JPS5820780A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5820780A JPS5820780A JP56117419A JP11741981A JPS5820780A JP S5820780 A JPS5820780 A JP S5820780A JP 56117419 A JP56117419 A JP 56117419A JP 11741981 A JP11741981 A JP 11741981A JP S5820780 A JPS5820780 A JP S5820780A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- ceramic composition
- high dielectric
- constant ceramic
- dielectric
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高誘電率磁器組成−に関するものであり、具体
的には、誘電率が高く、広い温度範囲にわたってその変
化が小さく、かつ、誘電体損失の少なｉ優れた高層１＠
平Ｍ器組成旬に関するものである。
的には、誘電率が高く、広い温度範囲にわたってその変
化が小さく、かつ、誘電体損失の少なｉ優れた高層１＠
平Ｍ器組成旬に関するものである。
従来、誘電率が高く、誘電率の温度変化のホさな磁器組
成槍として、チタン酸バリウム（Ｂａ７１０ｓ）にビス
マス化合姿、例えばＢｔ２？ｔｚＯ，ｓ、Ｂｉｚ（Ｚｒ
Ｏｓ） Ｃｈと？ａＯ等を添加してその温度特性変化率
を小さくしたものが知られている。
成槍として、チタン酸バリウム（Ｂａ７１０ｓ）にビス
マス化合姿、例えばＢｔ２？ｔｚＯ，ｓ、Ｂｉｚ（Ｚｒ
Ｏｓ） Ｃｈと？ａＯ等を添加してその温度特性変化率
を小さくしたものが知られている。
又、（ＩＩｓ、Ｓｒ） Ｔ１０ｓやＢｍ 、（Ｔｉ、Ｓ
ａ） Ｏｊのような固溶体にしてＢａＴ１〜のキューり
点を常温附近まで下げている。
ａ） Ｏｊのような固溶体にしてＢａＴ１〜のキューり
点を常温附近まで下げている。
しかしながら、最近の磁器コンデンサはその用途におい
て小型大容量のもの、又、高周波特性における特性が優
れていることが要求されるが、これら前記の誘電体呻成
愉はこの要求を連星するに致りていなｉ。
て小型大容量のもの、又、高周波特性における特性が優
れていることが要求されるが、これら前記の誘電体呻成
愉はこの要求を連星するに致りていなｉ。
すなわち、小型大容量のものは誘１１率の大きい方が有
利であるが、一般に誘電率が大きくなるとその温度によ
る変化が大きくなるため、誘電率を大きくするにはおの
ずから限界があった。
利であるが、一般に誘電率が大きくなるとその温度によ
る変化が大きくなるため、誘電率を大きくするにはおの
ずから限界があった。
このような難点を解決するため、誘電体の厚みを薄くし
て静Ｓ容量の増加をｆる方法が一般的で、ＳＳＳ体板板
厚を０．１〜０．２ｍ程度にグリ−シート化し、所定形
状打抜後、焼成されるがこの場合、組成中にビスマス化
合使を含むと焼成時にビスマスが蒸発し、葉体が屈曲を
生じたり、ピンホールが発生ルて徴朔な磁器を得ること
は困難であった。
て静Ｓ容量の増加をｆる方法が一般的で、ＳＳＳ体板板
厚を０．１〜０．２ｍ程度にグリ−シート化し、所定形
状打抜後、焼成されるがこの場合、組成中にビスマス化
合使を含むと焼成時にビスマスが蒸発し、葉体が屈曲を
生じたり、ピンホールが発生ルて徴朔な磁器を得ること
は困難であった。
又、焼成炉内、甲、敷粉などにビスマス奮囲気が残留し
他の磁器組成物の焼成工程に悪影響を及ぼすという欠点
がありだ。
他の磁器組成物の焼成工程に悪影響を及ぼすという欠点
がありだ。
又、チタン酸バリウムの高純度微粒子粉末を用いホット
プレスするか、有機物を粒成長仰側剤として用い高密度
磁器誘電体は誘電率が３０００以上で温度特性の良いこ
とが知られているが、前者は量産性に問題があり、後者
は高電圧コンデンサのような数諺以上の素地を焼成しよ
うとすると有機物の炭素が残ったり、炭素を完全に焼失
させることが困難である。
プレスするか、有機物を粒成長仰側剤として用い高密度
磁器誘電体は誘電率が３０００以上で温度特性の良いこ
とが知られているが、前者は量産性に問題があり、後者
は高電圧コンデンサのような数諺以上の素地を焼成しよ
うとすると有機物の炭素が残ったり、炭素を完全に焼失
させることが困難である。
更にビスマスを含有するチタン酸バリウムで積層形磁器
コンデンサを作成した場合、内部電極であるパラジウム
又は白金パラジウム合金とｌ１ｓｆｌ！体内のビスマス
が反応を起こし、電極としての機能を失うため高価な白
金を使用しなければならず、積層形磁器コンデンサのコ
ストアップの要因になっていた。
コンデンサを作成した場合、内部電極であるパラジウム
又は白金パラジウム合金とｌ１ｓｆｌ！体内のビスマス
が反応を起こし、電極としての機能を失うため高価な白
金を使用しなければならず、積層形磁器コンデンサのコ
ストアップの要因になっていた。
また絶ｍ［［＃電圧面からも不安な要因であり、高周波
特性における損失の大きいことも欠点の１つであった。
特性における損失の大きいことも欠点の１つであった。
このように従来、これ等の条件を備えた安定な磁器誘電
体＆よなく・そ０実現が望まれてＩＡｅ・ ４ ｎ ｏ
０本発明者等は、上瞼の要請に鑑み、銑意研究の結果、
本発明に到達したものであり、その要旨はｒＢａ７１０
ａ−Ｚｎ）ｉｂ２０ｇ−Ｄｙ２０ｓ系磁器組成物で酸化
物に換算して ＢａＯ＠＠ｅ＠・−１６３，４４〜６５．１０重置％Ｔ
１（ｈ φ拳・−３３，１０〜３３．９２重量％ｈＯ
！・争・・・ ０．１２〜０．７０ 重量％？ｉｂ２
．Ｏｇ＊−争・・・ ０．３８〜２．４９重量％Ｄ７１
０ｓ ＊・争・ψ０．２５〜１．２５重量％の範囲を主
成分とすることを特徴とする高Ｓ電率磁器組成瞼」に関
するものである。
体＆よなく・そ０実現が望まれてＩＡｅ・ ４ ｎ ｏ
０本発明者等は、上瞼の要請に鑑み、銑意研究の結果、
本発明に到達したものであり、その要旨はｒＢａ７１０
ａ−Ｚｎ）ｉｂ２０ｇ−Ｄｙ２０ｓ系磁器組成物で酸化
物に換算して ＢａＯ＠＠ｅ＠・−１６３，４４〜６５．１０重置％Ｔ
１（ｈ φ拳・−３３，１０〜３３．９２重量％ｈＯ
！・争・・・ ０．１２〜０．７０ 重量％？ｉｂ２
．Ｏｇ＊−争・・・ ０．３８〜２．４９重量％Ｄ７１
０ｓ ＊・争・ψ０．２５〜１．２５重量％の範囲を主
成分とすることを特徴とする高Ｓ電率磁器組成瞼」に関
するものである。
つまりＢｍＴｌ ０ｓにＺｎＮｂＬＯ＆とＤｙ１ｏｓを
第２成分として添加することにより、広い範囲にわたっ
て誘電率の変化が少なく誘電墨が高い値でしかも、ａｍ
体損失の極めて小さな特性の優れた誘電体磁器組成物を
堤供するものである。
第２成分として添加することにより、広い範囲にわたっ
て誘電率の変化が少なく誘電墨が高い値でしかも、ａｍ
体損失の極めて小さな特性の優れた誘電体磁器組成物を
堤供するものである。
以下、実施例によって本発明を詳述する。
出発原料として炭酸バリウム（ＢｍＣＯｓ）と酸化チタ
ン（丁１（ｈ）を１＝１のモル比で混合し、１１００〜
１２００℃で仮焼したのち、粉砕してチタン酸バリウム
（ＢｍＴｌ−）の微粉末を得る。
ン（丁１（ｈ）を１＝１のモル比で混合し、１１００〜
１２００℃で仮焼したのち、粉砕してチタン酸バリウム
（ＢｍＴｌ−）の微粉末を得る。
次に酸化亜鉛（ＺｎＯ） 、酸化ニオブ（Ｎｂｔｏｉ）
、酸化テイスブロシウム（Ｄｙ２０ｊ）を第−衷に示
した成分比率に 鯖調合した。
、酸化テイスブロシウム（Ｄｙ２０ｊ）を第−衷に示
した成分比率に 鯖調合した。
これ等の原料配合傍な合成樹脂ボールミルで醍式混合し
た後、１１００〜１２００℃で２時間仮焼し、化学反応
を行なわせしめた。この反応物をふたたびボールミルを
用いて、粒子径数μ程度に粉砕混合する。
た後、１１００〜１２００℃で２時間仮焼し、化学反応
を行なわせしめた。この反応物をふたたびボールミルを
用いて、粒子径数μ程度に粉砕混合する。
この混合物に粘着剤としてポリビニールアルコール（Ｐ
ＶＡ）を適当量加え、約３トン／ｃｍの成形圧力で直径
ＩＬ５ｍ、厚さ０．６■の円板状成形特を作成した。
ＶＡ）を適当量加え、約３トン／ｃｍの成形圧力で直径
ＩＬ５ｍ、厚さ０．６■の円板状成形特を作成した。
次に１３００−１４００℃で２時間本焼成する。
こうして得られた磁器素体の両端面に銀電極を７８０℃
で怜付する。
で怜付する。
このようにして製造した試料を、それぞれ電気特性を測
定した結果を第１衷に示す。
定した結果を第１衷に示す。
ここで誘１案＠−及び誘電体損失（ｔａｍｅ ）は、周
波数ＩＫＢ雪で測定した。
波数ＩＫＢ雪で測定した。
測定条件として、室温２０℃を基準として静電容量及び
Ｑ値はＹ′ＥＷ社（モデルＮｏ、４０４３Ａ） ｑメー
タを使用した。
Ｑ値はＹ′ＥＷ社（モデルＮｏ、４０４３Ａ） ｑメー
タを使用した。
又、静電容量温度係ｖｌｒ、けブントン社製（モデル阻
７４Ｄ）キャパシタンスブリッジであり、恒温層はエレ
クトブト社製（モデル？１ｈＨＷ−１０２）を使用した
。
７４Ｄ）キャパシタンスブリッジであり、恒温層はエレ
クトブト社製（モデル？１ｈＨＷ−１０２）を使用した
。
第−表において試料陽１．２．８．１０．１１は本発明
の一゛１囲外のものであり、比較の為示した。
の一゛１囲外のものであり、比較の為示した。
第−表より明らかなように本発明範囲内のものは比誘１
１１を率（ａｓ）が約２３００〜４４００の高い値を示
しかつ、静電容ｉｉｔ変化率が直線性を示した状態であ
る。
１１を率（ａｓ）が約２３００〜４４００の高い値を示
しかつ、静電容ｉｉｔ変化率が直線性を示した状態であ
る。
すなわち、この組成範囲からはずれるものは第−衷に示
すように望ましい特性を得ることはできなかった。
すように望ましい特性を得ることはできなかった。
その限定理由を具体的に述べる。
ＢａＴｉＯ３が９９．００重窒％以上では焼結困難とな
り、＠２成分の添加改善効果がなくなる。
り、＠２成分の添加改善効果がなくなる。
９６．５ 重ｆｉ＋％１ソ下ではｇ＝ｓ案が小さくなり
実用的でない。
実用的でない。
ＺｎＮｂ２Ｏ６が０．５車名１％以下では焼結困難とな
り、誘電率もかさくなる。
り、誘電率もかさくなる。
Ｄｙ！ＬＯｓが０．２５重閤％以下では温度特性が大き
くなり、１．２５ 距Ｎ％Ｊ”Ｊ上でも温度特性が大き
くなり実用的でない。 史にＭｎ Ｃ０３を添加するこ
とにより、素体の還元が防止され、絶縁抵抗の低下を１
９１］ヒできる。
くなり、１．２５ 距Ｎ％Ｊ”Ｊ上でも温度特性が大き
くなり実用的でない。 史にＭｎ Ｃ０３を添加するこ
とにより、素体の還元が防止され、絶縁抵抗の低下を１
９１］ヒできる。
１’Ｌ上の様に本発明のＢａＴｌ Ｏｓ −Ｚｎ Ｎｂ
１０６−０７１０ｓ系誘篇休磁器絹成物によると膀電吊
が２３００〜５ｏｏｏの範囲内で静画容量変化率が極め
て優れた値でし力）も積層ヲ杉ｂａ器コンデンサに使用
した場合、内部電極の／ｆラジウムとの反応もなくパラ
ジウム単独使用が可能となったので白金又は白金パラジ
ウム合金よりも安価各こ大 なコストダウンが容易とな
った。
１０６−０７１０ｓ系誘篇休磁器絹成物によると膀電吊
が２３００〜５ｏｏｏの範囲内で静画容量変化率が極め
て優れた値でし力）も積層ヲ杉ｂａ器コンデンサに使用
した場合、内部電極の／ｆラジウムとの反応もなくパラ
ジウム単独使用が可能となったので白金又は白金パラジ
ウム合金よりも安価各こ大 なコストダウンが容易とな
った。
したがって、省資源観点からコスト面で極めて盲利な誘
ａＳの高い値で温度特性の安定した優れた誘電体磁器組
成情を提供することができるので工業上の利益に大なる
ものがある。
ａＳの高い値で温度特性の安定した優れた誘電体磁器組
成情を提供することができるので工業上の利益に大なる
ものがある。
特許出願人 東京覚気化学工業株式会社代表者
素 野 福次朗
素 野 福次朗
Claims (1)
- （１） ＢａＴｔＤｓ−ＺｎＮｂ、１０６−Ｄｙ２０ｓ
Ｘ磁ｆＭｆｆｉ成＠Ｆ’ｔ’ｉ？化竹ｇ（換算して Ｂａａ −−−−−−８３，４４〜６５．１０１１１
１’ｒ９６τ量０：・・・φ番・３３．１０〜３３．９
２重量％ＺｎＯ＊・・Φ・・ ０，１２〜０．７０重量
％Ｎｂ、ｏｒ ＊＊４１１ ” ０＊３８〜２ａ４９重
量％Ｄｙ５Ｌ０３・−・脅０−２５〜１．２５１１９９
６の範囲を主成分とすることを特徴とする高誘電率磁器
組成物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117419A JPS5820780A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117419A JPS5820780A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820780A true JPS5820780A (ja) | 1983-02-07 |
Family
ID=14711174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56117419A Pending JPS5820780A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820780A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11222749B2 (en) * | 2019-06-14 | 2022-01-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor comprising the same |
-
1981
- 1981-07-27 JP JP56117419A patent/JPS5820780A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11222749B2 (en) * | 2019-06-14 | 2022-01-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor comprising the same |
| US11776748B2 (en) | 2019-06-14 | 2023-10-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor comprising the same |
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