TWI522679B - 一種顯示面板及其母板 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種顯示面板及其母板，且特別是有關於一種具有高可靠度的顯示面板及其母板。
隨著光電與半導體技術的演進，帶動了顯示面板之蓬勃發展。在諸多顯示器中，平面顯示器近來已被廣泛地使用，並取代陰極射線管顯示器成為下一代顯示器的主流。以液晶顯示器為例，顯示面板通常使用無機薄膜做成主動元件及被動元件，其中無機薄膜通常是由非晶矽、多晶矽、氧化矽及/或氮化矽等不具有延性的脆性材料所組成。因此，在顯示面板受到拉伸應力作用時，無機薄膜中容易產生裂痕(crack)或剝落(peeling)，造成主動元件及/或被動元件損壞，進而影響顯示面板的可靠度。尤其是，在將顯示面板從其母板切割下來的過程中，由於容易在顯示面板的切割邊緣附近產生裂痕或剝落，這些裂痕或剝落可能會延伸至顯示面板的工作區中，進而造成顯示面板的可靠度下降。
本發明提供一種顯示面板及其母板，可提高顯示面板的抗拉伸能力，從而可提高顯示面板的可靠度。
本發明的顯示面板包括基板、畫素陣列、至少一個驅動電路、絕緣層及金屬牆。基板具有顯示區及非顯示區，非顯示區具有驅動電路區及位於驅動電路區外側的外側區域。畫素陣列及驅動電路分別位於顯示區以及驅動電路區中。絕緣層配置在基板上位於非顯示區中。金屬牆位於絕緣層上且位於外側區域中，其中金屬牆的浦松比(Poisson’s ratio)大於或等於0.32。
本發明的顯示母板包括母基板，且母基板具有至少一顯示單元區及切割區。切割區為顯示單元區之外的區域。顯示單元區具有顯示面板，且顯示面板包括基板、畫素陣列、至少一個驅動電路、絕緣層及金屬牆。基板具有顯示區及非顯示區，非顯示區具有驅動電路區及位於驅動電路區外側的外側區域。畫素陣列及驅動電路分別位於顯示區以及驅動電路區中。絕緣層配置在基板上位於非顯示區中。金屬牆位於絕緣層上且位於外側區域中，其中金屬牆的浦松比大於或等於0.32。
基於上述，在本發明的顯示面板中，由於在驅動電路區外側的外側區域配置有金屬牆，且金屬牆的浦松比大於或等於0.32，因此金屬牆可提高顯示面板的抗拉伸能力。尤其是，在將具有多個顯示面板的顯示母板切割為單一的顯示面板時，金屬牆可防止切割時在切割邊際所產生的裂痕及/或剝落向顯示區延伸，從
而可避免在顯示區中產生裂痕及或剝落而造成金屬斷線或基板損壞，且因此可提高顯示面板可靠度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10‧‧‧顯示母板
11‧‧‧母基板
12‧‧‧顯示單元區
14‧‧‧切割區
100、105、200、300、400、500‧‧‧顯示面板
600、700、800、900、1000‧‧‧顯示面板
110‧‧‧基板
111a‧‧‧裂痕
111b‧‧‧剝落斑點
112‧‧‧顯示區
113‧‧‧畫素陣列
114‧‧‧非顯示區
116‧‧‧驅動電路區
117‧‧‧驅動電路
118‧‧‧外側區域
119‧‧‧驅動電路單元
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧半導體層
140、440、540‧‧‧絕緣層
640、740、840、940、1040‧‧‧絕緣層
140a‧‧‧第一子絕緣層
140b‧‧‧第二子絕緣層
445、545、645、745、945、1045‧‧‧開口
150、250、350、450、550‧‧‧金屬牆
650、750、850、950、1050‧‧‧金屬牆
152、154‧‧‧內環金屬牆
160‧‧‧平坦層
350a、350b、350c‧‧‧金屬層
A-A'‧‧‧線
CH‧‧‧通道區
D‧‧‧汲極區
DL1~DLm‧‧‧資料線
DM‧‧‧汲極金屬
G‧‧‧閘極
P‧‧‧畫素結構
PT‧‧‧畫素主動元件
PE‧‧‧畫素電極
S‧‧‧源極區
SL1~SLn‧‧‧掃瞄線
SM‧‧‧源極金屬
I‧‧‧區域
圖1為本發明的一實施例的顯示母板的上視圖。
圖2為本發明一實施例的顯示面板的上視圖。
圖3為圖2實施例的顯示面板的另一態樣的上視圖。
圖4為圖2的顯示面板中的畫素結構的剖面示意圖。
圖5A至圖5C為本發明顯示面板的金屬牆的局部區域的平面放大圖。
圖6為本發明另一實施例的顯示面板的上視圖。
圖7為圖6實施例的顯示面板的另一態樣的上視圖。
圖8為根據本發明第一實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。
圖9為根據本發明第二實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。
圖10為根據本發明第三實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。
圖11為根據本發明第四實施例的顯示面板的部分外部區域
的剖面圖。
圖12為根據本發明第五實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。
圖13為根據本發明第六實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。
圖14為根據本發明第七實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。
圖15為根據本發明第八實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。
圖16為根據本發明第九實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。
圖17為根據本發明第十實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。
圖1為本發明的一實施例的顯示母板的上視圖。請先參照圖1，顯示母板10包括母基板11，且母基板11具有至少一個顯示單元區12及切割區14。每一個顯示單元區12各自包括一個顯示面板100。在圖1中，雖然繪示有六個顯示單元區12，但本發明不以此為限。在其他實施例中，本發明可具有任意數目的顯示單元區12。切割區14是用來使兩個相鄰的顯示單元區12彼此隔開的區域、或者用來使邊緣的顯示單元區12與母基板11彼此
隔開的區域，因此切割區14為顯示單元區12之外的區域。換句話說，為了在切割製程中能順利地將各個顯示面板100從顯示母板10中單獨地分離出來，因此切割區14可配置在兩個相鄰的顯示單元區12之間以及圍繞在多個顯示單元區12外側的任意區域中。在本發明中，可藉由例如是雷射切割製程或一般的刀片切割製程來對切割區14進行切割從而將各個顯示面板100從顯示母板10中單獨地分離出來，但本發明不以此為限。此外，雖然未繪示，但在上述的切割過程中，可能會在切割區14中產生多條裂痕及/或多個剝落斑點，且這些裂痕及/或剝落斑點會從切割邊緣向顯示面板100的內部延伸。
圖2為本發明一實施例的顯示面板的上視圖，其中圖2為將圖1的顯示母板進行切割後所得到的一個顯示面板的上視圖。請參照圖2，顯示面板100包括基板110、畫素陣列113、至少一個驅動電路117以及金屬牆150。基板110具有顯示區112及非顯示區114，且非顯示區114具有驅動電路區116以及位於驅動電路區116外側的外側區域118。
圖3為圖2實施例的顯示面板的另一態樣的上視圖。請參照圖3，將顯示面板100從圖1的顯示母板10切割出來後，可能會因為切割製程所產生的拉伸應力而在基板110的邊緣形成多條裂痕111a或多個剝落斑點111b，其中剝落斑點111b例如是基板110的表面剝落後所形成的斑點。裂痕111a或剝落斑點111b可由基板110的邊緣向內部延伸，且裂痕111a或剝落斑點111b
終止於金屬牆150。此外，雖然在本實施例中，此些裂痕111a或剝落斑點111b是由切割製程中的拉伸應力所造成的，但當顯示面板100受到其他的應力作用時，也可能會在基板110的邊緣產生相似的裂痕或剝落斑點。
請再次參照圖2，畫素陣列113配置在基板110上且位於顯示區112中。畫素陣列113包括多條掃描線SL1~SLn、多條資料線DL1~DLm以及多個畫素結構P。掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLm彼此交越設置，且掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLm之間夾有絕緣層。換言之，掃描線SL1~SLn的延伸方向與資料線DL1~DLm的延伸方向不平行，較佳的是，掃描線SL1~SLn的延伸方向與資料線DL1~DLm的延伸方向垂直。基於導電性的考量，掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLm一般是使用金屬材料。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLm也可以使用其他導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。畫素結構P包括畫素主動元件PT以及畫素電極PE，其中畫素主動元件PT與對應的一條掃描線SL1~SLn及對應的一條資料線DL1~DLm電性連接，且畫素主動元件PT與畫素電極PE電性連接。以下將以畫素結構P的剖面示意圖對畫素結構P做進一步的說明。
圖4為圖2的顯示面板中的畫素結構的剖面示意圖。請參照圖4，以剖面圖來看，畫素結構P包括基板110、緩衝層120、
絕緣層140、平坦層160、畫素主動元件PT及畫素電極PE。緩衝層120配置在基板110上且可為無機材料所構成的無機薄膜，且構成緩衝層120的材料通常可為絕緣材料。絕緣層140配置在緩衝層120上，且絕緣層140可包括第一子絕緣層140a及第二子絕緣層140b。第一子絕緣層140a及第二子絕緣層140b的材料例如是氧化矽、氮化矽或其他絕緣材料。平坦層160配置在絕緣層140上，且平坦層160的材料可包括各種適用的有機材料。畫素主動元件PT可例如是低溫多晶矽薄膜電晶體(LTPS-TFT)，且畫素主動元件PT可包括半導體層SE、源極金屬SM、汲極金屬DM及閘極G。半導體層SE配置在緩衝層120上，且半導體層SE的材料例如是多晶矽、非晶矽、金屬氧化物半導體或是其他半導體材料。半導體層SE可包括源極區S、汲極區D及通道區CH。部分的源極金屬SM及汲極金屬DM配置在絕緣層140上，而其他部分的源極金屬SM及汲極金屬DM貫穿第一子絕緣層140a且分別與源極區S及汲極區D的半導體層SE接觸。另外，雖然在本實施例中，將畫素主動元件PT繪示為LTPS-TFT，但在其他實施例中，畫素主動元件PT也可能是其他種類的電晶體。
請再次參照圖2，至少一個驅動電路117配置在基板110上且位於驅動電路區116中。各個驅動電路117包括多個驅動電路單元119，且各驅動電路單元119與畫素陣列113中的其中一條資料線DLm或其中一條掃描線SLn電性連接。在圖2中，雖然只在畫素陣列的左側及下側繪示有兩個驅動電路，但本發明並不以
此為限，在其他實施例中，本發明可具有一個或兩個以上的驅動電路。
金屬牆150配置在基板110上且位於外側區域118中。在本實施例中，金屬牆150可例如是環狀的金屬牆，其位於外側區域118中且圍繞非顯示區114。另外，雖然圖2中並未繪示，但在本發明中，至少部分金屬牆150配置在絕緣層上，從而避免金屬牆150與基板110上的其他導電膜層電性連接而造成顯示面板100短路。
金屬牆150可由單層或多層的金屬材料或合金材料所構成，且金屬牆的浦松比大於或等於0.32。舉例而言，金屬牆150的材料可包括鈦(Ti)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鋁(Al)、釩(V)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鉛(Pb)、金(Au)或是上述之組合。在本發明中，浦松比定義為當一材料受拉伸或壓縮力時，該材料的橫向變形量與縱向變形量的比值。本發明所屬技術領域具有通常知識者應理解的是，浦松比與各機械模數間具有關係式，其中ν為浦松比、G為剪切模數、且E為楊氏係數。
由於金屬牆150的浦松比大於或等於0.32，且金屬牆150配置在顯示面板100的外側區域118中，因此當顯示面板100受到應力作用邊緣產生裂痕111a或剝落斑點111b時，金屬牆150可使得裂痕111a或剝落斑點111b終止於金屬牆150的外側而不延伸進入顯示面板100內的顯示區112及驅動電路區116中，從而可提高顯示面板100的可靠度。
圖5A至圖5C為本發明顯示面板的金屬牆的局部區域的平面放大圖，其中圖5A至圖5C所繪示的區域例如是圖2中的區域I。請參照圖5A至圖5C，金屬牆150可為具有蜂巢孔洞圖案的金屬牆(如圖5A所示)、具有網格圖案的金屬牆(如圖5B所示)、或者具有多孔圖案的金屬牆(如圖5C所示)，從而改變裂痕及/或剝落的延伸方向。更清楚地說，當裂痕及/或剝落由顯示面板的外部區域向其內部延伸而接觸到金屬牆150時，由於金屬牆150可具有不同的圖案，且金屬牆150可根據其圖案對裂痕及/或剝落施加不同方向的應力，故金屬牆150可改變裂痕及/或剝落的延伸方向，以阻止裂痕及/或剝落斑點延伸至顯示面板的內部。
圖6為本發明另一實施例的顯示面板的上視圖。請同時參照圖2及圖6，圖6的顯示面板105與圖2的顯示面板100大致相同，惟兩者的差異在於：顯示面板105更包括內環金屬牆152及154，且金屬牆150環繞內環金屬牆152及154。與金屬牆150相似，內環金屬牆152及154配置在該絕緣層上且位於該外側區域118中。另外，雖然在圖6中將內環金屬牆的數目繪示為兩個，但本發明也可包括一個、或者兩個以上的內環金屬牆。換句話說，本發明的顯示面板可包括至少一個內環金屬牆。
圖7為圖6實施例的顯示面板的另一態樣的上視圖。請參照圖7，與顯示面板100相似，顯示面板105可能會受到切割時產生的拉伸應力或其他的應力的作用而在基板110的邊緣產生多個裂痕111a或多個剝落斑點111b，其中這些裂痕111a或剝落斑
點111b可能會向顯示面板105的內部延伸。在本實施例中，由於顯示面板105包括環狀的金屬牆150及內環金屬牆152及154，因此當裂痕111a或剝落斑點111b向顯示面板105的內部延伸時，除了最外圍的金屬牆150以外，內環金屬牆152及154也可阻止裂痕111a或剝落斑點111b的延伸，故可進一步地提高顯示面板105的可靠度。另外，由於內環金屬牆152及154的功用為輔助金屬牆150以防止裂痕111a或剝落斑點111b延伸，故本發明不對內環金屬牆152及154的蒲松比做特別的限制，而可使用任意適合的金屬做為內環金屬牆152及154。另外，金屬牆150、內環金屬牆152及內環金屬牆154的三者的材料可彼此相同、不相同或不完全相同。
此外，相似於圖5A至圖5C所繪示的金屬牆的態樣，圖6(或圖7)的顯示面板105中的內環金屬牆152及154可各自具有蜂巢孔洞圖案、網格圖案或者多孔圖案，且內環金屬牆152及154的圖案可彼此相同或不相同。此外，金屬牆150與內環金屬牆152及154的圖案也可彼此相同、不相同或不完全相同。換句話說，可將金屬牆150和內環金屬牆152及154各自形成為具有不同的圖案，以防止各種裂痕及/或剝落斑點延伸至顯示面板內部；或者可將金屬牆150和內環金屬牆152及154形成為具有相同的圖案，以針對特定的裂痕及/或剝落斑點散至顯示面板內部，從而增加顯示面板105的可靠度。
以下將提供各種實施例來更清楚地說明本發明的顯示面
板的結構。應理解的是，雖然本發明被示範性地繪示為以下實施例，但本發明並不以此為限。
圖8為根據本發明第一實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖，其中圖8沿圖2的線A-A'所截取的剖面圖。請同時參照圖2及圖8，顯示面板100的外部區域118可包括基板110、緩衝層120、半導體層130、絕緣層140及金屬牆150。基板110的材料可為有機聚合物、玻璃、石英、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。
緩衝層120可配置在基板110上且可為無機材料所構成的無機薄膜。舉例而言，緩衝層120可例如是由氧化矽及氮化矽的無機薄膜，其厚度可約為350奈米(nm)，其中氧化矽的厚度約為300奈米，而氮化矽的厚度約為50奈米。除了外側區域118以外，緩衝層120更可配置於顯示面板110的其他區域中而為構成主動元件及/或被動元件的膜層之一。換句話說，外側區域118中的緩衝層120可為在其他區域中形成主動元件及/或被動元件後所自然保留的膜層。舉例而言，外側區域118中的緩衝層120與圖4的畫素結構P中的緩衝層120可為相同製程所形成的相同膜層。因此，在顯示區中形成畫素結構時，不需要額外的製程即可同時在外側區域118中形成緩衝層120。
半導體層130可配置在緩衝層120上。在顯示面板110的非顯示區114中，半導體層130可僅位於外側區域118中而不延伸至驅動電路區116中，從而驅動電路117不會與半導體層130電性連接而造成短路的問題。此外，半導體層130的材料例如是多晶矽、非晶矽、金屬氧化物半導體或是其他半導體材料，其厚度約為10奈米到200奈米。值得一提地是，在本發明中，半導體層130可為選擇性配置。亦即，在其他實施例中，顯示面板110的外側區域118可不具有半導體層130。另外，可在相同的製程中，同時形成半導體層130與圖4的畫素結構P中的半導體層SE。亦即，在顯示區中形成畫素結構時，不需要額外的製程即可同時在外側區域118中形成半導體層130。
絕緣層140配置在半導體層130上而位於基板110的非顯示區114中。絕緣層140可例如是由氧化矽及氮化矽所組成的無機薄膜且厚度可約為600奈米。舉例而言，絕緣層140可例如是由約為300奈米的氧化矽及約為300奈米的氮化矽所構成的無機薄膜。除了外側區域118以外，絕緣層140更可配置於顯示面板110的其他區域中而為構成主動元件及/或被動元件的膜層之一。亦即，外側區域118中的絕緣層140可為在其他區域中形成主動元件及/或被動元件後所自然保留的膜層。舉例而言，外側區域118中的絕緣層140與圖4的畫素結構P中的絕緣層140可為相同製程所形成的相同膜層。因此，在顯示區中形成畫素結構時，不需要額外的製程即可同時在外側區域118中形成絕緣層140。
金屬牆150配置在絕緣層140上且位於該外側區域118中。金屬牆150的浦松比大於或等於0.32，且其厚度例如是約為50奈米到1000奈米。金屬牆150的材料可包括鈦(Ti)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鋁(Al)、釩(V)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鉛(Pb)、金(Au)或是上述之組合。在本實施例中，雖然金屬牆150可為單層金屬結構，但本發明不以此為限，在其他實施例中，金屬牆150也可為多層金屬堆疊結構。另外，可在相同的製程中，同時形成金屬牆150與圖4的畫素結構P中的源極金屬SM及汲極金屬DM。亦即，在顯示區中形成畫素結構時，不需要額外的製程即可同時在外側區域118中形成金屬牆150。
在本實施例中，由於金屬牆的浦松比大於或等於0.32，因此將金屬牆配置在顯示面板的外側區域時，可增加顯示面板的抗拉伸能力，從而防止裂痕或剝落延伸至顯示區或驅動電路區中。此外，由於金屬牆的材料及形成方法與顯示面板中的主動元件/被動元件中的金屬膜層可相同，因此可不需要花費額外的製程步驟即可形成上述金屬牆。
圖9為根據本發明第二實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。請同時參照圖8及圖9，第二實施例的顯示面板200的結構與第一實施例相似，惟兩者之間的差異在於：顯示面板200中的金屬牆250是直接配置在緩衝層120上。換句話說，在顯示
面板200的外部區域中，可直接於基板110配置緩衝層120做為絕緣層，而不另外配置半導體層及額外的絕緣層，因此金屬牆250可直接配置在做為絕緣層的緩衝層120上。值得一提地是，由於緩衝層120通常可為無機材料所構成的無機薄膜且具有電絕緣性質，故將金屬牆250直接配置在緩衝層120上時，金屬牆250也不會和其他導電膜層形成電性連接而造成短路。
圖10為根據本發明第三實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。請同時參照圖8及圖10，第三實施例的顯示面板300的結構與第一實施例大部分相同，惟兩者之間的差異在於：顯示面板300的金屬牆350為多層金屬堆疊結構。
請參照圖10，舉例而言，金屬牆350可由金屬層350a、金屬層350b及金屬層350c所構成的金屬堆疊結構，其中金屬層350a/金屬層350b/金屬層350c可例如是Ti/Al/Ti或是Mo/Al/Mo的多層金屬堆疊結構。值得一提地是，只要金屬牆350內所有金屬層的平均浦松比大於0.32，則金屬牆350也可包括浦松比小於0.32的金屬層(例如是Mo)。舉例而言，在金屬牆350為Mo/Al/Mo的金屬堆疊結構的實施例中，只要Al金屬層的厚度佔有金屬牆350整體厚度的50%以上，就能夠使得金屬牆350的浦松比大於0.32，從而落於本發明的範圍之中。另外，在其他實施例中，金屬牆350也可包括三層以外的多層金屬堆疊結構，例如是兩層、或
四層以上的金屬層。
在本實施例中，由於金屬牆可為多層金屬堆疊結構且可包括延性較低的金屬層，故可配合顯示面板中通常用於形成金屬層的各種製程來製造金屬牆，且因此金屬牆不需耗費額外的金屬製程，從而可降低製造成本且使得製程簡單化。
圖11為根據本發明第四實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。請同時參照圖8及圖11，第四實施例的顯示面板400的結構與第一實施例大部分相同，惟兩者之間的差異在於：顯示面板400的絕緣層440具有開口445，且金屬牆450填入開口445內，其中開口445可為介於絕緣膜440的兩個側壁之間的溝槽式開口。另外，亦可參照第三實施例，將本實施例中的金屬牆450形成為多層金屬堆疊結構。
圖12為根據本發明第五實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。請同時參照圖11及圖12，第五實施例的顯示面板500的結構與第四實施例大部分相同，惟兩者之間的差異在於：開口445延伸至部分的半導體層130中，且金屬牆550填入開口545內以與半導體層130接觸。
圖13為根據本發明第六實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。請同時參照圖11及圖13，第六實施例的顯示面板600的結構與第四實施例大部分相同，惟兩者之間的差異在於：開口645更貫穿半導體層130以暴露出緩衝層120，金屬牆650填入開口645內以與緩衝層120接觸。
在第四實施例至第六實施例中，可藉由例如是乾式蝕刻以在絕緣層中形成開口，且可透過控制蝕刻製程的蝕刻條件來控制開口的深度。舉例而言，在圖11的第四實施例中，開口445暴露出的半導體層130的上表面；在圖12的第五實施例中，可透過延長蝕刻製程的時間以增加開口545的深度，進而使得開口545可延伸至部分的半導體層130中；而在圖13的第六實施例中，可使得開口645貫穿半導體層130而暴露出緩衝層120。值得一提地是，由於絕緣層及緩衝層的材料(例如是氧化矽及/或氧化矽)不同於半導體層的材料(例如是多晶矽及非晶矽)，因此利用各膜層材料之間蝕刻選擇比(etching selectivity)，即可易於判定開口的深度。
對應於各開口深度的不同，金屬牆可具有不同的配置方式。舉例而言，在圖11的第四實施例中，開口445暴露出半導體層130的上表面，故金屬牆450填入開口445內而與半導體層130接觸；在圖12的第五實施例中，由於開口545可延伸至部分的半導體層130中，故金屬牆550可填入開口545內而與被部分蝕刻的半導體層130接觸；而在圖13的第六實施例中，由於開口645
貫穿半導體層130而暴露出緩衝層120，故金屬牆650與被開口645所暴露出的緩衝層120接觸。
在上述實施例中，由於透過蝕刻製程在絕緣層中形成開口，因此可減少絕緣層的厚度，從而提高顯示面板的抗拉伸能力。換句話說，由於本實施例可減少無機薄膜的厚度，故可進一步地提高顯示面板的抗拉伸能力。此外，由於本實施例的開口是形成絕緣層之中，因此當裂痕或剝落從顯示面板的外側向其內部延伸時，絕緣層中的金屬牆可有效地阻擋裂痕及/或剝落沿著絕緣層(或無機薄膜)延伸至顯示面板內部。
圖14為根據本發明第七實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。請同時參照圖8及圖14，第七實施例的顯示面板700的結構與第一實施例大部分相同，惟兩者之間的差異在於：顯示面板700的絕緣層740具有開口745，且金屬牆750填入開口745內，其中絕緣層740的開口745為由具有單一側壁的開放式開口。此外，亦可參照第三實施例，將本實施例中的金屬牆450形成為具有多層金屬堆疊結構的金屬牆。
在第七實施例中，絕緣層740具有開口745，且開口745可為由絕緣膜740的一側壁的所形成的具有單一側壁的開放式開口。此外，可透過控制蝕刻條件及利用各膜層之間的蝕刻選擇比來控制開口745的深度，從而使得開口745可經控制以暴露出半
導體層130的上表面、或者可延伸至部分的半導體層130中、或者可貫穿半導體層130而暴露出緩衝層120。
如圖14所示，雖然在本實例中將開口745繪示為暴露出半導體層130的上表面且金屬牆750填入開口745內而與半導體層130接觸，但是本發明不以此為限。在其他實施例中，由於開口745可延伸至部分的半導體層130中或者可貫穿半導體層130而暴露出緩衝層120，因此金屬牆750可填入開口745內而與被部分蝕刻的半導體層130接觸或者與被開口745所暴露的緩衝層120接觸。
在本實施例中，由於透過蝕刻製程所形成的開放式開口可大面積地減薄絕緣層的厚度，故可進一步的提高基板的抗拉伸強度。此外，由於可將金屬牆直接形成在絕緣層相對於顯示區的外側側壁上，故當顯示面板的外側產生的裂痕及/或剝落時，裂痕及/或剝落可只與金屬牆接觸而不與絕緣層接觸，進而金屬牆可阻止裂痕及/或剝落斑點透過絕緣層延伸至顯示面板內側的顯示區及驅動電路區中。
圖15為根據本發明第八實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。請同時參照圖8及圖15，第八實施例的顯示面板800的結構與第一實施例大部分相同，惟兩者之間的差異在於：顯示面板800的絕緣層840可直接配置在緩衝層120上。另外，亦可
參照第三實施例，將本實施例中的金屬牆850形成為具有多層金屬堆疊結構的金屬牆。
在本實施例中，顯示面板800的外部區域的絕緣層840直接配置在緩衝層120上，故顯示面板800不會由於外部區域中的半導體層與顯示區中或驅動電路區中的其他導電膜層電性連接而產生短路的問題。
圖16為根據本發明第九實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。請同時參照圖8及圖16，第九實施例的顯示面板900的結構與第一實施例大部分相同，惟兩者之間的差異在於：顯示面板900的絕緣層940可直接配置在緩衝層120上；以及，絕緣層940具有開口945，且金屬牆950填入開口945內，其中開口945可為介於絕緣膜940的兩個側壁之間的溝槽式開口。另外，亦可參照第三實施例，將本實施例中的金屬牆950形成為具有多層金屬堆疊結構的金屬牆。
在第九實施例中，由於在顯示面板900的外部區域中並沒有配置半導體層，故絕緣層940的開口945可直接暴露出緩衝層120的上表面，且金屬牆950可填入開口945中以與緩衝層120的上表面接觸，然而本發明不以此為限。更清楚地說，在其他實施例中，可透過控制蝕刻製程的蝕刻條件來控制開口945的深度，進而使得開口945可延伸至部分的緩衝層120中，且因此金屬牆
950可填入開口945內以與被部分蝕刻的緩衝層120接觸。
圖17為根據本發明第十實施例的顯示面板的部分外部區域的剖面圖。請同時參照圖8及圖17，第十實施例的顯示面板1000的結構與第一實施例大部分相同，惟兩者之間的差異在於：顯示面板1000的絕緣層1040可直接配置在緩衝層120上；以及，絕緣層1040具有開口1045，且金屬牆1050填入開口1045內，其中開口1045可為由絕緣膜1040的一側壁的所形成的具有單一側壁的開放式開口。另外，亦可參照第三實施例，將本實施例中的金屬牆1050形成為具有多層金屬堆疊結構的金屬牆。
在第十實施例中，由於在顯示面板1000的外部區域中並沒有配置半導體層，故絕緣層1040的開口1045可直接暴露出緩衝層120的上表面，且金屬牆1050可填入開口1045中以與緩衝層120的上表面接觸。此外，可透過控制蝕刻條件來控制開口1045的深度，從而使得開口1045可經控制以延伸至部分的出緩衝層120中，進而金屬層1050可填入開口1045內而與被部分蝕刻的緩衝層120接觸。
在第八實施例至第十實施例中，由於在顯示面板的外部區域並未配置有半導體層，故顯示面板不會由於外部區域中的半導體層與顯示區或驅動電路區中的其他導電膜層電性連接而產生短路的問題，從而可進一步地提升顯示面板的可靠度。
綜上所述，本發明的顯示面板在其外部區域中配置金屬牆，且金屬牆的浦松比大於或等於0.32，因此當顯示面板受到應力作用而在基板邊緣產生裂痕及/或剝落時，裂痕及/或剝落會被金屬牆阻擋而無法延伸至顯示面板內部。尤其是，在將顯示面板從其母板切割下來的製程中，金屬牆可防止裂痕及/或剝落延伸至顯示面板的工作區域，進而提高顯示面板的可靠度。此外，本發明更可透過增加金屬牆的數目、以及改變金屬牆與其他膜層之間的配置關係，進一步提升顯示面板的抗拉伸能力。最後，由於金屬牆的材料及形成方法與顯示面板中的主動元件/被動元件中的金屬膜層相同，因此不需要花費額外的製程步驟即可形成本發明的金屬牆。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧基板
112‧‧‧顯示區
113‧‧‧畫素陣列
114‧‧‧非顯示區
116‧‧‧驅動電路區
117‧‧‧驅動電路
118‧‧‧外側區域
119‧‧‧驅動電路單元
150‧‧‧金屬牆
A-A'‧‧‧線
DL1~DLm‧‧‧資料線
P‧‧‧畫素結構
PT‧‧‧畫素主動元件
PE‧‧‧畫素電極
SL1~SLn‧‧‧掃瞄線
I‧‧‧區域
Claims (20)
- 一種顯示面板，包括：一基板，該基板具有一顯示區以及一非顯示區，該非顯示區具有一驅動電路區以及位於該驅動電路區外側的一外側區域；一畫素陣列以及至少一驅動電路，分別位於該顯示區以及該驅動電路區中；一絕緣層，配置在該基板上且位於該非顯示區中；以及一金屬牆，位於該絕緣層上且位於該外側區域中，其中該金屬牆的浦松比大於或等於0.32。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該基板之邊緣具有多條裂痕或多個剝落斑點，且該些裂痕或該些剝落斑點終止於該金屬牆。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括：一緩衝層，位於該基板上；以及一半導體層，位於該緩衝層上，該絕緣層位於該半導體層上，其中該半導體層位於該外側區域中且不延伸至該驅動電路區內。
- 如申請專利範圍第3項所述的顯示面板，其中該絕緣層具有一開口，該金屬牆填入該開口內。
- 如申請專利範圍第4項所述的顯示面板，其中該開口暴露出該半導體層，該金屬牆填入該開口內以與該半導體層接觸。
- 如申請專利範圍第4項所述的顯示面板，其中該開口更延伸至部分的該半導體層中，該金屬牆填入該開口內以與該半導體 層接觸。
- 如申請專利範圍第4項所述的顯示面板，其中該開口更貫穿該半導體層以暴露出該緩衝層，該金屬牆填入該開口內以與該緩衝層接觸。
- 如申請專利範圍第4項所述的顯示面板，其中該開口為一溝槽式開口或是具有單一側壁的開放式開口。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括一緩衝層，位於該基板上，其中該絕緣層位於該緩衝層上且具有一開口，該金屬牆填入該開口內。
- 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，其中該開口貫穿該絕緣層以暴露出該緩衝層，該金屬牆填入該開口內以與該緩衝層接觸。
- 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，其中該開口貫穿該絕緣層且該開口延伸至部分的該緩衝層中，該金屬牆填入該開口內以與該緩衝層接觸。
- 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，其中該開口為一溝槽式開口或是具有單一側壁之開放式開口。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該金屬牆的材料包括鈦(Ti)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鋁(Al)、釩(V)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鉛(Pb)、金(Au)或是上述之組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括至少一內環金屬牆，位於該絕緣層上且位於該外側區域中，其中該金屬 牆環繞該至少一內環金屬牆。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該金屬牆為單層金屬結構或多層金屬堆疊結構。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該金屬牆為Ti/Al/Ti或是Mo/Al/Mo的多層金屬堆疊結構。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該金屬牆為具有蜂巢孔洞圖案的金屬牆、具有網格圖案的金屬牆、或者具有多孔圖案的金屬牆。
- 一種顯示母板，包括：一母基板，具有至少一顯示單元區及一切割區，該切割區為該至少一顯示單元區之外的區域，且各該顯示單元區具有一顯示面板，該些顯示面板各自包括：一基板，該基板具有一顯示區以及一非顯示區，該非顯示區具有一驅動電路區以及位於該驅動電路區外側的一外側區域；一畫素陣列以及至少一驅動電路，分別位於該顯示區以及該驅動電路區中；一絕緣層，配置在該基板上且位於該非顯示區中；以及一金屬牆，位於該絕緣層上且位於該外側區域中，其中該金屬牆的浦松比大於或等於0.32。
- 如申請專利範圍第18項所述的顯示母板，其中該金屬牆的材料包括鈦(Ti)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鋁(Al)、釩(V)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鉛(Pb)、金(Au)或是上述之組合。
- 如申請專利範圍第18項所述的顯示母板，更包括至少一內環金屬牆，位於該絕緣層上且位於該外側區域中，其中該金屬牆環繞該至少一內環金屬牆。
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