TWI303357B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

1303357 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種製造一器件之方法 詳言之，本發明係關於浸潤式微影術。 【先前技術】 六对尸/Γ朋1之圖案施加至基板 微影裝置係一種 上’通常施加至該基板之一目標部分上。微影裝置可用於 (例如）積體電路（1C)之製造。在彼情況下，可使用圖案化器 件（或者稱為光罩或主光罩）以產生一待形成於該lc= —單 獨層上之電路圖案。可將此圖案轉移至一基板（例如矽晶圓） 上的-目標部分（例如，包含一或若干晶粒之部分）。圖案之 轉移通常係經由成像至提供於該基板上之一輕射敏感材料 層（抗姓劑）而進行。一般地，單一基板將含有被連續圖案化 之，鄰目標部分的-網路。已知微影裝置包括：所謂的步 進益，其中稭由將整個圖案一次曝光至一目標部分上 射每一目標部分；以及所謂的掃描儀，其中藉由在給定: 向(”掃描"方向)中將圖案掃描穿過一輻射光束，同時 方向平行或反向平行之方向同步掃描基板，從而照射每_ 目標部分。亦可能藉由將圖案壓印至基板來將圖案自圖宰 化器件轉移至基板。 問系自圖案 吾人已提出將微影投影裝置中之基板浸沒在 门此之思義為能夠成像較小之特矜 m 為曝光輻射在液體中將具 之特试，因 /、啕孕乂二乳或真空中短的波長，從 I04608.doc Ι3Ό3357 微影 的深 ，石 Z允讀析較小之特徵。（液體的仙亦可被視作增加 、置的有效NA (當投影系統支持時）且亦增加聚焦 f。已提出其它浸沒液體’包括懸浮有固體粒子(例如 英）的水。 冑基板或者基板及基板台浸人液體槽中（見（例如） 美國專利US 4,5()9,852，其全文以引㈣方式併人本文幻 意謂著存在大量於掃描曝光期間必須被加速之液體。此需 要額外的或功率|^的馬達，並且液體巾的擾流可能產生 不良及不可預知的影響。 所提出的解決方案之—為液體供應系統僅將液體提供至 基板上之局部區域及投影系統之最終元件與基板之間（基 板通常具有大於投影系統之最終元件的表面積）。已提出的 -種配置此解決方案的方法在PCT專利申請案w〇 99/495G4中揭示，其全文以引用的方式倂人本文中。如圖2 及3所示，液體由至少一個入口爪較佳地沿基板相對於該最 終兀件的移動方向供應至基板上，且在於投影系統下通過 之後由至少一個出口 〇υτ移除。意即，隨著基板在元件下 面以-X方向被掃描時，液體在該元件的+χ側供應且在一 χ 側被吸收。圖2示意展示該配置，其中，液體經由入口以供 應且在该元件的另一側由一出口 〇υτ吸收，該出口 〇υτ連 接至一低壓力源。在圖2的說明中，該液體沿該基板相對於 該最終兀件的移動方向供應，但並非必須如此。位於該最 終元件周圍之入口與出口的各種定向及數目都是可能的， 圖3說明一個實例，其中在最終元件周圍以一規則樣式提供 104608.doc 1303357 四組處於兩側之入口同出口。 【發明内容】 舉例而言，使所投射之光束在照到基板時之角度能夠有 較大自由將係有益的。 根據本發明之-態樣’提供—種微影投影裝置，盆妳配 置以將-經圖案化之輻射光束自一圖案化器件投射至一基 板，該裝置包含： 一投影系統，其經組態以將經圖案化之輻射光束投射至 基板，該投影系統包含—與該基板相鄰之最終元件，該最 終7L件經組態以穿過一液體將該經圖案化之輕射光束聚焦 至該基板上；及 -液體供應系統，其經組態以將一液體供應至該最終元 件與該基板之間之空問，^P、、右挪g 士 t 工间，忒液體具有一大於該最終元件之 折射率的折射率。 【實施方式】 圖1示意描繪了-種根據本發明之一實施例之微影裝 置。該裝置包含·· 一照明系統（照明器）IL，其經組態以調節一輕射光束PB (例如，UV輻射或DUV輻射）； -支樓結構(例如光罩台)MT，其經建構以支撐一圖宰化 时（例如，—光罩_且連接至一第-定位器PM，該第— 定位器經組態以根據某些參數精確定位該圖案化器件； 基板口（例如，一晶圓臺）WT，其經建構以固持一基板 (例如，-塗有抗餘劑之晶圓）〜且連接至一第二定位器 104608.doc 1303357 PW…二…經組態以根據某些參數精確定位該基 板；及 一投影系統（例如’―折射投影透鏡系統）PL，其經組態 以將-由圖案化器件MA給予輕射光束叩之圖案投射至該 基板W之-目標部分c (例如，包含—或多個晶粒）上。 該照明系統可包括各種類型之用於導向、成形或控制輻 射的光學組件，諸如折射、反射、磁、電磁、靜電或其它 類型的光學組件，或其任何組合。 支撑結構起支撐作用，意即，承載圖案化器件之重量。 其以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其它條件(例 如是否將該圖案化器件固持在一真空環境中）而定之方式 口持圖案化為件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或1 =甜Γ來固持圖案化器件。支禮結構可能（例如）係一框 木或一口，其視需要可為固定的或可移 確保圖案化器件處於所期望之·心支撐、，、。構可 署。“ 士… 斤』望之（例如）相對於投影系統之位 置本文中術語”主光罩”式” 次先罩之任何使用可認為與較為 一般之術語”圖案化器件"同義。 早乂為 本文所用之術語”圖案化器件"應廣泛地理解為 可用以在一輕射Μ …曰”可 而在基板之目产邱八… 予李田射先束-圖案，從 心目铩分令產生圖案之器件。 予該輻射光束的圖荦可於不^入Λ Μ思的疋，給 期望的岡安 此不元全地與基板上目標部分中所 /纟圖案對應，例如在圖案包括 徵之情況下。_夢而山认 所明輔助特 正於目標部分中二s ’給予該輻射光束的圖案將對應- 生之益件（諸如一積體電路）的一特定功 104608.doc 1303357 能層。 圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包 括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在 微衫中為吾人所熟知，且包括諸如二進位型、交替相移型 及衰減相移型之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程 式化鏡面陣列之一實例採用小鏡面之矩陣配置，每一鏡面 月b單獨地傾斜以將入射輻射光束以不同之方向反射。該等 經傾斜的㉟面將一圖帛給予由該鏡面陣列反射的輻射光 束。 本文所用之術語"投影系統"應廣泛地理解為涵蓋對所使 用之曝光輻射而言，或者對諸如浸沒液體之使用或真空之 使用之其它因素而言適當的任何類型的投影系統，包括折 =、反射、反射折射混合、磁、電磁以及靜電光學系統或 了任何組合。術語"投料鏡"於本文巾之任何使用可認為 與較為一般之術語”投影系統"同義。 如此處所描繪’該裝置係—透射類型(例如，採用透射光 ° θ m可係―反射類型（例如，採用前文所提及 之類型之可程式化鏡面陣列，或採用一反射光罩)。 微影裴置可為具有兩個 或兩個或兩個以上光罩或兩個以上基板台(及/ 先罩〇)之類型。在此等”多平臺"機器 同時°在：二用額外台’或者可在-或多個台用於曝光之 5 戈多個其它臺上執行預備步驟。 多看圖1 ’照明器IL接收來 例而言，當該源為—準分子h田射細之輕射光束。舉 雷射時，該源及該微影裝置可 104608.doc 1303357 為分離之實體。在此等情況下，不認為該源形成微影裝置 之一部分，且輻射光束借助於光束傳遞系統B]D而自源s〇傳 送至照明器IL，該光束傳遞系統BD包含（例如）合適之導向 鏡及/或光束放大器。在其它情況下，例如當該源為汞燈 時，該源可為該微影裝置之整體部分。源S〇及照明器江， 以及（若需要）光束傳遞系統BD—起可被稱作一輻射系統。 照明器IL可包含一調整器AD以調整輻射光束的角強度 分佈（angular intensity distributi〇n)。一般地，至少可調整 照明1§之一瞳孔平面中強度分佈的外部及/或内部徑向範 圍（通常分別稱為cj-outei^ a_inner)。此外，照明5| 可勺 含各種其它組件，諸如積光器以及聚光器C〇。照明器可用 於調節輻射光束以在其橫截面中具有所期望之均一性及強 度分佈。 輻射光束PB入射至固持在一支撐結構（例如光罩台mt) 上之圖案化器件（例如光罩ΜΑ)上，且由圖案化器件圖案 化。越過光罩ΜΑ之後，輻射光束ΡΒ穿過投影系統pL，其 將該光束聚焦至基板W之目標部分c上。借助於第二定位器 PW及位置感應器IF (例如，干涉器件、線性編碼器或電容 式感應器），基板台WT可被精確地移動，從而（例如）將不同 之目標部分C定位於輻射光束PB之路徑中。同樣，例如在 自一光罩庫機械檢索後或在一掃描期間，第一定位器及 另一位置感應器（其在圖丨中未明確描繪）可用於相對於輻射 光束PB之路徑精確定位光罩MA。一般而言，可借助於形成 第一定位器PM之部分的長衝程模組（粗定位）及短衝程模組 104608.doc -10- 1303357 (精定位）來f現光罩台MT之移動。同樣，可借助於形成第 一疋位盜pw之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基 板台WT之移動。在步進器（而不是掃描儀）之情況下，光罩 台MT可僅連接至一短衝程致動器，或者為固定的。光罩财 及基板W可使用光罩對準標記.⑽及基板對準標記ρι、 P2加以對準。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標 部分’但是其亦可位於目標部分之間之空間中(此等被稱為 • 切割道（SCribe_lane)對準標記）。同樣，在於光罩MA上提供 -個以上晶粒之情況下，光罩對準標記可位於晶粒之間。 所描繪之裝置可用於以下模式中至少一者中·· 1·在步進模式中’光罩台Μτ及基板台资保持大體上靜 止’同時將給予輻射光束之整個圖案—次投射至一目標部 分c上（即單一靜態曝光）。接著在乂及/或¥方向中移絲板 台wt，從而可曝光一不同的目標部分c。在步進模式下， 曝光區之最大尺寸限制單次靜態曝光中成像之目標部分c I 的尺寸。 2.在掃描模式中，光罩台游及基板台资被同時掃描，同 時將:給予輻射光束之一圖案投射至目標部分c (意即一單 一動態曝光）。基板台WT相對於光罩台河丁之速度與方向可 由投影系統PL之放大（縮小）率及圖像反轉特徵而定。在掃 描模式下’曝光區之最大尺寸限制單次動態曝光中目標部 分^寬度（非掃描方向），而掃描運動之長度決定該目標^ 之高度（掃描方向）。 刀 3.在另-模式中，光罩台奶保持大體靜止而固持—可程 104608.doc 1303357 式化圖案化器件，且基板台WT被移動或掃描，同時將一 予輻射光束之圖案投射至目標部分在此模式下，通； 採用一脈衝輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或=1 描期間的連續脈衝之間，視需要更新該可程式化圖案化： 件。此運作模式可容易地應用至利用可程式化圖案化器: (諸如前文所提及類型之可程式化鏡面陣列）之無光罩微马 術中。 '衫 亦可採用上述之使用模式的組合及/或變化，或者採用完 全不同之使用模式。 & 圖4展示具有區域化之液體供應系統的另一浸潤式微影 術解決方案。液體由在投影系統PL兩侧之兩個凹槽入口二 供應，且由徑向配置於入口 ^外的複數個離散的出口 〇υτ 移除。入口 IN及OUT可配置於一中心有孔的板上，投影光 束穿過該孔投射。液體由投影系統PL一側的一個凹槽入口 IN供應，且由投影系統pL另一側之複數個離散的出口 out 移除，從而在投影系統PL與基板冒之間造成一液體薄膜之 流動。使用入口 IN及出口 OUT之哪一組合的選擇可視基板 w移動之方向而定（另一入口 IN及出口 〇u 丁之組合處於非作 用中之狀態）。 已提出之另一具有區域化之液體供應系統解決方案的浸 潤式微影術解決方案係將一密封構件提供至液體供應系 統’該密封構件沿投影系統之最終元件與基板台之間之空 間的邊界的至少一部分延伸。該密封構件在χγ平面上相對 於投影系統大體上靜止，儘管在Z方向（在光軸之方向）上可 104608.doc •12- 1303357 能存=某些相對運動。在該密封構件與基板之表面之間形 成⑴封在貫知例中，該密封係一諸如氣體密封之非 接觸在封。3亥種具有—氣體密封之系統在美國專利申請案 第us 10/705,783號中揭示，其全文以引用的方式併^本 文’且該糸統於圖5中展示。 參看圖5’儲㈣1G在投影系統之成像區周圍形成對基板 之非接觸密封，從而約束液體以填充基板表面與投影系統 # 之最終元件之間的空間。儲集器由位於投影系統p l之最終 元件以下且環繞該最終元件之密封構件12形成。液體經由 位於投影系統以下且位於密封構件12内的入口 入口）13進人該空間。密封構件！ 2稍微延伸至投影系統之最 _ 、終元件之上且液位升高至該最終元件之上以提供液體形成 之緩衝物。密封構件丨2有一内周邊，其上端緊密符合投影 系統之臺階或其最終元件，且可為（例如）圓形。在下部，該 内周邊緊密符合成像區之形狀，例如矩形，儘管並非必須 B 如此。 液體由位於密封構件12之底部與基板曹之表面之間的氣 體密封16約束。氣體密封由氣體形成，例如，空氣、合= 空氣、A或惰性氣體，其在壓力下經由入口15提供至密封 構件i 2與基板W之間的空隙，且經由出口 14被提取。氣體 入口 15上之超塵、出口 14上之真空等級以及空隙之幾何形 狀經配置以使得存在一約束液體之向内的高速氣流。" 圖2至圖5展示浸潤式系統，其中一液體被供應進入該裴 置之一侧且自該裝置之另一側流出。 1 104608.doc -13· 1303357 、轉至圖6,投影系統PL包含一最終元件2〇。該元件最普遍 為球面透鏡’但其亦可為諸如繞射或折射元件的另一元 件忒最終凡件亦可為球面、繞射或折射透鏡之一組合， 或者與諸如透明板（例如，為保護該球面、繞射或折射元件） 另 Jill 谢 一光學元件組合之元件。液體丨丨被供應於該最終元件 20與基板W之間。圖6展示用於微影裝置中之一實例最終元 件 2〇。其係一平凸透鏡（planar c〇nvex lens)。 在基板與投影系統之最末透鏡之間的空間係由液體填充 的反潤式微影術中，該透鏡之數值孔徑（NA)係視該透鏡之 折射率而定（即使液體的折射率大於該透鏡的折射率）以防 止所杈射之光束在其至基板的路徑上自透鏡傳送至液體時 的全内反射。 具體言之，對於所有光學光線而言，存在吾人已知為正 弦條件之條件： η抗姑劑sin0抗蚀劑=n液效sin0液效=n透鏡sin0透銳 (i) 其中，n=折射率。 換a之，為了使光學光線不受影響地穿過最終元件（或者 在此情況下為透鏡）、液體及抗蝕劑，該公式需要被平衡。 sin 0簽數係關於光軸。此意謂元件（或者在此情況下為透 鏡）材料、抗蝕劑或液體之最小的折射率限制該數值孔徑 (NA)，因為： NA=n透銳sin 0透鏡 (2) 若使用折射率大於元件（或者在此情況下為透鏡）材料之 折射率（例如1.56，其為193奈米處熔凝矽石之折射率）的抗 104608.doc -14- 1303357 蝕劑及液體，則在透鏡邊界處不能滿足該正弦條件且發生 王内反射，如圖6所示。解決這個問題的一個方法是以一種 折射率大於所期望之液體的材料來製造元件（透鏡）。參看圖 在解決此問題的另一方案中，藉由使用一彎曲透鏡元件 21而使70件-液體邊界之表面上的法線傾斜。這使得數值孔 !不受材料之折射率限制，而受該表面之曲率限制。因此， ;處疋所技射的光束能夠安全地穿過透鏡以及液體到 • 達基板之角度不再如此有限。 、換S之，因為升高折射率（n透銳）非常困難，所以為了使公 式（1)平衡必須調整sin 0透銳。 將元件-液體邊界傾斜係藉由使用具有一凸面及一凹面 -之透鏡達成，該凸面朝向入射之經圖案化的投射光束，且 .該凹面朝向該經圖案化之投射光束的傳播方向。此可為（例 )f月形凸透鏡，其在其相對之兩侧皆有正曲率半徑。" 正曲率半徑意謂若光束自左方向進入，則透鏡面將向該左 • 方向凸出。 若兩面皆具有正曲率半徑，則該透鏡在左侧將為凸起的 且在右侧將為凹陷的。參看圖7，光束自頁面的頂部射入， 且因此透鏡朝向頁面的頂部凸起。 只要透鏡能夠將光束聚焦至基板，亦可能使用具有至少 一負曲率半徑之透鏡。 能夠使用具有盡可能高且因此高於最終元件之折射率的 液體的益處為基板上之圖案影像的解析度得以改良。 本發明之另一實施例可具有一透鏡21，其中，曲率可經 104608.doc -15 - 1303357 調整以補償具有不同折射率之液體的引入。舉例而言，可 存在一組可互換的透鏡。舉例而言，可使用一透鏡交換器 (如此項技術中熟知的）來將適當的透鏡替代進去及替代出 來0 在歐洲專利申請案第03257072.3號中，揭示了一種對平 臺或雙平臺浸潤式微影裝置的理念。該裝置提供有兩個台 以支撐一基板。水平量測係經由一台在無浸沒液體的情況

下於一第一位置執行，且曝光係經由一台在有浸沒液體存 在的情況下於一第二位置執行。或者，該裝置僅具有一個 台0 儘管本文中可做出對IC製造中微影裝置之使用的特定參 考，但應瞭解本文所述之微影裝置可具有其它應用，諸如 整合式光學系統之製造、磁域記憶體之導引及偵測圖案、 平板顯不器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項 技術者將瞭解，在此等替代應用之情形中，可認為本文中 術語”晶圓”或，，晶粒"之任何使用分別與較為一般之術語"基 板或目私部分”同義。本文所提及之基板可於曝光之前或 之後在（例如）一執道（一種通常將一層抗蝕劑塗覆至基板 並顯影已曝光之抗㈣!的玉具）、—度量工具及/或—檢測工 具中加以處理。在適用之情況下’可將本文之揭示内容應 用；此等及其匕基板處理工具。另外，為（例如）產生一多層 1C’ 該基板處理m，因此本文利之術語基板 亦可指已含有多個經處理層之一基板。 本文所用 術°σ輪射及’’光束”涵蓋所有類型 之電磁輻 104608.doc •16· 1303357 射，包括紫外線（uv)輻射（例如具有為或大約為365、、 193、157或126奈米之波長）。 當情形允許時，術語"透鏡，，可指各種類型之光學組件中 之任一種或其組合，包括折射及反射光學組件。 雖然已在上文描述了本發明之特定實施例，但是吾人將 瞭解本發明可以與所述不同之方式加以實行。舉例而言， 本發明之一實施例可採取一電腦程式之形式，其含有描述 • 上文所揭示之方法的一或多個機器可讀指令序列，或者採 取一資料儲存媒體（例如半導體記憶體、磁碟或光碟）之形 式，其内儲存此種電腦程式。 本發明之實施例可應用於任何浸潤式微影裝置，詳古之 (但不排他性地），可應用於上面所提及之類型。 上文之描述意在為說明性的，而非限制性的。因此，熟 習此項技術者將瞭解，在不偏離下文所陳述之申請權利範 圍之範疇的情況下，可對如所描述之本發明做出修改。 I 【圖式簡單說明】 ^ 圖1描繪了根據本發明之一實施例之微影裝置； 圖2及圖3描繪了一用於微影投影裝置中之液體供鹿系 統； 圖4描繪了用於微影投影裝置中之另一液體供應系統； 圖5描繪了用於微影投影裝置中之另一液體供應系統； 圖6描繪了一微影投影裝置之投影系統的最終元件，·及 圖7描繪了根據本發明之一實施例之微影投影裝置的投 影系統的最終元件。 104608.doc 17 1303357 【主要元件符號說明】

10 儲集器 11 液體 12 密封構件 13 入口 14 出口 15 入口 16 氣體密封 20 最終元件 21 透鏡 AD 調整器 BD 光束傳遞系統 CO 聚光器 C 目標部分 IF 位置感應器 IL 照明系統/照明器 IN 積光器（圖1) IN 入口（圖2-4) Μι 光罩對準標記 m2 光罩對準標記 MA 圖案化器件/光罩 MT 支撐結構/光罩台 OUT 出口 Pi 基板對準標記 104608.doc -18- 1303357 p2 基板對準標記 PB 輻射光束 PL 投影系統 PM 第一定位器 PW 第二定位器 SO 輻射源 WT 基板台

W 基板

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Claims (1)

1. %年β月β曰修(更)正; I3033S7 - 弟的413342丨號專利申請案 、 中文申請專利範圍替換本(96年6月） 十、申請專利範圍： 1. -種微影投影裝置’其經配置以將—經圖案化之輻射光 束自一圖案化器件投射至一基板，該裳置包含： -投影系統’其經配置以將該經圖案化之輻射光束投 射至該基板上，該投影系統包含—最終元件，其與該基 板相鄰且經配置以穿過一液體將該經圖案化之輕射光束 聚焦至該基板上，其中該最終元件包含一由具有156之折 射率的熔凝矽石製成的正透鏡；及 一液體供應系統，其經配置以將—液體供應至該最終 二件與該基板之間的間，該液體具有—實質上大於 5亥最終元件之一折射率的折射率。 2. 如請求項1之裝置，其中該液體具有一大於1.56之折射率。 3. 如請求項1之裝置，其十該液體包含水。 徊*长項1之裝置’其中該最終元件包含-形狀為具有兩 個相反面的透鏡’該等面係具有相對於一經圖案化之入 射輻射光束而言為正的曲率半徑。 如：求項4之裝置，其中該透鏡為一彎月凸起之形狀。 個才月目^項1之裳置，其中該最終元件包含一形狀為具有兩 面之透鏡，該等面中至少―者具有_相對於一經 β 之入射輪射光束而言為負的曲率半徑。 7·如請求項1之类¥ 之裝置，其中該最終元件之一曲率能被調整以 補核邊液體之_折射率。 8 ·如請求項1之姑 、置’其中該最終元件包含複數個透鏡，每 、鏡皆針對一特定液體之一折射率加以配置。 Α37264 104608 006362985-1 1303357 9· 一種器件製造方法，其包含： 將一液體供應至一投影系統之一最終元件與一基板之 間的空間’該液體具有一實質上大於該最終元件之一 折射率的折射率，該最終元件與該基板相鄰定位且經配 、牙過液體將一經圖案化之輻射光束聚焦至該基板 上八中該最終元件包含一由具有1.5 6之折射率的熔凝矽 石製成的正透鏡；及 # 使用该最終元件，穿過該液體將一經圖案化之輻射光 束投射至該基板上。 •如口月求項9之方法，其中該液體具有_大於156之折射率。 11 ·如印求項9之方法，其中該液體包含水。 、U·如晴求項9之方法，其中該最終元件包含—形狀為具有兩 • 個相反面之透鏡，該等面係具有相對於一經圖案化之入 射輪射光束而言為正的曲率半徑。 η·如凊求項12之方法，其中該透鏡為一彎月凸起形狀。 • 14·如請求項9之方法，其中該最終元件包含-形狀為有兩個 相反面之透鏡，該等面中至少一者具有一相對於一經圖 案化之入射輻射光束而言為負的曲率半徑。 5·如叫求項9之方法’其包含調整該最終元件之—曲率以 償該液體之一折射率。 6·如叫求項9之方法，其中調整該最終元件包含替代進及/ ^替，出複數個透鏡中之—或多個透鏡，該複數個透鏡 之每一透鏡皆針對-特定液體之一折射率加以配置。 1〇46〇8 0〇63β2985- -2 - 1303357十一、圖式： 第094133421號專利申請案 中文圖式替換頁(95年5月）

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