JP2013038374A - 配線板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線板における電気的接続の信頼性を高める。
【解決手段】第１面Ｆ１と、第１面Ｆ１とは反対側の第２面Ｆ２と、第１面Ｆ１から第２面Ｆ２まで貫通するキャビティＲ１０（開口部）と、スルーホール３００ａと、を有する基板１００（コア基板）と、キャビティＲ１０に配置されるコンデンサ２００と、を有する配線板１０において、スルーホール３００ａは導体（スルーホール導体３００ｂ）で充填されてなり、スルーホール導体３００ｂは第１面Ｆ１から第２面Ｆ２に向かって細くなっている第１導体部と第２面Ｆ２から第１面Ｆ１に向かって細くなっている第２導体部とで形成されていて、第１導体部と第２導体部とは基板１００内でつながっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、コンデンサを内蔵する配線板、及びその製造方法に関する。

特許文献１には、キャビティが形成された樹脂基板（コア基板）と、キャビティ内に配置され、樹脂基板の側方に位置するコンデンサと、を有する配線板が開示されている。

特開２００７−２６６１９７号公報

近年、配線板の薄型化が要求されている。特許文献１に記載の配線板では、コンデンサを内蔵することにより、コンデンサ（特にセラミック材料）の熱膨張係数とコア基板（樹脂基板）の熱膨張係数との間の差異に起因して反り易くなると考えられる。そして、配線板が反った場合には、コンデンサの電極とビア導体との接続信頼性が低下し易くなり、あるいはコンデンサの電極表面で絶縁材料のデラミネーションが生じ易くなる。

本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、配線板における電気的接続の信頼性を高めることを目的とする。

本発明に係る配線板は、第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、該第１面から該第２面まで貫通する開口部と、スルーホールと、を有するコア基板と、前記開口部に配置されるコンデンサと、を有する配線板であって、前記スルーホールは、導体で充填されており、該導体は前記第１面から前記第２面に向かって細くなっている第１導体部と前記第２面から前記第１面に向かって細くなっている第２導体部とで形成されていて、前記第１導体部と前記第２導体部とは前記コア基板内でつながっている。

本発明に係る配線板の製造方法は、第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、を有する基板を準備することと、前記基板を貫通する開口部を形成することと、前記開口部にコンデンサを配置することと、前記基板に、前記第１面から前記第２面に向かって細くなる部分と前記第２面から前記第１面に向かって細くなる部分とを有するスルーホールを形成することと、前記スルーホール内に導体を充填することと、を含む。

本発明によれば、配線板における電気的接続の信頼性を高めることができる。

本発明の実施形態に係る配線板の断面図である。 図１中のコア基板に形成されるスルーホール導体の拡大図である。 図２Ａに示すスルーホール導体の平面図である。 本発明の実施形態に係る配線板に内蔵されるコンデンサの断面図である。 本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティに収容されたコンデンサの配置及び形態を示す平面図である。 コア基板の第１面側に形成される第１ビルドアップ部に含まれるビア導体の拡大図である。 コア基板の第２面側に形成される第２ビルドアップ部に含まれるビア導体の拡大図である。 厚み方向における中央部が両端部よりも外側に膨らんでいる側面電極を有するコンデンサを示す図である。 本発明の実施形態に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。 図７に示す製造方法において、基板（コア基板）を準備する工程を説明するための図である。 基板にスルーホール導体及び導体層を形成する第１の工程を説明するための図である。 図９の工程の後の第２の工程を説明するための図である。 図１０の工程の後の第３の工程を説明するための図である。 図９〜図１１に示す工程により形成された導体層の形状の第１の例を示す図である。 図９〜図１１に示す工程により形成された導体層の形状の第２の例を示す図である。 図７に示す製造方法において、キャビティを形成する工程を説明するための図である。 図７に示す製造方法において、キャビティ形成後の基板を示す図である。 図７に示す製造方法において、キャビティが形成された基板をキャリアに取り付ける工程を説明するための図である。 図７に示す製造方法において、キャビティ内にコンデンサを配置する工程を説明するための図である。 図７に示す製造方法において、キャビティ内にコンデンサが配置された状態を示す図である。 図７に示す製造方法において、絶縁基板上及びコンデンサ上に、第１の層間絶縁層及び第１の銅箔を形成する工程を説明するための図である。 図７に示す製造方法において、プレス工程を説明するための図である。 図１９Ａのプレス後の状態を示す図である。 図７に示す製造方法において、キャリア除去後、絶縁基板上及びコンデンサ上に、第２の層間絶縁層及び第２の銅箔を形成する工程を説明するための図である。 図７に示す製造方法において、第１、第２の層間絶縁層上に導体層を形成し、各導体層の導体パターンとコンデンサの電極とを互いに電気的に接続する第１の工程を説明するための図である。 図２１の工程の後の第２の工程を説明するための図である。 図２２Ａの工程の後の第３の工程を説明するための図である。 図２２Ｂの工程の後の第４の工程を説明するための図である。 図２２Ｃの工程の後の第５の工程を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る配線板の表面に電子部品が実装された状態を示す図である。 本発明の他の実施形態において、スルーホール導体の第１の別例を示す図である。 図２５に示すスルーホール導体の製造方法の一例について、第１工程を説明するための図である。 図２６Ａの工程の後の第２の工程を説明するための図である。 図２６Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための図である。 図２６Ｃの工程の後の第４の工程を説明するための図である。 図２７Ａの工程の後の第５の工程を説明するための図である。 本発明の他の実施形態において、スルーホール導体の第２の別例を示す図である。 図２８に示すスルーホール導体の製造方法の一例について、第１工程を説明するための図である。 図２９Ａの工程の後の第２の工程を説明するための図である。 図２９Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための図である。 図２９Ｃの工程の後の第４の工程を説明するための図である。 図３０Ａの工程の後の第５の工程を説明するための図である。 本発明の他の実施形態において、スルーホール導体の第３の別例を示す図である。 本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティの他の形状を示す図である。 フィルド導体の平面形状の別例としての正四角形を示す図である。 フィルド導体の平面形状の別例としての十字形を示す図である。 フィルド導体の平面形状の別例としての正多角星形を示す図である。 本発明の他の実施形態において、片面配線板を示す図である。 本発明の他の実施形態において、より多層な構造を有する配線板を示す図である。 本発明の他の実施形態において、金属板を内蔵するコア基板を有する配線板を示す図である。 図３６に示す配線板に用いられる金属板の第１の形態を示す図である。 図３６に示す配線板に用いられる金属板の第２の形態を示す図である。 図３６に示す配線板において、配線板に内蔵される金属板とコア基板上の導体層との第１の形態を示す図である。 図３６に示す配線板において、配線板に内蔵される金属板とコア基板上の導体層との第２の形態を示す図である。 図３６に示す配線板において、配線板に内蔵される金属板とコア基板上の導体層との第３の形態を示す図である。 図３６に示す配線板において、配線板に内蔵される金属板とコア基板上の導体層との第４の形態を示す図である。 図３６に示す配線板に用いられるコア基板を製造する第１工程を説明するための図である。 図４０Ａの工程の後の第２の工程を説明するための図である。 図３６に示す配線板において、コア基板に形成された開口部に配置されるコンデンサとコア基板との境界部周辺を示す図である。 電子部品内蔵配線板の好ましい一例を示す断面図である。 図４２Ａに示すスルーホール導体の平面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。

相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面又は第３面（Ｚ１側の面）、第２面又は第４面（Ｚ２側の面）という。積層方向において、コアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。直上は、Ｚ方向（Ｚ１側又はＺ２側）を意味する。平面形状は、特に指定がなければ、Ｘ−Ｙ平面の形状を意味する。

導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない平面状の導体パターン等を含む場合もある。

開口部には、孔や溝のほか、切欠や切れ目等も含まれる。孔は貫通孔に限られず、非貫通の孔も含めて、孔という。孔には、ビアホール及びスルーホールが含まれる。以下、ビアホール内（壁面又は底面）に形成される導体をビア導体といい、スルーホール内（壁面）に形成される導体をスルーホール導体という。

めっきには、電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。

「準備すること」には、材料や部品を購入して自ら製造することのほかに、完成品を購入して使用することなども含まれる。

コンデンサが開口部に配置されることには、コンデンサの全体が開口部に完全に収容されることのほか、コンデンサの一部のみが開口部に配置されることも含まれる。

孔又は柱体（突起）の「幅」は、特に指定がなければ、円の場合には直径を意味し、円以外の場合には２√（断面積／π）を意味する。

均一でない寸法（凹凸がある部分の厚み又はテーパした部分の幅など）が所定の範囲に含まれるか否かは、原則として、その寸法の平均値（異常値を除いた有効値のみの平均）がその範囲に含まれるか否かによって判断する。ただし、最大値など、平均値以外の値を用いることを明記している場合は、この限りでない。

以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。

本実施形態に係る配線板１０は、図１に示すように、基板１００（絶縁基板）と、第１ビルドアップ部Ｂ１と、第２ビルドアップ部Ｂ２と、コンデンサ２００と、ソルダーレジスト１１、１２と、を有する。本実施形態の配線板１０は、矩形板状のリジッド配線板である。ただし、配線板１０は、フレキシブル配線板であってもよい。以下、基板１００の表裏面（２つの主面）の一方を第１面Ｆ１、他方を第２面Ｆ２という。また、コンデンサ２００の表裏面（２つの主面）のうち、第１面Ｆ１と同じ方向を向く面を第３面Ｆ３といい、他方を第４面Ｆ４という。

第１ビルドアップ部Ｂ１は、基板１００の第１面Ｆ１側に形成され、第２ビルドアップ部Ｂ２は、基板１００の第２面Ｆ２側に形成される。第１ビルドアップ部Ｂ１は、絶縁層１０１（層間絶縁層）と、導体層１１０と、から構成され、第２ビルドアップ部Ｂ２は、絶縁層１０２（層間絶縁層）と、導体層１２０と、から構成される。コンデンサ２００は、配線板１０に内蔵される。第１ビルドアップ部Ｂ１、第２ビルドアップ部Ｂ２上にはそれぞれ、ソルダーレジスト１１、１２が形成される。

基板１００は、絶縁性を有し、配線板１０のコア基板となる。基板１００の第１面Ｆ１上には導体層３０１が形成され、基板１００の第２面Ｆ２上には導体層３０２が形成される。基板１００にはキャビティＲ１０が形成される。キャビティＲ１０は、コンデンサ２００が収容される開口部に相当する。本実施形態では、キャビティＲ１０が、基板１００を貫通する孔からなる。

コンデンサ２００は、キャビティＲ１０に配置されることにより、基板１００の側方（Ｘ方向又はＹ方向）に位置する。本実施形態では、コンデンサ２００の略全体がキャビティＲ１０に完全に収容される。しかしこれに限られず、コンデンサ２００の一部のみがキャビティＲ１０に配置されてもよい。本実施形態では、キャビティＲ１０におけるコンデンサ２００と基板１００との隙間Ｒ１に、絶縁体１０１ａが充填される。本実施形態では、絶縁体１０１ａが、上層の絶縁層１０１（詳しくは樹脂絶縁層）を構成する絶縁材料（詳しくは樹脂）からなる（図１９Ａ参照）。絶縁体１０１ａは、基板１００及びコンデンサ２００のいずれよりも大きな熱膨張係数を有する。絶縁体１０１ａは、コンデンサ２００の周りを完全に覆う。これにより、コンデンサ２００が、絶縁体１０１ａ（樹脂）で保護されるとともに、所定の位置に固定される。

絶縁層１０１（第１絶縁層）は、基板１００の第１面Ｆ１上及びコンデンサ２００の第３面Ｆ３上に形成され、絶縁層１０２（第２絶縁層）は、基板１００の第２面Ｆ２上及びコンデンサ２００の第４面Ｆ４上に形成される。そして、キャビティＲ１０（孔）の一方（第１面Ｆ１側）の開口は絶縁層１０１によって塞がれ、キャビティＲ１０（孔）の他方（第２面Ｆ２側）の開口は絶縁層１０２によって塞がれる。本実施形態では、導体層１１０及び１２０が、最外層となる。ただしこれに限られず、より多くの層間絶縁層及び導体層を積層してもよい（後述の図３５参照）。

導体層１１０は、第１面Ｆ１側の最外の導体層となり、導体層１２０は、第２面Ｆ２側の最外の導体層となる。導体層１１０、１２０上にはそれぞれ、ソルダーレジスト１１、１２が形成される。ただし、ソルダーレジスト１１、１２にはそれぞれ、開口部１１ａ、１２ａが形成されている。このため、導体層１１０の所定の部位（開口部１１ａに位置する部位）は、ソルダーレジスト１１に覆われず露出しており、パッドＰ１となる。また、導体層１２０の所定の部位（開口部１２ａに位置する部位）は、パッドＰ２となる。パッドＰ１は、例えば他の配線板と電気的に接続するための外部接続端子となり、パッドＰ２は、例えば電子部品を実装するための外部接続端子となる（後述の図２４参照）。ただしこれに限られず、パッドＰ１、Ｐ２の用途は任意である。

本実施形態では、パッドＰ１、Ｐ２が、その表面に、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層を有する。耐食層は、電解めっき又はスパッタリング等により形成することができる。また、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。なお、耐食層は必須の構成ではなく、必要がなければ割愛してもよい。

基板１００（コア基板）にはスルーホール３００ａが形成され、スルーホール３００ａ内に導体（例えば銅めっき）が充填されることにより、スルーホール導体３００ｂが形成される。本実施形態では、スルーホール導体３００ｂの形状が、砂時計状（鼓状）である。

本実施形態のスルーホール導体３００ｂは、図２Ａに示すように、基板１００（コア基板）中の基準面Ｆ０から第１面Ｆ１に向かって幅が広くなる第１導体部Ｒ１１と、基準面Ｆ０から第２面Ｆ２に向かって幅が広くなる第２導体部Ｒ１２と、を有する。図２Ｂに示すように、第１導体部Ｒ１１及び第２導体部Ｒ１２の平面形状は、例えば円である。すなわち、本実施形態における第１導体部Ｒ１１及び第２導体部Ｒ１２の形状はそれぞれ、基準面Ｆ０に向かって幅が狭くなる（細くなる）ようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。スルーホール導体３００ｂは、第１導体部Ｒ１１と第２導体部Ｒ１２とが、基準面Ｆ０で直接接続されてなる。スルーホール導体３００ｂは、最小幅となる括れ部３００ｃを有し、括れ部３００ｃは基準面Ｆ０に位置する。本実施形態では、基準面Ｆ０が、Ｘ−Ｙ平面に相当する。図２Ｂに示すように、括れ部３００ｃの平面形状は、例えば円である。

本実施形態では、第１面Ｆ１から基準面Ｆ０までの寸法Ｔ１１と、第２面Ｆ２から基準面Ｆ０までの寸法Ｔ１２とが、互いに略同一である。また、第１導体部Ｒ１１は、第１面Ｆ１から括れ部３００ｃ（基準面Ｆ０）に近づくにつれて徐々に細くなり、第２導体部Ｒ１２は、第２面Ｆ２から括れ部３００ｃ（基準面Ｆ０）に近づくにつれて徐々に細くなる。ここで、第１導体部Ｒ１１のテーパ角度θ１と第２導体部Ｒ１２のテーパ角度θ２とは、互いに略同一である。スルーホール導体３００ｂは、基準面Ｆ０について対称的な形状を有する。なお、テーパ角度は、幅が狭くなる割合又は幅が広くなる割合に相当する。

本実施形態では、スルーホール３００ａの壁面が平面である。これにより、第１導体部Ｒ１１のテーパ角度及び第２導体部Ｒ１２のテーパ角度がそれぞれ、略一定になる。しかしこれに限られず、スルーホール３００ａの壁面は曲面であってもよい（図２５及び図２８参照）。導体層３０１、３０２にはそれぞれ、スルーホール導体３００ｂのランドが含まれる。

ここで、スルーホール導体３００ｂの各寸法の好ましい値の一例を示す。第１面Ｆ１側端面の幅Ｄ３１は８０μｍであり、括れ部３００ｃの幅Ｄ３２は５０μｍであり、第２面Ｆ２側端面の幅Ｄ３３は８０μｍである。

絶縁層１０１には孔３１１ａ及び３１２ａ（それぞれビアホール）が形成され、絶縁層１０２には孔３２１ａ及び３２２ａ（それぞれビアホール）が形成されている。孔３１１ａ、３１２ａ、３２１ａ、３２２ａ内にそれぞれ導体（例えば銅のめっき）が充填されることにより、各孔内の導体がそれぞれ、ビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２１ｂ、３２２ｂ（それぞれフィルド導体）となる。本実施形態では、孔３１１ａが第１ビアホールに相当し、孔３２１ａが第２ビアホールに相当する。

孔３１１ａ及び３２１ａの各々は、コンデンサ２００の電極２１０及び２２０に達し、ビア導体３１１ｂ及び３２１ｂはそれぞれ、基板１００の第１面Ｆ１側又は第２面Ｆ２側から、コンデンサ２００の電極２１０、２２０に電気的に接続される。孔３１１ａ（第１ビアホール）に充填された導体（ビア導体３１１ｂ）及び孔３２１ａ（第２ビアホール）に充填された導体（ビア導体３２１ｂ）はそれぞれ、コンデンサ２００に向かって幅が狭くなり、コンデンサ２００の電極に電気的に接続される。このように、本実施形態では、コンデンサ２００が両面からビア導体３１１ｂ及び３２１ｂに接続されている。以下、この構造を、両面ビア構造という。本実施形態では、両面ビア構造により、配線板１０の構造が上下対称に近づき、配線板１０の反りが抑制されると考えられる。

上記両面ビア構造により、コンデンサ２００の電極２１０、２２０と絶縁層１０１上の導体層１１０とは、ビア導体３１１ｂを介して、互いに電気的に接続され、また、コンデンサ２００の電極２１０、２２０と絶縁層１０２上の導体層１２０とは、ビア導体３２１ｂを介して、互いに電気的に接続される。本実施形態では、コンデンサ２００、ビア導体３１１ｂ、及びビア導体３２１ｂが、電源ラインを構成する。

また、基板１００の第１面Ｆ１上の導体層３０１と絶縁層１０１上の導体層１１０とは、ビア導体３１２ｂを介して、互いに電気的に接続され、また、基板１００の第２面Ｆ２上の導体層３０２と絶縁層１０２上の導体層１２０とは、ビア導体３２２ｂを介して、互いに電気的に接続される。また、基板１００の第１面Ｆ１上の導体層３０１と基板１００の第２面Ｆ２上の導体層３０２とは、スルーホール導体３００ｂを介して、互いに電気的に接続されている。ビア導体３１２ｂ、３２２ｂ及びスルーホール導体３００ｂは、いずれもフィルド導体であり、これらがＺ方向にスタックされることで、フィルドスタックＳが形成される。本実施形態では、フィルドスタックＳが信号ラインを構成する。

コンデンサ２００は、例えば図３に示すように、チップ型のＭＬＣＣ（積層セラミック・コンデンサ）であり、コンデンサ本体２０１と、Ｕ字状の電極２１０及び２２０と、を有する。コンデンサ本体２０１は、複数の誘電層２３１〜２３９と複数の導体層２１１〜２１４及び２２１〜２２４とが交互に積層されて構成される。誘電層２３１〜２３９はそれぞれ、例えばセラミックからなる。電極２１０及び２２０は、コンデンサ本体２０１の両端部にそれぞれ形成されている。コンデンサ本体２０１は、下面（第４面Ｆ４側の面）から、側面、そして上面（第３面Ｆ３側の面）にかけて、電極２１０及び２２０で覆われる。以下、電極２１０のうち、コンデンサ本体２０１の上面を覆う部分を上部２１０ａといい、コンデンサ本体２０１の側面を覆う部分を側部２１０ｂといい、コンデンサ本体２０１の下面を覆う部分を下部２１０ｃという。また、電極２２０のうち、コンデンサ本体２０１の上面を覆う部分を上部２２０ａといい、コンデンサ本体２０１の側面を覆う部分を側部２２０ｂといい、コンデンサ本体２０１の下面を覆う部分を下部２２０ｃという。本実施形態では、側部２１０ｂ及び２２０ｂがそれぞれ、側面電極に相当する。上部２１０ａ及び２２０ａはそれぞれ、ビア導体３１１ｂに電気的に接続され、下部２１０ｃ及び２２０ｃはそれぞれ、ビア導体３２１ｂに電気的に接続される。本実施形態では、コンデンサ２００の電極２１０、２２０の表面が粗化されていない。

電極２１０と電極２２０との間に位置するコンデンサ本体２０１の中央部は、図３に示されるように、電極２１０、２２０に覆われず、誘電層２３１、２３９（セラミック）が露出するため、比較的強度が弱くなる。しかし、コンデンサ２００が配線板１０に実装（内蔵）された状態においては、コンデンサ本体２０１の中央部は絶縁層１０１、１０２又は絶縁体１０１ａで覆われるため、それらの絶縁材料（樹脂等）により、コンデンサ本体２０１が保護されると考えられる。

図４に、コンデンサ２００が基板１００（コア基板）のキャビティＲ１０に収容された状態を示す。

キャビティＲ１０は、基板１００を貫通する。キャビティＲ１０の両端（第１面Ｆ１側及び第２面Ｆ２側）の開口形状はそれぞれ、略長方形になっている。コンデンサ２００の形状は、例えば矩形板状であり、コンデンサ２００の主面の形状は、例えば略長方形である。本実施形態では、コンデンサ２００がキャビティＲ１０に対応した平面形状（例えば略同じ大きさの相似形）を有する。

ここで、図１〜図３中に示す各寸法の好ましい値の一例を示す。

配線板１０の厚さＴ１（図１）、すなわちソルダーレジスト１１からソルダーレジスト１２までの厚さは、２９０μｍである。基板１００（コア基板）の厚さＴ２０（図２Ａ）は、１０６μｍである。コンデンサ２００の厚さＴ３（図３）、詳しくは電極２１０、２２０まで含めた厚さは、１５０μｍである。導体層３０１、３０２の厚さＴ４（図２Ａ）はそれぞれ、２０μｍである。絶縁層１０１、１０２の厚さＴ５（図１）はそれぞれ、３９μｍである。導体層１１０、１２０の厚さＴ６（図１）はそれぞれ、１８μｍである。ソルダーレジスト１１、１２の厚さＴ７（図１）はそれぞれ、１５μｍである。

配線板１０の厚さＴ１と、基板１００（コア基板）及びその両面の導体層３０１、３０２の厚さの合計Ｔ２（＝Ｔ２０＋Ｔ４×２）と、コンデンサ２００の厚さＴ３とについては、Ｔ３／Ｔ２が０．６〜１．７の範囲にあり、且つ、Ｔ３／Ｔ１が０．２〜０．７の範囲にあることが好ましい。こうした寸法であれば、反りを抑制し易くなると推測される。

次に、図４中に示す各寸法の好ましい値の一例を示す。

キャビティＲ１０の長手方向の幅Ｄ１は、１０８０μｍであり、キャビティＲ１０の短手方向の幅Ｄ２は、５８０μｍである。コンデンサ２００の長手方向の幅Ｄ１１は、１０００μｍであり、コンデンサ２００の短手方向の幅Ｄ１２は、５００μｍである。コンデンサ２００とキャビティＲ１０との隙間の長手方向の幅Ｄ３は、４０μｍ（クリアランスは２倍の８０μｍ）であり、コンデンサ２００とキャビティＲ１０との隙間の短手方向の幅Ｄ４は、４０μｍ（クリアランスは２倍の８０μｍ）である。電極２１０の上部２１０ａもしくは下部２１０ｃ、又は、電極２２０の上部２２０ａもしくは下部２２０ｃの幅Ｄ１３は、２３０μｍである。

ビア導体３１１ｂとビア導体３２１ｂとは、例えばコンデンサ２００を挟んで、互いに対向するように配置される。ビア導体３１１ｂ又は３２１ｂのピッチＤ５は、７７０μｍである。

コンデンサ２００の表裏面（第３面Ｆ３及び第４面Ｆ４）の少なくとも一方は、面積占有率４０％〜９０％で電極２１０、２２０を有していることが好ましい。すなわち、電極２１０の第３面Ｆ３において上部２１０ａ及び２２０ａが占める割合（以下、第１の面積占有率という）は、４０％〜９０％の範囲にあることが好ましい。また、電極２２０の第４面Ｆ４において下部２１０ｃ及び２２０ｃが占める割合（以下、第２の面積占有率という）は、４０％〜９０％の範囲にあることが好ましい。第１又は第２の面積占有率が４０％以上であると、電極２１０、２２０とビア導体３１１ｂ、３２１ｂとの電気的接続（ビア接続）のアライメントが容易になる。また、第１又は第２の面積占有率が９０％以下であると、電極２１０、２２０の表面でのデラミネーションが生じにくくなるため、デラミネーションを抑制するための処理、例えば電極２１０、２２０表面の粗化処理等を割愛し易くなる。なお、本実施形態では、第１及び第２の面積占有率（％）がそれぞれ、１００×（幅Ｄ１２×幅Ｄ１３＋幅Ｄ１２×幅Ｄ１３）／（幅Ｄ１１×幅Ｄ１２）に相当する。

本実施形態では、例えば図４に示すように、複数のスルーホール導体３００ｂ（及びフィルドスタックＳ）が、コンデンサ２００の周辺に配置される。ただしこれに限られず、スルーホール導体３００ｂの配置及び数は任意である。スルーホール導体３００ｂの数は１つであっても複数であってもよい。

基板１００は、例えばガラスクロス（心材）にエポキシ樹脂を含浸させたもの（以下、ガラエポという）からなる。心材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。心材としては、例えばガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）、アラミド繊維（例えばアラミド不織布）、又はシリカフィラー等の無機材料が好ましいと考えられる。ただし、基板１００の材料は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。基板１００は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。

本実施形態では、絶縁層１０１、１０２の各々が、心材を樹脂に含浸してなる。絶縁層１０１、１０２は、例えばガラエポからなる。ただしこれに限定されず、例えば絶縁層１０１、１０２は心材を含まない樹脂からなってもよい。また、絶縁層１０１、１０２の材料は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。各絶縁層は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。

導体層１１０は、銅箔１１１（下層）と、銅めっき１１２（上層）と、から構成され、導体層１２０は、銅箔１２１（下層）と、銅めっき１２２（上層）と、から構成される。導体層１１０、１２０は、例えば電気回路（例えばコンデンサ２００を含む電気回路）を構成する配線、ランド、及び配線板１０の強度を高めるためのベタパターンなどを有する。

導体層３０１に電気的に接続されるビア導体３１２ｂの各々は、図１に示すように、基準面Ｆ０に向かって幅が狭くなっている。また、コンデンサ２００の電極２１０、２２０（詳しくは、上部２１０ａ、２２０ａ）に電気的に接続されるビア導体３１１ｂの各々は、図１に示すように、基準面Ｆ０に向かって幅が狭くなっている。本実施形態では、図５Ａに示すように、ビア導体３１１ｂ及び３１２ｂの形状がそれぞれ、例えば導体層３０１又はコンデンサ２００の電極２１０、２２０から上層に向かって幅が広くなるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。ビア導体３１１ｂ、３１２ｂの各々は、例えば銅めっきからなる。

一方、導体層３０２に電気的に接続されるビア導体３２２ｂの各々は、図１に示すように、基準面Ｆ０に向かって幅が狭くなっている。また、コンデンサ２００の電極２１０、２２０（詳しくは、下部２１０ｃ、２２０ｃ）に電気的に接続されるビア導体３２１ｂの各々は、図１に示すように、基準面Ｆ０に向かって幅が狭くなっている。本実施形態では、図５Ｂに示すように、ビア導体３２１ｂ及び３２２ｂの形状がそれぞれ、例えば導体層３０２の導体パターン又はコンデンサ２００の電極２１０、２２０から上層に向かって幅が広くなるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。ビア導体３２１ｂ、３２２ｂの各々は、例えば銅めっきからなる。

基板１００の熱膨張係数（Ｘ、Ｙ方向）は、例えば３ｐｐｍ〜１１ｐｐｍの範囲にあり、コンデンサ２００の熱膨張係数は、例えば１０ｐｐｍ〜１５ｐｐｍの範囲にある。ただし、基板１００の厚さＴ２０（図２Ａ）が０．０６ｍｍ〜１．０ｍｍの範囲にある場合には、基板１００（コア基板）の熱膨張係数が、コンデンサ２００の熱膨張係数と同様もしくはこれよりも小さいことが好ましい。これにより、基板１００（コア基板）が薄い場合でも、反りを抑制し易くなる。

各導体層及び各ビア導体の材料は、導体であれば任意であり、金属でも非金属でもよい。各導体層及び各ビア導体は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。

本実施形態の基板１００には、基板１００（コア基板）中の基準面Ｆ０から第１面Ｆ１に向かって幅が広くなる第１導体部Ｒ１１と、基準面Ｆ０から第２面Ｆ２に向かって幅が広くなる第２導体部Ｒ１２と、を有するスルーホール導体３００ｂ（図２Ａ参照）が形成されている。このため、例えば図６に示すように、電極２１０の側部２１０ｂ（側面電極）においてコンデンサ２００の厚み方向（Ｚ方向）における中央部が両端部よりも外側に膨らんでいる場合、スルーホール導体３００ｂとコンデンサ２００（詳しくは、側部２１０ｂの表面）との距離Ｄ０が、コンデンサ２００の厚み方向において略均一になり易くなる。これにより、スルーホール導体３００ｂとコンデンサ２００との間での熱応力による収縮量がコンデンサ２００の厚み方向において略均一になるため、配線板１０に歪みが生じにくくなる。その結果、配線板１０の反りが抑制される。そして、配線板１０の反りが抑制されることにより、コンデンサ２００の電極２１０、２２０表面でのデラミネーション、各電気的接続部位における亀裂、又はコンデンサ２００のクラック等が生じにくくなる。その結果、配線板１０における電気的接続の信頼性が向上する。また、距離Ｄ０が均一になることで、スルーホール導体３００ｂとコンデンサ２００との間における絶縁信頼性を確保し易くなる。その結果、スルーホール導体３００ｂとコンデンサ２００とを互いに近づけることが可能になり、コンデンサ２００の近傍にスルーホール導体３００ｂを配置し易くなる。スルーホール導体３００ｂとコンデンサ２００との距離Ｄ０は１５０μｍ〜５００μｍの範囲にあることが好ましい。距離Ｄ０がこうした範囲にあれば、スルーホール導体３００ｂとコンデンサ２００との間における絶縁信頼性を確保しつつ、配線板１０の小型化を図り易くなる。特に好ましい一例では、距離Ｄ０は２００μｍである。

なお、図６の例では、側面電極（側部２１０ｂ）の中央部が、その両端部よりも寸法Ｄ２０だけ外側に膨らんでいる。

本実施形態では、絶縁層１０１（第１絶縁層）に形成される全てのビア導体（ビア導体３１１ｂ及び３１２ｂ）が基準面Ｆ０に向かって幅が狭くなり、且つ、絶縁層１０２（第２絶縁層）に形成される全てのビア導体（ビア導体３２１ｂ及び３２２ｂ）が基準面Ｆ０に向かって幅が狭くなる。これにより、応力等が、基板１００（コア基板）中の基準面Ｆ０に集中し易くなり、Ｘ−Ｙ平面における応力分布の均一化が図られると考えられる。またその結果、配線板１０の反りが抑制され、配線板１０における電気的接続の信頼性が向上すると考えられる。

配線板１０のビア導体は、基準面Ｆ０について対称的な構造を有する。詳しくは、基準面Ｆ０の第１面Ｆ１側に位置するビア導体（ビア導体３１１ｂ及び３１２ｂ）と、基準面Ｆ０の第２面Ｆ２側に位置するビア導体（ビア導体３２１ｂ及び３２２ｂ）とは、互いに対称的な配置及び形状を有する（図１参照）。これにより、基準面Ｆ０の両側で応力が相殺され易くなると考えられる。またその結果、配線板１０の反りが抑制され、配線板１０における電気的接続の信頼性が向上すると考えられる。

配線板１０の基準面Ｆ０を挟む上下（Ｚ１側及びＺ２側）間で熱膨張・熱収縮のアンバランスがある場合、配線板１０に反りが生じ易くなると考えられる。しかし、本実施形態では、剛性の高いコンデンサ２００（例えばＭＬＣＣ）及びスルーホール導体３００ｂが、基準面Ｆ０付近に位置するため、このような場合でも配線板１０に反りが生じにくい。すなわち、コンデンサ２００が存在する領域では、コンデンサ２００の剛性が高いことから、反りが抑制される。また、コンデンサ２００が存在しない領域でも、高い剛性を有し基準面Ｆ０から離れるに従って幅が広くなるスルーホール導体３００ｂにより、熱応力が、基準面Ｆ０から外側へ、ひいては基板１００全体に伝播されにくくなる。その結果、配線板１０の反りは抑制される。

以下、図７等を参照して、配線板１０の製造方法について説明する。図７は、本実施形態に係る配線板１０の製造方法の概略的な内容及び手順を示すフローチャートである。

ステップＳ１１では、図８に示すように、出発材料として両面銅張積層板１０００を準備する。両面銅張積層板１０００は、基板１００（コア基板）と、基板１００の第１面Ｆ１上に形成された銅箔１００１と、基板１００の第２面Ｆ２上に形成された銅箔１００２と、から構成される。本実施形態では、この段階において、基板１００が、完全に硬化した状態のガラエポからなる。

続けて、図７のステップＳ１２で、スルーホール導体３００ｂ及び導体層３０１、３０２を形成する。

詳しくは、図９に示すように、例えばＣＯ_２レーザを用いて、第１面Ｆ１側からレーザを両面銅張積層板１０００に照射することにより孔１００３を形成し、第２面Ｆ２側からレーザを両面銅張積層板１０００に照射することにより孔１００４を形成する。孔１００３の形状は第１導体部Ｒ１１（図２Ａ及び図２Ｂ参照）に対応し、孔１００４の形状は第２導体部Ｒ１２（図２Ａ及び図２Ｂ参照）に対応する。孔１００３と孔１００４とは、Ｘ−Ｙ平面において略同じ位置に形成され、最終的にはつながって、両面銅張積層板１０００を貫通するスルーホール３００ａとなる。スルーホール３００ａの形状は、スルーホール導体３００ｂ（図２Ａ及び図２Ｂ参照）に対応し、砂時計状（鼓状）である。孔１００３と孔１００４との境界は括れ部３００ｃ（図２Ａ及び図２Ｂ参照）に相当する。第１面Ｆ１に対するレーザ照射と第２面Ｆ２に対するレーザ照射とは、同時に行っても、片面ずつ行ってもよい。スルーホール３００ａを形成した後には、スルーホール３００ａについてデスミアを行うことが好ましい。デスミアにより、不要な導通（ショート）が抑制される。また、レーザ光の吸収効率を高めるため、レーザ照射に先立って銅箔１００１、１００２の表面を黒化処理してもよい。なお、スルーホール３００ａの形成は、ドリル又はエッチングなど、レーザ以外の方法で行ってもよい。ただし、レーザ加工であれば、微細な加工をし易い。特に、基板１００の熱膨張係数が小さい場合には、ドリル加工が困難になるため、レーザ加工が有効である。

続けて、例えばパネルめっき法により、図１０に示すように、銅箔１００１、１００２上及びスルーホール３００ａ内に、例えば銅のめっき１００５を形成する。具体的には、まず無電解めっきを行い、続けてめっき液を用いて、その無電解めっき膜をシード層として電解めっきを行うことにより、めっき１００５を形成する。これにより、スルーホール３００ａにめっき１００５が充填され、スルーホール導体３００ｂが形成される。

続けて、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、基板１００の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２に形成された各導体層のパターニングを行う。具体的には、導体層３０１、３０２に対応したパターンを有するエッチングレジストで各導体層を覆い、各導体層の、エッチングレジストで覆われない部分（エッチングレジストの開口部で露出する部位）を、エッチングで除去する。これにより、図１１に示すように、基板１００の第１面Ｆ１、第２面Ｆ２上にそれぞれ、導体層３０１、３０２が形成される。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。

本実施形態では、図１２Ａに示すように、基板１００上、キャビティＲ１０に対応した領域Ｒ１００には、導体層３０１が形成されない。導体層３０１がこうした導体パターンを有すると、キャビティＲ１０の位置及び形状が明確になるため、後の工程（図７のステップＳ１３）において、キャビティＲ１０を形成するためのレーザ照射のアライメントが容易になる。

ただし、導体層３０１の導体パターンは、図１２Ａに示すパターンに限られない。例えば図１２Ｂに示すように、基板１００上の、後の工程（図７のステップＳ１３）においてレーザを照射する部分（以下、レーザ照射路という）のみ、導体層３０１が形成されていなくてもよい。この場合、レーザ照射路の内側には、導体層３０１が存在する。こうした導体層３０１であっても、キャビティＲ１０を形成するためのレーザ照射のアライメントが容易になる。

また、本実施形態では、図１２Ａに示すように、導体層３０１がアライメントマーク３０１ａを有する。アライメントマーク３０１ａは、例えば後の工程（図７のステップＳ１４）において光学的に認識できるパターンであり、例えばエッチング等により、部分的に導体を除去することによって形成することができる。本実施形態では、アライメントマーク３０１ａが、領域Ｒ１００の周囲（例えば４隅）に配置される。ただしこれに限られず、アライメントマーク３０１ａの配置及び形状は任意である。

続けて、図７のステップＳ１３で、基板１００（コア基板）にキャビティＲ１０を形成する。本実施形態では、図１３に示すように、基板１００にレーザを照射することにより、キャビティＲ１０を形成する。具体的には、例えば図１２Ａに示すように、四角形を描くようにレーザを照射することにより、基板１００における、キャビティＲ１０に対応した領域Ｒ１００を、その周りの部分から切り取る。レーザの照射角度は、例えば基板１００の第１面Ｆ１に対して略垂直の角度とする。これにより、図１４に示すように、キャビティＲ１０が形成される。本実施形態では、キャビティＲ１０をレーザにより形成するため、キャビティＲ１０が容易に得られる。キャビティＲ１０は、コンデンサ２００の収容スペースとなる。

続けて、図７のステップＳ１４で、コンデンサ２００を、基板１００のキャビティＲ１０に配置する。

具体的には、図１５に示すように、例えばＰＥＴ（ポリ・エチレン・テレフタレート）からなるキャリア１００６を、基板１００の片側（例えば第２面Ｆ２）に設ける。これにより、キャビティＲ１０（孔）の一方の開口がキャリア１００６で塞がれる。本実施形態では、キャリア１００６が、粘着シート（例えばテープ）からなり、基板１００側に粘着性を有する。キャリア１００６は、例えばラミネートにより、基板１００と接着される。

続けて、図１６に示すように、キャビティＲ１０（孔）の塞がれた開口とは反対側（Ｚ１側）から、キャビティＲ１０にコンデンサ２００を入れる。コンデンサ２００は、例えば部品実装機によりキャビティＲ１０に入れ込まれる。例えばコンデンサ２００は、真空チャック等により保持され、キャビティＲ１０の上方（Ｚ１側）に運ばれた後、そこから鉛直方向に沿って下降し、キャビティＲ１０に入れられる。これにより、図１７に示すように、キャリア１００６（粘着シート）上に、コンデンサ２００が配置される。なお、コンデンサ２００の位置決めをする際には、アライメントマーク３０１ａ（図１２Ａ、図１２Ｂ参照）を用いることが好ましい。そうすることで、コンデンサ２００とキャビティＲ１０との位置合わせの精度を高めることが可能になると考えられる。

本実施形態では、コンデンサ２００の電極２１０、２２０及び導体層３０１、３０２の表面を粗化しない。しかし、必要に応じて、エッチング等により粗化してもよい。

続けて、図７のステップＳ１５で、図１８に示すように、半硬化の状態で、キャビティＲ１０（孔）の塞がれた開口とは反対側（Ｚ１側）の、基板１００の第１面Ｆ１上及びコンデンサ２００の第３面Ｆ３上に、絶縁層１０１（第１の層間絶縁層）を配置する。さらに、絶縁層１０１上に、銅箔１１１（第１の銅箔）を配置する。絶縁層１０１は、例えばガラエポのプリプレグからなる。続けて、図１９Ａに示すように、絶縁層１０１を半硬化の状態でプレスすることにより、絶縁層１０１から樹脂を流出させてキャビティＲ１０へ流し込む。これにより、図１９Ｂに示すように、キャビティＲ１０における基板１００とコンデンサ２００との隙間Ｒ１に絶縁体１０１ａ（絶縁層１０１を構成する樹脂）が充填される。この際、基板１００とコンデンサ２００との隙間が狭ければ、コンデンサ２００の固定が弱くても、樹脂がキャビティＲ１０へ流れ込む勢いで、コンデンサ２００の位置ずれや、好ましくない傾きは生じにくい。なお、絶縁体１０１ａは、基板１００及びコンデンサ２００のいずれよりも大きな熱膨張係数を有する。

キャビティＲ１０に絶縁体１０１ａが充填されたら、その充填樹脂（絶縁体１０１ａ）とコンデンサ２００との仮溶着を行う。具体的には、加熱により充填樹脂にコンデンサ２００を支持できる程度の保持力を発現させる。これにより、キャリア１００６に支持されていたコンデンサ２００が、充填樹脂によって支持されるようになる。その後、キャリア１００６を除去する。

なお、この段階では、絶縁体１０１ａ（充填樹脂）及び絶縁層１０１は半硬化しているにすぎず、完全には硬化していない。ただしこれに限られず、例えば、この段階で絶縁体１０１ａ及び絶縁層１０１を完全に硬化させてもよい。

続けて、図７のステップＳ１６で、基板１００の第２面Ｆ２側にビルドアップを行う。

具体的には、図２０に示すように、基板１００の第２面Ｆ２上に、絶縁層１０２（第２の層間絶縁層）及び銅箔１２１（第２の銅箔）を配置する。絶縁層１０２は、例えばガラエポのプリプレグからなる。続けて、例えばプレスにより、絶縁層１０２を半硬化の状態で基板１００及びコンデンサ２００に接着させた後、加熱して絶縁層１０１、１０２の各々を硬化させる。本実施形態では、粘着シート（キャリア１００６）を除去した後に、キャビティＲ１０に充填した樹脂を硬化させるため、絶縁層１０１、１０２の硬化を同時に行うことが可能になる。そして、両面の絶縁層１０１、１０２の硬化を同時に行うことにより、基板１００の反りが抑制されるため、基板１００を薄くし易くなる。

続く図７のステップＳ１７では、ビア導体及び導体層を形成する。

詳しくは、図２１に示すように、例えばレーザにより、絶縁層１０１及び銅箔１１１に孔３１１ａ及び３１２ａ（それぞれビアホール）を形成し、絶縁層１０２及び銅箔１２１に孔３２１ａ及び３２２ａ（それぞれビアホール）を形成する。孔３１１ａ及び３１２ａの各々は絶縁層１０１及び銅箔１１１を貫通し、孔３２１ａ及び３２２ａの各々は絶縁層１０２及び銅箔１２１を貫通する。そして、孔３１１ａ及び３２１ａの各々は、コンデンサ２００の電極２１０又は２２０に至り、孔３１２ａ及び３２２ａの各々は、スルーホール導体３００ｂの直上に至る。その後、必要に応じて、デスミアを行う。

続けて、図２２Ａに示すように、例えば化学めっき法により、銅箔１１１、１２１上及び孔３１１ａ、３１２ａ、３２１ａ、３２２ａ内に、例えば銅の無電解めっき膜１００７、１００８を形成する。なお、無電解めっきに先立って、例えば浸漬により、パラジウム等からなる触媒を、絶縁層１０１、１０２の表面に吸着させてもよい。

続けて、図２２Ｂに示すように、リソグラフィ技術又は印刷等により、第１面Ｆ１側の主面（無電解めっき膜１００７上）に、開口部１００９ａを有するめっきレジスト１００９を、また、第２面Ｆ２側の主面（無電解めっき膜１００８上）に、開口部１０１０ａを有するめっきレジスト１０１０を、それぞれ形成する。開口部１００９ａ、１０１０ａはそれぞれ、導体層１１０、１２０（図１）に対応したパターンを有する。

続けて、図２２Ｃに示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト１００９、１０１０の開口部１００９ａ、１０１０ａに、それぞれ例えば銅の電解めっき１０１１、１０１２を形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜１００７、１００８を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、無電解めっき膜１００７、１００８の表面に銅を析出させる。これにより、孔３１１ａ及び３１２ａ、孔３２１ａ及び３２２ａに、それぞれ電解めっき１０１１、１０１２が充填され、例えば銅のめっきからなるビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２１ｂ、３２２ｂが形成される。

その後、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト１００９及び１０１０を除去し、続けて不要な無電解めっき膜１００７、１００８及び銅箔１１１、１２１を除去することにより、図２３に示すように、導体層１１０及び１２０が形成される。

なお、電解めっきのためのシード層は無電解めっき膜に限られず、無電解めっき膜１００７、１００８に代えて、スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。

続けて、図７のステップＳ１８で、絶縁層１０１、１０２上にそれぞれ、開口部１１ａを有するソルダーレジスト１１、開口部１２ａを有するソルダーレジスト１２を形成する（図１参照）。導体層１１０、１２０はそれぞれ、開口部１１ａ、１２ａに位置する所定の部位（パッドＰ１、Ｐ２及びランド等）を除いて、ソルダーレジスト１１、１２で覆われる。ソルダーレジスト１１及び１２は、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、形成することができる。

続けて、電解めっき又はスパッタリング等により、導体層１１０、１２０上、詳しくはソルダーレジスト１１、１２に覆われないパッドＰ１、Ｐ２（図１参照）の表面にそれぞれ、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層を形成する。また、ＯＳＰ処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。

こうして、基板１００の第１面Ｆ１上に、絶縁層１０１及び導体層１１０から構成される第１ビルドアップ部Ｂ１が形成され、基板１００の第２面Ｆ２上に、絶縁層１０２及び導体層１２０から構成される第２ビルドアップ部Ｂ２が形成される。その結果、本実施形態の配線板１０（図１）が完成する。その後、必要があれば、コンデンサ２００の電気テスト（容量値及び絶縁性などのチェック）を行う。

本実施形態の製造方法は、配線板１０の製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板１０が得られると考えられる。

本実施形態の配線板１０は、例えば電子部品又は他の配線板と電気的に接続することができる。例えば図２４に示すように、半田等により、配線板１０のパッドＰ２に電子部品４００（例えばＩＣチップ）を実装することができる。また、パッドＰ１により、配線板１０を他の配線板５００（例えばマザーボード）に実装することができる。本実施形態の配線板１０は、例えば携帯電話の回路基板として用いることができる。

本発明は、上記実施形態に限定されない。例えば以下のように変形して実施することもできる。

上記実施形態では、スルーホール導体３００ｂは、基準面Ｆ０について対称的な形状を有していたが、スルーホール導体３００ｂの形状はこれに限定されない。図２５に示すように、基準面Ｆ０について非対称的な形状を有するスルーホール導体３００ｂであってもよい。図２５の例では、第２面Ｆ２から基準面Ｆ０までの寸法Ｔ１２が、第１面Ｆ１から基準面Ｆ０までの寸法Ｔ１１よりも大きい。また、スルーホール導体３００ｂの寸法について、第１面Ｆ１側端面の幅Ｄ３１と、括れ部３００ｃの幅Ｄ３２と、第２面Ｆ２側端面の幅Ｄ３３とは、大きい方から、幅Ｄ３１、幅Ｄ３３、幅Ｄ３２の順になっている。第１導体部Ｒ１１の側面は曲面であり、第２導体部Ｒ１２の側面は平面である。第１導体部Ｒ１１のテーパ角度θ１は、第２導体部Ｒ１２のテーパ角度θ２よりも大きい。

以下、図２６Ａ〜図２７Ｂを参照して、図２５に示すスルーホール導体３００ｂの製造方法の一例について説明する。

まず、図２６Ａに示すように、上記実施形態と同様、両面銅張積層板１０００を準備する（図７のステップＳ１１参照）。

続けて、図２６Ｂに示すように、例えばＣＯ_２レーザを用いて、第１面Ｆ１側からレーザを両面銅張積層板１０００に照射することにより孔１００３を形成する。孔１００３は有底孔であり、孔１００３の形状は、例えば深くなるにつれ幅が狭くなるようにテーパした半球状である。孔１００３の形状は第１導体部Ｒ１１（図２５参照）に対応する。すなわち、孔１００３の壁面は曲面になる。

続けて、図２６Ｃに示すように、例えば両面銅張積層板１０００を裏返して、第２面Ｆ２側からレーザを両面銅張積層板１０００に照射することにより、孔１００３につながる孔１００４を形成する。孔１００４の形状は第２導体部Ｒ１２（図２５参照）に対応する。孔１００３と孔１００４とがつながることで、両面銅張積層板１０００を貫通するスルーホール３００ａが形成される。その後、必要に応じて、スルーホール３００ａについてデスミアを行う。スルーホール３００ａの形状は、スルーホール導体３００ｂ（図２５参照）に対応し、砂時計状（鼓状）となる。孔１００３と孔１００４との境界は括れ部３００ｃ（図２５参照）に相当する。なお、第１面Ｆ１に対するレーザ照射と第２面Ｆ２に対するレーザ照射とは、同時に行ってもよい。

続けて、図２７Ａに示すように、無電解めっきを行い、銅箔１００１、１００２上及びスルーホール３００ａ内に、例えば銅の無電解めっき膜１００５ａを形成する。

続けて、図２７Ｂに示すように、めっき液を用いて、無電解めっき膜１００５ａをシード層として電解めっきを行うことにより、電解めっき１００５ｂを形成する。これにより、無電解めっき膜１００５ａ及び電解めっき１００５ｂからなるめっき１００５がスルーホール３００ａに充填され、スルーホール導体３００ｂが形成される。

続けて、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、基板１００の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２に形成された各導体層のパターニングを行う。これにより、基板１００の第１面Ｆ１、第２面Ｆ２上にそれぞれ、導体層３０１、３０２が形成される（図２５参照）。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。

上記実施形態では、スルーホール導体３００ｂにおける第１導体部Ｒ１１及び第２導体部Ｒ１２のテーパ角度がそれぞれ略一定であったが、これに限定されない。例えば図２８に示すように、第１導体部Ｒ１１が、テーパ角度θ１１の導体部Ｒ２１と、テーパ角度θ１１よりも小さなテーパ角度θ１２を有する（すなわち、幅が狭くなる割合又は幅が広くなる割合が小さい）導体部Ｒ２２と、から構成されていてもよい。図２８の例では、第１面Ｆ１から導体部Ｒ２１と導体部Ｒ２２との境界面Ｆ２０に向かって幅が狭くなる導体部Ｒ２１と、境界面Ｆ２０から基準面Ｆ０に向かって幅が狭くなる導体部Ｒ２２と、基準面Ｆ０から第２面Ｆ２に向かって幅が広くなる第２導体部Ｒ１２とが、互いに接続されることで、スルーホール導体３００ｂが形成されている。導体部Ｒ２１と導体部Ｒ２２と第２導体部Ｒ１２とは、連続的（一体的）に形成されている。導体部Ｒ２１の側面及び第２導体部Ｒ１２の側面はそれぞれ曲面であり、導体部Ｒ２２の側面は平面である。導体部Ｒ２１のテーパ角度θ１１と第２導体部Ｒ１２のテーパ角度θ２とは、互いに略同一である。

また、第２面Ｆ２から基準面Ｆ０までの寸法Ｔ１２は、第１面Ｆ１から基準面Ｆ０までの寸法Ｔ１１よりも小さい。スルーホール導体３００ｂの寸法については、第１面Ｆ１側端面の幅Ｄ３１と、括れ部３００ｃの幅Ｄ３２と、第２面Ｆ２側端面の幅Ｄ３３と、導体部Ｒ２１と導体部Ｒ２２との境界部の幅Ｄ３４とが、大きい方から、幅Ｄ３１（＝幅Ｄ３３）、幅Ｄ３４、幅Ｄ３２の順になっている。

以下、図２９Ａ〜図３０Ｂを参照して、図２８に示すスルーホール導体３００ｂの製造方法の一例について説明する。

まず、図２９Ａに示すように、上記実施形態と同様、両面銅張積層板１０００を準備する（図７のステップＳ１１参照）。

続けて、図２９Ｂに示すように、例えばＣＯ_２レーザを用いて、第１面Ｆ１側からレーザを両面銅張積層板１０００に照射することにより孔１００３ａを形成し、第２面Ｆ２側からレーザを両面銅張積層板１０００に照射することにより孔１００４を形成する。孔１００３ａと孔１００４とは、それぞれ有底孔であり、Ｘ−Ｙ平面において略同じ位置に、Ｚ方向にずれて形成される。これにより、孔１００３ａと孔１００４とは、基板１００を挟んで、互いに対向するように配置される。孔１００３ａの形状は導体部Ｒ２１（図２８参照）に対応し、孔１００４の形状は第２導体部Ｒ１２（図２８参照）に対応する。孔１００３ａ及び１００４の形状はそれぞれ、例えば深くなるにつれ幅が狭くなるようにテーパした半球状である。孔１００３ａ及び１００４の壁面はそれぞれ、例えば曲面になる。第１面Ｆ１に対するレーザ照射と第２面Ｆ２に対するレーザ照射とは、片面ずつ行っても、同時に行ってもよい。

続けて、図２９Ｃに示すように、例えばＣＯ_２レーザを用いて、第１面Ｆ１側からレーザを両面銅張積層板１０００（詳しくは孔１００３ａ内）に照射することにより、孔１００３ａと孔１００４とを連通させる孔１００３ｂを形成する。孔１００３ｂの形状は導体部Ｒ２２（図２８参照）に対応する。孔１００３ａと孔１００３ｂと孔１００４とがつながることで、両面銅張積層板１０００を貫通するスルーホール３００ａが形成される。その後、必要に応じて、スルーホール３００ａについてデスミアを行う。スルーホール３００ａの形状は、スルーホール導体３００ｂ（図２８参照）に対応し、砂時計状（鼓状）となる。孔１００３ｂと孔１００４との境界は括れ部３００ｃ（図２８参照）に相当する。

続けて、図３０Ａに示すように、無電解めっきを行い、銅箔１００１、１００２上及びスルーホール３００ａ内に、例えば銅の無電解めっき膜１００５ａを形成する。

続けて、図３０Ｂに示すように、めっき液を用いて、無電解めっき膜１００５ａをシード層として電解めっきを行うことにより、電解めっき１００５ｂを形成する。これにより、無電解めっき膜１００５ａ及び電解めっき１００５ｂからなるめっき１００５がスルーホール３００ａに充填され、スルーホール導体３００ｂが形成される。

続けて、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、基板１００の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２に形成された各導体層のパターニングを行う。これにより、基板１００の第１面Ｆ１、第２面Ｆ２上にそれぞれ、導体層３０１、３０２が形成される（図２８参照）。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。

図３１に示すように、スルーホール導体３００ｂにおける第１導体部Ｒ１１と第２導体部Ｒ１２とは、Ｘ方向又はＹ方向にずれて連結されていてもよい。また、第１導体部Ｒ１１と第２導体部Ｒ１２との境界面は、配線板の主面に対して傾いていてもよく、曲面であってもよい。

コンデンサ２００及びキャビティＲ１０の形状は任意である。例えば図３２に示すように、キャビティＲ１０の開口形状が略楕円であってもよい。コンデンサ２００の主面の形状、及びキャビティＲ１０の開口形状は、略円（略真円）であってもよく、また、略正方形、略正六角形、略正八角形など、略長方形以外の略多角形であってもよい。なお、多角形の角の形状は任意であり、例えば略直角でも、鋭角でも、鈍角でも、丸みを帯びていてもよい。

スルーホール導体３００ｂ又はビア導体３１１ｂ等のフィルド導体の平面形状は、円に限られず任意である。配線板におけるフィルド導体の平面形状は、例えば図３３Ａに示すように、正方形等の四角形であってもよく、例えば図３３Ｂ又は図３３Ｃに示すように、十字形又は正多角星形など、中心から放射状に直線を引いた形（複数の羽根を放射状に配置した形）であってもよく、その他、楕円又は三角形等であってもよい。また、第１導体部Ｒ１１、第２導体部Ｒ１２、及び括れ部３００ｃの平面形状が、互いに異なる形状であってもよい。例えば第１導体部Ｒ１１及び第２導体部Ｒ１２の平面形状がそれぞれ円であって、括れ部３００ｃの平面形状が四角形であってもよい。

上記実施形態では、コンデンサ２００について両面ビア構造を有していたが、これに限定されない。例えば図３４に示すように、コンデンサ２００の電極２１０、２２０に電気的に接続するビア導体３１１ｂを片側のみに有する配線板であってもよい。

上記実施形態では、キャビティＲ１０（コンデンサ２００の収容スペース）にコンデンサ２００を１つのみ有する配線板（配線板１０）を示したが、これに限られない。例えばキャビティＲ１０に複数のコンデンサ２００を有する配線板であってもよい。複数のコンデンサ２００は、積層方向（Ｚ方向）に並べて配置しても、Ｘ方向又はＹ方向に並べて配置してもよい。また、複数のキャビティＲ１０を形成してもよい。

上記実施形態では、コア基板の両側に導体層を有する両面配線板（配線板１０）を示したが、これに限られない。例えば図３４に示すように、コア基板（基板１００）の片側のみに第１ビルドアップ部Ｂ１（導体層１１０を含む）を有する片面配線板であってもよい。

また、例えば図３４に示されるように、キャビティＲ１０（コンデンサ２００の収容スペース）は、基板１００を貫通しない孔（凹部）であってもよい。この場合も、コンデンサ２００の厚さとキャビティＲ１０（孔）の深さとは、略一致することが好ましいと考えられる。

上記実施形態では、基板１００の厚さとコンデンサ２００の厚さとが略一致している例を示したが、これに限られない。例えば図３４に示されるように、コンデンサ２００の厚さよりも基板１００の厚さの方が大きくてもよい。

基板１００（コア基板）の片側に２層以上のビルドアップ層を有する配線板であってもよい。例えば図３５に示すように、基板１００の第１面Ｆ１側に、２層の絶縁層１０１、１０３と２層の導体層１１０、１３０とが交互に積層され、基板１００の第２面Ｆ２側に、２層の絶縁層１０２、１０４と２層の導体層１２０、１４０とが交互に積層されてもよい。図３５の例では、絶縁層１０１上の導体層１１０と絶縁層１０３上の導体層１３０とが、絶縁層１０３に形成された孔３３２ａ（ビアホール）内のビア導体３３２ｂを介して、互いに電気的に接続される。また、絶縁層１０２上の導体層１２０と絶縁層１０４上の導体層１４０とが、絶縁層１０４に形成された孔３４２ａ（ビアホール）内のビア導体３４２ｂを介して、互いに電気的に接続される。スルーホール導体３００ｂ及びビア導体３１２ｂ、３２２ｂ、３３２ｂ、３４２ｂは、いずれもフィルド導体であり、これらがＺ方向にスタックされることで、フィルドスタックＳが形成されている。

図３５の例では、基板１００（コア基板）の第１面Ｆ１側に形成される第１ビルドアップ部Ｂ１に含まれる全てのビア導体（ビア導体３１１ｂ及び３１２ｂ及び３３２ｂ）がそれぞれ、基準面Ｆ０に向かって幅が狭くなり、基板１００（コア基板）の第２面Ｆ２側に形成される第２ビルドアップ部Ｂ２に含まれる全てのビア導体（ビア導体３２１ｂ及び３２２ｂ及び３４２ｂ）がそれぞれ、基準面Ｆ０に向かって幅が狭くなる。これにより、応力等が、基板１００（コア基板）中の基準面Ｆ０に集中し易くなり、Ｘ−Ｙ平面における応力分布の均一化が図られると考えられる。またその結果、配線板の反りが抑制され、配線板における電気的接続の信頼性が向上すると考えられる。そして、特に、絶縁層１０１（第１絶縁層）に形成される全てのビア導体（ビア導体３１１ｂ及び３１２ｂ）が基準面Ｆ０に向かって幅が狭くなり、且つ、絶縁層１０２（第２絶縁層）に形成される全てのビア導体（ビア導体３２１ｂ及び３２２ｂ）が基準面Ｆ０に向かって幅が狭くなる構成が、上述の配線板の反りを抑制する効果に寄与すると考えられる。

また、基板１００の第１面Ｆ１側と基板１００の第２面Ｆ２側とで、ビルドアップ層の数が異なっていてもよい。ただし、応力を緩和するためには、基板１００の第１面Ｆ１側と基板１００の第２面Ｆ２側とで、ビルドアップ層の数を同じにして、表裏の対称性を高めることが好ましいと考えられる。

図３６に示すように、基板１００（コア基板）が金属板１００ａ（例えば銅箔）を内蔵していてもよい。こうした基板１００では、金属板１００ａにより放熱性が向上する。図３６の例では、金属板１００ａに至るビア導体１００ｂが基板１００に形成され、金属板１００ａとグランドライン（導体層３０１、３０２に含まれる導体パターン）とが、ビア導体１００ｂを介して、互いに電気的に接続されている。金属板１００ａは、図３６に示すように、基準面Ｆ０付近に配置されることが好ましい。金属板１００ａの平面形状は任意であり、例えば図３７Ａに示すように四角形であってもよく、例えば図３７Ｂに示すように円であってもよい。

金属板１００ａは、例えば図３８に示すように、キャビティＲ１０（開口部）を囲むように形成されてもよい。図３８の例では、キャビティＲ１０の四方に、スルーホール導体３００ｂが配置される。基板１００（コア基板）上には、スルーホール導体３００ｂのランド３０１ｂと、ランド３０１ｂに接続される配線３０１ｃと、が形成される。導体層３０１には、ランド３０１ｂ及び配線３０１ｃに含まれる。

図３８の例では、基板１００（コア基板）の貫通部（キャビティＲ１０又はスルーホール３００ａ等）近傍を除く略全面に、金属板１００ａが設けられている。金属板１００ａは、貫通部近傍（例えば貫通部から距離Ｄ４０の範囲）を避けて形成されている。距離Ｄ４０は、例えば１２０μｍである。また、基板１００（コア基板）上の導体層３０１は、金属板１００ａよりもキャビティＲ１０（開口部）から離れた位置に形成されている。すなわち、導体層３０１及び金属板１００ａはそれぞれ、キャビティＲ１０近傍を避けて形成されている。さらに、金属板１００ａの一部は、スルーホール導体３００ｂ（又はスルーホール３００ａ）とキャビティＲ１０との間に配置されている。

図３８中の寸法の好ましい一例を示す。コンデンサ２００と金属板１００ａとの距離Ｄ４１は、例えば１６０μｍである。コンデンサ２００と基板１００との隙間Ｒ１（幅Ｄ３及びＤ４の各々）は、例えば４０μｍである。

金属板１００ａは、例えばキャビティＲ１０から１２０μｍ（距離Ｄ４１−幅Ｄ３）の範囲には形成されていない。また、基板１００（コア基板）上の導体層３０１は、金属板１００ａよりもキャビティＲ１０（開口部）から離れた位置に形成されている。すなわち、導体層３０１及び金属板１００ａはそれぞれ、キャビティＲ１０近傍を避けて形成されている。

基板１００（コア基板）上の導体層３０１は、例えば図３９Ａ〜図３９Ｃに示すように、金属板１００ａよりもキャビティＲ１０（開口部）に近い位置に形成されてもよい。

図３９Ａの例では、スルーホール導体３００ｂのランド３０１ｂが、金属板１００ａよりもキャビティＲ１０（開口部）に近い位置に形成されている。すなわち、コンデンサ２００とランド３０１ｂとの距離Ｄ４２は、コンデンサ２００と金属板１００ａとの距離Ｄ４１よりも小さい。

図３９Ｂの例では、導体層３０１に含まれる補強パターン３０１ｄが、金属板１００ａよりもキャビティＲ１０（開口部）に近い位置に形成されている。すなわち、コンデンサ２００と補強パターン３０１ｄとの距離Ｄ４３は、コンデンサ２００と金属板１００ａとの距離Ｄ４１よりも小さい。図３９Ｂの例では、リング状の外形を有する補強パターン３０１ｄが、キャビティＲ１０（開口部）を囲むように形成されている。

図３９Ｃの例では、導体層３０１に含まれる配線パターン３０１ｅが、金属板１００ａよりもキャビティＲ１０（開口部）に近い位置に形成されている。すなわち、コンデンサ２００と配線パターン３０１ｅとの距離Ｄ４４は、コンデンサ２００と金属板１００ａとの距離Ｄ４１よりも小さい。

以下、図４０Ａ及び図４０Ｂを参照して、図３６に示す基板１００（コア基板）の製造方法の一例について説明する。

まず、図４０Ａに示すように、例えば銅箔からなる金属板１００ａを挟むように絶縁層２００１、２００２を配置し、さらに絶縁層２００１上に銅箔１００１を配置し、絶縁層２００２上に銅箔１００２を配置する。これにより、絶縁層２００１（第１絶縁樹脂層）と、所定のパターンを有する金属板１００ａと、絶縁層２００２（第２絶縁樹脂層）とが、この順で積層される。絶縁層２００１、２００２はそれぞれ、例えばガラエポのプリプレグからなる。金属板１００ａは、例えば図３８に示すパターン（Ｘ−Ｙ平面）を有する。金属板１００ａの厚さＤ２２は、例えば３５μｍである。

続けて、銅箔１００１、絶縁層２００１、金属板１００ａ、絶縁層２００２、及び銅箔１００２の積層体をプレスして、金属板１００ａに向けて圧力を加える。絶縁層２００１、２００２を半硬化の状態でプレスすることにより、図４０Ｂに示すように、絶縁層２００１、２００２からそれぞれ樹脂を流出させる。これにより、金属板１００ａの側方（金属板１００ａのパターンにおける金属板１００ａが無い部分）に絶縁層２００１又は２００２を構成する樹脂を充填され、絶縁層２００３が形成される。その後、加熱して絶縁層２００１、２００２、２００３の各々を硬化させる。これにより、金属板１００ａを内蔵する基板１００（コア基板）が完成する。

こうした方法により製造された配線板では、図４１に示すように、キャビティＲ１０（開口部）におけるコンデンサ２００と基板１００（コア基板）との隙間Ｒ１に絶縁体１０１ａ（第１絶縁体）が充填され、基板１００は、金属板１００ａとキャビティＲ１０との間に、絶縁層２００３（第２絶縁体）を有する。絶縁層２００３は、絶縁体１０１ａとは異なる材料からなる。具体的には、絶縁体１０１ａは、キャビティＲ１０におけるコンデンサ２００と基板１００との隙間Ｒ１を跨いで基板１００上及びコンデンサ２００上に形成される絶縁層１０１又は１０２を構成する樹脂からなる（図１９Ａ参照）。一方、絶縁層２００３は、絶縁層２００１、２００２を構成する樹脂からなる（図４０Ｂ参照）。ここで、絶縁層１０１、１０２を構成する樹脂の各々は、絶縁層２００１、２００２を構成する各樹脂よりも、熱膨張率（ＣＴＥ）が低い。このため、絶縁体１０１ａの熱膨張率は、絶縁層２００３よりも低くなっている。これにより、コンデンサと樹脂とのＣＴＥミスマッチが緩和され、コンデンサと樹脂との間の密着性が向上する。絶縁層１０１、１０２の各々は、例えば無機フィラー入りエポキシ系樹脂フィルム（無機フィラー含有率４０％以上）からなり、絶縁層２００１、２００２の各々は、例えばプリプレグ（ガラス基材入りエポキシ系樹脂シート）からなる。

電子部品内蔵配線板の好ましい一例としては、図４２Ａに示すような配線板も考えられる。以下、図４２Ａに示す配線板について、上記実施形態との相違点を中心に説明する。

図４２Ａの例では、基板１００の第１面Ｆ１側に、４層の絶縁層１０１、１０３、１０５、１０７（それぞれ層間絶縁層）と４層の導体層１１０、１３０、１５０、１７０とが交互に積層されて、これらが第１ビルドアップ部Ｂ１を構成している。また、基板１００の第２面Ｆ２側に、４層の絶縁層１０２、１０４、１０６、１０８（それぞれ層間絶縁層）と４層の導体層１２０、１４０、１６０、１８０とが交互に積層されて、これらが第２ビルドアップ部Ｂ２を構成している。基板１００の第１面Ｆ１上の導体層３０１、及びそれよりも上層の導体層１１０、１３０、１５０、１７０は、各層間絶縁層に形成されたビア導体３１２ｂ、３３２ｂ、３５２ｂ、３７２ｂにより、相互に電気的に接続されている。また、基板１００の第２面Ｆ２上の導体層３０２、及びそれよりも上層の導体層１２０、１４０、１６０、１８０は、各層間絶縁層に形成されたビア導体３２２ｂ、３４２ｂ、３６２ｂ、３８２ｂにより、相互に電気的に接続されている。

図４２Ａの例でも、上記実施形態と同様、コンデンサ２００が、基板１００に形成されたキャビティＲ１０（貫通孔）に配置されて、基板１００の側方（Ｘ方向又はＹ方向）に位置する。ただし、コンデンサ２００の電極２１０、２２０は、片面（第１面Ｆ１側）からのみ、ビア導体３１１ｂに接続されている。コンデンサ２００の電極２１０、２２０はそれぞれ、絶縁層１０１に形成されたビア導体３１１ｂを介して、導体層１１０に電気的に接続される。コンデンサ２００は、片面ビア構造によって、配線板に内蔵（実装）される。

好ましい一例では、基板１００はガラエポからなり、絶縁層１０１、１０２はそれぞれ、樹脂（プリプレグ）付き銅箔からなり、絶縁層１０３、１０４、１０５、１０６、１０７、１０８はそれぞれ、ＡＢＦ（Ajinomoto Build-up Film：味の素ファインテクノ株式会社製）からなる。ＡＢＦは、絶縁材料を２枚の保護シートで挟んだフィルムである。

導体層１１０、１２０はそれぞれ、例えば銅箔（下層）及び銅めっき（上層）からなり、例えばサブトラクティブ法により形成される。また、導体層１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０はそれぞれ、例えば銅めっきからなり、例えばセミアディティブ（ＳＡＰ）法により形成される。ビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２２ｂはそれぞれ、例えば銅めっきからなるコンフォーマル導体であり、ビア導体３３２ｂ、３４２ｂ、３５２ｂ、３６２ｂ、３７２ｂ、３８２ｂはそれぞれ、例えば銅めっきからなるフィルド導体である。

好ましい一例では、基板１００の厚さは６００μｍであり、コンデンサ２００の厚さ（電極２１０、２２０を含む）は５５０μｍであり、導体層３０１、３０２の厚さはそれぞれ、３５μｍであり、導体層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０の厚さはそれぞれ、６０μｍである。

基板１００（コア基板）にはスルーホール３００ａが形成され、スルーホール３００ａの壁面に導体膜（例えば銅めっき）が形成されることにより、スルーホール導体３００ｄが形成される。基板１００の第１面Ｆ１上の導体層３０１と基板１００の第２面Ｆ２上の導体層３０２とは、互いにスルーホール導体３００ｄを介して電気的に接続される。スルーホール３００ａの形状は、例えば円柱である。

スルーホール３００ａにおけるスルーホール導体３００ｄの内側（詳しくは、スルーホール導体３００ｄ、ランド３００ｆ、３００ｇで囲まれる空隙）には、絶縁体３００ｅが充填される。導体層３０１、３０２に含まれるランド３００ｆ、３００ｇはそれぞれ、図４２Ｂに示すように、例えば銅のめっきにより絶縁体３００ｅ上に形成される面状の導体（蓋めっき）であり、スルーホール導体３００ｄに電気的に接続される。絶縁体３００ｅは、例えば樹脂からなる。

導体層１７０は、第１面Ｆ１側の最外の導体層となり、導体層１８０は、第２面Ｆ２側の最外の導体層となる。導体層１７０、１８０上にはそれぞれ、ソルダーレジスト１１、１２が形成される。ただし、ソルダーレジスト１１、１２にはそれぞれ、開口部１１ａ、１２ａが形成されている。このため、導体層１７０の所定の部位（開口部１１ａに位置する部位）は、ソルダーレジスト１１に覆われず露出しており、パッドＰ１となる。また、導体層１８０の所定の部位（開口部１２ａに位置する部位）は、パッドＰ２となる。パッドＰ１、Ｐ２はそれぞれ、その表面に、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層１７０ａ、１８０ａを有する。耐食層１７０ａ、１８０ａはそれぞれ、例えば電解めっき又はスパッタリングにより形成することができる。また、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層１７０ａ、１８０ａを形成してもよい。

上記図４２Ａに示す配線板において、スルーホール導体３００ｄ（コンフォーマル導体）に代えて、上記実施形態（図１等を参照）に係る砂時計状（鼓状）のスルーホール導体３００ｂ（フィルド導体）を適用してもよい。この場合も、上記実施形態と同様、配線板における電気的接続の信頼性を高めることが可能になる。

配線板１０の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。

コンデンサ２００の電極２１０及び２２０の形状は、Ｕ字形状に限定されず、例えば平板状の電極対でコンデンサ本体２０１を挟むものであってもよい。

コンデンサ２００の種類は、ＭＬＣＣに限られず任意である。

例えばビア導体３１１ｂ等は、フィルド導体に限られず、例えばコンフォーマル導体であってもよい。

コンデンサ２００をビア接続（ビア導体３１１ｂ、３２１ｂ）で実装せず、ワイヤボンディング接続など、他の手法で実装してもよい。

配線板の製造工程は、上記図７に示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。

例えば各導体層の形成方法は任意である。例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、導体層を形成してもよい。

また、レーザに代えて、湿式又は乾式のエッチングで加工してもよい。エッチングで加工する場合には、予め除去したくない部分をレジスト等で保護しておくことが好ましいと考えられる。

上記実施形態や変形例等は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましいと考えられる。例えば図２５又は図２８に示した構造を、図３１〜図３７Ｂのいずれかに示した構造に適用してもよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。

本発明に係る配線板は、携帯電話などの回路基板を実現するのに適している。本発明に係る配線板の製造方法は、そうした配線板の製造に適している。

１０ 配線板
１１、１２ ソルダーレジスト
１１ａ、１２ａ 開口部
１００ 基板
１００ａ 金属板
１００ｂ ビア導体
１０１〜１０８ 絶縁層
１０１ａ 絶縁体
１１０ 導体層
１１１、１２１ 銅箔
１２０、１３０、１４０ 導体層
２００ コンデンサ
２０１ コンデンサ本体
２１０、２２０ 電極
２１０ａ、２２０ａ 上部
２１０ｂ、２２０ｂ 側部
２１０ｃ、２２０ｃ 下部
２１１〜２１４ 導体層
２２１〜２２４ 導体層
２３１〜２３９ 誘電層
３００ａ スルーホール
３００ｂ スルーホール導体
３００ｃ 括れ部
３００ｄ スルーホール導体
３００ｅ 絶縁体
３０１ 導体層
３０１ａ アライメントマーク
３０１ｂ ランド
３０１ｃ 配線
３０１ｄ 補強パターン
３０１ｅ 配線パターン
３０２ 導体層
３１１ａ、３１２ａ、３２１ａ、３２２ａ 孔
３１１ｂ、３１２ｂ、３２１ｂ、３２２ｂ ビア導体
３３２ａ、３４２ａ 孔
３３２ｂ、３４２ｂ、３５２ｂ、３６２ｂ、３７２ｂ、３８２ｂ ビア導体
４００ 電子部品
５００ 配線板
１０００ 両面銅張積層板
１００１、１００２ 銅箔
１００３、１００３ａ、１００３ｂ、１００４ 孔
１００５ めっき
１００５ａ 無電解めっき膜
１００５ｂ 電解めっき
１００６ キャリア
２００１〜２００３ 絶縁層
Ｂ１ 第１ビルドアップ部
Ｂ２ 第２ビルドアップ部
Ｆ０ 基準面
Ｆ１ 第１面
Ｆ２ 第２面
Ｆ３ 第３面
Ｆ４ 第４面
Ｆ２０ 境界面
Ｐ１、Ｐ２ パッド
Ｒ１０ キャビティ
Ｒ１１ 第１導体部
Ｒ１２ 第２導体部
Ｒ２１、Ｒ２２ 導体部
Ｒ１００ 領域
Ｓ フィルドスタック

Claims (21)

1. 第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、該第１面から該第２面まで貫通する開口部と、スルーホールと、を有するコア基板と、
   前記開口部に配置されるコンデンサと、
   を有する配線板において、
   前記スルーホールは、導体で充填されており、
   該導体は前記第１面から前記第２面に向かって細くなっている第１導体部と前記第２面から前記第１面に向かって細くなっている第２導体部とで形成されていて、前記第１導体部と前記第２導体部とは前記コア基板内でつながっている、
   ことを特徴とする配線板。
2. 前記コア基板の前記第１面上に形成される第１絶縁層と、
   前記コア基板の前記第２面上に形成される第２絶縁層と、
   前記第１絶縁層に形成される第１ビアホールと、
   前記第２絶縁層に形成される第２ビアホールと、
   をさらに有し、
   前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールは、導体で充填されており、
   前記第１ビアホールに充填された導体及び前記第２ビアホールに充填された導体はそれぞれ、前記コンデンサに向かって細くなり、前記コンデンサの電極に電気的に接続される、
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
3. 前記第１絶縁層の全てのビアホールは導体で充填されており、該導体は、前記第１面に向かって細くなり、
   前記第２絶縁層の全てのビアホールは導体で充填されており、該導体は、前記第２面に向かって細くなる、
   ことを特徴とする請求項２に記載の配線板。
4. 前記コア基板の前記第１面側に形成される第１ビルドアップ部の全てのビアホールは導体で充填されており、該導体は、前記第１面に向かって細くなり、
   前記コア基板の前記第２面側に形成される第２ビルドアップ部の全てのビアホールは導体で充填されており、該導体は、前記第２面に向かって細くなる、
   ことを特徴とする請求項３に記載の配線板。
5. 前記コア基板の前記第１面側に位置するビアホールと、前記コア基板の前記第２面側に位置するビアホールとは、互いに対称的な配置及び形状を有する、
   ことを特徴とする請求項４に記載の配線板。
6. 前記スルーホール内の導体は、前記第１導体部と前記第２導体部とが直接接続されてなる、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線板。
7. 前記コア基板の厚さは、０．０６ｍｍ〜１．０ｍｍの範囲にあり、
   前記コア基板の熱膨張係数は、前記コンデンサの熱膨張係数と同様又はこれよりも小さい、
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線板。
8. 当該配線板の厚さをＴ１、前記コア基板及びその両面の導体層の厚さの合計をＴ２、前記コンデンサの厚さをＴ３とするとき、
   Ｔ３／Ｔ２は０．６〜１．７の範囲にあり、且つ、Ｔ３／Ｔ１は０．２〜０．７の範囲にある、
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線板。
9. 前記コンデンサの表裏面の少なくとも一方は、面積占有率４０％〜９０％で電極を有する、
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線板。
10. 前記コンデンサは側面電極を有し、
    前記側面電極においては、前記コンデンサの厚み方向における中央部が両端部よりも外側に膨らんでいる、
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の配線板。
11. 前記コア基板は、金属板を内蔵している、
    ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の配線板。
12. 前記コア基板は、前記スルーホールと前記開口部との間に前記金属板を有する、
    ことを特徴とする請求項１１に記載の配線板。
13. 前記開口部における前記コンデンサと前記コア基板との隙間に、第１絶縁体が充填され、
    前記コア基板は、前記金属板と前記開口部との間に、前記第１絶縁体とは異なる材料からなる第２絶縁体を有する、
    ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の配線板。
14. 前記第１絶縁体は、前記第２絶縁体よりも熱膨張率が低い、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の配線板。
15. 前記第１絶縁体は、前記開口部における前記コンデンサと前記コア基板との前記隙間を跨いで前記コア基板上及び前記コンデンサ上に形成される絶縁層を構成する樹脂からなる、
    ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の配線板。
16. 前記コア基板上の導体層及び前記金属板はそれぞれ、前記開口部近傍を避けて形成されている、
    ことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか一項に記載の配線板。
17. 前記金属板は、前記開口部を囲むように形成される、
    ことを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか一項に記載の配線板。
18. 第１面と、該第１面とは反対側の第２面と、を有する基板を準備することと、
    前記基板を貫通する開口部を形成することと、
    前記開口部にコンデンサを配置することと、
    前記基板に、前記第１面から前記第２面に向かって細くなる部分と前記第２面から前記第１面に向かって細くなる部分とを有するスルーホールを形成することと、
    前記スルーホール内に導体を充填することと、
    を含む、配線板の製造方法。
19. 前記基板は金属板を内蔵する、
    ことを特徴とする請求項１８に記載の配線板の製造方法。
20. 前記基板を準備することには、
    第１絶縁樹脂層と、所定のパターンを有する前記金属板と、第２絶縁樹脂層とを、この順で積層することと、
    前記積層された積層体をプレスして、前記パターンにおける前記金属板が無い部分に、前記第１絶縁樹脂層又は前記第２絶縁樹脂層を構成する樹脂を充填することと、
    が含まれる、
    ことを特徴とする請求項１９に記載の配線板の製造方法。
21. 前記基板は、前記スルーホールと前記開口部との間に前記金属板を有する、
    ことを特徴とする請求項１９又は２０に記載の配線板の製造方法。

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