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TW201629609A - 電泳顯示裝置、電泳顯示裝置之製造方法及電子機器 - Google Patents

電泳顯示裝置、電泳顯示裝置之製造方法及電子機器 Download PDF

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TW201629609A
TW201629609A TW105104153A TW105104153A TW201629609A TW 201629609 A TW201629609 A TW 201629609A TW 105104153 A TW105104153 A TW 105104153A TW 105104153 A TW105104153 A TW 105104153A TW 201629609 A TW201629609 A TW 201629609A
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TW
Taiwan
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substrate
display device
electrophoretic display
film
electrode
Prior art date
Application number
TW105104153A
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English (en)
Inventor
中島嘉樹
Original Assignee
精工愛普生股份有限公司
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Publication date
Application filed by 精工愛普生股份有限公司 filed Critical 精工愛普生股份有限公司
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Abstract

本發明之目的係提供一種光不易於隔板部反射因而對比度較高之電泳顯示裝置。 本發明之電泳顯示裝置1包含：第1基材8，其設置有半導體元件9c；第2基材16，其與第1基材8對向；隔板5，其位於第1基材8與第2基材16之間且區劃像素區域6；且該電泳顯示裝置1具有反射減少膜7，其係於自第2基材16側觀察而與隔板5對向之部位減少光之反射。

Description

電泳顯示裝置、電泳顯示裝置之製造方法及電子機器
本發明係關於一種電泳顯示裝置、電泳顯示裝置之製造方法及電子機器者。
一種具有電荷之粒子移動於分散介質中之電泳顯示裝置廣為人知。由於電泳顯示裝置其畫面之閃爍較少，故而被用於閱覽電子書籍之顯示裝置等。該電泳顯示裝置揭示於專利文獻1中。根據該專利文獻1，電泳顯示裝置具備設置有電極之一對基板。而且，於電極間設置有包含白色帶電粒子及黑色帶電粒子之分散介質。
於該電泳顯示裝置中，使白色帶電粒子帶(-)電，使黑色帶電粒子帶(+)電。而且，藉由對設置於對向之基板之電極施加電壓，黑色帶電粒子被吸引至一者之電極，白色帶電粒子被吸引至另一者之電極。接著，藉由更換電極之電壓，而使黑色帶電粒子之位置與白色帶電粒子之位置更換。
於基板之間設置隔板部，隔板部將分散介質分割為格柵狀。由隔板部包圍之部分成為1個像素。且，可藉由於每像素控制黑色帶電粒子及白色帶電粒子之位置而顯示特定之圖形。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-51932號公報
照射電泳顯示裝置之光照射隔板部及像素區域。專利文獻1之電泳顯示裝置中，照射隔板部之光會反射。藉此，將像素區域設為黑色顯示時，由於光於隔板部反射，故而亮度不會下降。因此，電泳顯示裝置其對比度未提高。因此，期待光不易於隔板部反射而對比度較高之電泳顯示裝置。
本發明係為了解決上述問題而完成者，可作為以下之形態或應用例而實現。
[應用例1]
本應用例之電泳顯示裝置其特徵在於包含：第1基板，其供設置半導體元件；第2基板，其與上述第1基板對向；及隔板部，其位於上述第1基板與上述第2基板之間且區劃像素區域；且自上述第2基板之法線方向觀察時，於由上述隔板部區劃之各個區域內保持包含帶電粒子之電泳分散液，且於與上述隔板部重疊之區域具有減少光之反射之反射減少部。
根據本應用例，電泳顯示裝置以第1基板與第2基板夾著隔板部。而且，隔板部區劃像素區域。像素區域係帶電粒子移動而可自觀察者觀察到之顯示發生變化之部位。照射電泳顯示裝置之光照射反射減少部及像素區域。反射減少部減少光之反射。因此，可減少自像素區域以外朝觀察者前進之光。其結果，由於反射減少部減少照射隔板部之光之反射，故而可提高對比度。
[應用例2]
於上述應用例之電泳顯示裝置中，上述反射減少部較好為位於上述第2基板與上述隔板部之間。
根據本應用例，反射減少部位於第2基板與隔板部之間。照射第2基板之光照射反射減少部及像素區域。反射減少部減少照射之光之反射。照射像素區域之光之一部分相對於第2基板之厚度方向傾斜前進。該光之一部分通過像素區域而前進至隔板部內。而且，由於未通過像素區域而自隔板部朝向觀察者之光通過反射減少部，故而光之強度減少。因此，可減少自像素區域以外朝觀察者前進之光。
[應用例3]
於上述應用例之電泳顯示裝置中，較好為於上述第1基板與上述隔板部之間具有上述反射減少部。
根據本應用例，於第1基板與隔板部之間設置有反射減少部。通過第2基板及隔板部朝第1基板前進之光照射反射減少部。由於反射減少部減少光之反射，故而，通過隔板部且於反射減少部反射之光之強度減少。因此，可減少照射隔板部之光之反射強度。
[應用例4]
於上述應用例之電泳顯示裝置中，較好為上述隔板部兼用作上述反射減少部。
根據本應用例，隔板部兼用作反射減少部，而照射隔板部之光減少光之反射。照射像素區域之光之一部分相對於第2基板之厚度方向傾斜前進。該光之一部分通過像素區域而前進至隔板部。而且，照射隔板部之光其光之強度減少。因此，可減少自像素區域以外朝觀察者前進之光。
[應用例5]
於上述應用例之電泳顯示裝置中，較好為包含：元件層，其位於上述第1基板上且設置有上述半導體元件；及絕緣層，其位於上述 元件層之上；且上述絕緣層兼用作上述反射減少部。
根據本應用例，於元件層之上設置絕緣層，絕緣層成為反射減少部。隔板部位於反射減少部之上，第2基板位於隔板部之上。通過第2基板及隔板部之光照射絕緣層。由於絕緣層減少光之反射，故而，自隔板部反射之光之強度減少。因此，可減少照射隔板部之光之反射強度。
[應用例6]
於上述應用例之電泳顯示裝置中，較好為於上述第1基板設置第1電極，於上述第2基板設置第2電極，且上述隔板部係將上述第1電極與上述第2電極絕緣。
根據本應用例，於第1基板設置第1電極，於第2基板設置第2電極。而且，隔板部夾於第1基板與第2基板之間。由於隔板部使第1電極與第2電極絕緣，故而，可防止第1電極與第2電極導通。
[應用例7]
於上述應用例之電泳顯示裝置中，分隔相鄰之2個上述像素區域之上述隔板部之電阻值較好為1×108Ω以上。
根據本應用例，分隔相鄰之2個像素區域之隔板部之電阻成為1×108Ω以上。藉此，可抑制通過隔板部而流動於第1基板與第2基板之間之電流。
[應用例8]
本應用例之電子機器其特徵在於包含顯示部與驅動上述顯示部之驅動部，且上述顯示部係上述所揭示之電泳顯示裝置。
根據本應用例，電子機器包含顯示部與驅動顯示體之驅動部。而且，驅動部驅動顯示部。於顯示部使用上述電泳顯示裝置。因此，電子機器可設為將對比度較高之電泳顯示裝置使用於顯示部之裝置。
[應用例9]
本應用例之電泳顯示裝置之製造方法其特徵在於：於第1基板上將包含碳之樹脂材料成形而設置隔板部，於由上述隔板部區劃之像素區域填充包含分散介質及帶電粒子之電泳分散液，且重疊於上述隔板部而設置第2基板。
根據本應用例，於第1基板上設置包含碳之隔板部。接著，於由隔板部區劃之像素區域填充包含分散介質及帶電粒子之電泳分散液。接著，重疊於隔板部而設置第2基板。而且，可控制第1基板側與第2基板側之間之帶電粒子之移動。因隔板部中含有碳，故進入隔板部之光被碳吸收。因此，可減少照射隔板部之光之反射強度。
[應用例10]
於上述應用例之電泳顯示裝置之製造方法中，分隔相鄰之2個上述像素區域之上述隔板部之電阻值較好為1×108Ω以上。
根據本應用例，分隔相鄰之2個像素區域之隔板部之電阻成為1×108Ω以上。藉此，可抑制通過隔板部而流動於第1基板與第2基板之間之電流。
1‧‧‧電泳顯示裝置
2‧‧‧下部基板
3‧‧‧上部基板
3a‧‧‧圖像顯示面
4‧‧‧柔性纜線
5‧‧‧作為隔板部之隔板
6‧‧‧像素區域
7‧‧‧作為反射減少部之反射減少膜
8‧‧‧作為第1基板之第1基材
9‧‧‧元件層
9a‧‧‧電壓供給線
9b‧‧‧控制信號線
9c‧‧‧半導體元件
9d‧‧‧貫通電極
9e‧‧‧半導體膜
9f‧‧‧閘極絕緣膜
9g‧‧‧閘極電極
9h‧‧‧源極區域
9j‧‧‧汲極區域
9k‧‧‧通道形成區域
9m‧‧‧第1層間絕緣膜
9n‧‧‧源極電極
9p‧‧‧汲極電極
9r‧‧‧第2層間絕緣膜
10‧‧‧絕緣層
11‧‧‧作為第1電極之像素電極
12‧‧‧電泳分散液
13‧‧‧作為帶電粒子之白色帶電粒子
14‧‧‧作為帶電粒子之黑色帶電粒子
15‧‧‧分散介質
16‧‧‧作為第2基板之第2基材
17‧‧‧作為第2電極之共通電極
18‧‧‧接著層
21‧‧‧驅動裝置
22‧‧‧輸入部
23‧‧‧控制部
24‧‧‧記憶部
25‧‧‧第1波形形成部
26‧‧‧第2波形形成部
27‧‧‧非像素區域
28‧‧‧光
29‧‧‧貫通孔
30‧‧‧導電膜
33‧‧‧電泳顯示裝置
34‧‧‧下部基板
35‧‧‧上部基板
36‧‧‧第1絕緣層
36a‧‧‧貫通孔
37‧‧‧作為反射減少部之反射減少膜
38‧‧‧第2絕緣層
38a‧‧‧貫通孔
41‧‧‧電泳顯示裝置
42‧‧‧作為隔板部及反射減少部之隔板
43‧‧‧樹脂膜
44‧‧‧成形模
44a‧‧‧凹部
47‧‧‧電泳顯示裝置
48‧‧‧第1基板
49‧‧‧作為反射減少部之絕緣層
52‧‧‧作為電子機器之電子書籍
53‧‧‧殼體
54‧‧‧鉸鏈
55‧‧‧蓋部
56‧‧‧操作按鈕
57‧‧‧顯示部
58‧‧‧控制部
59‧‧‧驅動部
62‧‧‧作為電子機器之手錶
63‧‧‧殼體
64‧‧‧錶帶
65‧‧‧操作按鈕
66‧‧‧顯示部
67‧‧‧控制部
68‧‧‧驅動部
A-A‧‧‧線
S‧‧‧步驟
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
圖1係與第1實施形態相關，(a)係表示電泳顯示裝置之構造之概略立體圖，(b)係表示電泳顯示裝置之構造之示意俯視圖。
圖2係表示電泳顯示裝置之構造之部分概略分解立體圖。
圖3係電泳顯示裝置之電性控制方塊圖。
圖4(a)、(b)係表示電泳顯示裝置之構造之示意側剖視圖。
圖5係用於說明入射至電泳顯示裝置之光之軌跡之示意圖。
圖6係電泳顯示裝置之製造方法之流程圖。
圖7(a)~(e)係用於說明電泳顯示裝置之製造方法之示意圖。
圖8(a)~(c)係用於說明電泳顯示裝置之製造方法之示意圖。
圖9係表示第2實施形態之電泳顯示裝置之構造之示意側剖視 圖。
圖10係表示第3實施形態之電泳顯示裝置之構造之示意側剖視圖。
圖11(a)~(c)係用於說明隔板之製造方法之示意圖。
圖12係表示第4實施形態之電泳顯示裝置之構造之示意側剖視圖。
圖13係與第5實施形態相關，(a)係表示電子書籍之構造之概略立體圖，(b)係表示手錶之構造之概略立體圖。
於本實施形態中，針對電泳顯示裝置、與製造該電泳顯示裝置之特徵例，根據圖進行說明。另，由於各圖式之各構件設為可於各圖式上辨識出之程度之大小，故而，對各構件分別以不同縮尺而圖示。
(第1實施形態)
關於第1實施形態之電泳顯示裝置，根據圖1~圖8進行說明。圖1(a)係表示電泳顯示裝置之構造之概略立體圖；圖1(b)係表示電泳顯示裝置之構造之示意俯視圖。
如圖1(a)所示，電泳顯示裝置1採用下部基板2與上部基板3重疊之構造。將下部基板2與上部基板3之法線方向設為Z方向，上部基板3位於+Z方向側。觀察者觀察電泳顯示裝置1時係自+Z方向側觀察。上部基板3之+Z方向側之面為圖像顯示面3a。下部基板2及上部基板3朝X方向及Y方向延伸。下部基板2採用較上部基板3於-Y方向較長之形狀。於下部基板2之-Y方向側，於+Z方向側之面設置有柔性纜線4。柔性纜線4連接於未圖示之驅動電路，經由柔性纜線4而供給電源與驅動信號。
如圖1(b)所示，電泳顯示裝置1於下部基板2與上部基板3之間設置有作為隔板部之隔板5。隔板5具有格柵狀之形狀且區劃像素區域 6。為容易觀察圖，圖中像素區域6係於X方向並排配置14個，於Y方向並排配置10個。像素區域6之個數並無特別限定，於本實施形態中，例如，於X方向並排配置300個，於Y方向並排配置200個。像素區域6之大小並無特別限定，於本實施形態中，例如，X方向之長度為80μm，Y方向之長度為80μm。電泳顯示裝置1之大小亦並無特別限定，於本實施形態中，例如，下部基板2其X方向之長度為30mm，Y方向之長度為25mm。
於隔板5之+Z方向側，於與隔板5對向之部位設置有作為反射減少部之反射減少膜7。反射減少膜7吸收自+Z方向側朝隔板5前進之光並減少反射。自Z方向觀察之俯視下，反射減少膜7為與隔板5大致相同之形狀。
圖2係表示電泳顯示裝置之構造之部分概略分解立體圖，係將電泳顯示裝置1之一部分於Z方向分解之圖。如圖2所示，下部基板2包含作為第1基板之第1基材8。第1基材8係包含玻璃、塑料、陶瓷、矽等且具有絕緣性之基板。第1基材8因配置於與自+Z方向可觀察之圖像顯示面3a相反側，故，亦可為不透明之材質。
於第1基材8上設置有元件層9。於元件層9設置有電壓供給線9a、控制信號線9b、半導體元件9c、及貫通電極9d等。半導體元件9c係TFT(Thin Film Transistor)元件，係進行轉換之元件。於元件層9之上設置絕緣層10，於絕緣層10之上設置有作為第1電極之像素電極11。絕緣層10係使元件層9與像素電極11絕緣之層。於元件層9設置貫通電極9d，貫通電極9d連接於像素電極11。像素電極11於每像素區域6分離。藉由第1基材8、元件層9、絕緣層10、及像素電極11等構成下部基板2。
元件層9之材質只要為可形成半導體之材質即可，並無特別限定，可使用矽、鍺、砷化鎵、砷化鎵磷、氮化鎵、碳化矽等。絕緣層 10之材質只要為具有絕緣性，且容易成形之材質即可，並無特別限定，可使用玻璃、樹脂、氧化矽、或氮化矽等。於本實施形態中，例如，絕緣層10之材質係使用丙烯酸樹脂。
像素電極11之材質只要為具有導電性之材質即可，並無特別限定，除了銅、鋁、鎳、金、銀、ITO(銦錫氧化物)之外，可使用於銅箔上積層有鎳膜或金膜之物、及於鋁箔上積層有鎳膜或金膜之物。於本實施形態中，例如，像素電極11採用於鋁箔上設置有金膜之構造。
像素電極11上之隔板5設置為格柵狀，藉由隔板5區劃之像素區域6中填充有電泳分散液12。隔板5之材質只要為具有絕緣性與強度且易形成之材質即可，並無特別限定，可使用丙烯酸樹脂或環氧樹脂等樹脂。於本實施形態中，例如使用感光性樹脂。藉此，分隔像素區域6之隔板5之電阻值成為1×108Ω以上。而且，隔板5使像素電極11與共通電極17絕緣。電泳分散液12具有作為帶電粒子之白色帶電粒子13及作為帶電粒子之黑色帶電粒子14，白色帶電粒子13與黑色帶電粒子14係分散於分散介質15。
白色帶電粒子13之材料只要為白色、可帶電且可形成為細微粒子即可，並無特別限定。白色帶電粒子13之材料可使用包含例如二氧化鈦、氧化鋅、三氧化銻等白色顏料之粒子、高分子、膠體。於本實施形態中，例如，白色帶電粒子13係使二氧化鈦之粒子正極帶電而使用。
黑色帶電粒子14只要為黑色、可帶電且可形成為細微粒子即可，並無特別限定。黑色帶電粒子14之材料可使用包含例如苯胺黑、碳黑、氮氧化鈦等黑色顏料之粒子、高分子、膠體。於本實施形態中，例如，黑色帶電粒子14係使氮氧化鈦負極帶電而使用。對白色帶電粒子13及黑色帶電粒子14，可視需要對該等粒子使用電解質、界面活性劑、金屬皂、樹脂、橡膠、油、漆、混合物(compound)等帶電控 制劑。此外，可對白色帶電粒子13及黑色帶電粒子14添加鈦系偶合劑、鋁系偶合劑、矽烷系偶合劑等之分散劑、潤滑劑、穩定劑等。
分散介質15只要為具有流動性且不易變質之材質即可，並無特別限定。分散介質15之材質可使用水、甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、辛醇、甲基溶纖素等醇系溶劑、乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類、戊烷、己烷、辛烷等脂肪族烴、環己烷、甲基環己烷等之脂環族烴。此外，分散介質15之材質可使用苯、甲苯、二甲苯、具有長鏈烷基之苯類等芳香族烴。作為具有長鏈烷基之苯類，可使用己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯等。此外，作為分散介質15，可使用二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、1,2-二氯乙烷等鹵化烴。此外，分散介質15之材質可使用油類或矽氧油。該等物質可單獨使用或作為混合物使用，進而，亦可調配如羧酸鹽之界面活性劑等。
於隔板5及電泳分散液12上設置有上部基板3。上部基板3包含作為第2基板之第2基材16。於第2基材16上設置有反射減少膜7。反射減少膜7係與隔板5同樣為格柵狀，且位於與隔板5對向之部位。反射減少膜7為薄膜之形態。覆蓋第2基材16及反射減少膜7而設置作為第2電極之共通電極17，於共通電極17上設置有接著層18。共通電極17為遍及複數個像素區域6而設置之共通電極。因此，共通電極17與複數個像素電極11對向。接著層18具備接著隔板5與上部基板3之功能。
第2基材16之材質只要為具有光透過性、強度及絕緣性即可，並無特別限定。第2基材16之材質可使用玻璃或樹脂材料。於本實施形態中，例如，第2基材16之材質係使用玻璃板。反射減少膜7只要為吸收光且易以薄膜形態設置之材料即可，並無特別限定，可使用鉻或鉬等金屬。於本實施形態中，例如，反射減少膜7之材料係使用鉬。
共通電極17只要為透明導電膜即可，並無特別限定。例如，共 通電極17可使用MgAg、IGO(Indium-gallium oxide：銦鎵氧化物)、ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)、ICO(Indium-cerium oxide：銦鈰氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)等。於本實施形態中，例如，共通電極17係使用ITO。
接著層18之材料只要為可接著隔板5與上部基板3，且不使電泳分散液12變質之材質即可，並無特別限定。例如，接著層18之材質可使用聚胺酯、聚脲、聚脲-聚胺酯、尿素-甲醛樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、聚醯胺、聚酯、聚磺醯胺、聚碳酸酯、聚硫化物、環氧樹脂、聚丙烯酸酯等丙烯酸樹脂、聚甲基丙烯酸酯、聚醋酸乙烯酯、明膠、酚醛樹脂、乙烯樹脂等。於本實施形態中，例如，使用紫外性硬化型之丙烯酸樹脂或環氧樹脂。
圖3係電泳顯示裝置之電性控制方塊圖。如圖3所示，電泳顯示裝置1連接於驅動裝置21而使用。驅動裝置21包含輸入部22，輸入部22連接於輸出表示顯示於電泳顯示裝置1之圖像之圖像信號之裝置，並輸入圖像信號。輸入部22連接於控制部23。而且，控制部23連接於記憶部24、第1波形形成部25及第2波形形成部26。
記憶部24除了記憶圖像信號之外，還記憶形成自圖像信號驅動電泳顯示裝置1之信號時使用之資訊。控制部23係控制第1波形形成部25及第2波形形成部26之部位。控制部23將自輸入部22輸入之圖像信號發送至第1波形形成部25及第2波形形成部26。進而，發送第1波形形成部25及第2波形形成部26形成波形時所使用之資訊。
第1波形形成部25形成驅動半導體元件9c之驅動信號。而且，第2波形形成部26形成驅動共通電極17之電壓波形。第1波形形成部25係經由柔性纜線4及控制信號線9b而與半導體元件9c連接，對半導體元件9c輸出每個像素之驅動信號。半導體元件9c係與像素電極11連接，且將與驅動信號對應之電壓輸出至像素電極11。第2波形形成部26係 經由柔性纜線4與共通電極17連接，且將電壓波形輸出至共通電極17。
圖4係表示電泳顯示裝置之構造之示意側剖視圖，且係沿著圖2之A-A線之剖視圖。如圖4(a)所示，電泳顯示裝置1係於像素電極11與共通電極17之間施加電壓而使用。而且，可藉由切換像素電極11與共通電極17之間之相對電壓而變更顯示。
相對於像素電極11將共通電極17設為較低電壓。此時，由於黑色帶電粒子14帶有負極之電壓，故而，黑色帶電粒子14被像素電極11吸引。由於白色帶電粒子13帶有正極電壓，故而，白色帶電粒子13被共通電極17吸引。其結果，黑色帶電粒子14集合於下部基板2，白色帶電粒子13集合於上部基板3。自上部基板3側觀察電泳顯示裝置1時，觀察者可通過上部基板3觀察白色帶電粒子13。因此，像素區域6成為白色之顯示。
與半導體元件9c連接而設置有汲極電極9p，與汲極電極9p連接而設置有貫通電極9d。藉此，半導體元件9c與像素電極11電性連接。
如圖4(b)所示，相對於像素電極11將共通電極17設為較高電壓。此時，由於黑色帶電粒子14帶有負極之電壓，故而，黑色帶電粒子14被共通電極17吸引。由於白色帶電粒子13帶有正極電壓，故而，白色帶電粒子13被像素電極11吸引。其結果，白色帶電粒子13集合於下部基板2，黑色帶電粒子14集合於上部基板3。自上部基板3側觀察電泳顯示裝置1時，觀察者可通過上部基板3觀察黑色帶電粒子14。因此，像素區域6成為黑色之顯示。
圖5係用於說明入射至電泳顯示裝置之光之軌跡之示意圖。如圖5所示，白色帶電粒子13被共通電極17吸引，黑色帶電粒子14被像素電極11吸引。因此，圖中之像素區域6為白色之顯示。自+Z方向觀察電泳顯示裝置1時像素區域6為白色，且包圍像素區域6之區域成為非 像素區域27。
照射電泳顯示裝置1之光28係照射非像素區域27及像素區域6。照射像素區域6之光28之多數照射白色帶電粒子13，由白色帶電粒子13漫反射並於+Z方向前進。藉此，觀察者感受到於像素區域6反射之光28為白色。照射像素區域6之光28之一部分通過分散介質15而照射黑色帶電粒子14及下部基板2。由於黑色帶電粒子14吸收光28，故而，觀察者不易感受到由黑色帶電粒子14反射之光28。由黑色帶電粒子14及下部基板2反射之光28中之照射反射減少膜7之光28被反射減少膜7吸收。因此，可減少自像素區域6以外朝觀察者前進之光28。
照射非像素區域27之光28進入反射減少膜7。由於反射減少膜7吸收光28，故而，於非像素區域27中光28之反射減少。因此，可減少自像素區域6以外朝觀察者前進之光28。
將像素區域6之顯示設為黑色顯示時亦相同，照射非像素區域27之光28進入反射減少膜7。由於反射減少膜7吸收光28，故而於非像素區域27中光28之反射減少。電泳顯示裝置1之對比度係黑色顯示之亮度與白色顯示之亮度之比率。藉由使黑色顯示之非像素區域27之反射光之亮度較低，而可提高電泳顯示裝置1之對比度。於本實施形態中，由於反射減少膜7吸收光28，故而，可減少黑色顯示中朝觀察者前進之光28。其結果，可提高電泳顯示裝置1之對比度。
黑色顯示之像素區域6之反射率為5%左右。相對於波長為380nm~750nm之波長之光28而設置於非像素區域27之反射減少膜7之反射率較好為10%以下，更好為5%以下。未設置反射減少膜7時之非像素區域27之反射率為15%。藉由相比於未設置反射減少膜7時，減少非像素區域27之反射，而提高電泳顯示裝置1之對比度，實現容易觀察之畫面。
接著，對上述之電泳顯示裝置1之製造方法，以圖6~圖8進行說 明。圖6係電泳顯示裝置之製造方法之流程圖，圖7及圖8係用於說明電泳顯示裝置之製造方法之示意圖。於圖6之流程圖中，步驟S1相當於上部電極設置步驟。該步驟係於上部基板3上設置反射減少膜7、共通電極17及接著層18之步驟。接著進行至步驟S2。步驟S2係元件設置步驟。該步驟係於第1基材8上設置元件層9之步驟。接著進行至步驟S3，步驟S3係下部電極設置步驟。該步驟係於元件層9上設置絕緣層10、貫通電極9d及像素電極11之步驟。接著進行至步驟S4。
步驟S4係隔板設置步驟。該步驟係於下部基板2上設置隔板5之步驟。接著，進行至步驟S5。步驟S5係分散液填充步驟。該步驟係於像素區域6填充電泳分散液12之步驟。接著進行至步驟S6。步驟S6係基板組裝步驟。該步驟係接著隔板5與上部基板3之步驟。結束藉由以上之步驟製造電泳顯示裝置1之步驟。
接著，使用圖7及圖8，與圖6所示之步驟對應並詳細說明製造方法。
首先，製造上部基板3。圖7(a)及圖7(b)係與步驟S1之上部電極設置步驟對應之圖。如圖7(a)所示般準備第2基材16。第2基材16係使用將玻璃板切削及研磨至特定之厚度而減小表面粗糙度之板。接著，於第2基材16上設置反射減少膜7。使用濺鍍法等之成膜法而於第2基材16上形成鉬膜。接著，藉由光蝕微影法將鉬膜圖案化而形成反射減少膜7。將反射減少膜7之平面形狀設為格柵狀。接著，如圖7(b)所示般，於第2基材16及反射減少膜7上設置共通電極17。使用濺鍍法等成膜法於第2基材16及反射減少膜7上形成膜厚100nm左右之ITO膜。接著，使用光蝕微影法及蝕刻法將ITO膜進行圖案化，形成共通電極17。
接著，於共通電極17上設置接著層18。接著層18可使用噴墨法、平版印刷、網版印刷、柔版印刷等凸版印刷、照相凹版印刷等凹 版印刷等之各種印刷法而設置。此外亦可使用旋塗法、輥塗法、狹縫塗覆法、簾流塗佈法、噴霧塗裝法、模嘴塗佈法、浸漬塗敷法等。
接著，製造下部基板2。圖7(c)係與步驟S2之元件設置步驟對應之圖。如圖7(c)所示，於步驟S2中，準備第1基材8。第1基材8亦使用將玻璃板切削及研磨至特定之厚度而減小表面粗糙度之板。於第1基材8上形成元件層9。由於元件層9之形成方法係公知，故而省略詳細之說明，而說明概略之製造方法。元件層9之形成方法存在複數個，並無特別限定。
首先，藉由CVD法(chemical vapor deposition：化學氣相沉積)於第1基材8上形成未圖示之SiO2之基礎絕緣膜。接著，於基礎絕緣膜上，藉由CVD法等形成膜厚50nm左右之非晶矽膜。將該非晶矽膜藉由雷射結晶化法等結晶化而形成多晶矽膜。其後，使用光蝕微影法及蝕刻法等形成島狀之多晶矽膜即半導體膜9e。
接著，以覆蓋半導體膜9e及基礎絕緣膜之方式設置閘極絕緣膜9f。閘極絕緣膜9f係膜厚100nm左右之SiO2之膜。閘極絕緣膜9f係使用CVD法等而形成。接著，使用濺鍍法等於閘極絕緣膜9f上形成膜厚500nm左右之Mo膜。接著，藉由光蝕微影法及蝕刻法將Mo膜圖案化而形成島狀之閘極電極9g。繼而，藉由離子注入法於半導體膜9e注入雜質離子，形成源極區域9h、汲極區域9j、通道形成區域9k。繼而，以覆蓋閘極絕緣膜9f與閘極電極9g之方式設置第1層間絕緣膜9m。第1層間絕緣膜9m係膜厚800nm左右之SiO2之膜。該第1層間絕緣膜9m係使用濺鍍法等而形成。
接著，於第1層間絕緣膜9m形成到達源極區域9h之接觸孔與到達汲極區域9j之接觸孔。其後，於第1層間絕緣膜9m上與接觸孔及接觸孔內，藉由濺鍍法等形成膜厚500nm左右之Mo膜，並使用光蝕微影法及蝕刻法進行圖案化，而形成源極電極9n、汲極電極9p及配線。
以覆蓋第1層間絕緣膜9m、源極電極9n、汲極電極9p及配線之方式，形成膜厚800nm左右之Si3N4膜而設為第2層間絕緣膜9r。使用光蝕微影法及蝕刻法進行圖案化，而於第2層間絕緣膜9r形成接觸孔。
圖7(d)~圖7(e)係與步驟S3之下部電極設置步驟對應之圖。如圖7(d)所示，於步驟S3中，於元件層9上設置絕緣層10。首先，於元件層9之上塗佈溶解有丙烯酸樹脂之溶液並使其乾燥而固化。接著，藉由光蝕微影法將絕緣層10圖案化。將絕緣層10之外形形狀及貫通孔29之形狀圖案化。繼而，使用蝕刻液蝕刻絕緣層10而形成貫通孔29。
如圖7(e)所示，於絕緣層10上與貫通孔29內，使用濺鍍法或蒸鍍等成膜法形成膜厚500nm左右之Al膜。進而，藉由濺鍍法或蒸鍍等於Al膜上積層Au膜。繼而，將Al膜及Au膜藉由光蝕微影法進行圖案化並蝕刻而形成像素電極11及導電膜30。蝕刻時可使用乾式蝕刻。導電膜30導通汲極電極9p與像素電極11。
圖8(a)係與步驟S4之隔板設置步驟對應之圖。如圖8(a)所示，於步驟S4中，於像素電極11上設置隔板5。首先，於像素電極11塗佈作為隔板5之材料之感光性樹脂材料。塗佈方法可使用平板印刷、網版印刷、凸版印刷等各種印刷法而設置。此外，亦可使用旋塗法或輥塗法等塗佈法。接著，對感光性樹脂材料進行加熱乾燥而使其固化。接著，藉由光蝕微影法對感光性樹脂材料進行圖案化並蝕刻而形成隔板5。
圖8(b)係與步驟S5之分散液填充步驟對應之圖。如圖8(b)所示，於步驟S5中，將設置有隔板5之第1基材8設置於未圖示之容器內。而且，於分散介質15加入白色帶電粒子13及黑色帶電粒子14並攪拌而準備電泳分散液12。接著，使用注射器等供給器具對像素區域6供給電泳分散液12。電泳分散液12之供給方法亦可使用各種印刷法或噴墨法。電泳分散液12係供給至自像素區域6溢出之程度。
圖8(c)係與步驟S6之基板組裝步驟對應之圖。如圖8(c)所示，於步驟S6中，於隔板5上設置上部基板3。首先，將供給有電泳分散液12之下部基板2設置於減壓腔室內。接著，於隔板5上搭載上部基板3。繼而，對減壓腔室內進行減壓，並於接著層18照射紫外線。接著層18係紫外線硬化型之接著劑，臨時固定隔板5與上部基板3。接著，藉由加熱設置有上部基板3之下部基板2並使接著層18固化，而將上部基板3固定於隔板5。藉由以上之步驟，電泳顯示裝置1完成。
如上述般，根據本實施形態，可具有以下之效果。
(1)根據本實施形態，照射電泳顯示裝置1之光28照射反射減少膜7及像素區域6。反射減少膜7減少光28之反射。因此，可減少自反射減少膜7朝觀察者前進之光28。其結果，由於減少非像素區域27之反射，故而可提高對比度。
(2)根據本實施形態，反射減少膜7位於第2基材16與隔板5之間。照射第2基材16之光28照射反射減少膜7及像素區域6。反射減少膜7減少照射之光28之反射。照射像素區域6之光28之一部分相對於第2基材16之厚度方向傾斜前進。該光28之一部分未通過反射減少膜7而前進至隔板5內。而且，由於未通過像素區域6而自隔板5朝向觀察者之光28通過反射減少膜7，故而，光28之強度減少。因此，可減少自像素區域6以外朝觀察者前進之光28。
(3)根據本實施形態，反射減少膜7位於靠近第2基材16之部位。因此，可確實減少於第2基材16之-Z方向側之面反射之反射光。
(第2實施形態)
接著，關於電泳顯示裝置之一實施形態，使用圖9進行說明。圖9係表示電泳顯示裝置之構造之示意側剖視圖。本實施形態不同於第1實施形態之處在於將反射減少膜7設置於下部基板2。另，關於與第1實施形態相同之處則省略說明。
亦即，於本實施形態中，如圖9所示，電泳顯示裝置33係構成為包含下部基板34及上部基板35，且以下部基板34與上部基板35夾著電泳分散液12及隔板5。下部基板34係構成為於第1基材8上將元件層9、第1絕緣層36、作為反射減少部之反射減少膜37、第2絕緣層38及像素電極11以此順序積層。
第1絕緣層36及第2絕緣層38之材質可使用與第1實施形態之絕緣層10相同之材質。反射減少膜37之材質可使用與第1實施形態之反射減少膜7相同之材質。反射減少膜37吸收光28並減少光28之反射。
上部基板35係於第2基材16上將共通電極17及接著層18以該順序積層。於上部基板35未設置反射減少膜7。因此，照射非像素區域27之光28通過上部基板35而照射隔板5。進而，照射隔板5之光28到達反射減少膜37且被反射減少膜37吸收。因此，由於照射非像素區域27之光28被反射減少膜37吸收，故而，於非像素區域27中可減少反射光。
對下部基板34之製造步驟之概略進行說明。於步驟S1之上部電極設置步驟係自第1實施形態之步驟中刪除形成反射減少膜7之步驟。步驟S2之元件設置步驟係與第1實施形態之步驟之情形相同之步驟。步驟S3之下部電極設置步驟中係於元件層9上設置第1絕緣層36。首先，於元件層9之上塗佈溶解有丙烯酸樹脂之溶液並使其乾燥而固化。接著，對丙烯酸樹脂之膜，藉由光蝕微影法將第1絕緣層36之外形形狀及貫通孔36a之形狀圖案化。繼而，使用蝕刻液蝕刻丙烯酸樹脂之膜而形成第1絕緣層36之外形形狀及貫通孔36a。
接著，進行於第1絕緣層36上設置反射減少膜37之步驟。使用濺鍍法或蒸鍍法等成膜法於第1絕緣層36上形成鉬之膜。接著，使用光蝕微影法及蝕刻法將鉬之膜進行圖案化而形成反射減少膜37。反射減少膜37之平面形狀設為格柵狀。
繼而，於第1絕緣層36上設置第2絕緣層38。於第1絕緣層36及反 射減少膜37上塗佈溶解有丙烯酸樹脂之溶液並使其乾燥而固化。接著，對丙烯酸樹脂之膜，藉由光蝕微影法將第2絕緣層38之外形形狀及貫通孔38a之形狀圖案化。繼而，使用蝕刻法蝕刻丙烯酸樹脂之膜而形成第2絕緣層38之外形形狀及貫通孔38a。
接著，於第2絕緣層38上與貫通孔38a內，使用濺鍍法等成膜法而形成Al膜。進而，藉由濺鍍法或蒸鍍等於Al膜上積層Au膜。繼而，對Al膜及Au膜使用光蝕微影法及蝕刻法而形成像素電極11及導電膜30。蝕刻時可使用乾式蝕刻法。導電膜30係使汲極電極9p與像素電極11導通之膜。藉由以上之步驟而形成下部基板34。
如上述般，根據本實施形態，具有以下之效果。
(1)根據本實施形態，照射非像素區域27之光28被反射減少膜37吸收。因此，由於以非像素區域27可減少反射光，故而，可顯示對比度較好之畫面。
(2)根據本實施形態，反射減少膜37位於較隔板5更靠近第1基材8側之位置。因此，即便使反射減少膜37大於隔板5，像素區域6之面積亦不會變小。其結果，即便設置反射減少膜37亦可避免降低開口率。另，開口率係使將像素區域6合計後之面積除以像素區域6與非像素區域27之合計面積所得之值。開口率越大，則可使白色顯示越明亮。
(第3實施形態)
接著，關於電泳顯示裝置之一實施形態，使用圖10及圖11進行說明。圖10係表示電泳顯示裝置之構造之示意側剖視圖。本實施形態不同於第1實施形態之處在於代替反射減少膜7由隔板5吸收光28。另，關於與第1實施形態相同之點則省略說明。
亦即，本實施形態係構成為，如圖10所示，電泳顯示裝置41包含下部基板2及上部基板35，且以下部基板2與上部基板35夾著電泳分散液12及隔板部及作為反射減少部之隔板42。與第2實施形態相同， 上部基板35係於第2基材16上將共通電極17及接著層18以此順序積層。於上部基板35未設置反射減少膜7。因此，照射非像素區域27之光28係通過上部基板35而照射隔板42。
隔板42之材質只要為光28之反射率較低且具有絕緣性，加工性良好之材質即可，並無特別限定，例如，隔板42之材質可使用含有碳填充料之丙烯酸樹脂或環氧樹脂等樹脂。碳填充料係以碳為主要原料之填充劑。樹脂中之填充料濃度越高，則可使光28之反射率越低。另一方面，樹脂中之填充料濃度越高，則樹脂之體積電阻率越減少而絕緣性減少。於本實施形態中，例如，採用含有碳填充料之丙烯酸樹脂。
非像素區域27之自上部基板35進入之光28照射隔板42。由於照射隔板42之光28被隔板42吸收，故而，於隔板42反射之光之強度減少。因此，可減少自非像素區域27進入且自非像素區域27朝觀察者前進之光28。
於本實施形態中，將隔板42之寬度設為5μm，將隔板42之高度設為30μm。而且，將四角形之像素區域6之1邊之隔板42之長度設為80μm。而且，將隔板42之體積電阻率設為2.81×105Ωcm。此時，下部基板2與上部基板35之間之隔板42之電阻成為1.5×109Ω。且，對像素電極11與共通電極17之間施加15V電壓時，通過隔板42之電流成為1×10-8A。確認該電流值時可穩定驅動電泳顯示裝置41。因此，可藉由將像素區域6之1邊之隔板42之電阻設為1.5×109Ω以上，而穩定驅動電泳顯示裝置41。
於本實施形態中，藉由調整樹脂中之填充料濃度，而將黑色顯示中非像素區域27之反射率設為5%以下。而且，可將隔板42之電阻設為1.5×109Ω以上。因此，電泳顯示裝置41可穩定地進行對比度良好之顯示。
圖11係用於說明隔板之製造方法之示意圖。使用圖11說明下部基板2之製造步驟之概略。如圖11(a)所示，於步驟S4之隔板設置步驟中，於下部基板2上設置含有碳填充料之丙烯酸樹脂之樹脂膜43。丙烯酸樹脂之樹脂膜43調整樹脂中之填充料濃度而將體積電阻率設為2.81×105Ωcm。於下部基板2之上塗佈溶解有含有碳填充料之丙烯酸樹脂之溶液，並使其乾燥而固化。其結果，於下部基板2上設置樹脂膜43。將樹脂膜43設為可變形之硬度。
如圖11(b)所示，接著，對樹脂膜43按壓成形模44。於成形模44依隔板42之形狀形成有凹部44a。樹脂膜43被成形模44按壓而流動至凹部44a。於成形模44設置有加熱成形模44之未圖示之加熱器。接著，將加熱器加熱並介隔成形模44而加熱樹脂膜43。藉此，樹脂膜43硬化而成為隔板42。接著，調整樹脂中之填充料濃度，將隔板42之電阻設為1.5×109Ω以上。
下部基板2之表面被較薄之樹脂膜43覆蓋。接著，將下部基板2設置於未圖示之灰化裝置內。如圖11(c)所示，將氧氣以非電離放射線電漿化，使電漿化之氧氣流動於下部基板2之表面。隔板42以外之樹脂膜43與電漿中之氧自由基結合，成為二氧化碳與水而蒸發並剝離。藉由以上之步驟形成隔板42。接著，進行步驟S5之分散液填充步驟及步驟S6之基板組裝步驟而完成電泳顯示裝置41。
如上述般，根據本實施形態，具有以下之效果。
(1)根據本實施形態，非像素區域27之自上部基板35進入之光28照射隔板42。照射隔板42之光28其光之強度減少。因此，可減少自非像素區域27進入且自非像素區域27朝觀察者前進之光28。
(2)根據本實施形態，照射像素區域6之光28之一部分相對於上部基板35之厚度方向傾斜前進。該光28之一部分通過像素區域6之上部基板35而照射隔板42。照射隔板42之光28其光之強度減少。因此，可 減少自像素區域6進入且自非像素區域27朝觀察者前進之光28。
(3)根據本實施形態，由於隔板42係將像素電極11與共通電極17絕緣，故而，可防止像素電極11與共通電極17導通。
(4)根據本實施形態，隔板42吸收光28。因此，由於像素區域6之面積不會變小，故而，可避免降低開口率。
(5)根據本實施形態，不追加設置反射減少膜7或反射減少膜37之步驟。因此，可生產率良好地製造電泳顯示裝置41。
(第4實施形態)
接著，關於電泳顯示裝置之一實施形態，使用圖12進行說明。圖12係表示電泳顯示裝置之構造之示意側剖視圖。本實施形態與第1實施形態不同之處在於，取代反射減少膜7而以下部基板2之絕緣層10吸收光28。另，關於與第1實施形態相同之處則省略說明。
亦即，於本實施形態中，如12所示般電泳顯示裝置47係構成為包含第1基板48及上部基板35，且以第1基板48與上部基板35夾著電泳分散液12及隔板5。與第2實施形態相同地，上部基板35係於第2基材16上將共通電極17及接著層18以此順序積層。於上部基板35未設置反射減少膜7。因此，照射非像素區域27之光28通過上部基板35而照射隔板5。
第1基板48係於第1基材8上將元件層9、作為反射減少部之絕緣層49及像素電極11以此順序積層。而且，絕緣層49具有吸收光28之功能。絕緣層49之材質只要為光28之反射率較低且具有絕緣性且加工性良好之材質即可，並無特別限定，絕緣層49之材質可使用與第3實施形態之隔板42相同之材質。於本實施形態中，例如，絕緣層49之材質係採用含有碳填充料之丙烯酸樹脂。
於本實施形態中，將絕緣層49之體積電阻率設為2.81×105Ωcm。此時，確認可穩定驅動電泳顯示裝置47。因此，藉由將絕緣層49之體 積電阻率設為2.81×105Ωcm以上，而可穩定驅動電泳顯示裝置47。
於本實施形態中，藉由調整樹脂中之填充料濃度，將黑色顯示中非像素區域27之反射率設為5%以下。而且，可將絕緣層49之體積電阻率設為2.81×105Ωcm以上。因此，電泳顯示裝置47可穩定地進行對比度良好的顯示。
如上述般，根據本實施形態，具有以下之效果。
(1)根據本實施形態，絕緣層49減少光28之反射。非像素區域27之自上部基板35進入之光28通過隔板5而照射絕緣層49。照射絕緣層49之光28其光之強度減少。因此，可減少自非像素區域27進入且自非像素區域27朝觀察者前進之光28。
(2)根據本實施形態，像素區域6之自上部基板35進入之光28之一部分通過電泳分散液12而照射絕緣層49。照射絕緣層49之光28其光之強度減少。因此，可減少自像素區域6進入且於絕緣層49反射，並通過非像素區域27朝觀察者前進之光28。
(3)根據本實施形態，由於絕緣層49使像素電極11與電壓供給線9a絕緣，故而，可防止像素電極11與電壓供給線9a導通。
(4)根據本實施形態，絕緣層49吸收光28。因此，由於不會使像素區域6之面積變小，故而可避免降低開口率。
(5)根據本實施形態，不追加設置反射減少膜7或反射減少膜37之步驟。因此，可生產率良好地製造電泳顯示裝置47。
(第5實施形態)
接著，關於搭載有電泳顯示裝置之電子機器之一實施形態，使用圖13進行說明。圖13(a)係表示電子書籍之構造之概略立體圖，圖13(b)係表示手錶之構造之概略立體圖。如圖13(a)所示，作為電子機器之電子書籍52包含板狀之殼體53。於殼體53經由鉸鏈54而設置有蓋部55。進而，於殼體53設置有操作按鈕56與顯示部57。操作者可操作 操作按鈕56而操作顯示於顯示部57之內容。
於殼體53之內部設置有控制電子書籍52之控制部58與驅動顯示部57之驅動部59。控制部58輸出顯示資料至驅動部59。驅動部59輸入顯示資料並驅動顯示部57。而且，驅動部59使顯示部57顯示與顯示資料對應之內容。於顯示部57使用電泳顯示裝置1、電泳顯示裝置33、電泳顯示裝置41、及電泳顯示裝置47中之任一者。因此，電子書籍52可設為於顯示部57包含可對比度良好地顯示之電泳顯示裝置之裝置。
如圖13(b)所示，作為電子機器之手錶62包含板狀之殼體63。於殼體63設置錶帶64，操作者可將錶帶64纏繞於手腕而將手錶62固定於手腕。進而，於殼體63設置有操作按鈕65與顯示部66。操作者可操作操作按鈕65而操作顯示於顯示部66之內容。
於殼體63之內部設置有控制手錶62之控制部67與驅動顯示部66之驅動部68。控制部67輸出顯示資料至驅動部68。驅動部68輸入顯示資料而驅動顯示部66。而且，驅動部68使顯示部66顯示與顯示資料對應之內容。而且，於顯示部66使用電泳顯示裝置1、電泳顯示裝置33、電泳顯示裝置41、及電泳顯示裝置47中之任一者。因此，手錶62可設為於顯示部66包含可對比度良好地顯示之電泳顯示裝置之裝置。
另，本實施形態係並無限定於上述之實施形態，亦可於本發明之技術思想內，由具有本領域之一般知識者施加各種變更或改良。以下敘述變化例。
(變化例1)
於上述第1實施形態中，於電泳分散液12設置白色帶電粒子13及黑色帶電粒子14。亦可使用紅色、綠色、藍色等之帶電粒子代替白色帶電粒子13及黑色帶電粒子14。根據此構成，藉由顯示紅色、綠色、藍色等而可進行彩色顯示。
(變化例2)
於上述第1實施形態中，於1個像素區域6設置1個像素電極11。亦可於1個像素區域6設置複數個像素電極11。可使顯示細分化。
(變化例3)
於上述第1實施形態中，使白色帶電粒子13帶正極電，使黑色帶電粒子14帶負極電。亦可使白色帶電粒子13帶負極電，使黑色帶電粒子14帶正極電。亦可設為容易控制之帶電狀態。
(變化例4)
於上述第1實施形態中，於上部基板3設置有反射減少膜7。而且，於上述第2實施形態中，於下部基板34設置有反射減少膜37。亦可設為以包含反射減少膜7之上部基板3與包含反射減少膜37之下部基板34夾著電泳分散液12之構造。可藉由反射減少膜7與反射減少膜37顯示對比度更加良好之畫面。
於上述第3實施形態中，隔板42吸收光28。亦可設為以包含反射減少膜7之上部基板3與包含反射減少膜37之下部基板34夾著電泳分散液12及隔板42之構造。可藉由反射減少膜7、反射減少膜37及隔板42顯示對比度更加良好之畫面。
此外，亦可設為以包含反射減少膜7之上部基板3與未包含反射減少膜37之下部基板2夾著電泳分散液12及隔板42之構造。此外，亦可設為以未包含反射減少膜7之上部基板35與包含反射減少膜37之下部基板34夾著電泳分散液12及隔板42之構造。
於上述第4實施形態中，絕緣層49吸收光28。亦可設為以包含反射減少膜7之上部基板3與包含絕緣層49之第1基板48夾著電泳分散液12之構造。可藉由反射減少膜7與絕緣層49顯示對比度更加良好之畫面。進而，亦可設為以包含反射減少膜7之上部基板3與包含絕緣層49之第1基板48夾著電泳分散液12及隔板42之構造。可藉由反射減少膜7、絕緣層49及隔板42而顯示對比度更加良好之畫面。
此外，亦可設為以未包含反射減少膜7之上部基板35與包含絕緣層49之第1基板48夾著電泳分散液12及隔板42之構造。
1‧‧‧電泳顯示裝置
2‧‧‧下部基板
3‧‧‧上部基板
3a‧‧‧圖像顯示面
5‧‧‧隔板
6‧‧‧像素區域
7‧‧‧作為反射減少部之反射減少膜
8‧‧‧作為第1基板之第1基材
9‧‧‧元件層
9a‧‧‧電壓供給線
9b‧‧‧控制信號線
9c‧‧‧半導體元件
9d‧‧‧貫通電極
9p‧‧‧汲極電極
10‧‧‧絕緣層
11‧‧‧作為第1電極之像素電極
12‧‧‧電泳分散液
13‧‧‧作為帶電粒子之白色帶電粒子
14‧‧‧作為帶電粒子之黑色帶電粒子
15‧‧‧分散介質
16‧‧‧作為第2基板之第2基材
17‧‧‧作為第2電極之共通電極
18‧‧‧接著層
A-A‧‧‧線
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向

Claims (10)

  1. 一種電泳顯示裝置，其特徵在於包含：第1基板，其供設置半導體元件；第2基板，其與上述第1基板對向；及隔板部，其位於上述第1基板與上述第2基板之間，且區劃像素區域；且自上述第2基板之法線方向觀察時，於由上述隔板部區劃之各個區域內保持包含帶電粒子之電泳分散液，而於與上述隔板部重疊之區域具有減少光之反射之反射減少部。
  2. 如請求項1之電泳顯示裝置，其中：上述反射減少部位於上述第2基板與上述隔板部之間。
  3. 如請求項1之電泳顯示裝置，其中：於上述第1基板與上述隔板部之間具有上述反射減少部。
  4. 如請求項1之電泳顯示裝置，其中：上述隔板部兼用作上述反射減少部。
  5. 如請求項1之電泳顯示裝置，其包含：元件層，其位於上述第1基板上且設置有上述半導體元件；絕緣層，其位於上述元件層之上；且上述絕緣層兼用作上述反射減少部。
  6. 如請求項1至5中任一項之電泳顯示裝置，其中：於上述第1基板設置第1電極，於上述第2基板設置第2電極，且上述隔板部係將上述第1電極與上述第2電極絕緣。
  7. 如請求項1至5中任一項之電泳顯示裝置，其中：分隔相鄰之2個上述像素區域之上述隔板部之電阻值為1×108Ω以上。
  8. 一種電子機器，其特徵在於包含：顯示部、及驅動上述顯示部之驅動部；且上述顯示部係如請求項1至7中任一項之電泳顯示裝置。
  9. 一種電泳顯示裝置之製造方法，其特徵在於：於第1基板上將包含碳之樹脂材料成形而設置隔板部；於被上述隔板部區劃之像素區域填充包含分散介質及帶電粒子之電泳分散液；且與上述隔板部重疊設置第2基板。
  10. 如請求項9之電泳顯示裝置之製造方法，其中：分隔相鄰之2個上述像素區域之上述隔板部之電阻值為1×108Ω以上。
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