KR970003656A - 반도체 소자의 필드 산화막의 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 필드 산화막의 형성방법을 개시한다. 개시된 발명은, 반도체 기판의 패드 산화막에 마스크로서 실리콘 질화막/다결정 실리콘막의 다층막을 형성하고, 이 다층막을 경계로 패드 산화막상에 필드 산화막을 형성시키고, 이어서 소량의 질산을 첨가한 인산용액에서 식각을 실시하여 실리콘 질화막/다결정 실리콘막의 다층막을 제거하는 단계를 포함한다. 따라서 다층막의 제거를 위한 식각에 오직 한 단계의 공정만이 사용되므로 공정이 단순화되고 소자의 제조 수율이 향상된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- 반도체 기판상의 패드 절연막에 마스크로서 실리콘 질화막/다결정 실리콘막의 다층막을 형성하고, 이것을 경계로 패드 절연막상에 필드 산화막을 성장시킨 후, 상기의 다층막을 인산용액에서 습식식각 및 KOH 용액에서의 습식식각 또는 CF4플라즈마 건식식각으로 이루어진 2단계 공정의 식각에 의해 제거하여 반도체 기판상에 필드 산화막을 형성하는 방법에 있어서, 상기의 실리콘 질화막/다결정 실리콘막이 다층막의 식각 직전에 인산용액 1ℓ당 약 0.1~3㎖의 질산을 첨가하고, 인산용액에서만 식각을 실시하여 상기의 다층막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막의 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR970003656A true KR970003656A (ko) | 1997-01-28 |
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ID=66524496
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1995
- 1995-06-15 KR KR1019950015815A patent/KR970003656A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19950615 |
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