、第一基材層11及第三基材層23。所述元件17收容在所述第一基材層11內，所述第二基材層21及所述第三基材層23形成在所述第一基材層11的相背兩表面上並覆蓋所述元件17。所述第二基材層21、第一基材層11及第三基材層23配合將所述元件內埋在所述絕緣基材201內。
所述全向內埋模組10還包括一第一內層導電線路層14及一第二內層導電線路層15，所述第一內層導電線路層14及第二內層導電線路層15分別形成在所述第一基材層11的相背兩表面上且分佈嵌在所述第二基材層21及所述第三基材層23內。
具體地，請參閱圖4-10及圖1-3，製作所述全向內埋模組10的具體步驟包括：步驟S11，請參閱圖4，提供一雙面覆銅基板101。所述雙面覆銅基板101包括一第一基材層11及形成在所述第一基材層11相背兩表面上的第一內層銅箔層12及第二內層銅箔層13。
步驟S12，請參閱圖5，將所述第一內層銅箔層12及第二內層銅箔層13分別製作形成第一內層導電線路層14及第二內層導電線路層15，以形成內層電路基板102。
當然，在其他實施方式中，所述內層電路基板102還可以包括更多個基材層級更多個導電線路層。
步驟S13，請參閱圖6，在所述第一基材層11上開設一通槽16，將至少一元件17置於所述通槽16內，並在所述第一基材層11的相背兩表面上分別壓合一第一單面覆銅基板103及一第二單面覆銅基板104。
所述第一單面覆銅基板103包括一形成在所述第一基材層11上的第二基材層21及一形成在所述第二基材層21上的第一外層銅箔層22。所述第二單面覆銅基板104包括一形成在所述第一基材層11另一表面上的第三基材層23及一形成在所述第三基材層23上的第二外層銅箔層24。
所述第一基材層11、所述第二基材層21及所述第三基材層23組成一絕緣基材201，所述元件17內埋於所述絕緣基材201內。
步驟S14，請參閱圖7-8，自所述第一外層銅箔層22向所述第二外層銅箔層24開設多個長條孔25、多個第一通孔26、多個盲孔27及多個第二通孔28。
多個所述長條孔25及多個所述第一通孔26均貫穿所述第一外層銅箔層22、所述絕緣基材201及所述第二外層銅箔層24，多個所述盲孔27貫穿所述第一外層銅箔層22及所述第二基材層23，所述元件17的元件電極171從所述盲孔27中裸露出來。所述第二通孔28貫穿所述第一外層銅箔層22、所述絕緣基材201、所述第二外層銅箔層24、所述第一內層導電線路層14及所述第二內層導電線路層15。
多個所述長條孔25鄰近所述側面2013且一個所述長條孔25對應於一個所述側面2013。多個所述第一通孔26與與其鄰近的所述長條孔25相連通，也即，每個所述長條孔25的一側形成有多個所述第一通孔26。多個所述長條孔25與多個所述第一通孔26環繞所述元件17設置。所述第一通孔26位於所述長條孔25與所述盲孔27之間。在本實施方式中，所述第二通孔28位於所述第一通孔26與所述盲孔27之間。
步驟S15，請參閱圖9-10，通過電鍍在所述長條孔25內壁、所述第一通孔26、所述盲孔27及所述第二通孔28內鍍銅，以分別形成第一導電孔51、第二導電孔52、第三導電孔53及第四導電孔54；並將所述第一外層銅箔層22及所述第二外層銅箔層24分別製作形成一第一外層導電線路層30及一第二外層導電線路層40。
所述第一外層導電線路層30包括多條第一連接線路31及多個第一內埋焊盤32，多個所述第一內埋焊盤32通過多條所述第一連接線路31與所述第二導電孔52電連接。多個所述第一內埋焊盤32通過所述第三導電孔53與所述元件17電連接。具體地，所述第一內埋焊盤32通過所述第三導電孔53與所述元件17的多個所述元件電極171電連接。
所述第二外層導電線路層40包括多條第二連接線路41及多個第二內埋焊盤42，多個所述第二內埋焊盤42通過多條所述第二連接線路41與所述 第二導電孔52電連接。所述第一連接線路31通過多個所述第四導電孔54與所述第二內埋焊盤42電連接。
步驟S16，請參閱圖1-2，沿著所述長條孔25的毗鄰所述第一通孔26的內壁進行切割，以露出部分所述第一通孔26內的鍍銅，從而得到全向內埋模組10。所述第一通孔26內的鍍銅為側壁線路61。
步驟S2，請參閱圖11，提供一主機板150。
其中，所述主機板150用於支撐所述全向內埋模組10並起到定位作用。具體地，所述主機板150包括一主機板基材151及分別形成在所述主機板基材151相背兩表面上的多個第一主機板焊盤152及多個第二主機板焊盤153。其中，所述第一主機板焊盤152及第二主機板焊盤153起到定位作用。
在其他實施方式中，所述主機板150還可以不包括第二主機板焊盤153。
步驟S3，請參閱圖12-14，將如上所述的全向內埋模組10以陣列的方式依序形成在所述主機板150上，將所述全向內埋模組10的所述第二內埋焊盤42與所述主機板150上的第一主機板焊盤152電連接，並將相鄰的所述全向內埋模組10的相對的兩個所述側壁線路61電連接，以形成第一陣列層110。
具體地，相鄰的所述全向內埋模組10的相對的兩個所述側壁線路61電連接是通過在之間通過再相鄰的所述全向內埋模組10的相對的兩個所述側壁線路61之間的縫隙71內填充導電材料72實現的。在本實施方式中，所述導電材料72為焊錫，在其他實施方式中，所述導電材料72還可以為鍍銅、導電膏等。
其中，所述第一陣列層110包括多個如上所述的全向內埋模組10，多個所述全向內埋模組10依序排列，相鄰的所述全向內埋模組10的相對的兩個所述側壁線路61電連接。
步驟S4，請參閱圖15，提供一封膠層160並將所述封膠層160填充在所述主機板150與所述第一陣列層110之間的間隙內且封裝在所述第一陣列層110上。
其中，所述封膠層160未完全封裝所述第一陣列層110。
其中，所述導電材料72流動填充在所述縫隙71內。
步驟S5，請參閱圖16，在所述第一陣列層110上依序設置多個全向內埋模組10的陣列層，使得相鄰兩個陣列層之間的內埋焊盤電連接，以形成全向內埋模組陣列1001，並將所述封膠層160填充在相鄰的兩個陣列層之間的間隙內且封裝在陣列層上，以得到一封裝結構100。
在本實施方式中，所述全向內埋模組陣列1001包括依次疊設在一起的所述第一陣列層110、第二陣列層120、第三陣列層130及第四陣列層140。其中，所述第二陣列層120、第三陣列層130及第四陣列層140的結構與所述第一陣列層110的結構一致，也包括多個所述全向內埋模組10且相鄰的所述全向內埋模組10的相對的兩個所述側壁線路61之間電連接。所述第二陣列層120的第二內埋焊盤42與所述第一陣列層110的第一內埋焊盤32電連接，所述第三陣列層130的第二內埋焊盤42與所述第二陣列層120的第一內埋焊盤32電連接，所述第四陣列層140的第二內埋焊盤42與所述第三陣列層130的第一內埋焊盤32電連接。
在其他實施方式中，所述全向內埋模組陣列1001還可以僅包括一個所述第一陣列層110或還可以包括更多的全向內埋模組的陣列層。
其中，所述全向內埋模組陣列1001中的一個或多個全向內埋模組10也可以替換成被動元件80。
具體地，請參閱圖17，所述第一陣列層110、所述第二陣列層120及第三陣列層130中的某個所述全向內埋模組10還可以被被動元件80替換。也即是說，所述第一陣列層110及/或所述第二陣列層120及/或第三陣列層130還可以包括被動元件80。所述被動元件80與所述全向內埋模組10的所述第一內埋焊盤32、所述第二內埋焊盤42及所述側壁線路61中的任一個電連接。
在所述全向內埋模組陣列1001中，所述全向內埋模組10的體積大小、側壁線路條數、焊盤的個數等並不要求一致。
其中，所述封裝結構100包括所述主機板150、形成在所述主機板150上的所述全向內埋模組陣列1001及封裝在所述主機板150與所述全向內埋 模組陣列1001之間的間隙、所述全向內埋模組陣列1001的陣列層之間的間隙內及全向內埋模組陣列1001上的封膠層160。
本發明提供的全向內埋模組及其製作方法、全向內埋模組陣列、封裝結構及其製作方法，所述全向內埋模組的上下表面設置有焊盤且其側面設置有側壁線路，1)所述全向內埋模組的各個方向均可導通；2)以模組化的方式依序設置並封裝，可以進行全向封裝導通，從而可大幅度提高封裝結構的訊號傳輸路徑；3)本案的全向內埋模組並不需要封裝在絕緣基材內，因此不需要形成內埋用槽，因此可以減少封裝製程；4)可以根據實際需要在各個方向增加全向內埋模組的數量，從而可以大幅度提高封裝結構的封裝彈性。
另外，對於本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術構思做出其它各種相應的改變與變形，而所有這些改變與變形都應屬於本發明的發明申請專利範圍的保護範圍。
10:全向內埋模組
32:第一內埋焊盤
61:側壁線路
201:絕緣基材
42:第二內埋焊盤

Claims (10)

  1. 一種全向內埋模組，所述全向內埋模組包括：一絕緣基材，所述絕緣基材包括一第一表面、一與所述第一表面相背的第二表面及多個連接所述第一表面與第二表面的側面；多個形成在所述絕緣基材第一表面上的第一內埋焊盤；多個形成在所述絕緣基材第二表面上的第二內埋焊盤；及多個內埋於所述絕緣基材內且部分從所述絕緣基材的多個側面裸露出來的側壁線路，多個側壁線路分別與多個所述第一內埋焊盤及多個所述第二內埋焊盤電連接，所述側壁線路設於所述全向內埋模組最外側的所述側面。
  2. 如請求項1所述的全向內埋模組，其中，所述全向內埋模組還包括至少一元件，所述第一內埋焊盤與所述元件電連接，所述側壁線路環繞所述元件設置。
  3. 如請求項1所述的全向內埋模組，其中，所述全向內埋模組還包括多個形成在所述第一表面上的第一連接線路及多個形成在所述第二表面上的第二連接線路；所述第一內埋焊盤及第二內埋焊盤分別通過所述第一連接線路及第二連接線路與所述側壁線路電連接。
  4. 一種全向內埋模組的製作方法，包括步驟：提供一內層電路基板，所述內層電路基板包括一第一絕緣基材，所述第一絕緣基材內埋有一元件，所述第一絕緣基材包括多個側面；在所述內層電路基板的相背兩表面分別壓合一第一單面覆銅基板及一第二單面覆銅基板；所述第一單面覆銅基板包括一第一外層銅箔層，所述第二單面覆銅基板包括一第二外層銅箔層；自所述第一外層銅箔層向所述第二外層銅箔層開設多個長條孔、多個分別與所述長條孔相連通的第一通孔及多個盲孔；所述長條孔及所述第一通孔均貫穿所述內層電路基板、第一單面覆銅基板及第二單面覆銅基板；所述長條孔環繞所述元件設置且鄰近所述側面；部分所述元件從所述盲孔裸露出來；通過電鍍在所述長條孔內壁、所述第一通孔及所述盲孔內鍍銅並將所述第一外層銅箔層及所述第二外層銅箔層分別製作形成一第一外層導電線路層及一 第二外層導電線路層；所述第一外層導電線路層包括多個第一內埋焊盤，所述第二外層導電線路層包括多個第二內埋焊盤；所述第一內埋焊盤通過所述盲孔內的鍍銅與所述元件電連接；及沿著所述長條孔的毗鄰所述第一通孔的內壁進行切割，以露出部分所述第一通孔內的鍍銅，所述第一通孔內的鍍銅為側壁線路，多個所述側壁線路分別與多個所述第一內埋焊盤及多個所述第二內埋焊盤電連接。
  5. 如請求項4所述的全向內埋模組的製作方法，其中，在“自所述第一外層銅箔層向所述第二外層銅箔層開設多個長條孔、多個分別與所述長條孔相連通的第一通孔及多個盲孔”的步驟的同時，還包括步驟：自所述第一外層銅箔層向所述第二外層銅箔層開設多個第二通孔；在“通過電鍍在所述長條孔內壁、所述第一通孔及所述盲孔內鍍銅”的步驟的同時，還包括步驟：通過電鍍在所述第二通孔內鍍銅，以形成導電孔，所述第一內埋焊盤與所述第二內埋焊盤通過所述導電孔電連接。
  6. 一種封裝結構，包括一主機板；所述主機板包括多個第一主機板焊盤；一全向內埋模組陣列，所述全向內埋模組包括一第一陣列層，所述第一陣列層包括多個如請求項1至3任一項所述的全向內埋模組，多個所述全向內埋模組依序排列，相鄰的所述全向內埋模組的相對的兩個所述側壁線路電連接；及一封膠層；所述封膠層填充在所述主機板與所述全向內埋模組陣列之間的間隙內且封裝在所述全向內埋模組陣列的上。
  7. 如請求項6所述的封裝結構，其中，所述全向內埋模組陣列還包括一第二陣列層，所述第二陣列層也包括多個所述全向內埋模組，多個所述全向內埋模組依序設置在所述第一陣列層上，相鄰的所述全向內埋模組的相對的兩個所述側壁線路電連接；所述第二陣列層的所述全向內埋模組的第二內埋焊盤與所述第一陣列層的所述全向內埋模組的第一內埋焊盤電連接。
  8. 如請求項7所述的封裝結構，其中，所述第一陣列層及/或所述第二陣列層還包括至少一被動元件，所述被動元件與所述全向內埋模組的所述第一內埋焊盤、所述第二內埋焊盤及所述側壁線路中的任一個電連接。
  9. 一種封裝結構的製作方法，包括步驟：提供一主機板，所述主機板包括多個第一主機板焊盤；將如請求項1至3任一項所述的全向內埋模組以陣列的方式依序形成在所述主機板上，以形成第一陣列層，並將所述全向內埋模組的所述第二內埋焊盤與所述主機板上的第一主機板焊盤電連接；在相鄰的所述全向內埋模組之間的間隙內填充導電材料，以使得相鄰的所述全向內埋模組的相對的兩個所述側壁線路電連接；提供一封膠層並將所述封膠層填充在所述主機板與所述全向內埋模組陣列之間的間隙內且封裝在所述全向內埋模組陣列上；在所述第一陣列層上依序設置一第二陣列層，所述第二陣列層也包括多個所述全向內埋模組，所述第二陣列層的所述全向內埋模組的第二內埋焊盤與所述第一陣列層的所述全向內埋模組的第一內埋焊盤電連接；在所述第二陣列層的相鄰的所述全向內埋模組陣列之間的間隙內填充導電材料，以使得所述第二陣列層的相鄰的所述全向內埋模組的相對的兩個所述側壁線路電連接；及提供另一封膠層並將所述封膠層填充在所述第一陣列層與所述第二陣層列能夠之間的間隙內且封裝在所述全向內埋模組陣列上。
  10. 如請求項9所述的封裝結構的製作方法，其中，所述第一陣列層或所述第二陣列層還包括至少一被動元件，所述被動元件與所述全向內埋模組的所述第一內埋焊盤、所述第二內埋焊盤及所述側壁線路中的任一個電連接。
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