TWI395515B - 具電壓偵測之開關控制電路與相關閃光燈充電器 - Google Patents

Description

具電壓偵測之開關控制電路與相關閃光燈充電器

本發明係有關一種閃光燈充電器(photo-flash capacitor charger)，更明確地說，係一種具電壓偵測之閃光燈充電器。

請參考第1圖。第1圖係為一先前技術之閃光燈充電器100之示意圖。如第1圖所示，閃光燈充電器100包含一變壓器110、一開關控制電路120、一比較器CMP₁ 、二回授電阻R_FB1 、R_FB2 、一二極體D₁ 、一電晶體M₁ ，以及一輸出電容C_OUT 。閃光燈充電器100係用來將一輸入電壓源V_DD 之電壓V_DD 升壓，以產生輸出電壓源V_OUT (其輸出電壓為V_OUT )，而輸出電壓V_OUT 便可用來提供一閃光燈所需的電壓以讓該閃光燈發出閃光。

一般來說，輸出電壓V_OUT 約為300伏特才可讓該閃光燈發出閃光。而由於一般電壓源V_DD ，係由一電池所提供，其電壓V_DD 約為5伏特，因此需要閃光燈充電器100將電壓V_DD 從5伏特提升至300伏特，才可讓閃光燈發出閃光。另外，電壓源V_SS 可為一地端。

變壓器110包含初級繞組111與次級繞組112。初級繞組111耦接於電壓源V_DD 與電晶體M₁ 之間；次級繞組112耦接於輸出電壓源V_OUT 與電壓源V_SS 之間。更明確地說，次級繞組112透過二 極體D₁ ，連接至輸出電壓源V_OUT 。

電晶體M₁ 可為一N通道金氧半導體(N channel Metal Oxide Semiconductor, NMOS)電晶體，耦接於初級繞組111與電壓源V_SS (地端)之間。當電晶體M₁ 導通時，初級繞組111透過電晶體M₁ 連接至電壓源V_SS (地端)，而使得電壓源V_DD 可對初級繞組111進行充電而產生電流I；當電晶體M₁ 關閉時，初級繞組111所累積的電流I便開始對次級繞組112放電，以透過二極體D₁ 對輸出電容進行充電。以這樣持續充電放電的行為，來讓輸出電壓V_OUT 逐漸提升至所需的電壓(如300伏特)。

回授電阻R_FB1 、R_FB2 耦接於二極體D₁ 與電壓源V_SS 之間，用來提供輸出電壓V_OUT 的分壓(回授電壓)V_FB 。

比較器CMP₁ 用來比較一參考電壓V_REF 以及回授電壓V_FB ，以據以產生一開關致能訊號S_EN 。更明確地說，當回授電壓V_FB 低於參考電壓V_REF 時，比較器CMP₁ 產生表示「致能」的開關致能訊號S_EN ；當回授電壓V_FB 高於參考電壓V_REF 時，比較器CMP₁ 產生表示「停止致能」的開關致能訊號S_EN 。

開關控制電路120耦接於電晶體M₁ 之汲極、電晶體M₁ 之閘極，以及比較器CMP₁ 之輸出端。開關控制電路120透過電晶體M₁ 之汲極，來接收開關電壓V_SW ；開關控制電路120透過比較器 CMP₁ ，來接收開關致能訊號S_EN 。開關控制電路120根據開關電壓V_SW 以及開關致能訊號S_EN ，來產生開關控制訊號S_SW 。更明確地說，當開關致能訊號S_EN 表示「致能」時，開關控制電路120根據開關電壓V_SW ，來產生開關控制訊號S_SW ；當開關致能訊號S_EN 表示「不致能」時，開關控制電路120不產生開關控制訊號S_SW 而讓電晶體M₁ 持續維持關閉狀態，意即初級繞組111無法再被充電。

而由於初級繞組111在充電後開始放電的瞬間，開關電壓V_SW 會被提升至相當高的電位。因此，開關控制電路120中所使用的元件皆需要能夠承受高壓，以致於開關控制電路120在這樣的情況下，需使用耐高壓的元件，而使得成本提高，造成使用者的不便。

本發明係提供一種具電壓偵測之開關控制電路。該開關控制電路耦接於一第一電晶體之一控制端。該第一電晶體包含一第一端、一第二端以及該控制端。該第一電晶體之該第一端耦接於一變壓器之一初級繞組之一第一端。該第一電晶體之該第二端耦接於一第一電壓源。該變壓器之該初級繞組之該第二端耦接於一第二電壓源。該開關控制電路包含一電壓箝制緩衝電路，耦接於該第一電晶體之該第一端，用來接收一開關電壓並降低該開關電壓以產生一降壓開關電壓；一設定驅動電路，耦接於該電壓箝制緩 衝電路，用來接收該降壓開關電壓並據以產生一設定訊號；一重置驅動電路，耦接於該電壓箝制緩衝電路，用來接收該降壓開關電壓並據以產生一重置訊號；一重置主導栓鎖器，包含一設定端，耦接於該設定驅動電路，用來接收該設定訊號；一重置端，耦接於該重置驅動電路，用來接收該重置訊號；一輸出端，耦接於該第一電晶體之該控制端，用來輸出一開關控制訊號以控制該第一電晶體是否導通；以及一反相輸出端，用來輸出一反相開關控制訊號；其中該開關控制訊號與該反相開關控制訊號係互為反相；其中當該設定訊號為一第一預定邏輯時，該開關控制訊號為該第一預定邏輯；其中當該重置訊號為該第一預定邏輯時，該開關控制訊號為一第二預定邏輯；其中當該設定訊號與該重置訊號同為該第一預定邏輯時，該開關控制訊號為該第二預定邏輯；其中當該開關控制訊號為該第一預定邏輯時，該第一電晶體導通以將該初級繞組耦接至該第一電壓源；其中當該開關控制訊號為該第二預定邏輯時，該第一電晶體不導通。

本發明另提供一種具電壓偵測之閃光燈充電器。該閃光燈充電器包含一變壓器，包含一初級繞組，包含一第一端；以及一第二端，耦接於一第二電壓源；以及一次級繞組，包含一第一端；以及一第二端，耦接於一第一電壓源；一二極體，耦接於該次級繞組之該第一端，用來輸出一輸出電壓；一第一電晶體，包含一第一端，耦接於該初級繞組之該第一端；一第二端，耦接於該第一電壓源；以及一控制端，用來接收一開關控制訊號；以及一開關 控制電路，包含一電壓箝制緩衝電路，耦接於該第一電晶體之該第一端，用來接收一開關電壓並降低該開關電壓以產生一降壓開關電壓；一設定驅動電路，耦接於該電壓箝制緩衝電路，用來接收該降壓開關電壓並據以產生一設定訊號；一重置驅動電路，耦接於該電壓箝制緩衝電路，用來接收該降壓開關電壓並據以產生一重置訊號；一重置主導栓鎖器，包含一設定端，耦接於該設定驅動電路，用來接收該設定訊號；一重置端，耦接於該重置驅動電路，用來接收該重置訊號；一輸出端，耦接於該第一電晶體之該控制端，用來輸出該開關控制訊號以控制該第一電晶體是否導通；以及一反相輸出端，用來輸出一反相開關控制訊號；其中該開關控制訊號與該反相開關控制訊號係互為反相；其中當該設定訊號為一第一預定邏輯時，該開關控制訊號為該第一預定邏輯；其中當該重置訊號為該第一預定邏輯時，該開關控制訊號為一第二預定邏輯；其中當該設定訊號與該重置訊號同為該第一預定邏輯時，該開關控制訊號為該第二預定邏輯；其中當該開關控制訊號為該第一預定邏輯時，該第一電晶體導通以將該初級繞組耦接至該第一電壓源；其中當該開關控制訊號為該第二預定邏輯時，該第一電晶體不導通。

請參考第2圖。第2圖係為本發明之具電壓偵測之閃光燈充電器200之示意圖。如第2圖所示，閃光燈充電器200與先前技術之閃光燈充電器100之結構類似，不同之處在於本發明之閃光燈 充電器200所包含之開關控制電路250與先前技術之開關控制電路120之結構相異，詳細說明如下。

開關控制電路250包含一電壓箝制緩衝電路210、一設定驅動電路220、一重置驅動電路230，以及一重置訊號(R-dominated)主導栓鎖器240。

同樣地，開關控制電路250根據開關電壓V_SW 以及開關致能訊號S_EN ，來產生開關控制訊號S_SW 。更明確地說，當開關致能訊號S_EN 表示「致能」時，開關控制電路250根據開關電壓V_SW ，來產生開關控制訊號S_SW ；當開關致能訊號S_EN 表示「停止致能」時，開關控制電路250不產生開關控制訊號S_SW 而讓電晶體M₁ 持續維持關閉狀態，意即初級繞組111無法再被充電。此外，開關控制訊號S_SW 係為一個週期訊號。

電壓箝制緩衝電路210包含一NMOS電晶體M₂ 以及一電阻R₁ 。電晶體M₂ 係為一耐高壓元件。

電晶體M₂ 之閘極耦接於電壓源V_DD ，用來接收電壓V_DD ；電晶體M₂ 之汲極耦接於電晶體M₁ 之汲極(初級繞組111)，用來接收開關電壓V_SW ；電晶體M₂ 之源極耦接於電阻R₁ ，用來輸出一降壓開關電壓V_SWK 。

由於電晶體M₂ 之閘極接收電壓V_DD 之緣故，因此降壓開關電壓V_SWK 之電壓準位最高會被箝制在(V_DD -V_GS2 )的電壓準位，而不會如同開關電壓V_SW 會被提升到相當高的電壓準位。其中V_GS2 為電晶體M₂ 的閘極-源極電壓差。因此根據降壓開關電壓V_SWK 之電壓準位來進行後續動作的元件，便不需要相當高的耐壓，而能夠節省成本。

設定驅動電路220包含一波形修整電路221以及一準位判斷電路222。

準位判斷電路222係用來判斷降壓開關電壓V_SWK 之電壓準位。當降壓開關電壓V_SWK 低於一預定電壓V_P 時，準位判斷電路222產生一高準位之電壓(邏輯為「1」)以作為設定訊號S_S ；反之，當降壓開關電壓V_SWK 高於該預定電壓V_P 時。準位判斷電路222產生一低準位之電壓(邏輯為「0」)以作為該設定訊號S_S 。

準位判斷電路222包含一電阻R₂ 以及二NMOS電晶體M₃ 與M₄ 。而該預定電壓V_P 即為該二電晶體M₃ 與M₄ 之臨界電壓，意即V_P =V_TH ；其中V_TH 表示電晶體M₃ 與M₄ 之臨界電壓。此外，準位判斷電路222亦可以一電阻與一NMOS電晶體來實現。於本實施例中，利用兩個串接的NMOS電晶體之目的係在於能夠降低本體效應而等效上能提高臨界電壓。

當降壓開關電壓V_SWK 低於預定電壓V_P 時，電晶體M₃ 與M₄ 皆不導通，因此準位判斷電路222利用電壓源V_DD ，透過電阻R₂ ，輸出高準位電壓之設定訊號S_S 。

反之，當降壓開關電壓V_SWK 高於預定電壓V_P 時，電晶體M₃ 與M₄ 皆導通，因此準位判斷電路222利用導通的電晶體M₃ 與M₄ ，連接至電壓源V_SS ，以輸出低準位電壓之設定訊號S_S 。

然而，於準位判斷電路222設置NMOS電晶體的目的僅在於利用NMOS電晶體的臨界電壓來判斷降壓開關電壓V_SWK 的電壓準位。雖然於準位判斷電路222，於本發明之實施例中係利用二NMOS電晶體來實現，而實際上NMOS電晶體的數目並非僅限於二，可以為一或者為大於二的複數。

波形修整電路221用來將準位判斷電路222所輸出之設定訊號S_S 的波形修整為更趨近於方波的波形，以防止設定訊號S_S 會有落在高電壓準位與低電壓準位之間的情況(意即非邏輯「1」、亦非邏輯「0」)，也就是說，能夠防止根據設定訊號S_S 產生後續動作的重置主導栓鎖器240產生誤動作的情況。如第2圖所示，波形修整電路221可由二個串聯的反相器來實現。

重置主導栓鎖器240包含一設定端S、一重置端R、一輸出端Q，以及一反相輸出端Q_b 。

重置主導栓鎖器240之設定端S耦接於設定驅動電路220，用來接收設定訊號S_S ；重置主導栓鎖器240之重置端R耦接於重置驅動電路230，用來接收重置訊號S_R ；重置主導栓鎖器240之輸出端Q耦接於電晶體M₁ 之閘極，用來根據設定訊號S_S 與重置訊號S_R ，產生開關控制訊號S_SW ，以控制電晶體M₁ 之導通與否；重置主導栓鎖器240之反相輸出端Q_b 則輸出與開關控制訊號反相的反相開關控制訊號S_SWI 。

當重置主導栓鎖器240接收到邏輯為「1」的設定訊號S_S 時，重置主導栓鎖器240會於其輸出端Q輸出高電壓準位(邏輯「1」)的開關控制訊號S_SW 、於其反相輸出端Q_b 輸出低電壓準位(邏輯「0」)的反相開關控制訊號S_SWI 。

當重置主導栓鎖器240接收到邏輯為「1」的重置訊號S_R 時，重置主導栓鎖器240會於其輸出端Q輸出低電壓準位(邏輯「0」)的開關控制訊號S_SW 、於其反相輸出端Q_b 輸出高電壓準位(邏輯「1」)的反相開關控制訊號S_SWI 。

當重置主導栓鎖器240同時接收到邏輯為「1」的設定訊號S_S 與重置訊號S_R 時，重置主導栓鎖器240會於其輸出端Q輸出低電壓準位(邏輯「0」)的開關控制訊號S_SW 、於其反相輸出端Q_b 輸出高電壓準位(邏輯「1」)的反相開關控制訊號S_SWI 。

重置驅動電路230包含一比較器CMP₂ ，以及二開關SW₁ 與SW₂ 。

開關SW₁ 之第一端1耦接於電壓箝制緩衝電路210，用來接收降壓開關電壓V_SWK ；開關SW₁ 之第二端2耦接於比較器CMP₂ 之正輸入端；開關SW₁ 之控制端C耦接於重置主導栓鎖器240之輸出端Q，用來接收開關控制訊號S_SW 。

當開關控制訊號S_SW 為邏輯「1」時，開關SW₁ 之第一端1耦接於開關SW₁ 之第二端2，如此便可將降壓開關電壓V_SWK 傳送至比較器CMP₂ 之正輸入端。反之，當開關控制訊號S_SW 為邏輯「0」時，開關SW₁ 之第一端1不會耦接於開關SW₁ 之第二端2，如此開關SW₁ 並不會將降壓開關電壓V_SWK 傳送至比較器CMP₃ 之正輸入端。

開關SW₂ 之第一端1耦接於電壓源V_SS (地端)，用來接收電壓V_SS (低電壓準位)；開關SW₂ 之第二端2耦接於比較器CMP₂ 之正輸入端；開關SW₂ 之控制端C耦接於重置主導栓鎖器240之反相輸出端Q_b ，用來接收反相開關控制訊號S_SWI 。

當反相開關控制訊號S_SWI 為邏輯「1」時，開關SW₂ 之第一端1耦接於開關SW₂ 之第二端2，如此便可將電壓V_SS (低電壓準位) 傳送至比較器CMP₂ 之正輸入端。反之，當反相開關控制訊號S_SWI 為邏輯「0」時，開關SW₂ 之第一端1不會耦接於開關SW₂ 之第二端2，如此開關SW₂ 並不會將電壓V_SS 傳送至比較器CMP₂ 之正輸入端。

比較器CMP₂ 之負輸入端用來接收一上限電壓V_LIMIT 。比較器CMP₂ 比較其正輸入端與其負輸入端上之電壓大小，輸出一比較訊號以作為重置訊號S_R 。更明確地說，當比較器CMP₂ 之正輸入端上之電壓大於上限電壓V_LIMIT 時，比較器CMP₂ 便會輸出邏輯「1」的重置訊號S_R 。

總結來說，重置驅動電路230之運作原理如下：當開關控制訊號S_SW 為邏輯「1」時，表示電晶體M₁ 會被導通，電壓源V_DD 開始對初級繞組充電而產生電流I，且電流I的大小會持續上升。由於電晶體M₁ 導通時，等效上來說等於一個電阻R_M1 ，其阻值為電晶體M₁ 的導通電阻(R_{DS_ON} )，因此開關電壓V_SW 亦會隨著電流I上升而上升(V_SW =R_M1 ×I)，也就是說降壓開關電壓V_SWK 同樣會隨著電流I的上升而上升。

然而由於變壓器110之初級繞組111會有電流大小的限制，亦即電流I若無限制的上升的話，會對變壓器110造成損壞。因此，重置驅動電路230便需對電流I予以限制。

而根據前述，電流I的大小正比於降壓開關電壓V_SWK ，因此在當電晶體M₁ 導通時(開關控制訊號S_SW 為邏輯「1」)，開關SW₁ 之第一端1耦接於其第二端2，以將降壓開關電壓V_SWK 傳送至比較器CMP₂ 之正輸入端。於此時，比較器CMP₂ 便可對降壓開關電壓V_SWK 與上限電壓V_LIMIT 作比較。當降壓開關電壓V_SWK 大於上限電壓V_LIMIT 時，表示此時初級繞組111上所流通的電流I已達上限值，因此需要將電晶體M₁ 關閉，而比較器CMP₂ 便會輸出邏輯「1」的重置訊號S_R 至重置主導栓鎖器240以重置重置主導栓鎖器240(亦即將開關控制訊號S_SW 從邏輯「1」重置為邏輯「0」)。如此方可關閉電晶體M₁ 以避免電流過大造成初級繞組111的損壞。

反之，當電晶體M₁ 關閉時(反相開關控制訊號S_SWI 為邏輯「1」)，開關SW₂ 之第一端1耦接於其第二端2，以將低電壓準位的電壓V_SS 傳送至比較器CMP₃ 之正輸入端。由於電壓V_SS 低於上限電壓V_LIMIT ，因此此時的比較器CMP₂ 所輸出的重置訊號S_R 便會一直維持在邏輯「0」，而不會重置重置主導栓鎖器240。

請參考第3圖。第3圖係為本發明之具電壓偵測之閃光燈充電器200之開關控制電路250內部訊號運作之時序圖。如第3圖所示，其中電壓V₁ 表示上限電壓V_LIMIT 、電壓V₂ 表示電晶體M₃ 與M₄ 的臨界電壓V_TH 、電壓V₃ 表示(V_DD -V_GS2 )。從第3圖可看出，當降壓開關電壓V_SWK 到達上限電壓V_LIMIT 時，重置訊號S_R 會被 觸發為邏輯「1」而重置重置主導栓鎖器240，使得開關控制訊號S_SW 轉變為邏輯「0」以關閉電晶體M₁ ，因此此時開關電壓V_SW 會驟升。同樣地，降壓開關電壓V_SWK 亦會驟升，然而由於電壓箝制緩衝電路210的關係，電壓V_SWK 僅會上升至(V_DD -V_GS2 )而不會像開關電壓V_SW 上升至那麼高的程度。而當電晶體M₁ 關閉後，初級繞組111開始放電，其電流I亦逐漸下降，也就是說開關電壓V_SW 與降壓開關電壓V_SWK 亦會逐漸下降。當降壓開關電壓V_SWK 下降至低於電壓V₂ 時，表示準位判斷電路222的電晶體M₃ 與M₄ 被關閉，而設定訊號S_S 會被提升至邏輯「1」，並傳送置重置主導栓鎖器240，以將開關控制訊號S_SW 從邏輯「0」轉變為邏輯「1」，而使得電晶體M₁ 再次被導通，亦即初級繞組111再度開始充電。如此的循環，便可將輸出電壓V_OUT 逐漸提升至所需的電位(如300伏特)。而當輸出電壓已達所需的電位時，比較器CMP₁ 便會輸出「停止致能」的開關致能訊號S_EN 至開關控制電路250，以將開關控制電路250關閉運作。

綜上所述，利用本發明所提供的開關控制電路與閃光燈充電器，能夠有效地偵測電壓以防止變壓器的繞組損壞，並且能夠有效地降低內部元件所需的耐壓而降低成本，提供使用者更大的便利性。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

100、200‧‧‧閃光燈充電器

110‧‧‧變壓器

111‧‧‧初級繞組

112‧‧‧次級繞組

120、250‧‧‧開關控制電路

210‧‧‧電壓箝制緩衝電路

220‧‧‧設定驅動電路

230‧‧‧重置驅動電路

240‧‧‧重置主導栓鎖器

221‧‧‧波形修整電路

222‧‧‧準位判斷電路

V_DD 、V_SS 、V_OUT ‧‧‧電壓源

M₁ 、M₂ 、M₃ 、M₄ ‧‧‧電晶體

D₁ ‧‧‧二極體

C_OUT ‧‧‧輸出電容

R_FB1 、R_FB2 、R_M1 、R₁ 、R₂ ‧‧‧電阻

CMP₁ 、CMP₂ ‧‧‧比較器

S_SW ‧‧‧開關控制訊號

S_EN ‧‧‧開關致能訊號

V_REF ‧‧‧參考電壓

V_FB ‧‧‧回授電壓

V_SW ‧‧‧開關電壓

V_SWK ‧‧‧降壓開關電壓

SW₁ 、SW₂ ‧‧‧開關

V_LIMIT ‧‧‧上限電壓

V₁ 、V₂ 、V₃ ‧‧‧電壓

S_SWI ‧‧‧反相開關控制訊號

S_S ‧‧‧設定訊號

S_R ‧‧‧重置訊號

第1圖係為一先前技術之閃光燈充電器之示意圖。

第2圖係為本發明之具電壓偵測之閃光燈充電器之示意圖。

第3圖係為本發明之具電壓偵測之閃光燈充電器之開關控制電路內部訊號運作之時序圖。

200‧‧‧閃光燈充電器

110‧‧‧變壓器

111‧‧‧初級繞組

112‧‧‧次級繞組

250‧‧‧開關控制電路

210‧‧‧電壓箝制緩衝電路

220‧‧‧設定驅動電路

230‧‧‧重置驅動電路

240‧‧‧重置主導栓鎖器

221‧‧‧波形修整電路

222‧‧‧準位判斷電路

V_DD 、V_SS 、V_OUT ‧‧‧電壓源

M₁ 、M₂ 、M₃ 、M₄ ‧‧‧電晶體

D₁ ‧‧‧二極體

C_OUT ‧‧‧輸出電容

R_FB1 、R_FB2 、R_M1、 R₁ 、R₂ ‧‧‧電阻

CMP₁ 、CMP₂ ‧‧‧比較器

S_SW ‧‧‧開關控制訊號

S_EN ‧‧‧開關致能訊號

V_REF ‧‧‧參考電壓

V_FB ‧‧‧回授電壓

V_SW ‧‧‧開關電壓

V_SWK ‧‧‧降壓開關電壓

SW₁ 、SW₂ ‧‧‧開關

V_LIMIT ‧‧‧上限電壓

S_SWI ‧‧‧反相開關控制訊號

S_S ‧‧‧設定訊號

S_R ‧‧‧重置訊號

Claims (21)

1. 一種具電壓偵測之開關控制電路，該開關控制電路耦接於一第一電晶體之一控制端，該第一電晶體包含一第一端、一第二端以及該控制端，該第一電晶體之該第一端耦接於一變壓器之一初級繞組之一第一端，該第一電晶體之該第二端耦接於一第一電壓源，該變壓器之該初級繞組之該第二端耦接於一第二電壓源，該開關控制電路包含：一電壓箝制緩衝電路，耦接於該第一電晶體之該第一端，用來接收一開關電壓並降低該開關電壓以產生一降壓開關電壓；一設定驅動電路，耦接於該電壓箝制緩衝電路，用來接收該降壓開關電壓並據以產生一設定訊號；一重置驅動電路，耦接於該電壓箝制緩衝電路，用來接收該降壓開關電壓並據以產生一重置訊號；一重置主導栓鎖器，包含：一設定端，耦接於該設定驅動電路，用來接收該設定訊號；一重置端，耦接於該重置驅動電路，用來接收該重置訊號；一輸出端，耦接於該第一電晶體之該控制端，用來輸出一開關控制訊號以控制該第一電晶體是否導通；以及一反相輸出端，用來輸出一反相開關控制訊號； 其中該開關控制訊號與該反相開關控制訊號係互為反相；其中當該設定訊號為一第一預定邏輯時，該開關控制訊號為該第一預定邏輯；其中當該重置訊號為該第一預定邏輯時，該開關控制訊號為一第二預定邏輯；其中當該設定訊號與該重置訊號同為該第一預定邏輯時，該開關控制訊號為該第二預定邏輯；其中當該開關控制訊號為該第一預定邏輯時，該第一電晶體導通以將該初級繞組耦接至該第一電壓源；其中當該開關控制訊號為該第二預定邏輯時，該第一電晶體不導通。
2. 如請求項1所述之開關控制電路，其中該第一電壓源係為一地端。
3. 如請求項2所述之開關控制電路，其中該電壓箝制緩衝電路包含：一第二電晶體，包含：一第一端，耦接於該第一電晶體之該第一端；一第二端，用來輸出該降壓開關電壓；以及一控制端，耦接於該第二電壓源；以及一第一電阻，耦接於該第二電晶體之該第二端以及該第一電 壓源之間。
4. 如請求項3所述之開關控制電路，其中該第一、該第二電晶體係為N通道金氧半導體(N channel Metal Oxide Semiconductor,NMOS)電晶體。
5. 如請求項4所述之開關控制電路，其中該設定驅動電路包含：一準位判斷電路，耦接於該第二電晶體之該第二端，用來接收該降壓開關電壓，並根據該降壓開關電壓之電壓準位產生該設定訊號。
6. 如請求項5所述之開關控制電路，其中該準位判斷電路包含：一第三電晶體，包含：一第一端，耦接於該第一電壓源；一控制端，耦接於該第二電晶體之該第二端，用來接收該降壓開關電壓；以及一第二端；其中當該降壓開關電壓之電壓準位大於該第三電晶體之臨界電壓時，該第三電晶體之該第一端耦接至該第三電晶體之該第二端；以及一電阻，包含：一第一端，耦接於該第二電壓源；以及一第二端，耦接於該第三電晶體之該第二端，用來輸出 該設定訊號。
7. 如請求項6所述之開關控制電路，其中該第三電晶體系為NMOS電晶體。
8. 如請求項6所述之開關控制電路，其中該設定驅動電路另包含：一波形修整電路，耦接於該電阻之該第二端以及該重置主導栓鎖器之該設定端之間，用來將該設定訊號之波形修整。
9. 如請求項7所述之開關控制電路，其中該波形修整電路包含：一第一反相器，包含：一輸入端，耦接於該電阻之該第二端；以及一輸出端；其中該第一反相器透過該第一反相器之該輸出端輸出該第一反相器之該輸入端所接收之訊號的反相訊號；以及一第二反相器，包含：一輸入端，耦接於該第一反相器之該輸出端；以及一輸出端；其中該第二反相器透過該第二反相器之該輸出端輸出該第二反相器之該輸入端所接收之訊號的反相訊 號以作為該設定訊號。
10. 如請求項4所述之開關控制電路，其中該重置驅動電路包含：一第一開關，包含：一第一端，耦接於該第二電晶體之該第二端，用來接收該降壓開關電壓；一第二端；以及一控制端，耦接於該重置主導栓鎖器之該輸出端，用來接收該開關控制訊號；其中當該開關控制訊號為該第一預定邏輯時，該第一開關之該第一端耦接於該第一開關之該第二端；一第二開關，包含：一第一端，耦接於該第一電壓源；一第二端，耦接於該第一開關之該第二端；以及一控制端，耦接於該重置主導栓鎖器之該反相輸出端，用來接收該反相開關控制訊號；其中當該反相開關控制訊號為該第一預定邏輯時，該第二開關之該第一端耦接於該第二開關之該第二端；以及一比較器，包含：一正輸入端，耦接於該第一開關之該第二端；一負輸入端，用來接收一上限電壓；以及一輸出端，耦接於該重置主導栓鎖器之該重置端，用來 輸出該重置訊號；其中當該比較器之該正輸入端所接收之電壓高於該上限電壓，該比較器輸出該第一預定邏輯之該重置訊號。
11. 一種具電壓偵測之閃光燈充電器，包含：一變壓器，包含：一初級繞組，包含：一第一端；以及一第二端，耦接於一第二電壓源；以及一次級繞組，包含：一第一端；以及一第二端，耦接於一第一電壓源；一二極體，耦接於該次級繞組之該第一端，用來輸出一輸出電壓；一第一電晶體，包含：一第一端，耦接於該初級繞組之該第一端；一第二端，耦接於該第一電壓源；以及一控制端，用來接收一開關控制訊號；以及一開關控制電路，包含：一電壓箝制緩衝電路，耦接於該第一電晶體之該第一端，用來接收一開關電壓並降低該開關電壓以產生一降壓開關電壓； 一設定驅動電路，耦接於該電壓箝制緩衝電路，用來接收該降壓開關電壓並據以產生一設定訊號；一重置驅動電路，耦接於該電壓箝制緩衝電路，用來接收該降壓開關電壓並據以產生一重置訊號；一重置主導栓鎖器，包含：一設定端，耦接於該設定驅動電路，用來接收該設定訊號；一重置端，耦接於該重置驅動電路，用來接收該重置訊號；一輸出端，耦接於該第一電晶體之該控制端，用來輸出該開關控制訊號以控制該第一電晶體是否導通；以及一反相輸出端，用來輸出一反相開關控制訊號；其中該開關控制訊號與該反相開關控制訊號係互為反相；其中當該設定訊號為一第一預定邏輯時，該開關控制訊號為該第一預定邏輯；其中當該重置訊號為該第一預定邏輯時，該開關控制訊號為一第二預定邏輯；其中當該設定訊號與該重置訊號同為該第一預定邏輯時，該開關控制訊號為該第二預定邏輯；其中當該開關控制訊號為該第一預定邏輯時，該第一電晶體導通以將該初級繞組耦接至該第一電壓源； 其中當該開關控制訊號為該第二預定邏輯時，該第一電晶體不導通。
12. 如請求項11所述之閃光燈充電器，其中該第一電壓源係為一地端。
13. 如請求項12所述之閃光燈充電器，其中該電壓箝制緩衝電路包含：一第二電晶體，包含：一第一端，耦接於該第一電晶體之該第一端；一第二端，用來輸出該降壓開關電壓；以及一控制端，耦接於該第二電壓源；以及一第一電阻，耦接於該第二電晶體之該第二端以及該第一電壓源之間。
14. 如請求項13所述之閃光燈充電器，其中該第一、該第二電晶體係為NMOS電晶體。
15. 如請求項14所述之閃光燈充電器，其中該設定驅動電路包含：一準位判斷電路，耦接於該第二電晶體之該第二端，用來接收該降壓開關電壓，並根據該降壓開關電壓之電壓準位產生該設定訊號。
16. 如請求項15所述之閃光燈充電器，其中該準位判斷電路包含：一第三電晶體，包含：一第一端，耦接於該第一電壓源；一控制端，耦接於該第二電晶體之該第二端，用來接收該降壓開關電壓；以及一第二端；其中當該降壓開關電壓之電壓準位大於該第三電晶體之臨界電壓時，該第三電晶體之該第一端耦接至該第三電晶體之該第二端；以及一電阻，包含：一第一端，耦接於該第二電壓源；以及一第二端，耦接於該第三電晶體之該第二端，用來輸出該設定訊號。
17. 如請求項16所述之閃光燈充電器，其中該第三電晶體系為NMOS電晶體。
18. 如請求項16所述之閃光燈充電器，其中該設定驅動電路另包含：一波形修整電路，耦接於該電阻之該第二端以及該重置主導栓鎖器之該設定端之間，用來將該設定訊號之波形修 整。
19. 如請求項17所述之閃光燈充電器，其中該波形修整電路包含：一第一反相器，包含：一輸入端，耦接於該電阻之該第二端；以及一輸出端；其中該第一反相器透過該第一反相器之該輸出端輸出該第一反相器之該輸入端所接收之訊號的反相訊號；以及一第二反相器，包含：一輸入端，耦接於該第一反相器之該輸出端；以及一輸出端；其中該第二反相器透過該第二反相器之該輸出端輸出該第二反相器之該輸入端所接收之訊號的反相訊號以作為該設定訊號。
20. 如請求項14所述之閃光燈充電器，其中該重置驅動電路包含：一第一開關，包含：一第一端，耦接於該第二電晶體之該第二端，用來接收該降壓開關電壓；一第二端；以及 一控制端，耦接於該重置主導栓鎖器之該輸出端，用來接收該開關控制訊號；其中當該開關控制訊號為該第一預定邏輯時，該第一開關之該第一端耦接於該第一開關之該第二端；一第二開關，包含：一第一端，耦接於該第一電壓源；一第二端，耦接於該第一開關之該第二端；以及一控制端，耦接於該重置主導栓鎖器之該反相輸出端，用來接收該反相開關控制訊號；其中當該反相開關控制訊號為該第一預定邏輯時，該第二開關之該第一端耦接於該第二開關之該第二端；以及一第一比較器，包含：一正輸入端，耦接於該第一開關之該第二端；一負輸入端，用來接收一上限電壓；以及一輸出端，耦接於該重置主導栓鎖器之該重置端，用來輸出該重置訊號；其中當該第一比較器之該正輸入端所接收之電壓高於該上限電壓，該第一比較器輸出該第一預定邏輯之該重置訊號。
21. 如請求項11所述之閃光燈充電器，另包含：一輸出電容，耦接於該二極體之一負端與該第一電壓源之 間，用來維持該輸出電壓之大小；一第一回授電阻，包含：一第一端，耦接於該二極體之一正端；以及一第二端，用來輸出一回授電壓；一第二回授電阻，包含：一第一端，耦接於該第一回授電阻之該第二端；以及一第二端，耦接於該第一電壓源；以及一第二比較器，包含：一正輸入端，耦接於該第一回授電阻之該第二端，用來接收該回授電壓；一負輸入端，用來接收一參考電壓；以及一輸出端，耦接於該開關控制電路，用來輸出一開關致能訊號；其中當該第二比較器之該正輸入端所接收之電壓高於該參考電壓，該開關致能訊號停止致能該開關控制電路。