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TWI585895B - Semiconductor processing element regeneration method - Google Patents

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TWI585895B
TWI585895B TW104141785A TW104141785A TWI585895B TW I585895 B TWI585895 B TW I585895B TW 104141785 A TW104141785 A TW 104141785A TW 104141785 A TW104141785 A TW 104141785A TW I585895 B TWI585895 B TW I585895B
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processing element
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sic
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TW104141785A
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Inventor
Joung Il Kim
Original Assignee
Tokai Carbon Korea Co Ltd
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Description

半導體處理元件再生方法
本發明涉及半導體處理元件再生方法，尤其是涉及除去沉積在包括TaC塗膜層半導體處理元件上的SiC層，再生半導體處理元件的方法。
為了製造半導體及顯示器，根據處理順序，通過薄膜的沉積、圖案化及腐蝕處理被製造。當反應物質及原材料以氣體形式流入到反應室內部，進行沉積處理時，基板佈置在反應室內部，如同用於佈置基板的襯托器、聚焦環的很多組件被安裝在反應室內部。例如，襯托器作為在沉積處理中，用於支持基板的手段，在上部形成帶狀物，是可支撐一個或者多個基板的一個元件。一般地，半導體處理元件由加工性良好的石墨材料構成。但是，如同SiC沉積處理或者用於製造LED處理，在高溫處理中，為了保障穩定性，可使用由SiC或者TaC被塗膜的石墨半導體處理元件。
在半導體處理中，半導體基板外的很多元件暴露在半導體處理的反應氣體中，因此，沉積物也沉積在元件的表面。例如，當襯托器被用於SiC沉積處理時，SiC 被沉積一定厚度以上的時候，因襯托器表面和SiC沉積層的熱膨脹率差異發生裂化，或者SiC沉積層的一部分可被切去。或者，當襯托器被用於製造LED元件的處理時，因附在襯托器表面的顆粒，可降低LED的品質。
為了防止上述問題，使用在沉積處理的半導體處理元件，要執行用於除去沉積在半導體處理元件表面的沉積物或者顆粒的處理。在具有TaC塗膜層的半導體處理元件的TaC塗膜層上，SiC被沉積時，因SiC的耐化學性強，所以由物理方法除去。現在被使用的物理研磨方法可以是，例如，利用研磨裝置的方法，或者如同記載在韓國申請專利第10-0756640號的噴射乾冰的方法。
但是，物理研磨方法具有給半導體處理元件的TaC層帶來損傷，可使石墨母材被露出的缺點。還有，當使用物理研磨方法時，為了除去殘餘顆粒必須執行濕式沖洗，所以需要更多的處理時間，可降低生產性。
本發明的目的是不經過附加地後處理，可無損傷的除去TaC塗膜層的SiC沉積層提供包括由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體及不活性氣體形成的群被選擇的至少任意一個氣體條件下，或者真空條件下，由1700-2700℃熱處理半導體處理元件步驟的半導體處理元件再生方法。
但是，本發明所要解決的課題不限於以上提及的課題，沒有提及的另外其他課題，可從以下的記載明確地被所屬技術領域中具有通常知識者理解。
按照一個實施例，本發明的半導體處理元件再生方法，包括步驟：包括TaC塗膜層，在該TaC塗膜層準備形成有SiC沉積層的半導體處理元件；及在由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體及不活性氣體形成的群中被選擇的至少任意一個氣體條件下，或者真空條件下，以1700-2700℃熱處理該半導體處理元件。
所述由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體及不活性氣體形成的群可包括H2、HCl、Cl2、Ar、Ne、Kr、Xe，及N2。
熱處理該半導體處理元件的步驟，可切斷該SiC沉積層和該TaC塗膜層之間的化學結合。
所述半導體處理元件再生方法，其步驟還包括：在包括氫氣氣體的條件下，以1700-2700℃乾式沖洗該半導體處理元件。
在所述半導體處理元件再生方法，乾式沖洗該半導體處理元件之前，該TaC塗膜層中，包括碳的殘留物可遺留在該TaC塗膜層表面上。
乾式沖洗該半導體處理元件的步驟，可昇華該包括碳的殘留物。
在該半導體處理元件再生方法，熱處理該半導體處理元件之後，包括碳的殘留物的厚度可以是0.001-1μm。
該半導體處理元件的SiC沉積層厚度可以是0.001-1000μm。
該半導體處理元件可包括由室壁、基板支撐架、環、氣體分散系統元件，及傳輸模組元件形成的群中被選擇的至少任意一個。
按照一個實施例，本發明的再生半導體處理元件，其包括：TaC塗膜層，且作為通過除去沉積形成在該TaC塗膜層的SiC沉積層的再生程序的半導體處理元件，包括碳的殘留物厚度是0.001-1μm。
該再生程序可由該半導體處理元件再生方法被執行。
該半導體處理元件可包括由室壁、基板支撐架、環、氣體分散系統元件，及傳輸模組元件形成的群中被選擇的至少任意一個。
本發明的半導體處理元件再生方法，可不損傷TaC塗膜層除去SiC沉積層，所以可防止根據TaC塗膜層損傷的石墨母材露出和異物的發生。
還有，本發明的半導體處理元件再生方法，不需要如濕式沖洗的後處理，所以可縮短處理時間。
10‧‧‧半導體處理元件
11‧‧‧石墨母材
12‧‧‧TaC層
20‧‧‧SiC沉積層
210、220‧‧‧步驟
310、320‧‧‧步驟
510、520、530、540‧‧‧步驟
610、620、630、640‧‧‧步驟
第1圖是示出根據本發明的一個實施例的半導體處理元件再生方法的模擬圖。
第2圖是示出根據本發明的一個實施例的半導體處理元件再生方法的流程圖。
第3圖是示出根據本發明的一個實施例的半導體處理元件再生方法的流程圖。
第4圖是示出根據本發明的一個實施例的半導體處理元件再生方法的模擬圖。
第5圖是示出根據本發明的一個實施例的半導體處理元件再生方法的流程圖。
第6圖是示出根據本發明的一個實施例的半導體處理元件再生方法的流程圖。
第7圖是示出根據本發明的一個實施例，SiC被沉積的襯托器的電子顯微鏡照片。
第8圖是示出根據本發明的一個實施例的再生襯托器的電子顯微鏡照片。
以下，參考附圖對實施例進行詳細地說明。示出在各圖的相同參考符號表示相同的元件。
在以下說明的實施例中，可附加多樣的變更。以下說明的實施例不限於實施形態，應該理解為，包括對這些的所有變更、均等物或者代替物。
在實施例中使用的用語，只是為了說明特定的實施例而被使用，而不是意圖限定實施例。除了明確的指定意思以外，單數的表現包括複數的表現。在本說明書中，「包括」或者「具有」等用語是為了指定說明書上記載的特徵、數值、步驟、動作、構成要素、元件或者這些組合的存在，並且要理解為，不是預先排除一個或者其以上的其他特徵，或者數位、步驟、動作、構成要素、元件或者這些組合的存在或者附加可能性。
除了被定義為其他，包括技術或者科學用語，這裡所使用的所有用語與實施例所屬領域的技藝人士一般的理解，具有相同的意思。一般使用的，如被定義在字典的用語被解釋成與相關技術上下文具有相同的意思，並且除了在本案中明確地定義以外，不能解釋成理想的或者過度形式的意思。
還有，參考附圖進行說明時，與圖的符號無關，相同的構成要素賦予相同的參考符號，對此的重複說明給予省略。在說明實施例時，對相關公開技術的具體說明，被判斷為模糊實施例的說明時，其詳細地說明給予省略。
第1圖是示出根據本發明的一個實施例的半導體處理元件再生方法的模擬圖。
包括塗膜在石墨母材11表面的TaC層12的半導體處理元件10，按照被使用在SiC沉積處理，SiC沉積層20被疊層。疊層在半導體處理元件10表面的SiC 沉積層20，可通過按照本發明的半導體處理元件再生方法被除去。
第2圖是示出根據本發明的一個實施例的半導體處理元件再生方法的流程圖。
在步驟210中，準備包括TaC塗膜層，且在該TaC塗膜層形成SiC沉積層的半導體處理元件。
該半導體處理元件可以是在SiC沉積處理中，為了支撐晶片被使用的半導體處理元件，可以是形成在半導體處理元件的整個，或者一部分表面的SiC沉積層。形成在該半導體處理元件TaC塗膜層上的SiC沉積層可以是以0.001-1000μm，較佳地是0.001-500μm，更較佳地是1-200μm的不均勻的厚度被形成，並且其厚度可根據半導體處理元件的使用處理有所不同。
為了防止因形成在該半導體處理元件表面上的不均勻厚度的SiC沉積層可發生的問題，有必要除去SiC沉積層，並且除去SiC沉積層可使用本發明的半導體處理元件再生處理。
在步驟220中，該半導體處理元件在由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體，及不活性氣體形成的群中被選擇的至少任意一個氣體條件下，由1700-2700℃被熱處理。
為了除去形成在該半導體處理元件TaC塗膜層上的SiC沉積層，該半導體處理元件佈置在反應室，在反應室內流入由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體，及不 活性氣體形成的群中被選擇的至少任意一個氣體，反應室內的半導體處理元件可由1700-2700℃被熱處理。該反應室可將流入的氣體用另外的處理裝置排出去，且可被使用為至少提供2700℃的熱。當該半導體處理元件佈置在該反應室內時，封閉反應室，並且流入由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體，及不活性氣體形成的群中被選擇的至少任意一個氣體。
在本發明可被使用的由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體，及不活性氣體形成的群，可包括如H2、HCl、Cl2、Ar、Ne、Kr、Xe，及N2。按照所使用的氣體種類，熱處理的溫度可有所不同，如使用H2氣體時，可在1700-2700℃，較佳地在2000-2700℃被熱處理。使用Ar氣體時，可在1700-2700℃，較佳地在2300-2700℃被熱處理。使用HCl氣體時，可在1700-2700℃，較佳地在1800-2700℃被熱處理。使用Ne氣體時，可在1700-2700℃，較佳地在2300-2700℃被熱處理。使用N2氣體時，可在1700-2700℃，較佳地在2300-2700℃被熱處理。該氣體的流入量可按照反應室的容量變化，較佳地可由1-100slm被流入。
熱處理該半導體處理元件的步驟，可切斷該SiC沉積層和該Tac塗膜層之間的化學鍵合。TaC塗膜層在高溫也穩定，所以鍵合經該熱處理，石墨和TaC塗膜層之間的鍵合不被減弱。但是，SiC沉積層比起TaC塗膜層，在高溫不穩定，並且SiC沉積層和TaC塗膜層之間的 化學鍵合是共價鍵，所以由鍵合能量以上的高溫處理，可切斷SiC層和TaC塗膜層之間的化學鍵合。如果，由該熱處理切斷SiC沉積層和TaC塗膜層之間的化學鍵合，SiC沉積層可容易地被除去。
按照本發明的一個實施例，當使用包括H的氣體時，SiC可與H反應被昇華。因此，較佳地提供H原子數相當於SiC內C原子數的2倍至16倍的包括H的氣體。在這種情況下，TaC塗膜層也不發生化學反應，並且只切斷SiC沉積層和TaC塗膜層之間的化學鍵合，SiC沉積層可被除去。
該熱處理步驟可被執行10-300分鐘，較佳地是10-60分鐘，最佳地是20-30分鐘。當該熱處理被執行於不足10分鐘時，很難除去SiC沉積層，且被執行於超過300分鐘時，可給TaC塗膜層帶來損傷。在熱處理步驟期間，溫度每分鐘可升溫1-100℃，較佳的每分鐘升溫5-20℃，使達到1700-2700℃。每分鐘超過100℃時，可給TaC塗膜層帶來損傷。半導體處理元件上的SiC沉積層可通過該熱處理，大部分昇華且被除去。
按照本發明的一個實施例，可使用半導體處理元件再生方法的半導體處理元件可包括由室壁、基板支撐架、環、氣體分散系統元件，及傳輸模組元件形成的群中被選擇的至少任意一個。例如，該半導體處理元件可包括室壁、安裝在室內部的板、基板支撐架(substrate supports)(可被提及為襯托器的基板支撐架)、扣件 (fasteners)、加熱元件(heating elements)、電漿顯示螢幕(plasma screens)、襯墊(liners)、環。還有，例如，該氣體分散系統(gas distribution systems)還可包括噴頭(showerheads)、擋板(baffles)、噴嘴(nozzles)環等，該傳輸模組元件可包括機械臂(robotic arms)扣件、內部及外部室壁。在本發明可被使用的該半導體處理元件不限於上述的示例，只要是用在半導體工程的元件可任意包括。
第3圖是示出根據本發明的一個實施例的半導體處理元件再生方法的流程圖。
在步驟310中，準備包括TaC塗膜層，在該TaC塗膜層形成SiC沉積層的半導體處理元件。
該半導體處理元件可以是在SiC沉積處理中，為了支撐晶片被使用的半導體處理元件，可以是形成在半導體處理元件的整個，或者一部分表面的SiC沉積層。形成在該半導體處理元件TaC塗膜層上的SiC沉積層，可由不均勻的厚度被形成。形成在該半導體處理元件的TaC塗膜層上的SiC沉積層可以是以0.001-1000μm，較佳地是0.001-500μm，更較佳地是1-200μm的不均勻的厚度被形成，並且其厚度可根據半導體處理元件的使用處理有所不同。
為了防止因形成在該半導體處理元件表面上的不均勻厚度的SiC沉積層可發生的問題，有必要除去 SiC沉積層，並且除去SiC沉積層可使用本發明的半導體處理元件再生處理。
在步驟320中，該半導體處理元件，在真空條件下，由1700-2700℃被熱處理。
為了除去形成在該半導體處理元件TaC塗膜層上的SiC沉積層，該半導體處理元件佈置在反應室，除去反應室內的空氣，可形成真空條件。在真空條件下，反應室內的半導體處理元件可由1700-2700℃被熱處理。該反應室可具備將室內可形成真空狀態的另外的裝置，至少可被使用為提供2700℃的熱。
熱處理該半導體處理元件的步驟，可切斷該SiC沉積層和該Tac塗膜層之間的化學鍵合。TaC塗膜層在高溫也穩定，所以鍵合經該熱處理，石墨和TaC塗膜層之間的鍵合不被減弱。但是，SiC沉積層比起TaC塗膜層，在高溫不穩定，並且SiC沉積層和TaC塗膜層之間的化學鍵合是共價鍵，所以由鍵合能量以上的高溫處理，可切斷SiC層和TaC塗膜層之間的化學鍵合。如果，由該熱處理切斷SiC沉積層和TaC塗膜層之間的化學鍵合，SiC沉積層可容易地被除去。
該熱處理步驟可被執行10-300分鐘，較佳地是10-60分鐘，最佳地是20-30分鐘。當該熱處理被執行於不足10分鐘時，很難除去SiC沉積層，且被執行於超過300分鐘時，可給TaC塗膜層帶來損傷。熱處理步驟期間，溫度每分鐘可升溫1-100℃，較佳地每分鐘升溫5-20 ℃，使達到1700-2700℃。每分鐘超過100℃時，可給TaC塗膜層帶來損傷。半導體處理元件上的SiC沉積層可通過該熱處理，大部分昇華且被除去。
第4圖是示出根據本發明的一個實施例的半導體處理元件再生方法的模擬圖。
包括塗膜在石墨母材11表面的TaC層12的半導體處理元件10，按照被使用在SiC沉積處理，SiC沉積層20被疊層。疊層在半導體處理元件10表面的SiC沉積層20，可通過按照本發明的半導體處理元件再生方法被除去。
第5圖是示出根據本發明的一個實施例的半導體處理元件再生方法的流程圖。
在步驟510中，準備包括TaC塗膜層，在該TaC塗膜層形成SiC沉積層的半導體處理元件。在步驟520中，該半導體處理元件在由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體，及不活性氣體形成的群中被選擇的至少任意一個氣體條件下，由1700-2700℃被熱處理。對該步驟510及520的更為詳細的內容，可參考上述的步驟210及220。
在步驟530中，該半導體處理元件的SiC沉積層被除去。
該半導體處理元件上的SiC沉積層，是因熱處理與TaC塗膜層的化學鍵合被切斷的狀態，所以，大部分的SiC沉積物昇華且被除去。即使，剩下的一些SiC沉積 物也是共價鍵被切斷的狀態，所以可由物理方法容易地被除去。在本發明可使用的物理方法是不給TaC塗膜層帶來損傷的柔軟的方法，可使用用刷子抹去，或者給SiC沉積層施加輕微衝擊的方法。
在步驟540中，該半導體處理元件在包括氫氣的氣體條件下，由1700-2700℃被乾式沖洗。
當以柔軟的物理方法除去SiC沉積層時，半導體處理元件的TaC塗膜層表面上可留有包括碳的殘留物。該半導體處理元件上的殘留物厚度可以是0.001-1μm。該殘留物可包括碳，殘留物的厚度可以是0.001-1μm，較佳地是0.001-0.5μm。該殘留物在包括氫氣的氣體條件下，可由1700-2700℃乾式沖洗，且被昇華。例如，SiC與H反應，可產生如SiH2、C2H2，或者CH4氣體，最終SiC可被昇華。
該乾式沖洗步驟可被執行10-300分鐘，較佳地是10-60分鐘，最佳地是20-30分鐘。當該乾式沖洗被執行於不足10分鐘時，很難除去SiC沉積層，且被執行於超過300分鐘時，可給TaC塗膜層帶來損傷。乾式沖洗步驟期間，溫度每分鐘可升溫1-100℃，較佳地每分鐘升溫5-20℃，使達到1700-2700℃。每分鐘超過100℃時，可給TaC塗膜層帶來損傷。
第6圖是示出根據本發明的一個實施例的半導體處理元件再生方法的流程圖。
在步驟610中，準備包括TaC塗膜層，在該TaC塗膜層形成SiC沉積層的半導體處理元件。在步驟620中，該半導體處理元件在真空條件下，由1700-2700℃被熱處理。對該步驟610及620的更為詳細的內容，可參考上述的步驟310及320。
在步驟630中，該半導體處理元件的SiC沉積層被除去。在步驟640中，該半導體處理元件在包括氫氣的氣體條件下，由1700-2700℃被乾式沖洗。對該步驟630及640的更詳細的內容，可參考上述的步驟530及540。
對本發明的半導體處理元件再生方法，熱處理該半導體處理元件，或者乾式沖洗步驟之後，該半導體處理元件上的殘留物的厚度可以是0.001-1μm。該殘留物可包括碳，殘留物的厚度可以是0.001-1μm，較佳地是0.001-0.5μm。按照本發明的一個實施例，當熱處理步驟和乾式沖洗步驟都被進行時，熱處理步驟之後的殘留物厚度可以是0.001-1μm，較佳地是0.001-0.5μm，乾式沖洗步驟之後的殘留物厚度可以是0.001-0.5μm，較佳地是0.001-0.1μm。
本發明的再生半導體處理元件包括TaC塗膜層，且作為通過除去沉積形成在該TaC塗膜層的SiC沉積層的再生程序的半導體處理元件，該包括碳的殘留物厚度可以是0.001-1μm。該殘留物的厚度可以是 0.001-1μm，較佳地是0.001-0.5μm，並且該再生程序可由上述的半導體處理元件再生方法被執行。
按照本發明的一個實施例，可使用半導體處理元件再生方法的半導體處理元件可包括由室壁、基板支撐架、環、氣體分散系統元件，及傳輸模組元件形成的群中被選擇的至少任意一個。例如，該半導體處理元件可包括室壁、安裝在室內部的板、基板支撐架(可被提及為襯托器的基板支撐架)、扣件、加熱元件、電漿顯示螢幕、襯墊、環。還有，例如，該氣體分散系統還可包括噴頭、擋板、噴嘴環等，該傳輸模組元件可包括機械臂扣件、內部及外部室壁。在本發明可被使用的該半導體處理元件不限於上述的示例，只要是用在半導體工程的元件可任意包括。
<實施例：熱處理>
作為可被使用的半導體處理元件，在本發明準備了襯托器，並且這包括塗膜在石墨母材表面的TaC層。該襯托器被用在SiC沉積處理，利用電子顯微鏡測定的SiC沉積層的厚度為50μm。
該襯托器佈置在反應室內，注入H2氣體之後，以20℃/min速度升溫，將溫度上升至2000℃熱處理60分鐘。熱處理之後，測定了襯托器表面的SiC沉積層的厚度。在襯托器表面的相當部分沒有發現SiC殘留物，剩餘的一些殘留物的厚度被測定為0.01μm。在該實 施例中，作為半導體處理元件使用了襯托器，但是不限於此，只要是用於半導體處理的元件可不受限制的被使用。
該實施例變更注入的氣體、溫度及時間，反覆地被執行，並且下表表示各個實施例中的條件及結果。
<實施例：熱處理及乾式沖洗>
作為可被使用的半導體處理元件，在本發明準備了襯托器，並且這包括塗膜在石墨母材表面的TaC層。該襯托器被用在SiC沉積處理，利用電子顯微鏡測定的SiC沉積層的厚度為50μm。該襯托器佈置在反應室內，注入Ar氣體之後，以20℃/min速度升溫，將溫度上升至2300℃熱處理60分鐘。通過熱處理，大部分的SiC沉積層被昇華。即使，剩下的SiC沉積物也是共價鍵被切斷的狀態，所以由柔軟的物理方法，如輕輕地抹去的方式被除去。除去SiC沉積層之後，測定了TaC塗膜層上的殘留物的厚度。在襯托器表面的相當部分沒有發現SiC殘留物，剩餘的一些殘留物的厚度被測定為0.01μm。接著，該襯托器再次佈置在反應室內，注入HCl氣體之後，以20℃/min速度升溫，將溫度上升至1800℃乾式沖洗20分 鐘。乾式沖洗處理之後，測定了襯托器表面的SiC沉積層的厚度。在襯托器表面的相當部分沒有發現SiC殘留物，剩餘的一些殘留物的厚度被測定為0.01μm。在該實施例中，作為半導體處理元件使用了襯托器，但是不限於此，只要是用於半導體處理的元件可不受限制的被使用。
該實施例變更注入的氣體、溫度及時間，反覆地被執行，並且下表表示各個實施例中的條件及結果。
第7圖是示出根據本發明的一個實施例，SiC被沉積的襯托器的電子顯微鏡照片。SiC沉積層20疊層在包括塗膜在石墨母材11表面的TaC層12的襯托器10。
第8圖是示出根據本發明的一個實施例的再生襯托器的電子顯微鏡照片。經過本發明的再生處理後，在襯托器表面幾乎發現不了SiC沉積層。
綜上，實施例雖然由限定的實施例和圖被說明，但是所屬技術領域具有通常知識者可從上述的說明多樣地修正及變更。例如，由說明的技術與說明的方法和其他順序被執行，及/或由說明的系統、結構、裝置、回路等，構成要素與說民的方法和其他形態被鍵合或者組合，或者由其他構成要素或者均等物對置或者置換，也可達到適當的結果。
所以，其他具體實施方式、其他實施例及與專利請求範圍均等的，也屬於後述的專利請求範圍的範圍。
10‧‧‧半導體處理元件
11‧‧‧石墨母材
12‧‧‧TaC層
20‧‧‧SiC沉積層

Claims (12)

  1. 一種半導體處理元件再生方法，其步驟包括：準備包括TaC塗膜層的半導體處理元件，在該TaC塗膜層上形成有SiC沉積層；在選自由包括氫的氣體、包括氯的氣體以及不活性氣體所組成的群組的至少任意一個氣體條件下，或者真空條件下，以1700-2700℃對該半導體處理元件進行熱處理。
  2. 如請求項1所述之半導體處理元件再生方法，其中該由包括氫的氣體、包括氯的氣體以及不活性氣體所組成的群包括：H2、HCl、Cl2、Ar、Ne、Kr、Xe，及N2。
  3. 如請求項1所述之半導體處理元件再生方法，其中熱處理該半導體處理元件的步驟是切斷該SiC沉積層和該TaC塗膜層之間的化學結合。
  4. 如請求項1所述之半導體處理元件再生方法，其步驟還包括：在包括氫氣的氣體條件下，以1700-2700℃乾式沖洗該半導體處理元件。
  5. 如請求項4所述之半導體處理元件再生方法，其中乾式沖洗該半導體處理元件之前，該TaC塗膜層中，包括碳的殘留物遺留在該TaC塗膜層表面上。
  6. 如請求項5所述之半導體處理元件再生方法，其中乾式沖洗該半導體處理元件的步驟是昇華該包括碳的殘留物。
  7. 如請求項1所述之半導體處理元件再生方法，其中熱處理該半導體處理元件之後，包括碳的殘留物的厚度是0.001-1μm。
  8. 如請求項1所述之半導體處理元件再生方法，其中該半導體處理元件的SiC沉積層厚度是0.001-500μm。
  9. 如請求項1所述之半導體處理元件再生方法，其中該半導體處理元件包括：由室壁、基板支撐架、環、氣體分散系統元件以及傳輸模組元件所組成的群組中被選擇的至少任意一個。
  10. 一種再生半導體處理元件，其包括：包括TaC塗膜層的半導體處理元件，該半導體處理元件通過除去沉積形成在該TaC塗膜層上的SiC沉積層的再生程序；以及碳的殘留物，其厚度是0.001-1μm。
  11. 如請求項10所述之再生半導體處理元件，其中該再生程序是以根據請求項1至請求項8中任一項的半導體處理元件再生方法執行。
  12. 如請求項10所述之再生半導體處理元件，其中該半導體處理元件包括：由室壁、基板支撐架、環、氣體分散系統元件以及傳輸模組元件所組成的群組中被選擇的至少任意一個。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130327274A1 (en) * 2012-06-07 2013-12-12 Mitsubishi Electric Corporation Substrate support and semiconductor manufacturing apparatus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3004696B2 (ja) * 1989-08-25 2000-01-31 アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド 化学的蒸着装置の洗浄方法
JP4608884B2 (ja) * 2004-01-08 2011-01-12 信越半導体株式会社 熱処理用治具の表面保護膜形成方法
JP4632290B2 (ja) * 2004-03-23 2011-02-16 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法
JP5542560B2 (ja) * 2010-07-20 2014-07-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置およびサセプタのクリーニング方法
JP5697246B2 (ja) * 2011-04-13 2015-04-08 イビデン株式会社 エピタキシャル成長用サセプタ、これを用いたエピタキシャル成長装置およびこれを用いたエピタキシャル成長方法
JP2013207057A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板の製造方法、及び、基板処理装置のクリーニング方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130327274A1 (en) * 2012-06-07 2013-12-12 Mitsubishi Electric Corporation Substrate support and semiconductor manufacturing apparatus

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