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KR930020303A - 화상 전용 반도체 기억 장치 - Google Patents

화상 전용 반도체 기억 장치 Download PDF

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KR930020303A
KR930020303A KR1019930004869A KR930004869A KR930020303A KR 930020303 A KR930020303 A KR 930020303A KR 1019930004869 A KR1019930004869 A KR 1019930004869A KR 930004869 A KR930004869 A KR 930004869A KR 930020303 A KR930020303 A KR 930020303A
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KR
South Korea
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data
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clock signal
memory cell
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KR1019930004869A
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Inventor
스호조 사이또
하루끼 도다
Original Assignee
사또오 후미오
가부시기가이샤 도시바
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Publication date
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    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T1/00—General purpose image data processing
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1075—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM
    • G—PHYSICS
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Abstract

본 발명은 고속 동작은 할수 있는 화상 전용 반도체 기억 장치를 제공한다. 메모리셀 어레이(1)와 소정의 메모리셀을 선택하기 위한 행렬 디코더(4), (5)와, 랜덤 입출력 제어 신호에 의거하여 디코더(4), (5)에 의해 지정된 셀에 대한 데이타의 랜덤 입출력 동작을 실행하는 버퍼(6)와, 클록 신호에 동기하여 버퍼(6)와 외부와의 데이타의 랜덤 입출력 동작을 하는 랜덤 포트와, 어레이(1)와의 데이타의 입출력 동작 때문에 일시적으로 이 데이타를 격납하는 레지스터와, 시리얼 전송 제어 신호에 의거하여, 디코더(4),(5)에 의해 지정된 어레이(1)내의 데이타를 레지스터에 전송하는 트랜스퍼 게이트와, 레지스터와의 데이타의 시리얼 입출력 동작을 실행하는 버퍼(7)와, 클록 신호에 동기해서 동작하여 버퍼(7)와 외부와의 데이타의 시리얼 입출력 동작을 하는 시리얼 포트와, 클록 신호의 사이클 수를 계수하는 카운터(8)와, 하나 이상의 지정 신호를 입력하고, 이 지정 신호 마다에 클록 신호에 카운트 개시 사이클인 특정 사이클을 지정하는 지정 제어 신호를 생성하고, 지정 제어 신호에 의거하여 카운터(8)에 클록신호의 사이클 수의 계수 개시를 지령하고, 저장된 클록 신호의 특정 사이클에서 카운터(8)에 의해 계수된 사이클 수에 의거하여 디코더(4), (5)의 지정 동작 및 버퍼(6),(7)의 입출력 동작을 동기적으로 제어하는 콘트롤러로 구성되는 것을 특징으로 하는 화상 전용 반도체 기억 장치.

Description

화상 전용 반도체 기억 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 화상 전용 반도체 기억 장치의 구성을 나타낸 도면.
제3도는 제1도에 나타낸 화상 전용 반도체 기억 장치의 독출 동작의 타이밍을 나타낸 도면.
제4도는 제1도에 나타낸 화상 전용 반도체 기억 장치의 기록 동작의 타이밍을 나타낸 도면.

Claims (3)

  1. 복수의 메모셀을 매트릭스 형상으로 배열하여 구성하는 메모리셀 어레이(1)와, 상기 메모리셀 어레이중에서 소정의 메모로셀을 선택하기 위한 어드레스 지정수단(4,5)과, 외부에서 공급되는 랜덤 입출력 제어 신호에 의거하여, 상기 어드레스 지정 수단에 의해 지정된 메모리셀에 대한 데이타의 랜덤 입출력 동작을 실행하는 제1의 데이타 입출력 수단(6)과, 외부에서 연속해서 공급되는 기본 클럭 신호에 동해서 동작하며, 상기 제1의 데이타 입출력 수단과 외부와의 데이타의 랜덤 입출력 동작을 하는 제1의 입출력 포트와, 상기 메모리셀 어레이와이 데이타의 입출력 동작을 위해 일시적으로 이 데이타를 격납하는 시리얼 데이타 레지스터와, 외부에서 공급되는 시리얼 전송 제어 신호에 의거하여 상기 어드레스 지정 수단에 의해 지정된 상기 메모리셀 어레이내의 데이타를 상기 시리얼 데이타 레지스터에 전송하는 전송 수단과, 상기 시리얼 데이타 레지스터와의 데이타의 시리얼 입출력 동작을 실행하는 제2의 데이타 입출력 수단(7)과, 상기 기본 클럭 신호에 동기해서 동작하며, 상기 제2의 데이타 입출력 수단과 외부와의 데이타의 시리얼 입출력 동작을 하는 제2의 입출력 포트와, 상기 기본 클럭 신호의 사이클 수를 계수하는 계수 수단(8)과 외부에서 공급되는 최소한 하나 이상의 지정 신호를 입력하고, 이 지정 신호마다에 상기 기본 클럭 신호의 카운트 개시 사이클인 특정한 사이클을 지정하는 지정 제어 신호를 생성하며, 이 지정 제어 신호에 의거하여 상기 계수 수단에 상기 기본 클럭 신호의 사이클수의 계수 개시를 지령하고, 지정된 상기 기본 클록 신호의 특정 사이클에서, 상기 계수 수단에 의해 계수된 사이클수에 의거하여 상기 어드레스 지정수단의 지정 동작 및 상기 제1및 제2의 데이타 입출력 수단의 입출력 동작을 동기적으로 제어함으로써, 상기 기본 클럭 신호의 사이클 수에 따라 상기 메모리셀의 데이타 입출력 동작을 제어하는 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 전용 반도체 기억 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 어레이는 복수의 뱅크에 분할되어 있으며, 이 각 뱅크는 복수의 메모리셀로 구성되고, 상기 뱅크는 각각에 대응한 상기 시리얼 데이타 레지스터 및 상기 제2의 데이타 입출력 수단을 가지며, 상기 제어 수단은 이 한쪽의 뱅크가 입출력 동작중에는 다른쪽의 뱅크를 프리차지시키도록 뱅크 전환 동작을 하게끔 제어하고, 다시 상기 뱅크간의 데이타의 입출력 동작의 스플릿 전송을 하도록 제어하는 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 화상 전용 반도체 기억 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기본 클록 신호는 2종류의 클록 신호로 구성되며, 상기 제어 수단은 이 한쪽의 클록 신호에 동기해서 상기 제1의 입출력 포트를 동작시키고, 다른쪽의 클록 신호에 동기해서 상기 제2의 입출력 포트를 동작시키도록 제어하는 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 화상 전용 반도체 기억 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930004869A 1992-03-30 1993-03-27 화상 전용 반도체 기억 장치 KR970004108B1 (ko)

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JP92-074642 1992-03-30
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KR930020303A true KR930020303A (ko) 1993-10-19
KR970004108B1 KR970004108B1 (ko) 1997-03-25

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