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TW201629171A - 黏接片以及加工物之製造方法 - Google Patents

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TW201629171A TW104140062A TW104140062A TW201629171A TW 201629171 A TW201629171 A TW 201629171A TW 104140062 A TW104140062 A TW 104140062A TW 104140062 A TW104140062 A TW 104140062A TW 201629171 A TW201629171 A TW 201629171A
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Shigeyuki Yamashita
Masatomo Nakamura
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Abstract

本發明係關於一種黏接片以及加工物之製造方法，其中，本發明所提供的一種黏接片，係在板狀組件照射雷射光形成改質部，用於將上述板狀組件分割後晶片化的黏接片，具有基材和上述基材的一邊面上備有的黏接劑層，上述基材對於上述一邊面以及上述一邊面之反面的兩邊面，於JIS B0601：2013(ISO 4287：1997)所規定的算數平均粗糙度Ra係0.01μm以上、0.2μm以下，上述黏接劑層的厚度係2μm以上、12μm以下。這種黏接片在利用雷射光之切割製程中使用時，難以產生瑕疵且具有優越的頂取(Pick up)性。

Description

黏接片以及加工物之製造方法
本發明係關於一種黏接片以及加工物之製造方法；特別關於一種於板狀組件照射雷射光形成改質部，用於將該板狀組件個片化，得晶片狀加工物的黏接片，以及一種利用上述黏接片，製造晶片等加工物的方法。
半導體晶圓於表面形成回路後，在晶圓的背面進行研磨加工，進行調整晶圓厚度的背面研磨製程以及將晶圓個片化為所需晶片大小的切割製程。
近來隨著電子機器機殼尺寸的縮小或利用多積層晶片的半導體裝置之需求增加，該構成組件之半導體晶片正持續薄型化中，因此，對於原本厚度係350μm左右的晶圓，要求需薄化至50~100μm或此厚度以下。
質地脆弱的組件晶圓變薄的同時，加工以及搬運時破損的危險性亦提高。這種薄度的晶圓若透過高速旋轉的切割刀裁切，尤其係半導體晶圓的背面，會發生晶片崩裂等，使晶片的抗折強度明顯下降。
因此，專利文獻中揭示了將雷射光照射於半導體晶圓的內部，選擇部分形成改質部同時形成切割線，以改質部為基準裁切半導體晶圓，即所謂的隱形切割法(專利文獻1)。 根據隱形切割法，以雷射光照射半導體晶圓內部形成改質部後，將薄的半導體晶圓黏貼於以基材和黏接劑層組成的黏接片(切割片)，藉由將切割片延展，沿著切割線分割(切割)半導體晶圓後，即可以良好的產率生產半導體晶片。此外，亦揭示了在半導體晶圓黏貼於切割片後，以雷射光照射形成改質部。藉由採用這樣的製程形成改質部，由於不需經過於變得脆弱的晶圓上黏貼切割膠帶的製程，便可降低已變得脆弱的晶圓之破損風險。在這樣的情況下，由於一般雷射係照射於晶圓未形成回路的面，因此產生通過切割片照射雷射的必要性。
如同上述切割製程中，作為加工方法，有些情況需利用雷射，而於切割製程時，作為準確地校準半導體晶圓等板狀組件的工具亦有使用雷射的情況。與該等情況一樣的切割製程中，利用雷射光的情況下，使用的黏接片(本發明專利說明書中將此黏接片稱為「雷射切割片」)在該使用過程中，此雷射切割片透過雷射的情況下，對於此雷射光必須具有優越的穿透性才行。
為了滿足這樣的要求，例如，專利文獻2中揭示了作為以基材和該單面形成的黏接劑層形成的雷射切割片，300~400nm的波長範圍之全光線透過率係60%以上，霧度係20%以下，光梳的幅寬係0.25mm的穿透鮮明度係30以上的雷射切割片。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開第2005-229040號公 報
[專利文獻2]專利第5124778號公報
專利文獻2中，作為上述雷射切割片，該基材的單面之中心線平均粗糙度Ra比另一邊面的中心線平均粗糙度Ra大，以於中心線平均粗糙度Ra較大的面形成黏接劑層而組成，將中心線平均粗糙度Ra係0.3~0.7μm的面作為黏接劑層形成面，基材的該面之反面的中心線平均粗糙度Ra係0.14μm的雷射切割片(專利文獻2實施例)。
這種雷射切割片由於雷射入射側的面之基材的黏接劑層形成面之反面成為平滑面，可防止基材表面的雷射光散亂，以期有效利用雷射光。
但利用雷射切割片，在半導體晶圓等板狀組件上製造的半導體晶片等加工物，該厚度有變得更薄的傾向，此外，近來實裝的高密度化持續進行中，有時會以聚矽氧晶圓取代基板，在其上方利用矽(Si)貫穿電極(TSV、Through-Silicon Via)積層晶片。與此相同，加工物很薄或加工物具有TSV所涉及的構造之情況下，雷射切割片的黏接劑層可從附著於該黏接劑層的加工物輕鬆地剝離(頂取性優秀)者為佳。
另一方面，專利文獻2中所記載的雷射切割片上，有時會產生黏接劑層無法適當地於基材上形成的部分，這種部分在雷射切割片的平面視被視為係瑕疵，有導致為了板狀組件加工而入射的雷射之板狀組件抵達光不均性的疑慮。
本發明係切割製程中利用雷射光的情況下所使用的黏接片，目的在於提供一種難以產生瑕疵且具有優越的頂取性之黏接片，以及提供利用這種黏接片於板狀組件製造加工物的方法。
為了達成上述目的，經本發明者等深入鑽研，藉由將黏接劑層的厚度設為2μm以上、12μm以下，基材雙面的算數平均粗糙度Ra設為0.2μm以下，便可獲得可穩定地降低瑕疵發生的可能性，同時具有優越的頂取性之黏接片的新知。
本發明以上述新知為基礎所完成，內容如下。
(1)一種黏接片，係在板狀組件照射雷射光形成改質部，用於將上述板狀組件分割後晶片化的黏接片，其特徵在於：具有基材和上述基材的一邊面上備有的黏接劑層，上述基材對於上述一邊面以及上述一邊面之反面的兩邊面，於JIS B0601：2013(ISO 4287：1997)所規定的算數平均粗糙度Ra係0.01μm以上、0.2μm以下，上述黏接劑層的厚度係2μm以上、12μm以下。
(2)上述第(1)項所述的黏接片，上述黏接片於JIS K7136：2000(ISO 14782：1999)所規定的霧度，在將基材側作為入射側時，係0.01%以上、10%以下。
(3)上述第(1)項或第(2)項所述的黏接片，上述黏接劑層含有丙烯酸類聚合物，上述丙烯酸類聚合物的玻璃轉換溫度Tg係-40℃以上、-10℃以下。
(4)上述第(3)項所述的黏接片，上述丙烯酸類聚合 物包含源自甲基丙烯酸甲酯的構成單位，對於賦予上述丙烯酸類聚合物的單體整體之甲基丙烯酸甲酯質量比係5質量%以上、20質量%以下。
(5)上述第(3)項或第(4)項所述的黏接片，上述丙烯酸類聚合物具有能量線聚合性基。
(6)上述第(1)項至第(5)項中任一項所述的黏接片，上述基材含有聚烯烴類材料。
(7)上述第(1)項至第(6)項中任一項所述的黏接片，上述基材的上述算數平均粗糙度Ra係包含上述基材輥加壓而設定。
(8)上述第(7)項所述的黏接片，上述輥加壓中所使用的輥具有以金屬材料組成之表面。
(9)一種加工物之製造方法，包括：將上述第(1)項至第(8)中任一項所述的黏接片之比起上述基材更鄰近黏接劑層的面黏貼於包含板狀組件的黏附體之一邊面，獲得具有上述黏接片以及上述板狀組件的第1積層體之黏貼製程；藉由將具有上述第1積層體的上述基材延展，分割上述黏接片上的上述板狀組件，獲得具有上述板狀組件的分割體之多個晶片，配置於上述黏接片上形成的第2積層體之分割製程；以及將上述第2積層體的上述多個晶片之份別從上述黏接片分離，將上述晶片作為加工物獲得的頂取製程；其特徵在於：至上述分割製程開始為止，照射雷射光使其聚焦於上述板狀組件的內部所設定的焦點，於上述板狀組件的內部形成改質部的改質部形成製程。
(10)上述第(9)項所述的加工物之製造方法，於上述分割製程所提供的上述第1積層體，於上述黏接劑層和上述板狀組件之間具有附加層，於上述分割製程同時分割上述附加層，於上述頂取製程，從上述黏接片分離的晶片具有上述板狀組件的分割體，以及該板狀組件的分割體之上述鄰近黏接片的面上形成的上述附加層之分割體。
(11)上述第(10)項所述的加工物之製造方法，上述附加層具有保護層。
(12)上述第(11)項所述的加工物之製造方法，至上述分割製程開始為止，具有由保護膜形成薄膜形成上述第1積層體的上述保護層的保護膜形成製程。
(13)上述第(10)項所述的加工物之製造方法，上述附加層具有晶粒結著層。
本發明提供難以產生瑕疵且具有優越的頂取性之黏接片。此外，藉由利用這種黏接片，便可於板狀組件上穩定地製造加工物。
以下對於本發明的實施形態進行詳細說明。
1.黏接片
本發明之其一實施形態所涉及的黏接片具有基材以及黏接劑層。
(1)基材
本發明之其一實施形態所涉及的黏接片的基材，對於黏接劑層相對側的面(本發明專利說明書中稱為「黏接劑加工面」)以及黏接劑加工面之反面(本發明專利說明書中稱為「雷射入射面」)之兩個面，於IS B0601：2013(ISO 4287：1997)所規定的算數平均粗糙度Ra(以下未特別註明的「算數平均粗糙度Ra」皆係此含意)係0.2μm以下。透過該等面的算數平均粗糙度Ra係0.2μm以下，難以觀測到黏接片的平面視上之瑕疵，因此，於黏接片的基材側入射的雷射光很容易均一地抵達黏接片黏貼的板狀組件，這種雷射光在不均地抵達板狀組件的情況下，例如，板狀組件內產生沒有適當地形成改質部的部分，提高了從這部分發生板狀組件的個片化無法適當地進行等問題之可能性。從提高上述入射雷射光的均一性之觀點來看，對於黏接劑加工面以及雷射入射面這兩個面，算數平均粗糙度Ra係0.18μm以下為佳，較佳係0.16μm以下，更佳係0.14μm以下，特佳係0.12μm以下。從獲得難以產生平面視瑕疵的黏接片之觀點來看，對於黏接劑加工面，算數平均粗糙度Ra的下限並無限制。從維持製造穩定性等的觀點等來看，對於黏接劑加工面以及雷射入射面這兩面，算數平均粗糙度Ra係0.01μm以上為佳。
本發明之其一實施形態所涉及的基材之構成材料，滿足對於上述算數平均粗糙度Ra的相關條件，可用來作為雷射切割片的基材，即，只要在所需波長的雷射光可以實用的範圍之穿透率穿透，即使在以面內方向延展或以局部的厚度 方向突出的情況下，亦可滿足難以斷裂之要求的前提下，並無特別限制。本發明之其一實施形態所涉及的基材，通常由樹脂類材料為主要材料的薄膜構成。此薄膜可係單層，亦可係積層體。
包含於這種薄膜的樹脂類材料之具體例子，可舉例：隨機共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯等聚丙烯；低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等聚乙烯；乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降莰烯共聚物等乙烯類共聚物；降莰烯樹脂等環烯烴聚合物(COP)聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烴類材料；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等聚氯乙烯類材料；聚對酞酸乙二酯、聚(對酞酸丁二酯)等聚酯類材料；聚氨酯類材料；聚醯亞胺類材料；離子聚合物樹脂類材料；烷基(甲基)丙烯酸酯的同元聚合物、烷基(甲基)丙烯酸酯的共聚物等聚丙烯酸類材料；聚苯乙烯類材料；聚碳酸酯類材料；氟樹脂類材料；以及將該等樹脂類材料的氫化物以及變性物作為主要材料的樹脂類材料等。樹脂類材料亦可係上述材料和架橋劑的架橋物，另外，本發明專利說明書中的「(甲基)丙烯酸」，意指丙烯酸以及甲基丙烯酸這兩種，其他類似用語亦同。賦予上述基材的樹脂類材料可係單獨1種，亦可係混合2種以之混合物。從高雷射穿透性、面內方向的延展以及厚度方向的局部變形容易性、低環境負荷等觀點來看，本發明之其一實施形態中所涉及的基材含有聚烯烴類材料為佳，聚烯烴類材料中又以含有隨機共聚聚丙烯等的聚丙烯較佳。
包含於基材的樹脂類材料係聚烯烴類材料的情況下，一般而言，基材雙面的算數表面粗糙度Ra之控制，可利用2個輥透過將基材嵌入的輥加壓形成。藉由調整構成該等輥的表面材料以及該表面的粗糙度，設定基材雙面的算數表面粗糙度Ra。向來該等輥的表面，一般係一邊係以金屬形成、另一邊係以和橡膠一樣的彈性材料形成，因此，接觸以金屬面形成的輥的基材之面的算數表面粗糙度Ra，雖可相對容易以低數值進行，但接觸以彈性材料形成的輥的基材之面的算數表面粗糙度Ra，難以用低數值進行。此處，如同本發明之其一實施形態所涉及的基材，想使基材的雙面算數表面粗糙度Ra低落的情況下，對於輥加壓中所要求的輥的兩邊面，使用以金屬形成的面來進行為佳。但在這情況下，比起一邊輥的表面係以彈性材料形成的情況下，兩邊面的輥以及基材的相對配置需更嚴密地控制，包含於基材的樹脂類材料係聚氯乙烯類材料的情況下，由於可以膨脹成形(Inflation molding)製造基材，可輕易地將基材雙面的算數表面粗糙度Ra設為低數值。但，聚氯乙烯類材料由於包含鹵素元素，在減輕環境負荷的訴求下，不使用其作為基材材料為佳。
基材係以上述的樹脂類材料作為主要材料的薄膜內，亦可包含著色劑、阻燃劑、塑化劑、抗靜電劑、潤滑劑、填充劑等各種添加劑。就著色劑而言，可舉例：二氧化鈦、碳黑等顏料或各種染料。此外，就填充劑而言，可舉例：如三聚氰胺樹脂一樣的有機類材料、如氣相二氧化矽一樣的無機類材料，以及如鎳鋼粒子一樣的金屬類材料。這種添加劑的含有量 雖無特別限制，但須固定於可發揮基材所需功能、尤其係穿透雷射的功能，並不失去所需之平滑性以及柔軟性的範圍內。
為了硬化黏接劑層，作為照射的能量線，利用紫外線的情況下，基材對於紫外線具有穿透性為佳。此外，作為能量線，利用電子束的情況下，基材具有電子束的穿透性為佳。
基材的厚度方面，黏接片在前面所述之各製程中，只要可適當地發揮功能，並無特別限制，較佳係介於20~450μm的範圍，更佳係介於25~200μm的範圍，特佳係介於50~150μm的範圍。
基材的楊氏模數係50~500MPa為佳。藉由使楊氏模數介於此範圍內，便可維持良好的延展性，同時提升基材的機械強度，使形成黏接劑層之際的製程性質良好。例如，作為基材的含聚烯烴類樹脂薄膜置於塗佈機時，可防止在施以張力的情況的基材之意外的延展。
從上述楊氏模數難以發生阻斷，此外，提升機械強度的同時，擴充性相對較良好的觀點來看，較佳係60~450MPa，更佳係100~420MPa，特佳係150~300MPa。
(2)黏接劑層
具有本發明之其一實施形態所涉及的黏接片的黏接劑層之厚度係2μm以上、12μm以下。藉由黏接劑層的厚度介於上述範圍內，基材雙面算數平均粗糙度Ra介於前面所述之範圍內，便可獲得從平面視難以產生瑕疵，且具有優越的頂取性之黏接片。從使上述產生瑕疵的可能性相對較穩定地降低的觀點來看，黏接劑層的厚度較佳係3μm以上，更佳係4μm以上。 從可更為穩定地實現獲得優越的頂取性之黏接片的觀點來看，黏接劑層的厚度較佳係10μm以下，更佳係8μm以下，特佳係6μm以下。
用於形成具有本發明之其一實施形態所涉及的黏接片的黏接劑層的黏接劑組成物並無限制，作為包含於這種黏接劑組成物的黏接劑，可舉例：橡膠類、丙烯酸類、聚矽氧類、聚乙烯醚等黏接劑。以下，以用於形成黏接劑層的黏接劑組成物含有丙烯酸類黏接劑的情況為例進行說明。由於丙烯酸類的黏接劑的透明性優秀，容易穿透雷射光線。
丙烯酸類的黏接劑含有丙烯酸類聚合物。丙烯酸類聚合物係將以丙烯酸類化合物為基礎的構成單位，作為構成該骨架的單位而包含的聚合物。丙烯酸類聚合物可係1種單體聚合所形成的同元聚合物，亦可係多種單體聚合所形成的共聚物。從容易控制聚合物物理特性以及化學特性之觀點來看，丙烯酸類聚合物係共聚物為佳。
丙烯酸類聚合物的玻璃轉換溫度Tg係-40℃以上、-10℃以下為佳。藉由玻璃轉換溫度Tg係-40℃以上的丙烯酸類聚合物包含於黏接劑組成物，變得可以降低黏接劑層的黏接性，並將頂取性更為提升。從更為穩定地獲得這種提升頂取性的效果之觀點來看，丙烯酸類聚合物的玻璃轉換溫度Tg係-35℃以上更佳。晶圓的晶片分割後，從易於保持維持晶片性能的觀點來看，丙烯酸類聚合物的玻璃轉換溫度Tg係-20℃以下為佳。
丙烯酸類聚合物的重量平均分子量(Mw)並無限 制，通常較佳係10萬~200萬，更佳係30萬~150萬。此外，分子量分布(Mw/Mn、Mn係數均分子量)亦無限制，通常較佳係1.0~10，更佳係1.0~3.0。
賦予丙烯酸類聚合物的單體之具體種類並無限制，作為這種單體，可舉例：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯、丙烯腈等。作為(甲基)丙烯酸酯的具體例子，可舉例：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸十五酯、(甲基)丙烯酸十八酯等烷基碳數係1~18的烷基(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸苄基酯、丙烯酸異莰基酯、丙烯酸二環戊基酯、丙烯酸二環戊烯基酯、丙烯酸二環戊烯基羥乙基酯、丙烯酸醯亞胺基酯等具有環狀骨架的(甲基)丙烯酸酯；2-(甲基)丙烯酸羥基乙酯、2-(甲基)丙烯酸羥基丙酯等具有羥基的(甲基)丙烯酸酯；縮水甘油甲基丙烯酸酯、縮水甘油丙烯酸酯等具有環氧樹脂基的(甲基)丙烯酸酯等。
從丙烯酸類聚合物使該玻璃轉換溫度Tg上升的觀點來看，含有甲基丙烯酸甲酯為佳。藉由丙烯酸類聚合物含有甲基丙烯酸甲酯，從得到更為穩定之所帶來的效果的觀點來看，對於賦予丙烯酸類聚合物的單體整體之甲基丙烯酸甲酯的質量比較佳係5質量%以上、20質量%以下，更佳係7質量%以上、15質量%以下。
丙烯酸類聚合物亦可係以乙酸乙烯酯、苯乙烯、乙酸乙烯酯等作為單體含有的共聚物。
丙烯酸類聚合物具有可與能量線聚合性基和架橋劑反應的反應性官能基(以下簡稱「反應性官能基」)的至少一邊亦可。
丙烯酸類聚合物含有能量線聚合性基的情況下，藉由於黏接劑層照射能量線，便更容易獲得可使對於黏附體的黏接性變得低落，且具有優越頂取性的黏接片。作為能量線聚合性基，可舉例具有聚合性雙鍵的基。具有能量線聚合性基的丙烯酸類聚合物之調製方法並無限制，作為這種調製方法之其中一例，對於具有含羥基、羧酸基、胺基等的活性氫的官能基之丙烯酸類聚合物，能與異氰酸鹽基等上述的官能基反應的官能基，以及具有能量線聚合性基的物質(具體可舉例(甲基)丙烯酸乙氧基異氰酸鹽)反應者。此外，丙烯酸類的黏接劑透過這種調整方法，在含有含能量線聚合性基的丙烯酸類聚合物的情況下，上述的丙烯酸類聚合物之玻璃轉換溫度Tg，指的係使可與上述官能基反應的官能基，以及具有能量線聚合性基的物質反應之前的Tg。
丙烯酸類聚合物具有反應性官能基的情況下，藉由此反應性官能基和架橋劑反應，調整黏接劑層凝聚性，抑制黏接片的剝離後於黏附體發生殘渣，或使黏接劑層的黏接性低下，更為提升頂取性等變得更為容易。反應性官能基和架橋劑的組合並無限制，作為反應性官能基，可舉例：羥基、羧酸基、胺基等具有活性氫的基。作為架橋劑，可舉例：異氰酸鹽類架橋劑、環氧樹脂類架橋劑、氮環丙烷類架橋劑、金屬鉗合物類架橋劑等。
異氰酸鹽類架橋劑至少含有含多個異氰酸鹽基的聚異氰酸鹽化合物。就聚異氰酸鹽化合物而言，可舉例：二異氰酸甲苯酯、二苯甲烷二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸鹽等芳香族聚異氰酸鹽；二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸鹽、雙環庚烷三異氰酸鹽、伸環戊基二異氰酸鹽、伸環己基二異氰酸鹽、甲基伸環己基二異氰酸鹽、氫化二甲苯二異氰酸鹽等脂環式異氰酸鹽化合物；環己烷二異氰酸鹽、三甲環己烷二異氰酸鹽、離胺酸二異氰酸鹽等非環式脂肪族異氰酸鹽以及該縮二脲體和三聚異氰酸體、具有異氰酸鹽基的化合物與乙烯乙二醇、三羥甲基丙烷、篦蔴油等與含非芳香族性低分子活性氫化合物的反應物之加成物等變性體。
就環氧樹脂類架橋劑而言，可舉例：1,3-雙(N,N-二縮水甘油氨甲基)環己烷、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-m-苯二甲胺、乙二醇二縮水甘油醚、1,6-二醇二縮水甘油醚、三羥甲基丙烷二縮水甘油醚、二縮水甘油基、縮水甘油胺等。
就氮環丙烷類架橋劑而言，可舉例：二苯甲烷-4,4’-雙(1-氮環丙烷甲醯胺)、三羥甲基丙烷三-β-氮丙啶丙酸、四甲基甲烷三-β-氮丙啶丙酸、甲苯-2,4-雙(1-氮環丙烷甲醯胺)、三伸三聚氰胺、雙異酞醯基-1-(2-甲基氮環丙烷)、三-1-(2-甲基氮環丙烷)膦、三羥甲基丙烷三-β-(2-甲基氮環丙烷)丙酸酯等。
金屬鉗合物類架橋劑中，金屬原子有鋁、鋯、鈦、鋅、鐵、錫等鉗合物化合物，該等中由於鋁鉗合物化合物的性能佳，故較為理想。作為鋁鉗合物化合物，可舉例：二異丙氧基鋁單油乙醯乙酸酯、單異丙氧基鋁雙油乙醯乙酸酯、單異丙 氧基鋁單油酸鹽單油酸鹽乙醯乙酸酯、二異丙氧基鋁單月桂基乙醯乙酸酯、二異丙氧基鋁單硬脂醯乙醯乙酸酯、二異丙氧基鋁單異硬脂乙醯乙酸酯等。
黏接劑組成物在含有丙烯酸類聚合物的情況下，黏接劑組成物含有丙烯酸類聚合物以外的成分亦可。就這種材料而言，可舉能量線聚合性化合物為例。能量線聚合性化合物係受紫外線、電子束等能量線照射聚合而成的化合物，此能量線聚合性化合物可舉具有能量線聚合性基的低分子量化合物(單官能、多官能的單體以及寡聚物)為例，具體可舉例：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇單羥基戊基丙烯酸酯、季戊四醇己基丙烯酸酯，或1,4-丁烯乙二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、丙烯酸異莰基酯等含有環狀脂肪族骨架的丙烯酸酯；聚乙烯乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、胺甲酸乙酯丙烯酸酯寡聚物、環氧樹脂變性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯等丙烯酸酯類化合物。這種化合物的分子內至少具有1個聚合性雙鍵，通常分子量係100~30000，較佳係300~10000左右。黏接劑組成物係丙烯酸類的黏接劑，含有含能量線聚合性基的丙烯酸類聚合物之情況下，即使黏接劑組成物不含具有能量線聚合性基的低分子量化合物，或僅含有少量，藉由對黏接劑層照射能量線，仍可使對於黏附體的黏接性低落。黏接劑組成物中之具有能量線聚合性基的低分子量化合物之含有量很大的情況下，會有頂取性低落的傾向，因此，黏接劑組成物係丙烯酸類黏接劑，藉由含有含能量線聚合性基的 丙烯酸類聚合物，可使具有能量線聚合性基的低分子量化合物之使用量減少，而得以更加提升頂取性。黏接劑組成物係丙烯酸類的黏接劑的情況下，黏接劑組成物相對於丙烯酸類聚合物100質量份，含有能量線聚合性化合物0~30質量份較佳，含有0~15質量份更佳，含有0~10質量份特佳。
黏接劑組成物含有含能量線聚合性基的丙烯酸類聚合物，或含能量線聚合性化合物的情況下，亦含有光聚合起始劑為佳，作為光聚合起始劑，可舉例：安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基膦氧化物化合物、二茂鈦化合物、噻吨酮化合物、過氧化物化合物等光起始劑；亦可舉胺和醌等光敏劑為例，具體而言，可舉例：1-羥基環己基苯基酮、安息香、安息香甲基酯、安息香乙醚、安息香異丙醚、苄基二苯硫醚、四甲基秋蘭姆單硫化物、偶氮雙異丁腈、二苄基、二乙醯基、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯-膦氧化物等。藉由使其含有光聚合起始劑，利用紫外線作為能量線的情況下，即可以少量的照射時間、照射量進行。
作為用於使能量線聚合性基以及能量線聚合性化合物反應的能量線，可舉例：游離輻射、即X射線、紫外線、電子束等。該等中又以相對來說較容易準備照射設備的紫外線為佳。
作為游離輻射，利用紫外線的情況下，從處理容易性方面來說，利用包含波長200~380nm左右的紫外線之近紫外線即可。就紫外線的光量而言，根據包含於黏接劑層的能量線聚合性基、能量線聚合性化合物之種類，以及黏接劑層的 厚度適當地選擇即可，通常係50~500mJ/cm2左右，較佳係100~450mJ/cm2，更佳係150~400mJ/cm2。此外，紫外線的照度通常係50~500mW/cm2左右，較佳係100~450mW/cm2，更佳係150~400mW/cm2。紫外線源並無特別限制，例如可利用高壓汞燈、金屬鹵素燈等。
利用電子束作為游離輻射的情況下，對於加速電壓，根據包含於黏接劑層的能量線聚合性基、能量線聚合性化合物的種類，以及黏接劑層厚度適當地選擇即可，通常加速電壓係10~1000kV左右為佳。此外，照射線量只要設定在包含於黏接劑層的能量線聚合性基以及能量線聚合性化合物之反應可適當地進行的範圍內即可，通常選定於10~1000krad之範圍。電子束源並無特別限制，可舉例使用科克勞夫-沃吞型加速器(Cockcroft-Walton accelerator)、凡德格拉夫型加速器(Van de Graaff accelerator)、共振變壓器型加速器、絕緣芯變壓器型加速器，或直線型、高頻高壓(Dynamitron)型加速器、高頻率型加速器等各種電子束加速器。
(3)光學特性
本發明之其一實施形態所涉及的黏接片於JIS K7136：2000(ISO 14782：1999)所規定的霧度，比起黏接劑層，將鄰近基材的面作為入射面時，係0.01%以上、10%以下為佳。透過該霧度係10%以下，便可有效地活用入射於黏接片的雷射光。從可更為穩定地有效活用入射於黏接片的雷射光的觀點來看，上述霧度係5%以下較佳，更佳係2.5%以下；從有效活用入射於黏接片的雷射光之觀點來看，上述霧度不設下限；而從 提高製造穩定性的觀點等來看，上述霧度係0.01%以上左右為佳。
本發明之其一實施形態所涉及的黏接片於JIS K7375：2000所規定的全光線透過率，比起黏接劑層，將鄰近基材的面作為入射面時，係85%以上為佳。透過該全光線透過率係85%以上，便可有效地活用入射於黏接片的雷射光。從有效活用入射於黏接片的雷射光之觀點來看，上述全光線透過率係90%以上為佳；從有效活用入射於黏接片的雷射光之觀點來看，上述全光線透過率不設上限；而從提高製造穩定性的觀點等來看，上述全光線透過率係99.99%以下左右為佳。
(4)附加層
本發明之其一實施形態所涉及的黏接片，黏接劑層側的面上形成附加層，黏接片使用時黏接片的黏附體之板狀組件亦可黏貼上述的附加層。附加層的構成並無限制，附加層的具體例子可舉附加層具有保護膜形成薄膜的情況，或附加層具有晶粒結著層的情況。
保護膜形成薄膜會透過熱等外部能量硬化，以可形成保護膜的材料構成。保護膜形成薄膜或保護膜，該分割體附著於板狀組件個片化而形成的晶片狀組件的狀態下從黏接劑層分離。因此，附加層係保護膜形成薄膜的情況下，可獲得於晶片狀組件的一邊面上積層保護膜形成薄膜或保護膜的分割體所形成的加工物。
附加層係晶粒結著層的情況下，板狀組件個片化而形成的晶片狀組件上附著晶粒結著層的分割體的狀態下從 黏接劑層分離。因此，附加層係晶粒結著層的情況下，可獲得晶片狀組件的一邊面上積層晶粒結著層的分割體所形成的加工物。
(5)剝離片
本發明之其一實施形態所涉及的黏接片，至黏接劑層或附加層黏貼於黏附體之板狀組件時為止這段時間之內，以保護黏接劑層或附加層為目的，亦可於比黏接片的基材更鄰近黏接劑層的面，具體來說，於黏接劑層的面或者附加層的面上貼合剝離片的剝離面。剝離片的構成無限制，舉例來說，可於塑膠薄膜上塗佈剝離劑。塑膠薄膜的具體例子可舉：聚對酞酸乙二酯、聚(對酞酸丁二酯)、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯薄膜，以及聚丙烯或聚乙烯等聚烯烴薄膜。就剝離劑而言，雖可舉例聚矽氧類、氟類、長鏈烷類等，該等又以價格低廉且可獲得穩定性能的聚矽氧類為佳。上述剝離片亦可不使用塑膠薄膜，改用玻璃紙、塗被紙、道林紙等紙基材，或使用於紙基材上積層聚乙烯等熱塑性樹脂的積層紙。對於該剝離片的厚度雖無特別限制，通常係20μm以上、250μm以下左右。
2.加工物之製造方法
藉由利用上述的本發明之其一實施形態所涉及的黏接片，便可如以下說明於板狀組件上製造加工物。
(1)黏貼製程
首先，於上述的本發明之其一實施形態所涉及的黏接片之比基材更鄰近黏接劑層的面，具體來說係黏接劑層的面或附加層的面，黏貼於包含板狀組件的黏附體之一邊面上，獲得具有 黏接片以及板狀組件的第1積層體。板狀組件並無限制，例如：聚矽氧晶圓等半導體晶圓、具有TSV所涉及的構造的積層體等。板狀組件的厚度亦無限制，例如：數十μm~數百μm之範圍。
第1積層體亦可具有附加層，作為附加層，可舉例：於保護膜形成薄膜、保護膜形成薄膜上形成的保護膜、晶粒結著層等。附加層作為黏接片的一部份，可黏貼於板狀組件，亦可於板狀組件的一邊面上事先積層附加層。在後者的情況下，附加層的板狀組件相對面之反面作為包含板狀組件之黏附體的一邊面，成為黏接片黏貼的面。
(2)分割製程
藉由延展具有第1積層體的基材，分割黏接片上的板狀組件，獲得將具有板狀組件的分割體之多個晶片配置於黏接片上而形成的第2積層體。第1積層體具有附加層的情況下，藉由延展基材附加層亦被分割。完成分割製程後，對於基材的延展程度較大的部分，透過加熱等方法使其收縮，亦可解決對於黏接片過度的鬆弛的發生。
(3)改質部形成製程
至上述分割製程開始為止，照射雷射光聚焦於板狀組件的內部所設定的焦點，於板狀組件的內部形成改質部。此雷射光的波長以及照射方法，根據板狀組件的組成、厚度等構造適當地設定。上述黏貼製程完成後，進行改質部形成製程的情況下，雷射光之對於板狀組件之照射亦可透過黏接片形成。即使在那樣的情況下，由於本發明之其一實施形態所涉及的黏接片 在平面視仍很難產生瑕疵，雷射光的照射之程度於瑕疵以及該鄰近之處產生變動，導致板狀組件內的改質部局部變得不適當的問題也難發生。與此相同，板狀組件內改質物若形成局部不適當，上述分割製程中，便有板狀組件的分割無法適當進行的疑慮。若板狀組件的分割無法適當地進行，則加工物品質降低的可能性便會提高。
(4)頂取製程
藉由將第2積層體的多個晶片個別自黏接片分離，可獲得作為加工物的晶片。分離方法並無限制，通常黏接片的晶片相對面之反面上，以針(Pin)等上頂，藉由局部地使黏接片變形，使對於預計分離的晶片之黏接劑層的黏接性降低。接著，使用真空筒夾(Collet)等，將預計分離的晶片從黏接片摘除，使晶片自黏接片分離。此情況下，上頂針時或從真空筒夾往上拉取晶片時，會於晶片上施予欲摘除黏接劑層的力量，晶片很薄或具有TSV所涉及的構造的情況下，進行此摘除步驟時，晶片上恐有產生龜裂之疑慮。但由於本發明之其一實施形態所涉及的黏接片已適當地控制黏接劑層的厚度，此摘除步驟進行時，適當地降低了晶片裂開的可能性，即，本發明之其一實施形態所涉及的黏接片的頂取性十分優秀。
第1積層體具有附加層的情況下，透過此頂取製程，從黏接片分離的晶片具有板狀組件的分割體以及此板狀組件的分割體之黏接片鄰近的面上形成的附加層之分割體。即，頂取製程中，黏接劑層和附加層的分割體之間產生剝離，加工物自黏接片分離。
賦予附加層的分割體之附加層係保護膜的情況下，保護膜於保護膜形成薄膜上形成的時間點並無限制。第1積層體之附加層係保護膜形成薄膜、至分離製程開始為止，亦可進行於保護膜形成薄膜形成保護膜之作業。附加層的賦予分割體之附加層係保護膜形成薄膜，亦可於加工物所具有的保護膜形成薄膜之分割體上形成保護膜。
以上說明的實施形態，係為了便於理解本發明而記載，當不能以此限定本發明實施之範圍，因此，屬於上述實施形態中記載的各元素之技術性範圍內的所有設計變更或均等物，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
(實施例)
以下，透過實施例等進一步對本發明進行具體說明，但本發明的範圍並不受這些實施例等限制。
〔實施例1〕
(1)基材之製作
使用小型T字擠出機(Toyo Seiki Seisaku-sho,Ltd.製，「Laboplastomill.」)，利用以隨機共聚聚丙烯樹脂形成的樹脂組成物擠出成形，製作一邊面(相當於黏接劑加工面)的算數表面粗糙度Ra係0.03μm，另一邊面(相當於雷射入射面)的算數表面粗糙度Ra係0.03μm之薄膜，以此作為基材。此外，基材的表面粗糙度利用表面粗糙度測量機(Mitutoyo Corporation製，「SV-3000」)測量。
(2)黏接劑組成物之調製
將62質量份的丙烯酸丁酯和10質量份的甲基丙烯酸甲 酯，以及28質量份的2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)共聚合，於獲得的共聚物(玻璃轉換溫度Tg-34℃)，將甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)對於共聚物的HEA，使其反應80mol%，獲得具有能量線聚合性基的丙烯酸類聚合物(重量平均分子量50萬)。
相對於上述丙烯酸類聚合物100質量份，將光聚合起始劑(BASF公司製，「Iragacure 184」、濃度：100%)3.0質量份、異氰酸鹽化合物(Toyo Ink Co.,Ltd.製，「BHS-8515」)1.0質量份混合後，獲得以溶劑稀釋而成黏接劑組成物。
(3)黏接片之製作
於剝離片的剝離面上塗佈上述黏接劑組成物，藉由將獲得的塗膜使每個剝離片在80℃的環境中經過1分鐘，獲得以剝離片和黏接劑層(測量的厚度係10μm)所形成的積層體。
於前面所述之基材的黏接劑加工面黏貼上述積層體的黏接劑層側的面，在黏接劑層側的面上剝離片積層更多的狀態中獲得以基材和黏接劑層形成的黏接片。
〔實施例2〕
除了黏接劑層的厚度設為5μm以外，其餘皆與實施例1一致，於黏接劑層側的面上積層剝離片的狀態下獲得黏接片。
〔實施例3〕
除了下列的變更內容以外，其餘皆與實施例1一致，於黏接劑層側的面上積層剝離片的狀態下獲得黏接片。
(變更內容)：變更基材的成形條件，基材的黏接劑加工面之算數表面粗糙度Ra設為0.16μm、雷射入射面之算數表面粗 糙度Ra設為0.03μm。
〔比較例1〕
除了黏接劑層的厚度設為15μm以外，其餘皆與實施例3一致，於黏接劑層面上積層剝離片的狀態下獲得黏接片。
〔比較例2〕
除了以下變更內容1與2以外，其餘皆與實施例1一致，於黏接劑層側的面上積層剝離片的狀態下獲得黏接片。
(變更內容1)：變更基材的成形條件，基材的黏接劑加工面之算數表面粗糙度Ra設為1.3μm，雷射入射面之算數表面粗糙度Ra設為0.04μm。
(變更內容2)：黏接劑層的厚度設為15μm。
〔比較例3〕
除了黏接劑層的厚度設為10μm以外，其餘皆與比較例2一致，於黏接劑層側的面上積層剝離片的狀態下獲得黏接片。
〔比較例4〕
除了以下變更內容以外，其餘皆與實施例1一致，於黏接劑層側的面上積層剝離片的狀態下獲得黏接片。
(變更內容)：變更基材的成形條件，基材的黏接劑加工面之算數表面粗糙度Ra設為0.04μm，雷射入射面之算數表面粗糙度Ra設為1.3μm。
〔測試例1〕<霧度之測量>
透過實施例以及比較例所製造的黏接片中，摘除剝離片後裁切為適當的大小，所獲得的測試片之霧度以JIS K7136：2000為基準，利用HAZE METER(Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.製，「NDH-5000」)測量，測量光入射於黏接片的基材側的面，結果如表1所示。
〔測試例2〕<瑕疵之觀察>
透過實施例以及比較例所製造的黏接片中，摘除剝離片後，將各黏接片的黏接劑層側的面之任意的100mm×100mm範圍作為觀察範圍，對於各個該等觀察範圍，利用光學顯微鏡觀察，根據瑕疵的存在程度，以下列基準評價，結果如表1所示。
A：觀察範圍內沒有發現瑕疵。
B：觀察範圍內發現5個以下的瑕疵。
C：觀察範圍內發現6個以下的瑕疵。
〔測試例3〕<頂取性評價>
將透過實施例以及比較例所製造的黏接片，於平面視裁切成圓形，摘除剝離片後，於聚矽氧晶圓(厚度：100μm)以及環狀框架(Ring frame)黏貼黏接片的黏接劑層面。
利用雷射照射儀器，於聚矽氧晶圓的黏接劑層相對的面上，往黏接片之間，以光線集中的雷射沿著設定的裁切預定線掃描並照射，使晶圓內部形成8mm×8mm的晶片。所有裁切預定線照射雷射後，利用延展儀器，以速度10mm/秒鐘拉拔10mm黏接片，使黏接片的黏接劑層側的面之聚矽氧晶圓黏貼的區塊往主面內外方向延展。
在此狀態下，根據以下條件對黏接片照射紫外線。
照度：220mW/cm2
光量：190mJ/cm2
接著以Aikoh Engineeering Co.,Ltd.製，Push Pull Guage(上頂的夾具：1個(Pin))測量頂取時的荷重。測量上頂時所需荷重，根據此測量值，按以下基準評價頂取性，結果如表1所示。
A：1.7N以下
B：比1.7N大
從表1可得知，滿足本發明的條件之實施例的黏接片，霧度低、難以產生瑕疵，且頂取性優越，係理想的雷射切割片。
(產業上之可利用性)
本發明所涉及的黏接片適合作為雷射切割片使用。

Claims (13)

  1. 一種黏接片，係在板狀組件照射雷射光形成改質部，用於將上述板狀組件分割後晶片化的黏接片，其特徵在於：具有基材和上述基材的一邊面備有的黏接劑層；上述基材對於上述一邊面以及上述一邊面之反面的兩邊面，於JIS B0601：2013(ISO 4287：1997)所規定的算數平均粗糙度Ra係0.01μm以上、0.2μm以下；上述黏接劑層的厚度係2μm以上、12μm以下。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之黏接片，上述黏接片於JIS K7136：2000(ISO 14782：1999)所規定的霧度，在將基材側作為入射側時，係0.01%以上、10%以下。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述之黏接片，上述黏接劑層含有丙烯酸類聚合物，上述丙烯酸類聚合物的玻璃轉換溫度Tg係-40℃以上、-10℃以下。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述之黏接片，上述丙烯酸類聚合物包含源自甲基丙烯酸甲酯的構成單位，對於賦予上述丙烯酸類聚合物的單體整體之甲基丙烯酸甲酯質量比係5質量%以上、20質量%以下。
  5. 根據申請專利範圍第3項所述之黏接片，上述丙烯酸類聚合物具有能量線聚合性基。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述之黏接片，上述基材含有聚烯烴類材料。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述之黏接片，上述基材的上述 算數平均粗糙度Ra係包含上述基材輥加壓而設定。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述之黏接片，上述輥加壓中所使用的輥具有以金屬材料組成之表面。
  9. 一種加工物之製造方法，包括：將申請專利範圍第(1)項至第(8)項中任一項所述的黏接片之比起上述基材，更鄰近上述黏接劑層的面黏貼於包含板狀組件的黏附體之一邊面，獲得具有上述黏接片以及上述板狀組件的第1積層體之黏貼製程；藉由將上述第1積層體的上述基材延展，分割上述黏接片上的上述板狀組件，獲得具有上述板狀組件的分割體之多個晶片配置於上述黏接片上形成的第2積層體之分割製程；以及將上述第2積層體的上述多個晶片之分別從上述黏接片分離，將上述晶片作為加工物獲得的頂取製程；其特徵在於：至上述分割製程開始為止，照射雷射光使其聚焦於上述板狀組件的內部所設定的焦點，於上述板狀組件的內部形成改質部的改質部形成製程。
  10. 根據申請專利範圍第9項所述之加工物之製造方法，於上述分割製程所提供的上述第1積層體，於上述黏接劑層和上述板狀組件之間具有附加層，於上述分割製程同時分割上述附加層，於上述頂取製程，從上述黏接片分離的晶片具有上述板狀組件的分割體，以及該板狀組件的分割體之上述鄰近黏接片的面上形成的上述附加層之分割體。
  11. 根據申請專利範圍第10項所述之加工物之製造方法，上述附加層具有保護層。
  12. 根據申請專利範圍第11項所述之加工物之製造方法，至上述分割製程開始為止，包括由保護膜形成薄膜形成上述第1積層體的上述保護層的保護膜形成製程。
  13. 根據申請專利範圍第10項所述之加工物之製造方法，上述附加層具有晶粒結著層。
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