Изобретение относитс к радиоэлектронной технике и может быть использовано, преимуще венно, дл изготовлени дисковых керамическ конденсаторов./ Известны дисковые конденсаторы, в которых используют в качестве материала электродов серебро 1. Однако использование серебра удорожает конденсаторы. Известны конденсаторы, в которых благоро тт металл заменен на неблагородный. Эти конденсаторы требуют наличи керамики, допу кающей обжиг в восстановительной среде, так как дл того, тгобы не допустить окислеНИН неблагородного металла при вжиганин, необходимо обжигать заготовки в защитной среде 21 и 3. При этом большинство видов конденсаторной керамики либо приобретает полутфоводниковые свойства, либо имеет недостаточно высокие значени диэлектрической проницаемости . Наиболее близким к предла hieMOMy вл ет с материал, содержащий ВаТЮз и МпО в следующем соотнощении компонентов, мас.%: ВаТЮз37,82-86,79 МпО13,21-62,18 Данный материал имеет величину 3400, но допускает вжигание во влажном водороде электродов на основе Fe, Ni или NiO 4. Однако этот материал имеет диэлектрическую проницаемость недостаточную дл изготовлени конденсаторов с.высокой удельной емкостью. Цель изобретени - повьпиение диэлектрической проницаемости. Указанна цель достигаетс тем, что сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий ВаТЮз и МпО, дополнительно содержит ВаЕЮэ при следующем соот ощешш компонентов, мас.%: ВаТЮз 84,83-85,93 ВаггОз13,87-15,07 МпО0,10-0,20 Пример 1 (по минимуму мас.%). Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бари (ВаТЮз) количестве 84,83, затем добавлшот в нему цирконах бари (ВаЕгОз) 15,07 и закись марганца (МпО) 0,1. Перемешивают компрненты в течение 2-3 ч, к тонкоизмельченному порошку добавл ют поливиниловый стфт, формуют образцы и обжигают их в воздушной феде при 1400- 1450° С. На спеченные заготовки нанос т Мо-Мп пасту и вжигают ее в увлажненном водороде (точка росы 10-18° С) при 1200° С. Получают следующие характеристики материала: диэлектрическа проницаемость 10000-12400; таЛгенс угла диэлектрических потерь tg сГ 0,008-0,017; удельное объемное сопротивление р (0,95-1,81)« 10 Ом.м Пример 2 (по максимуму). Загружаю в вибромельницу в виде порошков титанат бари (ВаТЮз) в количестве 85,93, затем добавл ют к нему цирконат бари (BaZrOs) 13,87 и закись марганца (МпО) 0,2. Получают следуюшйе характеристики матери ала: диэлектрическа проницаемость , 11600- 14000; тангенс угла диэлектрических потерь tg60,011-0,015; удельное объемное сопротивление 9v (1,08-3,44) 10 Ом.м. Пример 3 (по среднему значению). Загружают в вибромельницу в виде порошков татанат бари (BaTiOa) в количестве 85,38, затем добавл ют к нему цирконат бари (BaZrOa) 14,47 и закись марганца (МпО) 0,15 Характеристики материала в этом случае следующие: диэлектрическа проницаемость 97 4 g - 10800-15000; тангенс угла диэлектрических потерь tg сГ 0,008-0,020; удельное объемное сопротивление Ру (1,67-7,6) 10 Ом.м. Составы без МпО имеют 4000-6000, при содержании МпО, равном 0,05%, 40005000 , а при содержании МпО равном 0,3% 6 - 8000-9000, Формула изобретени Сегнетозлектричёский керамический материал , содержащий ВаТЮз и МпО, отличающийс тем, что, с целью повышени диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит BaZrOs при ледуюшем соотношении компонентов, мас.%: ВаТ Оз84,83-85,93 BaZrOs13,87-15,07 МпО0,10 -0,20 Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Окадзаки К. Технологи керамических диэлектриков. Энерги , 1976, с. 210-213.