TWI617022B - 有機發光顯示裝置 - Google Patents
有機發光顯示裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI617022B TWI617022B TW105124194A TW105124194A TWI617022B TW I617022 B TWI617022 B TW I617022B TW 105124194 A TW105124194 A TW 105124194A TW 105124194 A TW105124194 A TW 105124194A TW I617022 B TWI617022 B TW I617022B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- region
- electrode
- auxiliary electrode
- organic light
- display device
- Prior art date
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 90
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
本發明之示範性實施例涉及一種有機發光顯示裝置及其製造方法,該有機發光顯示裝置包括:一有機發光元件的一第一電極;一輔助電極,設置在與該第一電極相同的層上;一壟部圖案,設置在該第一電極及在該輔助電極的一部分上並且劃分為一第一區域及一第二區域;一障礙肋,形成在與該壟部圖案相同的層上及由與該壟部圖案相同的材料形成並且劃分為一第三區域及一第四區域;一有機發射層,設置在基板上並且包括第一至第三非設置區域;以及一第二電極,設置在基板上。依據本發明的示範性實施例,由陰極電極所造成的電壓降能夠被抑制。
Description
本發明實施例涉及一種有機發光顯示裝置,更特別是涉及一種能使用壟部圖案及設置在輔助電極上的障礙肋製造大尺寸的有機發光顯示裝置。
隨著資訊導向的社會進展,對於顯示影像的顯示裝置的各式各樣的需求係與日俱增。近來,已被使用的有許許多多的顯示裝置,例如液晶顯示(liquid crystal display,LCD)裝置、電漿顯示面板(plasma display panel,PDP)裝置、或有機發光顯示(organic light emitting display,OLED)裝置等。此類的顯示裝置分別包括其適合的顯示面板。
在顯示面板中,薄膜電晶體形成在各像素區域中,並且在顯示面板中的特定像素區域係由在薄膜電晶體中的電流流動所控制。薄膜電晶體包括閘極及源極/汲極電極。
在OLED裝置中,發射層形成在二不同的電極之間,並且當產生自電極的其中之一的電子與產生自另一電極的電洞注入至發射層時,注入的電子與電洞結合成激子。當產生的激子從激發態遷移至穩定態時,發射光以顯示影像。
此類OLED裝置在製造成小尺寸時不會有問題。然而,當製造成大尺寸時,OLED裝置具有亮度不均勻的問題並且具有週邊區域與中心區域之間的亮度差異。更具體地,如果電流從有機發光元件的陰極電極流動至週邊區域與中心區域之間的空間,則電流能達到電流注入點的遠處。在此情況下,電壓降因有機發光元件的陰極電極的阻抗而發生,造成週邊區域與中心區域之間的亮度差異。
亦即,在具有大尺寸的傳統OLED裝置中,亮度的均勻性因有機發光元件的上電極的阻抗所造成的週邊區域與中心區域之間的亮度差異而顯著地下降。因此,傳統OLED裝置需要補償此種亮度差異的手段。
所以,引進輔助電極(或輔助線)以解決電壓降的問題,其中輔助電極(或輔助線)能接觸陰極電極。然而,由於有機材料係形成在輔助電極上,陰極電極與輔助電極互相接觸係困難的。此外,有機材料部分形成為大厚度,因此,洩漏電流可能產生。
再者,最近,已有藉由在輔助電極上提供障礙肋來解決此問題。然而,須要額外增加形成障礙肋的程序。因此,有用於抑制洩漏電流及使陰極電極接觸輔助電極而不需要額外程序的方法的需求。
本發明示範性實施例的一實施態樣提供一種有機發光顯示裝置,能在製造為大尺寸時抑制由陰極電極的阻抗所造成的電壓降,並且能抑制洩漏電流的產生及簡化程序。
依據本發明的一實施態樣,提供一種有機發光顯示裝置,包括:一基板;一第一電極及一輔助電極,設置在該基板上;一壟部圖案,設置在該第一電極的一部分上及在該輔助電極的一上表面的一部分上並且劃分為一第一區域及設置在該第一區域下的一第二區域;一障礙肋,設置在該輔助電極的該上表面上並且劃分為具有一倒錐形形狀的一第三區域及在該第三區域下具有一錐形形狀的一第四區域;一有機發射層,設置在該基板上,除了鄰接該障礙肋的該輔助電極的區域之外;以及一第二電極,設置在該有機發射層上並且與該輔助電極接觸。
於此,該障礙肋的該第三區域的最大寬度大於該障礙肋的該第四區域的最大寬度。而且,該壟部圖案的該第一區域具有一倒錐形形狀以及該壟部圖案的該第二區域具有一錐形形狀。
此外,該有機發射層包括第一非設置區域至第三非設置區域。於此,該有機發射層的該第一非設置區域對應於該壟部圖案的該第一區域的二側表面的部分區域。該有機發射層的該第二非設置區域對應於該
障礙肋的該第三區域的二側表面。該有機發射層的該第三非設置區域對應於該障礙肋的該第四區域的二側表面及該有機發射層所曝露的該輔助電極的該上表面的一部分。
依據本示範性實施例,在具有大尺寸的有機發光顯示裝置中,陰極電極與觸輔助電極能簡單地被形成為互相接觸。因此,能抑制由陰極電極的阻抗所造成的電壓降。
此外,依據本示範性實施例,在有機發光顯示裝置中,該有機發射層包括在該壟部圖案的該第三區域的側表面的一部分上的該第一非設置區域。因此,能抑制由有機發射層的厚度變化所造成的洩露電流,並且能簡化形成障礙肋的程序。
10‧‧‧有機發光顯示裝置
20‧‧‧有機發光顯示裝置
100‧‧‧基板
101‧‧‧緩衝層
102‧‧‧主動層
103‧‧‧閘極電極
104‧‧‧第一中介絕緣膜
105‧‧‧閘極絕緣膜
106a‧‧‧源極電極
106b‧‧‧汲極電極
107‧‧‧第二中介絕緣膜
108‧‧‧第一平坦化膜
109‧‧‧連接電極
110‧‧‧輔助線
111‧‧‧第二平坦化膜
120‧‧‧第一電極
121‧‧‧有機發射層
122‧‧‧第二電極
130‧‧‧輔助電極
131‧‧‧有機發射層
131a‧‧‧有機發射層
131b‧‧‧有機發射層
131c‧‧‧有機發射層
141‧‧‧有機發射層
150‧‧‧壟部圖案
150a‧‧‧熱固性負型光阻
150b‧‧‧熱固性負型光阻/壟部圖案
150c‧‧‧熱固性負型光阻/突起/壟部圖案
151‧‧‧第一區域
151a‧‧‧第一非設置區域
151b‧‧‧第一非設置區域
152‧‧‧第二區域
160‧‧‧障礙肋
161‧‧‧第三區域
161a‧‧‧第二非設置區域
161b‧‧‧第二非設置區域
162‧‧‧第四區域
162a‧‧‧第三非設置區域
162b‧‧‧第三非設置區域
170‧‧‧第一接觸孔
180‧‧‧第二接觸孔
230‧‧‧輔助電極
231‧‧‧第一輔助電極
232‧‧‧第二輔助電極
250‧‧‧壟部圖案
251‧‧‧第一區域
251a‧‧‧第一非設置區域
251b‧‧‧第一非設置區域
252‧‧‧第二區域
330‧‧‧輔助電極
350‧‧‧壟部圖案
360‧‧‧障礙肋
430‧‧‧輔助電極
450‧‧‧壟部圖案
460‧‧‧障礙肋
500‧‧‧光罩
510‧‧‧光
511‧‧‧熱
530‧‧‧輔助電極
550‧‧‧壟部圖案
560‧‧‧障礙肋
600‧‧‧半色調光罩
600a‧‧‧遮蔽部分
600b‧‧‧穿透部分
600c‧‧‧半穿透部分
B‧‧‧藍色
DD‧‧‧資料驅動器
DL‧‧‧資料線
DL1-DLm‧‧‧資料線
DLm-1‧‧‧資料線
EA‧‧‧發射區域
EL‧‧‧有機發光元件
G‧‧‧綠色
GD‧‧‧閘極驅動器
GL‧‧‧閘極線
NEA‧‧‧非發射區域
P‧‧‧像素區域
P1‧‧‧第一像素區域
P2‧‧‧第二像素區域
SL1-SLn‧‧‧掃描線
SP‧‧‧子像素
SP1‧‧‧第一子像素
SP2‧‧‧第二子像素
SP3‧‧‧第三子像素
SP4‧‧‧第四子像素
R‧‧‧紅色
Tr‧‧‧薄膜電晶體
VDD‧‧‧第一電源供應器
VDDL‧‧‧驅動電源供應線
W‧‧‧白色
本發明的以上及其他實施態樣、特徵、及其他優點將從與後附圖式一起的隨後詳細描述得到更清楚地理解。在圖式中:第1圖係簡單說明依據一示範性實施例之有機發光顯示裝置的視圖;第2圖係簡單說明依據另一示範性實施例之有機發光顯示裝置的視圖;第3圖係依據本發明一示範性實施例之有機發光顯示裝置的平面圖;第4圖係依據本發明一示範性實施例沿有機發光顯示裝置的A-A’線所截取的剖面圖;第5圖係說明依據本發明一示範性實施例之有機發光顯示裝置的壟部圖案及障礙肋的視圖;第6A圖至第6C圖係說明用於本發明的壟部圖案及障礙肋的製造方法的視圖;第7圖係說明依據本發明另一示範性實施例之有機發光顯示裝置的壟部圖案及障礙肋的視圖;第8圖係依據本發明再另一示範性實施例之有機發光顯示裝置的剖面圖;
第9圖係說明依據一示範性實施例在子像素與輔助電極之間的設置關係的平面圖;第10圖係說明依據另一示範性實施例在子像素與輔助電極之間的設置關係的平面圖;以及第11圖係說明依據再另一示範性實施例在子像素與輔助電極之間的設置關係的平面圖。
在下文中,將參考後附圖式詳細說明本發明的示範性實施例。在下文中所介紹的示範性實施例係提供作為範例,為了向所屬技術領域中具有通常知識者傳遞其精神。因此,本發明不限於隨後的示範性實施例,並且能以不同形式具體實施。再者,為了在圖式中的便利性,裝置的大小或厚度可能表示為誇張的。在本說明書中從頭到尾,相似的參考編號通常是指相似的元件。
本發明的優點及特徵,以及其實現的方法將從參考後附圖式所描述的示範性實施例得到更清楚地理解。然而,本發明不限於隨後的示範性實施,而是可以不同形式執行。示範性實施被提供以僅完成本發明並且以本發明的範疇完整供予所屬技術領域具有通常知識者,而且後附的申請專利範圍將定義本發明。在本說明書中從頭到尾,相似的參考編號通常是指相似的元件。在圖式中,為了說明清楚,層及區域的尺寸或相對尺寸可被誇大。
當元件或層被指稱為在另一元件或層「上」時,它可以是直接在其他元件或層上,或者中介元件或層可存在。同時,當元件指稱為「直接」在另一元件「上」時,任何中介元件可不存在。
為了描述之簡易以描述如圖式所示的一元件或組件與另一元件或組件的關係,可在此使用空間相關用語,諸如「在…下」、「在…之下」、「下」、「在…之上」、及「上」等。除了在圖式中所描繪出的方位之外,要理解的是空間相關用語係意圖包含在使用或操作中的元件的不同方位。例如,如果在圖式中的元件被翻轉,則被描述為「在」其他元件「下」或
「之下」的元件要被定向為「在」其他元件「之上」。因此,示範性用語「在…下」可包含上及下兩種方位。
在此所使用的用語僅提供用於說明示範性實施例,並非意圖限制示範性實施例。如在此所使用的,單數用語包括複數關係,除非文章脈絡有明確指出其他涵義。用語「包含」滿足所陳述的組件、步驟、操作、及/或元件的存在,但不排除一或更多其他組件、步驟、操作、及/或元件的存在或增加。
第1圖係簡單說明依據一示範性實施例之有機發光顯示裝置的視圖。參考第1圖,依據一示範性實施例的有機發光顯示裝置10包括一基板100、一閘極驅動器(gate driver)GD、複數條閘極線(gate lines)GL、一資料驅動器(data driver)DD、複數條資料線(data lines)DL、一輔助電極(auxiliary electrode)130、以及複數個子像素(sub-pixels)SP。
基板100可以是由塑膠、玻璃、陶瓷等材料所製成的絕緣基板。如果基板100由塑膠所製成,則基板100可以是可撓性的。然而,基板100的材料不限於此。基板100可由金屬所製成。
此外,閘極驅動器GD依序地提供掃描信號至複數條閘極線GL。例如,閘極驅動器GD係一種控制電路並且供應掃描信號至複數條閘極線GL以響應供應自時序控制器(圖中未顯示)的控制信號。然後,依據掃描信號選擇子像素SP並且對其依序地供應資料信號。
複數條閘極線GL設置在基板100上並且在第一方向上延伸。閘極線GL包括複數條掃描線(scan lines)SL1-SLn。複數條掃描線SL1-SLn連接閘極驅動器GD並且從閘極驅動器GD供應掃描信號。
此外,資料驅動器DD供應自資料線DL選出的資料線(data lines)DL1-DLm以響應從外部,例如時序控制器(圖中未顯示),所供應的控制信號。每當掃描信號供應至掃描線SL1-SLn時,供應至資料線DL1-DLm的資料信號被供應至依據掃描信號所選擇的子像素SP。因此,子像素SP以對應資料信號的電壓充電並且發射對應資料信號的亮度的光。
資料線DL設置在第二方向上,以便與閘極線GL相交。此外,資料線DL包括複數條資料線DL1-DLm並且包括一驅動電源供應線(driving power supply line)VDDL。此外,複數條資料線DL1-DLm連接資料驅動器DD並且自資料驅動器DD供應資料信號。另外,驅動電源供應線VDDL連接一外部的第一電源供應器(first power supply)VDD並且自第一電源供應器VDD供應驅動電源。
同時,有機發光顯示裝置分類為頂部發光型(top-emission)、底部發光型(bottom-emission)、以及雙重發光型(dual-emission)有機發光顯示裝置。於此,在任何類型的有機發光顯示裝置中,當陰極電極形成在具有大尺寸的顯示面板的整個表面上時,陰極電極的電壓降可發生。因此,為了解決此問題,輔助電極或輔助線可形成在非發光區域中。接下來,將在隨後的示範性實施例中描述頂部發光型顯示裝置。然而,本發明的示範性實施例不限於頂部發光型顯示裝置,而是能應用於具有抑制陰極電極的電壓降的能力的任何顯示裝置。
輔助電極130可設置在基板100上以便平行於資料線DL1-DLm。亦即,輔助電極130可設置在第二方向上。於此,即使圖中未顯示,可進一步設置更多平行於資料線DL1-DLm的輔助電極130。
輔助電極130不限於此,而是可設置在基板100上以便平行於複數條掃描線SL1-SLn。亦即,輔助電極130可設置在第一方向上。歸因於輔助電極130,有機發光顯示裝置10能抑制響應機發光顯示元件(圖中未顯示)的陰極電極的阻抗的電壓降,並且抑制其所造成的周邊部分與中心部分的亮度差異。
在下文中,將參考第2圖描述依據另一示範性實施例的有機發光顯示裝置。第2圖係簡單說明依據另一示範性實施例之有機發光顯示裝置的視圖。依據本發明另一示範性實施例的有機發光顯示裝置可包括如上述示範性實施例的那些相同的組件。其冗餘的描述可省略。此外,相同的組件將會分配到相同的參考編號。
參考第2圖,有機發光顯示裝置20包括:複數條掃描線SL1-SLn,在第一方向上設置在基板100上;以及資料線DL1-DLm,設置
在第二方向上,以便與掃描線SL1-SLn相交。此外,有機發光顯示裝置20包括複數個輔助電極230,設置在基板100上。
特別地,有機發光顯示裝置20包括:複數個第一輔助電極231,設置為平行於複數條掃描線SL1-SLn;以及複數個第二輔助電極232,設置為平行於複數條資料線DL1-DLm。亦即,輔助電極230可以一網眼形式(mesh form)設置在基板100上。如此,輔助電極230可以各種各樣形式設置。此外,即使圖中未顯示,可進一步設置平行於資料線DL1-DLm的輔助線。歸因於輔助電極230,有機發光顯示裝置20能抑制響應機發光顯示元件(圖中未顯示)的陰極電極(圖中未顯示)的阻抗的電壓降,並且抑制其造成的周邊部分與中心部分的亮度差異。
在下文中,將參考第3圖至第7圖描述依據另一示範性實施例的有機發光顯示裝置。
第3圖係依據本發明一示範性實施例之有機發光顯示裝置的平面圖。第4圖係依據本發明一示範性實施例沿有機發光顯示裝置之A-A’線所截取的剖面圖。第5圖係說明依據本發明一示範性實施例之有機發光顯示裝置的壟部圖案及障礙肋的視圖。第6A圖至第6C圖係說明本發明用於壟部圖案及障礙肋的製造方法的視圖。第7圖係說明依據本發明另一示範性實施例之有機發光顯示裝置的壟部圖案及障礙肋的視圖。
參考第3圖,依據本發明一示範性實施例的有機發光顯示裝置包括:一主動層102,設置在基板100上;一閘極電極103;一資料線DLm、DLm-1;一源極電極106a,從資料線DLm、DLm-1分支出去;一汲極電極106b,設置為與源極電極106a分離;以及一輔助線110,設置在連接電極109的相同層上,並且以與源極及汲極電極106a及106b相同的材料形成,其中連接電極109連接源極電極106a及汲極電極106b。
此外,有機發光元件的第一電極120經由曝露汲極電極106b的一第一接觸孔170與極電極106b接觸。於此,第一電極120可為有機發光元件的正極電極。
此外,輔助電極130形成在與第一電極120相同的層上,並且以與第一電極120相同的材料形成。輔助電極130可設置在水平方向及垂直方向上,以此方式輔助電極130可設置為一網眼形式。然而,輔助電極130的設置形式不限於此,而且輔助電極130可設置在水平方向及垂直方向的任一方向上。
此外,輔助線110經由一第二接觸孔180與輔助電極130接觸。再者,壟部圖案(bank pattern)150設置為曝露輔助電極130的一部分。未被壟部圖案150曝露的輔助電極130的區域與有機發光元件的一第二電極(圖中未顯示)接觸,並且以此方式抑制該第二電極(圖中未顯示)的電壓降。即使圖中未顯示,為了使輔助電極130與該第二電極(圖中未顯示)接觸,用與壟部圖案150相同的材料所形成的障礙肋(圖中未顯示)設置在由壟部圖案150所曝露的輔助電極130的該部分上。
要與依據本發明的示範性實施例的有機發光元件的第二電極接觸的輔助電極位在像素區域之間,並且與該第一電極、該等源極/汲極電極、或電性連接它們的一連接電極相同的材料所形成。因此,形成輔助電極的程序能被執行而不需要一額外的光罩。
此外,依據本發明的示範性實施例的輔助電極與輔助線被使用而不具有區別。再者,當輔助線藉由增加輔助電極/輔助線與有機發射層之間的距離來連接有機發光元件的第二電極時,由於有機發射層與第二電極材料之間的階梯覆蓋性的不同而輔助線與第二電極能連接在一起,但有機發射層不被允許引入於輔助線與第二電極之間。因此,能增加輔助電極與第二電極之間的接觸面積。
其細節將參考第4圖如沿A-A’線所截取的剖面圖於下面描述。參考第4圖,基板100包括一像素區域及一接觸區域。於此,一薄膜電晶體Tr及一有機發光元件EL設置在基板100的像素區域上。此外,該輔助電極130與一第二電極122連接在基板100的接觸區域。
特別地,緩衝層101設置在基板100上,以及主動層102設置在緩衝層101上。閘極絕緣膜105設置在主動層102的一通道層(圖中未顯示)上。閘極電極103設置在閘極絕緣膜105上。
閘極電極103可藉由層疊Cu、Mo、Al、Ag、Ti的至少其中之一、或由其組合所形成的合金來形成。然而,閘極電極103的材料不受於此,而是可使用一般用於閘極電極及閘極線的材料。此外,雖然在圖中閘極電極103顯示為單一金屬層,但在一些情況下閘極電極103可藉由層疊至少二金屬層來形成。
一第一中介絕緣膜104設置在閘極電極103上。此外,源極電極106a及汲極電極106b設置在該第一中介絕緣膜104上以便成為彼此分離的。源極電極106a及汲極電極106b經由形成在第一中介絕緣膜104中的第一接觸孔接觸主動層102。
於此,源極電極106a及汲極電極106b可藉由層疊Cu、Mo、Al、Ag、Ti、及由其組合所形成的合金的至少其中之一、或是透明導電材料的ITO、IZO、及ITZO來形成。然而,源極電極106a及汲極電極106b的材料不限於此,而是可以一般用於資料線的材料形成源極電極106a及汲極電極106b。此外,雖然在圖中各源極電極106a及汲極電極106b顯示為單一金屬層,但在一些情況下各源極電極106a及汲極電極106b可藉由層疊至少二金屬層來形成。如此,薄膜電晶體Tr可設置在基板100上。
為了保護源極電極106a及汲極電極106b,一第二中介絕緣膜107及一第一平坦化膜108設置在包括薄膜電晶體Tr的基板100上。在該第一平坦化膜108上,設置有連接薄膜電晶體Tr的汲極電極106b及在與連接電極109相同的層上的輔助線110。於此,輔助線110可以與連接電極109相同的材料形成,但不限於此。輔助線110可以與閘極電極103或源極/汲極電極106a及106b相同的材料形成。
輔助線110電性連接有機發光元件EL的第二電極122,並且能抑制由第二電極122的阻抗所造成的電壓降。於此,為了改善大尺寸顯示裝置的電壓降,輔助線110可形成為適用於有機發光顯示裝置的寬度及厚度。此外,輔助線110的阻抗能基於輔助線110的寬度、長度、厚度、及材料種類被計算出。
如上所述,輔助線110設置在第一平坦化膜108上。因此,輔助線110係相當平坦,其表示輔助線110形成為不具有階梯部分。然而,
依據本發明示範性實施例的輔助線110不限於此。如果第一平坦化膜108未形成為足夠大的厚度,則第一平坦化膜108可因為於其下所設置的組件而具有階梯部分。所以,輔助線110亦可具有階梯部分。
於此,由於輔助線110設置在第一平坦化膜108上,可能產生在薄膜電晶體Tr的組件之間的寄生電容的影響能降到最低。所以,第一平坦化膜108可形成為足夠大的厚度以抑制輔助線110與薄膜電晶體Tr的組件之間的寄生電容。
此外,輔助線110設置在有機發光元件EL的第一電極120下。因此,輔助線110可不管設置第一電極120之處的大小及區域來形成。所以,設置第一電極120之處的大小及區域可增加,以此方式發射區域可進一步增加。
一第二平坦化膜111設置在包括連接電極109及輔助線110的基板100上。於此,為了連接有機發光元件EL的第一電極120至薄膜電晶體Tr的汲極電極106b,必需在第一平坦化膜108及第二平坦化膜111中形成一接觸孔。當接觸孔形成時,由於平坦化膜係形成為雙膜,形成該接觸孔以便曝露汲極電極106b是困難的。所以,連接電極109設置在第一平坦化膜108及第二平坦化膜111之間,因此,電性連接汲極電極106b與第一電極120變成容易。
此外,經由該接觸孔接觸連接電極109的有機發光元件EL的第一電極120設置在第二平坦化膜111上。而且,經由接觸孔接觸連接輔助線110的輔助電極130設置在與第一電極120相同的層上的。輔助電極130可解決電壓降的問題。
於此,第一電極120可以由具有高公函數的透明導電材料來形成。例如,第一電極120可以從ITO(銦錫氧化物,Indium Tin Oxide)、IZO(銦鋅氧化物,Indium Zinc Oxide)、及ZnO(鋅氧化物,Zinc Oxide)所組成的群組中選擇的任一個來形成。即使第一電極120在圖式中顯示為單一層,第一電極120可形成為具有反射層及透明導電層的多重層。
輔助電極130可以與第一電極120相同的材料形成,但卻不限於此。輔助電極130可以與閘極電極103、源極/汲極電極106a及106b、連接電極109、或輔助線110相同的材料形成。輔助電極130可作用以電性連接輔助線110與第二電極122。
壟部圖案150可設置在第一電極120及輔助電極130的二側表面上。亦即,壟部圖案150可被設置以曝露第一電極120的上表面的一部分及輔助電極130的上表面的一部分。此外,障礙肋(barrier rib)160設置在輔助電極130的上表面的該曝露部分上,輔助電極130的上表面部分地被壟部圖案150給曝露。於此,障礙肋160可設置在與壟部圖案150相同的層上,並且以與壟部圖案150相同的材料形成。障礙肋160能分割輔助電極130附近的有機發射層131。因此,輔助電極130能有助於接觸一第二電極。
在下文中,將參考第5圖詳細說明壟部圖案150及障礙肋160的形狀。參考第5圖,壟部圖案150包括一第一區域151,具有從基板100在寬度上逐漸增加的倒錐形形狀、以及一第二區域152,具有從基板100在寬度上逐漸減少的錐形形狀並且設置在第一區域151下。而且,障礙肋160可包括一第三區域161,具有倒錐形形狀、以及一第四區域162,具有錐形形狀並且在該第三區域161下。
於此,壟部圖案150可由一熱固性負型光阻(thermosetting negative photoresist)所形成。當壟部圖案150藉由使用一熱固性負型光阻150a而形成時(參考第6A圖至第6C圖),隨著一光罩500與該熱固性負型光阻150a之間的距離在曝光程序期間增加,光510從光罩500的一端散射。由於光510的散射,熱固性負型光阻150a的一端與中心部分之間的曝光量不同。因此,熱固性負型光阻150a能形成為倒錐形形狀。
在熱固性負型光阻150a的曝光程序之後,一固化的熱固性負型光阻150b、150c的下部分可經由應用300℃以下的熱511的熱處理程序來形成為錐形形狀。特別地,熱固性負型光阻150a的中心部分被供應有充足的光的曝光量並且因此被完全地引發(initiated)。然而,由於光510的散射,熱固性負型光阻150a的一端被供應有不充足的光的曝光量並且因
此相較於中心部分未被充足地引發。然後,被充足引發的熱固性負型光阻150a的中心部分在用於固化熱固性負型光阻150a的熱處理期間首先被固化。熱固性負型光阻150b、150c被顯影。
藉由在調整熱處理的期間時固化熱固性負型光阻150a,一突起150c可形成在熱固性負型光阻150a的下部分。因此,固化的熱固性負型光阻150a的上部分可形成為倒錐形形狀,並且熱固性負型光阻150a的下部分可形成為錐形形狀。
據此,可形成包括倒錐形形狀及錐形形狀的壟部圖案150b、150c。而且,一障礙肋圖案可經由形成壟部圖案150b、150c的相同程序來形成在與壟部圖案150b、150c相同的層上。
如此形成的壟部圖案150b、150c及障礙肋圖案的形狀可經由使用一半色調光罩(half-tone mask)600的曝光程序最後地決定。例如,一負型光阻形成在壟部圖案150b、150c及障礙肋圖案上,並且包含一遮蔽部分(shielding portion)600a、一穿透部分(transmissive portion)600b、及一半穿透部分(semi-transmissive portion)600c的半色調光罩600設置在負型光阻形成於其上的基板上。於此,穿透部分600b穿透光,並且半穿透部分600c比穿透部分600b穿透較少的光。遮蔽部分600a完全遮蔽光。
半色調光罩600的穿透部分600b被設置以對應障礙肋圖案,並且半穿透部分600c被設置以對應壟部圖案150b、150c。而且,遮蔽部分600a被設置以對應未設置壟部圖案150b、150c及障礙肋圖案的其他區域。形成在未設置壟部圖案150b、150c及障礙肋圖案的區域上的熱固性負型光阻使用半色調光罩600來移除。形成在壟部圖案150b、150c上的負型光阻被灰化。在此情況下,形成在障礙肋圖案上的負型光阻被部分移除。然後,使用在障礙肋圖案上剩餘的負型光阻作為遮罩來蝕刻壟部圖案150b、150c的上部分的一部分。上述光阻可為一正型光阻。在此情況下,半色調光罩600的圖案可反向地形成。
在使用半色調光罩600的曝光程序及顯影程序之後,壟部圖案150及障礙肋160的每一個可被形成以具有倒錐形形狀及錐形形狀兩者。如此,壟部圖案150及障礙肋160可經由相同的程序形成。然而,形
成壟部圖案150及障礙肋160的程序不限於此。能形成具有倒錐形形狀及錐形形狀的壟部圖案150及障礙肋160的任何程序均可被採用。
在使用半色調光罩600的曝光程序及顯影程序之後,壟部圖案150與障礙肋160可在高度上不同。於此,經歷使用半色調光罩600的曝光程序及顯影程序的壟部圖案150及障礙肋160的高度可取決於曝光量或曝光及顯影的期間。特別地,障礙肋160的高度可高於壟部圖案150的高度。更特別地,障礙肋160的第三區域161的高度可高於壟部圖案150的第一區域151的高度。
於此,在使用半色調光罩600的曝光程序及顯影程序期間僅壟部圖案150的第一區域151的一部分被蝕刻,壟部圖案150的第二區域152的高度可相同於障礙肋160的第四區域162的高度。在此情況下,壟部圖案150的第二區域152的高度可定義為從有機發光元件EL的第一電極120的上表面至壟部圖案150的第二區域152與第一區域151之間的接觸點的長度。而且,障礙肋160的第四區域162的高度可定義為從有機發光元件EL的第一電極120的上表面至障礙肋160的第四區域162與第三區域161之間的接觸點的長度。
亦即,壟部圖案150的第二區域152與障礙肋160的第四區域162具有相同的高度,並且壟部圖案150的第一區域151的高度低於障礙肋160的第三區域161的高度。因此,壟部圖案150的整體高度可低於障礙肋160的整體高度。於此,由於壟部圖案150的高度低於障礙肋160的高度,在壟部圖案150與障礙肋160之間的一開口區域可形成為大的尺寸。因此,有機發光元件EL的第二電極122可設置在輔助電極130的該曝露的上表面上之寬的範圍。
如第4圖及第5圖所示,有機發光元件EL的有機發射層121、131(131a、131b、131c)、及141設置在於其上設置有第一電極120、輔助電極130、壟部圖案150、及障礙肋160的基板100上。在此情況下,有機發射層131a、131b、131c、及141可藉由線性沉積(linear deposition)或塗佈(coating)方法來形成。例如,有機發射層131a、131b、131c、及141可藉由蒸鍍(evaporation)來形成。藉由上述方法形成的有機發射層
131a、131b、131c、及141可包括在基板100上的第一非設置區域151a及151b、第二非設置區域161a及161b、及第三非設置區域162a及162b。
於此,有機發射層131a、131b、131c、及141的第一非設置區域151a及151b對應於壟部圖案150的第一區域151的二側表面的部分區域。有機發射層131a、131b、131c、及141的第二非設置區域161a及161b對應於障礙肋160的第三區域161的二側表面的部分區域。有機發射層131a、131b、131c、及141的第三非設置區域162a及162b對應於障礙肋160的第四區域162的二側表面的部分區域以及由有機發射層131a、131b、131c、及141所曝露之輔助電極130的上表面的一部分。
特別地,有機發射層131a、131b、131c、及141可設置在應壟部圖案150的上表面、壟部圖案150的二側表面的部分區域、及障礙肋160的上表面上。於此,設置在壟部圖案150的二側表面的部分區域的有機發射層131a及131b可被設置以曝露具有錐形角形成所在的倒錐形形狀的第一區域151的區域。
而且,由於有機發射層131a、131b、131c、及141由線性沉積或塗佈方法來形成,有機發射層131a、131b、131c、及141不會形成在具有階梯部分或區域的區域上,像是在具有倒錐形結構的壟部圖案150上。所以,有機發射層131a、131b、131c、及141不會沉積或塗佈在錐形角形成所在的壟部圖案150的第一區域151的二側表面的部分區域。
此外,有機發射層131a、131b、131c、及141不會沉積或塗佈在具有倒錐形結構的障礙肋160的周圍。特別地,有機發射層131a、131b、131c、及141僅形成在障礙肋160的第三區域161的上表面上,但不會形成在障礙肋160的第三區域161的二側表面上及第四區域162的周圍。更加特別地,有機發射層131a、131b、131c、及141可被形成以曝露第三區域161的二側表面及在第四區域162的周圍的輔助電極130的上表面的一部分。
有機發光元件EL的第二電極122可設置在於其上設置有有機發射層131a、131b、131c、及141的基板100上。於此,第二電極122可由非方向性沉積或塗佈方法來形成。例如,第二電極122可由濺鍍來形
成。這樣的方法具有極佳的階梯覆蓋性,並且因此能輕易地在具有階梯部分或倒錐形形狀的結構上形成第二電極122。
所以,第二電極122能輕易地設置在具有倒錐形形狀的壟部圖案150及障礙肋160的周圍上。特別地,第二電極122可形成在除了壟部圖案150及障礙肋160的第三區域161的二側表面以外的任何區域上。於此,第二電極122不能被引入至障礙肋160的第三區域161的二側表面之間。因此,第二電極122不形成在第三區域161的二側表面上。
亦即,第二電極122可被設置以在未設置有機發射層131a、131b、131c、及141的壟部圖案150的第一區域151的二側表面的部分區域上與壟部圖案150接觸。此外,第二電極122可設置在因未設置有機發射層131a、131b、131c、及141而其上表面部分曝露的輔助電極130上。亦即,第二電極122可被設置以與輔助電極130的上表面的一部分接觸。
於此,第二電極122可在壟部圖案150的第一區域151的二側表面的周圍減少厚度,並且可在障礙肋160的第四區域162的周圍的輔助電極130上減少厚度。這是因為當第二電極122形成時,用於第二電極122的材料的途徑被具有倒錐形形狀的壟部圖案150的第一區域151及障礙肋160的第三區域161阻擋。
然而,由於有機發射層131a、131b、131c、及141被設置以曝露輔助電極130的上表面的一部分,第二電極122與輔助電極130能完全地被致使與在輔助電極130的上表面的曝露區域互相接觸。如此,第二電極122的阻抗能降低。
換言之,由於壟部圖案150的第一區域151的具有小的高度,壟部圖案150的第一區域151的最大寬度可小於壟部圖案150的第二區域152的最大寬度。此外,由於障礙肋160的第三區域161具有大的高度,障礙肋160的第三區域161的最大寬度可大於障礙肋160的第四區域162的最大寬度。
同時,由於有機發射層131a、131b、131c、及141可由線性沉積或塗佈來形成,當具有倒錐形形狀的第一區域151及第三區域161
的最大寬度增加時,用於有機發射層131a、131b、131c、及141的區域減少。亦即,當第一區域151及第三區域161的高度及最大寬度增加時,由第一區域151及第三區域161的最寬部分所覆蓋的區域增加。因此,由線性沉積或塗佈方法所形成的有機發射層131a、131b、131c、及141的區域減少。
亦即,由於具有倒錐形形狀的障礙肋160的第三區域161的最大寬度大於第四區域162的最大寬度,有機發射層131a、131b、131c、及141的材料的引入至設置輔助電極130的區域能被抑制。特別地,由於第三區域161的最大寬度大於第四區域162的最大寬度,第三區域161可被形成以與壟部圖案150的第二區域152及由障礙肋160的第四區域162曝露的輔助電極130的上表面的一部分重疊。因此,第三區域161覆蓋輔助電極130的上表面的一部分。所以,在輔助電極130的整個表面上的有機發射層131a、131b、131c、及141的沉積或塗佈能被抑制。
亦即,有機發射層131a、131b、131c、及141可被設置以曝露輔助電極130的上表面的一部分。所以,取決於障礙肋160的第三區域161的高度,調整第二電極122與輔助電極130被致使互相接觸的區域係可能的。據此,有效降低第二電極122的阻抗係可能的。
此外,傳統的有機發射層在有機發光元件的壟部圖案與第一電極之間的邊界形成為大的厚度,並且因此在壟部圖案與第一電極之間的邊界處具有洩漏電流的問題。然而,依據本發明一示範性實施例的壟部圖案150包括具有倒錐形形狀的第一區域151。所以,有機發射層131a、131b、131c、及141包括在第一區域151的二側表面的部分區域上的第一非設置區域151a及151b。因此,抑制洩漏電流的產生係可能的。亦即,壟部圖案150與第二電極122被設置以在有機發射層131a、131b、131c、及141的第一非設置區域151a及151b中互相接觸,並且造成洩漏電流的有機發射層131a、131b、131c、及141的配置被消除。所以,洩漏電流的產生係可能的。
此外,由於壟部圖案150的第一區域151的最大寬度小於第二區域152,有機發射層131a、131b、131c、及141可包括在壟部圖案150與第一電極120之間的邊界的第一非設置區域151a及151b,以便不影響發
射區域。換言之,依據本發明的示範性實施例,即使有機發射層131a、131b、131c、及141包括一非設置區域,發射區域不減少,但洩漏電流被抑制。因此,抑制暗點或亮點的產生係可能的。
在下文中,將參考第7圖描述依據本發明另一示範性實施例的壟部圖案的形狀。依據本發明另一示範性實施例的有機發光顯示裝置可包括與上述示範性實施例相同的組件。其冗餘的描述可省略。此外,相同的組件將會分配相同的參考號碼。
參考第7圖,依據本發明另一示範性實施例的壟部圖案250包括第一區域251及第二區域252。壟部圖案250的第一區域251形成為倒錐形形狀,並且壟部圖案250的第二區域252形成為錐形形狀。
在此情況下,壟部圖案250的第一區域251的最大寬度可大於壟部圖案250的第二區域252的最大寬度。因此,有機發射層131a、131b、131c、及141的第一非設置區域251a及251b可在大小上增加。所以,進一步抑制由有機發射層131a、131b、131c、及141的大的厚度所造成的洩露電流係可能的。
在下文中,將參考第8圖描述依據本發明再另一示範性實施例的有機發光顯示裝置。第8圖係依據本發明再另一示範性實施例之有機發光顯示裝置的剖面圖。依據本發明再另一示範性實施例的有機發光顯示裝置可包括與上述示範性實施例相同的組件。其冗餘的描述可省略。此外,相同的組件將被分配相同的參考號碼。
第8圖係說明依據本發明再另一示範性實施例在第4圖的剖面圖中所顯示的第二中介絕緣層108、連接電極109、及輔助線110被排除在有機發光顯示裝置外,並且有機發光元件EL的第一電極120係直接地連接薄膜電晶體Tr的汲極電極106b的平面圖。於此,由於第二中介絕緣層108、連接電極109、及輔助線110被排除在外,光罩的數量及程序的數量能減少。
此外,本發明的輔助電極及障礙肋可設置在不同地方。將參考第9圖至第11圖描述其細節。第9圖係說明依據一示範性實施例之子像
素與輔助電極之間的設置關係的平面圖。參考第9圖,複數個像素區域P設置在有機發光顯示裝置的基板100上。複數個子像素設置在像素區域P上。
特別地,像素區域P可包括一第一子像素SP1、一第二子像素SP2、一第三子像素SP3、以及第一四子像素SP4。在圖式中像素區域P包括四個子像素,但不限於此。像素區域P可包括三個子像素。
於此,第一子像素SP1可為白色(W)子像素、第二子像素SP2可為紅色(R)子像素、第三子像素SP3可為綠色(G)子像素、及第四子像素SP4可為藍色(B)子像素,但不限於此。
於此,第一子像素至四子像素SP1、SP2、SP3、及SP4可由壟部圖案350定義為發射區域EA及非發射區域NEA。亦即,由壟部圖案350打開的區域可為發射區域EA,並且壟部圖案350設置的區域可為非發射區域NEA。此情況下,非發射區域NEA可包括輔助電極330設置的區域。
此外,輔助電極330可設置在第一子像素至四子像素SP1、SP2、SP3、及SP4下。亦即,單一輔助電極330可包括在各子像素中。於此,輔助電極330可平行於閘極線(圖中未顯示)來設置,或者可平行於資料線(圖中未顯示)來設置。
障礙肋360可設置在輔助電極330的上表面的一部分上。於此,壟部圖案350及障礙肋360可形成在同一層上並且以相同的材料形成。此外,壟部圖案350及障礙肋360的每一個可形成為具有倒錐形形狀及錐形形狀二者。
此外,雖然在圖中輔助電極330被顯示為設置在第一子像素至四子像素SP1、SP2、SP3、及SP4下,但本發明不限於此。輔助電極330可設置在各子像素的上部分或側面部分上。亦即,在本發明的一示範性實施例中,對於各子像素單一輔助電極330係足夠的。如此,由於輔助電極330設置在各子像素內,有機發光顯示裝置的電壓差可由一子像素的單位來控制。
第10圖係說明依據另一示範性實施例之子像素與輔助電極之間的設置關係的平面圖。依據本發明再另一示範性實施例的有機發光顯示裝置可包括與上述示範性實施例相同的組件。其冗餘的描述可省略。參考第10圖,包括複數個子像素SP1、SP2、SP3、及SP4的各像素區域P設置在基板100上。
此外,輔助電極430可設置在像素區域P下。亦即,單一輔助電極430可包括在各像素區域P中。於此,輔助電極430可平行於閘極線(圖中未顯示)來設置,或者可平行於資料線(圖中未顯示)來設置。
設置在與壟部圖案450相同的層上並且以與壟部圖案450相同的材料形成的障礙肋460可設置在輔助電極430上。壟部圖案450及障礙肋460的每一個可形成為具有倒錐形形狀及錐形形狀二者。
雖然在圖中輔助電極330被顯示為設置在像素區域P下,但本發明不限於此。輔助電極430可設置在像素區域P的上部分或側面部分上。亦即,本發明的一示範性實施例中,對於各像素區域P單一輔助電極430係足夠的。如此,由於輔助電極430設置在各像素區域內,有機發光顯示裝置的電壓差可由一像素區域的單位來控制。
第11圖係說明依據再另一示範性實施例之子像素與輔助電極之間的設置關係的平面圖。依據本發明再另一示範性實施例的有機發光顯示裝置可包括與上述示範性實施例相同的組件。其冗餘的描述可省略。此外,相同的組件將被分配相同的參考號碼。
參考第11圖,包括複數個子像素SP1、SP2、SP3、及SP4的各第一像素區域P1及第二像素區域P2設置在基板100上。於此,第一像素區域P1及第二像素區域P2設置為互相毗鄰。例如,第一像素區域P1可設置在第二像素區域P2上。
於此,輔助電極530可設置在第一像素區域P1與第二像素區域P2之間。特別地,輔助電極530可設置在設置在第一像素區域P1中的一個子像素與設置在第二像素區域P2中對應的子像素之間。
例如,輔助電極530可設置在設置在第一像素區域P1中的第二子像素SP2與設置在第二像素區域P2中的第二子像素SP2之間。於此,第二子像素SP2可為白色(W)子像素。
雖然在圖中輔助電極530顯示為設置在第一像素區域P1中的白色(W)子像素與第二像素區域P2中的白色(W)子像素之間,但本發明不限於此。輔助電極530可設置在第一像素區域P1中的紅色(R)子像素與第二像素區域P2中的紅色(R)子像素之間。或者,輔助電極530可設置在第一像素區域P1中的綠色(G)子像素與第二像素區域P2中的綠色(G)子像素之間。或者,輔助電極530可設置在第一像素區域P1中的藍色(B)子像素與第二像素區域P2中的藍色(B)子像素之間。
設置在與壟部圖案550相同的層上並且以與壟部圖案550相同的材料形成的障礙肋560可設置在輔助電極530上。壟部圖案550及障礙肋560的每一個可被形成以具有倒錐形形狀及錐形形狀二者。
此外,雖然在本發明一示範性實施例中單一輔助電極530顯示為設置在二個像素區域之間,但本發明不限於此。複數個像素區域可共用單一輔助電極530。如此,由於複數個像素區域包括輔助電極530,有機發光顯示裝置的電壓差可由複數個像素區域的單位來控制。
上面示範性實施例中描述的特徵、結構、及功效等包含在至少一示範性實施例中,但不限於一實施例。此外,在各個示範性實施例中描述的特徵、結構、及功效等可被所屬技術領域中具有通常知識者執行或相對於其他實施例組合或修飾。據此,要知道的是該結合及修飾的內容將涵蓋在本發明的範疇中。
此外,應該理解的是,上述示範性實施例應理解為僅僅是一種描述性意義,不應理解為限縮目的。所屬技術領域中具有通常知識者應當理解所作的各種其他修飾及應用並不偏離示範性實施例的精神及範圍。例如,上述示範性實施例中的各別元件可被修飾而實現。
本申請主張2015年7月29日提出之韓國專利申請第10-2015-0107497號的權益,上述韓國專利申請併入於此供作參考,如完整地記載於本申請中。
100‧‧‧基板
101‧‧‧緩衝層
102‧‧‧主動層
103‧‧‧閘極電極
104‧‧‧第一中介絕緣膜
105‧‧‧閘極絕緣膜
106a‧‧‧源極電極
106b‧‧‧汲極電極
107‧‧‧第二中介絕緣膜
108‧‧‧第一平坦化膜
109‧‧‧連接電極
110‧‧‧輔助線
111‧‧‧第二平坦化膜
120‧‧‧第一電極
121‧‧‧有機發射層
122‧‧‧第二電極
130‧‧‧輔助電極
131‧‧‧有機發射層
141‧‧‧有機發射層
150‧‧‧壟部圖案
160‧‧‧障礙肋
EL‧‧‧有機發光元件
Tr‧‧‧薄膜電晶體
Claims (20)
- 一種有機發光顯示裝置,包括:一基板;一第一電極及一輔助電極,設置在該基板上;一壟部圖案,設置在該第一電極的一部分上及在該輔助電極的一部分上;一障礙肋,設置在該輔助電極上並且劃分為具有一倒錐形形狀的一第三區域及在該第三區域下具有一錐形形狀的一第四區域;一有機發射層,設置在該基板上,除了鄰接該障礙肋的該輔助電極的區域以外;以及一第二電極,設置在該有機發射層上並且與該輔助電極接觸,其中,該第三區域與該第四區域互相接觸;該壟部圖案劃分為一第一區域及在該第一區域下的一第二區域;以及該壟部圖案的該第一區域具有一倒錐形形狀及/或該壟部圖案的該第二區域具有一錐形形狀。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,該壟部圖案的高度小於該障礙肋的高度。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,該壟部圖案的該第二區域具有一錐形形狀。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,該壟部圖案的該第二區域的高度相同於該障礙肋的該第四區域的高度。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,該壟部圖案的該第一區域的最大寬度小於該壟部圖案的該第二區域的最大寬度。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,該壟部圖案的該第一區域的最大寬度大於該壟部圖案的該第二區域的最大寬度。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,該障礙肋的該第三區域的最大寬度大於該障礙肋的該第四區域的最大寬度。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,該有機發射層包括第一非設置區域至第三非設置區域;該有機發射層的該第一非設置區域對應於該壟部圖案的該第一區域的二側表面的部分區域;該有機發射層的該第二非設置區域對應於該障礙肋的該第三區域的二側表面;以及該有機發射層的該第三非設置區域對應於該障礙肋的該第四區域的二側表面及該輔助電極的上表面的一部分。
- 依據申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示裝置,其中,該第二電極被設置以與在該有機發射層的該第一非設置區域中的該壟部圖案接觸。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,該第二電極被設置以與由該壟部圖案及該障礙肋所曝露出的該輔助電極的上表面接觸。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,隨著接近該障礙肋的該第四區域,該第二電極在厚度上逐漸減少。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,進一步包括:一輔助線,設置在該輔助電極下。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,該基板包括複數個子像素區域;以及該輔助電極設置為對應各該子像素區域。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,該基板包括複數個像素區域,各具有三至四個子像素;以及該輔助電極設置為對應各該像素區域。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,該輔助電極設置為對應於二個或更多像素區域。
- 依據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中,該輔助電極以一網眼形式設置在該基板上。
- 一種製造有機發光顯示裝置的方法,包括:形成一有機發光元件的一第一電極及一輔助電極在一基板上;形成一第一光阻在該基板上;藉由照射光穿過一光罩至該第一光阻上,將在與該第一電極的一端及該輔助電極的一端重疊的區域及該輔助電極的一上表面的部分區域上的該第一光阻形成為一倒錐形形狀;藉由執行一熱處理至形成為該倒錐形形狀的該第一光阻,將該第一光阻的一上區域形成為一倒錐形形狀並且將該第一光阻的一下區域形成為一錐形形狀;移除形成在除了形成在與該第一電極的該端及該輔助電極的該端重疊的區域及該輔助電極的該上表面的該部分區域上以外的區域中的該第一光阻;以及形成一有機發射層及一第二電極在該基板上。
- 依據申請專利範圍第17項所述之製造有機發光顯示裝置的方法,其中,該移除形成在除了形成在與該第一電極的該端及該輔助電極的該端重疊的區域及該輔助電極的該上表面的該部分區域上以外的區域中的該第一光阻包括:形成一第二光阻在該基板上;設置一光罩,該光罩包括一半穿透部分、一穿透部分、及一遮蔽部分,該半穿透部分面對與該第一電極的該端及該輔助電極的該端重疊的該區域,該穿透部分面對該輔助電極的該上表面的該部分區域,以及該遮蔽部分面對除了與該第一電極的該端及該輔助電極的該端重疊的該區域及該輔助電極的該上表面的該部分區域以外的區域;藉由使用該光罩,蝕刻對應於與該第一電極的該端及該輔助電極的該端重疊的該區域的該第二光阻的一部分及對應於除了與該第一電極的該端及該輔助電極的該端重疊的該區域及該輔助電極的該上表面的該部分區域以外的區域的該第二光阻;以及藉由使用殘留的該第二光阻作為一光罩,移除形成在除了與該第一電極的該端及該輔助電極的該端重疊的該區域及該輔助電極的該上表面的該部分區域以外的區域上的該第一光阻。
- 依據申請專利範圍第18項所述之製造有機發光顯示裝置的方法,進一步包括:在該移除形成在除了與該第一電極的該端及該輔助電極的該端重疊的該區域及該輔助電極的該上表面的該部分區域以外的區域上的該第一光阻之後,灰化形成在與該第一電極的該端及該輔助電極的該端重疊的該區域上的該第二光阻及形成在該輔助電極的該上表面的該部分區域上的該第二光阻的一部分;以及藉由使用形成在該輔助電極的該上表面的該部分區域上的該第二光阻作為一光罩,蝕刻形成在與該第一電極的該端及該輔助電極的該端重疊的該區域上的該第一光阻的一部分。
- 依據申請專利範圍第17項所述之製造有機發光顯示裝置的方法,其中,該第一光阻係一熱固性光阻。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
??10-2015-0107497 | 2015-07-29 | ||
KR1020150107497A KR102348876B1 (ko) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 유기발광 표시장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201705469A TW201705469A (zh) | 2017-02-01 |
TWI617022B true TWI617022B (zh) | 2018-03-01 |
Family
ID=56555303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW105124194A TWI617022B (zh) | 2015-07-29 | 2016-07-29 | 有機發光顯示裝置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10854693B2 (zh) |
EP (1) | EP3125294B1 (zh) |
KR (1) | KR102348876B1 (zh) |
CN (1) | CN106409870B (zh) |
TW (1) | TWI617022B (zh) |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017072678A1 (en) | 2015-10-26 | 2017-05-04 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
KR102506532B1 (ko) * | 2015-12-17 | 2023-03-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102612040B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2023-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 격벽을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR102656232B1 (ko) | 2016-08-31 | 2024-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 어레이 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
JP7056964B2 (ja) | 2016-12-02 | 2022-04-19 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 放射領域上に配置された導電性コーティングを含むデバイスおよびそのための方法 |
CN108336107A (zh) * | 2017-01-19 | 2018-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管(oled)阵列基板及其制备方法、显示装置 |
JP6831257B2 (ja) | 2017-02-10 | 2021-02-17 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 |
US10468623B2 (en) * | 2017-02-16 | 2019-11-05 | Joled Inc. | Organic EL display panel and method of manufacturing organic EL display panel |
JP2020518107A (ja) | 2017-04-26 | 2020-06-18 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドOti Lumionics Inc. | 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス |
KR102685809B1 (ko) | 2017-05-17 | 2024-07-18 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 패턴화 코팅 위에 전도성 코팅을 선택적으로 증착시키는 방법 및 전도성 코팅을 포함하는 디바이스 |
CN108933154B (zh) * | 2017-05-26 | 2021-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
CN109103215B (zh) * | 2017-06-21 | 2021-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN107863451B (zh) * | 2017-10-30 | 2019-06-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法 |
KR101976832B1 (ko) * | 2017-11-06 | 2019-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102392503B1 (ko) * | 2017-11-07 | 2022-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR102387344B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2022-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR102489043B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2023-01-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
KR102471117B1 (ko) * | 2018-03-09 | 2022-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR102527230B1 (ko) | 2018-03-09 | 2023-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN108538890A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光显示装置 |
WO2019215591A1 (en) | 2018-05-07 | 2019-11-14 | Oti Lumionics Inc. | Method for providing an auxiliary electrode and device including an auxiliary electrode |
CN109216585B (zh) * | 2018-09-17 | 2020-03-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
KR102652769B1 (ko) * | 2018-10-01 | 2024-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
WO2020087525A1 (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、电子装置 |
KR102687429B1 (ko) * | 2018-12-28 | 2024-07-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 조명 장치 |
JP7390739B2 (ja) | 2019-03-07 | 2023-12-04 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
JP7555600B2 (ja) | 2019-04-18 | 2024-09-25 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
KR20220017918A (ko) | 2019-05-08 | 2022-02-14 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 핵 생성 억제 코팅 형성용 물질 및 이를 포함하는 디바이스 |
CN110164948B (zh) * | 2019-06-13 | 2021-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素界定层、制作方法和显示面板 |
US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
WO2020261191A1 (en) | 2019-06-26 | 2020-12-30 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
KR20220045202A (ko) | 2019-08-09 | 2022-04-12 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 보조 전극 및 파티션을 포함하는 광전자 디바이스 |
CN110911585B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、其制作方法及显示装置 |
CN111063813B (zh) * | 2019-12-05 | 2021-02-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled器件结构及其制备方法 |
KR20210074716A (ko) * | 2019-12-12 | 2021-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN111081898B (zh) * | 2019-12-13 | 2021-02-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
US11063235B2 (en) | 2019-12-13 | 2021-07-13 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel comprising auxiliary electrode layer and manufacturing method thereof |
CN111403452A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示模组及电子装置 |
CN111584761B (zh) * | 2020-05-28 | 2022-12-02 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
US11197384B1 (en) * | 2020-06-29 | 2021-12-07 | Quanta Computer Inc. | Tool-less latch system for a node sled |
KR20220055922A (ko) | 2020-10-27 | 2022-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광표시패널 및 이를 이용한 발광표시장치 |
JP2023553379A (ja) | 2020-12-07 | 2023-12-21 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 核形成抑制被膜及び下地金属被膜を用いた導電性堆積層のパターニング |
KR20220096501A (ko) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
JPWO2022175784A1 (zh) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | ||
US20230337496A1 (en) * | 2021-03-31 | 2023-10-19 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate, manufacturing method thereof, and display device |
CN113270425B (zh) * | 2021-05-14 | 2022-06-17 | 长沙惠科光电有限公司 | 阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板 |
CN113270426B (zh) * | 2021-05-14 | 2022-07-22 | 长沙惠科光电有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
CN113871433A (zh) * | 2021-09-17 | 2021-12-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN116686418A (zh) * | 2021-12-27 | 2023-09-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN114975550A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-08-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及制作方法、电子设备 |
CN116367596B (zh) * | 2023-05-11 | 2023-08-11 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN117119847A (zh) * | 2023-09-13 | 2023-11-24 | 惠科股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW595249B (en) * | 2001-01-08 | 2004-06-21 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Organic electroluminescent element structure and its manufacturing method |
CN103137891A (zh) * | 2011-12-01 | 2013-06-05 | 群康科技(深圳)有限公司 | 有机发光二极管与其所组成的有机发光二极管显示器 |
US20150097171A1 (en) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same |
CN104733500A (zh) * | 2013-12-23 | 2015-06-24 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其修复方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4016144B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2007-12-05 | ソニー株式会社 | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置 |
KR101430533B1 (ko) * | 2008-01-04 | 2014-08-22 | 솔브레인 주식회사 | 네거티브 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이기판의 제조 방법 |
EP2503851B1 (en) | 2009-11-17 | 2018-07-11 | Unified Innovative Technology, LLC | Organic el display |
KR102004305B1 (ko) * | 2011-02-11 | 2019-07-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법, 그리고 조명 장치 및 표시 장치 |
KR102020805B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2019-09-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR101548304B1 (ko) * | 2013-04-23 | 2015-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
EP2827371B1 (en) | 2013-06-28 | 2018-08-22 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and manufacturing method thereof |
KR102241441B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2021-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR102278160B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2021-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 리페어 방법 |
KR102399435B1 (ko) | 2014-12-26 | 2022-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2015
- 2015-07-29 KR KR1020150107497A patent/KR102348876B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-07-28 US US15/222,676 patent/US10854693B2/en active Active
- 2016-07-29 CN CN201610618108.6A patent/CN106409870B/zh active Active
- 2016-07-29 TW TW105124194A patent/TWI617022B/zh active
- 2016-07-29 EP EP16181858.8A patent/EP3125294B1/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW595249B (en) * | 2001-01-08 | 2004-06-21 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Organic electroluminescent element structure and its manufacturing method |
CN103137891A (zh) * | 2011-12-01 | 2013-06-05 | 群康科技(深圳)有限公司 | 有机发光二极管与其所组成的有机发光二极管显示器 |
US20150097171A1 (en) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same |
CN104517995A (zh) * | 2013-10-08 | 2015-04-15 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN104733500A (zh) * | 2013-12-23 | 2015-06-24 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其修复方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102348876B1 (ko) | 2022-01-10 |
EP3125294B1 (en) | 2020-04-22 |
CN106409870B (zh) | 2019-10-15 |
KR20170015637A (ko) | 2017-02-09 |
CN106409870A (zh) | 2017-02-15 |
US20170033166A1 (en) | 2017-02-02 |
TW201705469A (zh) | 2017-02-01 |
US10854693B2 (en) | 2020-12-01 |
EP3125294A1 (en) | 2017-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI617022B (zh) | 有機發光顯示裝置 | |
US10431768B2 (en) | Organic light-emitting display device including auxiliary electrode | |
US20220367583A1 (en) | Large area organic light-emitting diode display | |
US11716877B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
US10084019B2 (en) | Organic light-emitting array and organic light-emitting display device using the same | |
US10591787B2 (en) | Display device having an auxiliary electrode | |
WO2020047978A1 (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
US10998395B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
KR102624878B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101489419B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 어레이 기판과 디스플레이 장치 | |
US20150346534A1 (en) | Display Device | |
US9711574B2 (en) | Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same | |
US9947738B2 (en) | Display panel including multilayer wiring and member for reducing probability of power line mis-pressing during manufacturing process, and manufacturing method for the same | |
JP6223070B2 (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
TW202130008A (zh) | 電致發光顯示裝置及其製造方法 | |
KR101971141B1 (ko) | 유기발광 디스플레이장치 및 그 제조방법 | |
KR20150113670A (ko) | 액정 표시 장치 | |
KR20160053376A (ko) | 고 개구율 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 | |
WO2024227282A1 (en) | Array substrate and display apparatus |