TWI615668B

TWI615668B - 相位移光罩的形成方法

Info

Publication number: TWI615668B
Application number: TW105137778A
Authority: TW
Inventors: 陳俊郎; 涂志強; 楊世豪
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2016-11-18
Filing date: 2016-11-18
Publication date: 2018-02-21
Also published as: TW201820022A

Abstract

一種形成相位移光罩的方法。在透光基板上依序形成相位移層、遮蔽層、促進層以及罩幕層。圖案化罩幕層，以形成圖案化罩幕層。以圖案化罩幕層為罩幕，對促進層以及遮蔽層進行蝕刻，以形成圖案化促進層以及第一圖案化遮蔽層。同時移除圖案化罩幕層以及圖案化促進層。以第一圖案化遮蔽層為罩幕，對相位移層進行蝕刻，以形成圖案化相位移層。選擇性移除第一圖案化遮蔽層，以形成第二圖案化遮蔽層。

Description

相位移光罩的形成方法

本發明實施例是有關於一種光罩的形成方法。

隨著半導體技術的發展，半導體元件的尺寸愈來愈小，使其關鍵尺寸（critical dimension）愈來愈接近曝光機台的光學物理極限。然而，為了提升光罩的解析度，往往需要更先進的曝光機台，或藉由在光罩的製程中加入多道步驟來改善，因而導致設備成本增加或造成製程複雜化。

本發明實施例提供一種相位移光罩的形成方法。在透光基板上依序形成相位移層、遮蔽層、促進層以及罩幕層。圖案化罩幕層，以形成圖案化罩幕層。以圖案化罩幕層為罩幕，對促進層以及遮蔽層進行圖案化，以形成圖案化促進層以及第一圖案化遮蔽層。移除圖案化促進層，其中在移除圖案化促進層時同時移除圖案化罩幕層。以第一圖案化遮蔽層為罩幕，對相位移層進行蝕刻，以形成圖案化相位移層。選擇性移除第一圖案化遮蔽層，以形成第二圖案化遮蔽層。

本發明實施例提供一種相位移光罩的形成方法。在透光基板上依序形成相位移層、遮蔽層以及雙聚合物層，其中雙聚合物層包括罩幕層以及位於遮蔽層以及罩幕層之間的促進層。圖案化罩幕層，以形成圖案化罩幕層。以圖案化罩幕層為罩幕，對促進層以及遮蔽層進行圖案化，以形成圖案化促進層以及第一圖案化遮蔽層。移除圖案化促進層，其中在移除圖案化促進層時同時移除圖案化罩幕層。以第一圖案化遮蔽層為罩幕，對相位移層進行蝕刻，以形成圖案化相位移層。移除部分第一圖案化遮蔽層，以形成第二圖案化遮蔽層。

本發明實施例提供一種相位移光罩的形成方法。在透光基板上依序形成相位移層、遮蔽層以及促進層。以相同的蝕刻氣體源，同時對促進層以及遮蔽層進行蝕刻，以形成圖案化促進層以及第一圖案化遮蔽層。移除圖案化促進層。以第一圖案化遮蔽層為罩幕，對相位移層進行蝕刻，以形成圖案化相位移層。選擇性移除第一圖案化遮蔽層，以形成第二圖案化遮蔽層。

為讓本發明實施例的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

以下發明內容提供用於實施所提供的標的之不同特徵的許多不同實施例或實例。以下所描述的構件及配置的具體實例是為了以簡化的方式傳達本發明為目的。當然，這些僅僅為實例而非用以限制。舉例來說，於以下描述中，在第一特徵上方或在第一特徵上形成第二特徵可包括第二特徵與第一特徵形成為直接接觸的實施例，且亦可包括第二特徵與第一特徵之間可形成有額外特徵使得第二特徵與第一特徵可不直接接觸的實施例。此外，本發明在各種實例中可使用相同的元件符號及/或字母來指代相同或類似的部件。元件符號的重複使用是為了簡單及清楚起見，且並不表示所欲討論的各個實施例及/或配置本身之間的關係。

另外，為了易於描述附圖中所繪示的一個構件或特徵與另一組件或特徵的關係，本文中可使用例如「在...下」、「在...下方」、「下部」、「在…上」、「在…上方」、「上部」及類似術語的空間相對術語。除了附圖中所繪示的定向之外，所述空間相對術語意欲涵蓋元件在使用或操作時的不同定向。設備可被另外定向（旋轉90度或在其他定向），而本文所用的空間相對術語相應地作出解釋。

圖1至圖7為依照本發明一些實施例的一種相位移光罩的製造過程的各種階段的剖面示意圖。圖8為依照本發明一些實施例的一種相位移光罩的製造過程的流程圖。

請參照圖1以及圖8，步驟800，提供透光基板100。透光基板100的材料包括石英、熔融二氧化矽、氟化鈣、玻璃或其他合適的透光材料。

接著，進行步驟810，在透光基板100上形成相位移層200。相位移層200可對穿透透光基板100的光產生180度左右的相位位移，且相位移層200的透光率例如是在4%至20%之間。在一些實施例中，相位移層200的透光率為6%；在另一些實施例中，相位移層200的透光率為9%；在又一些實施例中，相位移層200的透光率為19%。相位移層200的材料包括Mo _xSi _y、MoSi _xN _y、MoSi _xO _yN _z、SiN或其他合適的材料，其中X、Y、Z的範圍分別是本領域中所熟知的可行化學計量範圍。相位移層200可以利用電子射線（EB）蒸鍍法、雷射蒸鍍法（laser deposition）、原子層成膜（ALD）法、離子輔助濺鍍法等來形成。相位移層200的厚度例如是在約60奈米（nm）至約80奈米之間。

之後，進行步驟810，在透光基板100上形成相位移層200後，於相位移層200上形成遮蔽層300。遮蔽層300的材料包括Cr、CrO _xN _y、CrN _x、Cr ₂O ₃、SiN、SiO _xN _y、SiC、SiO _xC _y、TiN、TiSi _xN _y、Mo _xSi _y、TaN、TaBN或其他合適的不透光材料，X、Y、Z的範圍分別是本領域中所熟知的可行化學計量範圍。相位移層200可以利用化學氣相沉積法(CVD)或物理氣相沉積法(PVD)等來形成，厚度例如是在約40奈米至約60奈米之間。

請繼續參照圖1以及圖8，進行步驟810，在相位移層200上形成遮蔽層300後，於遮蔽層300上形成促進層400。在一些實施例中，促進層400的材料包括有機材料。促進層400例如是包括共聚合物材料。在一些示範實施例中，促進層400是由共聚合物材料所構成。用來形成促進層400的共聚合物材料為非感光性材料，且促進層400中不含有光致產酸劑(photoacid generator,PAG)。用來形成促進層400的共聚合物材料的一部分單體包括具有疏水基的單體，具有疏水基的單體包括甲基丙烯酸甲酯、二苯基甲酮、甲基丙烯酸縮水甘油酯或其他。在一些實施例中，用來形成促進層400的共聚合物材料的分子量大於或等於10,000。形成促進層400的方法例如是以有機溶劑溶解由選定的單體所形成的共聚合物材料；以旋轉塗佈法(spin coating)將具有共聚合物材料的溶液均勻塗佈在遮蔽層300上；烘烤塗佈在遮蔽層300上的具有共聚合物材料的溶液，以形成促進層400。促進層400的厚度例如是在約10奈米至約20奈米之間。

請繼續參照圖1以及圖8，進行步驟810，在遮蔽層300上形成促進層400後，於促進層400上形成罩幕層500。在一些實施例中，罩幕層500的組成與促進層400的組成不同。在一些示範實施例中，罩幕層500可以是光阻層。罩幕層500例如是正光阻層或負光阻層。光阻層的材料例如是包括感光性聚合物材料、交聯劑以及光致產酸劑。形成罩幕層500的方法例如是以有機溶劑溶解選定的光阻材料；以旋轉塗佈法將具有光阻材料的溶液均勻塗佈在促進層400上；烘烤塗佈在促進層400上的具有光阻材料的溶液，以形成罩幕層500。罩幕層500的厚度例如是在約800埃至約2000埃之間。

在本發明的一些實施例中，促進層400與罩幕層500之間具有良好的黏著性，且促進層400與遮蔽層300之間均具有良好的黏著性。再者，促進層400與罩幕層500不互溶，因此，在形成罩幕層500的過程中，促進層400不會被溶解。促進層400與罩幕層500具有不同的組成，使得促進層400與罩幕層500具有不同的化學特性與物理特性。在一些示範實施例中，罩幕層500包括感光性聚合物材料、交聯劑以及光致產酸劑；促進層400包括非感光性聚合物，但不包括交聯劑以及光致產酸劑。

從另一方面來說，在一些實施例中，促進層400與罩幕層500均包括聚合物層，故，可一起被視為是一雙聚合物層450。然而，做為罩幕層500的聚合物層與做為促進層400的聚合物層兩者具有不同的化學特性與物理特性。更具體地說，做為罩幕層500的聚合物層為感光性聚合物，其在接下來進行圖案化的曝光製程中可以因為曝光而產生反應(例如是交聯或裂解)；而做為促進層400的聚合物層為非感光性聚合物，其在接下來進行圖案化的曝光製程中不會因為曝光而產生反應(例如是交聯或裂解)。再者，做為罩幕層500的聚合物層在經過曝光/未曝光之後，在接下來進行圖案化的顯影製程中可被顯影；而做為促進層400的聚合物層不論是否經過曝光或是未曝光，在接下來進行圖案化的顯影製程中也不會被顯影。常見的顯影液例如是有機鹼顯影液。有機鹼顯影液例如是四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide,TMAH)。

在本發明的一些實施例中，促進層400介於遮蔽層300以及罩幕層500之間，並與其二者黏著。促進層400與罩幕層500可以使用相同的方法，例如是旋轉塗佈的方式來形成，因此可以簡化製程。由於遮蔽層300與罩幕層500之間並不需額外的硬罩幕層來做為後續進行圖案化遮蔽層300步驟的罩幕。因此，可以不需要額外進行化學氣相沉積製程來形成硬罩幕層。

請參照圖2以及圖8，進行步驟820，對罩幕層500進行圖案化，以形成圖案化罩幕層500a。將罩幕層500圖案化的方法例如是對罩幕層500的特定區域進行曝光，再以顯影液將被曝光(或未被曝光)的罩幕層500移除。用來對罩幕層500進行曝光的光源例如是KrF光源(248nm)、ArF光源(193nm)或其他波長合適的光源。顯影液例如是有機鹼顯影液。有機鹼顯影液例如是四甲基氫氧化銨(TMAH)。

由於本發明中可以使用相當薄的罩幕層500(厚度例如是在約800埃至約2000埃之間)，因此，使用現有的曝光機台進行曝光即可具有足夠的聚焦深度(DOF)。此外，在以顯影液移除部分罩幕層500時，位在罩幕層500下方的促進層400不會被顯影液移除或因顯影液損壞，且可以留下來，在後續將遮蔽層300圖案化的製程中與圖案化罩幕層共同做為罩幕(Mask)。

請參照圖3以及圖8，進行步驟830，以圖案化罩幕層500a為罩幕，對促進層400以及遮蔽層300進行圖案化，以形成圖案化促進層400a以及第一圖案化遮蔽層300a。將促進層400以及遮蔽層300圖案化的方法例如是以電漿蝕刻法將圖案化罩幕層500a的圖案轉移到促進層400以及遮蔽層300上。在以前述的電漿蝕刻法蝕刻促進層400以及遮蔽層300時，可使用的氣體例如是氯(Cl₂)、氧(O₂)或其組合。在一些實施例中，可使用單一的蝕刻步驟將促進層400以及遮蔽層300圖案化。換言之，蝕刻促進層400以及遮蔽層300時可以使用相同的氣體，甚至相同的參數。從另一方面來說，在對促進層400蝕刻形成圖案化促進層400a之後，並不需要先將圖案化罩幕層500a移除，而可以直接繼續蝕刻位於圖案化促進層400a下方的遮蔽層300。若在蝕刻遮蔽層300的過程中，圖案化的罩幕層500a遭受蝕刻而銷蝕，圖案化促進層400a也可以做為罩幕(或稱硬罩幕)，繼續進行遮蔽層300的蝕刻製程。

由於本發明使用單一層的圖案化罩幕層500a做為罩幕來圖案化促進層400以及遮蔽層300，而且在蝕刻促進層400時可以使用蝕刻遮蔽層300所使用的蝕刻氣體，而不需另外形成額外的硬罩幕層做為罩幕或另外以不同的蝕刻氣體來蝕刻硬罩幕，且在將遮蔽層300圖案化之前可以不需要進行額外的移除步驟以移除圖案化的罩幕層，因此，可以減少製作相位移光罩的步驟，簡化相位移光罩的製程，減少製程的時間。在一些實施例中，相位移光罩製造時間可減少約20%。

請參照圖4以及圖8，步驟840，移除圖案化罩幕層500a以及圖案化促進層400a，留下第一圖案化遮蔽層300a。圖案化罩幕層500a以及圖案化促進層400a可以使用相同的方式，甚至以相同的液體同時移除。在一些實施例中，移除圖案化罩幕層500a以及圖案化促進層400a的方法是藉由物理方式，而不是化學反應的方式，將圖案化罩幕層500a以及圖案化促進層400a從第一圖案化遮蔽層300a上移除。在一些示範實施例中，移除圖案化罩幕層500a以及圖案化促進層400a的方法是使用非化學溶劑。非化學溶劑是指不會與圖案化罩幕層500a以及圖案化促進層400a產生化學反應的溶劑，其可以是非有機溶劑，例如是以水或其他合適的液體。

請參照圖5以及圖8，進行步驟850，以第一圖案化遮蔽層300a為罩幕，對相位移層200進行圖案化，以形成圖案化相位移層200a。圖案化相位移層200的方法例如是以電漿蝕刻法將第一圖案化遮蔽層300a的圖案轉移到相位移層200上。在以前述的電漿蝕刻法蝕刻相位移層200時，可使用的氣體例如是含氟氣體，含氟氣體包括全氟取代氣體以及部分氟取代氣體。全氟取代氣體包括SF ₆、CF ₄或其組合。

請參照圖6至圖8，步驟860，選擇性移除部分的第一圖案化遮蔽層300a，以形成第二圖案化遮蔽層300b。請先參照圖6，首先，在第一圖案化遮蔽層300a上形成圖案化罩幕層600。圖案化罩幕層600例如是圖案化光阻層。圖案化光阻層可以是正光阻或負光阻。以圖案化罩幕層600為罩幕，蝕刻第一圖案化遮蔽層300a，以形成第二圖案化遮蔽層300b。蝕刻第一圖案化遮蔽層300a以形成第二圖案化遮蔽層300b的方法例如是電漿蝕刻法。在以前述的電漿蝕刻法蝕刻第一圖案化遮蔽層300a時，可使用的氣體例如是氯（Cl ₂）、氧（O ₂）或其組合。其後，如圖7所示，移除圖案化罩幕層600。在一些實施例中，移除圖案化罩幕層600的方法例如是以水或其他合適的液體。在移除圖案化罩幕層600後，完成相位移光罩700的製作。

請參照圖7，本發明所形成的相位移光罩700具有不透光區A、透光區B以及部分透光區C。不透光區A上有圖案化相位移層200a以及第二圖案化遮蔽層300b，可完全遮蔽曝光光源。透光區B上無圖案化相位移層200a以及第二圖案化遮蔽層300b，裸露出不透光基板100的表面，可讓曝光光源完全穿透而使晶圓上的光阻曝光。部分透光區C上有圖案化相位移層200a，可讓部分曝光光源穿透，但部分穿透的曝光光源強度不足以使晶圓上的光阻曝光，且可使光產生180度左右的相位位移。由於穿透部分透光區C的曝光光源與穿透透光區B的曝光光源有180度的相位差，穿透部分透光區C的曝光光源會與穿透透光區B的曝光光源產生相消干涉，而使得欲曝光圖形的邊緣的對比度提升。

在本發明的一些實施例中，請參照圖1，遮蔽層300以及罩幕層500之間並不需額外的硬罩幕層來做為後續進行圖案化遮蔽層300步驟的罩幕，因此，本發明可簡化相位移光罩的製程。同時，由於本發明在罩幕層500下方有促進層400，因此可使用較薄的罩幕層500，提升光阻圖案的解析度。在一些實施例中，其解析度可提升20%以上。

為了說明本發明的優點，下文列舉實驗例以更具體地描述本發明。

＜實驗例＞

例1是依據本發明對應圖1至圖7之方法形成各種長寬比的解析輔助特徵（sub resolution assist feature, SRAF）或稱散射條（scattering bar, SB），其促進層的厚度為10奈米，促進層上的光阻層的厚度為100奈米。

比較例1是以氮氧化矽硬罩幕層取代促進層來形成各種長寬比的散射條，氮氧化矽硬罩幕層的厚度為10奈米，氮氧化矽硬罩幕層上的光阻層的厚度為100奈米。

比較例2與例1相似，惟光阻層和遮蔽層之間不設置其他層（促進層）。

在例1、比較例1以及比較例2中，光罩的圖案比例為欲轉移圖案的4倍。

表1 <TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> </td><td> 關鍵尺寸ADI(最小解析 minimum resolution) </td></tr><tr><td> 長寬比 </td><td> 實例1 </td><td> 比較例1 </td><td> 比較例2 </td></tr><tr><td> 1:1 </td><td> 44nm </td><td> 78nm </td><td> 92nm </td></tr><tr><td> 2:1 </td><td> 32nm </td><td> 70nm </td><td> 80nm </td></tr><tr><td> 3:1 </td><td> 28nm </td><td> 62nm </td><td> 72nm </td></tr><tr><td> 4:1 </td><td> 24nm </td><td> 52nm </td><td> 64nm </td></tr><tr><td> 5:1 </td><td> 20nm </td><td> 40nm </td><td> 48nm </td></tr></TBODY></TABLE>

如表1所示，在例1中，當光阻層進行曝光與顯影之後，其顯影後檢視（ADI）的結果顯示，在次解析輔助特徵的長寬比分別為1:1、2:1、3:1、4:1、5:1時，其相位移光罩的關鍵尺寸（CD）可分別達到44nm、32nm、28nm、24nm、20nm。圖案化促進層可以將圖案化光阻層牢固的黏住，而不易發生倒塌。

在比較例1中，當光阻層進行曝光與顯影之後，其顯影後檢視（ADI）的結果顯示，在次解析輔助特徵的長寬比分別為1:1、2:1、3:1、4:1、5:1時，其相位移光罩的關鍵尺寸可分別達到78nm、70nm、62nm、52nm、40nm。在比較例2中，當光阻層進行曝光與顯影之後，其顯影後檢視（ADI）的結果顯示，在次解析輔助特徵的長寬比分別為1:1、2:1、3:1、4:1、5:1時，其相位移光罩的關鍵尺寸可分別達到92nm、80nm、72nm、64nm、48nm。

由表1可知，當在相位移光罩製程中加入促進層後，可使得形成的相位移光罩的解析度提升。特別是，在相同的次解析輔助特徵的長寬比條件下，具有促進層之相位移光罩的製程方法可使次解析輔助特徵窗（SRAF window）提升50%以上。例如，當次解析輔助特徵的長寬比為1:1時，其光阻層在顯影後檢視的關鍵尺寸可從78nm提升至44nm。

綜上所述，由於本發明實施例可用單一層的圖案化罩幕層（例如光阻層）來形成圖案化促進層以及圖案化遮蔽層，而不需用到硬罩幕層做為罩幕來圖案化遮蔽層，且可用單一移除步驟同時移除圖案化罩幕層以及圖案化促進層，因此，可以較為簡化、成本較低且製程窗（裕度）較大的製程製作具有高解析度的相位移光罩。

由於本發明實施例使用的促進層是由特定聚合物單體來形成的，其具有不被顯影液溶解的特性，且在其圖案化後可以與圖案化光阻層共同做為蝕刻硬罩幕，因此可使用較薄的光阻層，進而提升的圖案解析度，並可與現行的相位移光罩製程相容。

依照本發明一些實例所述，其中所述促進層包括非感光性共聚合物，且不會被顯影液所溶解。

依照本發明一些實例所述，其中所述促進層包括由具有疏水基的單體所形成的共聚合物。

依照本發明一些實例所述，其中所述促進層為選自由甲基丙烯酸甲酯、二苯基甲酮以及甲基丙烯酸縮水甘油酯所組成的族群所形成的共聚合物。

依照本發明一些實例所述，其中對所述促進層以及所述遮蔽層進行圖案化的方法包括以相同之蝕刻氣體源進行電漿蝕刻。

依照本發明一些實例所述，其中對所述促進層以及所述遮蔽層進行圖案化的方法包括以相同之蝕刻氣體源進行電漿蝕刻，其中所述相同蝕刻氣體源包括氯（Cl ₂）、氧（O ₂）或其組合。

依照本發明一些實例所述，其中移除所述圖案化促進層採用物理的方式。

依照本發明一些實例所述，其中移除所述圖案化促進層的方法包括使用水。

依照本發明一些實例所述，其中所述促進層的材料包括有機材料。

依照本發明一些實例所述，其中所述促進層的組成與所述罩幕層的組成不同。

依照本發明一些實例所述，其中所述促進層的材料包括第一聚合物；所述罩幕層的材料包括第二聚合物，其中第一聚合物的材料和第二聚合物的材料不同。

依照本發明一些實例所述，其中所述促進層的材料包括非感光性聚合物；所述罩幕層的材料感光性包括聚合物。

依照本發明一些實例所述，其中所述促進層的材料包括第一聚合物。

依照本發明一些實例所述，其中所述促進層的材料包括非感光性聚合物。

本發明已以數個實施例概述特徵如上，本領域具有通常知識者可更加了解本發明的各種態樣。本領域具有通常知識者應理解，其可輕易地依據本發明來設計或修改其他製程與結構，以實行本文所介紹的實施例的相同目的及/或達到相同優點。本領域具有通常知識者還應理解，在不悖離本發明的精神與範疇之下，可做各種等效的配置，且本領域具有通常知識者在不悖離本發明的精神與範疇的情況下可對本文做出各種潤飾、改變、置換以及變更。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧透光基板

200‧‧‧相位移層

200a‧‧‧圖案化相位移層

300‧‧‧遮蔽層

300a‧‧‧第一圖案化遮蔽層

300b‧‧‧第二圖案化遮蔽層

400‧‧‧促進層

400a‧‧‧圖案化促進層

450‧‧‧雙聚合物層

500‧‧‧罩幕層

500a‧‧‧圖案化罩幕層

600‧‧‧圖案化罩幕層

700‧‧‧相位移光罩

800~860‧‧‧步驟

A‧‧‧不透光區

B‧‧‧透光區

C‧‧‧部分透光區

100‧‧‧透光基板

200‧‧‧相位移層

300a‧‧‧第一圖案化遮蔽層

400a‧‧‧圖案化促進層

500a‧‧‧圖案化罩幕層

Claims

一種相位移光罩的形成方法，包括：在透光基板上依序形成相位移層、遮蔽層、促進層以及罩幕層；圖案化所述罩幕層，以形成圖案化罩幕層；以所述圖案化罩幕層為罩幕，對所述促進層和所述遮蔽層進行圖案化，以形成圖案化促進層和第一圖案化遮蔽層；移除所述圖案化促進層，其中在移除所述圖案化促進層時同時移除所述圖案化罩幕層；移除所述圖案化促進層後，以所述第一圖案化遮蔽層為罩幕，對所述相位移層進行蝕刻，以形成圖案化相位移層；以及選擇性移除所述第一圖案化遮蔽層，以形成第二圖案化遮蔽層。
一種相位移光罩的形成方法，包括：在透光基板上依序形成相位移層、遮蔽層以及雙聚合物層，其中所述雙聚合物層包括罩幕層以及位於所述遮蔽層和所述罩幕層之間的促進層；圖案化所述罩幕層，以形成圖案化罩幕層；以所述圖案化罩幕層為罩幕，對所述促進層和所述遮蔽層進行圖案化，以形成圖案化促進層以及第一圖案化遮蔽層；移除所述圖案化促進層，其中在移除所述圖案化促進層時同時移除所述圖案化罩幕層；以所述第一圖案化遮蔽層為罩幕，對所述相位移層進行蝕刻，以形成圖案化相位移層；以及移除部分所述第一圖案化遮蔽層，以形成第二圖案化遮蔽層。
如申請專利範圍第1或2項所述的相位移光罩的形成方法，其中對所述促進層以及所述遮蔽層進行圖案化的方法包括以相同之蝕刻氣體源進行電漿蝕刻。
如申請專利範圍第3項所述的相位移光罩的形成方法，其中所述相同蝕刻氣體源包括氯(Cl₂)、氧(O₂)或其組合。
一種相位移光罩的形成方法，包括：在透光基板上依序形成相位移層、遮蔽層以及促進層；以相同的蝕刻氣體源，對所述促進層以及所述遮蔽層進行蝕刻，以形成圖案化促進層以及第一圖案化遮蔽層；移除所述圖案化促進層；以所述第一圖案化遮蔽層為罩幕，對所述相位移層進行蝕刻，以形成圖案化相位移層；以及選擇性移除所述第一圖案化遮蔽層，以形成第二圖案化遮蔽層。
如申請專利範圍第1、2或5項所述的相位移光罩的形成方法，其中所述促進層包括非感光性共聚合物，且不會被顯影液所溶解。
如申請專利範圍第1、2或5項所述的相位移光罩的形成方法，其中所述促進層包括由具有疏水基的單體所形成的共聚合物。
如申請專利範圍第1、2或5項中任一項所述的相位移光罩的形成方法，其中所述促進層為選自由甲基丙烯酸甲酯、二苯基甲酮以及甲基丙烯酸縮水甘油酯所組成的族群所形成的共聚合物。
如申請專利範圍第1、2或5項所述的相位移光罩的形成方法，其中所述第二圖案化遮蔽層裸露出部分所述圖案化相位移層與部分所述透光基板。
如申請專利範圍第1、2或5項所述的相位移光罩的形成方法，其中移除所述圖案化促進層的方法包括使用水。