TWI479965B - 電路板製作方法 - Google Patents

Description

電路板製作方法

本發明涉及電路板製作技術領域，尤其涉及一種封高密度電路板製作方法。

現有技術中，在電路板的製作過程中，通常採用增層法或者半加成法，從而得到的導電線路製作於介電層的表面。即導電線路全部凸出於介電層的表面。為了保護導電線路，通常需要在導電線路的表面形成防焊層。所述防焊層通常通過印刷防焊油墨的方式形成，在印刷形成防焊層時，需要形成的防焊層覆蓋需要覆蓋的導電線路及導電線路之間的空隙。由於導電線路層本身具有厚度，這樣，需要形成的防焊層的厚度大於導電線路的厚度。當導線線路的厚度較大時，形成的防焊層的厚度也需要增加，從而不利於電路板的薄型化的要求。並且，現有技術中的導電線路的製作方法也不利於細線路的製作。

鑒於以上內容，有必要提供一種電路板的製作方法，降低電路板的防焊層的厚度，進而減小電路板的厚度。

一種電路板製作方法，包括步驟：提供覆銅基板，所述覆銅基板包括介電層及形成於介電層一表面的銅箔層；在所述覆銅基板內形成凹槽圖形，所述凹槽圖形貫穿所述銅箔層並延伸至與銅箔層 相鄰的部分介電層，所述凹槽圖形的形狀與分佈與待形成的導電線路相對應；在所述凹槽圖形內及銅箔層表面形成面銅，所述面銅完全填充所述凹槽圖形；以及去除所述銅箔層及覆蓋於所述銅箔層表面的面銅，位於所述凹槽圖形內的面銅及覆蓋凹槽圖形的面銅構成導電線路。

一種電路板製作方法，包括步驟：提供覆銅基板，所述覆銅基板包括介電層、形成於介電層一表面的第一銅箔層及形成於介電層另一相對表面的第二銅箔層；在所述覆銅基板內形成第一凹槽圖形和第二凹槽圖形，所述第一凹槽圖形貫穿所述第一銅箔層並延伸至與第一銅箔層相鄰的部分介電層，所述第一凹槽圖形的形狀與分佈與待形成的第一導電線路相對應，所述第二凹槽圖形貫穿所述第二銅箔層並延伸至與第二銅箔層相鄰的部分介電層，所述第二凹槽圖形的形狀與分佈與待形成的第二導電線路相對應；在所述第一凹槽圖形內及第一銅箔層表面形成第一面銅，所述第一面銅完全填充所述第一凹槽圖形，在所述第二凹槽圖形內及第二銅箔層表面形成第二面銅，所述第二面銅完全填充所述第二凹槽圖形；以及去除所述第一銅箔層及覆蓋於所述第一銅箔層表面的第一面銅，位於所述第一凹槽圖形內的第一面銅及覆蓋第一凹槽圖形的面銅構成導電線路。

本技術方案中，由於第一導電線路和第二導電線路部分設置於介電層內，部分凸出於介電層，這樣，在第一導電線路和第二導電線路表面形成防焊層時，可以採用厚度較小的防焊層便可以將第一導電線路層和第二導電線路層覆蓋，從而，可以降低防焊層的厚度，進而可以降低電路板的厚度。

100‧‧‧電路板

110‧‧‧覆銅基板

111‧‧‧第一銅箔層

112‧‧‧介電層

1121‧‧‧第一表面

1122‧‧‧第二表面

113‧‧‧第二銅箔層

131‧‧‧第一黑化層

141‧‧‧第二黑化層

130‧‧‧第一凹槽圖形

140‧‧‧第二凹槽圖形

150‧‧‧光致抗蝕劑層

151‧‧‧第一面銅

152‧‧‧第二面銅

161‧‧‧第一導電線路

162‧‧‧第二導電線路

1611‧‧‧第一導電部分

1612‧‧‧第二導電部分

1613‧‧‧第一端部

1614‧‧‧第二端部

171‧‧‧第一防焊層

1711‧‧‧第一開口

1615‧‧‧第一電性接觸墊

172‧‧‧第二防焊層

1721‧‧‧第二開口

1621‧‧‧第二電性接觸墊

圖1為本技術方案實施例提供的覆銅基板的剖面示意圖。

圖2為圖1的覆銅基板的表面形成第一黑化層和第二黑化層後的剖面示意圖。

圖3為圖2的覆銅基板中形成第一凹槽圖形和第二凹槽圖形後的剖面示意圖。

圖4為圖3的覆銅基板去除第一黑化層和第二黑化層後的剖面示意圖。

圖5為圖4的覆銅基板表面形成第一面銅和第二面銅後的剖面示意圖。

圖6為圖5的第一面銅表面和第二面銅表面形成光致抗蝕劑層後的剖面示意圖。

圖7為圖6形成第一導電線路和第二導電線路後的剖面示意圖。

圖8為本技術方案實施例提供的電路板的剖面示意圖。

以下，以具體事實例來說明本技術方案提供所述電路板製作方法。

本技術方案實施例提供的電路板製作方法包括如下步驟：

第一步，請參閱圖1，提供覆銅基板110。

所述覆銅基板110為雙面覆銅基板，其包括第一銅箔層111、介電層112及第二銅箔層113。所述介電層112具有相對的第一表面1121和第二表面1122。所述第一銅箔層111形成於第一表面1121 ，所述第二銅箔層113形成於第二表面1122。

第二步，請一併參閱圖2至圖4，在所述覆銅基板110中形成第一凹槽圖形130和第二凹槽圖形140。

所述第一凹槽圖形130及第二凹槽圖形140分別與欲形成的導電線路圖形相對應。所述第一凹槽圖形130貫穿第一銅箔層111並延伸至與第一銅箔層111相鄰的部分介電層112內。所述第二凹槽圖形140貫穿第二銅箔層113並延伸至與第二銅箔層113相鄰的部分介電層112內。

在所述覆銅基板110內形成第一凹槽圖形130和第二凹槽圖形140可以採用如下方法形成：

首先，在第一銅箔層111的表面形成第一黑化層131，在第二銅箔層113的表面形成第二黑化層141。

具體的，可以將覆銅基板110置於黑化藥水中，使得黑化藥水於第一銅箔層111和第二銅箔層113表面的銅箔發生反應，使得第一銅箔層111和第二銅箔層113表面的銅箔被氧化而成為黑色，從而得到第一黑化層131和第二黑化層141。

然後，採用鐳射從第一黑化層131一側在覆銅基板110內形成第一凹槽圖形130，採用鐳射從第二黑化層141一側在覆銅基板110中形成第二凹槽圖形140。本實施例中，採用的鐳射可以為準分子鐳射。通過控制採用的鐳射的能量，使得所述第一凹槽圖形130貫穿第一銅箔層111並延伸至與第一銅箔層111相鄰的部分介電層112內。所述第二凹槽圖形140貫穿第二銅箔層113並延伸至與第二銅箔層113相鄰的部分介電層112內。第一凹槽圖形130與第二 凹槽圖形140並不相互連通。

最後，去除所述第一黑化層131和第二黑化層141。

通過化學反應的方式，將第一黑化層131和第二黑化層141去除。

第三步，請參閱圖5，在所述第一銅箔層111一側形成第一面銅151，在所述第二銅箔層113一側形成第二面銅152。所述第一面銅151填充所述第一凹槽圖形130並覆蓋第一銅箔層111。所述第二面銅152填充第二凹槽圖形140並覆蓋第二銅箔層113。

所述第一面銅151和第二面銅152可以採用如下方式形成：

首先，在第一凹槽圖形130內、第二凹槽圖形140內、第一銅箔層111表面和第二銅箔層113表面形成金屬種子層。所述電鍍種子層可以採用化學鍍銅的方式形成。

然後，採用電鍍的方式在所述金屬種子層表面形成電鍍銅層。形成於第一凹槽圖形130內及第一銅箔層111表面的所述電鍍銅層與所述金屬種子層共同構成第一面銅151。形成於第二凹槽圖形140內及第二銅箔層113表面的所述電鍍銅層與所述金屬種子層共同構成第二面銅152。

第四步，請參閱圖6及圖7，通過影像轉移工藝及蝕刻工藝，去除第一銅箔層111及形成於第一銅箔層111表面的第一面銅151，從而形成於第一凹槽圖形130內及覆蓋於第一凹槽圖形130的第一面銅151構成第一導電線路161。通過影像轉移工藝及蝕刻工藝，去除第二銅箔層113及形成於第二銅箔層113表面的第二面銅152，從而形成於第二凹槽圖形140內及覆蓋於第二凹槽圖形140的第二面銅152構成第二導電線路162。

本步驟具體可以採用如下方法實現：首先，在第一面銅151和第二面銅152的表面形成光致抗蝕劑層150。所述光致抗蝕劑層150可以通過壓合乾膜的方式形成，也可以通過印刷液態感光油墨的方式形成。然後，對所述光致抗蝕劑層150進行曝光及顯影，使得與第一凹槽圖形130對應的部分光致抗蝕劑層150留在第一面銅151表面，使得與第一銅箔層111對應的部分光致抗蝕劑層150被去除。並使得與第二凹槽圖形140對應的部分光致抗蝕劑層150留在第二面銅152表面，使得與第二銅箔層113對應的部分光致抗蝕劑層150被去除。接著，採用化學蝕刻的方式，將未被光致抗蝕劑層150覆蓋的第一面銅151、被第一面銅151覆蓋的第一銅箔層111去除，被光致抗蝕劑層150覆蓋的第一面銅151形成第一導電線路161。將未被光致抗蝕劑層150覆蓋的第二面銅152、被第二面銅152覆蓋的第二銅箔層113去除，被光致抗蝕劑層150覆蓋的第二面銅152形成第二導電線路162。最後，去除所述光致抗蝕劑層150。

可以理解的是，在進行蝕刻的過程中，由於顯影後的光致抗蝕劑層與第一凹槽圖形130和第二凹槽圖形140相對應，即顯影後的光致抗蝕劑層與對應第一凹槽圖形130或者第二凹槽圖形140的形狀相同且寬度相等，這樣，在進行蝕刻時，由於側蝕現象的存在，使得突出於介電層112的部分導電線路的截面呈梯形。具體地，所述第一導電線路161包括位於第一凹槽圖形130內的第一導電部分1611和凸出於介電層112的第二導電部分1612。所述第一導電部分1611與第二導電部分1612相互連接。所述第二導電部分1612的橫截面的形狀為梯形。所述第二導電部分1612具有相對的第一端部1613和第二端部1614，所述第一端部1613遠離所述第一導電 部分1611，所述第二端部1614與第一導電部分1611相連接。自所述第一端部1613向第二端部1614，所述第一導電部分1611的截面的寬度逐漸增加。所述第一端部1613的寬度小於所述第一導電部分1611的寬度，所述第二端部1614的寬度等於所述第一導電部分1161的寬度。

所述第二導電線路162的形狀與第一導電線路161的截面的形狀相同。

第五步，請參閱圖8，在所述第一導電線路161表面及介電層112的第一表面1121形成第一防焊層171，在所述第二導電線路162表面及介電層112的第二表面1122形成第二防焊層172。進而，得到電路板100。

所述第一防焊層171和第二防焊層172可以採用印刷防焊油墨的方式形成。所述第一防焊層171內具有多個第一開口1711，部分第一導電線路161從第一開口1711露出，形成第一電性接觸墊1615。所述第二防焊層172內具有多個第二開口1721，部分第二導電線路162從第二開口1721露出，形成第二電性接觸墊1621。

可以理解的是，本技術方案的第一導電線路161和第二導電線路162可以相互電導通。即通過製作導電孔的方式將第一導電線路161和第二導電線路162相互電導通。當採用導電孔進行電導通時，可以在形成第一凹槽圖形130和第二凹槽圖形140之後，採用鐳射燒蝕的方式，將部分的第一凹槽圖形130和第二凹槽圖形140之間形成通孔而相互連通。在後續形成第一面銅151和第二面銅152時，使得所述通孔也被導電金屬填充成為導電孔，從而當形成第一導電線路161和第二導電線路162時，第一導電線路161和第二 導電線路162通過所述導電孔相互電導通。

可以理解的是，本技術方案提供的電路板製作方法也可以用於單面電路板的製作，即提供的覆銅基板為單面覆銅基板，得到的電路板僅包括第一導電線路，而不具有第二導電線路。

進一步地，本技術方案提供的電路板製作方法也可以用於多層電路板的製作，即在第四步之後，繼續進行增層製作，並重複第二步至第四步的操作，從而可以得到多層電路板。

本技術方案提供的電路板製作方法也可以應用於剛撓結合板的製作。

本技術方案中，由於第一導電線路161和第二導電線路162部分設置於介電層內，部分凸出於介電層，這樣，在第一導電線路161和第二導電線路162表面形成防焊層時，可以採用厚度較小的防焊層便可以將第一導電線路層和第二導電線路層覆蓋，從而，可以降低防焊層的厚度，進而可以降低電路板的厚度。

並且，相比於現有技術中具有相同厚度的導電電路板的電路板，第一導電線路161和第二導電線路162部分設置於介電層內，也可以降低電路板的厚度。

進一步的，本技術方案提供的電路板製作方法也可以應用於具有細線路的電路板的製作。

惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士爰依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

100‧‧‧電路板

112‧‧‧介電層

1121‧‧‧第一表面

1122‧‧‧第二表面

171‧‧‧第一防焊層

1711‧‧‧第一開口

1615‧‧‧第一電性接觸墊

172‧‧‧第二防焊層

1721‧‧‧第二開口

1621‧‧‧第二電性接觸墊

Claims (10)

1. 一種電路板製作方法，包括步驟：提供覆銅基板，所述覆銅基板包括介電層及形成於介電層一表面的銅箔層；在所述覆銅基板內形成凹槽圖形，所述凹槽圖形貫穿所述銅箔層並延伸至與銅箔層相鄰的部分介電層，且所述凹槽圖形並未貫穿所述介電層，所述凹槽圖形的形狀與分佈與待形成的導電線路相對應；在所述凹槽圖形內及銅箔層表面形成面銅，所述面銅完全填充所述凹槽圖形；以及去除所述銅箔層及覆蓋於所述銅箔層表面的面銅，位於所述凹槽圖形內的面銅及覆蓋凹槽圖形的面銅構成導電線路。
2. 如請求項第1項所述的電路板製作方法，其中，所述凹槽圖形採用準分子鐳射燒蝕形成。
3. 如請求項第2項所述的電路板製作方法，其中，形成所述凹槽圖形包括步驟：在所述銅箔層的表面形成黑化層；採用準分子鐳射從黑化層一側燒蝕形成凹槽圖形；以及去除所述黑化層。
4. 如請求項第1項所述的電路板製作方法，其中，形成所述面銅包括步驟：在所述凹槽圖形及所述銅箔層表面形成金屬種子層；以及採用電鍍的方式在所述金屬種子層表面形成電鍍銅層，形成於凹槽圖形內及銅箔層表面的所述電鍍銅層與所述金屬種子層共同構成所述面銅。
5. 如請求項第1項所述的電路板製作方法，其中，形成所述導電線路包括步 驟：在所述面銅的表面形成光致抗蝕劑層；對所述光致抗蝕劑層進行曝光及顯影，使得與所述凹槽圖形對應的部分光致抗蝕劑層留在面銅表面，使得與銅箔層對應的部分光致抗蝕劑層被去除；採用化學蝕刻的方式，將未被光致抗蝕劑層覆蓋的面銅、被面銅覆蓋的銅箔層去除，被光致抗蝕劑層覆蓋的面銅形成導電線路，凸出於介電層的部分導電線路的截面呈梯形；以及去除所述光致抗蝕劑層。
6. 一種電路板製作方法，包括步驟：提供覆銅基板，所述覆銅基板包括介電層、形成於介電層一表面的第一銅箔層及形成於介電層另一相對表面的第二銅箔層；在所述覆銅基板內形成第一凹槽圖形和第二凹槽圖形，所述第一凹槽圖形貫穿所述第一銅箔層並延伸至與第一銅箔層相鄰的部分介電層，且所述凹槽圖形並未貫穿所述介電層，所述第一凹槽圖形的形狀與分佈與待形成的第一導電線路相對應，所述第二凹槽圖形貫穿所述第二銅箔層並延伸至與第二銅箔層相鄰的部分介電層，所述第二凹槽圖形的形狀與分佈與待形成的第二導電線路相對應；在所述第一凹槽圖形內及第一銅箔層表面形成第一面銅，所述第一面銅完全填充所述第一凹槽圖形，在所述第二凹槽圖形內及第二銅箔層表面形成第二面銅，所述第二面銅完全填充所述第二凹槽圖形；以及去除所述第一銅箔層及覆蓋於所述第一銅箔層表面的第一面銅，位於所述第一凹槽圖形內的第一面銅及覆蓋第一凹槽圖形的面銅構成導電線路。
7. 如請求項第6項所述的電路板製作方法，其中，所述第一凹槽圖形和第二 凹槽圖形採用準分子鐳射燒蝕形成。
8. 如請求項第7項所述的電路板製作方法，其中，形成所述第一凹槽圖形及第二凹槽圖形包括步驟：在所述第一銅箔層的表面形成第一黑化層，並在所述第二銅箔層表面形成第二黑化層；採用準分子鐳射從第一黑化層一側燒蝕形成第一凹槽圖形，從第二黑化層一側燒蝕形成第二凹槽圖形；以及去除所述第一黑化層和第二黑化層。
9. 如請求項第6項所述的電路板製作方法，其中，形成所述第一面銅和第二面銅包括步驟：在所述第一凹槽圖形內、第二凹槽圖形內、所述第一銅箔層表面及第二銅箔層表面形成金屬種子層；以及採用電鍍的方式在所述金屬種子層表面形成電鍍銅層，形成於第一凹槽圖形內及第一銅箔層表面的所述電鍍銅層與所述金屬種子層共同構成所述第一面銅，形成於第二凹槽圖形內及第二銅箔層表面的所述電鍍銅層與所述金屬種子層共同構成所述第二面銅。
10. 如請求項第6項所述的電路板製作方法，其中，形成所述第一導電線路和第二導電線路包括步驟：在所述第一面銅的表面和第二面銅的表面形成光致抗蝕劑層；對所述光致抗蝕劑層進行曝光及顯影，使得與所述第一凹槽圖形對應的部分光致抗蝕劑層留在第一面銅表面，使得與第一銅箔層對應的部分光致抗蝕劑層被去除，使得與所述第二凹槽圖形對應的部分光致抗蝕劑層留在第二面銅表面，使得與第二銅箔層對應的部分光致抗蝕劑層被去除；採用化學蝕刻的方式，將未被光致抗蝕劑層覆蓋的第一面銅及被第一面 銅覆蓋的第一銅箔層、未被光致抗蝕劑層覆蓋的第二面銅及被第二面銅覆蓋的第二銅箔層去除，被光致抗蝕劑層覆蓋的第一面銅形成第一導電線路，被光致抗蝕劑層覆蓋的第二面銅形成第二導電線路，凸出於介電層的部分第一導電線路和第二導電線路的截面呈梯形；以及去除所述光致抗蝕劑層。