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TW202307727A - 指紋感測器以及製造指紋感測器的方法 - Google Patents

指紋感測器以及製造指紋感測器的方法 Download PDF

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TW202307727A TW111138204A TW111138204A TW202307727A TW 202307727 A TW202307727 A TW 202307727A TW 111138204 A TW111138204 A TW 111138204A TW 111138204 A TW111138204 A TW 111138204A TW 202307727 A TW202307727 A TW 202307727A
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金祥恆
金俊華
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美商艾馬克科技公司
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Abstract

一種指紋感測器裝置以及一種製造一指紋感測器裝置之方法。作為非限制性的例子,此揭露內容的各種特點係提供各種的指紋感測器裝置以及製造其之方法,該指紋感測器裝置係包括一基板,該基板係包括一介電層以及一內嵌在該介電層中並且從該介電層露出的佈線圖案。

Description

指紋感測器以及製造指紋感測器的方法
本發明涉及指紋感測器及製造其之方法。 相關申請案的交互參照 / 納入作為參考
本申請案係參考到2015年4月7日向韓國智慧財產局申請且名稱為"指紋感測器的封裝及製造其之方法"的韓國專利申請案號10-2015-0049153,主張其之優先權,並且主張其之益處,該韓國專利申請案的內容係藉此以其整體被納入在此作為參考。
現有用於形成感測器裝置(例如,指紋感測器裝置)的半導體封裝及方法是不足的,例如是產生不足的感測準確性及/或裝置可靠度。習知及傳統的方式的進一步限制及缺點對於具有此項技術的技能者而言,透過此種方式與如同在本申請案的其餘部分中參考圖式所闡述的本揭露內容的比較將會變成是明顯的。
此揭露內容的各種特點係提供一種指紋感測器裝置以及一種製造一指紋感測器裝置之方法。作為非限制性的例子,此揭露內容的各種特點係提供各種的指紋感測器裝置以及製造其之方法,該指紋感測器裝置係包括一基板,該基板係包括一介電層以及一內嵌在該介電層中並且從該介電層露出的佈線圖案。
以下的討論係藉由提供本揭露內容的例子來呈現本揭露內容的各種特點。此種例子並非限制性的,並且因此本揭露內容的各種特點之範疇不應該是必然受限於所提供的例子之任何特定的特徵。在以下的討論中,該些措辭"例如"、"譬如"以及"範例的"並非限制性的,並且大致與"舉例且非限制性的"、"例如且非限制性的"、及類似者為同義的。
如同在此所利用的,"及/或"是表示在表列中藉由"及/或"所加入的項目中的任一個或多個。舉例而言,"x及/或y"是表示該三個元素的集合{(x)、(y)、(x, y)}中的任一元素。換言之,"x及/或y"是表示"x及y中的一或兩者"。作為另一例子的是,"x、y及/或z"是表示該七個元素的集合{(x)、(y)、(z)、(x, y)、(x, z)、(y, z)、(x, y, z)}中的任一元素。換言之,"x、y及/或z"是表示"x、y及z中的一或多個"。
在此所用的術語只是為了描述特定例子之目的而已,因而並不欲限制本揭露內容。如同在此所用的,單數形係欲亦包含複數形,除非上下文另有清楚相反的指出。進一步將會理解到的是,當該些術語"包括"、"包含"、"具有"、與類似者用在此說明書時,其係指明所述特點、整數、步驟、操作、元件及/或構件的存在,但是並不排除一或多個其它特點、整數、步驟、操作、元件、構件及/或其之群組的存在或是添加。
將會瞭解到的是,儘管該些術語第一、第二、等等可被使用在此以描述各種的元件,但是這些元件不應該受限於這些術語。這些術語只是被用來區別一元件與另一元件而已。因此,例如在以下論述的一第一元件、一第一構件或是一第一區段可被稱為一第二元件、一第二構件或是一第二區段,而不脫離本揭露內容的教示。類似地,各種例如是"上方"、"下方"、"側邊"與類似者的空間的術語可以用一種相對的方式而被用在區別一元件與另一元件。然而,應該瞭解的是構件可以用不同的方式加以定向,例如一半導體裝置可被轉向側邊,因而其"頂"表面是水平朝向的,並且其"側"表面是垂直朝向的,而不脫離本揭露內容的教示。
在圖式中,層、區域、及/或構件的厚度或尺寸可能為了清楚起見而被誇大。於是,此揭露內容的範疇不應該受限於此種厚度或尺寸。此外,在圖式中,相同的元件符號可以在整個討論中指稱相似的元件。
再者,應瞭解的是當一元件A被稱為"連接至"或是"耦接至"一元件B時,該元件A可以是直接連接至該元件B、或是間接連接至該元件B(例如,一介於中間的元件C(及/或其它元件)可被設置在該元件A與該元件B之間)。
應瞭解的是,儘管在此提出的例子主要是關於指紋感測器以及其之製造方法,但是此揭露內容的範疇並不限於此。例如,此揭露內容的各種特點係可輕易應用於其它形式的感測器(例如,血管感測器、溫度感測器、濕度感測器、影像感測器、一般的生物識別感測器、眼睛或視網膜感測器、語音感測器、材料偵測器、等等)。
此外,應瞭解的是,在此提出的例子並不限於任何特定類型的指紋感測(例如,一光學感測類型、一半導體感測類型、等等)。在一種涉及一半導體感測類型的指紋感測器的範例情節中,在此提出的各種例子並不限於任何特定類型的此種感測(例如,其係利用一溫度及/或壓力感測器、利用一電容感測器、等等)。再者,應瞭解的是,在此提出的例子可以應用到一種所謂的單次感測裝置或技術,其中整個指紋係一次被感測;以及應用到一種所謂的連續的感測裝置或技術,其中部分被掃描的指紋係持續地(或是連串地)被感測。
本揭露內容的各種特點係提供一種指紋感測器裝置(或封裝)、以及一種製造其之方法,其可以強化在該指紋感測器封裝中的一基板的一感測區域之平面性,藉此增進指紋辨識率並且改善產品品質。
根據本揭露內容的各種特點,一種指紋感測器裝置(或封裝)係被提出,例如其係包括:一基板、一連接至該基板的半導體晶粒、以及連接至該基板的互連結構(例如,導電球體、凸塊、柱、等等),其中該基板係包含一介電層,其係具有一第一表面以及一第二表面;複數個第一佈線圖案,其係被形成在該介電層的該第一表面上或是之中,並且和彼此間隔開;以及一第二介電(或是鈍化)層,其係覆蓋該介電層的該第一表面;其中該些第一佈線圖案係被嵌入在該介電層的該第一表面中,例如其係從該第一表面延伸至該介電層的內部。
根據本揭露內容的各種特點,一種製造一指紋感測器裝置(或封裝)或是其之一部分(例如,一基板、等等)之方法係被提出。該範例的方法例如可以包括製備一第一導電層;藉由圖案化該第一導電層以形成複數個和彼此間隔開的第一佈線圖案;形成一介電層以覆蓋該些第一佈線圖案;以及形成一第二介電層以覆蓋該些第一佈線圖案以及該介電層,其中該些第一佈線圖案係被嵌入在該介電層的該第一表面中。
本揭露內容的各種特點係提供一種指紋感測器裝置(或封裝)、以及製造其之方法,其係包括:一基板,其係包括一第一基板側面、一與該第一基板側面相反的第二基板側面、以及一延伸在該第一及第二基板側面之間的橫向的基板側面;一半導體晶粒,其係耦接至該第二基板側面;以及一導電的互連結構,其係耦接至該第二基板側面並且從該半導體晶粒橫向地偏移,其中該基板係包括:一第一介電層(DL),其係包括一背對該半導體晶粒的第一介電層側面以及一面向該半導體晶粒的第二介電層側面;一第一佈線圖案,其係內嵌在該第一介電層之內,並且具有一在該第一介電層的該第一側面被露出的第一側面;以及一第二介電層,其係覆蓋該第一介電層的該第一側面以及該第一佈線圖案的該第一側面。
本揭露內容的各種特點亦提供一種指紋感測器(或封裝)、以及製造其之方法,其係包括:一基板,其係包括一第一基板側面以及一與該第一基板側面相反的第二基板側面;一半導體晶粒,其係耦接至該第二基板側面;一導電的互連結構,其係耦接至該第二基板側面並且從該半導體晶粒橫向地偏移;以及一撓性的印刷電路(FPC),其係包括一耦接至該導電的互連結構的第一撓性的印刷電路側面以及一與該第一撓性的印刷電路側面相反的第二撓性的印刷電路側面,其中該基板係包括:一第一介電層(DL),其係包括一背對該半導體晶粒的第一介電層側面以及一與該第一介電層側面相反的第二介電層側面;一在該第一介電層側面的第一佈線圖案;以及一第二介電層,其係覆蓋該第一介電層側面以及該第一佈線圖案。
本揭露內容的各種特點亦提供一種指紋感測器(或封裝)、以及製造其之方法,其係包括一基板,其係包括:一第一介電層(DL),其係包括一第一介電層側面以及一與該第一介電層側面相反的第二介電層側面;一第一佈線圖案,其之至少一部分係被配置以感測一指紋,內嵌在該第一介電層側面之內,並且包括一在該第一介電層側面被露出的第一側面;一第二介電層,其係覆蓋該第一介電層的該第一側面以及該第一佈線圖案的該第一側面;以及一第二佈線圖案,其之至少一部分係被配置以用於在該第二介電層側面上附接至一半導體晶粒。
如同在此所述的,在一範例的指紋感測器封裝、以及一種製造其之範例的方法中,在該指紋感測器封裝中的一基板的一感測區域之平面性可被強化,藉此增進指紋辨識率並且改善產品品質。
本揭露內容的以上及其它的特點將會在以下的各種範例實施方式的說明中加以描述、或是從該說明來看是明顯的。本揭露內容的各種特點現在將會參考所附的圖式來加以呈現。
注意到的是,儘管在此提出的例子大致是在形成單一指紋感測器裝置的背景下加以呈現,但是此只是為了舉例說明的清楚起見而已。在一範例的實施方式中,複數個此種裝置可以用一種面板或晶圓的形式來加以形成,其中單粒化(singulate)是在製程中的適當時點加以執行,額外的製程可以在該單粒化之後,在單一裝置的層級下加以執行。
圖1是展示根據本揭露內容的各種特點的一種製造一感測器裝置(例如,一指紋感測器裝置)之範例的方法1000的流程圖。該範例的方法1000例如可以與任何在此論述的其它方法(例如,圖3的範例的方法3000、等等)共用任一個或是所有的特徵。圖2A-2I係展示描繪根據本揭露內容的各種特點的範例的感測器裝置以及製造一感測器裝置之範例的方法的橫截面圖。在圖2A-2I中所示的結構可以與在圖4A-4B中所示的類似結構、等等共用任一個或是所有的特徵。圖2A-2I例如可以描繪在圖1的範例的方法1000的各種階段(或區塊)之一範例的感測器裝置(例如,一指紋感測器裝置)。圖1及2A-2I現在將會一起加以論述。應注意到的是,該範例的方法1000的範例的區塊的順序可以變化,各種的區塊可被省略,且/或各種的區塊可以增加,而不脫離此揭露內容的範疇。
在高階的層級下,該範例的方法1000可包括形成一第一導電層(區塊1010)、形成一第一佈線圖案(區塊1020)、形成一第一介電層(區塊1030)、形成一貫孔(via)孔洞(區塊1040)、形成一導電貫孔以及一第二導電層(區塊1050)、形成一第二佈線圖案(區塊1060)、移除該載體(1070)、形成第二及第三介電層(區塊1080)、形成一塗層(區塊1090)以及執行額外的製程。
該範例的方法1000可以在區塊1005開始執行。該範例的方法1000可以響應於各種原因或狀況的任一種來開始執行,其之非限制性的例子係在此加以提供。例如,該範例的方法1000可以響應於從該範例的方法1000的另一區塊或是另一種方法(例如,圖3的範例的方法3000、或是其之任何區塊、等等)接收一製程流程來開始執行。同樣例如的是,該範例的方法1000可以響應於該方法1000所利用的材料的到達、響應於該方法1000所利用的製程或設備的可利用、等等來開始執行。此外,該範例的方法1000例如可以響應於一使用者及/或(例如,來自一製程控制器、安全系統、等等的)開始的自動化的命令來開始執行。一般而言,該範例的方法1000可以響應於各種原因或狀況的任一種來開始執行。於是,此揭露內容的範疇並不限於任何在此提出的特定例子的特徵。
該範例的方法1000可以在區塊1010包括(例如,在一載體上、等等)形成一第一導電層。區塊1010可包括用各種方式的任一種來形成一第一導電層,其之非限制性的例子係在此加以提供。
區塊1010例如可以包括在一載體(或是基底)(例如,一載體、一完全可拆卸的載體、一部分可拆卸的載體、等等)上形成一導電層。此種導電層例如可以是被形成在該載體的單一側面(或是主要的表面)上、或是在該載體的兩個側面(例如,相對的主要的表面)上。儘管並不需要在該載體的兩個側面上執行處理,但是在各種的範例實施方式中,製造效率或生產率可以藉由此種實施方式來加以獲得。在此呈現的許多圖示係展示一範例的雙側面的實施方式。在此種情形中,在此的說明大致將會只聚焦在一側面上,並且將會瞭解到的是,該說明亦適用第二側面。亦注意到的是,在此種情形中,該些操作(例如,層的形成、層的圖案化、等等)的任一個或是全部都可以同時在兩個側面上加以執行。
該載體可包括各種材料的任一種的一板(例如,一片、面板、晶圓、長方格、等等)。例如,該載體可包括玻璃、不銹鋼、半導體材料(例如,矽、等等)、在此提出的各種介電材料的任一種、等等。
該第一導電層可包括一或多層的各種材料(例如,銅、鋁、鎳、鐵、銀、金、鈦、鉻、鎢、鈀、其之組合、其之合金、其等同物、等等)的任一種,但是本揭露內容的範疇並不限於此。該第一導電層可以利用各種製程(例如,電解的電鍍、無電的電鍍、化學氣相沉積(CVD)、濺鍍或物理氣相沉積(PVD)、電漿氣相沉積、印刷、網版印刷、微影、等等)的任一種或是多種來加以形成或沉積(例如,在該載體上),但是本揭露內容的範疇並不限於此。注意到的是,在例如是包含電鍍的實施方式之各種的範例實施方式中,一晶種層可以在該電鍍製程之前先被形成在該載體上。
一展示區塊1010的各種特點的範例實施方式200A係被展示在圖2A。該範例實施方式200A(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括一載體10,而一導電層110'已經被施加在該載體10的頂端側面以及底部側面上。在該範例實施方式200A中,該範例的導電層110'的面對該載體10的表面是平面的,並且範例的導電層110'的背對該載體10的表面也是平面的。
一般而言,區塊1010可包括(例如,在一載體上、等等)形成一第一導電層。於是,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定類型的導電層、或是形成此種導電層的任何特定方式的特徵。
該範例的方法1000可以在區塊1020包括形成一第一佈線圖案。區塊1020可包括用各種方式的任一種來形成一第一佈線圖案,其之非限制性的例子係在此加以提供。
該第一佈線圖案可包括各種特徵的任一個。例如,該第一佈線圖案可以用一被配置以感測指紋的指紋感測圖案來加以形成、或是包括該指紋感測圖案。在一範例的實施方式中,該第一佈線圖案可以用一被用來捕捉一指紋的圖案來加以形成,其係藉由在一手指掃過該第一佈線圖案(或是置放在其之上)時感測各種電性特徵(例如,電容、電壓、電流、電阻、等等)中的一或多個來加以捕捉。例如,該第一佈線圖案可包括複數個藉由個別的間隙(或空間)間隔開之平行以及非平行的線路,其沿著個別的線路可以具有固定或是變化的寬度。例如,該第一佈線圖案可包括許多利用個別的介於中間的間隙來間隔開之相鄰的導電線路(或是墊或其它特點)。在此時點,此種間隙(或空間)可以是空的。
區塊1020例如可以包括藉由移除在區塊1010所形成的第一導電層的所選的部分來形成該第一佈線圖案。此種移除例如可以利用化學及/或機械式移除技術(例如,微影蝕刻、雷射或機械式剝蝕、等等)來加以執行。注意到的是,區塊1020及1010可以在其中該第一導電層原先就是被形成(例如,印刷或者是沉積)為具有該第一佈線圖案之範例實施方式中加以組合。
一展示區塊1020的各種特點的範例實施方式200B係被展示在圖2B。圖2B係展示該範例實施方式200B的橫截面圖(標示為200B-1)、以及該範例實施方式200B的平面圖(標示為200B-2)。該範例實施方式200B(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括一在該載體上的第一佈線圖案110。該第一佈線圖案110例如可以包括一面對及/或接觸該載體110的第一表面111、以及一與該第一表面111相反的背對該載體110的第二表面112。該第一佈線圖案110的第一表面111例如可以是平面的,並且平行於該載體10的第一佈線圖案110被形成在其上的表面。再者,該第一佈線圖案110的第二表面112例如可以是平面的,且/或平行於該第一表面111。
如同在該橫截面圖200B-1中所示,該佈線圖案110的相鄰的線路(或是其它圖案化的導電的特點、像是墊、接點(land)、等等)係藉由一間隙(或空間)110a來加以分開的。注意到的是,儘管該第一佈線圖案110的例如是界定該間隙110a的側壁係被展示為平坦且垂直的,但是此種配置不是必要的。例如,該第一佈線圖案的線路的側壁可以是凹面及/或凸面的(例如,其係根據該第一佈線圖案110被形成所用的方式(例如,蝕刻)而定)。
如同在該平面圖200B-2中所示,該範例的第一佈線圖案110係包括複數個導電的元件(例如,線路、墊、接點、等等)。例如,某些相鄰的線路是彼此平行的、某些相鄰的線路並非彼此平行的、某些相鄰的線路是彼此正交的、等等。
一般而言,區塊1020可包括形成一第一佈線圖案。於是,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定類型的佈線圖案(例如,一般的佈線圖案、感測器佈線圖案、指紋感測圖案、等等)、或是形成此種佈線圖案的任何特定方式的特徵。
該範例的方法1000可以在區塊1030包括形成一第一介電層。區塊1030可包括用各種方式的任一種來形成一第一介電層,其之非限制性的例子係在此加以提供。
該第一介電層例如可以覆蓋在區塊1020所形成的第一佈線圖案以及該第一佈線圖案被形成在其上的載體。例如,該第一介電層可以填入在該第一佈線圖案的線路(或部分)之間的間隙中。就如同該第一佈線圖案的一表面可以接觸該載體,該第一介電層的一表面因此可以接觸該載體。因此,此種表面可以是共面的。此種共面性例如可以強化感測的準確性、增進產品可靠度、等等。
填入在該第一佈線圖案的線路之間的間隙(或空間)的第一介電層(或是其之部分)亦覆蓋此種線路的側表面,其係提供保護給該第一佈線圖案。此外,填入該些間隙的第一介電層(或是其之部分)係提供在該第一佈線圖案的將與彼此電性隔離的部分之間可靠且一致的電性隔離。
該第一介電層可包括一或多層的各種介電材料的任一種,例如是無機介電材料(例如,Si 3N 4、SiO 2、SiON、SiN、氧化物、氮化物、其之組合、其等同物、等等)及/或有機介電材料(例如,一聚合物、聚醯亞胺(PI)、苯環丁烯(BCB)、聚苯並噁唑(PBO)、雙馬來醯亞胺三嗪(BT)、一模製材料、一苯酚樹脂、一環氧樹脂、聚矽氧烷、丙烯酸酯聚合物、其之組合、其等同物、等等),但是本揭露內容的範疇並不限於此。在一範例的實施方式中,該第一介電層可包括一種半固化的膜的模製材料、一種預浸料材料及/或一堆積的膜。
該第一介電層可以利用各種製程(例如,旋轉塗覆、噴霧塗覆、印刷、燒結、熱氧化、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、原子層沉積(ALD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、電漿氣相沉積(PVD)、片疊層、蒸鍍、等等)的任一種或是多種來加以形成,但是本揭露內容的範疇並不限於此。
一展示區塊1030的各種特點的範例實施方式200C係被展示在圖2C。該範例實施方式200C(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括一被形成在該第一佈線圖案110以及該載體10上的第一介電層120。
該範例的第一介電層120係覆蓋該第一佈線圖案110以及該載體10。例如,該第一介電層120係填入在該第一佈線圖案110的線路(或是部分或特點)之間的間隙110a中。就如同該第一佈線圖案110的一第一表面111接觸該載體10,該第一介電層120的一第一表面121係接觸該載體10。此種表面121及111因此可以是共面的。
填入在該第一佈線圖案110的線路(或是部分或特點)之間的間隙110a(或空間)的第一介電層120(或是其之部分)亦覆蓋此種線路的側表面,其係提供保護給該第一佈線圖案110。此外,填入該些間隙110a的第一介電層120(或是其之部分)係提供在該第一佈線圖案110的將與彼此電性隔離的部分之間可靠且一致的電性隔離。
該範例的第一介電層120係被展示為比該範例的第一佈線圖案110較厚的,並且因此覆蓋該第一佈線圖案110的第二表面112。因此,該第一佈線圖案110係延伸到該第一介電層120中,但是並未完全穿過該第一介電層120。以另一種方式觀之,該範例的第一佈線圖案110係被設置在該第一介電層120的溝槽(或凹槽)之內(或是內嵌在其中)。在另一範例的實施方式中,該第一介電層120可以具有和該第一佈線圖案110相同的厚度(例如,額外的介電層可被形成在該第一介電層120之上)。
一般而言,區塊1030可包括形成一第一介電層。於是,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定類型的介電層、或是形成一介電層的任何特定方式的特徵。
該範例的方法1000可以在區塊1040包括形成一貫孔孔洞。區塊1040可包括用各種方式的任一種來形成一貫孔孔洞,其之非限制性的例子係在此加以提供。
該貫孔孔洞例如可以從該第一介電層的第二表面延伸至該第一佈線圖案的第二表面(例如,延伸至該第一佈線圖案的一線路、墊、或是其它特點或部分)。該貫孔孔洞例如可以具有傾斜的側面、或是垂直的側面。如同在此將會見到的,一電連接可以透過該貫孔孔洞,而被形成在該第一介電層之上的一導體與該第一佈線圖案的藉由該貫孔孔洞而被露出的部分之間。
區塊1040可包括藉由剝蝕(例如,雷射剝蝕、機械式剝蝕或是鑽孔、等等)該貫孔孔洞、化學蝕刻該貫孔孔洞、等等來形成該貫孔孔洞。在另一範例的實施方式中,該第一介電層在區塊1030的形成以及該貫孔孔洞在區塊1040的形成可以被組合成為單一區塊。例如,該第一介電層可以是原先就被形成(例如,模製、印刷、沉積、等等)以具有該貫孔孔洞。
一展示區塊1040的各種特點的範例實施方式200D係被展示在圖2D。該範例實施方式200D(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括一貫孔孔洞120a,其係從該介電層120的第二表面122直接穿過該第一介電層120而延伸至該第一佈線圖案110的第二表面112。儘管該範例的貫孔孔洞120a係被展示為具有傾斜的側壁,但是此種側壁亦可以是垂直的。
注意到的是,儘管只有一貫孔孔洞被展示及論述,但是此係為了舉例說明的清楚起見。任意數量的此種貫孔孔洞都可被形成。
一般而言,區塊1040可包括形成一貫孔孔洞。於是,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定類型的貫孔孔洞、或是形成此種貫孔孔洞的任何特定方式的特徵。
該範例的方法1000可以在區塊1050包括形成一導電貫孔以及一第二導電層。區塊1050可包括用各種方式的任一種來形成一第一導電貫孔以及一第二導電層,其之非限制性的例子係在此加以提供。
在區塊1040所形成的貫孔孔洞例如可以是完全或是部分地填入導電材料。在一範例的實施方式中,該第一介電層的界定該貫孔孔洞的內表面可以被覆蓋一種導電材料,並且該第二導電層可被形成在該第一介電層的第二表面上。該第二導電層(及/或在區塊1060從其加以形成的第二佈線圖案)例如可以透過該導電貫孔來電連接至在區塊1020所形成的第一佈線圖案。
該導電貫孔及/或該第二導電層可包括一或多層的各種材料(例如,銅、鋁、鎳、鐵、銀、金、鈦、鉻、鎢、鈀、其之組合、其之合金、其等同物、等等)的任一種,但是本揭露內容的範疇並不限於此。再者,該導電貫孔例如可以包括一種焊料材料(例如,錫、銀、銻、銅、鎳、鉛、其之組合、其之合金、其等同物、等等)。儘管該導電貫孔及/或該第二導電層在此係被呈現為從一種相同的材料而被形成,但它們可以是由不同的個別的材料所形成的。例如,該導電貫孔可以是由一種焊料材料所形成的,並且該第二導電層可以是由電鍍的銅所形成的。注意到的是,該導電貫孔及/或第二導電層可以是由一種和該第一導電層的材料相同的材料所形成的。
該導電貫孔及/或該第二導電層可以利用各種製程(例如,電解的電鍍、無電的電鍍、化學氣相沉積(CVD)、濺鍍或物理氣相沉積(PVD)、電漿氣相沉積、印刷、網版印刷、微影、等等)的任一種或是多種來加以形成或沉積(例如,在該載體上),但是本揭露內容的範疇並不限於此。注意到的是,在各種的範例實施方式中,例如是一種包含電鍍的實施方式,一晶種層可以在該電鍍製程之前,被形成在該貫孔孔洞中及/或在該第一介電層的第二表面上。再者,該導電貫孔例如可以利用一焊料回焊製程來加以形成。儘管該導電貫孔及/或該第二導電層在此係被呈現為在一相同的製程中加以形成,但是它們可以在不同的個別的製程中加以形成。例如,該導電貫孔可以藉由回焊焊料來加以形成,並且該第二導電層可以藉由電鍍金屬來加以形成。注意到的是,該導電貫孔及/或第二導電層可以利用一和在區塊1010被用來形成該第一導電層相同類型的製程來加以形成。
一展示區塊1050的各種特點的範例實施方式200E係被展示在圖2E。該範例實施方式200E(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括一被形成在該貫孔孔洞120a中的導電貫孔135、以及一被形成在該導電貫孔135上以及在該第一介電層120的第二表面122上的第二導電層130'。該導電貫孔135係延伸在該第二導電層130'與該第一佈線圖案110的第二表面112之間,因此其係提供一在該第一佈線圖案110與該第二導電層130'(或是在區塊1060從其所形成的第二佈線圖案)之間的電連接。儘管該導電貫孔135係被展示完全地填充該貫孔孔洞l20a,但是此種完全的填充不是必要的。注意到的是,儘管在此展示及論述的例子只展示兩個藉由一導電貫孔電連接的導電層,但是此種例子是為了舉例說明的清楚起見。注意到的是,任意數量的導電層及介電層都可被形成,並且儘管單一貫孔可以直接穿過此種層的任一個或是全部來延伸,但是此並不需要是如此的。
注意到的是,相對於該範例的第一佈線圖案110,該範例的第二導電層130'並未內嵌在該第一介電層120中。而是,該第二導電層130'係被形成在該第一介電層120的第二表面122上。在另一範例的實施方式中,溝槽(或凹槽)可被形成在該第一介電層120中,並且該第二導電層130'可以至少部分地被形成在此種溝槽中。例如,該些溝槽可被形成以匹配在此論述之所要的第二佈線圖案。
一般而言,區塊1050可包括形成一導電貫孔以及一第二導電層。於是,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定類型的導電層、或是形成此種導電層的任何特定方式的特徵。
該範例的方法1000可以在區塊1060包括形成一第二佈線圖案。區塊1060可包括用各種方式的任一種來形成一第二佈線圖案,其之非限制性的例子係在此加以提供。
該第二佈線圖案可包括各種特徵的任一個。例如,在一範例的實施方式中,該第二佈線圖案的一第一部分可包括導電的結構(例如,墊、接點、線路、等等),其係被配置(例如,製作尺寸、間隔開、等等)以用於連接至一或多個電子構件(例如,半導體晶粒、等等)。該第二佈線圖案的一第二部分可包括導電的結構(例如,墊、接點、線路、等等),其係被配置(例如,製作尺寸、間隔開、等等)以用於連接至一或多個導電的互連結構(例如,導電球體或凸塊、焊料球體或凸塊、金屬柱或柱體、引線、等等)。
在一範例的實施方式中,該第二佈線圖案的線路或部分(或是如同在此論述的其它導電的特點)的一第一部分係透過穿過該第一介電層之(例如,如同在區塊1050所形成的)個別的導電貫孔來電連接至(例如,如同在區塊1020所形成的)該第一佈線圖案之個別的線路或圖案(或是其它導電的特點)。例如,一(例如是稍後附接的)電子裝置的一輸入及/或輸出信號線可以連接至該第二佈線圖案,並且因此亦透過一導電貫孔來電連接至該第一佈線圖案的一線路或圖案。在一範例的實施方式中,該第一佈線圖案110的每一個電性隔離的線路或圖案都可以透過至少一個別的貫孔來電耦接至該第二佈線圖案的一個別的線路或圖案。
在一範例的實施方式中,該第二佈線圖案的線路或圖案的一第二部分例如可以是信號分布線,其係將被配置以用於電子構件附接之導電的結構(例如,墊、等等)中的某些個電連接至被配置以用於該些導電的互連結構之導電的結構。例如,一(例如是稍後附接的)電子裝置的一輸入及/或輸出信號線可以連接至該第二佈線圖案,並且因此亦電連接至一(例如是稍後附接的)導電的互連結構,例如是一導電球體或凸塊、等等。
如同該第一佈線圖案,該第二佈線圖案可包括複數個藉由個別的間隙(或空間)間隔開之平行以及非平行的線路,其沿著個別的線路的寬度可以是固定或是變化的。例如,該第二佈線圖案可包括許多利用個別的介於中間的間隙來間隔開之相鄰的導電線路(或是墊或其它特點)。在此時點,此種間隙(或空間)可以是空的。
區塊1060例如可以包括藉由移除在區塊1050所形成的第二導電層的所選的部分來形成該第二佈線圖案。此種移除例如可以利用化學及/或機械式移除技術(例如,微影蝕刻、雷射或機械式剝蝕、等等)來加以執行。注意到的是,在其中該第二導電層原先就被形成(例如,印刷或者是沉積)為具有該第二佈線圖案之範例實施方式中,區塊1060及1050可加以組合。區塊1060例如可以是用一種和區塊1020相同的方式來加以執行。
一展示區塊1060的各種特點的範例實施方式200F係被展示在圖2F。該範例實施方式200F(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括一在該第一介電層120的第二表面122上的第二佈線圖案130。該第二佈線圖案130例如可以包括一面對且/或接觸該第一介電層120的第一表面131、以及一與該第一表面131相反的背對該第一介電層120的第二表面132。該第二佈線圖案130例如可以從該第一介電層120的第二表面122向外延伸。例如,並非是如同該第一佈線圖案110被內嵌在該第一介電層120中,該第二佈線圖案130可以不延伸到該第一介電層120中。
該第二佈線圖案130的第一表面131例如可以是平面的,並且平行於第一介電層120的該第二佈線圖案130被形成在其上的第二表面122。再者,該第二佈線圖案130的第二表面132例如可以是平面的,且/或平行於該第一表面131。
如同在圖2F的橫截面圖中所示,相鄰的線路(或是其它圖案化的導電的特點,像是墊、接點、等等)係藉由一間隙(或空間)130a分開的。注意到的是,儘管該第二佈線圖案130的例如是界定該間隙130a的側壁被展示為平坦且垂直的,但此種配置不是必要的。例如,該第二佈線圖案的線路的側壁可以是凹面及/或凸面的(例如,其係根據該第二佈線圖案130被形成所用的方式(例如,蝕刻)而定)。
一般而言,區塊1060可包括形成一第二佈線圖案。於是,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定類型的佈線圖案、或是形成一佈線圖案的任何特定方式的特徵。
該範例的方法1000可以在區塊1070包括移除該載體。區塊1070可包括用各種方式的任一種來移除該載體,其之非限制性的例子係在此加以提供。
例如,區塊1070可包括從至此所形成的組件,將該載體拉開、剝離、或是剪切。再者,例如,區塊1070可包括施加熱以移除一熱可釋放的載體。此外,例如在一其中該組件只被形成在該載體的一側面上(或是其中一第二組件已經從該載體的一第二側面被移除)的情節中,區塊1070可包括機械式地研磨及/或化學蝕刻該載體。再者,例如,區塊1070可包括溶解該載體。
一展示區塊1070的各種特點的範例實施方式200G係被展示在圖2G。相較於該範例實施方式200F,該範例實施方式200G(或是組件、子組件、封裝、等等)係代表其中該載體10被移除下的實施方式200F的頂端部分。例如,包含兩個基板組件(例如,一在該載體10之上,並且一在該載體10之下)的形成之範例實施方式200F係產生兩個在圖2G中所示的範例實施方式200G。
一般而言,區塊1070可包括移除該載體。於是,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定類型的載體、或是形成一載體的任何特定方式的特徵。
該範例的方法1000可以在區塊1080包括形成第二及/或第三介電層。區塊1080可包括用各種方式的任一種來形成第二及/或第三介電層,其之非限制性的例子係在此加以提供。
該第二介電層(其亦可被稱為一鈍化層)例如可以覆蓋(及保護)該第一佈線圖案。例如,該第二介電層可被形成在該第一佈線圖案的第一表面以及該第一介電層的第一表面上。例如,如同在此所解說的,在一範例的實施方式中,該第一佈線圖案的第一表面可以是與該第一介電層的第一表面共平面的。在此種範例實施方式中,該第二介電層的一面對且覆蓋該第一佈線圖案以及該第一介電層的表面亦可以是平面的,並且平行於該第一佈線圖案的第一表面,而且平行於該第一介電層的第一表面。該第二介電層的第二表面例如可以是平面的,並且平行於該第二介電層的第一表面,而且和該第二介電層的第一表面分開一大致固定的厚度。
該第三介電層(其亦可被稱為一鈍化層)例如可以覆蓋(及保護)該第二佈線圖案(或是其之一部分)。例如,該第三介電層可被形成在該第一介電層的第二表面上、以及至少在該第二佈線圖案的線路(或是其它導電的特點)之間的間隙(或空間)中。在一範例的實施方式中,該第二佈線圖案的第二表面可以從該第三介電層被露出(或是未被其所覆蓋)。例如,該第三介電層的一面對該第一介電層的第二表面的表面可以是大致平面的,而且平行於該第一介電層的第二表面,並且該第二佈線圖案的第二表面以及該第三介電層的一背對該第一介電層的表面可以是共面的。在另一範例的實施方式中,該第三介電層亦可以覆蓋該第二佈線圖案的第二表面的至少一部分(例如,其包含該第二佈線圖案可被接達所透過的孔)。例如,該第三介電層可被形成以僅露出該第二佈線圖案的一部分(例如,額外的連接係被做成連接至該部分)。該第三介電層的第二表面例如可以是平面的,並且平行於該第三介電層的第一表面而且和該第三介電層的第一表面分開一大致固定的厚度。該第二及第三介電層可以是一相同的厚度,但是此並不需要是如此的。
填入在該第二佈線圖案的線路之間的間隙(或空間)的第三介電層(或是其之部分)亦覆蓋此種線路的側表面,其係提供保護給該第二佈線圖案。此外,填入此種間隙的第三介電層(或是其之部分)係在該第二佈線圖案的將與彼此電性隔離的部分(及/或最終可能附接至其的構件)之間提供可靠且一致的電性隔離。
該第二及/或第三介電層可包括一或多層的各種介電材料的任一種,例如是無機介電材料(例如,Si 3N 4、SiO 2、SiON、SiN、氧化物、氮化物、其之組合、其等同物、等等)及/或有機介電材料(例如,聚合物、聚醯亞胺(PI)、苯環丁烯(BCB)、聚苯並噁唑(PBO)、雙馬來醯亞胺三嗪(BT)、模製材料、苯酚樹脂、環氧樹脂、聚矽氧烷、丙烯酸酯聚合物、其之組合、其等同物、等等),但是本揭露內容的範疇並不限於此。在一範例的實施方式中,該第二及/或第三介電層分別可以包括一種半固化的膜的模製材料、一種預浸料材料及/或一堆積的膜。該第二及/或第三介電層例如可以是由一相同的材料所形成的,但亦可以是由不同的個別的材料所形成的。例如,該第二介電層可被選擇以最佳化一般的平坦度及薄度及/或往返該第一佈線圖案以及一手指的信號發送,並且該第三介電層可被選擇以最佳化間隙填充及/或穩定性。注意到的是,該第二及/或第三介電層的任一個可以是由一種和該第一介電層相同的材料所形成的、或者可以是由不同的材料所形成的。
該第二及/或第三介電層可以利用各種製程(例如,旋轉塗覆、噴霧塗覆、印刷、燒結、熱氧化、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、原子層沉積(ALD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、電漿氣相沉積(PVD)、片疊層、蒸鍍、等等)的任一種或是多種來加以形成,但是本揭露內容的範疇並不限於此。該第二及/或第三介電層例如可以是利用一相同的製程而被形成,但是亦可以利用不同的個別的製程而被形成。例如,該第二介電層可以利用一被最佳化以達成一般的平坦度與薄度及/或往返該第一佈線圖案以及一手指的信號發送的製程而被形成,並且該第三介電層可以利用一被最佳化以用於間隙填充及/或穩定性的製程而被形成。注意到的是,該第二及/或第三介電層的任一個都可以利用一和該第一介電層相同的製程而被形成、或是可以利用一不同的製程而被形成。
一展示區塊1080的各種特點的範例實施方式200H係被展示在圖2H。注意到的是,該範例實施方式200H係相對於該範例實施方式200G而加以顛倒。該範例實施方式200H(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括一第二介電層140a,其係在該第一佈線圖案110的第一表面111上(並且覆蓋之),並且在該第一介電層120的第一表面121上(並且覆蓋之)。該範例實施方式200H亦包括一第三介電層140b,其係被形成在該第二佈線圖案130的線路(或是其它特點)之間的間隙中。該第三介電層140b係具有一大致與該第二佈線圖案130的第二表面132共平面的外表面以及一面對該第一介電層130的第二表面122的內表面,其係大致平面的並且平行於該第一介電層130的第二表面122。儘管未被展示,該第二佈線圖案130的某些部分可以被該第三介電層140b所覆蓋,例如其係包含特定的線路部分(例如,墊、接點、等等)可被接達(例如,用於和電子構件、互連結構、等等連接)所透過的孔。
一般而言,區塊1080可包括形成第二及/或第三介電層。於是,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定類型的介電層、或是形成一介電層的任何特定方式的特徵。
該範例的方法1000可以在區塊1090包括形成一塗層。區塊1090可包括用各種方式的任一種來形成一塗層,其之非限制性的例子係在此加以提供。
該塗層例如可以被形成以覆蓋在區塊1080所形成的第二介電層。在一種其中該第二介電層並未被形成的範例情節中,該塗層可以直接被形成在該第一佈線圖案以及該第一介電層的第一表面上。例如,該第二介電層的形成可被跳過。該塗層例如可以包括內部及/或外部的平的表面。例如,被形成在該第二介電層上的塗層的表面可以是平面的,並且該塗層的被露出至外部而且可以接觸一正被感測的手指的表面亦可以是平面的。
在一範例的指紋感測器實施方式中,該塗層的外表面是做成手指接觸所利用的表面。例如,該塗層的外表面係被露出至該指紋感測器裝置(或是其之基板)的外部。該塗層例如可以保護該整個組件,以與手指接觸以及外部的環境隔開。
該塗層可包括各種材料的任一種。例如,該塗層可包括一種硬塗層液體。該塗層例如可以包括一丙烯酸樹脂、環氧樹脂、矽樹脂、紫外線(UV)固化樹脂、聚氨酯樹脂、聚合的樹脂、光可聚合的樹脂、以及高分子量的聚合物的任一種或是多種,但是本發明的特點並不限於此。在一範例的實施方式中,該塗層亦可包括一玻璃或晶體板、一顯示器螢幕、等等。
該塗層可以利用各種製程(例如,旋轉塗覆、噴霧塗覆、印刷、燒結、熱氧化、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、原子層沉積(ALD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、電漿氣相沉積(PVD)、片疊層、蒸鍍、等等)的任一種或是多種而被形成,但是本揭露內容的範疇並不限於此。在一範例的實施方式中,該塗層可以藉由將該組件附接(例如,附著)至一玻璃或晶體板、一顯示器螢幕、等等來加以形成。
一展示區塊1090的各種特點的範例實施方式200I係被展示在圖2I。該範例實施方式200I(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括一被形成在該第二介電層140a上(並且覆蓋之)的塗層150。
一般而言,區塊1090可包括形成一塗層。於是,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定類型的塗層、或是形成此種塗層的任何特定方式的特徵。
若必要的話,該範例的方法1000可以在區塊1095包括繼續該製造(或是處理)。區塊1095可包括用各種方法的任一種來繼續該製造,其之非限制性的例子係在此加以提供。
例如,區塊1095可包括執行各種額外的處理步驟的任一種。例如,區塊1095可包括執行額外的基板處理步驟、安裝電子構件至該基板、附接裝置互連結構至該基板、囊封、覆蓋、一般的封裝、測試、標記、搬運、等等。同樣例如的是,區塊1095可包括導引該範例的方法1000的執行流程至該範例的方法1000的任何先前的步驟。此外,區塊1095例如可包括導引該範例的方法1000的執行流程至任何其它在此揭露的方法(例如,圖3的範例的方法3000、或是其之任何部分、等等)。再者,區塊1095例如可包括導引該範例的方法1000的執行流程至任何在此並未被揭露的方法、或是其之部分。
一般而言,若必要的話,區塊1095可包括繼續該製造(或處理)。因此,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定的方式或類型的繼續的製造(或處理)的特徵。
圖3係展示根據本揭露內容的各種特點的一種製造一感測器裝置(例如,一指紋感測器裝置)之範例的方法的流程圖。該範例的方法3000例如可以與任何在此論述的其它方法(例如,圖1的範例的方法1000、等等)共用任一個或是所有的特徵。圖4A-4B係展示描繪根據本揭露內容的各種特點的範例的電子裝置以及製造一電子裝置之範例的方法的橫截面圖。在圖4A-4B中所展示的結構可以與在圖2A-2I中所示的類似的結構、等等共用任一個或是所有的特徵。圖4A-4B例如可以描繪在圖3的範例的方法3000的各種階段(或是區塊)之一範例的電子裝置。圖3以及4A-4B現在將會一起加以論述。應注意到的是,該範例的方法3000的範例的區塊的順序可以變化,各種的區塊可被省略,且/或各種的區塊可以增加,而不脫離此揭露內容的範疇。
該範例的方法3000可以在區塊3005開始執行。該範例的方法3000可以響應於各種原因或狀況的任一種來開始執行,其之非限制性的例子係在此加以提供。例如,該範例的方法3000可以響應於從另一種方法(例如,圖1的範例的方法1000、或是其之任何區塊、一種不同於那些在此所揭露的方法、等等)接收一製程流程來開始執行。同樣例如的是,該範例的方法3000可以響應於從該範例的方法3000的其它區塊(或是其之部分)的任一個接收方法流程來開始執行。同樣例如的是,該範例的方法3000可以響應於該方法3000所利用的材料的到達、響應於該方法3000所利用的製程或設備的可利用、等等來開始執行。此外,該範例的方法3000例如可以響應於一使用者及/或(例如,來自一製程控制器、安全系統、等等的)開始的自動化的命令來開始執行。一般而言,該範例的方法3000可以響應於各種原因或狀況的任一種來開始執行。於是,此揭露內容的範疇並不限於任何在此提出的特定例子的特徵。
該範例的方法3000可以在區塊3010包括安裝一或多個電子構件至一基板,例如是一與藉由圖1的方法1000所形成並且在此論述的基板100確切相同或類似的基板。區塊3010可包括用各種方式的任一種來安裝該一或多個電子構件,其之非限制性的例子係在此加以提供。
該一或多個電子構件例如可以包括一半導體晶粒。此種晶粒例如可以包括一感測器控制器或是處理器晶粒。該晶粒例如可以包括一微處理器、微控制器、一般用途的處理器、特殊應用積體電路、可程式化及/或離散的邏輯裝置、記憶體裝置、其之組合、其之等同物、等等。再者,該一或多個電子構件例如可以包括一或多個被動電子裝置(例如,電阻器、電容器、電感器、等等)。
區塊3010可包括利用各種互連結構(例如,導電球體或凸塊、焊料球體或凸塊、金屬柱或柱體、銅柱或柱體、焊料封頂的柱或柱體、焊料膏、導電的黏著劑、等等)的任一種以將該電子構件安裝至該基板。區塊3010可包括利用各種接合技術(例如,熱壓接合、質量回焊、黏著的附接、等等)的任一種來安裝該電子構件至該基板。
區塊3010例如可以包括在該被安裝的電子構件與該基板之間形成一底膠填充(underfill)。該底膠填充可包括各種類型的材料的任一種,例如是一環氧樹脂、一種熱塑性材料、一種熱可固化材料、聚醯亞胺、聚氨酯、一種聚合的材料、填充的環氧樹脂、一種填充的熱塑性材料、一種填充的熱可固化材料、填充的聚醯亞胺、填充的聚氨酯、一種填充的聚合的材料、一助焊的底膠填充、以及其等同物,但是並不受限於其。該底膠填充可以用各種方式(例如,毛細管底膠填充、一液體或膏或膜之預先施加的底膠填充、模製的底膠填充、等等)的任一種來加以形成。此種底膠填充可包括各種特徵(例如,毛細管底膠填充、預先施加的底膠填充、模製的底膠填充、等等)的任一種。
一展示區塊3010的各種特點的範例實施方式400A係被展示在圖4A。該範例實施方式400A(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括一基板100、一半導體晶粒210、互連結構220、一底膠填充230、以及互連結構240。該基板100例如可以包括藉由在此關於圖1及2A-2I所論述的範例的方法1000所形成的基板之任一個或是所有特徵。儘管該範例的基板100將會被論述為藉由該範例的方法1000所形成的基板100,但是此揭露內容的範疇並不限於此。
該範例的半導體晶粒210係被安裝在該基板100的第二側面100b上。例如,該半導體晶粒210係利用該互連結構220(例如,導電的凸塊或球體、導電柱或柱體、等等),而被連接至該基板100的第二佈線圖案130之露出的部分(例如,連接至露出的線路、墊、接點、等等)。該互連結構220係電性且機械式地連接該半導體晶粒210至該基板100。注意到的是,在一替代的實施方式中,該晶粒210的背側面可被接合至該基板,並且其之前側面的墊可以利用接合的線來連接至該第二佈線圖案。
該底膠填充230係填入在該半導體晶粒210與該基板100的一相鄰該半導體晶粒210的區域之間的一容積內。該底膠填充230係強化在該基板100與該半導體晶粒210之間的物理/機械的耦接力,並且避免或禁止該基板100以及半導體晶粒210例如是因為在該基板100與該半導體晶粒210之間的熱膨脹係數上的差異所施加的應力、因為可能由於該指紋感測器裝置與一手指或是該指紋感測器裝置被安裝在其中的一消費者電子裝置的外部的機箱之接觸所施加的應力、等等,而彼此分開。
一般而言,區塊3010可包括安裝一或多個電子構件。因此,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定的電子構件、或是安裝一電子構件的任何特定方式的特徵。
該範例的方法3000可以在區塊3020包括在該基板上形成導電的互連結構。區塊3020可包括用各種方式的任一種來形成該些互連結構,其之非限制性的例子係在此加以提供。
該些互連結構例如可以是被形成在該基板的第二側面上(例如,在電子構件於區塊3010所附接到的基板的相同的側面上)。該互連結構例如可以包括導電球體或凸塊、焊料球體或凸塊、金屬或銅核心球體或凸塊、金屬柱或柱體、銅柱或柱體、線、等等,但是此揭露內容的範疇並不限於此。該互連結構例如可以是藉由球式滴落、凸塊接合、電鍍、上漿及回焊、印刷、引線接合、等等而被形成,但是此揭露內容的範疇並不限於此。
該些互連結構例如可以具有一比在區塊3010附接的電子構件高的輪廓。例如,在一範例的實施方式中,該些互連結構可以是足夠高的,使得另一附接至其的構件(例如,電子封裝、基板、印刷電路板、撓性的印刷電路、等等)將不會影響到在相同的側面附接至該基板的電子構件。在另一範例的實施方式中,該些互連結構可以具有一比在區塊3010附接的電子構件中的至少某些個(若非全部的話)矮的輪廓。
一展示區塊3020的各種特點的範例實施方式400A係被展示在圖4A。該範例實施方式400A(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括附接至該基板100的第二側面100b的互連結構240(例如,導電球體、等等)。例如,該些互連結構240可以附接至該基板100的第二佈線圖案130的露出的部分(例如,墊、線路、接點、等等)。
一般而言,區塊3020可包括形成導電的互連結構。因此,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定類型的導電的互連結構、或是形成一導電的互連結構的任何特定方式的特徵。
該範例的方法3000可以在區塊3030包括從複數個連接的裝置單粒化一裝置(例如,一指紋感測器裝置)。區塊3030可包括用各種方式的任一種來執行該單粒化,其之非限制性的例子係在此加以提供。
在此論述的操作的任一個或是全部(例如,該範例的方法1000的任一個或是所有的區塊、區塊3010、區塊3020、等等)都可以在晶圓或面板層級下加以執行。在一種其中情形是如此的範例情節中,單粒化(或切割)可加以執行。例如,區塊3010可包括切割一晶圓的基板100、切割一面板的基板100、等等。此種單粒化例如可以藉由機械式鋸開或切割、雷射切割、等等來加以執行。
一展示區塊3030的各種特點的範例實施方式400A係被展示在圖4A。該範例實施方式400A(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括單一的基板100。
一般而言,區塊3030可包括單粒化一裝置。因此,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定方式的單粒化的特徵。
該範例的方法3000可以在區塊3040包括附接一撓性的印刷電路(FPC)。區塊3040可包括用各種方式的任一種來附接該撓性的印刷電路,其之非限制性的例子係在此加以提供。
該撓性的印刷電路例如可以是附接在區塊3010所安裝的電子構件中的一或多個之上(例如,其係完全或是部分地覆蓋之),並且連接至在區塊3020所形成的互連結構的至少一部分。例如,在一範例的實施方式中,在區塊3020所形成的互連結構可以圍繞在區塊3010所安裝的電子構件(例如,圍繞在兩個、三個、或是四個側面上)。在此範例實施方式中,該撓性的印刷電路可以在區塊3040被設置以部分或是完全地覆蓋該電子構件。在另一範例的實施方式中,例如是其中在區塊3020所形成的互連結構只有在區塊3010所安裝的電子構件的一側面處,該撓性的印刷電路亦可以覆蓋該電子構件,但是可以完全不覆蓋該構件。
例如,該撓性的印刷電路係提供在該電子裝置的一或多個電子構件與一外部的裝置(例如,一主機板、等等)之間的電連接性。例如,在一種其中在區塊3010所附接的電子構件包括一感測器控制器或處理器之範例的實施方式中,該撓性的印刷電路係提供在此種感測器控制器或處理器與一在該感測器裝置(或封裝)的外部的電子裝置之間的電連接性。
該撓性的印刷電路可包括各種材料,例如是一或多個撓性的導電及介電層(例如,聚醯亞胺膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚醚酮(PEEK)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚醯亞胺(PEI)、等等)的任一種的一分層式結構。
區塊3040例如可以包括藉由將該撓性的印刷電路焊接至在區塊3020所形成的互連結構(例如,利用一熱壓或墊、質量回焊、雷射焊接、等等)來附接該撓性的印刷電路。同樣例如的是,區塊3040可包括利用一導電的環氧樹脂來將該撓性的印刷電路附接至該互連結構。
注意到的是,該撓性的印刷電路僅僅是一例子而已,並且各種構件的任一種都可被安裝至在區塊3020所形成的互連結構,以取代該撓性的印刷電路、或是做為該撓性的印刷電路之外者。例如,其它的電子構件封裝、撓性及/或剛性的印刷電路、導線或電纜線、帶狀電纜線、基板、封裝基板、印刷的導線板、等等亦可加以附接。
一展示區塊3040的各種特點的範例實施方式400B係被展示在圖4B。該範例實施方式400B(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括一附接至該些互連結構之撓性的印刷電路(FPC)310。該撓性的印刷電路 310例如可以被視為是從圖4B的頁面延伸出來的。
一般而言,區塊3040可包括附接一撓性的印刷電路(FPC)。因此,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定的撓性的印刷電路或是替代的附接結構的特徵、或是受限於附接其之任何特定的方式的特徵。
該範例的方法3000可以在區塊3050包括囊封該電子裝置。區塊3050可包括用各種方式的任一種來執行該囊封,其之非限制性的例子係在此加以提供。
該囊封材料例如可以覆蓋該基板、在區塊3010所安裝的電子構件、在區塊3020所形成的互連結構3020、及/或在區塊3040所附接的撓性的印刷電路的任一個或是全部。
該囊封材料可包括各種囊封或模製材料(例如,樹脂、矽樹脂、環氧樹脂、聚合物、聚合物複合材料(例如,具有填充物的環氧樹脂、具有填充物的環氧丙烯酸酯、或是具有填充物的聚合物、在此提出的介電材料的任一種)、等等的任一種。該囊封材料可以用各種方式的任一種來加以形成(例如,壓縮模製、轉移模製、液體囊封材料模製、真空疊層、膏印刷、膜輔助的模製、等等)。
一展示區塊3050的各種特點的範例實施方式400B係被展示在圖4B。該範例實施方式400B(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括一囊封材料330,其係覆蓋該基板100(例如,其之一第二側面100b)、半導體晶粒210、底膠填充230、互連結構240、撓性的印刷電路310、等等。該囊封材料330例如可以覆蓋該撓性的印刷電路310的上表面、下表面以及側表面。該基板100的第一側面100a(例如,該塗層150被形成所在之處)係如同該基板100的橫向的側面地並沒有該囊封材料。例如,該基板100的包含該塗層150之橫向的側面以及該囊封材料330可以是共面的。
如同在此所解說的,該底膠填充230可包括一模製的底膠填充。在此種範例實施方式中,該囊封材料330可以取代在圖4B中的底膠填充230。
一般而言,區塊3050可包括囊封該電子裝置。因此,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定的囊封材料及/或執行囊封的任何特定方式的特徵。
該範例的方法3000可以在區塊3060包括容置(或覆蓋)該電子裝置。區塊3060可包括用各種方式的任一種來執行該容置(或覆蓋),其之非限制性的例子係在此加以提供。
該殼體例如可以覆蓋該電子裝置的橫向的側面、以及該電子裝置的一與被利用於感測的第一佈線圖案相反的側面。例如,在此論述的塗層可以從該殼體被露出,以致能手指與該塗層的接觸。該殼體可包括各種材料(例如,塑膠、金屬、等等)的任一種。該殼體例如可以是黏著至在區塊3060所形成的囊封材料。
注意到的是,在一範例的實施方式中,一覆蓋(或殼體)可以不被利用,例如其係依賴在區塊3050所形成的囊封材料來保護該電子裝置。
一展示區塊3060的各種特點的範例實施方式400B係被展示在圖4B。該範例實施方式400B(或是組件、子組件、封裝、等等)係包括一上方的殼體部分320b以及一耦接至該囊封材料330之下方的殼體部分320a。該範例的上方的殼體部分320b(或是其之一端)亦附接至且/或覆蓋該基板100的包含該塗層150的橫向的側面。該範例的上方的殼體部分320b例如是在一手指被預期或是可能接觸到的一端亦形成斜面的。在該範例實施方式400B中,該裝置的五個側面大致可以藉由該殼體320a及320b而受到保護,並且一第六側面大致可以藉由該塗層150而受到保護。
一般而言,區塊3060可包括容置(或覆蓋)該電子裝置。因此,此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定的容置及/或任何特定的容置方式的特徵。
若必要的話,該範例的方法3000可以在區塊3095包括繼續該製造(或處理)。區塊3095可包括用各種方法的任一種來繼續該製造,其之非限制性的例子係在此加以提供。
例如,區塊3095可包括執行各種額外的製造或處理步驟的任一個。例如,區塊3095可包括執行額外的封裝處理步驟、附接該封裝至另一封裝或基板、測試、標記、搬運、等等。例如,區塊3095可包括將該裝置納入到一消費者產品(例如,一智慧型手機、一智慧型手機的一按鈕、一智慧型手錶、可攜式電腦、保全系統、等等)中。
同樣例如的是,區塊3095可包括導引該範例的方法3000的執行流程至該範例的方法3000的任一先前的步驟。同樣例如的是,區塊3095可包括導引該範例的方法3000的執行流程至任何其它在此揭露的方法(例如,圖1的範例的方法1000、或是其之任何部分、等等)。此外,區塊3095例如可包括導引該範例的方法3000的執行流程至任何並未在此揭露的方法、或是其之部分。
一般而言,區塊3095可包括繼續該製造(或處理)。因此。此揭露內容的範疇不應該受限於任何特定的方式或類型的繼續的製造(或處理)的特徵。
在此的討論係包含許多舉例說明的圖,其係展示一種電子裝置(例如,一感測器裝置)以及製造其之方法的各種部分。為了舉例說明的清楚起見,此種圖並未展示每一個範例的組件的所有特點。在此提出的範例的組件及/或方法的任一個都可以與在此提出的其它組件及/或方法的任一個或全部共用任一個或是所有的特徵。例如且非限制性的,關於圖1及2所展示及論述的範例的組件及/或方法的任一個或是其之部分都可以被納入到關於圖3及4所論述的範例的組件及/或方法的任一個中。類似地,關於圖3及4所展示及論述的組件及/或方法的任一個都可以被納入到關於圖1及2所展示及論述的組件及/或方法中。
總之,此揭露內容的特點係提供一種電子裝置(例如,一指紋感測器裝置)以及一種製造其之方法。如同非限制性的例子,此揭露內容的各種特點係提供各種的指紋感測器裝置以及製造其之方法,其係包括一基板,該基板係包括一介電層以及一內嵌在該介電層中並且從該介電層露出的佈線圖案。儘管先前的內容已經參考某些特點及例子來加以敘述,但是將會被熟習此項技術者理解到可以做成各種的改變,並且等同物可加以取代,而不脫離本揭露內容的範疇。此外,可以做成許多修改以將一特定的情況或材料調適至本揭露內容的教示,而不脫離其範疇。因此,所欲的是本揭露內容不受限於所揭露之特定的例子,而是本揭露內容將會包含落入所附的申請專利範圍的範疇內之所有的例子。
10:載體 100:基板 100a:第一側面 100b:第二側面 110:第一佈線圖案 110':導電層 110a:間隙(空間) 111:第一表面 112:第二表面 120:第一介電層 120a:貫孔孔洞 121:第一表面 122:第二表面 130:第二佈線圖案 130':第二導電層 130a:間隙(空間) 131:第一表面 132:第二表面 135:導電貫孔 140a:第二介電層 140b:第三介電層 150:塗層 200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200I:實施方式 200B-1:橫截面圖 200B-2:平面圖 210:半導體晶粒 220:互連結構 230:底膠填充 240:互連結構 310:撓性的印刷電路 320a:下方的殼體部分 320b:上方的殼體部分 330:囊封材料 400A、400B:實施方式 1000:方法 1005、1010、1020、1030、1040、1050、1060、1070、1080、1090、1095:區塊 3000:方法 3005、3010、3020、3030、3040、3050、3060、3095:區塊
[圖1]是展示根據本揭露內容的各種特點的一種製造一感測器裝置之範例的方法的流程圖。 [圖2A-2I]係展示描繪根據本揭露內容的各種特點的範例的感測器裝置以及製造一感測器裝置之範例的方法的橫截面圖。 [圖3]係展示根據本揭露內容的各種特點的一種製造一感測器裝置之範例的方法的流程圖。 [圖4A-4B]係展示描繪根據本揭露內容的各種特點的範例的感測器裝置以及製造一感測器裝置之範例的方法的橫截面圖。
100:基板
100a:第一側面
100b:第二側面
110:第一佈線圖案
120:第一介電層
121:第一表面
122:第二表面
130:第二佈線圖案
135:導電貫孔
140a:第二介電層
140b:第三介電層
150:塗層
200I:實施方式

Claims (1)

  1. 一種指紋感測器,其包括說明書所揭示的元件。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI537837B (zh) * 2015-06-11 2016-06-11 南茂科技股份有限公司 指紋辨識晶片封裝結構及其製作方法
SE1650769A1 (sv) * 2016-06-01 2017-10-24 Fingerprint Cards Ab Fingerprint sensing device and method for manufacturing a fingerprint sensing device
KR20180098066A (ko) 2017-02-24 2018-09-03 삼성전자주식회사 디스플레이에 통합된 생체 센서를 포함하는 전자장치
TWI644601B (zh) * 2017-03-03 2018-12-11 致伸科技股份有限公司 指紋辨識模組的治具及指紋辨識模組的製造方法
WO2018164634A1 (en) * 2017-03-10 2018-09-13 Fingerprint Cards Ab Fingerprint sensor module and a method for manufacturing such a fingerprint sensor module
KR102623203B1 (ko) 2017-11-28 2024-01-11 삼성전자주식회사 디스플레이 패널과 초음파 센서 사이에 광흡수 부재가 배치된 전자 장치
US10762319B2 (en) * 2018-01-30 2020-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fingerprint sensor and manufacturing method thereof
EP3940504B1 (en) 2018-04-17 2024-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device including multiple fixing members to fix biometric sensor to display and method for manufacturing the same
CN109449122B (zh) * 2018-10-30 2021-03-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US11410897B2 (en) * 2019-06-27 2022-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure having a dielectric layer edge covering circuit carrier
US11990351B2 (en) * 2021-03-26 2024-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package and manufacturing method thereof
EP4318415A1 (en) * 2022-08-03 2024-02-07 IDSpire Corporation Ltd. Fingerprint recognition module

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100514659C (zh) * 2007-01-15 2009-07-15 南茂科技股份有限公司 指纹辨识器的薄膜封装构造
TWM333653U (en) * 2007-08-31 2008-06-01 Int Semiconductor Tech Ltd Package structure of fingerprint slide sensor
US8334590B1 (en) * 2008-09-04 2012-12-18 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having insulating and interconnection layers
NO20093601A1 (no) * 2009-12-29 2011-06-30 Idex Asa Overflatesensor
US20120090757A1 (en) * 2010-10-18 2012-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Fabrication of touch, handwriting and fingerprint sensor
GB2489100A (en) * 2011-03-16 2012-09-19 Validity Sensors Inc Wafer-level packaging for a fingerprint sensor
US8710681B2 (en) * 2012-05-31 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Isolation rings for blocking the interface between package components and the respective molding compound
TWI490455B (zh) * 2012-10-12 2015-07-01 Morevalued Technology Co Let 具有高感測靈敏度之電容式感測陣列裝置及使用其之電子設備
TW201416991A (zh) * 2012-10-16 2014-05-01 Wei-Ting Lin 電容式指紋感測器及其製造方法
KR101460034B1 (ko) * 2013-03-27 2014-11-11 주식회사 심텍 캐리어 기판을 이용하는 박형 인쇄회로기판의 제조 방법
TW201439865A (zh) * 2013-04-12 2014-10-16 Bruce Zheng-San Chou 指紋感測裝置及其製造方法
TWI482263B (zh) * 2013-05-20 2015-04-21 Morevalued Technology Co Let 發散式感測裝置及其製造方法
KR20150018350A (ko) * 2013-08-08 2015-02-23 삼성전자주식회사 지문인식장치와 그 제조방법 및 전자기기
CN104051366B (zh) * 2014-07-01 2017-06-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 指纹识别芯片封装结构和封装方法
JP2016193123A (ja) * 2015-04-01 2016-11-17 イビデン株式会社 プリント配線板

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