Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR970076033A - 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents

액정표시장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970076033A
KR970076033A KR1019960016135A KR19960016135A KR970076033A KR 970076033 A KR970076033 A KR 970076033A KR 1019960016135 A KR1019960016135 A KR 1019960016135A KR 19960016135 A KR19960016135 A KR 19960016135A KR 970076033 A KR970076033 A KR 970076033A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating layer
forming
patterning
layer
gate lines
Prior art date
Application number
KR1019960016135A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100192447B1 (ko
Inventor
장석필
Original Assignee
구자홍
Lg 전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, Lg 전자주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019960016135A priority Critical patent/KR100192447B1/ko
Priority to US08/846,099 priority patent/US5834328A/en
Priority to JP12537497A priority patent/JP3072593B2/ja
Publication of KR970076033A publication Critical patent/KR970076033A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100192447B1 publication Critical patent/KR100192447B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 기판을 준비하는 스텝과, 기판상의 일정영역에 섬모양의 반도체층을 형성하고 반도체층을 포함하는 기판 전면에 제1절연층을 형성하는 스텝과, 제1절연층상에 게이트전극물질을 형성하고 패터닝하여 반도체층들상에 일부가 중첩되고 일정간격을 갖는 복수개의 게이트라인들을 형성하는 스텝과, 게이트라인들을 마스크로 기판 전면에 불순물이온을 주입하여 반도체층들에 소오스 영역들과 드레인영역들을 형성하는 스텝과, 게이트라인들을 포함한 기판 전면에 제2절연층을 형성하고 패터닝하여 게이트라인들의 일부분이 노출되도록 제1콘택홀들을 형성하는 스텝과, 제2절연층상에 투명도전층을 형성하고 패터닝하여 제1콘택홀들을 통해 게이트라인들에 연결되도록 스토리지전극을 형성하는 스텝과, 스토리지전극을 포함한 기판 전면에 제3절연층을 형성하고 패터닝하여 반도체층들의 드레인영역들이 노출되도록 제2콘택홀들을 형성하는 스텝과, 제3절연층상에 투명도전층을 형성하고 패터닝하여 제2콘택홀들을 통해 드레인영역들에 연결되고 스토리지전을 포함도록 화소전극을 형성하는 스텝과, 화소전극을 포함한 기판 전면에 제4절연층을 형성하고 패터닝하여 반도체층들의 소오스영역들이 노출되도록 제3콘택홀들을 형성하는 스텝과, 그리고 제4절연층상에 금속층을 형성하고 패터닝하여 제3콘택홀들을 통해 소오스영역들에 연결되고 화소전극에 중첩되지 않으면 게이트라인들에 수직한 방향으로 일정간격을 갖는 복수개의 데이터라인들을 형성하는 스텝으로 이루어진다.
따라서 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.
스토리지 커패시터를 형성하는 스토리지전극을 ITO와 같은 투명한 도전물질을 사용하여 형성함으로써 스토리지 커패시터가 차지하는 영역까지 빛이 투과되어 액정표시장치의 개구율이 크게 향상될 수 있다.

Description

액정표시장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 레이아웃도, 제4도 (a) 내지 (e)는 제3도의 A-A′선에 따른 제조공정을 보여주는 공정도면도.

Claims (2)

  1. 기판을 준비하는 스텝; 상기 기판상의 일정영역에 섬모양의 반도체층을 형성하고 상기 반도체층을 포함하는 기판 전면에 제1절연층을 형성하는 스텝; 상기 제1절연층상에 게이트전극물질을 형성하고 패터닝하여 상기 반도체층들상에 일부가 중첩되고 일정간격을 갖는 복수개의 게이트라인들을 형성하는 스텝; 상기 게이트라인들을 마스크로 기판 전면에 불순물이온을 주입하여 상기 반도체층들에 소오스영역들과 드레인영역들을 형성하는 스텝; 상기 게이트라인들을 포함한 기판 전면에 제2절연층을 형성하고 패터닝하여 게이트라인들의 일부분이 노출되도록 제1콘택홀들을 형성하는 스텝; 상기 제2절연층상에 투명도전층을 형성하고, 패터닝하여 상기 제1콘택홀들을 통해 게이트라인들에 연결되도록 스토리지전극을 형성하는 스텝; 상기 스토리지전극을 포함한 기판전면에 제3절연층을 형성하고 패터닝하여 상기 반도체층들의 드레인영역들이 노출되도록 제2콘택홀들을 형성하는 스텝; 상기 제3절연층상에 투명도전층을 형성하고 패터닝하여 상기 제2콘택홀들을 통해 상기 드레인영역들에 연결되고 상기 스토리지전을 포함하도록 화소전극을 형성하는 스텝; 상기 화소전극을 포함한 기판 전면에 제4절연층을 형성하고 패터닝하여 상기 반도체층들의 소오스영역들이 노출되도록 제3콘택홀들을 형성하는 스텝; 그리고 상기 제4절연층상에 금속층을 형성하고 패터닝하여 상기 제3콘택홀들을 통해 상기 소오스영역들에 연결되고 상기 화소전극에 중첩되지 않으며 상기 게이트라인들에 수직한 방향으로 일정간격을 갖는 복수개의 데이타라인들을 형성하는 스텝을 구비함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 투명도전층은 ITO로 형성함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960016135A 1996-05-15 1996-05-15 액정표시장치의 제조방법 KR100192447B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960016135A KR100192447B1 (ko) 1996-05-15 1996-05-15 액정표시장치의 제조방법
US08/846,099 US5834328A (en) 1996-05-15 1997-04-25 Method for fabricating liquid crystal display
JP12537497A JP3072593B2 (ja) 1996-05-15 1997-05-15 液晶表示装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960016135A KR100192447B1 (ko) 1996-05-15 1996-05-15 액정표시장치의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970076033A true KR970076033A (ko) 1997-12-10
KR100192447B1 KR100192447B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19458722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960016135A KR100192447B1 (ko) 1996-05-15 1996-05-15 액정표시장치의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5834328A (ko)
JP (1) JP3072593B2 (ko)
KR (1) KR100192447B1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100311531B1 (ko) * 1998-11-11 2002-09-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식액정표시장치및그제조방법
KR100392850B1 (ko) * 2000-12-29 2003-07-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100583705B1 (ko) * 2001-10-15 2006-05-26 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정 표시 장치, 화상 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100740932B1 (ko) * 2001-04-20 2007-07-19 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판, 그의 제조 방법 및 액정 표시 장치
KR100795344B1 (ko) * 2001-05-29 2008-01-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법
US8841669B2 (en) 2010-06-03 2014-09-23 Samsung Display Co., Ltd. Flat panel display device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW425637B (en) * 1993-01-18 2001-03-11 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating mis semiconductor device
US6190933B1 (en) * 1993-06-30 2001-02-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ultra-high resolution liquid crystal display on silicon-on-sapphire
JP3312083B2 (ja) * 1994-06-13 2002-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3935246B2 (ja) * 1997-08-18 2007-06-20 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド 液晶表示装置
JP3941901B2 (ja) * 1998-04-28 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR100333179B1 (ko) * 1998-06-30 2002-08-24 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 박막트랜지스터액정표시소자및그의제조방법
US6313481B1 (en) 1998-08-06 2001-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
KR100646778B1 (ko) * 1998-09-24 2007-03-02 삼성전자주식회사 액정 표시장치
KR100321925B1 (ko) 1998-11-26 2002-10-25 삼성전자 주식회사 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판
JP3538084B2 (ja) * 1999-09-17 2004-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4632522B2 (ja) * 2000-11-30 2011-02-16 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
KR100496420B1 (ko) * 2001-03-02 2005-06-17 삼성에스디아이 주식회사 2층구조의 소오스/드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터 및그의 제조방법과 이를 이용한 액티브 매트릭스형 표시소자및 그의 제조방법
KR100797374B1 (ko) * 2001-06-05 2008-01-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
US7247529B2 (en) * 2004-08-30 2007-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR101112549B1 (ko) * 2005-01-31 2012-06-12 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5166085A (en) * 1987-09-09 1992-11-24 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor
KR970009491B1 (ko) * 1989-11-30 1997-06-13 가부시끼가이샤 도시바 배선재료와 이를 이용한 전자장치 및 액정표시장치
US5414278A (en) * 1991-07-04 1995-05-09 Mitsushibi Denki Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display device
KR100268007B1 (ko) * 1992-12-22 2000-10-16 구본준 액정표시소자 제조방법
KR0139346B1 (ko) * 1994-03-03 1998-06-15 김광호 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
KR100303134B1 (ko) * 1995-05-09 2002-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자및그제조방법.
KR0158260B1 (ko) * 1995-11-25 1998-12-15 구자홍 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100311531B1 (ko) * 1998-11-11 2002-09-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식액정표시장치및그제조방법
KR100392850B1 (ko) * 2000-12-29 2003-07-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100740932B1 (ko) * 2001-04-20 2007-07-19 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판, 그의 제조 방법 및 액정 표시 장치
KR100795344B1 (ko) * 2001-05-29 2008-01-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법
KR100583705B1 (ko) * 2001-10-15 2006-05-26 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정 표시 장치, 화상 표시 장치 및 그 제조 방법
US8841669B2 (en) 2010-06-03 2014-09-23 Samsung Display Co., Ltd. Flat panel display device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1048612A (ja) 1998-02-20
JP3072593B2 (ja) 2000-07-31
KR100192447B1 (ko) 1999-06-15
US5834328A (en) 1998-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970076033A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970022459A (ko) 액정표시장치
KR970011963A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR970066697A (ko) 액티브 매트릭스형 액정 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR970025309A (ko) 표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR970071090A (ko) 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법
US20040262611A1 (en) [thin film tansistor array panel and fabricating method thereof]
KR960029834A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR970066689A (ko) 액정표시장치의 구조 및 제조방법
KR960018698A (ko) 전극기판, 그 제조방법 및 이를 사용한 표시장치
KR950019868A (ko) 액티브 매트릭스형 표시소자 및 그 제조방법
KR970022448A (ko) 액정표시장치의 구조 및 제조방법
KR980003736A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970076042A (ko) 액정 표시 장치 및 제조 방법
KR100493380B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR100770470B1 (ko) 액정 표시 소자의 게이트 전극 형성방법
KR100218503B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100209622B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100646780B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR970059799A (ko) 액정표시장치의 구조 및 제조방법
KR970072491A (ko) 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR970076026A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR100697371B1 (ko) 박막트랜지스터 구조
KR970075984A (ko) 액티브매트릭스기판의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조되는 액티브매트릭스기판
KR100306805B1 (ko) 박막트랜지스터의제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061220

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee