SE515672C2 - Påförande av droppar av smält metall tillsammans med sekundärvätska på ett substrat - Google Patents

Description

25 30 35 515 672 barhet oftast understöds av en på strålen verkande mekanisk vib- ration, kristall, genererad av en på kapillären monterad piezoelektrisk som drivs genom att tillföras elektrisk spänning på lämpligt sätt. I den så kallade droppbildningspunkten laddas ut- valda droppar elektriskt för att möjliggöra avlänkning av desamma i ett elektriskt fält, allt i analogi med "continuous ink-jet"- tekniken. Denna "continuous solder-jet"-teknik beskrivs översikt- ligt i artikeln "MPM's Metal Jet Technology - Solving the Materials Applications Tasks of the Future and Enabling Ongoing Reed Miniaturisation", Electronics Manufacturing International, Elsevier, Bryssel, Nov./Dec. 1996, sid. 16, med både anbringande av mekaniska svängningar på en lodstràle och elektrostatisk av- länkning av bildade droppar.

Eventuellt kan vid denna teknik dropparna stelna på väg mot sub- stratet. Det som träffar substratet är således antingen en ström av fasta partiklar eller droppar med hög temperatur, vilka stel- I båda fallen kan det vara svårt att få partiklarna att våta och fastna på mönster- kortet och bilda den lilla ö av lod, nar, då de kyls vid kontakt med mönsterkortet. som man önskar. För de fasta partiklarna fordras konventionellt någon form av klibbig belägg- ning på mönsterkortet för att partiklarna skall fastna därpå. Åven om någon sådan beläggning används, kan emellertid partiklar- na inte fastna ovanpå varandra, vilket är nödvändigt för att få önskad höjd på lödön. I fallet med smälta droppar kan de möjligen smälta fast i varandra, men det kan vara svårt att styra lödöns utseende och att undvika att stänk av lod erhålls. En annan nack- del är, att det för den efterföljande fastlödningen av komponen- terna behövs flusstillsats till lodet. Med den beskrivna tekniken måste flussmedlet tillföras separat.

I U.S.A.-patentet 4,828,886 visas anbringande av små mängder smält lod från ett munstycke. Efter smältning av lodet drivs det framåt av en piezoelektrisk omvandlare använd som tryckgenerator.

En elektrodynamisk pump för smält lod visas i U.S.A.-patentet 5,377,96l lämplig för framställning och anbringande av mycket små enstaka droppar. En elektrisk ström anbringas med reverserbar riktning i ett lodflöde och en kraft pà lodströmmen erhålls genom växelverkan med en omgivande magnet. Detta utnyttjas för att av- lO 15 20 25 30 35 515 672 skilja de små dropparna. I U.S.A.-patentet 5,560,543 visas, hur droppar kan bildas med likformig och förutsägbar storlek ur en vätska vid hög temperatur. En stràle av vätskan utstöts med hjälp av en elektromekanisk drivning frän ett munstycke, varvid vibra- tioner ástadkoms i vätskan på dess väg mot munstycket, så att droppar bildas.

REDoGöRELsE FÖR UPPFINNINGEN Det är ett syfte med uppfinningen att anvisa ett förfarande och en anordning för noggrant styrt anbringande av smält metall, t ex lod, mönsterkort, med vars förfarandes och vars anordnings hjälp den i form av en stràle eller droppar pà ett substrat sàsom ett smälta metallen kan bringas att säkert fästa vid substratets yta.

Det är ett ytterligare syfte med uppfinningen att anvisa ett för- t ex lod samtidigt och med stor farande och en anordning, med vilkas hjälp smält metall, och en sekundärvätska, t ex flussmedel, noggrannhet kan anbringas pà ett substrat såsom ett mönsterkort.

Genom att utnyttja en kombinerad stràle av flussmedel/flytande lod med det smälta lodet som primärvätska och flussmedel-/harts- lösning som sekundärvätska skapas eller tillverkas lodpastan i samma ögonblick, som den behövs. De droppar, som träffar substra- tet, består dä av en kärna av stelnat lod omgiven av ett hölje av flussmedel/harts och utgör således en form av lodpasta enligt OVafl .

Ett sådant förfarande medger en synnerligen noggrann dosering av mängden pasta, dä mängden bestäms av antalet lodkulor och detta antal är digitalt styrbart. En annan fördel ger det faktum, att lodpastan är helt färsk, vilket betyder att en endast ytterst li- ten mängd oxid finns i pastan. Detta är gynnsamt från lödsyn- punkt, dà pastans tendens att stänka vid omsmältningen ökar starkt i beroende av ökat oxidinnehàll i pastan. Lodstänk är en potentiell kortslutningsrisk pà kretskort. Dessutom medför det làga oxidinnehàllet i pastan en kraftigt förbättrad vätning mot metallytor. För att ytterligare förstärka denna effekt med ringa oxidinnehäll i pastan kan exempelvis en antioxidationsgas eller allmänt en skyddsgas anbringas omkring stràlen/dropparna av lod 10 15 20 25 30 35 515 672 eller lodkulor omgivna av flussmedlet direkt efter bildningen och fram till substratet.

Inom bläckstràleskrivartekniken finns tvà grundkoncept, nämligen "continuous ink-jet" och "drop on demand". Ovan har "continuous ink-jet"-principens tillämpning för applicering av lod pà sub- strat redan diskuterats.

"Drop on demand"-principen innebär, som namnet antyder, att drop- par utstöts styckevis, en i taget, då så önskas eller erfordras.

Vid tillämpning av det just beskrivna förfarandet får dessa drop- par bestå av smält lod. Loddropparna utgör som tidigare en "pri- märvätska" och de fär passera genom en sekundärvätska av smält flussmedel/harts. Pá samma sätt som ovan beskrivits stelnar pri- märdroppen därvid till en kula och omger sig med ett hölje av flussmedel/harts. Dropparna kan vid och efter sin bildning omges av en skyddsgas för att förhindra exempelvis oxidation av materi- Skyddsgasflödet kan utformas exempelvis laminärt eller på annat sätt, alet i dropparna pà deras väg mot substratet. så att också en stabiliserande effekt erhålls på droppflödets bildning och pà dess bana mot substratet.

Fördelen med "drop on demand"-principen är, att endast sä mycket lodpasta produceras, som behövs för att belägga mönsterkortets lödytor; det blir sàledes ingen "slask"-pasta. Vidare erfordras ingen avlänkning och därmed ingen elektrostatisk laddning av dropparna. Dock mäste ejektor och substrat förflyttas lateralt i förhållande till varandra för att anbringa lodpasta pà önskade ytor pà substratet. En sàdan förflyttning är emellertid nödvändig att för att en god träffnoggrannhet för de utstötta dropparna skall även för "continuous ink-jet"-metoden. Orsaken härtill är, erhållas, väljer man oftast att anordna elektrostatisk uppladd- ning av valda droppar och att avlänka just dessa laddade droppar, som man inte vill skall träffa substratet. Dessa droppar hamnar i och används alltså inte. en "slask" I "continuous ink-jet"-fallet gär sàledes alla de droppar, som man önskar skall träffa och an- bringas pà substratet, rakt ut från utstötningsmunstycket. Någon annan selektiv styrning med hjälp av den elektrostatiska avlänk- ningen används alltsà inte - denna fungerar bara analogt med en 10 15 20 25 30 35 515 672 "av-/påbrytare" eller avstängningsventil, dvs en brytare eller ventil som antingen ger fullständig avstängning eller släpper fram fullt flöde. Även om det ovan beskrivna förfarandet också skulle kunna till- lämpas på vätskor, som är blandbara med varandra, är den bättre lämpad för icke blandbara vätskor såsom i ovan angivna fall med lod = flussmedel/harts = I fallet lod-flussmedel/harts är förhållandet särskilt gynnsamt på grund primärvätska, sekundärvätska. av att dels är vätskorna ej blandbara med varandra, dels har pri- märvätskan väsentligt högre täthet än sekundärvätskan. Det senare medför, att vid anbringande av sekundärvätskan pà droppar av pri- märvätskan stjäls endast en liten mängd rörelseenergi från pri- märvätskan, dvs hastigheten hos de primärt utstötta dropparna på- verkas endast måttligt.

Allmänt anbringas sålunda materialmängder, vilka i det föredragna fallet innefattar en metall såsom lod och ett annat ämne, på ett substrat.

En sådan materialmängd kan erhållas, genom att en pri- märvätska först tillhandahålls eller framställs, såsom genom att en metall smälts för bildning av primärvätskan. En stråle av pri- märvätskan, i det speciella fallet alltså en stråle av den smälta bildas. om detta inte föreligger i vätskeform, metallen, Vidare bildas en sekundärvätska av det andra ämnet, såsom genom upp- Strå- len av primärvätska får passera genom ett första utrymme, vilket värmning till smältning, till nära smältning eller dylikt. innehåller sekundärvätskan, så att mängden av primärvätska får en ytbeläggning av sekundärvätska, vilken därvid eller senare kan blanda sig med primärvätskan, även om detta inte sker i det före- dragna fallet med smält metall, när det andra ämnet exempelvis innefattar som huvudbeståndsdel eller bärare något organiskt äm- ne. Strålen får passera från det första utrymmet genom en öppning hos detta ut i ett fritt tillstånd riktad mot en avsedd plats på substratet. Olika väsentliga parametrar, såsom primärvätskans och sekundärvätskans egenskaper, särskilt ytspänning och deras vät- ning i förhållande till varandra, hastigheten hos stràlen, öpp- ningens storlek och avståndet från öppningen till substratet är vidare så valda, att stràlen efter passage ut från öppningen hos det första utrymmet bildar enskilda droppar, innan den når fram 10 15 20 25 30 35 515 672 till substratet, dvs under sin bana i riktning mot substratet.

Alternativt kan i stället för en stråle minst en droppe av pri- märvätska bildas, vilken droppe ges en hög hastighet. Denna drop- pe får sedan liksom ovan passera genom det första utrymmet, vil- ket innehåller sekundärvätska, så att droppen av primärvätska därigenom får en ytbeläggning av sekundärvätska. Droppen liksom strålen bringas därefter att passera ut från det första utrymmet riktad mot en avsedd plats på substratet. En serie av sådana en- skilda droppar av primärvätskan kan bildas, vilken serie liksom stràlen ovan då passerar genom det första utrymmet.

Vid bildning av en droppe eller en serie av droppar och utstöt- ning av denna med fart kan primärvätska finnas i ett andra utrym- me försett med munstycke. Munstycket kan då ha en lämplig utform- ning och/eller är anordnat på så sätt, exempelvis genom att det tillförs vibrationer såsom från en piezoelektrisk anordning, att primärvätskan uppdelas i enskilda droppar efter passage genom munstycket. Detta kan dock enbart ge en serie av droppar. Alter- nativt, för att också framställa enskilda droppar, kan olika an- ordningar finnas för att utsätta primärvätskan i det andra utrym- met för en snabb tryckändring och/eller en tryckstöt och/eller en snabb volymsåndring eller en följd av sådana ändringar/stötar, så att på något sätt en acceleration av åtminstone någon del av pri- märvätskan i det andra utrymmet åstadkoms. Vid varje sådan änd- ring/stöt kommer då en liten mängd primärvätska i form av en droppe att utstötas genom munstycket, om detta är lämpligt place- rat i förhållande till hur ändringen/stöten eller accelerationen bildas eller är belägen. Exempelvis kan sådana anordningar inne- fatta någon lämpligt utformad kolv, vilken är rörlig i det andra utrymmet eller bildar en vägg till detta, piezoelektriska organ, anordningar för stötupphettning av primärvätskan eller en hamma- re, som slår mot en yttervägg till det andra utrymmet.

Primärvätskan kan i det föredragna fallet ha betydligt högre den- sitet än sekundärvätskan, såsom i fallet med lod och flussmedel.

Vidare är i standardfallet dessa vätskor inte blandbara med var- andra. Sekundärvätskan kan allmänt innefatta enbart eller i före- ning ämnen för modifiering av primärvätskans reologiska egenska- 10 15 20 25 30 35 515 672 per, ämne för konservering av primärvätskan, ämnen med reduceran~ de verkan pà primärvätskan, antioxidationsmedel och ytaktiva äm- nen, exempelvis vidhäftningsmedel för fastgöring av droppar av primärvätskan vid substratet.

En skyddsgas kan användas för att skydda de utstötta material- mängderna sàsom fràn oxidation och nedsmutsning. Denna utsänds då lämpligen av ett ringformigt munstycke, som omger utstötningsöpp- ningen, sà att den utsända skyddsgasen kommer att omge de utstöt- ta materialmängderna àtminstone delvis vid deras färd mot sub- stratet.

Ett sådant skyddsgasflöde kan också utformas, exempelvis som ett laminärt flöde, så att en stabiliserande effekt erhålls pä bildningen av droppar ur mängden av primärvätska tillsammans med sekundärvätska och/eller pà materialmängdernas eller droppar- nas färd mot substratet. Vidare kan elektrostatisk avlänkning användas för att exempelvis leda bort ej önskade droppar.

FIGURBESKRIVNING Uppfinningen skall nu beskrivas som ett ej begränsande utförings- exempel med hänvisning till de bifogade ritningarna, i vilka - Fig. 1 är en perspektivvy, som àskàdliggör en princip för att anbringa lodpasta, - Fig. 2 är en sektion genom en anordning för att anbringa lod- pasta, i vilken lod utstöts som en stràle eller serie av droppar, - Fig. 3 är en sektion genom en anordning för att anbringa lod- pasta, i vilken lod utstöts som enstaka droppar, och - Fig. 4 är en sektion liknande den i fig. 2 men anordningen är här försedd med elektrostatisk avlänkning.

BESKRIVNING AV FÖREDRAGNA UTFÖRINGSFORMER I fig. 1 àskàdliggörs i starkt förstorad skala en princip för anbringande av lodpasta med hjälp av sammansatt strále. En stràle 11 av primärvätska fràn någon lämplig, ej visad källa, utstöts fràn öppningen i ett munstycke 13 och passerar därefter genom en sekundärvätska 15, som finns i öppet utrymme, vilket begränsas av en cylindrisk, med munstycket 13 koncentrisk sidovägg 17 och vil- ket omger munstycket 13. Sekundärvätskan kan hållas kvar i det öppna utrymmet pà grund av ytspànningskrafter och eventuellt med hjälp av en lämplig utformning av sidoväggen 17, som inte behöver lO l5 20 25 30 35 515 672 ha det i denna figur visade cylindriska utförandet utan kan vara utformad koniskt avsmalnande med en mindre öppning. Stràlen omger sig därvid med ett hölje av sekundärvätskan 15 för bildande av en kombinerad stràle 19. Den kombinerade stràlen 19 av primärvätska 11 plus sekundärvätska 15 sönderfaller sedan, med lämpliga para- metrar valda för förloppet, pà grund av ytspänning, etc., i drop- par 21, vilka utgörs av en kärna 22 av primärvätska, omgiven av ett skal 25 av sekundärvätska.

I fig. 2 visas anbringande av lodpasta pä ett substrat eller mönsterkort 27 placerat pà ett bord 29, som är rörligt i två, i bordets plan liggande vinkelräta riktningar, av vilka en riktning visas av pilen vid 31. En stràle av primärvätska 11 bestående av t ex smält lod utskjuts från ett munstycke 13, som är anordnat vid den nedre änden av en rörledning 33, vid vars andra ände pri- märvätska 11 tillförs, se pilen 35. Med lämplig utformning av munstycket 13 kan den utskjutna stràlen exempelvis direkt bilda droppar i sekundärvätskan 15. Sekundärvätskan bestående av t ex flussmedel/hartslösning, inkommer från nàgon källa, se pilen 37, genom en kanal 39 vinkelrät mot primärvätskans rörledning 33 och passerar sedan in i ett med rörledningen koncentriskt utrymme 41 utbildat i en utstötningskropp 43, i vilken också rörledningen 33 är fastsatt. Sekundärvätskan 15 leds därifrån till ett utrymme 45, också koncentriskt med rörledningen 33 och munstycket 13 men har som omger primärvätskans munstycke 13. Detta utrymme 45 är nedre inàtböjda kanter 47, sá att ett munstycke för sekundärväts- ka bildas. Dropparna eller stràlen av primärvätska passerar genom sekundärvätskan 15 i utrymmet 45 och omger sig därvid med ett hölje av sekundärvätska. Dä dropparna bestående av primärvätskan 11 plus sekundärvätskan 15 skjuts ut ur sekundärvätskans munstyc- ke bildat av kanterna 47, kommer de att pà liknande sätt som ovan utgöras av en kärna av primärvätska, omgiven av ett skal av se- kundärvätska. Dropparna kan omges av en skyddsgas, som från nàgon gaskälla inkommer genom ett ringformigt munstycke 48 placerat vid utloppet fràn utrymmet 45 invid kanterna 47 pà utsidan av utstöt- ningskroppen 43, för att förhindra exempelvis oxidation av den smälta metallen pà vägen till substratet 27. Gasflödet kan med lämplig utformning av ringmunstycket 48 utformas laminärt, jämför pilarna 48', eller pà annat sätt, sä att dessutom en stabilise- 10 15 20 25 30 35 515 672 rande effekt erhålls på droppflödets bildning och dess färd mot substratet.

Förflyttningen av bordet 29 relativt utstötningskroppen 43 kan enkelt åstadkommas i kända automatiska monterings-/beläggnings- maskiner exempelvis genom att bordet 29 är rörligt i en horison- tell riktning och utstötningskroppen 43 i en däremot vinkelrät, horisontell riktning.

I figur 3 visas ett tvärsnitt genom en utstötningsmekanism för alstrande av enstaka utskjutna sammansatta droppar. Primärvätskan bestående av t.ex. smält lod inkommer genom ett rör 49, som är delvis tillslutet vid sin nedre ände för bildande av en öppning eller ett munstycke 13 med lämpligt utformat, tämligen litet ut- lopp. Röret 49 är anbragt i ett utstötningsblock 53, som innehål- ler organ för att skjuta en liten droppe genom munstycket. Sådana organ kan exempelvis åstadkomma en liten minskning av volymen hos rörets 49 inre utrymme, där primärvätskan finns. I den visade ut- föringsformen omges röret 49, inom sitt parti inuti blocket 53, av en ringformig kropp 55 av piezoelektrisk material, som är an- sluten till lämpliga elektriska kretsar, ej visade, för åstadkom- mande av en kontrollerad minskning av den inre diametern hos ringkroppen 55. Munstycket 13 mynnar liksom i fig. 2 i ett utrym- me 45 innehållande sekundärvätska. Sekundärvätskan bestående av t ex flussmedel/hartslösning inkommer genom en kanal 57 vinkelrät mot röret 49 och passerar därifrån genom en kanal till det nedre utrymmet 45, som omger primärvätskans munstycke 13. Detta utrymme 45 är koncentriskt med röret 49 och munstycket 13. En öppning 59 med lämplig utformning finns ut från det nedre utrymmet 45.

När utskjutningsorganet 55 aktiveras, minskas volymen i röret 49 och en droppe av primärvätska utstöts med fart genom munstycket 13. Droppen passerar genom sekundärvätskan i det nedre utrymmet 45 och omger sig därvid med ett hölje av sekundärvätska. Den så bildade sammansatta droppen far sedan ut genom det yttre mun- stycket 59 för att anbringas på avsedd plats.

Att päföra droppar på det sätt, som har beskrivits ovan, kan kom- bineras med elektrostatisk avlänkning såsom vid den ovan nämnda 10 15 20 25 515 672 lO En anordning med sådan avlänkning visas cy- som omger och är metoden "continuous jet". schematiskt i fig. 4. Denna har en övre elektriskt ledande, lindrisk ring eller ett cylindriskt kort rör 61, koncentrisk med den övre delen av de bildade dropparnas bana.

Mellan ringen 61 och huset 43 kan vid valda tillfällen en elekt- risk högspänning anbringas, vilken alstras av en elektrisk styr- enhet 63, den dels med ringen 61, dels med huset 43. Spänningen kan exem- som alltså genom lämpliga elektriska ledare är förbun- pelvis pàläggas, så att huset får en negativ potential eller jordpotential, medan ringen 61 har positiv potential. När spän- ningen är pàlagd, blir en droppe, vilken avskiljs från den strå- le, som utkommer från huset 43, elektrostatisk laddad, förutsatt att vätskan i dropparna har någon elektrisk ledningsförmåga, och med den som exempel givna polariteten hos högspänningen blir en sådan droppe negativt laddad. Nedanför ringen 61 finns elektriskt ledande plattor 65, lella med axeln hos ringen 61 och som med sina mot varandra stå- som är inbördes parallella och också paral- ende stora ytor omger en nedre del av de utstötta dropparnas ba- na. Plattorna 65 är också elektriskt anslutna till styrenheten 63, mellan plattorna. Denna spänning avlänkar de utstötta droppar, så att en hög elektrisk spänning i allmänhet permanent ligger som är elektrisk laddade, så att dessa leds till något utrymme, ej visat, som fungerar som "slask" och kan ta emot en ansenlig mängd droppar. De utstötta droppar, som saknar elektrisk ladd- ning, går i stället rakt fram mot substratet och träffar detta och anbringas där.

Claims (17)

10 15 20 25 30 35 515 672 ll PATENTKRAV

1. Förfarande för att anbringa materialmängder innefattande en metall, särskilt lod, och ett annat ämne pä ett substrat, varvid metallen smälts för bildning av en primärvätska av smält metall och en sekundärvätska bildas av det andra ämnet, som innefattar en organisk eller oorganisk fluid, särskilt flussmedel eller harts i halvsmält eller smält form, vald för att förbättra an- bringandet av en mängd av primärvätska pà substratet och/eller användning av en mängd av primärvätska, k ä n n e t e c k n a t av att en mängd av primärvätska får passera genom ett första utrymme, vilket innehåller sekundärvätska, sà att mängden av primärvätska får en ytbeläggning av sekundärvätska, och ut fràn det första utrymmet riktad mot en avsedd plats pà substratet. av att

2. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e C k n a t mängden av primärvätska är en stràle, en serie av droppar eller en enda droppe. av att

3. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t mängden av primärvätska är en strále, som passerar ut fràn det första utrymmet genom en med lämplig storlek utformad öppning, så att strálen efter utloppet från öppningen uppdelas i enskilda droppar.

4. Förfarande enligt krav 3, k ä n n e t e c k n a t av att metallen och det andra ämnet är så valda, att de enskilda drop- parna innefattar en inre del av primärvätska och ett yttre skikt av sekundärvätska. av att

5. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t mängden av primärvätska är en serie av droppar, som bildas, genom att primärvätskan får passera ut ur ett andra utrymme in i det första utrymmet genom ett lämpligt utformat och/eller anordnat munstycke. k ä n n e t e c k n a t

6. Förfarande enligt krav 1, av att mängden av primärvätska är en enda eller enstaka droppe, som bil- das, genom att primärvätska fär passera genom eller uppehålla sig och att i ett andra utrymme, som är försett med ett munstycke, lO 15 20 25 30 35 515 672 12 primärvätskan i det andra utrymmet utsätts för en snabb tryckändring och/eller en tryckstöt och/eller en snabb volymsänd- ring, varigenom en liten mängd primärvätska i form av en droppe utstöts genom munstycket.

7. Förfarande enligt nàgot av krav 1 - 6, k ä n n e t e c k n a t av att ett flöde av en skyddsgas utsänds för att omge mängden av primärvätska tillsammans med sekundärvätska, när denna mängd pas- serar ut fràn det första utrymmet riktad mot en avsedd plats pà substratet, så att skyddsgasen omger mängden åtminstone delvis vid dess färd mot substratet. k ä n n e t e c k n a t av att flö- särskilt som ett lami-

8. Förfarande enligt krav 7, det av skyddsgas utsänds på sådant sätt, närt flöde, att en stabiliserande effekt erhàlls pà bildning av droppar ur mängden av primärvätska tillsammans med sekundärvätska och/eller pá mängdens och dropparnas färd mot substratet.

9. Förfarande enligt nàgot av krav 1 - 8, k ä n n e t e c k n a t av att efter det att mängden av primärvätska tillsammans med se- kundärvätska har passerat ut fràn det första utrymmet riktad mot en avsedd plats pà substratet uppladdas mängden elektrostatiskt och mängden av primärvätska tillsammans med sekundärvätska ut- sätts för ett elektrostatiskt fält för styrning av mängdens bana.

10. Anordning för att anbringa materialmängder innefattande en metall, särskilt lod, och ett annat ämne pà ett substrat, vilket ämne är i stånd att som vid smältning bildar en primärvätska, bilda en organisk eller oorganisk fluid, särskilt flussmedel eller harts i halvsmält eller smält form, vald för att förbättra anbringandet av en mängd av primärvätska pà substratet och/eller användning av en mängd av primärvätska, k ä n n e t e c k n a d av - organ för att smälta en mängd av metallen för bildning av en mängd av primärvätska och för att utstöta denna med fart, - ett första utrymme, vilket innehåller sekundärvätska och är så beläget, att mängden av primärvätska passerar därigenom och där- vid fàr en ytbeläggning av sekundärvätska, och - en öppning ut fràn det första utrymmet placerad, så att materi- almängden passerar därigenom riktad mot en avsedd plats pà sub- 10 15 20 25 30 35 515 672 13 stratet.

11. ll. Anordning enligt krav 10, k ä n n e t e c k n a d av att or- ganen för att smälta en mängd av metallen och för att utstöta den bildade mängden av primärvätska med fart är anordnade att bilda en stràle av primärvätska eller för att bilda en serie av droppar eller en enstaka droppe av primärvätska.

12. Anordning enligt krav 10, k ä n n e t e c k n a d av att or- ganen för att smälta en mängd av metallen och för att utstöta den bildade mängden av primärvätska med fart är anordnade att bilda en stràle och att öppningen ut fràn det första utrymmet är utformad med lämplig storlek, så att stràlen efter utloppet genom öppningen under sin färd mot substratet uppdelas i enskilda droppar.

13. Anordning enligt krav 10, k ä n n e t e c k n a d av att or- ganen för att smälta en mängd av metallen och för att utstöta den bildade mängden av primärvätska med fart är anordnade att bilda en serie av droppar och att anordningen vidare innefattar - ett andra utrymme, genom vilket primärvätska passerar eller i vilket primärvätska uppehåller sig och vilket innefattar ett mun- stycke, som mynnar i det första utrymmet, samt - organ för att bringa primärvätska att passera ut genom munstyc- ket, - varvid munstycket har en sådan utformning och/eller är anordnat pà så sätt, att primärvätskan uppdelas i enskilda droppar efter passage genom munstycket.

14. Anordning enligt krav 10, k ä n n e t e c k n a d av att or- ganen för att smälta en mängd av metallen och för att utstöta den bildade mängden av primärvätska med fart är anordnade att bilda en droppe och att dessa organ vidare innefattar - ett andra utrymme, i vilket primärvätska uppehåller sig och vilket är försett med ett munstycke, och - organ för att utsätta primärvätskan i det andra utrymmet för en snabb tryckändring och/eller en tryckstöt och/eller en snabb vo- lymsändring, varigenom en liten mängd primärvätska i form av en droppe utstöts genom munstycket. 10 15 20 25 30 515 672 14

15. Anordning enligt något av krav 10 - 14, k ä n n e t e c k - n a d av ett munstycke kopplat till en källa för en skyddsgas för att utsända ett skyddsgasflöde, så att detta omger materialmängden, när denna passerar ut genom öppningen mot avsedd plats pà substratet och sä att skyddsgasen omger mängden åtminstone delvis vid dess vidare färd mot substratet. av att

16. Anordning enligt krav 15, k ä n n e t e c k n a d munstycket för skyddsgasen är utformat, så att skyddsgasen ut- sänds därifrån pä sàdant sätt, särskilt som ett laminärt flöde, att en stabiliserande effekt erhålls pà bildning av droppar ur mängden av primärvätska med sekundärvätska och/eller pà mängdens bana vid dess vidare färd mot substratet.

17. Anordning enligt något av krav 10 - 16, k ä n n e t e c k - n a d av - en elektrostatisk uppladdningsanordning placerad vid den bana, som mängden av primärvätska med sekundärvätska har, efter det att den har passerat ut genom öppningen, varvid uppladdningsanord- ningen är ansluten till elektrisk högspänning för uppladdning av mängden av primärvätska med ytbeläggning av sekundärvätska, - avlänkningsplattor placerade kring den bana, som mängden av primärvätska med ytbeläggning av sekundärvätska har, efter det att den har passerat den elektrostatiska uppladdningsanordningen, varvid plattorna är anslutna till en elektrisk högspänning för elektrostatisk avlänkning av mängden av primärvätska med sekun- därvätska.