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KR910005297A - 다결정 실리콘의 방향성 식각에 의한 트렌치 커패시터의 제조방법 - Google Patents

다결정 실리콘의 방향성 식각에 의한 트렌치 커패시터의 제조방법 Download PDF

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KR910005297A
KR910005297A KR1019890012019A KR890012019A KR910005297A KR 910005297 A KR910005297 A KR 910005297A KR 1019890012019 A KR1019890012019 A KR 1019890012019A KR 890012019 A KR890012019 A KR 890012019A KR 910005297 A KR910005297 A KR 910005297A
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KR
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trench
trench capacitor
polycrystalline silicon
directional etching
trenches
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Inventor
이영종
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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Publication date
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Abstract

내용 없음

Description

다결정 실리콘의 방향성 식각에 의한 트렌치 커패시터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가) 내지 (라)는 제1도(가)의 B-B선 단면도로 나타낸 본 발명의 공정도이다.

Claims (4)

  1. 트렌치간 격리를 위하여 트렌치(2) 형성후 열적산화막(3)을 성장시키고 트렌치(2) 바닥 부분의 격리를 위해 트렌지스터 확산 영역의 도펀트와 상반형인 P형 도펀트(5a)를 이온 주입한 다음 실리콘 층(4)을 증착시켜 이를 방향성 RIE하여 트랜치 벽에 측벽 실리콘층(4a)을 형성하고 열적산화막(3)을 습식 식각하여 트렌치 측벽 둘레에 산화층(3a)을 남긴후 통상의 방법에 의해 얇은 유전체(6)와 커패시터 플레이트(7)를 형성함을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 방향성 식각에 의한 트렌치 커패시터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 트렌치(2) 형성후 열적산화막(3)은 통상의 확산로(diffusion furnace)에서 수백 Å 정도 성장시킴을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 방향성 식각에 의한 트렌치 커패시터의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 이온 주입후 양호한 범위를 얻기위해 도핑되지 않은 실리콘(비정질 혹은 다결정) 층(4)으로 약 1500-3000Å 정도 증착시킴을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 방향성 식각에 의한 트렌치 커패시터의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 스토리지 노드로서 실리콘층(5)을 약 1000-3000Å 정도 증착시켜 열려진 트랜지스터의 확산 영역의 측면과 접촉되게 함을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 방향성 식각에 의한 트렌치 커패시터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890012019A 1989-08-23 1989-08-23 디램의 스택 트렌치 커패시터 제조방법 KR930006973B1 (ko)

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