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KR880004479A - 다이나믹형 반도체기억장치 - Google Patents

다이나믹형 반도체기억장치 Download PDF

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KR880004479A
KR880004479A KR1019870009742A KR870009742A KR880004479A KR 880004479 A KR880004479 A KR 880004479A KR 1019870009742 A KR1019870009742 A KR 1019870009742A KR 870009742 A KR870009742 A KR 870009742A KR 880004479 A KR880004479 A KR 880004479A
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코지 사쿠이
시게요시 와타나베
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가부시키가이샤 도시바
아오이 죠이치
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Abstract

내용 없음

Description

다이나믹형 반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본발명의 1실시예에 따른 분할비트선형태의 다이나믹형 랜덤억세스메모리(dRAM)를 나타내는 회로도.
제2A도 내지 제2M도는 제1도에 도시된 dRAM의 주요회로 구성요소에서 발생되는 전기적 신호파형을 나타내는 파형도.
제3도는 제1도에 도시된 dRAM의 주비트선쌍에 대해 제공되는 주감지증폭기에 대한 다른 실시예로서의 회로구성도이다.

Claims (1)

  1. 소정의 주비트선쌍을 포함하여 반도체기판상에 평행하게 형성되는 주비트선쌍과, 그 소정의 주비트선쌍에 제공되는 부비트선쌍, 각각의 부비트선쌍과 소정의 주비트선쌍 사이에 접속되어 그 소정의 주비트선쌍과 부비트선쌍 사이의 전기적인 접속관계를 선택적으로 제어해주는 형태로 스위칭작용을 수행하도록 된 전송게이트수단, 상기 부비트선쌍과 절연적으로 교차되도록 상기 반도체기판상에 제공되는 평행한 워드선, 상기 부비트선쌍과 워드선의 교차점에 각각 제공되어 정보를 기억시켜 주기 위한 용량성소자와 스위칭트랜지스터를 갖는 메모리셀, 상기 부비트선쌍에 접속되어 데이터독출모드에서 선택된 메모리셀에 기억되어 있는 정보를 그 선택된 메모리셀이 접속된 특정의 부비트선쌍에 나타나는 전위차로서 감지하도록 된 제1감지증폭기수단 및, BICMOS 구조를 갖는 차동증폭회로로 구성되면서 상기 주비트선쌍에 접속되어 상기 특정의 부비트선쌍에 접속된 소정의 주비트선쌍에서의 전위차를 감지하여 증폭해 주는 제2감지증폭기수단으로 구성된 것을 특징으로하는 분할비트선 형태의 다이나믹형 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870009742A 1986-09-03 1987-09-03 다이나믹형 반도체 기억장치 KR920011045B1 (ko)

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