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TWI565047B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI565047B
TWI565047B TW100149365A TW100149365A TWI565047B TW I565047 B TWI565047 B TW I565047B TW 100149365 A TW100149365 A TW 100149365A TW 100149365 A TW100149365 A TW 100149365A TW I565047 B TWI565047 B TW I565047B
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TW
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phenyl
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display device
emitting display
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TW100149365A
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鄭鎮九
崔俊呼
金星民
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三星顯示器有限公司
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Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年6月2日向韓國智慧財產局申請，案號為10-2011-0053375之韓國專利申請案之優先權效益，其說明書全部併入於此參照。
本發明係有關於一種有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置之方法，且尤其是關於可具有一大型面板之有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置之方法。
有機發光顯示裝置為藉由電激發一有機化合物而發光的自發光型顯示裝置，其可於低電壓驅動並可製造為較輕薄，且具有廣視角及高反應速度，因此被視為下世代之顯示裝置。
近來，已有許多利用此有機發光顯示裝置以實現大型顯示屏的嘗試。然而，這樣做卻增加了覆蓋全部像素之共同電極的佈線電阻。
另外，在此有機發光顯示裝置中，當使用或製造此共同電極時，此共同電極可能會受到設置在共同電極上的封裝件損壞，因此必須保護共同電極免於封裝件所造成的損壞。
本發明提供一種有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置之方法以降低共同電極的佈線電阻並保護共同電極。
根據本發明之一態樣，提供一種有機發光顯示裝置包括基板；形成在該基板上之薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)；覆蓋薄膜電晶體之第一絕緣層；形成在第一絕緣層上並電性連接至薄膜電晶體之第一電極；形成在第一絕緣層上以覆蓋第一電極並具有一開口以暴露第一電極之一部位之第二絕緣層；形成在第二絕緣層之一部位及第一電極上之有機發光層；形成在第二絕緣層與有機發光層上之第二電極，第二電極係由第一區域與第二區域組成；形成在第二電極之第一區域上且具有第一邊緣之覆蓋層；以及形成在第二電極之第二區域上且具有第二邊緣之第三電極，第二邊緣之側表面接觸覆蓋層之第一邊緣的側表面。
第二電極可為光穿透性的。
第二電極可包含銀(Ag)。
第二電極可含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或三氧化二銦(In2O3)。
第三電極之厚度可大於第二電極之厚度。
第一區域可包括能夠傳輸外部光線的傳輸區域及鄰近傳輸區域且發光於其中產生的像素區域，第一電極可與像素區域重疊，且第一電極可位在阻擋薄膜電晶體(TFT)之位置。
覆蓋層可為光穿透性的。
第三電極與覆蓋層之間的黏附強度可小於第三電極與第二電極之間的黏附強度。
覆蓋層可包含8-羥基喹啉鋰(8-Quinolinolato Lithium,Liq)、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9氫-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺[N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine,HT01]、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基N-[4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9氫-茀-2-氨[N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene-2-amine,HT211)]或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1氫-苯並-[D]咪唑[2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole,LG201]。
第三電極可包含鎂(Mg)。
根據本發明之另一態樣，提供一種有機發光顯示裝置包括複數個像素；位在每一複數個像素中的複數個薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)；分別位在每一複數個像素中並電性連接至複數個薄膜電晶體之複數個第一電極；覆蓋複數個像素之第二電極；設置在每一複數個第一電極與複數個第二電極之間的有機層；複數個覆蓋層，每一覆蓋層之位置對應至複數個像素之至少其一；以及位在複數個像素之間的第三電極，第三電極鄰近每一複數個覆蓋層並電性連接至第二電極。
第二電極可為光穿透性的。
第二電極可包含銀(Ag)。
第二電極可含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或三氧化二銦(In2O3)。
第三電極之厚度可大於第二電極之厚度。
每一複數個像素可包括能夠傳輸外部光線的傳輸區域及鄰近傳輸區域且發光於其中產生的像素區域，第一電極可與像素區域重疊，且第一電極可位在阻擋薄膜電晶體(TFT)之位置。
複數個覆蓋層可為光穿透性的。
第三電極與複數個覆蓋層之間的黏附強度可小於第三電極與第二電極之間的黏附強度。
每一複數個覆蓋層可包含8-羥基喹啉鋰(8-Quinolinolato Lithium,Liq)、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9氫-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺[N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine,HT01]、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基N-[4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9氫-茀-2-氨[N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene-2-amine,HT211)]或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1氫-苯並-[D]咪唑[2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole,LG201]。
第三電極可包含鎂(Mg)。
每一複數個覆蓋層的邊緣可接觸第三電極之邊緣。
每一複數個覆蓋層之面積可大於每一複數個像素中之一區域的面積，其中發光在該區域中產生。
根據本發明之另一態樣，提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包括形成位在每一複數個像素中的複數個薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)；形成分別電性連接至各自位在複數個像素中的複數個薄膜電晶體之複數個有機發光單元，每一有機發光單元包含第一電極、有機層、以及第二電極；形成位在對應於複數像素之至少其一的位置上之複數個覆蓋層；以及藉由沉積金屬於該複數個像素上沉積金屬以形成第三電極，其中第三電極鄰近每一複數個覆蓋層並電性連接至第二電極。
第二電極可為光穿透性的。
第二電極可包含銀(Ag)。
第二電極可含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或三氧化二銦(In2O3)。
可形成第三電極為具有較第二電極大的厚度。
每一複數個像素可包括能夠傳輸外部光線的傳輸區域及鄰近傳輸區域且發光於其中產生的像素區域，第一電極可與像素區域重疊，且第一電極可位在阻擋薄膜電晶體(TFT)之位置。
複數個覆蓋層可為光穿透性的。
形成第三電極之金屬與複數個覆蓋層之間的黏附強度可小於形成第三電極之金屬與第二電極之間的黏附強度。
每一複數個覆蓋層可包含8-羥基喹啉鋰(8-Quinolinolato Lithium,Liq)、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9氫-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺[N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine,HT01]、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基N-[4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9氫-茀-2-氨[N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene-2-amine,HT211)]或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1氫-苯並-[D]咪唑[2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole,LG201]。
第三電極可包含鎂(Mg)。
形成複數個覆蓋層之操作可包括利用具有對應至複數覆蓋層之圖樣之具有開口的遮罩之操作。
形成第三電極之操作可包含於複數覆蓋層及鄰近複數覆蓋層之區域上沉積金屬之操作。
每一複數個覆蓋層之面積可大於每一複數個像素中之一區域的面積，其中發光在該區域中產生。
1‧‧‧基板
2‧‧‧有機發光顯示裝置
TR‧‧‧薄膜電晶體
21‧‧‧有機發光單元
23‧‧‧密封基板
24‧‧‧密封件
25‧‧‧間隙
26‧‧‧密封薄膜
211‧‧‧緩衝層
212‧‧‧半導體主動層
213‧‧‧閘極絕緣層
214‧‧‧閘極電極
215‧‧‧層間絕緣層
216‧‧‧源極電極
217‧‧‧汲極電極
218‧‧‧第一絕緣層
219‧‧‧第二絕緣層
219a‧‧‧開口
220‧‧‧有機層
221‧‧‧第一電極
222‧‧‧第二電極
223‧‧‧第三電極
223'‧‧‧薄膜
223a‧‧‧第二邊緣
224‧‧‧覆蓋層
224a‧‧‧第一邊緣
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域
M1、M2‧‧‧材料
3‧‧‧遮罩
31‧‧‧開口
P‧‧‧像素
t1‧‧‧第一厚度
t2‧‧‧第二厚度
TA‧‧‧傳輸區域
PA‧‧‧像素區域
D‧‧‧資料線
S‧‧‧掃描線
V‧‧‧Vdd線
PC‧‧‧像素電路單元
Cst‧‧‧電容
T1‧‧‧第一薄膜電晶體
T2‧‧‧第二薄膜電晶體
V1‧‧‧第一Vdd線
V2‧‧‧第二Vdd線
221a、221b、221c‧‧‧第一電極
D1‧‧‧第一資料線
D2‧‧‧第二資料線
D3‧‧‧第三資料線
EL‧‧‧有機發光二極體
藉由參考附圖詳述其例示性實施例，本發明之上述及其他特徵及優點將更加明顯，其中： 第1圖為根據本發明一實施例之有機發光顯示裝置的截面示意圖； 第2圖為根據本發明另一實施之有機發光顯示裝置的截面示意圖；第3圖為根據本發明一實施例之第1圖或第2圖之有機發光單元的截面示意圖；第4圖至第6圖為根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置之方法的截面示意圖；第7圖為根據本發明另一實施例之有機發光單元的平面示意圖；第8圖為根據本發明另一實施例之有機發光單元的平面示意圖；第9圖為根據本發明另一實施例之有機發光單元的平面示意圖；第10圖為根據本發明另一實施例之有機發光單元的截面示意圖；第11圖為根據本發明另一實施例之有機發光單元的平面示意圖；第12圖為第11圖之一像素的截面示意圖；第13圖為根據本發明另一實施例之有機發光單元的平面示意圖；第14圖為當覆蓋層與第三電極經由根據本發明一個或多個實施例的方法形成時，一像素發光區域中透光率之圖表；以及第15圖為當經由根據本發明一個或多個實施例之方法形成第三電極時，第二電極之最大壓降量之圖表。
以下，將藉由參考附圖解釋本發明之例示性實施例詳述本發明。
第1圖為根據本發明一實施例之有機發光顯示裝置的截面示意圖。
參照第1圖，有機發光顯示裝置2包括形成在基板1上的有機發光單元21、以及密封此有機發光單元21的密封基板23。
密封基板23係由透明材料形成以讓來自有機發光單元21的影像得以實現，並發揮避免外部空氣與水氣滲入有機發光單元21之功能。
基板1的側邊緣與密封基板23藉由密封件24結合，如此以密封介於基板1與密封基板23之間的間隙25。
在間隙25中，可存在吸水劑或填料。
除了使用密封基板23，如第2圖所示，可將密封薄膜26形成在有機發光單元21上，如此可自外部保護有機發光單元21。密封薄膜26可具有由包括矽氧化物或矽氮化物的無機材料形成的層與由包括環氧樹脂或聚亞醯胺(polyimide)的有機材料形成的層交替形成的結構。然而，密封薄膜26的結構並不限於此，而可具有形成在透明薄膜上的任何結構。
第3圖為根據本發明一實施例之第1圖或第2圖之有機發光單元21的截面示意圖。第3圖說明此有機發光單元21的一像素，且此有機發光顯示單元具有複數個像素。
參照第3圖之本實施例，緩衝層211係形成在基板1的一表面上，且薄膜電晶體(TFT)TR係形成在緩衝層211上。
雖然第3圖之實施例只包括一個薄膜電晶體(TFT)TR，然而此像素可藉由具有一個或更多的薄膜電晶體(TFT)與電容以形成像素電路。
半導體主動層212係形成在緩衝層211上。
緩衝層211發揮避免異物滲透及平坦化基板1之表面的功能，並可藉由利用能夠執行此功能的各種材料之一形成。例如，緩衝層211可由包括矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、鋁氧化物、鋁氮化物、鈦氧化物或鈦氮化物的無機材料、包括聚亞醯胺、聚酯或壓克力的有機材料，或此些材料的多層堆疊而形成。緩衝層211可選擇性不形成。
半導體主動層212可由多晶矽形成，但不限於此，因而可由氧化物半導體形成。例如，半導體主動層212可具有G-I-Z-O層[(三氧化二銦)a(三氧化二鎵)b(氧化鋅)c層，(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c層](其中，a、b、c分別為實數，且滿足a≧0,b≧0,c>0)。
閘極絕緣層213係形成在緩衝層211上以覆蓋半導體主動層212，且閘極電極214係形成在閘極絕緣層213上。
層間絕緣層215係形成在閘極絕緣層213上以覆蓋閘極電極214，且源極電極216與汲極電極217係形成在層間絕緣層215上以各自經由接觸孔接觸半導體主動層212。
然而，薄膜電晶體TR的結構並不受限於前述結構並可具有各種薄膜電晶體結構之一。例如，薄膜電晶體TR可具有閘極電極214是設置在半導體主動層212之下的底閘極結構。在此方面，可應用各種可用的薄膜電晶體結構至此薄膜電晶體TR。
可形成包括薄膜電晶體TR與電容的像素電路(圖未示)。
第一絕緣層218係形成以覆蓋包括此薄膜電晶體TR的像素電路。第一絕緣層218可為具有表面為平坦化的單層或複數層的絕緣層。 第一絕緣層218可由無機材料及/或有機材料形成。
如第3圖所示，電性連接至包括薄膜電晶體TR之像素電路的第一電極221係形成在第一絕緣層218上。第一電極221具有在每一像素中分開的島型。
第二絕緣層219係形成在第一絕緣層218上以覆蓋第一電極221的邊緣。開口219a係形成在第二絕緣層219上，從而開放除了第一電極221之邊緣以外第一電極221的中心部位。
有機層220係形成在經由開口219a所裸露的第一電極221上，且第二電極222係形成以覆蓋有機層220，如此形成有機發光二極體EL。
有機層220可形成為低分子有機層或高分子有機層。當有機層220形成為低分子有機層時，此有機層220可具有電洞注入層(Hole Injection Layer,HIL)、電洞傳輸層(Hole Transport Layer,HTL)、發光層(emission layer,EML)、電子傳輸層(Electron Transport Layer,ETL)、電子注入層(Electron Injection Layer,EIL)或其類似層的單層或多層堆疊結構。此低分子有機層可由真空蒸鍍形成。這裡，發光層可獨立形成在每一紅、綠及藍像素中，且電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層為可共同地應用至此紅、綠及藍像素的共同層。
電洞注入層可由包括銅酞菁的酞菁化合物，或由為星爆型胺(starburst-type amine)的4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺 (4,4',4"-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamine,TCTA)、4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)triphenylamine,m-MTDATA)、1,3,5-三[4-(3-甲基苯基苯基胺基)苯基]苯(1,3,5-tris[4-(3-metylphenylphenylamino)phenyl]benzene,m-MTDAPB)或其類似物形成。
電洞傳輸層可由N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基[1,1-聯苯]-4,4'-二胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine,TPD)、N,N'-二(1-萘基)N,N'-二苯基聯苯胺[N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl benzidine,α-NPD]或其類似物形成。
電子注入層可由氟化鋰(lithium fluoride,LiF)、氯化鈉(sodium chloride,NaCl)、氟化銫(caesium fluoride,CsF)、氧化鋰(lithium oxide,Li2O)、氧化鋇(barium oxide,BaO)或8-羥基喹啉鋰(8-Quinolinolato Lithium,Liq)形成。
電子傳輸層可由鋁三(8-羥基喹啉)[aluminum tris(8-hydroxyquinoline),Alq3]形成。
發光層可由主體材料與摻雜材料形成。
主體材料的例子可包括三(8-羥基喹啉)鋁[tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminum,Alq3]、9,10-二(萘-2-基)蒽[9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,AND]、3-三級丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽[3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,TBADN]、4,4'- 雙(2,2-二苯基乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基[4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-dimethylphenyl,DPVBi]、4,4'-雙(2,2-二苯基乙烯-1-基)-4,4'-二甲基[4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-dimethylphenyl,p-DMDPVBi]、三級(9,9-二芳基芴)[tert(9,9-diarylfluorene)s,TDAF]、2-(9,9'-螺二芴-2-基)-9,9'-螺二芴[2-(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-spirobifluorene,BSDF]、2,7-二(9,9'-螺二芴-2-基)-9,9'-螺二芴[2,7-bis(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-spirobifluorene,TSDF]、雙(9,9-二芳基芴)[bis(9,9-diarylfluorene)s,BDAF]、4,4'-雙(2,2-二苯基乙烯-1-基)-4,4'-二(三級丁基)苯基[4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-di-(tert-butyl)phenyl,p-TDPVBi]、1,3-雙(咔唑-9-基)苯[1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene,mCP]、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯[1,3,5-tris(carbazol-9-yl)benzene,tCP]、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺[4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine,TcTa]、4,4'-雙(咔唑-9-基)聯苯[4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl,CBP]、4,4'雙(9-咔唑)-2,2'-二甲基聯苯[4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl,CBDP]、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基芴[4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-dimethyl-fluorene,DMFL-CBP]、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-雙(9-苯基-9氫-咔唑)芴[4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorene, FL-4CBP]、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二對甲苯芴[4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-di-tolyl-fluorene,DPFL-CBP]、9,9-雙(9-苯基-9氫-咔唑)芴[9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorene,FL-2CBP]或其類似物。
摻雜材料的例子可包括4,4'-雙[4-(二-P-甲苯胺)苯乙烯基]聯苯[4,4'-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl,DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蒽[9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,AND]、3-三級丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽[3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,TBADN]，或其類似物。
第一電極221可作為陽極電極，且第二電極222可作為陰極電極。顯然，第一電極221與第二電極222的極性可反過來。
在第一電極221作為陽極電極的情況下，第一電極221可由具有高功函數的材料形成，並可包括氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)或三氧化二銦(In2O3)。在第3圖的有機發光顯示裝置為影像係遠離基板1實現的頂發光形式有機發光顯示裝置時，第一電極221可更包括由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)形成的反射層。
在第二電極222作為陰極電極的情況下，第二電極222可由包括發光顯示裝置時，第二電極222可由包括銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)之金屬材料形成。在第3圖的有機發光顯示裝置為頂發光形式有機發光顯示裝置時，第二電極222必須為光穿透式的。為此，第二電極222 可包括為透明金屬氧化物的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或三氧化二銦(In2O3)。此外，第二電極222可藉由利用鋁(Al)、銀(Ag)及/或鎂(Mg)形成為一薄膜。例如，第二電極222可具有鎂(Mg)與銀(Ag)及/或銀(Ag)的合金單獨或多堆疊的結構。不像第一電極221，第二電極222係形成以施加共同電壓至所有像素，且為此第二電極222係形成為並非對每一像素圖樣化的共同電極。然而，第二電極222可根據網格圖樣圖樣化，如此可移除除了第二電極222對應至發光區域的所有區域。
在第3圖之有機發光顯示裝置為頂發光形式有機發光顯示裝置的情況下，第二電極222包括透明氧化物及/或薄金屬，如此，假使第二電極222形成作為共同電極，將增加第二電極222的片電阻(sheet resistance)，因而產生壓降。為了解決此問題，根據本實施例，更進一步形成第三電極223於第二電極222上，以電性連接第二電極222。
另外，存在第二電極222的上表面受到第1圖之密封基板23損壞的風險。此外，在密封薄膜26如第2圖所示形成的情況下，當密封薄膜26形成時，第二電極222可能受到損壞。為了解決此問題，根據本實施例，形成覆蓋層224於第二電極222上。
覆蓋層224係形成在第二電極222的第一區域R1上，並具有第一邊緣224a。
第三電極223係形成在第二電極222的第二區域R2上，並具有第二邊緣223a。第三電極223與形成在並未形成有第二絕緣層219且鄰近覆蓋層224之此區域上的覆蓋層224的此部位平行。
第一區域R1大於至少一像素中產生發光的區域的面積，且第一區域R1覆蓋至少一像素中產生發光的區域。覆蓋層224係整個形成在第一區域R1上，且第一區域R1的邊緣對應至覆蓋層224的第一邊緣224a。另外，第二區域R2對應至第二電極222除了對應至第一區域R1的區域以外的區域，並在此方面，第三電極223係整個形成在第二區域R2上，且第二區域R2的邊緣對應至第三電極223的第二邊緣223a。第二區域R2對應至除了發光產生之區域外的區域。
覆蓋層224之第一邊緣224a的側表面接觸第三電極223之第二邊緣223a的側表面。
為了降低第二電極222的片電壓，第三電極223的厚度可大於第二電極222的厚度。
由於覆蓋層224可覆蓋至少一像素中發光產生的區域，覆蓋層224可形成為光穿透性的。覆蓋層224可形成為厚度小於第三電極223的薄膜，但不限於此。
在本實施例中，第三電極223與覆蓋層224之間的黏附強度可小於第三電極223與第二電極222之間的黏附強度。
這樣做，覆蓋層224可由8-羥基喹啉鋰[8-Quinolinolato Lithium,Liq]、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9氫-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺[N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine,HT01]、氮(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9氫-咔唑-3-基)苯基)-9氫-芴-2-氨 [N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene-2-amine,HT211]、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1氫-苯並[D]咪唑[2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole,LG201]，或類似物形成。
第三電極223可由鎂(Mg)形成。
由於第三電極223與第二電極222包括鎂(Mg)，故具有優異的黏附性。然而，鎂(Mg)與前述形成覆蓋層224的材料鍵結並不好。因此，藉由利用第三電極223與覆蓋層224之間的黏附特性，可輕鬆圖樣化第三電極223。
如上所述，第三電極223必須圖樣化以只形成在第二區域R2上。然而，形成有機發光二極體EL的有機層220之後，利用諸如常用於圖樣化金屬層之光微影的濕蝕刻以圖樣化第三電極223是不可能的。這是因為當濕蝕刻的水汽及/或氧滲透入有機層220時，有機發光二極體EL的壽命會急遽下降。
因此，在實際的製程中，圖樣化第三電極223是很困難的。
然而，根據根據本實施例，第三電極223可利用第三電極223與覆蓋層224之間的黏附特性輕易的圖樣化。以下，將詳細描述此圖樣化方法。
首先，如第4圖所示，形成第二電極222之後，如第5圖所示利用遮罩3形成覆蓋層224。覆蓋層224可利用前述有機材料形成，如此覆蓋層224可由利用遮罩3的熱蒸鍍法形成。開口31係形成於遮罩3 中，以對應覆蓋層224的圖樣，且經由開口31沉積材料M1以形成覆蓋層224，如此覆蓋層224係形成在第二電極222上。
接著，如第6圖所示，用以形成第三電極223的材料M2係形成。雖然未繪示，卻可利用對所有像素開口的開口遮罩或在沒有遮罩下形成材料M2。
此情況下，由於材料M2與覆蓋層224之間的微弱黏附，形成第三電極223的材料M2並未形成在覆蓋層224上，並只形成在與材料M2具有相對大黏附性的第二電極222上。
因此，第三電極223可在沒有另外的遮罩或另外的圖樣化製程下自然圖樣化。
如第7圖所示，覆蓋層224可具有獨立於每一像素P中的島型。參照第7圖，覆蓋層224具有完全地覆蓋一像素P的面積。然而，覆蓋層224不限於此，因而假使覆蓋層224具有覆蓋像素P產生發光之區域的面積是可接受的。
在此情況下，第三電極223形成像素P之間的晶格圖樣。
如第8圖所示，覆蓋層224可具有獨立於複數個像素P之每一群中的島型。此情況下，第三電極223形成此複數個像素之群組間的晶格圖樣。
如第9圖所示，覆蓋層224可具有條狀以覆蓋連續設置之複數個像素P。在此情況下，第三電極223形成像素各行(row)之間的條狀圖樣。
第9圖的另一實施例中，雖未繪示，然覆蓋層224可具有條狀以更進一步以水平方向覆蓋複數個像素P。
當形成第三電極223的材料M2如第6圖所示沉積時，第三電極223係形成在除了覆蓋層224的區域上，而也如第10圖所示，具有小於形成在除了覆蓋層224外之區域上的第三電極223的第一厚度t1的第二厚度t2的薄膜223'可形成在覆蓋層224上。在這方面，理論上形成第三電極223的材料M2與覆蓋層224具有弱的黏附性，以至於材料M2並未形成在覆蓋層224上而只形成在與材料M2具有強黏附性的第二電極222上。當沉積如第6圖所示在沒有另外的圖樣遮罩下藉由利用開口遮罩實際地執行時，具有第二厚度t2的薄膜223'可薄薄地形成在覆蓋層224上，即使理論上材料M2並不會形成在覆蓋層224上。
由於第二厚度t2小於第一厚度t1，第二厚度t2可不會顯著的影響第一區域R1中有機發光二極體EL的亮度。
第11圖為根據本發明另一實施例之有機發光顯示裝置之有機發光單元21的平面示意圖。第12圖為第11圖之一像素的截面示意圖。
參照第11圖及第12圖的本實施例，有機發光單元21由傳輸外部光線的傳輸區域TA、及藉由具有設置其間的傳輸區域TA而彼此分開的複數個像素區域PA所定義。
如第11圖所示，像素電路單元PC係設置在每一像素區域PA中，且包括掃描線S、資料線D、Vdd線V及類似線的複數個導線係電性連接至像素電路單元PC。雖未繪示，根據此像素電路單元PC的構造，可更進一步配置除了掃描線S、資料線D及Vdd線V之外的各種線。
如第11圖所示，像素電路單元PC包括連接至掃描線S與資料線D的第一薄膜電晶體T1、連接至第一薄膜電晶體T1與Vdd線V的第二薄膜電晶體T2、以及連接至第一薄膜電晶體T1與第二薄膜電晶體T2的電容Cst。此處，第一薄膜電晶體T1成為切換電晶體，而第二薄膜電晶體T2成為驅動電晶體。第二薄膜電晶體T2係電性連接至第一電極221。在第11圖的實施例中，第一薄膜電晶體T1與第二薄膜電晶體T2可為P型，但並不限於此，因此它們之至少其一可為N型。薄膜電晶體與電容的數目並不限於本實施例，因此根據像素電路單元PC，可耦接二個或更多電晶體及一個或更多電容。
參照第11圖，掃描線S係與第一電極221重疊設置。然而，一個或多個實施例並不限於此，因此包括掃描線S、資料線D及Vdd線V的複數個導線之至少其一可與第一電極221重疊設置，或可鄰近第一電極221設置。
根據本實施例，像素區域PA與傳輸區域TA係相互分離的，如此當外部影像經由傳輸區域TA被觀看看時，可能避免由於外部光線相對像素電路單元PC中裝置的圖樣散射造成的外部影像失真。
像素區域PA與傳輸區域TA係以傳輸區域TA的面積與像素區域PA及傳輸區域TA的總面積的比例介於約5%及約90%的方式形成。
當傳輸區域TA的面積與像素區域PA及傳輸區域TA的總面積的比例小於5%時，只有少量的光線穿過有機發光單元21，以致於對使用者而言觀看位在相反邊的物件或影像是困難的。即，有機發光單元 21是不透明的。然而，雖然傳輸區域TA的面積相對像素區域PA與傳輸區域TA之總面積的比例為約5%，但實際外部光線的強度是很大的，使用者可經由顯示器完全辨識位在相反邊的物件或影像，因此此顯示器對於使用者而言可具有透明顯示器之功能。如之後將描述的，當包括在像素電路單元PC中的薄膜電晶體形成為諸如氧化物半導體的透明薄膜電晶體，且有機發光二極體EL係形成為透明裝置時，可增加透明顯示器的辨識層級。
當傳輸區域TA的面積與像素區域PA及傳輸區域TA的總面積的比例大於90%時，有機發光單元21的像素完整性顯著下降，以致於經由像素區域PA之發光以實現穩定的影像是困難的。即，當像素區域PA的面積下降時，來自有機層220的發光亮度必須增加以實現影像。因此，當在高亮度狀態操作有機發光二極體EL時，此有機發光二極體EL的壽命會急遽下降。
傳輸區域TA的面積與像素區域PA及傳輸區域TA的總面積的比例可在約20%及約70%的範圍裡。
在20%以下的範圍裡，像素區域PA的面積相較傳輸區域TA的面積太大，因此會限制使用者經由傳輸區域TA瀏覽外部影像。在70%以上的範圍裡，對於設置於像素區域PA中的像素電路單元PC的設計上造成許多限制。
電性連接至像電路單元PC的第一電極221係配置在像素區域PA中，且像素電路單元PC與第一電極221重疊以由第一電極221阻擋。接著，包括掃描線S、資料線D、及Vdd線V的複數個導線之至少其 一可與第一電極221重疊設置。在此方面，根據一設計條件，由於複數個導線相較像素電路單元PC並不顯著的惡化透光率，所有的複數個導線可鄰近第一電極221設置。
如上所述，在第一電極221包括由能夠反射光的導電金屬形成之反射層的情況下，第一電極221阻擋了像素電路單元PC，並避免起因於像素區域PA中像素電路單元PC的外部影像失真。
如第12圖所示，像素區域PA與傳輸區域TA位在第一區域R1中。
此處，由於覆蓋層224位在第一區域R1中，因此覆蓋層224覆蓋像素區域PA及傳輸區域TA。另外，第三電極223係配置在位於第一區域R1一側的第二區域R2內。
在本實施例中，覆蓋層224係由透明有機材料形成，如此覆蓋層224可不影響傳輸區域TA中的透光率。關於覆蓋層224與第三電極223的材質與形成方式與前述實施例相同。
雖然未繪示，透光窗可藉由移除第二電極222之一部位而形成在傳輸區域TA中，因此可更進一步增加傳輸區域TA中的透光率。此處，透光窗不只可由移除第二電極222形成，也可被形成在第二絕緣層219、第一絕緣層218、層間絕緣層215、閘極絕緣層213及緩衝層211之至少其一之上。
第13圖為根據本發明另一實施例之第11圖及第12圖之透明有機發光顯示裝置。
第13圖之實施例對應之情況為像素係經由包括紅、綠及藍次像素所實施，因此發白光。在此方面，第13圖的實施例包括白光是經由具有除了紅、綠及藍色外之其他顏色的次像素所發射。
此情況下，傳輸區域TA係由此三個次像素的第一電極221a、221b、及221c的每一群組形成。第一資料線D1至第三資料線D3係各自電性連接至三個次像素的第一電極221a、221b及221c。另外，第一Vdd線V1係電性連接至第一個及第二個第一電極221a及221b，且第二Vdd線V2係電性連接至第三個第一電極221c。
在此結構下，單一大型傳輸區域TA係隨著複數個次像素形成，因此可更進一步增加整個顯示器的透光率，並可更進一步降低起因於散射光的影像失真。
雖未顯示於第13圖，單一大型透光窗可經由移除第二電極的一部位而形成於傳輸區域TA中，因此可進一步增加傳輸區域TA中的透光率。這裡，透光窗不只可由移除第二電極而形成，也可形成在第二絕緣層、第一絕緣層、層間絕緣層、閘極絕緣層以及緩衝層之至少其一之上。
在第11圖至第13圖的實施例中，具有較小厚度且由形成第三電極的材料形成的薄膜可形成在第一區域R1的覆蓋層224上，如第11圖的實施例。在此情況下，如上所述，此薄膜的厚度非常小，使得此薄膜可不影響傳輸區域TA中的透光率。
第14圖為當覆蓋層224與第三電極223由第4圖至第7圖的方法形成時，像素發光區中透光率的圖表。
覆蓋層224係由前述覆蓋層材料形成並以30Å之厚度沉積。第三電極223係利用開口遮罩沉積鎂(Mg)於整個像素區域上形成，在此方面，沉積1000Å的鎂(Mg)。
如第14圖所示，有可能看見幾乎100%的透光率出現在可見光的整個波長區域。這意味著如上所述，鎂很難沉積在形成有覆蓋層224的區域上。
因此，根據一個或多個實施例，覆蓋層224與第三電極223可有效地形成而不損失透光率。
第15圖為當經由根據一個或多個實施例之方法形成第三電極223時，第二電極222之最大壓降量的圖表。在每一測試例中，第二電極222由Mg：Ag/Ag形成，並具有20ohm/sq之片電阻。
測試例I對應至覆蓋層224與第三電極223根據第3圖及第7圖之實施例形成在具有19英吋大小的顯示器中的情況。此處，第三電極223係經由沉積3,500Å的鎂(Mg)形成。
測試例II對應至覆蓋層224與第三電極223根據第3圖及第7圖之實施例形成在具有40英吋大小的顯示器中的情況。此處，第三電極223係經由沉積3,500Å.的鎂(Mg)形成。
測試例III為對應至覆蓋層224與第三電極223並未形成在具有19英吋大小的顯示器中之情況的比較例。
測試例IV為對應至覆蓋層224與第三電極223並未形成在具有40英吋大小的顯示器中之情況的比較例。
如第15圖所示，可能看見在測試例I及II中第二電極222的壓降量明顯少於測試例III及IV中第二電極222的壓降量。
雖然本發明之一個或多個實施例係就頂發光型有機發光顯示裝置作描述，一個或多個實施例並不限於此，因此可同樣的適用至朝向基板1實現影像的底發光型有機發光顯示裝置，及在兩方向上實現影像的雙發光型有機發光顯示裝置。
根據本發明之一個或多個實施例，可達成如下所述的效果。
第三電極由於此覆蓋層可以自然地圖樣化，使得不需要執行另外的圖樣化程序以形成第三電極。因此，可能避免第二電極由於第三電極的圖樣化程序而損壞。
另外，第二電極可因覆蓋層而受到保護。
由於第三電極可避免第二電極的壓降。
當本發明已參照其例示性實施例特定地於此顯現並描述時，本領域通常技藝者將理解任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
1‧‧‧基板
21‧‧‧有機發光單元
EL‧‧‧有機發光二極體
TR‧‧‧薄膜電晶體
211‧‧‧緩衝層
212‧‧‧半導體主動層
213‧‧‧閘極絕緣層
214‧‧‧閘極電極
215‧‧‧層間絕緣層
216‧‧‧源極電極
217‧‧‧汲極電極
218‧‧‧第一絕緣層
219‧‧‧第二絕緣層
219a‧‧‧開口
220‧‧‧有機層
221‧‧‧第一電極
222‧‧‧第二電極
223‧‧‧第三電極
223a‧‧‧第二邊緣
224‧‧‧覆蓋層
224a‧‧‧第一邊緣
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域
t1‧‧‧第一厚度
t2‧‧‧第二厚度
223'‧‧‧薄膜

Claims (35)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一基板；一薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)，其係形成在該基板上；一第一絕緣層，其係覆蓋該薄膜電晶體；一第一電極，其係形成在該第一絕緣層上並電性連接至該薄膜電晶體；一第二絕緣層，其係形成在該第一絕緣層上以覆蓋該第一電極，該第二絕緣層具有一開口以暴露該第一電極之一部位；一有機層，其係形成在該第二絕緣層之一部位及該第一電極上；一第二電極，其係形成在該第二絕緣層與該有機層上，該第二電極係由一第一區域與一第二區域組成；一覆蓋層，其係形成在該第二電極之該第一區域上，且該覆蓋層具有一第一邊緣；以及一第三電極，其係形成在該第二電極之該第二區域上，該第三電極具有一第二邊緣，該第二邊緣之側表面接觸該覆蓋層之該第一邊緣的側表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電極係為光穿透性的。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二 電極包含銀(Ag)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電極包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或三氧化二銦(In2O3)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三電極之一厚度大於該第二電極之一厚度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一區域包括能夠傳輸外部光線的一傳輸區域及鄰近該傳輸區域且發光於其中產生的一像素區域；該第一電極與該像素區域重疊；以及該第一電極位在阻擋該薄膜電晶體(TFT)之位置。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該覆蓋層係為光穿透性的。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三電極與該覆蓋層之間的黏附強度小於該第三電極與該第二電極之間的黏附強度。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示裝置，其中該覆蓋層包含8-羥基喹啉鋰(8-Quinolinolato Lithium,Liq)、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9氫-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺[N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine,HT01]、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基N-[4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9氫-茀-2-氨[N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene-2-amine,HT211)]或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1氫-苯並-[D]咪唑 [2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole,LG201]。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三電極包含鎂(Mg)。
  11. 一種有機發光顯示裝置，其包含：複數個像素；複數個薄膜電晶體，其係位在每一該複數個像素中；複數個第一電極，其係分別位在每一該複數個像素中並電性連接至該複數個薄膜電晶體；一第二電極，其係覆蓋該複數個像素；一有機層，其係設置在每一該複數個第一電極與該第二電極之間；複數個覆蓋層，每一該覆蓋層係設置以對應至該複數個像素之至少其一；以及一第三電極，其係位在該複數個像素之間，該第三電極鄰近每一該複數個覆蓋層並電性連接至該第二電極；其中該複數個覆蓋層未覆蓋該第三電極。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電極係為光穿透性的。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電極包含銀(Ag)。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第 二電極包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或三氧化二銦(In2O3)。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三電極之一厚度大於該第二電極之一厚度。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中每一該複數個像素包括能夠傳輸外部光線的一傳輸區域及鄰近該傳輸區域且發光於其中產生的一像素區域；該第一電極與該像素區域重疊；以及該第一電極位在阻擋該複數個薄膜電晶體之位置。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個覆蓋層係為光穿透性的。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三電極與該複數個覆蓋層之間的黏附強度小於該第三電極與該第二電極之間的黏附強度。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個覆蓋層包含8-羥基喹啉鋰(8-Quinolinolato Lithium,Liq)、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9氫-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺[N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine,HT01]、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基N-[4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9氫-茀-2-氨[N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene-2-amine,HT211)]或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1氫-苯並-[D]咪唑[2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-p henyl-1H-benzo-[D]imidazole,LG201]。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三電極包含鎂(Mg)。
  21. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中每一該複數個覆蓋層的邊緣接觸該第三電極之邊緣。
  22. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中每一該複數個覆蓋層之面積大於每一該複數個像素中之一區域的面積，其中發光在該區域中產生。
  23. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：形成位在每一複數個像素中的複數個薄膜電晶體；形成分別電性連接至各自位在該複數個像素中的該複數個薄膜電晶體之複數個有機發光二極體，每一該有機發光二極體包含一第一電極、一有機層、以及一第二電極；形成複數個覆蓋層以對應至該複數個像素之至少其一；以及藉由於該複數個像素上沉積一金屬以形成一第三電極，其中該第三電極鄰近每一該複數個覆蓋層並電性連接至該第二電極。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中該第二電極係為光穿透性的。
  25. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中該第二電極包含銀(Ag)。
  26. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中該第二電極包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或三氧化二銦(In2O3)。
  27. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中該第三電極係形成以具有較該第二電極大的一厚度。
  28. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中每一該複數個像素包括能夠傳輸外部光線的一傳輸區域及鄰近該傳輸區域且發光於其中產生的一像素區域；該第一電極與該像素區域重疊；以及該第一電極位在阻擋該薄膜電晶體(TFT)之位置。
  29. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中該複數個覆蓋層係為光穿透性的。
  30. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中形成該第三電極之該金屬與該複數個覆蓋層之間的黏附強度小於形成該第三電極之該金屬與該第二電極之間的黏附強度。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之方法，其中該複數個覆蓋層包含8-羥基喹啉鋰(8-Quinolinolato Lithium,Liq)、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9氫-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺[N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine,HT01]、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基N-[4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9氫-茀-2-氨[N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene-2-amine,HT211)]或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1氫-苯並-[D]咪唑[2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole,LG201]。
  32. 如申請專利範圍第30項所述之方法，其中該第三電極包含鎂(Mg)。
  33. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中形成該複數個覆蓋層包含利用具有對應至該複數覆蓋層之一圖樣之具有一開口的一遮罩。
  34. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中形成該第三電極包含於該複數個覆蓋層及鄰近該複數個覆蓋層之區域上沉積該金屬。
  35. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中每一該複數個覆蓋層之面積大於每一該複數個像素中之一區域的面積，其中發光在該區域中產生。
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