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TWI505985B - Boron nitride powder and a resin composition containing the same - Google Patents

Boron nitride powder and a resin composition containing the same Download PDF

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TWI505985B
TWI505985B TW103107862A TW103107862A TWI505985B TW I505985 B TWI505985 B TW I505985B TW 103107862 A TW103107862 A TW 103107862A TW 103107862 A TW103107862 A TW 103107862A TW I505985 B TWI505985 B TW I505985B
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Taiki Nishi
Atsuki Igarashi
Toshikatsu Mitsunaga
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Denki Kagaku Kogyo Kk
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Description

氮化硼粉末及含有其之樹脂組成物
本發明係關於一種氮化硼粉末及含有其之樹脂組成物。詳言之,本發明係適合作為用以將功率裝置等之發熱性電子零件的熱傳導至散熱構件之樹脂組成物使用。尤其,本發明係關於一種填充於印刷線路板之絕緣層及熱界面材之樹脂組成物中而表現高導熱係數之氮化硼粉末及含有其之樹脂組成物。
於功率裝置、電晶體、閘流體、CPU等之發熱性電子零件中,如何有效地將使用時所發生的熱予以散熱已成為重要的課題。習知,作為如此之散熱對策,一般進行:(1)使構裝發熱性電子零件的印刷線路板之絕緣層予以高導熱化;(2)使發熱性電子零件或構裝發熱性電子零件之印刷線路板介於電絕緣性之熱界面材(Thermal Interface Materials)裝設於熱槽(heat sink)等之散熱構件中。作為印刷線路板之絕緣層及熱界面材之樹脂組成物係使用使導熱係數高的陶瓷粉末填充於矽氧烷樹脂或環氧樹脂中。
近年來,由於伴隨電子機器之輕薄短小化的高密度構裝技術之急遽進展,正進行發熱性電子零件內之電路的高速、高積體化,及對發熱性電子零件之印刷 線路板的構裝密度之增加。因此,電子機器內部之發熱密度正逐年增加,尋求表現比習知導熱性高的陶瓷粉末。
由如上述之背景,具有(1)高導熱係數、(2)高絕緣性、(3)介電常數為低等之作為電絕緣材料為優異性質之六方晶氮化硼(hexagonal Boron Nitride)粉末受到矚目。但是,相對於六方晶氮化硼粒子之面內方向(a軸方向)之導熱係數為400W/(m.K),厚度方向(c軸方向)之導熱係數為2W/(m.K),源自結晶構造與鱗片狀之導熱係數的各向異性為大(非專利文獻1)。再者,將六方晶氮化硼粉末填充於樹脂內時,粒子彼此一致配向於同一方向。因此,例如於熱界面材之製造時,六方晶氮化硼粒子之面內方向(a軸方向)與熱界面材之厚度方向成為垂直,而無法充分活用六方晶氮化硼粒子之面內方向(a軸方向)的高導熱係數。
為了解決如此之問題,於專利文獻1中,有提案一種使六方晶氮化硼粒子之面內方向(a軸方向)配向於高導熱片之厚度方向者。若根據專利文獻1所提案的技術,能活用六方晶氮化硼粒子之面內方向(a軸方向)的高導熱係數。但是,於專利文獻1所提案的技術中,具有如下之課題:(1)必須在下一步驟積層已配向之薄片而容易使製造步驟變得複雜;(2)於積層、硬化後必須薄切成薄片狀,確保薄片厚度之尺寸精確度為困難。又,於專利文獻1所提案的技術中,由於六方晶氮化硼粒子之形狀為鱗片狀,因為於對樹脂的填充時黏度會增加、流動性會變差,故高填充為困難。為了改善該等課題, 有提案各種形狀之氮化硼粉末,其抑制六方晶氮化硼粒子之導熱係數的各向異性。
例如,於專利文獻2及3中,有提案一種不使一次粒子之六方晶氮化硼粒子配向於同一方向所凝聚的氮化硼粉末之使用。若根據專利文獻2及3所提案的技術,能夠抑制導熱係數之各向異性。但是,於專利文獻2及3中所提案的技術之中,所凝聚的氮化硼粉末之形狀為松毬狀(例如,參閱專利文獻2:段落[0020]第6圖)或塊狀(例如,參閱專利文獻3:段落[0037]第3~5圖),由於平均球形度小,對樹脂的填充有其限度,在導熱係數之提高上具有限度。
又,於專利文獻4中,有提案一種以六方晶氮化硼粒子被覆硼酸鹽粒子之高平均球形度的氮化硼粉末之使用。若根據於專利文獻4中所提案的技術,針對導熱係數的各向異性之抑制與對樹脂的填充性之提升,能獲得一定的效果。但是,於專利文獻4所提案的技術中,由於導熱係數低的硼酸鹽粒子的含有率為高(例如,參閱段落[0020]、[0028]),而有無法充分活用六方晶氮化硼粒子的高導熱係數之問題。
再者,已知與六方晶氮化硼粒子之面內方向(a軸方向)的導熱係數相比,環氧樹脂或矽氧烷樹脂的導熱係數大幅為低。因此,將抑制導熱係數的各向異性之氮化硼粒子填充於樹脂中之樹脂組成物的導熱係數深受氮化硼粒子與樹脂界面之接觸熱電阻的影響。亦即,為了獲得導熱係數高的樹脂組成物,在氮化硼粒子之導熱 係數的各向異性之抑制的同時,也必須縮小樹脂與氮化硼粒子界面之接觸熱電阻。
作為縮小樹脂與氮化硼粒子界面之接觸熱電阻的手法,可舉出:(1)增大氮化硼粒子之平均粒徑(減少氮化硼粒子與樹脂界面之總數)、(2)藉由添加矽烷偶合劑而使樹脂與氮化硼粒子之親和性提高、(3)使氮化硼粒子彼此面接觸,但(3)之效果為最大。
例如,於專利文獻5及6中提案一種由六方晶氮化硼粒子之一次粒子等方向性所凝聚的氮化硼粒子、或使其分散於熱硬化性樹脂中而成之導熱性薄片。若根據專利文獻5及6中所提案的技術,針對導熱係數的各向異性之抑制與對樹脂的填充性之提高,能獲得一定的效果。但是,於專利文獻5及6所提案的技術中,由於並未考量針對氮化硼粒子彼此之面接觸所造成的接觸熱電阻之減低,而有無法充分活用六方晶氮化硼粒子之高導熱係數的問題。
又,於專利文獻7中提案一種導熱性薄片,其特徵係由氮化硼粒子之一次粒子所構成的二次粒子係面接觸。若根據專利文獻7中所提案的技術,針對導熱係數的各向異性之抑制、對樹脂的填充性之提高、及接觸熱電阻之減低,能獲得一定之效果。但是,於專利文獻7中,並未顯示摻合一次粒子之六方晶氮化硼的結合所必要的燒結輔助劑(例如,段落[0017]),且於專利文獻7中所提案的技術係由於空隙率小至50體積%以下(例如,段落[0014]),難以兼顧二次粒子之強度提高與變形 容易性(低彈性模數)。其結果,於專利文獻7中所提案的技術中,在接觸熱電阻之減低所造成的導熱係數之提高上具有限度,期待進一步之技術開發。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本特開2000-154265號公報
專利文獻2 日本特開平9-202663號公報
專利文獻3 日本特開2011-98882號公報
專利文獻4 日本特開2001-122615號公報
專利文獻5 日本特開2010-157563號公報
專利文獻6 日本特開2012-171842號公報
專利文獻7 國際公開第2012/070289號手冊
非專利文獻
非專利文獻1 R. F. Hill, P. H. Supancic, J. Am. Ceram. Soc., 85, 851(2002)
本發明係有鑑於上述之習知技術,課題係提供一種氮化硼粉末,其適合作為用以將功率裝置等之發熱性電子零件的熱傳導至散熱零件之樹脂組成物使用,尤其填充於印刷線路板之絕緣層及熱界面材之樹脂組成物中,藉由導熱係數的各向異性之抑制與接觸熱電阻之減低而表現高導熱係數;及含有其之樹脂組成物。
為了解決上述之課題,於本發明中,採用以下之手段。
(1)一種氮化硼粉末,其特徵係含有結合六方晶氮化硼之一次粒子的氮化硼粒子,該氮化硼粒子的聚集體之氮化硼粉末為0.70以上之平均球形度、20~100μm之平均粒徑、50~80%之空隙率、0.10~2.0μm之平均細孔徑、10μm以下之最大細孔徑、及500~5000ppm之鈣含有率。
(2)如上述(1)記載之氮化硼粉末,其藉由粉末X射線繞射法所得之石墨化指數為1.6~4.0,(002)面與(100)面之波峰強度比I(002)/I(100)為9.0以下。
(3)如上述(1)記載之氮化硼粉末,其係將平均粒徑為2~6μm之非晶質氮化硼與平均粒徑為8~16μm之該六方晶氮化硼作為原料使用,且將該等之摻合比以質量基準計,該非晶質氮化硼:該六方晶氮化硼係設為60:40~90:10。
(4)一種樹脂組成物,其特徵係含有如上述(1)至(3)中任一項記載之氮化硼粉末與樹脂。
(5)如上述(4)記載之樹脂組成物,其中該氮化硼粒子之彈性模數為5~35MPa,該氮化硼粒子彼此面接觸。
本發明之氮化硼粉末係提高且兼顧氮化硼粒子之粒子強度及粒子之變形容易性(低彈性模數)的粉末。因此,本發明之氮化硼粉末能謀求導熱係數的各向異性之抑制與接觸性熱電阻之減低,藉此而能表現高導熱係數。
又,含有本發明之氮化硼粉末而成之樹脂組成物係因為含有上述本發明之氮化硼粉末而能表現高導熱係數。
1‧‧‧粒子間空隙
2‧‧‧粒子內空隙
3‧‧‧全部細孔容積
4‧‧‧粒子間空隙之累積細孔容積
5‧‧‧Vg =粒子內空隙之積算細孔容積=從全部細孔容積減去粒子間空隙之積算細孔容積之值
6‧‧‧氮化硼粒子
7~12‧‧‧與6之氮化硼粒子面接觸的氮化硼粒子
第1圖係本發明之氮化硼粉末之空隙率、平均細孔徑、最大細孔徑之測定結果的一例。還有,同一圖中,橫軸係表示細孔徑(μm),左縱軸係表示積算細孔容積(cm3 ×g-1 ),右縱軸係表示微分細孔容積(cm3 ×g-1 )。
第2圖係本發明之樹脂組成物剖面之SEM照片的一例。還有,同一圖中,右上之比例尺係表示50μm。
[實施發明之形態] <六方晶氮化硼粒子與氮化硼粒子之用語的定義>
於本發明中,將一次粒子定義為「六方晶氮化硼粒子」,將一次粒子彼此藉由燒結而結合的狀態下之2個以上聚集的狀態定義為「氮化硼粒子」。將聚集該「氮化硼粒子」之聚集體定義為「氮化硼粉末」。藉燒結所造成的一次粒子彼此之結合係藉由利用掃描型電子顯微鏡(例如,「JSM-6010LA」(日本電子公司製))觀察在氮化硼粒子剖面的一次粒子彼此之結合部分已形成連續組織而能評估。所謂一次粒子藉由燒結而結合,係指在觀察一次粒子的結合部分時,連續組織在50%以上之處形成之情形。觀察處係設為任意之100處。作為觀察之前處理,係利用樹脂包埋氮化硼粒子後,藉由CP(截 面拋光)法加工,於固定在試料台後進行鋨(osmium)塗布。觀察倍率為1000倍。
本發明之氮化硼粉末係藉由具有特定之鈣含有率、空隙率、平均細孔徑、最大細孔徑、平均球形度、平均粒徑、結晶性、配向性而能獲得在習知技術中所無法達成的兼顧氮化硼粒子之粒子強度及粒子變形容易性(低彈性模數)之優異的氮化硼粉末。又,含有本發明之氮化硼粉末而成之樹脂組成物,因能使接觸熱電阻減低,故能表現在習知技術中所無法達成的高導熱係數。
本發明之氮化硼粉末係平均球形度為0.70以上、平均粒徑為20~100μm、空隙率為50~80%、平均細孔徑為0.10~2.0μm、最大細孔徑為10μm以下、鈣含有率為500~5000ppm。
又,本發明之氮化硼粉末係藉粉末X射線繞射法所得之石墨化指數較佳為1.6~4.0,藉粉末X射線繞射法所得之(002)面與(100)面之波峰強度比I(002)/I(100)較佳為9.0以下。
確保可承受填充至樹脂時之混練的剪切應力與氮化硼粒子彼此之面接觸時的壓縮應力(尤其加熱加壓成形時)之粒子強度,還有,氮化硼粒子彼此之面接觸時的變形容易性(低彈性模數),亦即氮化硼粒子彼此之面接觸容易性係對於為了獲得高導熱係數之樹脂組成物為非常重要的因子。如本發明所設計的氮化硼粉末,迄今尚未存在。
<鈣之含有率及其評估方法>
於本發明之氮化硼粉末中,特別重要的是將鈣之含有率設為500~5000ppm。若使鈣之含有率小於500ppm時,一次粒子彼此之燒結所造成的結合會變得不充分,而無法獲得可承受填充至樹脂時之混練的剪切應力與氮化硼粒子彼此之面接觸時的壓縮應力(尤其加熱加壓成形時)之粒子強度。若鈣之含有率大於5000ppm時,由於氮化硼之彈性模數變高,並使氮化硼粒子彼此之面接觸變得不充分,樹脂組成物之導熱係數會降低。鈣之含有率的較佳範圍為1000~3000ppm。鈣之含有率,例如可使用波長分散型螢光X射線分析裝置「ZSX Primus II」(RIGAKU公司製)測定。作為前處理,係將氮化硼粉末加壓成型。測定時,X射線管球係使用Rh管球,X射線管電力係3.0kW,測定直徑係Φ=30mm。
<空隙率>
於本發明之氮化硼粉末中,空隙率為50~80%。若空隙率小於50%時,由於氮化硼粒子之彈性模數變高,氮化硼粒子彼此之面接觸變得不充分,樹脂組成物之導熱係數會降低。若空隙率超過80%時,由於氮化硼粒子之粒子強度會降低,藉由對樹脂之混練時所受的剪切應力或氮化硼粒子彼此之面接觸時的壓縮應力而球狀構造被破壞,一次粒子之六方晶氮化硼粒子係配向於同一方向。
<空隙率之評估方法>
空隙率係依據JIS R 1655,藉由使用水銀測孔儀測定全部細孔容積所求出的值。作為使用水銀測孔儀之全部細孔容積,能使用例如「PASCAL 140-440」(FISONS INSTRUMENTS公司製)而測定。該測定之原理係根據式εg =Vg /(Vg +1/ρt )×100。式中,εg 係氮化硼粒子之空隙率(%)、Vg 係粒子內空隙2之積算細孔容積(cm3 /g)(參閱第1圖之符號5)、ρt 係一次粒子之六方晶氮化硼粒子的密度2.34(g/cm3 )。還有,Vg 能從全部細孔容積3(參閱第1圖)減去粒子間空隙1之積算細孔容積之值(參閱第1圖之符號4)而求出。在第1圖顯示測定結果之一例。
<平均細孔徑>
於本發明之氮化硼粉末中,平均細孔徑為0.10~2.0μm。若平均細孔徑變得大於2.0μm時,無法獲得可承受填充至樹脂時之混練的剪切應力或氮化硼粒子彼此之面接觸時的壓縮應力之粒子強度。若平均細孔徑小於0.10μm時,由於氮化硼粒子之彈性模數變高,使氮化硼粒子彼此之面接觸變得不充分,樹脂組成物之導熱係數會降低。
<平均細孔徑之評估方法>
平均細孔徑係依據JIS R 1655,藉由使用水銀測孔儀測定全部細孔容積所求出的值。作為使用水銀測孔儀之全部細孔容積,能使用例如「PASCAL 140-440」(FISONS INSTRUMENTS公司製)而測定。平均細孔徑係 於第1圖中,從積算細孔容積減去粒子間空隙1(參閱第1圖)之值成為Vg (從全部細孔容積3減去粒子間空隙1之值(參閱第1圖之符號4))之50%的細孔徑。
<最大細孔徑>
於本發明之氮化硼粉末中,最大細孔徑為10μm以下。若最大細孔徑變得大於10μm時,無法獲得可承受填充至樹脂時之混練的剪切應力或氮化硼粒子彼此之面接觸時的壓縮應力之粒子強度。針對下限,雖然無特別限制,但由於一次粒子之六方晶氮化硼粒子的粒徑具有分布,完全使細孔徑一致係困難,實際上為平均細孔徑之2倍左右。
<最大細孔徑之評估方法>
最大細孔徑係依據JIS R 1655,藉由使用水銀測孔儀測定全部細孔容積所求出的值。作為使用水銀測孔儀之全部細孔容積,能使用例如「PASCAL 140-440」(FISONS INSTRUMENTS公司製)而測定。於第1圖,最大細孔徑係從積算細孔容積減去粒子間空隙1(參閱第1圖)之值成為0之細孔徑。
<平均球形度>
於本發明之氮化硼粉末中,平均球形度為0.70以上。若平均球形度變得小於0.70時,將氮化硼粉末混練於樹脂內時,樹脂與氮化硼表面之摩擦電阻變高。因此,樹脂組成物之黏度變高,使高填充氮化硼粉末變得困難。針對上限,雖然無特別限制,但由於一次粒子之六方晶氮化硼粒子為鱗片狀,使平均球形度成為1.0係困難,作為上限,實際上為0.98左右。
<平均球形度之定義/評估方法>
平均球形度係可利用掃描型電子顯微鏡,例如「JSM-6010LA」(日本電子公司製),拍攝在試料台上之導電性雙面膠帶所固定的氮化硼粉末,將所得之粒子影像擷取於影像分析軟體中,例如「A像Kun」(旭化成工程公司製),進行如下方式而測定。從照片測定粒子之投影面積(A)與周長(PM)。若將對應於周長(PM)之圓面積設為(B)時,其粒子之圓度能以A/B表示。因此,若假設為具有與試料粒子之周長(PM)相同周長的圓形時,由於PM=2πr、B=πr2 ,成為B=π×(PM/2π)2 ,各個粒子之球形度能以球形度=A/B=A×4π/(PM)2 而算出。此時之影像倍率為100倍、影像分析之像素數目為1510萬像素。求出進行如此方式所得之任意粒子100個的球形度,將其平均值設為平均球形度。
<平均粒徑>
於本發明之氮化硼粉末中,平均粒徑為20~100μm。若平均粒徑小於20μm時,藉由隨著氮化硼粒子與樹脂界面的總數之增加的接觸熱電阻之增加,導熱係數會降低。若平均粒徑大於100μm時,由於氮化硼粒子之粒子強度會降低,藉由對樹脂之混練時所受之剪切應力而球狀構造被破壞,一次粒子之六方晶氮化硼粒子係配向於同一方向。
<平均粒徑之定義、評估方法>
於藉由雷射繞射光散射法之粒度分布測定中,平均粒徑係累積粒度分布之累積值50%之粒徑。作 為粒度分布測定機,例如能利用「MT3300EX」(日機裝公司製)而測定。於測定時,溶劑中使用水、將六偏磷酸作為分散劑使用,作為前處理,係使用均質機以30秒鐘施加20W之輸出而使其分散處理。對於水之折射率係使用1.33、對於氮化硼粉末之折射率係使用1.80。每一次之測定時間為30秒鐘。
<波峰強度比I(002)/I(100)>
於本發明之氮化硼粉末中,導熱係數之各向異性較佳被抑制,亦即配向性小。配向性能夠以藉由粉末X射線繞射法所得之(002)面的繞射線之波峰強度I(002)、與(100)面的繞射線之波峰強度I(100)之比I(002)/I(100)而測定。六方晶氮化硼粒子之厚度方向係一致於結晶學之(002)面,亦即c軸方向;面內方向係一致於(100)面,亦即a軸方向。構成氮化硼粒子的一次粒子之六方晶氮化硼粒子以完全無規之配向(無配向)具有之情形,I(002)/I(100)≒6.7(「JCPDS[粉末X射線繞射資料庫]」No.34-0421[BN]之結晶密度值[Dx])。於高結晶之六方晶氮化硼中,I(002)/I(100)一般大於20。
於本發明之氮化硼粉末中,(002)面與(100)面之波峰強度比I(002)/I(100)較佳為9.0以下。若(002)面與(100)面之波峰強度比I(002)/I(100)大於9.0時,有因六方晶氮化硼粒子之配向而使樹脂組成物的導熱係數減少之虞。針對下限,雖然無特別之限制,但由於一次粒子之六方晶氮化硼粒子為鱗片狀,難以使(002)面與(100)面之波峰強度比I(002)/I(100)成為0.0,作為下限,實際上為2.0左右。
<波峰強度比I(002)/I(100)之評估方法>
藉配向性,亦即粉末X射線繞射法之I(002)/I(100)之測定係能使用例如「D8 ADVANCE Super Speed」(Bruker AXS公司製)而測定。作為前處理,係於將氮化硼粉末加壓成型後,使X射線對於成型體的面內方向之平面的法線成為相互對稱的方式來照射。測定時X射線源係使用CuKα射線,管電壓為45kV、管電流為360mA。
<石墨化指數(GI)>
石墨化指數(GI:Graphitization Index)能藉由GI=[面積{(100)+(101)}]/[面積(102)]而求出X射線繞射圖之(100)面、(101)面及(102)面之波峰的積分強度比,亦即面積比(J.Thomas,et.al,J.Am.Chem.Soc.84,4619(1962))。使其完全結晶化之物之情形,雖然已作成為(GI)1.60,但為高結晶性且粒子已充分成長的鱗片狀之六方晶氮化硼粉末之情形,由於粒子容易配向而使GI進一步變小。亦即,GI係鱗片狀之六方晶氮化硼粉末之結晶性的指標,該值越小則結晶性越高。於本發明之氮化硼粉末中,GI較佳為1.6~4.0。若GI大於4.0時,由於一次粒子之六方晶氮化硼粒子的結晶性低而有無法獲得高導熱係數之情形。又,若GI小於1.6時,由於鱗片狀過度發達而有變得難以維持球狀構造之情形,而有粒子強度降低之虞。
<石墨化指數(GI)之評估方法>
GI之測定係可使用例如「D8 ADVANCE Super Speed」(Bruker AXS公司製)而測定。作為前處理係進行碎解成氮化硼粉末之處理,於獲得一次粒子之六方晶氮化硼粉末後加壓成型。相對於成型體的面內方向之平面的法線,使X射線成為相互對稱的方式來照射。測定時X射線源係使用CuKα射線,管電壓為45kV、管電流為360mA。
<BN純度及其評估方法>
於本發明之氮化硼粉末中,其氮化硼純度(BN純度)較佳為95質量%以上。BN純度係可於鹼分解氮化硼粉末後,藉由進行利用凱耳達(Kjeldahl)法的水蒸氣蒸餾、中和滴定蒸餾液中之全部氮而測定。
<原料之非晶質氮化硼及六方晶氮化硼粉末>
於本發明之氮化硼粉末中,將非晶質氮化硼與六方晶氮化硼粉末作為原料使用。非晶質氮化硼之平均粒徑較佳為2~6μm。六方晶氮化硼粉末之平均粒徑較佳為8~16μm。
<原料之非晶質氮化硼及六方晶氮化硼粉末的摻合比>
於本發明之氮化硼粉末中,以質量基準,原料之非晶質氮化硼及六方晶氮化硼粉末的摻合比,較佳為非晶質氮化硼:六方晶氮化硼粉末=60:40~90:10。若非晶質氮化硼之摻合比例小於60時,將會使氮化硼粒子之空隙率變大而無法獲得可承受填充至樹脂時之混練的剪切應力與氮化硼粒子彼此之面接觸時的壓縮應力 (尤其加熱加壓成形時)之粒子強度。若非晶質氮化硼之摻合比例大於90時,無法獲得變形容易性(低彈性模數)。
<彈性模數>
於本發明之氮化硼粉末中,氮化硼粒子之彈性模數較佳為5~35MPa。若氮化硼粒子之彈性模數小於5MPa時,藉由氮化硼粒子彼此之面接觸時的壓縮應力(尤其加熱加壓成形時)而球狀構造被破壞,一次粒子之六方晶氮化硼粒子係配向於同一方向。因此,會使導熱係數之各向異性變大。若氮化硼粒子之彈性模數大於35MPa時,會使氮化硼粒子彼此之面接觸變得不充分,樹脂組成物之導熱係數會降低。
<彈性模數之評估方法>
氮化硼粒子之彈性模數(E:MPa)係藉由根據JIS R1639-5之粒子強度測定時之試驗力-位移曲線而算出。作為測定裝置,係使用微小壓縮試驗器(例如,「MCT-W500」島津製作所公司製)。
由壓壞試驗力(P:N)、粒徑(d:mm)、與壓壞時之位移量(Y:mm)與帕松比(Poisson’s ratio)(ν),使用P=(4×E×(d/2)1/2 ×(Y)3/2 )/(3×(1-ν2 ))之式(田中,物性研究,85(4),499-518(2006))而算出。還有,帕松比係假設為0.13。
<含有氮化硼粉末而成之樹脂組成物>
接著,針對含有本發明之氮化硼粉末而成之樹脂組成物加以說明。樹脂組成物中之氮化硼粉末的比例較佳為20~80體積%。又,亦可適度添加1種以上之 平均粒徑小於本發明之氮化硼粉末的各種陶瓷粉末,例如,氮化鋁、六方晶氮化硼、氮化硼、氮化矽、氧化鋁、氧化鋅、氧化鎂、氫氧化鎂、二氧化矽、碳化矽粉末。各種陶瓷粉末之適度平均粒徑係根據本發明之氮化硼粉末的平均粒徑而變化,但例如在本發明之氮化硼粉末的平均粒徑為50μm之情形,各種陶瓷粉末之平均粒徑較佳為20μm以下,進一步較佳為10μm以下。因為能使粒子之填充構造更緊密而提高填充性,其結果,能顯著地使樹脂組成物之導熱係數提高。
<樹脂>
作為可用於本發明之樹脂組成物的樹脂,例如,環氧樹脂、矽氧烷樹脂、矽氧烷橡膠、丙烯酸樹脂、苯酚樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、不飽和聚酯、氟樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺等之聚醯胺;聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯等之聚酯;聚苯醚、聚苯硫醚、全芳香族聚酯、聚碸、液晶聚合物、聚醚碸、聚碳酸酯、順丁烯二醯亞胺改性樹脂、ABS樹脂、AAS(丙烯腈-丙烯酸橡膠.苯乙烯)樹脂、AES(丙烯腈.乙烯.丙烯.二烯橡膠-苯乙烯)樹脂、聚乙二醇酸樹脂、聚鄰苯二甲醯胺、聚縮醛、耐綸樹脂等。於該等之樹脂中,尤其於熱硬化性樹脂中,能含有適宜之硬化劑、無機填料、矽烷偶合劑,與進一步提高濕潤性或平坦性及促進黏度降低而減低加熱加壓成形時之缺陷的發生之添加劑。作為如此之添加劑,例如有消泡劑、表面調整劑、濕潤分散劑等。又,由於環氧樹脂係具優 異的耐熱性與對銅箔電路之接著強度,適合作為印刷線路板之絕緣層。還有,由於矽氧烷樹脂及矽氧烷橡膠係具優越的耐熱性、柔軟性及對熱槽等之緊貼性,適合作為熱界面材。
<溶劑>
使氮化硼粉末分散於樹脂時,必要時亦可利用溶劑稀釋而使用。作為溶劑,例如,可舉出乙醇、異丙醇等之醇類;2-甲氧基乙醇、1-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、1-乙氧基-2-丙醇、2-丁氧基乙醇、2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇及2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇等之醚醇類;乙二醇單甲基醚、乙二醇單丁基醚等之二醇醚類;丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮及二異丁基酮酮等之酮類;甲苯及二甲苯等之烴類。還有,該等溶劑可單獨使用,亦可混合2種以上而使用。
<氮化硼粉末彼此之面接觸>
含有本發明之氮化硼粉末而成之樹脂組成物中,氮化硼粉末彼此面接觸。所謂「氮化硼粉末彼此面接觸」之面係意指平面及曲面,所謂接觸係意指氮化硼粉末彼此的外緣部之區別成為困難。針對面接觸之程度,由於因所要求的導熱係數而有所不同,故難以定義為一種意義。但是,為了達成於習知技術中所無法達成之高導熱係數,例如,如第2圖(利用下列方法所拍攝的SEM影像)所示,理想是以複數的面進行面接觸。氮化硼粉末彼此之面接觸係可藉由使用掃描型電子顯微鏡(例如,「JSM-6010LA」(日本電子公司製)),觀察樹脂組成 物剖面之氮化硼粉末彼此的面接觸而評估。作為觀察之前處理,係利用樹脂包埋樹脂組成物後,藉由CP(截面拋光)法加工,於固定在試料台後進行鋨塗布。觀察倍率為1000倍。
<機械強度>
再者,必須使本發明之樹脂組成物的機械強度提高之情形,能使其與玻璃布、玻璃不織布、芳香族聚醯胺纖維不織布、液晶聚合物不織布等複合化。
[實施例]
以下,舉出實施例、比較例進一步具體說明本發明。
<實施例1~14、比較例1~11>
利用亨舍爾混合機(Henschel mixer),混合氧含量為2.4%、BN純度為96.3%、鈣含量為67ppm之非晶質氮化硼粉末(表1中為非晶質BN);氧含量為0.1%、BN純度為98.8%、鈣含量為8ppm之六方晶氮化硼粉末(表1中為六方晶BN);燒結輔助劑之碳酸鈣(「PC-700」白石工業公司製)及水後,利用球磨機粉碎而獲得水漿料。再者,相對於水漿料100質量份,添加0.5質量份之聚乙烯醇樹脂(「Gohsenol」日本合成化學製),在50℃下加熱攪拌直到溶解後,利用噴霧乾燥機,在乾燥溫度230℃下進行球狀化處理。還有,使用旋轉式霧化器作為噴霧乾燥機之球狀化裝置。將所得之處理物於批式高頻爐燒製後,對燒製物進行碎解及分級處理而獲得氮化硼粉末。如表1所示,調整原料摻合、球磨機粉碎條件(粉碎 時間(hr))、噴霧乾燥條件(霧化器旋轉數(rpm))、燒製條件(燒製溫度(℃)),製造顯示於表2(實施例)及表3(比較例)之25種粉末A~Y。如前述之「用以實施發明之形態」所說明,將所得之粉末A~Y的一次粒子的結合狀態以掃描型電子顯微鏡測定的結果,確認針對任一種氮化硼粉末,一次粒子皆已結合。
<對樹脂的填充>
為了評估作為對所得之氮化硼粉末A~Y之樹脂的填充材的特性,以相對於環氧樹脂(「Epikote 807」三菱化學公司製)與硬化劑(「Acmecs H-84B」日本合成化工公司製)使氮化硼粉末成為60體積%的方式來混合。然後,使厚度成為1.0mm的方式將該所混合之物(混合物)塗布於PET製薄片之上後,進行10分鐘之500Pa減壓脫泡。之後,以溫度150℃、壓力160kg/cm2 條件進行60分鐘之加壓加熱加壓而作成0.5mm之薄片。還有,混合後之漿體的流動性差而無法塗布之情形,係在表3中標示「無法填充」。又,於表3中,將導熱係數標示為「-」者,係表示由於無法填充而無法進行導熱係數之測定。
將所得之氮化硼粉末的粒子強度及薄片的導熱係數依照以下之方法而評估。將該等之結果顯示於表2(實施例)、表3(比較例)。
<粒子強度評估法>
根據JIS R 1639-5而實施測定。作為測定裝置,係使用微小壓縮試驗器(「MCT-W500」島津製作所公司製)而求出試驗力-位移曲線。粒子強度(σ:MPa)係由根據粒子內之位置而改變的無次元數(α=2.48)、壓壞試驗力(P:N)與粒徑(d:mm),利用σ=α×P/(π×d2 )之式而算出。
<導熱係數評估法>
導熱係數(H:W/(m.K))係由熱擴散率(A:m2 /sec)、密度(B:kg/m3 )及比熱容量(C:J/(kg.K)),以H=A×B×C而算出。熱擴散率係將薄片加工成寬度10mm×10mm×厚度0.5mm以作為測定用試料,藉由雷射閃光法(laser flash)而求出。測定裝置係利用氙閃光分析器(LFA447 NanoFlash」NETZSCH公司製)。比重係利用阿基米德法而求出。比熱容量係利用DSC(「ThermoPlus Evo DSC8230」Rigaku公司製)而求出。還有,將導熱係數為7W/(m.K)以上者評估為優異(高導熱係數)。
還有,實施例1~14及比較例1~10(粉末A~Z)之鈣含有率、空隙率、平均細孔徑、最大細孔徑、平均球形度、平均粒徑、波峰強度比、石墨化指數、及氮化硼粒子之彈性模數係利用前述之「用以實施發明之形態」所說明的內容而進行測定或評估等。
從實施例與比較例之對比可明確得知,本發明之氮化硼粉末係顯示較高的粒子強度與低彈性模數。如此方式,因為本發明之氮化硼粉末係粒子強度較高,可承受填充至樹脂時之混練的剪切應力或氮化硼粒子彼此之面接觸時的壓縮應力,又,因為為低彈性模數,能充分獲得氮化硼粒子彼此之面接觸。因此,含有本發明之氮化硼粉末而成之樹脂組成物能獲得習知所不具有的優異之導熱係數。
[產業上利用之可能性]
本發明之氮化硼粉末係作為對樹脂的填充材而使用。又,含有本發明之氮化硼粉末的樹脂組成物係作為印刷線路板之絕緣層及熱界面材而使用。
1‧‧‧粒子間空隙
2‧‧‧粒子內空隙
3‧‧‧全部細孔容積
4‧‧‧粒子間空隙之累積細孔容積
5‧‧‧Vg =粒子內空隙之積算細孔容積=從全部細孔容積減去粒子間空隙之積算細孔容積之值

Claims (5)

  1. 一種氮化硼粉末,其特徵係含有結合六方晶氮化硼之一次粒子的氮化硼粒子,該氮化硼粒子的聚集體之氮化硼粉末為0.70以上之平均球形度、20~100μm之平均粒徑、50~80%之空隙率、0.10~2.0μm之平均細孔徑、10μm以下之最大細孔徑、及500~5000ppm之鈣含率。
  2. 如請求項1之氮化硼粉末,其藉由粉末X射線繞射法所得之石墨化指數為1.6~4.0,(002)面與(100)面之波峰強度比I(002)/I(100)為9.0以下。
  3. 如請求項1之氮化硼粉末,其係將平均粒徑為2~6μm之非晶質氮化硼與平均粒徑為8~16μm之該六方晶氮化硼作為原料使用,且將該等之摻合比以質量基準計,該非晶質氮化硼:該六方晶氮化硼係設為60:40~90:10。
  4. 一種樹脂組成物,其特徵係含有如請求項1至3中任一項之氮化硼粉末與樹脂。
  5. 如請求項4之樹脂組成物,其中該氮化硼粒子之彈性模數為5~35MPa,該氮化硼粒子彼此面接觸。
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Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014132445A1 (ja) * 2013-03-01 2014-09-04 国立大学法人京都大学 セラミックス微粒子分散液の製造方法
JP6572643B2 (ja) * 2014-07-02 2019-09-11 住友ベークライト株式会社 熱伝導性シート、熱伝導性シートの硬化物および半導体装置
JP6634717B2 (ja) * 2014-07-02 2020-01-22 住友ベークライト株式会社 熱伝導性シート、熱伝導性シートの硬化物および半導体装置
JP6657616B2 (ja) * 2014-07-02 2020-03-04 住友ベークライト株式会社 熱伝導性シート、熱伝導性シートの硬化物および半導体装置
CN105566852A (zh) * 2014-11-05 2016-05-11 住友电木株式会社 热传导性片用树脂组合物、带有基材的树脂层、热传导性片和半导体装置
JP6476849B2 (ja) * 2014-12-26 2019-03-06 住友ベークライト株式会社 造粒粉、放熱用樹脂組成物、放熱シート、半導体装置、および放熱部材
JP6588731B2 (ja) * 2015-05-07 2019-10-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
FR3037579B1 (fr) * 2015-06-17 2017-06-16 Saint-Gobain Centre De Rech Et D'Etudes Europeen Poudre d'agregats a base de nitrure de bore
JP2017028129A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 住友ベークライト株式会社 パワーモジュール用基板、パワーモジュール用回路基板およびパワーモジュール
JP2017028130A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 住友ベークライト株式会社 パワーモジュール用基板、パワーモジュール用回路基板およびパワーモジュール
JP2017028128A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 住友ベークライト株式会社 パワーモジュール用基板、パワーモジュール用回路基板およびパワーモジュール
JP2017036190A (ja) * 2015-08-12 2017-02-16 三菱化学株式会社 窒化ホウ素凝集粒子組成物、bn凝集粒子含有樹脂組成物及びそれらの成形体、並びに窒化ホウ素凝集粒子の製造方法、
WO2017034003A1 (ja) * 2015-08-26 2017-03-02 デンカ株式会社 熱伝導性樹脂組成物
JP6612584B2 (ja) * 2015-10-28 2019-11-27 デンカ株式会社 エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂シート、およびそれを用いた金属ベース回路基板
JP2017128476A (ja) * 2016-01-20 2017-07-27 積水化学工業株式会社 複合フィラー及び熱硬化性材料
JP2017128475A (ja) * 2016-01-20 2017-07-27 積水化学工業株式会社 複合フィラー及び熱硬化性材料
EP3421420B1 (en) * 2016-02-22 2022-05-11 Showa Denko K.K. Hexagonal boron nitride powder, production method therefor, resin composition and resin sheet
JP6704271B2 (ja) * 2016-03-15 2020-06-03 デンカ株式会社 六方晶窒化ホウ素の一次粒子凝集体、樹脂組成物及びその用途
US10526492B2 (en) * 2016-05-27 2020-01-07 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Process for manufacturing boron nitride agglomerates
JP6676479B2 (ja) * 2016-06-13 2020-04-08 株式会社トクヤマ 六方晶窒化ホウ素粉末及びその製造方法
US20190160785A1 (en) * 2016-07-05 2019-05-30 Namics Corporation Resin composition for film, film, film with base material, metal/resin laminate body, resin cured product, semiconductor device, and method for producing film
JP6720014B2 (ja) * 2016-08-03 2020-07-08 デンカ株式会社 六方晶窒化ホウ素一次粒子凝集体及び樹脂組成物とその用途
US11268004B2 (en) * 2016-10-07 2022-03-08 Denka Company Limited Boron nitride aggregated grain
JP7037494B2 (ja) * 2016-10-21 2022-03-16 デンカ株式会社 球状窒化ホウ素微粉末、その製造方法及びそれを用いた熱伝導樹脂組成物
JP6822836B2 (ja) * 2016-12-28 2021-01-27 昭和電工株式会社 六方晶窒化ホウ素粉末、その製造方法、樹脂組成物及び樹脂シート
KR20190111020A (ko) * 2017-01-30 2019-10-01 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 수지 재료 및 적층체
JP6974302B2 (ja) * 2017-01-30 2021-12-01 積水化学工業株式会社 樹脂材料及び積層体
US10121723B1 (en) * 2017-04-13 2018-11-06 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor component and method for producing a semiconductor component
US10457001B2 (en) 2017-04-13 2019-10-29 Infineon Technologies Ag Method for forming a matrix composite layer and workpiece with a matrix composite layer
JP6901327B2 (ja) * 2017-06-12 2021-07-14 株式会社フジミインコーポレーテッド フィラー、成形体、及び放熱材料
CN107414084B (zh) * 2017-07-04 2019-07-09 富耐克超硬材料股份有限公司 聚晶立方氮化硼烧结体及其制备方法与应用
CN110959190B (zh) * 2017-08-10 2023-08-08 电化株式会社 低介电常数导热性散热构件
CN110892025B (zh) * 2017-09-06 2022-10-04 电化株式会社 导热性片材
CN111212811B (zh) * 2017-10-13 2023-03-21 电化株式会社 氮化硼粉末、其制造方法及使用其的散热构件
JP7069485B2 (ja) * 2017-12-27 2022-05-18 昭和電工株式会社 六方晶窒化ホウ素粉末及びその製造方法、並びにそれを用いた組成物及び放熱材
EP3761355B1 (en) * 2018-02-26 2022-04-27 Denka Company Limited Insulating heat dissipation sheet
CN108504077B (zh) * 2018-03-08 2020-07-31 广东纳路纳米科技有限公司 白石墨烯改性聚苯醚复合材料及其制备方法
EP3778534B1 (en) * 2018-03-30 2024-03-06 Fujimi Incorporated Dispersion for silicon carbide sintered body, green sheet for silicon carbide sintered body and prepreg material for silicon carbide sintered body using same, and method of producing same
CN108847489B (zh) * 2018-05-04 2019-04-09 宁德时代新能源科技股份有限公司 负极极片及电池
US20210261413A1 (en) * 2018-06-29 2021-08-26 Denka Company Limited Aggregate boron nitride particles, boron nitride powder, production method for boron nitride powder, resin composition, and heat dissipation member
CN111164047B (zh) * 2018-09-07 2022-01-11 昭和电工株式会社 六方晶氮化硼粉末及其制造方法、以及使用了该粉末的组合物和散热材料
DE112019004695T5 (de) * 2018-11-16 2021-06-10 Fuji Polymer Industries Co., Ltd. Wärmeleitende Folie und Verfahren für ihre Herstellung
JP7517323B2 (ja) * 2019-02-27 2024-07-17 三菱ケミカル株式会社 窒化ホウ素凝集粉末、放熱シート及び半導体デバイス
TWI832979B (zh) 2019-03-01 2024-02-21 日商德山股份有限公司 六方晶氮化硼粉末、樹脂組合物、樹脂片及六方晶氮化硼粉末的製造方法
KR20210142640A (ko) * 2019-03-27 2021-11-25 덴카 주식회사 괴상 질화붕소 입자, 열전도 수지 조성물 및 방열 부재
WO2020196679A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 デンカ株式会社 窒化ホウ素粉末及びその製造方法、並びに、複合材及び放熱部材
EP3951860A4 (en) * 2019-03-29 2022-05-18 Denka Company Limited COMPOSITE
JP7273587B2 (ja) * 2019-03-29 2023-05-15 デンカ株式会社 窒化ホウ素粉末及び樹脂組成物
JP7066654B2 (ja) * 2019-04-10 2022-05-13 信越化学工業株式会社 低誘電放熱フィルム用組成物及び低誘電放熱フィルム
JP6768129B1 (ja) * 2019-08-23 2020-10-14 デンカ株式会社 放熱シート及び放熱シートの製造方法
US20220389189A1 (en) * 2019-09-27 2022-12-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Resin composition, prepreg, resin-equipped film, resin-equipped metal foil, metal-cladded layered sheet, and wiring board
CN114514195A (zh) * 2019-10-23 2022-05-17 电化株式会社 氮化硼粉末及其制造方法、碳氮化硼粉末、以及复合材料及散热部件
JP7349921B2 (ja) * 2020-01-24 2023-09-25 デンカ株式会社 六方晶窒化ホウ素焼結体
WO2021200725A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 デンカ株式会社 窒化ホウ素焼結体及びその製造方法、並びに複合体及びその製造方法
CN115103824A (zh) * 2020-03-31 2022-09-23 电化株式会社 氮化硼烧结体、复合体及它们的制造方法、以及散热构件
CN115605428B (zh) 2020-08-20 2024-11-15 电化株式会社 氮化硼粒子、氮化硼粉末、树脂组合物及树脂组合物的制造方法
JP7566917B2 (ja) 2020-09-07 2024-10-15 デンカ株式会社 絶縁性樹脂組成物、絶縁性樹脂硬化体、積層体及び回路基板
JP7235708B2 (ja) * 2020-10-14 2023-03-08 矢崎総業株式会社 熱伝導シートの製造方法
JP7533144B2 (ja) 2020-11-13 2024-08-14 株式会社豊田中央研究所 熱伝導材の製造方法
WO2022149435A1 (ja) * 2021-01-06 2022-07-14 デンカ株式会社 窒化ホウ素粉末、放熱シート及び放熱シートの製造方法
US20240308861A1 (en) * 2021-03-02 2024-09-19 Tokuyama Corporation Hexagonal Boron Nitride Aggregated Particles, Hexagonal Boron Nitride Powder, Resin Composition, and Resin Sheet
KR20230156792A (ko) * 2021-03-25 2023-11-14 덴카 주식회사 질화붕소 분말 및 수지 조성물
KR20230156791A (ko) * 2021-03-25 2023-11-14 덴카 주식회사 질화붕소 분말 및 수지 조성물
JP7606926B2 (ja) 2021-05-20 2024-12-26 デンカ株式会社 窒化ホウ素粉末、及び窒化ホウ素粉末の製造方法、並びに、樹脂組成物
IL292893A (en) * 2022-05-09 2025-01-01 Elbit Systems Ltd Heat Dissipating Coating for Electronic Enclosures

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101003436A (zh) * 2001-08-07 2007-07-25 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 氮化硼球形粒粉体以及它们的使用方法
EP2487134A1 (en) * 2009-10-09 2012-08-15 Mizushima Ferroalloy Co. Ltd. Hexagonal boron nitride powder and method for producing same

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6256308A (ja) * 1985-05-10 1987-03-12 Kawasaki Steel Corp 焼結特性の優れた六方晶窒化硼素粉末およびその製造方法
JPH0735304B2 (ja) * 1987-10-16 1995-04-19 昭和電工株式会社 窒化ホウ素焼結体の製造法
JP3461651B2 (ja) * 1996-01-24 2003-10-27 電気化学工業株式会社 六方晶窒化ほう素粉末及びその用途
JP3839539B2 (ja) 1997-01-20 2006-11-01 修 山本 結晶性乱層構造窒化硼素粉末とその製造方法
JP3568401B2 (ja) 1998-11-18 2004-09-22 電気化学工業株式会社 高熱伝導性シート
US6348179B1 (en) 1999-05-19 2002-02-19 University Of New Mexico Spherical boron nitride process, system and product of manufacture
US6713088B2 (en) 1999-08-31 2004-03-30 General Electric Company Low viscosity filler composition of boron nitride particles of spherical geometry and process
US7976941B2 (en) * 1999-08-31 2011-07-12 Momentive Performance Materials Inc. Boron nitride particles of spherical geometry and process for making thereof
JP4392088B2 (ja) 1999-10-27 2009-12-24 電気化学工業株式会社 窒化ホウ素被覆球状ホウ酸塩粒子とそれを含む混合粉末、及びそれらの製造方法
US6794435B2 (en) 2000-05-18 2004-09-21 Saint Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Agglomerated hexagonal boron nitride powders, method of making, and uses thereof
US7494635B2 (en) 2003-08-21 2009-02-24 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Boron nitride agglomerated powder
CN101535176A (zh) 2006-10-07 2009-09-16 迈图高新材料公司 混合的氮化硼组合物及其制备方法
WO2009041300A1 (ja) 2007-09-26 2009-04-02 Mitsubishi Electric Corporation 熱伝導性シート及びパワーモジュール
JP5036696B2 (ja) * 2008-12-26 2012-09-26 三菱電機株式会社 熱伝導性シート及びパワーモジュール
JP4848434B2 (ja) 2009-01-30 2011-12-28 日東電工株式会社 熱伝導性粘着剤組成物および熱伝導性粘着シート
JP5673539B2 (ja) 2009-08-20 2015-02-18 株式会社カネカ 球状化窒化ほう素の製造法
JP5340202B2 (ja) * 2010-02-23 2013-11-13 三菱電機株式会社 熱硬化性樹脂組成物、bステージ熱伝導性シート及びパワーモジュール
JP2012070289A (ja) 2010-09-27 2012-04-05 Sanyo Electric Co Ltd 記録再生装置
JPWO2012070289A1 (ja) 2010-11-26 2014-05-19 三菱電機株式会社 熱伝導性シート及びパワーモジュール
JP5666342B2 (ja) 2011-02-23 2015-02-12 電気化学工業株式会社 ホウ酸メラミンと窒化ホウ素の複合粒子、及びそれを用いた窒化ホウ素粒子の製造方法。
TWI616398B (zh) * 2011-11-29 2018-03-01 Mitsubishi Chem Corp 含有氮化硼之組成物、以及具有由該組成物所構成的層之三維積體電路
JP5969314B2 (ja) 2012-08-22 2016-08-17 デンカ株式会社 窒化ホウ素粉末及びその用途
JP6313766B2 (ja) * 2013-08-14 2018-04-18 デンカ株式会社 窒化ホウ素−樹脂複合体回路基板、窒化ホウ素−樹脂複合体放熱板一体型回路基板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101003436A (zh) * 2001-08-07 2007-07-25 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 氮化硼球形粒粉体以及它们的使用方法
EP2487134A1 (en) * 2009-10-09 2012-08-15 Mizushima Ferroalloy Co. Ltd. Hexagonal boron nitride powder and method for producing same

Also Published As

Publication number Publication date
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