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TW475275B - Vertical geometry ingan led - Google Patents

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TW475275B
TW475275B TW088116006A TW88116006A TW475275B TW 475275 B TW475275 B TW 475275B TW 088116006 A TW088116006 A TW 088116006A TW 88116006 A TW88116006 A TW 88116006A TW 475275 B TW475275 B TW 475275B
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gallium nitride
gan
quantum well
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TW088116006A
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Kathleen Marie Doverspike
John Adam Edmond
Hua-Shuang Kong
Heidi Marie Dieringer
David B Slater Jr
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Cree Inc
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Description

475275 五、發明說明（1) 發明範疇 本發明與第三族氮化物（即，元素周期表的第三族）所構 成的發光二極體有關，尤其與混合氮化銦鎵（I nGaN)量子 井作為主動部份，以產生電磁波譜的紅色到紫外線部份之 輸出的發光二極體有關，特別是綠色到到紫外線部份。本 發明的發展包括按照美國國防部高等研究計晝局（DARP A) 契約書MDA972-95-C-0016暨F19628-96-C-0066 所提供的 支援。政府可對本發明具有特定的權限。 發明背景 發光二極體是P-N接面裝置，在光電子學領域經過數年 的成長與發展後，已知發光二極體在各種作用中非常有 用。以電磁波譜可見光部份發光的裝置已作為簡單的狀態 指示器、動態功率位準長條圖形、及許多應用（譬如，無 線電系統、汽車、家用電器產品、及電腦系統）中的文數 顯示幕等用途。在光隔離器、手提式遙控器、及中斷、反 射、和光纖感測應用中，已將紅外線裝置結合光譜匹配光 電晶體使用。 發光二極體運作以半導體中電子與電洞的重組為主。當 傳導帶中的電子載流子與價電子帶中的電.洞結合時，其損 失的能量等以散發之光子形式的帶隙；即，光線。平衡條 件下重組活動的數量對於實際應用而言並不足夠，但是， 可以藉由增加少數載流子密度的方式來增加其數量。 按照慣例，發光二極體中是藉由對二極體進行順向偏壓 的方式來增加少數載流子密度。插入的少數載流子與接面
475275 五、發明說明（2) 邊緣少量擴散長度内的多數載流子以輻射方式重新組合。 每項重組事件產生的電磁輻射定義為一個光子。因為能量 損失與半導體材料的帶隙有關，所以已正式認定發光二極 體材料帶隙特性的重要性。 但是，當配合其他電子裝置時，更需要具更高效率的發 光二極體，尤其使用更少的功率時，發光二極體將必須以 較高的色飽和度運作。例如，較高色飽和度的發光二極體 對各種高格調環境中所使用的顯示幕或狀態指示燈特別有 用。發光二極體色飽和度輸出與驅動發光二極體所需功率 之間也有關聯。例如，低功率發光二極體最適用於各種攜 帶式電子設備應用。在可見光譜紅色部份中，發光二極體 的砷化鋁鎵發光二極體技術的發展，就是針對更高色飽和 度、低功率、及更高效率發光二極體需求所嘗試的例子。 由於不斷地對發光二極體有類似的需求，所以發光二極體 將以可見光譜的綠色、藍色、紫外線區發光。例如，因為 藍色是原色，為了可以顯示出深色或純白光，所以更想要 或需要藍色。 本發明應用的共同受讓人是此領域中第一位成功發展可 大量生產並商業化之發出藍色光譜的發光二極體。彼等發 光二極體由碳化矽所構成；美國申請專利編號4，9 1 8，4 9 7 暨 5，027，168，申請人Edmond，標題為"Blue Light Emitting Diode Formed In Silicon Carbide·"中說明其 範例。 其他藍色發光二極體的範例於美國申請專利編號5，3 0 6，
475275 五、發明說明（3) 6 6 2，申請人 Nakamura，標題為 H Me thod of Manufacturing P-Type Compound Semiconductor.n ，暨 美國申請專利編號5，290，393，申請人Nakamura，標題為 "Crystal Growth Method for Gallium Nitride-Based Compound Semiconductor·”中說明。美國申請專利編號 5,273,933，申請人Hatano et al·，標題為"Vapor Phase Growth Method of Forming Film in Process of Manufacturing Semiconductor Device.” 中也說明碳化石夕 (Si C)基底氮化鎵銦鋁（Gal nA IN)暨砷化鎵（GaAs)基底硒化 鋅（ZnSe)構成的發光二極體。 發光二極體技術一般性的討論可參閱Dorf，The Electrical Engineering Handbook 再版（1 9 9 7，CRC 出版 社），第 1915-1925頁，第 83.1fnLight Emitting Diodes’丨暨Sze，Physics of Semi conductor Devices，第 681 ff頁，第 12fnLED and Semiconductor Lasers” (1981，J〇hn Wiley & Sons, Inc· ) 〇 如同熟知發光二極體之類的光裝置之人士的認識，已知 藉由特定半導體材料產生的電磁輻射頻率（即，光子）是材 料的帶隙作用。較窄的帶隙產生能量較低、波長較長的光 子’而較寬的帶隙產生能量較高、波長較短的光子。例 如’通常作為電射的半導體是磷化鎵銦鋁（InGaAlP)。因 為此材料的帶隙（帶隙實際的範圍視每種元件目前的克分 子或原子分數而定），導致磷化鎵銦鋁（InGaAlp)可產生的 光線受限在可見光譜的紅色部份，即，大約6 〇 〇到7 〇 〇毫微
第8頁 475275 五、發明說明（4) 米（nm ) 〇 反之，為了產生具有光譜藍色及紫外線部份的光子，則 需要具有比較大帶隙的半導體材料。典型的候選材料包括 碳化矽（Si C)及第三族氮化物，特別是氮化鎵（GaN)，及氮 化銘鎵（AlGaN)、氮化銦鎵（InGaN)、暨氮化銘銦鎵 (A1 InGaN)之類的三態和第三代第三族氮化物。
波長較短的發光二極體尚有色彩以外的優點。尤其是運 用在光儲存及記憶體裝置（譬如n CD-ROMn或π光碟片π )時， 較短的波長使此類的儲存裝置可按比例容納更多的資訊。 例如，以相同的空間為基礎，使用藍光儲存資訊的光裝置 所容納的資訊大約是使用紅光儲存資訊的光裝置所容納的 資訊的四倍。
但是，因為第三族氮化物有比較高的帶隙（即，氮化鎵 (GaN)在室溫下的帶隙是3. 36 eV)，並且是直揍的帶隙材 料，而不是間接的帶隙材料，所以，對於綠色、藍色、及 紫外線頻率而言，第三族氮化物是引人注目的發光二極體 候選材料。如同熟知半導體特性之人士的認識，直接帶隙 材料不需要電子晶體動量變化，就可以進行從價電子帶到 傳導帶的電子轉換。在間接半導體中，則是另一種情況； 即，價電子帶與傳導帶之間的電子轉換需要有晶體動量的 變化。矽及碳化矽即是此類間接半導體的例子。 一般而言，直接帶隙所構成之發光二極體的執行效率優 於間接帶隙所構成之發光二極體的執行效率，這是因為直 接轉換的光子所保留的能量多於間接轉換的光子所保留的
88116006 發羽說明_ (b) 扣年7月-r日修正/更正/補充 年月日 修正 能量。 但是，第三族氮化物卻有各種不利條件：迄今，尚無充 分可行的技術可生產可構成適當第三族氮化物光裝置基底 的第三族氮化物體單晶體。如同熟知半導體裝置之人士的 認識，所有的半導體裝置都需要一些結構基底的排序。通 常，使用與裝置主動區相同的材料所構成的基底具有顯著 的優點，特別是在晶體發展與匹配方面的優點。但是，因 為還必須用此類的體晶體來構成第三族氮化物，所以，必 須用不同一即，除了第三族氮化物以外一基底上的外延層 來構成第三族氮化物裝置。
但是，使用不同的基底會造成另一些問題，大部分是晶 體晶格匹配及熱膨脹係數（TCEs)領域的問題。幾乎所有的 情況，不同的材料具有不同的晶體晶格參數及熱膨脹係數 TCEs。結果，當第三族氮化物外延層在不同的基底上產生 時，將發生某些晶體不匹配，而所產生的外延層因這些不 匹配而造成「形變」或「壓縮」。此類的不匹配、不匹配 所造成的形變、及隨晶體缺陷所產生的電位，將依序影響 晶體及接面的電子特性，因此，相對地造成降低甚至阻礙 了光裝置的效能。此類的缺陷對更高功率的結構造成更多 的問題。 迄今，藍寶石（即，三氧化二鋁）已成為第三族氮化物裝 置的共同基底。藍寶石是以可見光及紫外線範圍内的光穿 透，但不幸地為絕緣的而非為傳導性的，並且，與（例如） 氮化鎵（GaN)之間大約有1 6%的晶格不匹配。由於缺乏導電
O:\60\60374.ptc 第10頁 2001.07. 25.010 W/：)
475275 五、發明說明（7) 緩衝層上的第一層氮化鎵（GaN)、一非摻雜之第一氮化鎵 層上的第二層氮化鎵（GaN)、一第二氮化鎵層上的氮化銦 鎵（InGaN)量子井、一非摻雜之量子井上的第三層氮化鎵 (GaN)、一非摻雜之第三氮化鎵層上的第一層氮化鋁鎵 (AlGaN)、第一氮化鋁鎵（A1GaN)層上的P型第二層氮化鋁 鎵（AlGaN)、第二氮化鋁鎵（A1GaN)層上的p型第四氮化鎵 (GaN)層、一基底的歐姆觸點、及第四氮化鎵（GaN)層的歐 姆觸點所組成。 配合詳細說明及附圖，更容易瞭解本發明前述及其他的 目的與優點： 圖式簡單說明 圖1說明根據本發明之發光二極體的斷面圖； 圖2說明根據本發明及先前裝置之二極體量子效率的比 較標繪圖； 圖3說明支配波長相對於正向電流的標緣圖，並比較根 據本發明之發光二極體與藍寶石基底所構成之發光二極 體； ’ 圖4說明半最大值的全寬（fuii width at half maximum)相對於根據本發明之二極體波長的標繪圖，並與 藍寶石基底所構成之二極體比較；以及 圖5及圖6 5兒明根據本發明之兩種二極體的電流相對於電 壓特性的標繪圖。 登詳細說明 本發明揭示一種垂直幾何結構發光二極體，其能夠發出
第12頁 47)Z/5 、發明說明（8) 電磁波譜的紅色、綠色、藍色、紫色、及紫外線部份。内 =中的「垂直幾何結構」表示裝置的歐姆觸點可以放置 結禮γ ^ _ *力一面的特性。相對於陽極及陰極必須放置在裝置的
2广面=裝置而言，此類允許適當金屬觸點及引線（包括 〜處理器及印刷電路上的引線）的幾何結構更容易組成裳 固1顯示ίο所標示的裝置’其最寬的一面包括傳導碳 化石夕基底11、一氮化銦鎵（InGaN)量子井12、基底1 1及量 子井丨2之間的一傳導緩衝層13、在量子井12每一表面上個 別的非摻雜氮化鎵層1 4和1 5、以及垂直幾何結構方向的 姆觸點1 6和1 7。 碳化石夕基底11最好是選擇3C、4H、6H、及15R多晶型 物，尤其是選擇6H多晶型物最佳。最好依據常讓渡（或許 可）的美國專利編號Re· 34, 86 1 ( 4, 8 66, 00 5 )中所提出的發 展技術來構成基底，以提及的方式併入本文中。 x 所構成的傳導緩衝層1 3最好具有1 9 9 7年1 0月7日所歸播 之聯合申請美國專利及常讓渡之申請專利中的美國申請序 唬 08/ 944,547，標題為"Group III Nitride Photonic
Devices on Silicon Carbide Substrates with
Conductive Buffer Interlayer Structure，” 中所提出 的結構，並納入其方法，本文中以提及的方式併入該申請 中專利的整個内容。 ^ 如上述的說明，碳化矽基底與第三族氮化物之間的晶格 匹配優於藍寶石。另外，第三族氮化物在碳化矽上會具有 張力，而在藍寶石上則會壓縮。本技藝中，「張力」表示
O:\60\60374.PTD 第13頁
$延層熱膨脹係數大於其基底熱膨脹係數的關係。「壓 縮」表不，，層熱膨脹係數小於其基底熱膨脹係數的另一 ，關/系。第二私氮化物層與碳化矽基底之間晶袼常數的差 /、（虱化物晶格常數大於碳化矽晶袼常數）會增加壓縮，但 ^，個別的熱膨脹係數傾向支配整個張力。就這一點而 °成乎'又有報告指出’在張力下的外延層會產生氮化銦 鎵（InGaN)。
'就如熟悉電子結構之人士的認識，量子井通常係由一層 或，層半導體材料的薄層所組成，其中半導體材料具有非 苇4的主動層。尤其，當主動層的厚度薄到載波 deBrogiie波長的等級時，將造成一連串具有有限方井之 邊界狀態能量的離散能級。請參閱Sze physics 〇f 861!11(^1^1^1：0]：1)^；^6再版（1981)第127及 72 9 頁。如同熟 知此類結構之人士的認識，使用單量子井或多量子井增加 =期望之轉換中的電子密度，進而增加發射的高度。 簡吕之’碳化石夕基底11為N型，且N型氮化鎵（GaN) 2〇的第 一層（通常摻雜石夕）在傳導緩衝層13上，並形成氮化鎵 (GaN) 14的（第二）未摻雜層。
最佳結構也包括在其他未摻雜之氮化鎵（GaN)層15上的 未摻雜之氮化銘鎵（AlGaN) 21的第一層，其中未摻雜之氮 化鎵（GaN)層15是整個第三氮化鎵（GaN)層。p型氮化鋁鎵 (AlGaN) 22的第二層（最好摻雜鎂）是在第一未摻雜層21 上。P型氮化鎵（GaN)層23(整個第四氮化鎵（GaN)層）完成 裝置’最好摻雜鎂。如圖1所顯示，歐姆觸點丨6構成傳導
第14頁 五、發明說明（10) 展匕石夕基底’而另一個歐姆觸點1 7則構成P型氮化鎵（G a N ) d 2 3 °在最佳具體實施例中，基底11的歐姆觸點1 6包括鎳 0 ’而P型氮化鎵（GaN)層23的歐姆觸點17是由鉑（Pt)所 籌成。當然’如果有適合有關接觸層的歐姆特性，且有提 ’、適合各層的化學與物理連接物，則歐姆觸點也可使用其 他的金屬。 在最佳具體實施例中，氮化銦鎵（InGaN)量子井12基本 上是N型’且可包括單量子井（SqW)或多量子井（MQW)。
本發明整個結構中的每一層都具有特殊的優點。如上文 中的說明，N型碳化矽基底的熱傳導性比藍寶石高出許 夕’與第三族氮化物之間具有比藍寶石更好的晶格匹配， 且其傳導特性更適合垂直裝置。 傳導緩衝層1 3適合1 9 9 7年1 0月7日歸檔之聯合專利申請 序號08/944, 547中所提出的議題，上文中以提及的方式併 入本文中。在其基本的作用中，傳導緩衝層13有利於從碳 化矽基底到氮化鎵（GaN)層20及14的晶體轉換，且其傳導 特性補足裝置的垂直幾何結構。
第一氮化鎵（GaN)層20加上傳導緩衝層13的總厚度大約 是1· 8微米。在最佳環境中，傳導缓衝層13及氮化鎵（GaN) 層20最好在溫度大約1040 °C的氫氣（H2)下生長。N型氮化 鎵（GaN)層20應有足夠的厚度，使碳化矽基底η及傳導缓 衝層13之間介面所產生的缺陷降至最低，並使整個表面平 坦。根據經驗，如果氮化鎵（GaN)層20太薄，則似乎會影 響裝置波長一致性。 曰
第15頁 H/^275
_最佳具體實施例中的未摻雜之氮化鎵（GaN )層1 4是整個 第二氮化鎵（GaN)層，已證實可增加裝置的亮度及放射一 致性。雖然迄今有經驗上的成果，且申請人不希望受到任 何特殊理論的約束，但是，未摻雜之氮化鎵14(在 氮氣上生產）似乎容易與氫產生反應，所以，之後不會影 響必須隔離氮的氮化銦鎵（InGaN)量子井。使用未推^之^ 氮化鎵（G a N )層1 4也可使生長繼續，而其他方面則需要使 生長停止（growth stop)，因為氮化鎵（GaN)層14是在相同 的氮氣（Μ中生長，之後，氮化銦鎵（In GaN)量子井也是 在此氮氣（I)中生長。製造這些類型裝置期間排定生長停 止（growth stop)時，停止前及停止後生長的層之間的介 面可能趨於退化。 另一方面’未摻雜之氮化鎵（GaN)層14可直接協助放鬆 碳化矽基底及其第三族氮化物層之間已增大的變形。如上 文中的說明，未摻雜之氮化鎵（GaN)層14係在氮氣（n2)下 生長（反之，氮化鎵（GaN)的N型前趨層20則是在氫氣（h2) 下生長）’且最好在溫度大約7 5 0 °C到8 0 0 °C之間，總厚度 大約是2 0 0埃。 又
氮化銦鎵（InGaN)量子井12可以是單量子井（SQW)或多量 子井（MQW) ’通常是在溫度大約75 0 °C到8 0 0 °C之間的氫氣 (H2)下生長（與未摻雜之氮化鎵（GaN)層14相同），厚度大 約是2 0到3 0埃之間。當然，量子井是裝置的主動層，並產 生所要的輸出。從作用的觀點來看，量子井12應是「偽 晶」或「準穩」；即，薄度足以避免晶體缺陷，而晶體缺
第16頁 修正 玉/更正/補充 88116006 五、發明說明（12) 係其他相似或相同材料較厚層容易出現的現象。 如同熟知第三族氮化物之人士的認識，能量結構及量子 井發射差異視三態組合物中的銦總數而定，請參閱美國專 利編號5 ,684, 309圖10及圖11 ，及第7欄，第19 - 42行，其 說明但未限制此特性。針對藍色發光二極體，銦的克分子 分數大約是3 5 %，而綠色發光二極體的銦克分子分數稍 高，最好是大約5 0 %及5 5 %之間。因此，藉由控制三態氮化 銦鎵（InGaN)組合物中銦的克分子分數（或克分子百分比） ’可設計裝置發出特定的波長。但是，較大的銦分數比較 小的分數更不穩定，因此，選擇期望或最佳量子井組合 時，通常會考慮此特性。 整個第三氮化鎵（GaN)層15是建立量子井12邊界的其他 未摻雜之氮化鎵（G a N )層，並用於在晶體生長處理期間， 防止氮化銦鎵（InGaN)量子井12接觸到氫或高溫。上面的 未摻雜之氮化鎵（GaN)層15照樣在氮氣中生長，以防止量 子井1 2接觸到氫。此外，氮化鎵（g aN )層1 5防止氮化銦鎵 (InGaN)量子井12接觸到高溫，因為氮化銦鎵（inGaN)在 9 5 0 °C或以上的溫度會分解。 未摻雜之氮化鋁鎵（A 1 G a N )層2 1的晶體品質通常優於摻 雜之氮化鋁鎵（AlGaN)，運用未摻雜之氮化鎵（GaN)層15有 助於防止氮化銦鎵（InGaN)量子井接觸到高於所要之溫度 的溫度，或接觸到氫。未摻雜之氮化鋁鎵（A 1 G aN )層2 1是 在氮氣中生長。 一般說來，氫氣可產生較高品質的氮化鎵（GaN)層及氮
O:\60\60374.PTc 第17頁 2001.01.31.017 475275 五、發明說明（13) 化銘鎵（AlGaN)層，但是對氮化銦鎵（inQaN)會產生有害的 影響。因此’只要有可能’在氫氧中完成生長，改變到氮 氣中連績生長氣化姻嫁（InGaN)量化井及其鄰接層。 未摻雜之氮化鎵（GaN)層15及未摻雜之氮化鋁鎵（A1GaN) 層21都相當薄。氮化鎵（GaN)層15係在2 0-3 0埃的等級，並 在7 5 0 C到8 0 0 C之間的溫度下生長。未摻雜之氮化鋁鎵 (AlGaN)層21的厚度大約疋30及50埃，並在到 之間的溫度下生長。 P型氮化鋁鎵（AlGaN)層22稍厚，厚度大約是2〇〇埃的等 級’並在溫度大約9 0 0 °C的氫氣中生長。其為整個結構提 供高品質的晶體層，並提供插入量子井的電洞，以產生所 要的發射。最後，P型氮化鎵（GaN)接觸層23為歐姆觸點17 提供更方便的材料。如同熟知這些材料之人士的認識，製 造適合氮化鋁鎵（AlGaN)歐姆觸點非常困難，且許多情況 下是不可能的。 適合各層的生長易做。氫化硅（Si h4)、三甲基鎵 ((CH^Ga)、及氨（題3)通常用於構成n型氮化鎵（GaN)層 20。如果需要，可用三乙基鎵（（C2H5)3Ga)取代三曱基鎵 ((CH^Ga)。同樣地，使用三甲基銦（（CH3)3ln)三甲基鋁 ((C Ha)3A 1)作為源氣體時可提供銦或鋁。同樣地，針對每 層的氮而言’氨（NH3)是最佳的源氣體。 如上文中的說明，在最佳具體實施例中，傳導缓衝層】3 及第一氮化鎵（GaN)層20在氫氣中生長，有助於其生長及 想要的特性。圖1中的箭頭25指出112下的生長。然'後，第
第18頁 475275 五、發明說明（14) 二氮化鎵（GaN)層14、氮化銦鎵（inGaN)量子井12、第三氮 化鎵（GaN)層15、及第一氮化鋁鎵（AlGaN)層21在氮氣下生 長’最好沒有生長停止。最後，第二氮化鋁鎵（AiGaN)層 22及第四氮化鎵（GaN)層p型氮化鎵（(^^)層23在氫氣中生 長’最好沒有生長停止。此方法中，氮化銦鎵（InGaN)量 子井12及形成其邊界的層都是在沒有生長停止的情況下生 長’因為’在未摻雜之氮化鎵（GaN)層14發生從氫氣到氮 氣的轉變’且於未摻雜之氮化鋁鎵（A1GaN)層21之後發生 對應的從氮氣到氫氣的轉變。如同熟知晶體生長一特別是 CVD蠢晶生長—技術之人士的認識，比起包括停止的生長 處理程序’持續生長處理程序可產生更好的磊晶層之間的 介面。在此方法中，根據本發明之發光二極體的結構增強 了生長技術，而持續成長技術增強了發光二極體的效能。 一在最佳具體實施例中，碳化矽基底丨丨是「反植入」。如 同背景資料，為了獲得N型碳化矽（通常摻雜在發光二極體 大約6E17及2E18之間）上的歐姆觸點，溫度（至少）需要93〇 c。這樣的溫度通常不會對氮化鎵（GaN)造成傷害，但是 會使氮化銦鎵（InGaN)量子井丨2退化或毀壞。因此，為了 I以在較低的溫度下獲得良好的碳化石夕歐姆觸點，在、背面 =度摻雜碳化矽基底11，需要可在80(KC的低溫形成歐姆 間點的技術，並期望該技術可75(pc的低溫下，同樣可形 成歐姆觸點。 7 乂 2化矽基底11的高度摻雜之背面最好用離子植入的方式 ，雜，然而，也可以使用雷射退火或薄磊晶層之類（在許
5275 浼年私角為 诊 Jli! m HL/更正/補充 1116006 年夂月> 曰 修正 五、發明說明（15) 多情況下並不切實際）的其他技術。舉例而言（而非限 制），碳化矽基底11通常摻雜在大約1 · 2 E 1 8 (1 · 2 X 1 018 cur3)，而植入部份達到大約1 E 2 0 ( 1 X 1 02G cm—3)的濃 度。因此，另一方面，本發明包括產生本發明垂直方向之 發光二極體的方法。在此方法中，本發明包括在氫氣中， 在一N型碳化矽基底上連續生長一傳導緩衝層及一N型氮化 鎵（GaN)層。接著，在氮氣中依序生長薄層未摻雜之氮化 鎵（GaN)、一氮化銦鎵（InGaN)量子井、一未摻雜之氮化鎵 (GaN)的第二薄層、及一未摻雜之氮化鋁鎵（AlGaN)的薄層 等層。之後，在氫氣中依序生長P型氮化鋁鎵（AlGaN)層及 P型氮化鎵（GaN)層，才完成技術。然後，可運用最佳具體 實施例，將歐姆觸點附加到P型氮化鎵（G a N )層及碳化矽基 底，其中最佳具體實施例包括在附加之歐姆觸點部份增加 摻雜碳化矽基底的步驟，而歐姆觸點也就是剛剛所說明之 方法（即，最好用離子植入的方式）中所附加的歐姆觸點。 如同源氣體的指示，生長這些層的最佳技術是化學氣相 澱積（CVD)。此類的技術在此技藝中非常易懂。然而，CVD 及個別CVD設備的性質（像是個別氣流率、溫度、反應裝置 壓力、時間長度、及其他處理參數）通常必須根據特殊設 備及環境才能決定。按照本文中的說明，已知層的成分包 括每層的厚度及最佳生長溫度範圍，熟悉本技藝的一般技 術人員不需要不當的實驗，就能夠複製所發表的處理程 序，並產生絃構。 圖2到圖6說明根據本發明所設計及製造之二極體的優點
O:\60\60374.PTc 第20頁 2001.01.31.020 475275 你r4r 冬正7更:: 88116006 修正 的實例。圖2說明根據本發明之二極體的量子效率至少和 其他在藍寶石基底上形成的數個量子的效率一樣好。此 外，比起可產生相同輸出的同等級藍寶石式裝置，垂直裝 置提供更小的晶片。例如，本文中，為了比較目的（如， 圖3 及圖4)所鑑定的藍寶石式裝置是14 milx 14 mil (1 9 6 m i 12)，而根據本發明的裝置（且提供相同的亮度）是 1 0 mi 1 X 1 0 mi 1 (1 00 mi I2);即，只有57% 。 圖3說明與藍寶石所構成之裝置相比，根據本發明之發 光二極體在正向電流的範圍内維持更一致的色彩。如圖3 所顯示，藍寶石式發光二極體在低正向電流可發射光譜的 黃色部份，或接近光譜的黃色部份（如，在2毫安培可發射 5 4 4毫微米（nm ))，而根據本發明之發光二極體仍然在綠色 區（在2毫安培可發射531毫微米（nm))。 圖4說明根據本發明之碳化矽式二極體在期望的波長顯 出較窄的發射（較純的色彩）；即，在每次測量的波長，碳 化矽式二極體的半最大值全寬（full width at half maximum ;FWHM)至少比藍寶石式二極體的半最大值全寬 (full width at half maximum ;FWHM)大約少5 毫微米 (nm ) o 圖5及圖6說明根據本發明之綠色（525 nm)及藍色（470 n m)二極體在正向偏壓下都提供絕佳的電流特性。 在運用過程中，可使用根據本發明之二極體提供混合紅 色、綠色、及藍色發光二極體的像素及顯示幕。 在圖式及說明中，已揭示本發明典型的具體實施例，並
O:\60\60374.PTc 第21頁 2001.01.31.021 475275 五、發明說明（17) 且，雖然已採用特定的名詞，但是，這些名詞只作為總稱 及描述的意義，而沒有限制的意圖，下列的申請專利範圍 中提出本發明範疇。
第22頁
Aims
修iEJ 號 88116006 (? o车^月/h柊if、/雯正/補充 年月 日& 修正 五、發明說明 (17a) 元件符 11 碳化矽 12 氮化銦鎵量子井 13 傳導緩衝 14，15 氮化鎵（未摻雜） 1 6，1 7 歐姆觸點 20 氮化鎵：矽 2 1 氮化鋁鎵（未摻雜） 22 氮化鋁鎵：鎂 23 氮化鎵：鎂 » t
O:\60\60374.ptc 第22a頁 2001.07. 25. 023

Claims (1)

  1. 47¾¾
    88116006 1 · 一種垂直幾何結構發光 紅色、綠色、藍色、紫色、 二極體包括： 二極體，其能夠在電磁波譜的 及紫外線部份中發光，該發光 一傳導碳化矽基底； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井； 緩衝層；以及 其位於該量子井 每
    一在該基底與該量子井之間的傳導 一個別的未摻雜之氮化鎵（GaN)居 層表面上；以及 垂直幾何結構方向的歐姆觸點。 何結構發光二極體， 其位於該緩衝器與該 何結構發光二極體， 2 ·如申請專利範圍第1項之垂直幾 進一步包括一氮化鎵（GaN)摻雜層，' 未摻雜之氮化鎵（GaN)層之間。 3 ·如申請專利範圍第2項之垂直幾 進一步包括： 一氮化鋁鎵（AlGaN)未摻雜 未摻雜之氮化鎵（GaN)層表面 及緩衝相對；以及 一摻雜之氮化鋁鎵（AlGaN) 鋁鎵（AlGaN)層上。 層21 ’其位於該量子井上該 上’而該量子井則與該基底 層’其位於該未摻雜之氮化 4 ·如申請專利範圍第3項之垂直幾何 進一步包括一摻雜之氮化鎵（GaN)層， 化鋁鎵（AlGaN)層上。 5 ·如申請專利範圍第4項之垂直幾何 其中： 其位於該摻雜之 結構發 極骨
    475275 _案號88116006_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 該基底、該缓衝層、及鄰接該缓衝的該氮化鎵（GaN)層 都是N型；以及 該氮化鋁鎵（A1 GaN)摻雜層及在其上之氮化鎵（GaN)摻雜 · 層都是P型。 6 ·如申請專利範圍第1項之垂直幾何結構發光二極體，.' 其中該量子井包括一多量子井。 7· —種像素，其包括發光二極體，能夠在電磁波譜的紅 色、綠色、藍色、紫色、及紫外線部份中發光，該發光二 極體包括： 一傳導碳化矽基底； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井； 一在該基底與該量子井之間的傳導緩衝層；以及 一個別的未摻雜之氮化鎵（Ga N)層，其位於該量子井每 層表面上；以及 垂直幾何結構方向的歐姆觸點。 ， 8. —種顯示幕，其包括許多像素，每一像素包括一發光 _ 二極體，能夠在電磁波譜的紅色、綠色、藍色、紫色、及< 紫外線部份中發光，該發光二極體包括： 一傳導碳化矽基底； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井； 一在該基底與該量子井之間的傳導緩衝層；以及 一個別的未摻雜之氮化鎵（GaN)層，其位於該量子井每 層表面上；以及 垂直幾何結構方向的歐姆觸點。
    O:\60\60374.ptc 第2頁 2001.07. 25. 026 475275 案號 88116006 年月曰 修正 六、申請專利範圍 9 . 一種垂直幾何結構發光二極體’其能夠在電磁波错的 紅色、綠色、藍色、紫色、及紫外線部份中發光，該發光 二極體包括： 一 N型碳化矽基底； 一N型傳導緩衝層，其位於該基底上； 一氮化鎵（GaN)的第一層，其位於該N型傳導緩衝層上； 一氮化鎵（GaN)的第二層，其位於該未摻雜之第一氮化 鎵（GaN)層； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井，其位於該第二氮化鎵（GaN) 層上；
    一氮化鎵（GaN)的第三層，其位於該未摻雜之量子井 一氮化鋁鎵（A1 GaN)的第一層，其位於未摻雜之第三氮 化鎵（GaN)層上； 一氮化鋁鎵（A1 GaN)層的第二層，其為P型，位於該第一 氮化鋁鎵（AlGaN)層上； 一第四氮化鎵（GaN)層，其為P型，其位於該第二氮化鋁 鎵（AlGaN)層上； 一該基底的歐姆觸點；以及 一該氮化鎵（GaN)層的歐姆觸點。
    1 0 .如申請專利範圍第9項之垂直幾何結構發光二極體， 其中該基底的該歐姆觸點包括鎳，且該P型氮化鎵（GaN)層 的該歐姆觸點是鉑。 1 1 .如申請專利範圍第9項之垂直幾何結構發光二極體，
    O:\60\60374.ptc 第3頁 2001.07. 25.027 475275 案號 88116006 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 其中該傳導緩衝層是N型氮化鋁鎵（AlGaN)。 極體 1 2.如申請專利範圍第9項之垂直幾何結構發 其中該量子井本質上是N型。 1 3.如申請專利範圍第9項之垂直幾何結構發光二極體， 其中該量子井是多量子井。 1 4.如申請專利範圍第9項之垂直幾何結構發光二極體， 其中該第一氮化鎵（GaN)層摻雜矽。 1 5 .如申請專利範圍第9項之垂直幾何結構發光二極體， 其中該第四氮化鎵（GaN)層及該第二氮化鋁鎵（AlGaN)層摻 雜鎮。 1 6. —種像素，其包括一發光二極體，能夠在電磁波譜 的紅色、綠色、藍色、紫色、及紫外線部份中發光，該發 光二極體包括： 一 N型碳化矽基底； 其位於該基底上； 一層，其位於該N型傳導緩衝層上； 二層，其位於該未摻雜之第一氮化 一N型傳導緩衝層， 一氮化鎵（GaN)的第 一氮化鎵（GaN)的第 鎵（GaN)層； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井，其位於該第二氮化鎵（GaN) 層上； 一氮化鎵（GaN)的第三層，其位於該未摻雜之量子井 上； 一氮化鋁鎵（A1 GaN)的第一層，其位於未摻雜之第三氮 化鎵（GaN)層上；
    O:\60\60374.ptc 第4頁 2001.07. 25.028 475275
    其為p型，位於該第— 其位於該第二氮化鋁 一氮化銘鎵（AlGaN)層的第二層 氮化鋁鎵（AlGaN)層上； 一第四氮化鎵（GaN)層，其為p型 鎵（AlGaN)層上； 一該基底的歐姆觸點；以及 一該氮化鎵（GaN)層的歐姆觸點。 17· —種顯示幕，其包括許多像素，每一 光二極體，能夠在電磁波譜的紅色、綠色、該’、匕括一發 及紫外線部份中發光，該發光二極體包虹· &色、紫色、 一 N型碳化矽基底； ^ 一N型傳導緩衝層，其位於該基底上； 具位於該未摻雜之第
    一氮化鎵（GaN)的第一層 一氮化鎵（GaN)的第二層 鎵（GaN)層； 一氣化姻嫁（InGaN)量子井 層上； 其位於該第 氮化鎵（GaN) 一氮化鎵（GaN)的第三層 其位於該未摻雜之量子井 ’其位於未摻雜之第三氮 一氮化銘鎵（AlGaN)的第一層 化鎵（GaN)層上； 其為P型，位於該第一 ’其位於該第二氮化鋁
    一氮化鋁鎵（AlGaN)層的第二層， 氮化鋁鎵（AlGaN)層上； 一第四氮化鎵（GaN)層，其為p型 鎵（AlGaN)層上；
    2001.07. 25. 029 475275 _案號 88116006_年月日__ 六、申請專利範圍 一該基底的歐姆觸點；以及 一該氮化鎵（GaN)層的歐姆觸點。 18. —種用以製造一垂直方向發光二極體之方法，該發 光二極體能夠在電磁波譜的紅色、綠色、藍色、紫色、及 紫外線部份中發光，該方法包括： 在氫氣中，在碳化矽基底上連續生長一N型傳導緩衝層 及一N型氮化鎵（GaN)層； 接著，在氮氣中，連續生長一未摻雜之氮化鎵（GaN)的 薄層、一氮化銦鎵（InGaN)量子井、一未摻雜之氮化鎵 (GaN)的第二薄層、及一未摻雜之氮化鋁鎵（A 1 GaN)的薄 層；以及 接著，在氫氣中，連續生長一 P型氮化鋁鎵（AlGaN)層及 一P型氮化鎵（GaN)層。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之方法，其包括將歐姆觸點 附加到P型氮化鎵（G a N )層。 2 0 .如申請專利範圍第1 9項之方法，其包括將鉑觸點附 加到P型氮化鎵（G a N )層。 2 1 .如申請專利範圍第1 8項之方法，其包括將歐姆觸點 附加到碳化碎基底。 2 2.如申請專利範圍第2 1項之方法，其中包括在被附加 之歐姆觸點部份增加摻雜碳化矽基底的步驟，而歐姆觸點 就是之前的附加歐姆觸點之步驟中所附加的歐姆觸點。 2 3.如申請專利範圍第2 2項之方法，其中增加摻雜的步 驟包括離子植入。
    O:\60\60374.ptc 第 6 頁 2001 · 07· 25. 030 475275 ----------案號88116006_卑月日 修正_ 六、申請專利範圍 24· —種發光二極體，包括： 一碳化矽基底； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井所構成的一主動層； 、 :其特徵疋大約在470毫微米（nm)產生峰值發射，且其半h ，大值全寬（full width at half maximum ;FWHM)大約25 · 耄微米（nm)或以下。 25· —種發光二極體，包括： 一碳化矽基底； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井所構成的一主動層； 曰其特徵是大約在5 0 5毫微米（n m)產生峰值發射，且其半 ，大值全寬（full width at half maximum ;FWHM)大約 耄微米（nm)或以下。 26· —種發光二極體，包括： 一碳化矽基底； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井所構成的一主動層； ， 。其特徵是大約在525毫微米（nm)產生峰值發射，且其半 ，大值全覓（full width at half maximum ;FWHM)大約35 毫微米（nm)或以下。 27· 一種發光二極體，包括： 一碳化矽基底； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井所構成的一主動層； 其特徵是大約在2毫安培的正向電流產生大約5 3 1毫微米 (nm)支配波長的發射。 28· 一種發光二極體，包括：
    O:\60\60374.ptc 第7頁 2001.07. 25. 031 475275 案號 88116006 曰 修正 六、申請專利範圍 一碳化>5夕基底； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井所構成的一主動層； 其特徵是大約在5毫安培的正向電流產生大約5 2 9毫微米 (n m )支配波長的發射。 29. —種發光二極體，包括： 一碳化;5夕基底； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井所構成的一主動層； 其特徵是大約在1 0毫安培的正向電流產生大約5 2 7毫微 米（n m )支配波長的發射。 3 0 . —種發光二極體，包括： 一碳化矽基底； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井所構成的一主動層； 其特徵是大約在20¾安培的正向電流產生大約525¾微 米（n m )支配波長的發射。 31. —種發光二極體，包括： 一碳化矽基底； 一氮化銦鎵（InGaN)量子井所構成的一主動層； 其特徵是大約在3 0毫安培的正向電流產生大約5 2 3毫微 米（n m )支配波長的發射。
    O:\60\60374.ptc 第8頁 2001.07. 25. 032
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI467775B (zh) * 2009-02-18 2015-01-01 Alpha & Omega Semiconductor 改良正向傳導的氮化鎵半導體裝置

Families Citing this family (134)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6825501B2 (en) 1997-08-29 2004-11-30 Cree, Inc. Robust Group III light emitting diode for high reliability in standard packaging applications
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
US6459100B1 (en) * 1998-09-16 2002-10-01 Cree, Inc. Vertical geometry ingan LED
WO2001061765A1 (de) * 2000-02-15 2001-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE10006738C2 (de) * 2000-02-15 2002-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung
GB2361354B (en) * 2000-04-13 2004-06-30 Arima Optoelectronics Corp White light emitting diode with single asymmetric quantum well in active layer
DE20111659U1 (de) * 2000-05-23 2001-12-13 OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. oHG, 93049 Regensburg Bauelement für die Optoelektronik
KR20010000545A (ko) * 2000-10-05 2001-01-05 유태경 펌핑 층이 집적된 다 파장 ＡｌＧａＩｎＮ계 반도체ＬＥＤ 소자 및 그 제조 방법
DE10056475B4 (de) * 2000-11-15 2010-10-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis mit verbesserter p-Leitfähigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung
FR2840731B3 (fr) * 2002-06-11 2004-07-30 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat comportant une couche utile en materiau semi-conducteur monocristallin de proprietes ameliorees
US8507361B2 (en) 2000-11-27 2013-08-13 Soitec Fabrication of substrates with a useful layer of monocrystalline semiconductor material
US6800876B2 (en) 2001-01-16 2004-10-05 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer (5000.137)
US6906352B2 (en) * 2001-01-16 2005-06-14 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6649942B2 (en) * 2001-05-23 2003-11-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light-emitting device
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
US7692182B2 (en) * 2001-05-30 2010-04-06 Cree, Inc. Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure
KR100422944B1 (ko) * 2001-05-31 2004-03-12 삼성전기주식회사 반도체 엘이디(ｌｅｄ) 소자
WO2002103814A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-27 Cree, Inc. Gan based led formed on a sic substrate
US6740906B2 (en) * 2001-07-23 2004-05-25 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for submount bonding
US7211833B2 (en) 2001-07-23 2007-05-01 Cree, Inc. Light emitting diodes including barrier layers/sublayers
US20030090103A1 (en) * 2001-11-09 2003-05-15 Thomas Becker Direct mailing device
TW517403B (en) * 2002-01-10 2003-01-11 Epitech Technology Corp Nitride light emitting diode and manufacturing method for the same
JP4846981B2 (ja) * 2002-02-08 2011-12-28 クリー インコーポレイテッド 改良エピタキシャル堆積のために炭化珪素基板を処理する方法、及びその方法によって得られる構造とデバイス
JP4150527B2 (ja) * 2002-02-27 2008-09-17 日鉱金属株式会社 結晶の製造方法
JP4457564B2 (ja) * 2002-04-26 2010-04-28 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
SG115549A1 (en) 2002-07-08 2005-10-28 Sumitomo Chemical Co Epitaxial substrate for compound semiconductor light emitting device, method for producing the same and light emitting device
GB2416920B (en) * 2002-07-08 2006-09-27 Sumitomo Chemical Co Epitaxial substrate for compound semiconductor light - emitting device, method for producing the same and light - emitting device
KR100583163B1 (ko) * 2002-08-19 2006-05-23 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 및 그 제조방법
KR100906921B1 (ko) * 2002-12-09 2009-07-10 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 제조 방법
US6900067B2 (en) * 2002-12-11 2005-05-31 Lumileds Lighting U.S., Llc Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers
CN1729581A (zh) * 2002-12-20 2006-02-01 克里公司 形成包括自对准接触层的半导体台结构的方法和相关的器件
US6917057B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Gelcore Llc Layered phosphor coatings for LED devices
US6987281B2 (en) 2003-02-13 2006-01-17 Cree, Inc. Group III nitride contact structures for light emitting devices
US6952024B2 (en) * 2003-02-13 2005-10-04 Cree, Inc. Group III nitride LED with silicon carbide cladding layer
US7170097B2 (en) * 2003-02-14 2007-01-30 Cree, Inc. Inverted light emitting diode on conductive substrate
US7123637B2 (en) * 2003-03-20 2006-10-17 Xerox Corporation Nitride-based laser diode with GaN waveguide/cladding layer
US7531380B2 (en) * 2003-04-30 2009-05-12 Cree, Inc. Methods of forming light-emitting devices having an active region with electrical contacts coupled to opposing surfaces thereof
US7714345B2 (en) 2003-04-30 2010-05-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having coplanar electrical contacts adjacent to a substrate surface opposite an active region and methods of forming the same
US7087936B2 (en) * 2003-04-30 2006-08-08 Cree, Inc. Methods of forming light-emitting devices having an antireflective layer that has a graded index of refraction
CN1802755B (zh) * 2003-05-09 2012-05-16 克里公司 通过离子注入进行隔离的led制造方法
TWI344706B (en) * 2003-06-04 2011-07-01 Myung Cheol Yoo Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices
KR101034055B1 (ko) 2003-07-18 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US20050104072A1 (en) * 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
US20050194584A1 (en) * 2003-11-12 2005-09-08 Slater David B.Jr. LED fabrication via ion implant isolation
KR20060131774A (ko) * 2003-11-12 2006-12-20 크리 인코포레이티드 반도체 웨이퍼 후면들 상에 발광 소자들을 가지는 상기반도체 웨이퍼 후면들의 가공 방법들 및 상기 방법들에의해 형성된 발광 소자들
US7115908B2 (en) * 2004-01-30 2006-10-03 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced polarization fields
US7615689B2 (en) * 2004-02-12 2009-11-10 Seminis Vegatable Seeds, Inc. Methods for coupling resistance alleles in tomato
KR100664980B1 (ko) * 2004-03-11 2007-01-09 삼성전기주식회사 모노리식 백색 발광소자
KR100764457B1 (ko) * 2004-03-18 2007-10-05 삼성전기주식회사 모노리식 백색 발광소자
CN101901858B (zh) * 2004-04-28 2014-01-29 沃提科尔公司 垂直结构半导体器件
US7592634B2 (en) * 2004-05-06 2009-09-22 Cree, Inc. LED fabrication via ion implant isolation
TWI433343B (zh) * 2004-06-22 2014-04-01 Verticle Inc 具有改良光輸出的垂直構造半導體裝置
KR100616600B1 (ko) * 2004-08-24 2006-08-28 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자
KR100649496B1 (ko) * 2004-09-14 2006-11-24 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
US7737459B2 (en) * 2004-09-22 2010-06-15 Cree, Inc. High output group III nitride light emitting diodes
US8513686B2 (en) * 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
US7259402B2 (en) * 2004-09-22 2007-08-21 Cree, Inc. High efficiency group III nitride-silicon carbide light emitting diode
US8174037B2 (en) 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US7432536B2 (en) 2004-11-04 2008-10-07 Cree, Inc. LED with self aligned bond pad
TWI389334B (zh) * 2004-11-15 2013-03-11 Verticle Inc 製造及分離半導體裝置之方法
KR100662191B1 (ko) * 2004-12-23 2006-12-27 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8288942B2 (en) 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
US7378288B2 (en) * 2005-01-11 2008-05-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing light emitting diode array
CN100401541C (zh) * 2005-01-14 2008-07-09 财团法人工业技术研究院 一种量子点/量子阱发光二极管
US7951632B1 (en) * 2005-01-26 2011-05-31 University Of Central Florida Optical device and method of making
DE102005009060A1 (de) 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
US7446345B2 (en) * 2005-04-29 2008-11-04 Cree, Inc. Light emitting devices with active layers that extend into opened pits
US20060267043A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Emerson David T Deep ultraviolet light emitting devices and methods of fabricating deep ultraviolet light emitting devices
KR100750932B1 (ko) 2005-07-31 2007-08-22 삼성전자주식회사 기판 분해 방지막을 사용한 단결정 질화물계 반도체 성장및 이를 이용한 고품위 질화물계 발광소자 제작
JP4367393B2 (ja) * 2005-09-30 2009-11-18 日立電線株式会社 透明導電膜を備えた半導体発光素子
CN100485979C (zh) * 2005-10-17 2009-05-06 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光元件、平面光源及直下式背光模组
US7829909B2 (en) * 2005-11-15 2010-11-09 Verticle, Inc. Light emitting diodes and fabrication methods thereof
EP1974389A4 (en) 2006-01-05 2010-12-29 Illumitex Inc SEPARATE OPTICAL DEVICE FOR DIRECTING LIGHT FROM A LED
US8101961B2 (en) * 2006-01-25 2012-01-24 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with growth substrates
JP2007214378A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Rohm Co Ltd 窒化物系半導体素子
JP2007220865A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Sumitomo Chemical Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP2007281257A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP5274245B2 (ja) 2006-04-10 2013-08-28 富士通株式会社 化合物半導体構造とその製造方法
WO2007139894A2 (en) 2006-05-26 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
KR20140116536A (ko) 2006-05-31 2014-10-02 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
US7646024B2 (en) * 2006-08-18 2010-01-12 Cree, Inc. Structure and method for reducing forward voltage across a silicon carbide-group III nitride interface
US7789531B2 (en) 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
JP2010517273A (ja) * 2007-01-22 2010-05-20 クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド フォールト・トレラント発光体、フォールト・トレラント発光体を含むシステムおよびフォールト・トレラント発光体を作製する方法
TWI440210B (zh) 2007-01-22 2014-06-01 Cree Inc 使用發光裝置外部互連陣列之照明裝置及其製造方法
KR100818466B1 (ko) * 2007-02-13 2008-04-02 삼성전기주식회사 반도체 발광소자
KR100849826B1 (ko) * 2007-03-29 2008-07-31 삼성전기주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 패키지
US9484499B2 (en) * 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
US20080283864A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Letoquin Ronan P Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices
US7851343B2 (en) * 2007-06-14 2010-12-14 Cree, Inc. Methods of forming ohmic layers through ablation capping layers
KR100891761B1 (ko) * 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
US7482674B1 (en) * 2007-12-17 2009-01-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Crystalline III-V nitride films on refractory metal substrates
KR20100122485A (ko) 2008-02-08 2010-11-22 일루미텍스, 인크. 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법
JP5085369B2 (ja) * 2008-02-18 2012-11-28 日本オクラロ株式会社 窒化物半導体発光装置及びその製造方法
CN101728451B (zh) * 2008-10-21 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 半导体光电元件
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US20110012141A1 (en) 2009-07-15 2011-01-20 Le Toquin Ronan P Single-color wavelength-converted light emitting devices
EP2464760A4 (en) 2009-08-12 2013-08-28 Univ Georgia State Res Found HIGH PRESSURE CVP DEVICES, METHODS AND COMPOSITIONS MANUFACTURED THEREWITH
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
WO2011084478A1 (en) * 2009-12-15 2011-07-14 Lehigh University Nitride based devices including a symmetrical quantum well active layer having a central low bandgap delta-layer
US8604461B2 (en) 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
JP5392104B2 (ja) * 2010-01-15 2014-01-22 住友電気工業株式会社 発光装置
US8575592B2 (en) * 2010-02-03 2013-11-05 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses
US9991427B2 (en) * 2010-03-08 2018-06-05 Cree, Inc. Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices
CN101908591A (zh) * 2010-06-23 2010-12-08 山东华光光电子有限公司 一种SiC衬底LED的欧姆接触电极制备方法
US20120153297A1 (en) * 2010-07-30 2012-06-21 The Regents Of The University Of California Ohmic cathode electrode on the backside of nonpolar m-plane (1-100) and semipolar (20-21) bulk gallium nitride substrates
CN108198749A (zh) 2010-11-04 2018-06-22 皇家飞利浦电子股份有限公司 基于结晶弛豫结构的固态发光器件
CN102064251B (zh) * 2010-11-23 2012-12-05 吉林大学 一种大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法
TWI458129B (zh) 2010-12-21 2014-10-21 Lextar Electronics Corp 發光二極體晶片結構及其製造方法
TWI495154B (zh) 2012-12-06 2015-08-01 Genesis Photonics Inc 半導體結構
US10121822B2 (en) 2013-12-02 2018-11-06 Nanyang Technological University Light-emitting device and method of forming the same
JP6198004B2 (ja) * 2014-02-19 2017-09-20 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US10797204B2 (en) 2014-05-30 2020-10-06 Cree, Inc. Submount based light emitter components and methods
TW201601343A (zh) * 2014-06-30 2016-01-01 新世紀光電股份有限公司 半導體結構
US9985168B1 (en) 2014-11-18 2018-05-29 Cree, Inc. Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers
CN105449063B (zh) * 2016-01-22 2017-11-14 西安中为光电科技有限公司 提高紫外led紫外光纯度的结构及其方法
TWI703726B (zh) 2016-09-19 2020-09-01 新世紀光電股份有限公司 含氮半導體元件
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US11527519B2 (en) * 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US12100696B2 (en) 2017-11-27 2024-09-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
CN108321265A (zh) * 2018-01-31 2018-07-24 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种led外延结构及其制备方法
CN109037410A (zh) * 2018-08-10 2018-12-18 厦门乾照光电股份有限公司 发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层和制造方法
US11393948B2 (en) 2018-08-31 2022-07-19 Creeled, Inc. Group III nitride LED structures with improved electrical performance

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4313125A (en) 1979-06-21 1982-01-26 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Light emitting semiconductor devices
US4862471A (en) 1988-04-22 1989-08-29 University Of Colorado Foundation, Inc. Semiconductor light emitting device
FR2633812B1 (fr) * 1988-07-11 1991-05-24 Millet Armature de sac a dos
US5043513A (en) * 1990-03-07 1991-08-27 Mobil Oil Corp. Catalytic hydrodealkylation of aromatics
US5334277A (en) 1990-10-25 1994-08-02 Nichia Kagaky Kogyo K.K. Method of vapor-growing semiconductor crystal and apparatus for vapor-growing the same
US5433169A (en) 1990-10-25 1995-07-18 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of depositing a gallium nitride-based III-V group compound semiconductor crystal layer
JPH088217B2 (ja) 1991-01-31 1996-01-29 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
US5290393A (en) 1991-01-31 1994-03-01 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor
US5146465A (en) 1991-02-01 1992-09-08 Apa Optics, Inc. Aluminum gallium nitride laser
US5319657A (en) 1991-10-08 1994-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser of modulation doping quantum well structure with stopper against dopant dispersion and manufacturing method thereof
US5306662A (en) 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
JP2576819Y2 (ja) * 1992-07-13 1998-07-16 オイレス工業株式会社 ステアリングコラム用軸受装置
US5578839A (en) 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
US5432808A (en) * 1993-03-15 1995-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semicondutor light-emitting device
EP0952617B1 (en) 1993-04-28 2004-07-28 Nichia Corporation Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device
US5604135A (en) * 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) * 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5777350A (en) 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
SE504916C2 (sv) * 1995-01-18 1997-05-26 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande för att åstadkomma en ohmsk kontakt jämte halvledarkomponent försedd med dylik ohmsk kontakt
US5585648A (en) 1995-02-03 1996-12-17 Tischler; Michael A. High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same
US5661074A (en) 1995-02-03 1997-08-26 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
EP0732754B1 (en) 1995-03-17 2007-10-31 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
US5679965A (en) 1995-03-29 1997-10-21 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact, non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3728332B2 (ja) 1995-04-24 2005-12-21 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子
JPH08316581A (ja) * 1995-05-18 1996-11-29 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置および半導体発光素子
DE69636088T2 (de) 1995-11-06 2006-11-23 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer Nitridverbindung
JP3409958B2 (ja) * 1995-12-15 2003-05-26 株式会社東芝 半導体発光素子
US6017774A (en) * 1995-12-24 2000-01-25 Sharp Kabushiki Kaisha Method for producing group III-V compound semiconductor and fabricating light emitting device using such semiconductor
JP2830814B2 (ja) * 1996-01-19 1998-12-02 日本電気株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法、及び半導体レーザの製造方法
US5923690A (en) * 1996-01-25 1999-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device
US5900647A (en) * 1996-02-05 1999-05-04 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device with SiC and GaAlInN
US5874747A (en) * 1996-02-05 1999-02-23 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
JP3754120B2 (ja) * 1996-02-27 2006-03-08 株式会社東芝 半導体発光装置
JP3448450B2 (ja) * 1996-04-26 2003-09-22 三洋電機株式会社 発光素子およびその製造方法
US5684309A (en) 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
JPH1093192A (ja) 1996-07-26 1998-04-10 Toshiba Corp 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
US5987048A (en) * 1996-07-26 1999-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same
JP3688843B2 (ja) * 1996-09-06 2005-08-31 株式会社東芝 窒化物系半導体素子の製造方法
JP3304787B2 (ja) * 1996-09-08 2002-07-22 豊田合成株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP3767031B2 (ja) * 1996-09-10 2006-04-19 松下電器産業株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JPH10145006A (ja) 1996-09-10 1998-05-29 Toshiba Corp 化合物半導体素子
US6057565A (en) * 1996-09-26 2000-05-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a non-stoichiometric compound layer and manufacturing method thereof
JP3419280B2 (ja) * 1996-11-05 2003-06-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JPH10145500A (ja) * 1996-11-15 1998-05-29 Oki Electric Ind Co Ltd 構内電話システム
CN1964093B (zh) * 1997-01-09 2012-06-27 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元器件
US5898185A (en) * 1997-01-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
JP3316838B2 (ja) * 1997-01-31 2002-08-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JPH10261816A (ja) 1997-03-19 1998-09-29 Fujitsu Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
JP3683669B2 (ja) * 1997-03-21 2005-08-17 株式会社リコー 半導体発光素子
US5923946A (en) * 1997-04-17 1999-07-13 Cree Research, Inc. Recovery of surface-ready silicon carbide substrates
US5923940A (en) * 1997-07-24 1999-07-13 Xerox Corporation Cleaning brush having fibers of different lengths
US6015979A (en) * 1997-08-29 2000-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Nitride-based semiconductor element and method for manufacturing the same
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
JP3216596B2 (ja) * 1998-01-08 2001-10-09 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6459100B1 (en) * 1998-09-16 2002-10-01 Cree, Inc. Vertical geometry ingan LED

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI467775B (zh) * 2009-02-18 2015-01-01 Alpha & Omega Semiconductor 改良正向傳導的氮化鎵半導體裝置

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