Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

SE508697C2 - Förfarande och anordning för tidskontinuerlig filtrering i digital CMOS-process - Google Patents

Förfarande och anordning för tidskontinuerlig filtrering i digital CMOS-process

Info

Publication number
SE508697C2
SE508697C2 SE9602824A SE9602824A SE508697C2 SE 508697 C2 SE508697 C2 SE 508697C2 SE 9602824 A SE9602824 A SE 9602824A SE 9602824 A SE9602824 A SE 9602824A SE 508697 C2 SE508697 C2 SE 508697C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
current
pole
capacitor
digital cmos
mos transistor
Prior art date
Application number
SE9602824A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9602824L (sv
SE9602824D0 (sv
Inventor
Nianxiong Tan
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE9602824A priority Critical patent/SE508697C2/sv
Publication of SE9602824D0 publication Critical patent/SE9602824D0/sv
Priority to TW086108310A priority patent/TW349264B/zh
Priority to CN97196552A priority patent/CN1108658C/zh
Priority to JP10506853A priority patent/JP2000514980A/ja
Priority to AU35637/97A priority patent/AU3563797A/en
Priority to PCT/SE1997/001169 priority patent/WO1998004038A1/en
Priority to CA002260915A priority patent/CA2260915A1/en
Priority to EP97932096A priority patent/EP0913029A1/en
Priority to KR1019980710778A priority patent/KR20000065251A/ko
Publication of SE9602824L publication Critical patent/SE9602824L/sv
Publication of SE508697C2 publication Critical patent/SE508697C2/sv
Priority to HK00100431A priority patent/HK1021595A1/xx

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/345DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/04Frequency selective two-port networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/04Frequency selective two-port networks
    • H03H11/0422Frequency selective two-port networks using transconductance amplifiers, e.g. gmC filters
    • H03H11/0427Filters using a single transconductance amplifier; Filters derived from a single transconductor filter, e.g. by element substitution, cascading, parallel connection
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/331Sigma delta modulation being used in an amplifying circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

10 15 20 25 30 508 697 I exempelvis US-A-4,839,542 beskrivs aktiva transkonduk- tansfilter, som tillhör en filtertyp, som kallas transkcnduk- tans-kapacitans-(gm-C)-filter. Grundidén är att skapa poler genom att använda linjära kondensatorer och transledare. Pà sätt flesta samma som för de aktiva komponenter används strömspeglar som aktiva laster för transledarna, och ström- speglarna används inte för att åstadkomma poler för något filtreringsändamàl.
I WO95/06977 beskrivs strömspeglar som endast används som aktiva laster för att öka förstärkarens förstärkning. I själ- va verket, för de flesta förstärkningsstegen, används ström- speglar som aktiva laster för att öka förstärkningen.
I 'US-A-4,686,487 beskrivs konstruktionen av' strömspeglar för förstärkare, sà att de fàr höghastighetsdrift. Den pol som på grund av strömspegeln är parasitisk och organen för att addera ett motstånd har uppfunnits för att reducera ef- fekten pà höghastighetsdriften.
Samanfattning av uppfinningen Uppfinningen hänför sig företrädesvis till konstruktionen av tidskontinuerliga filter för samplade datasystem i digita- la CMOS-processer. I en digital CMOS-process är varken mot- stånd eller linjära kondensatorer tillgängliga. Följaktligen är det inte möjligt eller helt enkelt inte praktiskt att kon- struera tidskontinuerliga filter' med traditionella metoder.
Användningen av strömspeglar har föreslagits för att realise- ra filtreringsfunktioner i en spänning-till-ström omvandlare.
Polfrekvensen bestäms följaktligen av transkonduktansen hos en. MOS-transistor och kapacitansen sedd. vid dess grind. I denna ansökan föreslàs ett generaliserat förfarande för kon- en digital CMOS- process och kaskadkopplingsförfaranden för att reducera pol- struktion av tidskontinuerliga filter i frekvensernas spridning. 10 15 20 25 30 508 697 Kortfattad figurbeskrivning Fig. 1 visar en krets med en enkel strömspegel såsom ett enpoligt filter.
Fig. 2 visar ett diagram med SPICE-simuleringsresultat från fig. 1, där kaskodkopplade strömspeglar och kaskodkopp- lade strömkällor används och kondensatorn realiseras med NMOS-transistorer.
Fig. 3a och 3b visar kretsar med kaskadkopplingsförfaran- den i enlighet med uppfinningen.
Fig. 4 visar ett diagram av SPICE-simuleringsresultat en- ligt fig. 3b; där kaskadkopplade strömspeglar och kaskadkopp- lade strömkällor används och kondensatorerna realiseras med NMOS-transistorer.
Kortfattad beskrivning av de föredragna utföringsformerna Hos digitala CMOS-processer är varken motstånd eller lin- jära kondensatorer tillgängliga. Även om det är möjligt att använda grindens polyamid (gate poly) såsom motstånd är blad- motståndet mycket litet och har en stor variation för en del- mikro~CMOS-process, och brunnmotstànd är känsliga för brus och har även en stor variation. Följaktligen används aktiva komponenter, dvs. transistorer, för att realisera resistans. Även om det är möjligt att använda det enskilda polyamidskik- tet och metalliseringar för att realisera en linjär kondensa- tor, är bladkapacitansen mycket liten i en delmikro-CMOS- process.
Följaktligen används grindkapacitansen, som har en mycket större bladkapacitans. Den enkla strömspegel, som an- vänds säsom ett enpoligt lägpassfilter, visas i fig. 1.
Kondensatorn Co 1 kan realiseras med en grindkondensator på ett chip, eller realiseras med en kondensator anordnad utan- för ett chip, om filtrets gränsfrekvens mäste vara mycket 10 15 20 25 508 697 làg. Genom att pà lämpligt sätt dimensionera transistorernas Mb 2 och M1 3 storlekar och deras tillhörande förströmmar 4, 5, kan också en skalfaktor realiseras i detta filter.
Polfrekvensen hos det enpoliga filtret, som visat i fig. l, ges av .f = _L_ _ÅäQ__ ° 21: c,,+c,,,,' där gmo är transkonduktansen hos den diodkopplade transistorn M0 2 och Cpø motsvarar alla störningar vid transistorns M0 2 grind. transkonduktanserna inför Icke-lineariteterna hos ingen distorsion i utströmmen så länge som transkonduktanserna hos Emellertid. kan icke-lineariteter hos kapacitansen införa fel :i utströmmen.
Ng 2 och M; 3 matchas eller delas konstant. Även om grindkapacitansen är starkt icke-linjär över hela driftomràde: är, i en strömspegelskonfiguration såsom visat i fig. 1, g:;ndspànningsförändringen tämligen begränsad, vilket får tranr;stc:erna att hela tiden verka i ett väldefinierat område. Flljaktligen 'varierar' grindkapacitansen, inte drama- tiskt och Lzneariteten är acceptabel. När externa kondensato- rer an }nds, kan linearitet också garanteras.
Emelle::;d är transkonduktansen hos en transistor beroende av utströrfwn, dvs., iv-- gm = *L lll' där pn är kanalbelastningsmobiliteten, Cox är grindkapacitans- enheten, W/L är transistorstorleken och in är utströmmen.
Följaktligen, när utströmmen i transistorn M0 2 ändras för att rymma inströmmen IW ändras transkonduktansen gmo, varvid pol- 10 15 20 25 30 508 697 SPICE- mellan frekvensen ändras. I fig. 2 visas simuleringsresultaten, när inströmmen ändras i of 5 IbiasO' Det bör observeras att kretsen i fig. 1 är ett enpoligt system med 20 dB/dec frekvens roll-off. Förändringen i 3-dB- frekvensen ligger väl i linje med den förutsägelse som gjor- des av transkonduktansekvationen.
Förändringen i polfrek- vensen medför också distorsion, när insignalens frekvens när- mar sig gränsfrekvensen, i det att en annorlunda ingångs- amplitud genomgår en annorlunda dämpning.
Den simulerade totala övertonsdistorsionen är omkring -50 dB, lika med en fjärdedel av förströmmen. kar till 10 kHz, än -70 dB. när insignalen är en 100 kHz sinusfunktion med amplitud När infrekvensen mins- blir den totala övertonsdistorsionen mindre När infrekvensen är större än gränsfrekvensen, dämpas den totala övertonsdistorsionen av själva filtret.
För att göra polfrekvensen väldefinierad måste naturligt- vis förändringen hos utströmmen vara så liten som nöjligt.
Ett sätt förhållan¿~ Eme11er:;d kan lämplig kaskadkoppling för att realisera fil- 822 åstadkomma detta är att begränsa inströmmen i till förströmmen. Detta är mycket energikrävande. ter av híxze ordning reducera variationen hos polfrekvenser- na.
För att öka filterordningen och reducera variationen hos Ett Hos Kaskad- koppling av två enpoliga system åstadkommer ett tvàpoligt system med en roll-off om 40-dB/dec. polfrekvenserna kan kaskadkopplade strömspeglar användas. enpolig: system ger endast en roll-off om 20-dB/dec. många tilïàmpningar erfordras skarpare urkoppling.
Skarpare urkoppling kan realiseras genom kaskadkoppling i flera steg. Två möjligheter för kaskadkoppling visas i fig. 3a och 3b. 10 15 20 25 30 35 508 697 Den i fig. 3a visade användningen av kaskadkoppling re- sulterar i lägre energiförbrukning pà grund av användning- en av grenen av p-typ. Grenen av n-typ "1" innefattar transistorer MO 6 och M1 7 av n-typ, kondensator CO 8 och förström Ibias0 9 för transistorn M0 6. Grenen "2" av p- typ innefattar transistorer M2 10 och M3 11 av p-typ, kon- densator C1 12 och förström Ibiasl 13 för M3 11. Grenen av n-typ liknar den som visas i fig. 1 förutom att förström- men för M1 7 har uteslutits till förmån för grenen av p- typ. Transistorerna M1 7 och M2 10 förspänner varandra.
Grenen av p-typ är densamma som den av n-typ förutom att transistorer av p-typ används. Denna typ av kaskadkoppling påverkar emellertid polfrekvenserna. Anta att inströmmen ID är positiv, dà ökar utströmmen i. M0 6, vilket får dess transkonduktans att öka. Den polfrekvens, som bestäms av transkonduktansen hos M0 6 och kondensatorn CO 8 ökar följ- aktligen. Samtidigt ökar också utströmmen i M2 10, som är lika med utströmmen hos M1 7, vilket får dess transkonduk- tans att öka. Den polfrekvens, som bestäms av transkonduk- tansen. hos M2 10 och. kapacitansen hos Cl 12, ökar också följaktligen. Den kombinerade effekten är att polfrekven- serna varierar mycket snabbare dà inströmmen varierar.
Det kaskadkopplingsförfarande som visas i fig. 3b resul- terar i mer energiförbrukning pà grund av en extra gren av n-typ. Den innefattar tvâ grenar "1" och "2" av n-typ, som är identiska med den som visas i fig. 1. Emellertid har den en stor fördel i det att den stabiliserar polfrekven- serna. Anta att inströmmen IG är positiv, dä ökar utström- men hos M0 6, vilket får dess transkonduktans att öka. Den polfrekvens som bestäms av gm/Co ökar följaktligen. Samti- digt minskar utströmmen i M2 10, vilket får dess transkon- duktans att minska. Den polfrekvens som bestäms av gm/Cl minskar följaktligen. Den kombinerade effekten är att va- riationerna hos de två polfrekvenserna strävar efter att reducera den totala variationen. 10 15 20 508 697 I fig. 4 visas SPICE-simuleringsresultaten, när inström~ men ändras mellan i 0,5 Ibnsw Det bör observeras att kretsen i fig. 3b är ett tvåpo- ligt system med en roll-off frekvens om 40-dB/dec. Och va- riationsförändringen hos nämnda 3-dB-frekvens reduceras påtagligt.
Den simulerade totala övertonsdistorsionen är mindre än -60 dB, när insignalen är en 100 kHz sinusfunktion med en amplitud lika med en fjärdedel av förströmmen. När infrek- vensen minskar till 10 kHz blir den totala övertonsdistor- sionen mindre än -80 dB. När infrekvensen är större än gränsfrekvensen, dämpas den totala övertonsdistorsionen av själva filtret.
Under det att föregående beskrivning innefattar ett flertal detaljer och egenskaper bör det observeras att dessa endast är illustrativa för uppfinningen, och är inte avsedda att vara begränsande. Många modifieringar inses lätt av en fackman inom området, vilka inte avviker från uppfinningens ram och anda, såsom den definieras av de bi- fogade kraven och deras legala motsvarigheter.

Claims (4)

10 15 20 25 30 508 697 P a t e n t k r a v
1. Förfarande för tidskontinuerlig filtrering i. digitala CMOS-processer, kännetecknat av användning av strömspeg- lar, där ingående ac signal I0 är en ström gående in i di- odförbundna MOS transistorn M0 och den utgående ac signa- len I1 är en ström gående in i MOS transistorn M1, för att realisera tidskontinuerliga filter i en digital CMOS- process, där polfrekvenserna bestäms av en transkonduktans hos en MOS-transistor och en kapacitans hos en kondensator vid dess grind, där kapacitansen bestämmande polfrekvensen kan anta varje form innefattande en kondensator anordnad utanför ett chip.
2. Anordning för tidskontinuerlig filtrering i en digital CMOS-process, kännetecknad av att strömspeglar är anordna- de att användas för att realisera tidskontinuerliga filter i en digital CMOS-process, genom att ingående ac signal I0 är en ström gående in i diodförbundna MOS transistorn MO (2) och den utgående ac signalen I1 är en ström gående in i MOS transistorn M1 (3), där polfrekvenser bestäms av en transkonduktans hos en MOS-transistor (6) och en kapaci- tans hos en kondensator (8) vid dess grind, varvid kapaci- tansen bestämmande polfrekvensen kan anta varje form inne- fattande en kondensator anordnad utanför ett chip.
3. Anordning enligt krav 2, kännetecknad av att en ström- spegel bestående av transistorer M0 (6), M1 (7) och en grindkondensator eller kondensator CO (8) anordnad utanför ett chip används för att bestämma polfrekvensen.
4. Anordning enligt krav 2, kânnetecknad av att två eller flera strömspeglar är anordnade för att kaskadkopplas för att realisera filter av högre ordning och att strömspeglar av n-typ ("1") och p-typ ("2") är anordnade för att alter- neras för att begränsa effektförluster. 10 15? 20 508 697 S. Anordning enlig: krav 2, kännetecknad av att tvá_eller flera strömspeglar år anordnade för att direkt kaskadkopp- las för att realisera filter av högre ordning och reducera spridningen hos polfrekvenaerna genom att använda ström- apeglar av n-typ eller p-typ.
SE9602824A 1996-07-19 1996-07-19 Förfarande och anordning för tidskontinuerlig filtrering i digital CMOS-process SE508697C2 (sv)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9602824A SE508697C2 (sv) 1996-07-19 1996-07-19 Förfarande och anordning för tidskontinuerlig filtrering i digital CMOS-process
TW086108310A TW349264B (en) 1996-07-19 1997-06-16 Method and device for continuous-time filtering
KR1019980710778A KR20000065251A (ko) 1996-07-19 1997-06-27 디지털 씨엠오에스 프로세스에서 시간적으로 연속적으로 필터링하는 방법 및 장치
AU35637/97A AU3563797A (en) 1996-07-19 1997-06-27 A method and device for continuous-time filtering in digital cmos process
JP10506853A JP2000514980A (ja) 1996-07-19 1997-06-27 ディジタルcmosプロセスにおいて連続時間フィルタリングを行う方法と装置
CN97196552A CN1108658C (zh) 1996-07-19 1997-06-27 一种用于在数字cmos工艺中进行连续时间滤波的器件
PCT/SE1997/001169 WO1998004038A1 (en) 1996-07-19 1997-06-27 A method and device for continuous-time filtering in digital cmos process
CA002260915A CA2260915A1 (en) 1996-07-19 1997-06-27 A method and device for continuous-time filtering in digital cmos process
EP97932096A EP0913029A1 (en) 1996-07-19 1997-06-27 A method and device for continuous-time filtering in digital cmos process
HK00100431A HK1021595A1 (en) 1996-07-19 2000-01-22 A device for continuous-time filtering in digital cmos process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9602824A SE508697C2 (sv) 1996-07-19 1996-07-19 Förfarande och anordning för tidskontinuerlig filtrering i digital CMOS-process

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9602824D0 SE9602824D0 (sv) 1996-07-19
SE9602824L SE9602824L (sv) 1998-01-20
SE508697C2 true SE508697C2 (sv) 1998-10-26

Family

ID=20403437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9602824A SE508697C2 (sv) 1996-07-19 1996-07-19 Förfarande och anordning för tidskontinuerlig filtrering i digital CMOS-process

Country Status (10)

Country Link
EP (1) EP0913029A1 (sv)
JP (1) JP2000514980A (sv)
KR (1) KR20000065251A (sv)
CN (1) CN1108658C (sv)
AU (1) AU3563797A (sv)
CA (1) CA2260915A1 (sv)
HK (1) HK1021595A1 (sv)
SE (1) SE508697C2 (sv)
TW (1) TW349264B (sv)
WO (1) WO1998004038A1 (sv)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011004512A1 (ja) * 2009-07-08 2011-01-13 パナソニック株式会社 フィルタ回路及びこれを備えた光ディスク装置
US8502597B2 (en) * 2009-10-21 2013-08-06 Qualcomm, Incorporated Low-pass filter design
US20140010783A1 (en) 2012-07-06 2014-01-09 Hoffmann-La Roche Inc. Antiviral compounds
MX2015009176A (es) 2013-01-23 2015-11-09 Hoffmann La Roche Derivados de triazola antivirales.
CN105008350B (zh) 2013-03-05 2018-05-08 弗·哈夫曼-拉罗切有限公司 抗病毒化合物
CN104679095A (zh) * 2015-02-15 2015-06-03 格科微电子(上海)有限公司 电流源及其阵列、读出电路及其控制方法、放大电路
US11296678B1 (en) * 2020-12-29 2022-04-05 Qualcomm Incorporated Complementary current-mode biquad with high linearity

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4839542A (en) * 1984-08-21 1989-06-13 General Datacomm Industries, Inc. Active transconductance filter device
US4686487A (en) * 1986-07-28 1987-08-11 Commodore Business Machines, Inc. Current mirror amplifier
EP0600141B1 (en) * 1992-10-30 1997-03-05 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.p.A. Transconductor stage
EP0667057A1 (en) * 1993-09-02 1995-08-16 National Semiconductor Corporation Active impedance termination

Also Published As

Publication number Publication date
HK1021595A1 (en) 2000-06-16
AU3563797A (en) 1998-02-10
SE9602824L (sv) 1998-01-20
CN1108658C (zh) 2003-05-14
SE9602824D0 (sv) 1996-07-19
WO1998004038A1 (en) 1998-01-29
CA2260915A1 (en) 1998-01-29
TW349264B (en) 1999-01-01
EP0913029A1 (en) 1999-05-06
JP2000514980A (ja) 2000-11-07
KR20000065251A (ko) 2000-11-06
CN1225759A (zh) 1999-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6335655B1 (en) Filter circuit
EP2549643B1 (en) System and method for capacitive signal source amplifier
KR970007754B1 (ko) 아날로그 회로
US5734294A (en) Large swing wide band high order programmable active filters
Xu et al. Current Differencing Cascaded Transconductance Amplifier (CDCTA) and Its Applications on Current-Mode n th-Order Filters
US3863173A (en) Amplifier circuit for minimizing voltage offset
SE508697C2 (sv) Förfarande och anordning för tidskontinuerlig filtrering i digital CMOS-process
Matsumoto et al. Design of a symmetry-type floating impedance scaling circuits for a fully differential filter
US4168440A (en) LC Simulated filter with transmission zeros
US9306508B1 (en) Reconfigurable intergrator/differentiator circuit based on current follower
JPS6376515A (ja) 遅延回路
EP0951144B1 (en) Filter circuit
EP1689082B1 (en) A low noise lowpass filter
JP2000077976A (ja) アクティブ電子フィルタ回路
Deng et al. Three-decade programmable fully differential linear OTA
JP3301989B2 (ja) アクティブフィルタ回路
Matsumoto et al. Study on offset reduction method for a fully differential filter employing symmetrical floating impedance scaling circuits
Mehrmanesh et al. An ultra low-voltage Gm-C filter for video applications
JP3232856B2 (ja) アナログフィルタ
Mahmoud et al. Low power FPAA design based on OTA using 90nm CMOS technology
JP2001251164A (ja) アクティブインダクタンス回路及び2端子素子型アクティブインダクタンス回路並びに対称4端子型アクティブインダクタンス回路
JPH10126214A (ja) フィルタ回路
CN109873620B (zh) 三阶低通滤波器
Zhu et al. A Low Power OTA-C Filter for Wireless Body Area Networks
Minot et al. BiCMOS OTA for high Q very high frequency continuous-time bandpass filters

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed