TWI634702B - 片狀結構物 - Google Patents
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Abstract
一種片狀結構物,包括片狀本體。片狀本體具有多個封閉路徑,沿每一個封閉路徑設置多個狹縫以及多個接點部,且各接點部位於相鄰兩個狹縫之間。片狀本體具備可撓性。在一展開狀態下,狹縫形成多個展開開口。展開開口至少一者為對稱開口,使片狀本體展開成片狀結構物。片狀結構物架構出一立體曲面,其中多個接點部位於立體曲面的多條等高線上。
Description
本發明是有關於一種結構物,且特別是有關於一種片狀結構物。
隨著電子技術的高度發展,電子產品不斷推陳出新。電子產品為了可應用於不同領域,可撓曲、輕薄以及外型不受限的特性逐漸受到重視。也就是說,電子產品逐漸被要求需要依據不同的應用方式以及應用環境而有不同的外型。以立體造型的電子產品來說,要在彎曲的表面上製作線路是不容易的。此外,立體造型的設計可能並非規律正圓形或正圓球形的造型,其表面的彎曲程度或是弧度必須依照設計需求而改變,這使得電子產品製作更不容易。
本發明之一實施例提供一種片狀結構物可以順應的構成不同立體造型,以提高應用彈性。
本發明一實施例的片狀結構物,包括片狀本體。片狀本體具有多個封閉路徑,沿每一個封閉路徑設置多個狹縫以及多個接點部,且各接點部位於相鄰兩個狹縫之間。片狀本體具備可撓性。在一展開狀態下,狹縫形成多個展開開口。展開開口至少一者為對稱開口,使片狀本體展開成片狀結構物。片狀結構物架構出一立體曲面,其中多個接點部位於立體曲面的多條等高線上。
本發明一實施例的片狀本體可以展開成片狀結構物而順應地形成立體結構。因此,片狀結構物可以廣泛應用於各種領域。
為讓本發明能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為本發明一實施例的片狀結構物的片狀本體未展開狀態的示意圖。請參照圖1A,在片狀本體100上具有多個封閉路徑110,且沿每一個封閉路徑110可設置多個狹縫112以及多個接點部114。各接點部114位於相鄰兩個狹縫112之間。在本實施例中,封閉路徑110以七條為例,分別編號為110a~110g,其中封閉路徑110a至封閉路徑110d依序由內而外排列並且圍繞同一個中心O1,且封閉路徑110f圍繞另一個中心O2。封閉路徑110e、110g可環繞封閉路徑110a至封閉路徑110d所構成的面積以及封閉路徑110f圍繞的面積。此外,封閉路徑110a~110g彼此之間可無重疊也無交錯。
封閉路徑110a~110g的每一者不以正圓形為限。以圖1A而言,封閉路徑110a~110d以及封閉路徑110f大致上可為橢圓形,而封閉路徑110e、110g類似啞鈴形。在其他實施例中,封閉路徑110a~110g可以有一者或是多者為圓形,各封閉路徑110a~110g的輪廓可以依照片狀本體100應用的場合來決定。另外,封閉路徑110a~110g的每一者上所設置的多個狹縫112以及多個接點部114的數量可以依據片狀本體100應用的場合來調整。封閉路徑110的密度也可依據實際的需求來決定。
以本實施例而言,封閉路徑110a至封閉路徑110d由內向外依序排列並且圍繞同一個中心O1,封閉路徑110a至封閉路徑110d可以具有相同數量的狹縫112以及接點部114,例如四個接點部114與四個狹縫112。圍繞中心O2的封閉路徑110f可以具有例如三個接點部114與三個狹縫112。圍繞中心O1與中心O2的封閉路徑110e、110g可以對應於封閉路徑110f與封閉路徑100d上的狹縫112或/與接點部114來設置狹縫112或/與接點部114。
另外,每個接點部114沿著對應的封閉路徑110量測的寬度W114可以依據各接點部114所在封閉路徑110與相鄰的封閉路徑110之間的距離大小而有所調整。同時,每個狹縫112沿著對應的封閉路徑110量測的寬度W112可以依據各狹縫112所在封閉路徑110與相鄰的封閉路徑110之間的距離大小而有所調整。例如,當一接點部114與一狹縫112所在封閉路徑110與相鄰的封閉路徑110之間較大,則寬度W114與寬度W112可以設定的較大。同一條封閉路徑110上的接點部114可以具有不一致的寬度W114,且同一條封閉路徑110上的狹縫112亦可以具有不一致的寬度W112。
由圖1B的局部區域E可知,以封閉路徑110c上的單一個狹縫112A而言,狹縫112A兩端分別是同一條封閉路徑110c上的第一接點部114A與第二接點部114B。前一條封閉路徑110b上的其中一個接點部114為第三接點部114C,下一條封閉路徑110d上的其中一個接點部114為第四接點部114D,且第三接點部114C與第四接點部114D的連接線CL可交錯以及穿過狹縫112A。第一接點部114A與第三接點部114C間相隔有第一距離W1;第一接點部114A與第四接點部114D間相隔有第二距離W2;第二接點部114B與第三接點部114C間相隔有第三距離W3;且第二接點部114B與第四接點部114D間相隔有第四距離W4。在本實施例中,片狀本體100於初始狀態下,即圖1A與圖1B的狀態,第一距離W1、第二距離W2、第三距離W3與第四距離W4可以相同或不同。舉例而言,第一距離W1與第三距離W3可以不相同,或是第二距離W2與第四距離W4可以不相同。在其他實施例中,第一距離W1、第二距離W2、第三距離W3與第四距離W4可以分別為不同的數值。由此可知,狹縫112可以被例如四個接點部114圍繞,其中兩個接點部114可位於狹縫112的兩末端,而另外兩個接點部114可位於狹縫112的兩側,此另外兩個接點部112的連接線可穿過狹縫112。在一些實施例中,對應於同一條狹縫112的四個接點部114所定義出來的第一距離W1、第二距離W2、第三距離W3與第四距離W4可以彼此相同。
片狀本體100的材質可例如為塑膠材料。舉例來說,片狀本體的材質可包括聚亞醯胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚醚碸樹脂(PES)、聚醯胺(PA)、聚冰片烯(PNB)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚二醚酮樹脂(PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醯亞胺(PEI)或上述之組合。片狀本體100具備可撓性,而可以被撓折或彎曲。
片狀本體100可具備可撓性,且片狀本體100上設置多個狹縫112,片狀本體100可以展開如圖2A的狀態。在本實施例中,展開如圖2A的狀態後,片狀本體100可於展開應力消失後恢復到圖1A的狀態。也就是說,片狀本體100可以反覆的被展開成圖2A的狀態或攤平成圖1A的狀態。在其他實施例中,片狀本體100於展開如圖2A的狀態後可持續維持圖2A的狀態而不恢復。也就是說,片狀本體100可以在展開後即永久變形成展開的模樣。片狀本體100展開之後是否恢復可依據片狀本體100的材質以及其應用方式決定。
在展開狀態下,圖1A中的狹縫112可被撐開成多個展開開口116,且展開開口116至少一者為不對稱開口,使片狀本體100展開成片狀結構物200。片狀結構物200可以架構出一立體曲面210,或者,片狀結構物200可以順應著立體曲面210成型。如圖1A與圖2A為例,片狀結構物200構成的立體曲面210可具有兩個高峰,這兩個高峰分別位在中心軸X1與X2上。中心軸X1與X2可以為彼此平行的兩個軸線,且立體曲面210可依據以中心軸X1與中心軸X2作為法線而定義出來的平面劃分出多條等高線212。
在本實施例中,中心軸X1與X2可對應於圖1A的中心O1與O2。圖1A中片狀本體100上的封閉路徑110可對應於立體曲面210的等高線212,且多個接點部114可分別位於立體曲面210的多條等高線212上。具體而言,原本在圖1A中位於同一條封閉路徑110上的接點部114,在片狀本體100展開成圖2A的態樣時,這些接點部114會位在同一條等高線212上,且這些接點部114的連接線可以位於同一平面上,此同一平面的法線平行於中心軸X1與中心軸X2。
在局部區域F中,請參照圖2B,對應於圖1B的狹縫112A經展開成展開開口116A。此時,對應於展開開口116A的第一接點部114A、第二接點部114B、第三接點部114C與第四接點部114D兩兩之間的距離將改變。第一接點部114A與第三接點部114C在圖1B中相隔的第一距離W1,在展開後,於圖2B,變成第一距離W1’。第一接點部114A與第四接點部114D在圖1B中相隔的第二距離W2,在展開後,於圖2B,變成第二距離W2’。第二接點部114B與第三接點部114C在圖1B中相隔的第三距離W3,在展開後,於圖2B,變成第三距離W3’。第二接點部114B與第四接點部114D在圖1B中相隔的第四距離W4,在展開後,於圖2B,變成第四距離W4’。
第一距離W1’與第一距離W1的差值ΔW1比上第一距離W1的第一差距比為S1=ΔW1/W1。第二距離W2’與第二距離W2的差值ΔW2比上第二距離W2的第二差距比為S2=ΔW2/W2。第三距離W3’與第三距離W3的差值ΔW3比上第三距離W3的第三差距比為S3=ΔW3/W3。第四距離W4’與第四距離W41的差值ΔW4比上第四距離W4的第四差距比為S4=ΔW4/W4。在一實施例中,第一差距比S1、第二差距比S2、第三差距比S3與第四差距比S4可例如為相同且小於片狀本體100的可拉伸變形量。此時,第一接點部114A、第二接點部114B、第三接點部114C與第四接點部114D展開時所受到的應力大致上可為相同。片狀結構物200可不易因接點部114所受到的應力不均勻而扭曲變形或是斷裂。換言之,在本實施例的展開狀態下,片狀結構物200中這些接點部114承受的展開應力大致相同或是具有相近的程度。
第三接點部114C與第四接點部114D間的連接線CL’具有的長度會大於在圖1B中第三接點部114C與第四接點部114D間的連接線CL的長度。連接線CL’與連接線CL的長度差可相關於立體曲面210的斜率。連接線CL’與連接線CL的長度差越大,表示對應位置的斜率越小,坡度越緩。狹縫112A的長度可以設置的較長以使前述的差距比較為接近。換言之,在立體曲面210中對應坡度較陡的區域可將接點部114之間的距離設置的較為接近,而對應坡度較緩的區域可將接點部114之間的距離設置的較為遠離。藉此設計讓不同接點部114所受到的應力趨於均勻,而使片狀結構物200具備良好的品質,不容易因為某些區域的應力較為集中(或顯著)而在這些區域產生損壞。換言之,立體結構物200具有不對稱的外型時,可以順應著立體曲面210的坡度變化調整接點部114的疏密程度,藉此達到應力分布均勻的效果。
經由狹縫112與接點部114的佈局規畫,片狀結構物200可以構成各種立體曲面210。片狀本體100展開後的片狀結構物200可以鋪蓋在預定外型的立體物上,有利於提高片狀本體100的應用彈性。例如,片狀本體100可以作為承載電子元件的承載構件而應用於電子裝置中,在狹縫112與接點部114的設置下,可以依據預定使用的環境與條件而具有特定的立體造型。電子裝置以顯示裝置為例,可以藉由本實施例的設計讓顯示裝置順應的覆蓋在預定的立體造型物上而在立體曲面210上提供顯示效果。在另一實施例中,電子裝置可為感測裝置,可以提供一個立體的感測面。
在一實施例中,為了實現電子裝置的電傳輸,如圖3所示,片狀本體100上可選擇性的設置至少一條線路300,且線路300可以通過對應的接點部114E。線路300的數量為多條時,這些線路300的佈線寬度W300(也就是最外側的兩條線路300的外側邊之間的距離)可以小於對應的接點部114E的寬度W114E。另外,在展開狀態下,片狀本體100的可拉伸變形量可小於線路300,線路300不會因為展開時的應力而斷裂或損害。當圖1A的片狀本體100應用於電子裝置時,可以不需要在每個接點部114中都設置線路300,而在部分的接點部114中設置線路300。另外,本實施例雖以線路300為例說明片狀本體100應用於電子裝置的態樣,但不以此為限。在其他實施例中,部分的接點部114或中心O1、O2周邊區域上可以設置有感測元件、顯示元件或是其他為了實現電子裝置之功能的主動或被動元件。
圖4A至圖4G為本發明一實施例的片狀結構物的片狀本體製作方式示意圖。如圖4A所示,提供承載板10,可於承載板10上依序形成離型層20與片狀材料層30。承載板10可以是玻璃基板、金屬基板、塑膠基板或是具有足夠支撐能力的其他板狀物。離型層20可以依據片狀材料層30的材質而調整,離型層20的設置可降低片狀材料層30與承載板10之間的附著性以利方便執行後續移除承載板10的步驟。離型層20的面積可選擇性小於或等於片狀材料層30。片狀材料層30的材質可例如包括聚亞醯胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚醚碸樹脂(PES)、聚醯胺(PA)、聚冰片烯(PNB)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚二醚酮樹脂(PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醯亞胺(PEI)或上述之組合。片狀材料層30的形成方法可以包括先使用上述的片狀材料於承載板10上塗佈成層,再將層狀的材料固化,即可形成片狀材料層30。
接著,可以依照實際應用情形與設計需求進行圖4B的步驟。請參照圖4B,可在片狀材料層30上製作例如是電子元件所需線路40。線路40的製作方法可以依據例如薄膜形成搭配微影蝕刻的方式、印刷方式或是噴墨方式等。在本實施例中,製作線路40的過程中,片狀材料層30受承載板10承載,線路40的製作方法可以採用任何適用在平面的基板上製作線路的方法。
之後,進行圖4C,在片狀材料層30上形成阻擋圖案層50。阻擋圖案層50可具有開口52以暴露出片狀材料層30的局部上表面。在有形成線路40的實施方式中,阻擋圖案層50可以將線路40完全覆蓋。開口52的輪廓以及位置可以對應於預定形成的片狀本體100而設計。舉例來說,預定要形成圖1A的片狀本體100時,開口52可對應於狹縫112的位置或/與輪廓來設置。
隨後,如圖4D所示,可採用阻擋圖案層50為罩幕,移除片狀材料層30被開口52暴露出來的部分以形成具有狹縫112的片狀材料層30’。在本實施例中,可利用蝕刻、刨除或壓印的方法來移除片狀材料層30被開口52暴露出來的部分。在其他實施例中,也可以不需設置阻擋圖案層50於片狀材料層30上而以雷射切割的方式形成狹縫112。
接著,在圖4E中,可在移除阻擋圖案層50後,選擇性地在片狀材料層30’上形成填充材料層60。填充材料層60可填充於狹縫112中,且填充材料層60的材質可包括聚胺酯(PU)、聚矽氧烷、壓克力樹脂、含乙醚系材料、聚烯烴材料或上述之組合,其中聚矽氧烷可包括聚二甲基矽氧烷(PDMS)。此外,填充材料層60的可拉伸變形量可大於片狀材料層30’。在其他實施例中,也可選擇不移除阻擋圖案層50,而在仍有阻擋圖案層50之下形成填充材料層60。
之後,如圖4F所示,可沿著切割線70進行切割,將片狀材料層30’接觸於承載板10的部分移除,離型層20可在側邊裸露出來,再將切割後的片狀材料層30’自承載板10剝除,即可獲得圖4G所示的片狀本體100,片狀本體100上可設置有線路40與填充材料層60。在本實施例中,填充材料層60除了填充於狹縫112中,更包覆片狀本體100的上表面與線路40。不過,在其他的實施例中,填充材料層60可以填充於狹縫112中而不包覆片狀本體100的上表面。
填充材料層60的可拉伸變形量可大於片狀本體100,將圖4G的片狀本體100展開如圖2A的立體結構物200時,狹縫112會被撐開成展開開口116,填充材料層60則填充於展開開口116內。如此一來,立體結構物200的開口可不簍空。另外,填充材料層60可輔助將展開時的應力分散而使片狀本體100與其上的線路40不易損壞。
在其他實施例中,可以進行省略上述圖4B的步驟而製作出不設有線路的片狀本體100,其剖面可如圖5所示,具有狹縫112的片狀本體100在一側受到填充材料層60覆蓋且填充材料層60填充於狹縫112中。圖6A為再一實施例的片狀本體剖面示意圖,且圖6B為圖6A的片狀本體展開時的示意圖。在圖6A中,片狀本體100的狹縫112中可填充有填充材料層60’,且填充材料層60’並未填滿狹縫112,狹縫112的側壁可選擇性地塗有一層減少填充材料60’與片狀本體100之狹縫112側壁附著力的離型材料20A。在圖6B中,原本片狀本體100的狹縫112被展開成展開開口116,並且填充材料層60’被撐開,撐開的填充材料層60’可用來支撐展開開口116。填充材料層60’與前述的填充材料層60可以是具有可恢復性變形的特性或是具有永久變形的特性。當填充材料層60’與前述的填充材料層60具有可恢復性變形特性,搭配可恢復性的材料製作片狀本體100,則片狀結構物可以在展開與攤平狀態之間反覆改變。當填充材料層60’與前述的填充材料層60具有永久變形特性,則片狀結構物可以在展開後即無法恢復攤平狀態。
圖7為本發明另一實施例的片狀結構物的片狀本體未展開狀態的示意圖。請參照圖7,片狀本體400具有多個封閉路徑410,且沿每一個封閉路徑410可設置多個狹縫412以及多個接點部414。各接點部414位於兩個狹縫412之間。在本實施例中,封閉路徑410以五條為例,且依序由內而外排列並且圍繞同一個中心O3。此外,封閉路徑410彼此之間可無重疊也無交錯。封閉路徑410的設置密度、輪廓以及每一條封閉路徑410上設置的狹縫412以及接點部414的數量可以依據不同的需求來調整,圖7僅用來示意性地說明封閉路徑410與對應的狹縫412以及接點部414的分佈配置,並非用以限定本實施例的具體實施方式。
在此,以其中一個狹縫412A為例來說明本實施例之片狀本體400的具體設計。本實施例記載的狹縫412A的結構設計可以應用於片狀本體400的狹縫412,也可以應用於圖1A的片狀本體100的狹縫112。片狀本體400對應著其中一個狹縫412A可更設置有至少一條第一次狹縫420或/與至少一條第二次狹縫430。第一次狹縫420的延伸軌跡可分別順應於狹縫412A,狹縫412A位於兩個第一次狹縫420之間。第一次狹縫420與狹縫412A可位於兩個第二次狹縫430之間,且第二次狹縫430的延伸軌跡亦可分別順應於狹縫412A。也就是說,各個第一次狹縫420位於其中一個第二次狹縫430與狹縫412A之間,且第一次狹縫420、第二次狹縫430與狹縫412A彼此不交錯。此外,第一次狹縫420的長度可分別小於狹縫412A,且第二次狹縫430的長度可分別小於第一次狹縫420的長度。如此一來,由圖7可知,對應於狹縫412A的這些次狹縫,越向外側長度可以漸減。
圖8A為圖7的片狀本體未展開時沿線X-X的剖面示意圖,而圖8B為圖7的片狀本體未展開時沿線Y-Y的剖面示意圖。請參照圖8A與圖8B,狹縫412A與第二次狹縫430可分別由片狀本體400的一第一表面400A向內延伸一第一深度d1,且第一次狹縫分別由片狀本體400的一第二表面400B向內延伸一第二深度d2。第一表面400A與第二表面400B相對且第一深度d1與第二深度d2都小於片狀本體400的厚度t。在本實施例中,第一深度d1與第二深度d2可以大於片狀本體400的厚度t的二分之一。另外,第一深度d1與第二深度d2可不完全相同。也就是說,狹縫412A、第一次狹縫420與第二次狹縫430都沒有貫穿片狀本體400。如此,片狀本體400可包括薄化部440,且在片狀本體400未被展開時,薄化部440順應狹縫412A、第一次狹縫420或/與第二次狹縫430呈折曲狀。
圖9A為圖7的片狀本體展開後沿線X-X的剖面示意圖,而圖9B為圖7的片狀本體展開後沿線Y-Y的剖面示意圖。片狀本體400展開後,圖7中的狹縫412A、第一次狹縫420與第二次狹縫430可以分別形成如圖9A與圖9B所示的展開開口416A1、展開開口416A2與展開開口416A3。由圖8A與圖8B可知,狹縫412A、第一次狹縫420與第二次狹縫430都未貫穿片狀本體400。並且,展開開口416A1、展開開口416A2與展開開口416A3是由狹縫412A、第一次狹縫420與第二次狹縫430展開而成的。在圖9A與圖9B中,片狀本體400的薄化部440會由原本的折曲狀展開呈較為平坦的狀態。如此一來,片狀本體400展開後仍是一個連續的片狀結構。片狀本體400可以完整地鋪蓋於立體物品的表面上而無中空孔洞存在。在次狹縫長度的設計下,對應於線X-X處,即如圖9A所示,薄化部440具有寬度W440A。對應於線Y-Y處,即如圖9B所示,薄化部440具有寬度W440B。薄化部440的寬度W440A可大於薄化部440的寬度W440B。如此一來,對應於圖7的線X-X處可展開的幅度較大,而對應於圖7的線Y-Y處可展開的幅度較小,藉此可以順應於不同展開幅度的需求調整次狹縫的長度。另外,次狹縫的數量可以依據不同設計需求而調整。在另一實施例中,可以設置其他次狹縫在第二次狹縫430遠離於狹縫412A的一側,或是可以省略第二次狹縫430。
本發明一實施例的片狀結構物可藉由在片狀本體上設置狹縫與位於狹縫之間的接點部,使得片狀本體由原本的平面狀態而展開成立體狀態。此外,片狀本體上的狹縫是順應著展開後的立體狀態而設計,狹縫展開成開口後,狹縫之間的接點部可承受應力而不至於扭曲變形或是斷裂損壞。片狀本體上設置電子元件即可以構成立體曲面造型的電子裝置。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍及其均等範圍所界定者為準。
10‧‧‧承載板
20‧‧‧離型層
20A‧‧‧離型材料
30、30’‧‧‧片狀材料層
40、300‧‧‧線路
50‧‧‧阻擋圖案層
52‧‧‧開口
60、60’‧‧‧填充材料層
70‧‧‧切割線
100、400‧‧‧片狀本體
110、110a~110g、410‧‧‧封閉路徑
112、112A、412、412A‧‧‧狹縫
114、114E、414‧‧‧接點部
114A‧‧‧第一接點部
114B‧‧‧第二接點部
114C‧‧‧第三接點部
114D‧‧‧第四接點部
116、116A、416A1、413A2、416A3‧‧‧展開開口
200‧‧‧片狀結構物
210‧‧‧立體曲面
212‧‧‧等高線
400A‧‧‧第一表面
400B‧‧‧第二表面
420‧‧‧第一次狹縫
430‧‧‧第二次狹縫
440‧‧‧薄化部
CL、CL’‧‧‧連接線
E、F‧‧‧局部區域
O1、O2、O3‧‧‧中心
W1、W1’‧‧‧第一距離
W2、W2’‧‧‧第二距離
W3、W3’‧‧‧第三距離
W4、W4’‧‧‧第四距離
W112、W114、W114E、W300、W440A、W440B‧‧‧寬度
X-X、Y-Y‧‧‧線
X1、X2‧‧‧中心軸
20‧‧‧離型層
20A‧‧‧離型材料
30、30’‧‧‧片狀材料層
40、300‧‧‧線路
50‧‧‧阻擋圖案層
52‧‧‧開口
60、60’‧‧‧填充材料層
70‧‧‧切割線
100、400‧‧‧片狀本體
110、110a~110g、410‧‧‧封閉路徑
112、112A、412、412A‧‧‧狹縫
114、114E、414‧‧‧接點部
114A‧‧‧第一接點部
114B‧‧‧第二接點部
114C‧‧‧第三接點部
114D‧‧‧第四接點部
116、116A、416A1、413A2、416A3‧‧‧展開開口
200‧‧‧片狀結構物
210‧‧‧立體曲面
212‧‧‧等高線
400A‧‧‧第一表面
400B‧‧‧第二表面
420‧‧‧第一次狹縫
430‧‧‧第二次狹縫
440‧‧‧薄化部
CL、CL’‧‧‧連接線
E、F‧‧‧局部區域
O1、O2、O3‧‧‧中心
W1、W1’‧‧‧第一距離
W2、W2’‧‧‧第二距離
W3、W3’‧‧‧第三距離
W4、W4’‧‧‧第四距離
W112、W114、W114E、W300、W440A、W440B‧‧‧寬度
X-X、Y-Y‧‧‧線
X1、X2‧‧‧中心軸
圖1A為本發明一實施例的片狀結構物的片狀本體未展開狀態的示意圖。 圖1B為圖1A中局部區域E的示意圖。 圖2A為圖1A的片狀本體展開成片狀結構物的示意圖。 圖2B為圖2A中局部區域F的示意圖。 圖3為本發明一實施例的片狀本體上設置有線路的示意圖。 圖4A至圖4G為本發明一實施例的片狀結構物的片狀本體製作方式示意圖。 圖5為另一實施例的片狀本體剖面示意圖。 圖6A為再一實施例的片狀本體剖面示意圖。 圖6B為圖6A的片狀本體展開時的示意圖。 圖7為本發明另一實施例的片狀結構物的片狀本體未展開狀態的示意圖。 圖8A為圖7的片狀本體未展開時沿線X-X的剖面示意圖。 圖8B為圖7的片狀本體未展開時沿線Y-Y的剖面示意圖。 圖9A為圖7的片狀本體展開後沿線X-X的剖面示意圖。 圖9B為圖7的片狀本體展開後沿線Y-Y的剖面示意圖。
Claims (20)
- 一種片狀結構物,包括:片狀本體,該片狀本體具有多個封閉路徑且沿每一個封閉路徑設置多個狹縫以及多個接點部,各該接點部位於相鄰兩個狹縫之間,且各該狹縫為封閉式的;其中,該片狀本體具備可撓性,在一展開狀態下,該些狹縫形成多個展開開口,該些展開開口至少一者為對稱開口,使該片狀本體展開成該片狀結構物,該片狀結構物架構出一立體曲面,其中該些接點部位於該立體曲面的多條等高線上。
- 如申請專利範圍第1項所述的片狀結構物,其中該些封閉路徑其中一者上的狹縫或接點部具有至少兩種寬度,該些寬度沿對應的封閉路徑量測而得。
- 如申請專利範圍第1項所述的片狀結構物,其中至少部分該些封閉路徑環繞同一個中心。
- 如申請專利範圍第1項所述的片狀結構物,其中該片狀本體的材質為塑膠材料。
- 如申請專利範圍第1項所述的片狀結構物,更包括多條線路,配置於該片狀本體上,且各該線路的佈線路徑通過至少一個接點部。
- 如申請專利範圍第5項所述的片狀結構物,其中該片狀本體的可拉伸變形量小於該些線路。
- 如申請專利範圍第1項所述的片狀結構物,更包括一填充材料層,填充於該些狹縫中,該填充材料層的可拉伸變形量大於該片狀本體且該些狹縫被撐開成該些展開開口下,該填充材料層填充於該些展開開口內。
- 如申請專利範圍第7項所述的片狀結構物,其中該填充材料層的材質包括聚胺酯(PU)、聚矽氧烷、壓克力樹脂、含乙醚系材料、聚烯烴材料或上述之組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的片狀結構物,其中該些狹縫撐開成該些展開開口後即不恢復。
- 如申請專利範圍第1項所述的片狀結構物,其中單一個封閉路徑上的其中一個狹縫兩端為一第一接點部與一第二接點部,前一條封閉路徑上的其中一個接點部為一第三接點部,後一條封閉路徑上的其中一個接點部為一第四接點部,該第三接點部與該第四接點部的連接線交錯於該其中一個狹縫。
- 如申請專利範圍第10項所述的片狀結構物,其中該第一接點部與該第三接點部間相隔有第一距離;該第一接點部與該第四接點部間相隔有第二距離;該第二接點部與該第三接點部間相隔有第三距離;該第二接點部與該第四接點部間相隔有第四距離;且該第一距離、該第二距離、該第三距離與該第四距離不一致。
- 如申請專利範圍第11項所述的片狀結構物,其中該其中一個狹縫展開成展開開口前後的該第一距離的變化值比上展開前的該第一距離為第一差距比、該第二距離的變化值比上展開前的該第二距離為第二差距比、該第三距離的變化值比上展開前的該第三距離為第三差距比、該第四距離的變化值比上展開前的該第四距離為第四差距比,且該第一差距比、該第二差距比、該第三差距比與該第四差距比大致相同。
- 如申請專利範圍第10項所述的片狀結構物,其中該連接線在展開前與展開後的長度差越小,該其中一個狹縫的長度越長。
- 如申請專利範圍第1項所述的片狀結構物,其中該片狀本體上更設置有多個第一次狹縫,該些第一次狹縫的延伸軌跡順應於其中一個狹縫,且該其中一個狹縫位於該些第一次狹縫之間。
- 如申請專利範圍第14項所述的片狀結構物,其中該些第一次狹縫的長度分別小於該其中一個狹縫。
- 如申請專利範圍第14項所述的片狀結構物,其中該其中一個狹縫由該片狀本體的一第一表面向內延伸一第一深度,且該些第一次狹縫分別由該片狀本體的一第二表面向內延伸一第二深度,該第一表面與該第二表面相對而該第一深度與該第二深度都小於該片狀本體的厚度並大於該片狀本體的厚度的二分之一。
- 如申請專利範圍第14項所述的片狀結構物,其中該片狀本體上更設置有多個第二次狹縫,該些第一次狹縫與該其中一個狹縫位於該些第二次狹縫之間,該些第二次狹縫的延伸軌跡分別順應於該其中一個狹縫,且該些第二次狹縫的延伸長度小於該些第一次狹縫的長度。
- 如申請專利範圍第17項所述的片狀結構物,其中該其中一個狹縫與該些第二次狹縫分別由該片狀本體的一第一表面向內延伸一第一深度,且該些第一次狹縫分別由該片狀本體的一第二表面向內延伸一第二深度,該第一表面與該第二表面相對而該第一深度與該第二深度都小於該片狀本體的厚度並大於該片狀本體的厚度的二分之一。
- 如申請專利範圍第18項所述的片狀結構物,其中該片狀本體在該展開狀態下,該其中一個狹縫、該些第一次狹縫與該些第二次狹縫分別形成其中一個展開開口。
- 如申請專利範圍第19項所述的片狀結構物,其中該片狀本體包括至少一薄化部,且在該片狀本體未被展開時,該薄化部順應該其中一個狹縫、該些第一次狹縫或/與該些第二次狹縫呈折曲狀。
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