KR100321925B1 - 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 30
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 40
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 118
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
먼저, 첫째 마스크를 이용하여 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 가로 방향으로 형성하고, 게이트 절연막, 반도체인 비정질 규소층, 도핑된 비정질 규소층 및 데이터 금속층을 연속하여 적층하고 둘째 마스크를 이용하여 데이터 금속층을 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 소스 및 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선 및 데이터선을 중심으로 양쪽의 게이트선 상부에 식각 저지층을 형성하고, 이들로 덮이지 않은 도핑된 비정질 규소층을 식각하여 접촉층을 형성한다. 보호막을 적층하고, 셋째 마스크를 이용하여 보호막, 반도체층 및 게이트 절연막과 함께 한꺼번에 식각하여 드레인 전극, 데이터 패드 및 게이트 패드를 드러내는 접촉구 및 식각 저지층을 드러내는 개구부를 형성한다. 이어, ITO막을 적층하고 넷째 마스크를 이용한 패터닝을 실시하여 접촉구를 통하여 드레인 전극과 연결되는 화소 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드와 접촉구를 통하여 연결되는 게이트용 전극 및 데이터용 전극을 형성한다. 이어, 보호막을 마스크로 하여 개구부를 통하여 드러난 식각 저지층 및 그 하부의 비정질 규소층을 식각하여 게이트 절연막을 드러낸다. 비정질 규소층을 식각할 때에는 게이트 절연막과 비정질 규소층의 식각 선택비가 높은 식각 조건을 선택한다.
Description
본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 4장의 마스크를 이용하여 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 두 기판에 전극이 각각 형성되어 있고 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 가지고 있는 액정 표시 장치이며, 박막 트랜지스터는 두 기판 중 하나에 형성되는 것이 일반적이다.
박막 트랜지스터가 형성되어 있는 기판은 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통하여 제조하는 것이 일반적이다. 이때, 생산비용을 줄이기 위해서는 마스크의 수를 적게 하는 것이 바람직하며, 현재는 통상 5장 또는 6장의 마스크가 사용되고있다. 물론 4장의 마스크를 이용하여 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 방법에 대해서도 공개된 바 있으나, 이를 실제로 적용하기가 매우 어려운 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 4장의 마스크를 이용하여 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 새로운 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 액정 표시 장치의 누설 전류를 방지하는 동시에 배선을 보호하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판이고,
도 2는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 3은 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 4는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 5a, 6a, 7a는 본 발명의 실시예에 따라 제조하는 중간 과정에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도로서 제조 순서에 따라 차례로 나타낸 것이고,
도 5b, 6b, 7b는 각각 도 5a, 6a, 7a에서 Vb-Vb, VIb-VIb, VIIb-VIIb 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 5c, 6c, 7c는 각각 도 5a, 6a, 7a에서 Vc-Vc, VIc-VIc, VIIc-VIIc 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 5d, 6d, 7d는 각각 도 5a, 6a, 7a에서 Vd-Vd, VId-VId, VIId-VIId 선을따라 잘라 도시한 도면으로서 데이터 패드부의 단면도이고,
도 8a 내지 도 8b는 도 2에서 A 부분의 제조 공정을 상세하게 도시한 단면도이다.
이러한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는 보호막, 게이트 절연막, 반도체층을 한꺼번에 패터닝한다. 또한, 데이터선을 중심으로 양쪽의 게이트선 상부에 식각 저지층을 형성하고, 이를 이용하여 식각 선택비를 가지는 조건을 적용하여 게이트선 상부의 반도체층을 분리한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는, 먼저 첫째 마스크를 이용하여 절연 기판 위에 게이트선 및 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이어, 게이트 절연막, 반도체인 비정질 규소층, 도핑된 비정질 규소층 및 데이터 도체층을 차례로 적층하고 둘째 마스크를 이용하여 데이터 도체층 및 도핑된 비정질 규소층을 패터닝하여, 게이트선과 교차하는 데이터선, 게이트 전극에 인접한 데이터선의 분지인 소스 전극 및 게이트 전극에 대하여 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선, 데이터선을 중심으로 양쪽의 게이트 배선 상부에 식각 저지층 및 그들 하부에 접촉층을 형성한다. 다음, 데이터 배선, 식각 저지층 및 반도체층 상부에 보호막을 적층하고 셋째 마스크를 이용하여 보호막, 반도체층 및 게이트 절연막을 한꺼번에 패터닝하여 드레인 전극 및 식각 저지층을 노출시키는 접촉구 및 개구부를 형성한다. 보호막 및 기판의 상부에 도전층을 적층하고 넷째 마스크를 이용하여 도전층을 패터닝하여 접촉구를 통하여 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다. 이어, 보호막으로 가리지 않는 식각 저지층을 식각하고, 이때 드러난 비정질 규소층 및 도핑된 비정질 규소층을 제거한다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세하게 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 4를 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판이고, 도 2는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 3은 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
절연 기판(10) 위에 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 크롬, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 단일막 또는 이중막으로 만들어진 게이트 배선 및 유지 배선이 형성되어 있다. 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(22), 게이트선(22)의 끝에 연결되어 있어 외부로부터의 게이트 신호를 인가 받아 게이트선으로 전달하는 게이트 패드(26) 및 게이트선(22)의 일부인 박막 트랜지스터의 게이트 전극(24)을 포함한다. 또한, 유지 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 유지 전극선(28)과, 세로 방향으로 형성되어 있으며 유지 전극선(28)과 게이트 배선(22, 24)을 연결하는 유지 전극(27, 29)을 포함한다.
기판(10) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(32) 및 수소화된 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 반도체층(42)이 게이트 배선(24, 26) 및 유지 배선(28)과 유사한 모양을 가지며, 서로 동일한 패턴으로 게이트 배선(24, 26) 및 유지 배선(28)을 덮고 있다. 단면도에 나타나지 않았지만 이들(32, 42)은 게이트 배선(22) 및 유지 배선(27, 29)과 유사한 모양을 가지며 동일한 패턴으로 형성되어 이들을 덮고 있다.
반도체층(42) 위에는 n형 불순물로 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 접촉층(52, 54, 55, 56)이 형성되어 있으며, 접촉층(52, 54, 55, 56) 위에는 크롬(Cr)이나 몰리브덴-텅스텐 합금 따위로 이루어진 데이터 배선(62, 64, 66) 및 식각 저지층(65)이 형성되어 있다. 데이터 배선(62, 64, 66)은 세로 방향으로 형성되어 게이트선(22)과 교차하여 화소를 정의하며 게이트 전극(24)에 인접하게 중첩되어 돌출된 박막 트랜지스터의 소스 전극을 가지는 데이터선(62), 데이터선(62)의 한쪽 끝에 연결되어 있으며 외부로부터의 화상 신호를 인가 받는 데이터 패드(66), 데이터선(62)과 분리되어 있으며 게이트 전극(24)에 대하여 소스 전극(62)의 반대쪽에 위치하는 박막 트랜지스터의 드레인 전극(64)을 포함한다. 여기서, 식각 저지층(65)은 데이터선(62)을 중심으로 양쪽의 게이트 배선(22, 24) 및 유지 전극선(28)의 상부에 각각 위치하며 각각은 두 부분으로 분리되어 있고, 접촉층(52, 54, 55, 56)과 데이터 배선(62, 64, 66) 및 식각 저지층(65)은 서로 동일한 패턴으로 형성되어 있다.
반도체층(42) 위에는 데이터 배선(62, 64, 66) 및 식각 저지층(65)을 덮는 보호막(72)이 형성되어 있으며, 보호막(72)에는 드레인 전극(64) 및 데이터 패드(66)를 노출시키는 접촉구(64, 66)가 형성되어 있으며, 반도체층(42) 및 게이트 절연막(32)과 함께 게이트 패드(26)를 노출시키는 접촉구(70)가 형성되어 있다. 또한, 각각의 식각 저지층(65) 및 그 하부의 접촉층(65)과 함께 게이트 배선(22, 24) 및 유지 전극선(28) 상부의 게이트 절연막(32)을 드러내는 개구부(77)가 형성되어 있다. 여기서, 보호막(72)은 게이트 배선(22, 24, 26), 공통 배선(27, 28, 29) 및 데이터 배선(62, 64, 66)과 유사한 모양으로 형성되어 있다.
게이트선(22)과 데이터선(62)으로 둘러싸인 화소의 기판(10) 위에는 ITO(indium tin oxide) 따위의 투명한 도전 물질로 이루어진 화소 전극(84)이 형성되어 있으며, 화소 전극(84)은 접촉구(74)를 통하여 드레인 전극(64)과 연결되어 있다. 데이터 패드(66) 위에는 접촉구(76)를 통하여 데이터 패드(66)와 연결되어 있으며, 외부와의 전기적 접촉을 보완하는 역할을 하는 데이터용 전극(86)이 형성되어 있으며, 게이트 패드(26) 위에는 게이트 패드(26)와 접촉구(70)를 통하여 연결되어 있으며 외부와의 전기적 접촉을 보완하는 역할을 하는 게이트용 전극(80)이 형성되어 있다. 화소 전극(84)은 가장자리 둘레가 유지 배선(27, 28, 29) 및 게이트 배선(22)과 중첩하여 유지 축전기를 이룬다.
여기에서는 도전체 패턴으로 투명한 도전 물질을 사용하였으나, 반사형 액정 표시 장치의 경우 불투명한 도전 물질을 사용하여도 무방하다.
이러한 구조에서, 서로 이웃하는 화소의 반도체층(42)은 게이트선(22) 및 유지 전극선(28) 상부에서 개구부(77)를 통하여 분리되어 있는데, 이는 게이트 배선(22, 24, 26)에 주사 신호가 인가되는 경우에 소스 전극(62)과 드레인 전극(64)사이의 반도체층에서만 박막 트랜지스터의 채널이 형성되어야 하는데, 게이트선(22) 또는 유지 전극선(28)의 상부에서도 기생 채널이 형성되기 때문에 이를 방지하기 위해서이다. 서로 이웃하는 두 데이터선(62)이 반도체층을 통하여 연결되어 있으면 기생 채널로 인하여 반도체층에서 누설 전류가 발생하여 두 데이터선 사이에 신호의 간섭이 생기므로 이와 같이 이웃하는 두 데이터선(62) 사이의 반도체층을 분리할 필요가 있다.
그러면, 이러한 구조의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 도 1 내지 도 4와 도 5a 내지 도 8b를 참고로 하여 상세히 설명한다.
도 5a, 5a, 5a는 본 발명의 실시예에 따라 제조하는 중간 과정에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도로서 제조 순서에 따라 차례로 나타낸 것이다. 도 5b, 6b, 7b는 각각 도 5a, 6a, 7a에서 Vb-Vb, VIb-VIb, VIIb-VIIb 선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, TFT부의 단면이다. 도 5c, 6c, 7c는 도 5a, 6a, 7a에서 Vc-Vc,VIc-VIc, VIIc-VIIc 선을 따라 잘라 도시한 도면으로서 게이트 패드부의 단면도이고, 도 5d, 6d, 7d는 각각 도 5a, 6a, 7a에서 Vd-Vd, VId-VId, VIId-VIId 선을 따라 잘라 도시한 도면으로서 데이터 패드부의 단면도이다. 도 8a 내지 도 8b는 도 2에서 A 부분에서 개구부를 형성하는 공정을 상세하게 도시한 단면도이다.
먼저, 도 5a 내지 5d에 도시한 바와 같이, 첫째 마스크를 이용하여 기판(10) 위에 게이트선(22), 게이트 전극(24) 및 게이트 패드(26)를 포함하는 게이트 배선을 가로 방향으로 형성하고, 가로 방향의 유지 전극선(28), 게이트선(22)과 유지 전극선(28)을 연결하는 세로 방향의 유지 전극(27, 29)을 포함하는 유지 배선을 형성한다. 게이트 배선(22, 24, 26) 및 유지 배선(27, 28, 29)은 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 탄탈, 타이타늄 또는 크롬의 단일막 또는 다중막으로 형성할 수 있다.
다음, 도 6a 내지 6d에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(32), 비정질 규소로 이루어진 반도체층(42), 도핑된 비정질 규소층 및 탄탈 또는 타이타늄 또는 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 데이터용 금속층의 4중층을 연속하여 적층하고 둘째 마스크를 이용하여 데이터 금속층을 패터닝하여 데이터 배선(62, 64, 66) 및 데이터선(62)을 중심으로 양쪽의 게이트선(22) 및 유지 전극선(28) 상부에 식각 저지층(65)을 형성하고, 마스크를 사용하지 않고 데이터 배선(62, 64, 66) 및 식각 저지층(65)으로 덮이지 않은 도핑된 비정질 규소층을 식각하여 데이터 배선(62, 64, 66) 및 식각 저지층(65) 하부에 접촉층(52, 54, 55, 56)을 형성한다.
다음, 도 7a 내지 도 7d에서 보는 바와 같이, 산화 규소 또는 질화규소로 이루어진 절연막을 적층하고, 셋째 마스크를 이용하여 절연막을 반도체층(42) 및 게이트 절연막(32)과 함께 한꺼번에 식각하여 드레인 전극(64) 및 데이터 패드(66)를 드러내는 접촉구(74, 76), 반도체층(42) 및 게이트 절연막(32)과 함께 게이트 패드(26)를 드러내는 접촉구(70) 및 식각 저지층(65)을 드러내는 개구부(77)를 가지는 보호막(72)을 형성한다. 이때, 도 7a 및 도 7b에서 보는 바와 같이, 보호막(72), 반도체층(42) 및 게이트 절연막(32)은 게이트 배선(22, 24, 26) 및 유지 배선(27, 28, 29)을 완전히 덮도록 서로 동일한 모양으로 형성하며, 보호막(72)은 데이터 배선(62, 64, 66)을 완전히 덮도록 반도체층(42) 및 게이트 절연막(32)과 동일한 모양으로 형성한다. 여기서, 보호막(72), 반도체층(42) 및 게이트 절연막(32)을 한 번에 식각하더라도 보호막(72)의 개구부(77) 아래에는 식각 저지층(65)이 있기 때문에 게이트 배선(22, 24) 및 유지 전극선(28) 상부의 반도체층(42)은 식각되지 않는다.
이때, 데이터 패드(66) 및 식각 저지층(65)을 드러내는 접촉구(76) 및 개구부(77)를 가지는 부분에서는 보호막(72)은 게이트 절연막(32) 및 반도체층(42)과 다른 모양으로 형성된다.
여기서, 데이터선(62) 하부의 반도체층(42)과 유지 전극(27, 29)을 덮는 반도체층(42)을 분리되지 않도록 할 수 있지만 도 7a에서 보는 바와 같이 본 발명의 실시예에서와 같이 분리하는 것이 바람직하다.
이때, 게이트 패드(26), 데이터 패드(66) 및 드레인 전극(64)과 같이보호막(72)으로 가리지 않은 부분에서 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 노출되면, 이를 전면 식각을 통하여 제거하는 것이 좋다. 왜냐하면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금은 이후에 형성되는 투명 도전막인 ITO(indium tin oxide)와의 접촉 특성이 좋지 않기 때문이다. 그래서, 게이트 배선, 유지 배선 및 데이터 배선은 크롬, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 상부막 또는 단일막으로 형성하고 알루미늄 또는 알루미늄 합금막은 하부막으로 형성하는 것이 바람직하며, 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 상부막이고 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 크롬 등이 하부막인 경우에는 앞에서 설명한 바와 같이, 크롬, 몰리브덴, 몰리브덴 합금이 드러나게 하는 것이 바람직하다.
다음, 도 1 내지 4에 도시한 바와 같이, ITO막을 적층하고 넷째 마스크를 이용한 패터닝을 실시하여 화소에 접촉구(74)를 통하여 드레인 전극(64)과 연결되는 화소 전극(84)과 접촉구(70, 76)를 통하여 게이트 패드(26) 및 데이터 패드(66)의 크롬, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금과 직접 접촉하는 게이트용 전극(80) 및 데이터용 전극(82)을 각각 형성한다.
이때, 게이트 배선(22, 24) 및 유지 배선(28) 상부에 반도체층(42)이 아직 잔류하고 있으므로 게이트 신호가 인가되면, 게이트 배선(22, 24) 및 유지 배선(28) 상부에는 기생 채널이 형성된다. 이로 인하여 서로 이웃하는 두 데이터선(62)이 전기적으로 연결되어 두 데이터선(62) 사이에는 누설 전류로 인한 신호의 간섭이 발생한다. 따라서, 게이트 배선(22, 24) 및 유지 배선(28) 상부에서 반도체층(42)을 분리해야 한다. 이를 위하여, 우선 별도의 마스크를 사용하지 않고 보호막(72)의 개구부(77)로 드러난 식각 저지층(65)을 도 8a에서 보는 바와 같이 식각하여 접촉층(55)이 드러나도록 식각 저지층(55)을 분리한다. 이어, 별도의 마스크를 사용하지 않고 게이트 절연막(32)과 비정질 규소층(42, 55)에 대하여 10 이상의 식각 선택비를 가지는 조건을 적용하여 접촉층(55) 및 반도체층(42)을 차례로 식각하여 개구부(77)를 통하여 게이트 절연막(32)이 드러나도록 하여 게이트 배선(22, 24) 및 유지 배선(28) 상부에서 반도체층(42)을 분리한다.
한편, 식각 저지층(65)을 ITO막의 식각 조건에서 식각되는 물질로 형성할 수 있다. 이 경우에는 화소 전극(84), 게이트용 전극(80) 및 데이터용 전극(82)을 형성할 때, 개구부(77)를 통하여 드러난 식각 저지층(65)도 제거되어 접촉층(55)이 노출된다. 따라서, 이 경우에는 식각 저지층(65)을 제거하는 공정을 생략할 수 있다.
이러한 본 발명의 실시예에서, 게이트 패드부의 구조는 상부막을 ITO막으로 하고 하부막은 크롬, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 하는 이층 구조로 형성되며, 삼중막으로 형성하는 경우에 가장 하부에 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 도전막을 더 포함할 수 있다. 또한, 식각 저지층(65)을 형성하고 별도의 마스크를 사용하지 않고 선택적인 식각을 통하여 게이트 배선(22, 24) 및 유지 전극선(28) 상부에서 반도체층(42)을 분리하는 동시에 게이트 배선(22, 24) 및 유지 전극선(28) 상부에 게이트 절연막(32)을 남길 수 있다.
본 발명에 따르면 4장의 마스크를 이용하여 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조함으로 제조 비용을 줄일 수 있으며, 선택적인 식각을 통하여 반도체층을 분리하는 동시에 게이트 배선 또는 유지 전극선 상부에 절연막을 남김으로써 액정 표시 장치의 누설 전류를 효과적으로 방지할 수 있는 동시에 배선이 노출되는 것을 방지할 수 있다.
Claims (5)
- 첫째 마스크를 이용하여 절연 기판 위에 제1 방향의 게이트선 및 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계,상기 게이트 배선 및 상기 기판 위에 게이트 절연막, 반도체인 비정질 규소층, 도핑된 비정질 규소층 및 데이터 도체층을 차례로 적층하는 단계,둘째 마스크를 이용하여 상기 데이터 도체층 및 상기 도핑된 비정질 규소층을 패터닝하여, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극 및 상기 게이트 전극에 대하여 상기 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선과 상기 데이터선을 중심으로 양쪽의 상기 게이트선 상부의 식각 저지층을 형성하고, 상기 데이터 배선과 상기 식각 저지층 하부에 저항성 접촉층을 형성하는 단계,상기 반도체층 상부에 보호막을 적층하는 단계,셋째 마스크를 이용하여 상기 보호막, 상기 반도체층 및 상기 게이트 절연막을 패터닝하여 상기 드레인 전극 및 상기 식각 저지층을 각각 노출시키는 제1 접촉구 및 개구부를 형성하는 단계,상기 보호막 및 상기 기판의 상부에 도전층을 적층하는 단계,넷째 마스크를 이용하여 상기 도전층을 패터닝하여 상기 제1 접촉구를 통하여 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계,상기 개구부로 드러난 상기 식각 저지층을 식각하는 단계,상기 개구부로 드러난 상기 접촉층을 식각하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 게이트 배선은 상기 게이트선과 연결되어 외부로부터 주사 신호를 인가받는 게이트 패드를 더 포함하고,상기 데이터 배선은 상기 데이터선과 연결되어 외부로부터 데이터 신호를 인가받는 데이터 패드를 더 포함하며,상기 접촉구 형성 단계에서, 상기 보호막, 상기 반도체층 및 상기 게이트 절연막에 상기 게이트 패드를 드러내는 제2 접촉구 및 상기 데이터 패드를 드러내는 제3 접촉구를 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제2항에서,상기 게이트 배선은 알루미늄, 알루미늄 합금, 크롬, 탄탈, 타이타늄, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 단일막, 상기 단일막의 이중막 또는 삼중막으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제3항에서,상기 제1 내지 제3 접촉구 및 개구부를 통하여 상기 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 상부막으로 드러나는 경우에,상기 접촉구를 형성하는 단계 이후, 상기 상부막을 제거하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 절연 기판 위에 첫째 마스크를 이용하여 게이트선 및 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계,상기 기판 위에 게이트 절연막, 반도체인 비정질 규소층, 도핑된 비정질 규소층 및 데이터 도체층을 차례로 적층하는 단계,둘째 마스크를 이용하여 상기 데이터 도체층 및 상기 도핑된 비정질 규소층을 패터닝하여, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있으며 상기 게이트 전극에 인접하는 소스 전극, 상기 게이트 전극에 대하여 상기 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선과 상기 데이터선을 중심으로 양쪽의 상기 게이트선 상부의 식각 저지층을 형성하고 상기 데이터 배선 및 상기 식각 저지층 하부에 접촉층을 형성하는 단계,상기 데이터 배선 및 상기 반도체층 상부에 보호막을 적층하는 단계,셋째 마스크를 이용하여 상기 보호막, 상기 반도체층 및 상기 게이트 절연막을 패터닝하여 상기 드레인 전극 및 상기 식각 저지층을 노출시키는 제1 접촉구 및 개구부를 형성하는 단계,상기 기판의 상부에 도전층을 적층하는 단계,넷째 마스크를 이용하여 상기 도전층을 패터닝하여 상기 제1 접촉구를 통하여 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 동시에 상기 개구부로 드러난 상기 식각 저지층을 식각하는 단계,상기 개구부로 드러난 상기 접촉층을 식각하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980050885A KR100321925B1 (ko) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 |
| US09/425,050 US6256077B1 (en) | 1998-11-26 | 1999-10-22 | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same using four photolithography steps |
| JP33687299A JP4368016B2 (ja) | 1998-11-26 | 1999-11-26 | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980050885A KR100321925B1 (ko) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000033841A KR20000033841A (ko) | 2000-06-15 |
| KR100321925B1 true KR100321925B1 (ko) | 2002-10-25 |
Family
ID=19559787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980050885A KR100321925B1 (ko) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6256077B1 (ko) |
| JP (1) | JP4368016B2 (ko) |
| KR (1) | KR100321925B1 (ko) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6445004B1 (en) | 1998-02-26 | 2002-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof |
| TW413844B (en) * | 1998-11-26 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Manufacturing methods of thin film transistor array panels for liquid crystal displays and photolithography method of thin films |
| JP3355143B2 (ja) * | 1998-12-22 | 2002-12-09 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US6524876B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
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| KR100194679B1 (ko) | 1996-05-21 | 1999-07-01 | 윤종용 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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1998
- 1998-11-26 KR KR1019980050885A patent/KR100321925B1/ko not_active IP Right Cessation
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1999
- 1999-10-22 US US09/425,050 patent/US6256077B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-26 JP JP33687299A patent/JP4368016B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US6256077B1 (en) | 2001-07-03 |
| JP2000162646A (ja) | 2000-06-16 |
| KR20000033841A (ko) | 2000-06-15 |
| JP4368016B2 (ja) | 2009-11-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| AMND | Amendment | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
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| FPAY | Annual fee payment |
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| FPAY | Annual fee payment |
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| FPAY | Annual fee payment |
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