KR20240122738A - 기판 처리 모듈 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
기판 처리 장치(10)의 기판 처리 모듈(14)은 제1 방향으로 배열되고, 기판을 배치 가능한 제1 조 및 제2 조(32, 30)와, 기판(W)을 반송하는 2개의 제1 반송부(34, 36)를 갖는다. 일방의 제1 반송부(34)는 승강 가능하며 기판(W)을 유지한 상태로 제2 조(30) 내에 배치되는 제2 척(34a)을 구비하고, 타방의 제1 반송부(36)는 승강 가능하며 기판(W)을 유지한 상태로 제1 조(32) 내에 배치되는 제1 척(36a)을 구비한다. 제2 척(34a) 및 제1 척(36a)의 적어도 일방이, 제2 조(30)의 상방 위치와 제1 조(32)의 상방 위치 사이에서 이동 가능하다. 제2 척(34a) 및 제1 척(36a)이 양자 사이에서 기판(W)을 전달 가능하게 구성되어 있다.
Description
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 모듈 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1은 약액조 및 세정조가 장치의 길이 방향으로 복수 쌍 배치되어 있음과 함께, 주 반송 기구 및 부 반송 기구를 갖는 기판 처리 장치를 개시한다. 주 반송 기구는 복수의 기판을 장치의 일단측부터 타단측까지 길이 방향으로 이동시킨다. 부 반송 기구는 복수의 기판을 한 쌍의 약액조 및 세정조의 범위 내에서 길이 방향 및 상하 방향으로 이동시킨다.
본 발명은 복수의 조(槽)를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에서, 복수의 조 각각의 가동률을 올려서 기판 처리 장치의 스루풋을 향상시키는 것을 과제로 한다.
상술한 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 한 양태에 의하면,
제1 방향으로 배열되고, 기판을 배치 가능한 제1 조 및 제2 조와,
상기 기판을 반송하는 2개의 제1 반송부를 가지고,
일방의 상기 제1 반송부가 승강 가능하며 기판을 유지한 상태로 상기 제1 조 내에 배치되는 제1 척을 구비하고,
타방의 상기 제1 반송부가 승강 가능하며 기판을 유지한 상태로 상기 제2 조 내에 배치되는 제2 척을 구비하고,
상기 제1 척 및 상기 제2 척의 적어도 일방이 상기 제1 조의 상방 위치와 상기 제2 조의 상방 위치 사이에서 이동 가능하고,
상기 제1 척 및 상기 제2 척이 양자 사이에서 기판을 전달 가능하게 구성되어 있는 기판 처리 모듈이 제공된다.
본 발명의 다른 양태에 의하면,
상기 기판 처리 모듈과, 상기 기판 처리 모듈에 대해 상기 제1의 방향으로 교차하는 제2의 방향으로 연결되는 다른 모듈을 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명에 의하면, 복수의 조를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에서, 복수의 조 각각의 가동률을 올려서 기판 처리 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 관한 기판 처리 장치의 사시도.
도 2는 기판 처리 장치에서의 케미컬 모듈의 사시도.
도 3a는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척 각각이 제1 조 및 제2 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 사시도.
도 3b는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척 각각이 제1 조 및 제2 조의 내부에 위치하는 상태를 도시하는 사시도.
도 3c는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척의 양방이 제1 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 사시도.
도 4a는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척 각각이 제1 조 및 제2 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 측면도.
도 4b는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척 각각이 제1 조 및 제2 조의 내부에 위치하는 상태를 도시하는 측면도.
도 4c는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척의 양방이 제1 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 측면도.
도 5는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척의 양방이 제1 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 상면도.
도 6은 제1 척과 제2 척 사이의 기판의 전달을 도시하는 도면.
도 7은 실시의 형태 1에 관한 기판 처리 장치에서의 기판을 유지한 상태의 제2 반송부의 사시도.
도 8은 실시의 형태 1에 관한 기판 처리 장치의 제2 반송부에서의 척을 도시하는 사시도.
도 9는 척의 기판의 유지 및 릴리스를 도시하는 도면.
도 10은 제2 반송부의 척부터 타방의 제1 반송부의 제2 척으로의 기판의 전달을 도시하는 도면.
도 11은 일방의 제1 반송부의 제1 척부터 제2 반송부의 척으로의 기판의 전달을 도시하는 도면.
도 12a는 기판 처리 장치가 실행하는 한 예인 기판 처리에서의 한 동작을 도시하는 도면.
도 12b는 도 12a에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12c는 도 12b에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12d는 도 12c에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12e는 도 12d에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12f는 도 12e에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12g는 도 12f에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12h는 도 12g에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12i는 도 12h에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12j는 도 12i에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 13은 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치의 사시도.
도 14는 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치에서의 케미컬 모듈의 측면도.
도 15는 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치에서의 제2 반송부의 사시도.
도 16은 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치에서의 복수의 제1 반송부를 도시하는 사시도.
도 17은 실시의 형태 3에 관한 기판 처리 장치에서의 복수의 제2 반송부의 사시도.
도 18a는 일방의 제2 반송부로부터 타방의 제1 반송부의 제2 척에의 복수의 기판의 공급을 도시하는 측면도.
도 18b는 일방의 제2 반송부로부터 타방의 제1 반송부의 제2 척에의 복수의 기판의 공급을 도시하는 상면도.
도 19a는 일방의 제1 반송부의 제1 척부터 타방의 제2 반송부에의 복수의 기판의 회수를 도시하는 측면도.
도 19b는 일방의 제1 반송부의 제1 척부터 타방의 제2 반송부에의 복수의 기판의 회수를 도시하는 상면도.
도 20은 다른 실시의 형태에 관한 기판 처리 장치에서의 일방의 제1 반송부의 제1 척과 타방의 제1 반송부의 제2 척의 사시도.
도 21은 일방의 제1 반송부의 제1 척과 타방의 제1 반송부의 제2 척의 사이의 기판의 전달을 도시하는 도면.
도 2는 기판 처리 장치에서의 케미컬 모듈의 사시도.
도 3a는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척 각각이 제1 조 및 제2 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 사시도.
도 3b는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척 각각이 제1 조 및 제2 조의 내부에 위치하는 상태를 도시하는 사시도.
도 3c는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척의 양방이 제1 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 사시도.
도 4a는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척 각각이 제1 조 및 제2 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 측면도.
도 4b는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척 각각이 제1 조 및 제2 조의 내부에 위치하는 상태를 도시하는 측면도.
도 4c는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척의 양방이 제1 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 측면도.
도 5는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척의 양방이 제1 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 상면도.
도 6은 제1 척과 제2 척 사이의 기판의 전달을 도시하는 도면.
도 7은 실시의 형태 1에 관한 기판 처리 장치에서의 기판을 유지한 상태의 제2 반송부의 사시도.
도 8은 실시의 형태 1에 관한 기판 처리 장치의 제2 반송부에서의 척을 도시하는 사시도.
도 9는 척의 기판의 유지 및 릴리스를 도시하는 도면.
도 10은 제2 반송부의 척부터 타방의 제1 반송부의 제2 척으로의 기판의 전달을 도시하는 도면.
도 11은 일방의 제1 반송부의 제1 척부터 제2 반송부의 척으로의 기판의 전달을 도시하는 도면.
도 12a는 기판 처리 장치가 실행하는 한 예인 기판 처리에서의 한 동작을 도시하는 도면.
도 12b는 도 12a에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12c는 도 12b에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12d는 도 12c에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12e는 도 12d에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12f는 도 12e에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12g는 도 12f에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12h는 도 12g에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12i는 도 12h에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 12j는 도 12i에 도시하는 동작에 계속된 동작을 도시하는 도면.
도 13은 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치의 사시도.
도 14는 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치에서의 케미컬 모듈의 측면도.
도 15는 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치에서의 제2 반송부의 사시도.
도 16은 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치에서의 복수의 제1 반송부를 도시하는 사시도.
도 17은 실시의 형태 3에 관한 기판 처리 장치에서의 복수의 제2 반송부의 사시도.
도 18a는 일방의 제2 반송부로부터 타방의 제1 반송부의 제2 척에의 복수의 기판의 공급을 도시하는 측면도.
도 18b는 일방의 제2 반송부로부터 타방의 제1 반송부의 제2 척에의 복수의 기판의 공급을 도시하는 상면도.
도 19a는 일방의 제1 반송부의 제1 척부터 타방의 제2 반송부에의 복수의 기판의 회수를 도시하는 측면도.
도 19b는 일방의 제1 반송부의 제1 척부터 타방의 제2 반송부에의 복수의 기판의 회수를 도시하는 상면도.
도 20은 다른 실시의 형태에 관한 기판 처리 장치에서의 일방의 제1 반송부의 제1 척과 타방의 제1 반송부의 제2 척의 사시도.
도 21은 일방의 제1 반송부의 제1 척과 타방의 제1 반송부의 제2 척의 사이의 기판의 전달을 도시하는 도면.
본 발명의 한 양태에 관한 기판 처리 모듈은 제1 방향으로 배열되고, 기판을 배치 가능한 제1 조 및 제2 조와, 상기 기판을 반송하는 2개의 제1 반송부를 가지고, 일방의 상기 제1 반송부가 승강 가능하며 기판을 유지한 상태로 상기 제1 조 내에 배치되는 제1 척을 구비하고, 타방의 상기 제1 반송부가 승강 가능하며 기판을 유지한 상태로 상기 제2 조 내에 배치되는 제2 척을 구비하고, 상기 제1 척 및 상기 제2 척의 적어도 일방이 상기 제1 조의 상방 위치와 상기 제2 조의 상방 위치 사이에서 이동 가능하고, 상기 제1 척 및 상기 제2 척이 양자 사이에서 기판을 전달 가능하게 구성되어 있다.
이와 같은 양태에 의하면, 복수의 조를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에서, 복수의 조 각각의 가동률을 올려서 기판 처리 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 척이 상기 기판이 재치(載置)되는 즐치형상(櫛齒狀)의 척이고, 상기 제2 척이 상기 기판이 재치되는 즐치형상의 척이고, 상기 제1 척과 상기 제2 척이 서로에 대해 승강 방향으로 통과 가능해도 좋다.
예를 들면, 상기 제1 조가 세정조이고, 상기 제2 조가 상기 기판이 침지(浸漬)되는 약액을 저장하는 약액조라도 좋다.
예를 들면, 상기 제2 척이 상기 제1 조의 상방 위치와 상기 제2 조의 상방 위치 사이에서 이동 가능해도 좋다.
예를 들면, 상기 제1 조의 상방 위치에서, 상기 제2 척이 유지하는 상기 기판을 상기 제1 척이 수취(受取)해도 좋다.
예를 들면, 기판 처리 모듈이 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 기판을 반송하는 제2 반송부를 또 가져도 좋다.
예를 들면, 상기 제2 반송부가 상기 제2 척에 대해 상기 기판을 공급함과 함께, 상기 제1 척이 유지하는 상기 기판을 회수해도 좋다.
상기 제1 조의 상방 위치에서, 상기 제2 반송부가 상기 제2 척에 대해 상기 기판을 공급함과 함께, 상기 제1 척이 유지하는 상기 기판을 회수해도 좋다.
본 발명의 다른 양태에 관한 기판 처리 장치는 상기 기판 처리 모듈과, 상기 기판 처리 모듈에 대해 상기 제1 방향으로 교차하는 제2의 방향으로 연결되는 다른 모듈을 구비한다.
이와 같은 양태에 의하면, 복수의 조를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에서, 복수의 조 각각의 가동률을 올려서 기판 처리 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 관해, 도면을 참조하면서 설명한다.
(실시의 형태 1)
도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 관한 기판 처리 장치의 사시도이다. 또한, 도면에 도시하는 X-Y-Z 직교 좌표계는 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것으로, 발명을 한정하는 것이 아니다. X축 방향이 기판 처리 장치의 전후 방향(제1 방향)이고, Y축 방향이 좌우 방향(제2 방향)이고, Z축 방향이 높이 방향(제3 방향)이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시의 형태 1에 관한 기판 처리 장치(10)는 기판(W)을 처리하는 장치로서, 각각 다른 기능을 구비하는 복수의 모듈을 Y축 방향(제2 방향)으로 연결함에 의해 구성되어 있다. 기판(W)은 원형(圓形) 형상의 박판으로서, 예를 들면, 반도체 기판, 액정 표시 장치용 글라스 기판, 포토 마스크용 글라스 기판, 광디스크용 기판, MEMS 센서 기판, 태양전지용 패널 등이다.
본 실시의 형태 1인 경우, 기판 처리 장치(10)는 반입 모듈(12)과, 케미컬 모듈(기판 처리 모듈)(14), 건조 모듈(16)과, 반출 모듈(18)을 구비한다. 이들의 모듈(12, 14, 16 및 18)은 Y축 방향(제2 방향)으로 연결되어 있다. 반입 모듈(12)에 외부로부터 기판(W)이 반입되고, 케미컬 모듈(14)에서, 반입 모듈(12)에 반입된 기판(W)이 약액 처리된다. 건조 모듈(16)에서는, 케미컬 모듈(14)에서의 처리가 완료된 기판(W)이 건조 처리된다. 반출 모듈(18)로부터, 건조 모듈(16)에서 건조된 후의 기판(W)이 외부에 반출된다. 또한, 기판(W)의 종류나 처리 내용에 응하여 모듈의 구성을 변경해도 좋다. 예를 들면, 기판(W)에 대해 다른 처리를 행하는 복수의 케미컬 모듈(14)을 기판 처리 장치(10)는 포함해도 좋다.
또한, 기판 처리 장치(10)는 복수의 모듈 사이에서 기판(W)을 Y축 방향(제2 방향)으로 반송하는 제2 반송부(20)를 갖는다. 제2 반송부(20)는 액추에이터(25)와, 액추에이터(25)에 의해 Y축 방향으로 이동되는 척(26)을 구비한다. 액추에이터(25)는 예를 들면 복수의 모듈(12∼18) 각각에 마련되어 연결하는 레일(22) 및 레일(22)에 따라 이동하는 이동 헤드(24)(이동체)로 구성되어 있다. 척(26)은 이동 헤드(24)에 지지되어 기판(W)을 유지한다. 이동 헤드(24)가 레일(22)에 따라 복수의 모듈(12∼18)이 나열하는 Y축 방향으로 이동함에 의해, 척(26)이 복수의 모듈(12∼18) 각각을 통과하도록 이동한다. 또한, 제2 반송부(20)의 상세에 관해서는 후술한다. 이에 의해, 복수의 기판(W)을 제2 방향으로 반송한다.
도 2는 기판 처리 장치에서의 케미컬 모듈의 개략적 사시도이다.
도 2에 도시하는 케미컬 모듈(14)에서는, 기판(W)에 대한 처리로서, 예를 들면 APM(ammonium hydroxide-hydrogen peroxide mixture) 세정, SPM(sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture) 세정, HPM(hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture) 세정, DHF(diluted hydrofluoric acid) 세정 등의 각종의 약액 세정이나 에칭이나 레지스트 박리 등의 각종의 약액 처리가 행해진다. 이들의 약액 처리는 기판(W)에 대한 약액 처리의 종류에 의해 임의로 조합시킬 수 있다.
기판 처리 장치(10)의 케미컬 모듈(14)은 기판(W)을 처리하는 처리조로서, X축 방향(제1 방향)으로 배열되고, 기판(W)을 배치 가능한 제1 조(32) 및 제2 조(30)를 갖는다. 기판 처리 장치(10)의 후측에 제2 조(30)가 위치하고, 기판 처리 장치(10)의 전측에 제1 조(32)가 위치한다. 또한, 본 실시의 형태 1인 경우, 제2 조(30)는 기판(W)이 침지되는 약액을 저장하는 약액조(藥液槽)이고, 제1 조(32)는 약액으로 처리된 기판(W)이 침지되는 순수 등의 세정액을 저장하는 세정조(洗淨槽)이다.
또한, 기판 처리 장치(10)의 케미컬 모듈(14)은 기판(W)을 Z축 방향(제3 방향) 승강시키는 복수의 제1 반송부(34, 36)를 갖는다.
도 3a는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척 각각이 제1 조 및 제2 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 사시도이다. 또한, 도 3b는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척 각각이 제1 조 및 제2 조의 내부에 위치하는 상태를 도시하는 사시도이다. 그리고, 도 3c는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척의 양방이 제1 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 사시도이다.
또한, 도 4a는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척 각각이 제1 조 및 제2 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 측면도이다. 또한, 도 4b는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척 각각이 제1 조 및 제2 조의 내부에 위치하는 상태를 도시하는 측면도이다. 그리고, 도 4c는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척의 양방이 제1 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 측면도이다. 또한, 도 3a와 도 4a가 대응하고, 도 3b와 도 4b가 대응하고, 도 3c와 도 4c가 대응한다.
도 3a∼도 3c 및 도 4a∼도 4c에 도시하는 바와 같이, 타방의 제1 반송부(34)는, 본 실시의 형태 1인 경우, 복수의 기판(W)을 유지하는 제2 척(34a)과, 제2 척(34a)을 지지하는 암(34b)과, 암(34b)을 Z축 방향(제3 방향)으로 승강시키는 액추에이터(34c)와, 액추에이터(34c)를 X축 방향(제1 방향)으로 이동시키는 액추에이터(34d)를 포함하고 있다.
액추에이터(34c)에 의해, 제2 척(34a)은 승강 가능하다. 그에 의해, 제2 척(34a)은 도 3b 및 도 4b에 도시하는 바와 같이, 제2 조(30) 내에 배치 가능하다. 또한, 액추에이터(34d)에 의해, 제2 척(34a)은 도 3a, 도 3c, 도 4a 및 도 4c에 도시하는 바와 같이, 제2 조(30)의 상방 위치와 제1 조(32)의 상방 위치 사이에서 이동 가능하다.
일방의 제1 반송부(36)는 본 실시의 형태 1인 경우, 복수의 기판(W)을 유지하는 제1 척(36a)과, 제1 척(36a)을 지지하는 암(36b)과, 암(36b)을 Z축 방향(제3 방향)으로 승강시키는 액추에이터(36c)를 포함하고 있다.
액추에이터(36c)에 의해, 제1 척(36a)은 승강 가능하다. 그에 의해, 제1 척(36a)은 도 3b 및 도 4b에 도시하는 바와 같이, 제1 조(32) 내에 배치 가능하다. 또한, 본 실시의 형태 1인 경우, 제1 척(36a)은 제2 척(34a)과 달리, X축 방향(제1 방향)으로 이동하지 않는다.
또한, 도 3a에 도시하는 바와 같이, 제1 반송부(34)의 액추에이터(34c) 및 액추에이터(34d)는 제2 조(30)에 대해 Y축 방향(제2 방향)의 일방측(본 실시의 형태 1인 경우 우측)에 배치되어 있다. 제1 반송부(36)의 액추에이터(36c)는 제1 조(32)에 대해 X축 방향(제1 방향)의 일방측, 즉 제1 조(32)의 전방(前方)(제1 조(32)를 끼우고 제2 조(30)의 반대측)에 마련되어 있다.
도 3a에 도시하는 바와 같이, 본 실시의 형태 1인 경우, 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)과 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)은 서로 기판(W)의 전달이 가능하게, 서로 대응하는 형상을 구비한다.
예를 들면, 본 실시의 형태 1인 경우, 제2 척(34a)과 제1 척(36a)은 상방(Z축 방향)에서 볼 때 즐치형상의 척이다.
구체적으로는, 제2 척(34a)은 암(34b)에 접속된 본체부(34e)와, 본체부(34e)로부터 X축 방향(제1 방향)으로 전방을 향해 연재되고, 복수의 기판(W)이 재치되는 복수의 지지 로드(34f)를 구비한다. 마찬가지로, 제1 척(36a)은 암(36b)에 접속된 본체부(36d)와, 본체부(36d)로부터 X축 방향으로 후방을 향해 연재되고, 복수의 기판(W)이 재치되는 복수의 지지 로드(36e)를 구비한다. 지지 로드(34f, 36e) 각각에는, 복수의 기판(W) 각각의 외주단과 계합하여 복수의 기판(W)을 소정의 간격을 벌린 상태로 유지하는 복수의 홈(도시 생략)이 형성되어 있다. 이에 의해, 복수의 기판(W)은 X축 방향으로 간격을 벌려 겹쳐진 상태로 제1 및 제2 척(36a, 34a)에 유지된다. 또한, 본 실시의 형태 1인 경우, 제2 척(34a)과 제1 척(36a)은 각각, 4개의 지지 로드(34f, 36e)를 구비한다. 기판(W)이 재치되는 지지 로드의 개수는 3개 이상 있으면 좋고, 제2 척(34a)과 제1 척(36a)의 사이에서 달라도 좋다.
또한, 본 실시의 형태 1인 경우, 제2 척(34a)과 제1 척(36a)은 각각의 복수의 지지 로드(34f, 36e)가 서로에 대해 Z축 방향(제3 방향)으로 통과 가능하게 구성되어 있다.
도 5는 일방의 제1 반송부의 제1 척 및 타방의 제1 반송부의 제2 척의 양방이 제1 조의 상방에 위치하는 상태를 도시하는 상면도이다. 또한, 도 6은 제1 척과 제2 척 사이의 기판의 전달을 도시하는 도면이다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 본 실시의 형태 1인 경우, 제2 척(34a)과 제1 척(36a) 사이의 복수의 기판(W)의 전달은 제1 조(32)의 상방에서 행해진다. 기판(W)을 전달할 때, 제2 척(34a)의 복수의 지지 로드(34f)와 제1 척(36a)의 복수의 지지 로드(36e)는 제2 척(34a)의 본체부(34e)와 제1 척(36a)의 본체부(36d)의 사이에 위치한다. 이에 의해, 도 6에 도시하는 바와 같이, 제2 척(34a)의 복수의 지지 로드(34f)와 제1 척(36a)의 복수의 지지 로드(36e)는 동시에 복수의 기판(W)에 접촉할 수 있다.
또한, 도 5 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 기판(W)을 전달할 때, 제2 척(34a)의 지지 로드(34f)와 제1 척(36a)의 복수의 지지 로드(36e)는 제1 및 제2 척(36a, 34a)의 Z축 방향(제3 방향)으로 오버랩하지 않는다. 따라서 서로의 지지 로드가 접촉하는 일 없이, 제1 및 제2 척(36a, 34a)은 서로에 대해 Z축 방향으로 통과할 수 있다. 예를 들면, 도 6에 도시하는 상태로부터 제2 척(34a)이 강하하면, 복수의 기판(W)이 제1 척(36a)의 복수의 지지 로드(36e)상에 남아, 복수의 기판(W)이 제1 척(36a)에 전달된다.
본 실시의 형태 1인 경우, 복수의 기판(W)은 제2 반송부(20)에 의해 반입 모듈(12)로부터 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)에 공급되고, 다음에, 그 제2 척(34a)부터 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)에 전달된다. 그리고, 제1 척(36a)상의 복수의 기판(W)은 제2 반송부(20)에 의해 회수되어 건조 모듈(16)에 반송된다. 본 실시의 형태 1인 경우, 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)으로의 기판(W)의 공급과, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)부터의 기판(W)의 회수는 공통의 제2 반송부(20)에 의해 실행된다.
도 7은 실시의 형태 1에 관한 기판 처리 장치에서의 기판을 유지한 상태의 제2 반송부의 사시도이다. 또한, 도 8은 제2 반송부에서의 척을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 9는 척의 기판의 유지 및 릴리스를 도시하는 도면이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시의 형태 1인 경우, 제2 반송부(20)의 액추에이터(25)의 이동 헤드(24)는 기판 처리 장치(10)(즉 각 모듈(12∼18))의 전부(前部)이면서 상부에 배치되어 Y축 방향(제2 방향)으로 연재되는 레일(22)상을 이동한다. 도 4a∼4c에 도시하는 바와 같이, 케미컬 모듈(14)에서, 액추에이터(25)는 X축 방향(제1 방향)에서의 제1 조(32)측에 배치되어 있다. 또한, 본 실시의 형태 1인 경우, 액추에이터(25)는 제1 조(32)의 상방에 위치한다. 따라서 액추에이터(25)의 이동 헤드(24)는 제1 조(32)의 상방을 Y축 방향으로 이동한다.
본 실시의 형태 1인 경우, 도 4a∼도 4c에 도시하는 바와 같이, 케미컬 모듈(14)에서, 제2 반송부(20)의 액추에이터(25)는 제1 조(32) 및 제2 조(30)가 배치된 처리 스페이스(S1)로부터 격리된 구동 스페이스(S2) 내에 배치되어 있다. 그 구동 스페이스(S2)는 처리 스페이스(S1)의 상방에 마련되어 있다. 액추에이터(25)는 처리 스페이스(S1)와 구동 스페이스(S2)를 구획하는 케미컬 모듈(14)의 내측 천판부(14a)상에 부설되어 있다. 즉, 제1 조(32)와 액추에이터(25)의 레일(22)상을 이동하는 이동 헤드(24) 사이에는, 내측 천판부(14a)가 존재한다. 이 내측 천판부(14a)에 의해, 레일(22)상을 이동 헤드(24)가 이동함에 의해 생기는 이물이 제1 조(32) 내로 낙하하는 것이 억제되어 있다.
또한, 본 실시의 형태 1인 경우, 케미컬 모듈(14)은 내측 천판부(14a)와 함께, 그 상방에 배치된 외측 천판부(14b)를 갖는다. 액추에이터(25)는 내측 천판부(14a)와 외측 천판부(14b)의 사이에 형성된 구동 스페이스(S2) 내에 배치되어 있다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 본 실시의 형태 1인 경우, 제2 반송부(20)에서의 척(26)은 기판 처리 장치(10)의 X축 방향(제1 방향)으로 연재되는 회전 중심선(C1)을 중심으로 하여 회전하는 한 쌍의 척 폴(26a)을 구비한다. 척 폴(26a) 각각은 기판 처리 장치(10)의 Y축 방향(제2 방향)에 대향하도록 배치되어 있다.
도 9에 도시하는 바와 같이, 척(26)의 척 폴(26a)은 회전 중심선(C1)의 연재 방향시(즉 X축 방향(제1 방향)시)에서, 비원형상(非圓形狀)이고, 본 실시의 형태 1인 경우, 타원(小判) 형상이다. 본 실시의 형태 1인 경우, 회전 중심선(C1)은 제1 방향시로 척 폴(26a)의 형상 중심을 통과한다. 또한, 회전 중심선(C1)은 척 폴(26a)이 복수의 기판(W)을 유지할 수 있는 것이면, 형상 중심으로부터 벗어나 있어도 좋다. 또한, 척(26)의 기능을 손상시키지 않으면 척 폴(26a)의 형상은 특히 한정되지 않고, 예를 들면, 타원 형상, 사각형 형상, 삼각형 형상 등이라도 좋다. 척 폴(26a) 각각은 복수의 기판(W)의 외주단을 지지하는 제1의 지지면(26b)과 제2의 지지면(26c)을 구비한다.
도 9에 도시하는 바와 같이, 척(26)은 한 쌍의 척 폴(26a) 각각이 회전함에 의해, 기판(W)을 유지하거나 또는 릴리스한다. 구체적으로는, 한 쌍의 척 폴(26a) 사이의 최단 거리(D1)가 기판(W)의 기판 처리 장치(10)의 Y축 방향(제2 방향)의 사이즈(w1)에 비해 작아지는 지지 자세(실선으로 나타내는 자세)를 한 쌍의 척 폴(26a) 각각이 취함에 의해, 척(26)은 기판(W)을 유지할 수 있다. 또한, 최단 거리(D1)가 기판(W)의 Y축 방향의 사이즈(w1)에 비해 커지는 릴리스 자세(파선으로 나타내는 자세)를 한 쌍의 척 폴(26a) 각각이 취함에 의해, 척(26)은 기판(W)을 릴리스할 수 있다. 즉, 한 쌍의 척 폴(26a)이 릴리스 자세를 취할 때, 기판(W)은 한 쌍의 척 폴(26a) 사이를 기판 처리 장치(10)의 Z축 방향(제3 방향)으로 통과할 수 있다. 또한, 한 쌍의 척 폴(26a) 각각의 제1 및 제2의 지지면(26b, 26c)에는, 복수의 기판(W) 각각의 외주단과 계합하여 복수의 기판(W)을 소정의 간격을 벌린 상태로 유지하는 복수의 홈(도시 생략)이 형성되어 있다.
도 4a∼도 4c에 도시하는 바와 같이, 척(26)은 제1 조(32)의 상방에 배치된다. 액추에이터(25)의 이동 헤드(24)의 Y축 방향(제2 방향)으로의 이동에 의해, 척(26)은 제1 조(32)의 상방을 Y축 방향으로 통과한다. 그 때문에, 제2 반송부(20)는, 이동 헤드(24)와 척(26)을 접속하는 암(28)을 구비한다.
본 실시의 형태 1인 경우, 도 4a∼도 4c에 도시하는 바와 같이, 이동 헤드(24)는 척(26)의 상방에 배치되어 있다. 그 때문에, 이들을 접속하는 암(28)은 기판 처리 장치(10)의 높이 방향(Z축 방향)으로 연재되고, 그 하단에서 척(26)을 지지한다. 이와 같이 높이 방향으로 연재되는 암(28)은 X축 방향(제1 방향)으로 연재되는 암에 비해 휘어지기 어렵다.
구체적으로 설명하면, 가령 척(26)의 상방에 이동 헤드(24)가 존재하지 않은 경우, 암(28)은 X축 방향(제1 방향)으로 연재되는 부분을 적어도 구비하게 된다. 이와 같이 제1 방향으로 연재되는 암(28)의 부분은 자중(自重)과 척(26)의 무게에 의해 크게 휘기 쉽다. 특히, 이동 헤드(24)가 정지한 때, 척(26)의 이너셔(관성)에 의해 암(28)이 크게 휘기 쉽다.
또한, 도 4a∼도 4c에 도시하는 바와 같이, 암(28)은 제1 조(32)의 상방부터 벗어난 위치에서 연재되어 있다. 구체적으로는, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 처리 스페이스(S1) 내면서 또한 제1 조(32)의 상방의 스페이스(S3) 내에서, 암(28)은 연재되어 있지 않다. 그 결과, 암(28)은 제1 조(32)의 상방을 통과하지 않는다. 이에 의해, 암(28)에 부착한 이물이 제1 조(32)에 낙하하는 것이 억제되어 있다.
또한, 본 실시의 형태 1인 경우, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 케미컬 모듈(14)은 Y축 방향(제2 방향)에서 볼 때, 제1 조(32)의 상방의 스페이스(S3)와 암(28)을 구획하는 늘어짐판(14c)을 갖는다. 늘어짐판(14c)은 내측 천판부(14a)로부터 Z축 방향(제3 방향)으로 연재된다. 이 늘어짐판(14c)에 의해, 암(28)에 부착한 이물이 제1 조(32)를 향해 이동하는 것이 억제되어 있다.
또한, 본 실시의 형태 1인 경우, 케미컬 모듈(14)은 늘어짐판(14c)과 함께, 그 외측에 배치된 외측 벽부(14d)를 갖는다. 암(28)은 늘어짐판(14c)과 외측 벽부(14d) 사이를 이동한다.
상술한 바와 같이, 제2 반송부(20)의 척(26)은 제1 조(32)의 상방을 Y축 방향(제2 방향)으로 통과한다. 따라서 척(26)부터 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)으로의 기판(W)의 전달(즉 기판(W)의 공급)은 제1 조(32)의 상방에서 행해진다.
도 10은 제2 반송부의 척부터 타방의 제1 반송부의 제2 척으로의 기판의 전달을 도시하는 도면이다.
우선, 반입 모듈(12)에서 복수의 기판(W)을 수취한 제2 반송부(20)의 척(26)이 케미컬 모듈(14)의 제1 조(32)의 상방에 도착한다. 그 도착 전 또는 후에, 척(26)의 하방에 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)의 복수의 지지 로드(34f)가 배치된다. 다음에, 제2 척(34a)이 상승하고, 그 복수의 지지 로드(34f)가 척(26)에 유지되어 있는 복수의 기판(W)의 외주단에 접촉한다. 복수의 지지 로드(34f)가 복수의 기판(W)에 접촉하면, 척(26)의 한 쌍의 척 폴(26a)이 회전하여, 복수의 기판(W)을 릴리스한다. 이에 의해, 척(26)부터 제2 척(34a)으로의 기판(W)의 전달이 완료된다. 기판(W)을 수취한 제2 척(34a)은 X축 방향(제1 방향)으로 제2 조(30)의 상방을 향해 이동하고, 그 후 제2 조(30) 내로 이동한다. 이 제2 척(34a)의 제2 조(30)로의 이동이 완료되면, 척(26)은 Y축 방향(제2 방향)으로 이동 가능해진다.
제1 반송부(36)의 제1 척(36a)부터 척(26)으로의 기판(W)의 전달(즉 기판(W)의 회수)도 제1 조(32)의 상방에서 행해진다.
도 11은 일방의 제1 반송부의 제1 척부터 제2 반송부의 척으로의 기판의 전달을 도시하는 도면이다.
우선, 제2 반송부(20)의 척(26)이 케미컬 모듈(14)의 제1 조(32)의 상방에 도착한다. 그리고, 척(26)의 한 쌍의 척 폴(26a)은 그 사이를 기판(W)이 Z축 방향(제3 방향)으로 통과 가능한 릴리스 자세를 취한다. 그 후, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)이, 복수의 기판(W)을 유지한 상태로 제1 조(32) 내로부터 상방으로 이동한다. 복수의 기판(W)의 일부분이 한 쌍의 척 폴(26a)의 사이를 통과하면, 한 쌍의 척 폴(26a)이 회전하여 릴리스 자세로부터 유지 자세를 취한다. 이에 의해, 한 쌍의 척 폴(26a)로의 기판(W)의 전달이 완료된다. 전달이 완료되면, 제1 척(36a)이 강하하여, 제1 조(32) 내로 이동한다. 이 이동이 완료되면, 척(26)은 Y축 방향(제2 방향)으로 이동 가능해진다.
보충하면, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)부터 척(26)으로 기판(W)을 전달할 때, 도 4a에 도시하는 바와 같이, 제1 반송부(36)의 암(36b)과 척(26)의 척 폴(26a)은 Y축 방향(제2 방향)시에서 오버랩한다. 즉, 암(36b)은 상방(Z축 방향)에서 볼 때, 한 쌍의 척 폴(26a)의 사이에 위치한다. 이 상태에서는, 척(26)은 Y축 방향으로 이동할 수가 없기 때문에, 복수의 기판(W)을 척(26)에 전달한 제1 척(36a)이 제1 조(32) 내로 퇴피(退避)한다. 그에 의해, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 척(26)은 암(36b)에 방해되는 일 없이, Y축 방향으로 이동 가능해진다.
또한, 본 실시의 형태 1인 경우, 상술한 바와 같이, 제2 반송부(20)의 척(26)은 반입 모듈(12)로부터 케미컬 모듈(14)의 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)에 기판(W)을 반송함과 함께, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)부터 건조 모듈(16)에 기판(W)을 반송한다. 즉, 척(26)은 건조된 상태의 처리 전의 기판(W)을 반송함과 함께, 제1 조(32) 내의 세정액으로 젖어진 처리 후의 기판(W)을 반송한다. 그 때문에, 척(26)의 한 쌍의 척 폴(26a)은 도 9에 도시하는 바와 같이, 건조된 기판(W)을 지지하는 제1의 지지면(26b)과, 젖어진 기판(W)을 지지하는 제2의 지지면(26c)을 구비한다. 이에 의해, 건조된 기판(W)을 젖어진 지지면으로 지지하는 것이 억제된다. 또한, 제2의 지지면(26c)상의 세정액이 제1의 지지면(26b)상으로 옮겨지지 않도록, 제1의 지지면(26b)과 제2의 지지면(26c) 사이에는, 척 폴(26a)의 회전 중심선(C1)이 연재되는 X축 방향(제1 방향)으로 연재되는 홈(26d)이 형성되어 있다. 또한, 홈(26d) 내에 고여진 세정액을 흡인 회수하는 노즐(도시 생략)을 척 폴(26a)에 마련해도 좋다.
지금까지는, 기판 처리 장치(10)의 구성에 관해 설명해 왔다. 여기서는, 기판 처리 장치(10)의 케미컬 모듈(14)에 관련되는 동작, 즉, 제1 반송부(34, 36)와 제2 반송부(20)의 동작에 관해 설명한다.
도 12a∼도 12j는, 기판 처리 장치가 실행하는 한 예인 기판 처리에서의 복수의 동작을 도시하고 있다. 또한, 도 12a∼도 12j 각각에서는, 케미컬 모듈의 측면도(좌도)와 정면도(우도)가 도시되어 있다.
도 12a에 도시하는 바와 같이, 우선, 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)이 제1 조(32)의 상방으로서 기준 높이(H0)의 위치(초기 위치)에서 대기하고 있다. 또한, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)이 제1 조(32) 내에서 대기하고 있다. 이 상태에서, 제2 반송부(20)의 척(26)이 지금부터 처리하는 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))을 기준 높이(H0)보다 높은 레벨의 제1 조(32)의 상방 위치에 반송한다.
다음에, 도 12b에 도시하는 바와 같이, 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)이 상승하고, 그에 의해, 제2 반송부(20)의 척(26)이 제1의 지지면(26b)을 통하여 유지하는 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))이 제2 척(34a)의 복수의 지지 로드(34f)상에 재치된다. 또한, 이때, 복수의 지지 로드(34f)는 척(26)의 척 폴(26a)의 사이에 위치하는 기판(W)(선행 기판(W1))의 외주단에 접촉한다. 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))이 제2 척(34a)의 복수의 지지 로드(34f)상에 재치되면, 제2 반송부(20)의 척(26)이 그 복수의 기판(W)을 릴리스한다.
계속해서, 도 12c에 도시하는 바와 같이, 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))이 재치된 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)이 제2 조(30)의 상방을 향해 X축 방향(제1 방향)으로 이동하고, 그 이동 후 제2 조(30) 내로 강하한다. 이에 의해, 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))이 제2 조(30) 내의 약액에 침지되고, 그 약액에 의해 처리된다. 제2 척(34a)의 제2 조(30) 내로의 강하가 완료되면, 제2 반송부(20)가 다음에 처리하는 기판(후속 기판)을 수취하기 위해 반입 모듈(12)로 이동한다.
계속해서, 도 12d에 도시하는 바와 같이, 기판(W)(선행 기판(W1))에 대한 약액에서의 처리가 완료되면, 제2 척(34a)은 제2 조(30)의 상방을 향해 상승하고, 그 상승 후 제1 조(32)의 상방을 향해 X축 방향(제1 방향)으로 이동한다. 이에 의해, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)의 상방에, 약액 처리된 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))을 유지한 상태의 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)이 배치된다.
계속해서, 도 12e에 도시하는 바와 같이, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)이 상승하고, 그에 의해, 제2 척(34a)의 복수의 지지 로드(34f)상에 재치된 상태의 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))이 제1 척(36a)의 복수의 지지 로드(36e)상에 재치된다. 그리고, 제2 척(34a)이 기준 높이(H0)의 초기 위치로 강하하면, 제2 척(34a)부터 제1 척(36a)으로의 기판(W)(선행 기판(W1))의 전달이 완료된다.
계속해서, 도 12f에 도시하는 바와 같이, 제2 척(34a)부터 제1 척(36a)으로의 기판(W)(선행 기판(W1))의 전달이 완료되면, 제2 척(34a)은, 제2 조(30)의 상방으로 이동한다. 이에 의해, 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))을 유지한 상태의 제1 척(36a)은 제1 조(32) 내를 향해 강하할 수 있다. 제1 척(36a)이 제1 조(32) 내로 강하함에 의해, 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))이 제1 조(32) 내의 세정액에 침지되어 세정된다.
계속해서, 도 12g에 도시하는 바와 같이, 제2 척(34a)은 제1 조(32)의 상방으로 이동한다. 그 제2 척(34a)의 상방에, 반입 모듈(12)에서 새롭게 수취한 복수의 기판(W)(선행 기판(W1)에 계속된 후속의 기판(W2))을 제1의 지지면(26b)을 통하여 유지한 상태의 제2 반송부(20)의 척(26)이 배치된다.
계속해서, 도 12h에 도시하는 바와 같이, 제2 척(34a)이 상승하고, 제2 반송부(20)의 척(26)이 제1의 지지면(26b)을 통하여 유지한 복수의 기판(W)(후속 기판(W2))이 제2 척(34a)의 복수의 지지 로드(34f)상에 재치된다. 복수의 기판(W)(후속 기판(W2))이 제2 척(34a)의 복수의 지지 로드(34f)상에 재치되면, 제2 반송부(20)의 척(26)이 그 복수의 기판(W)을 릴리스한다.
계속해서, 도 12i에 도시하는 바와 같이, 복수의 기판(W)(후속 기판(W2))을 유지한 상태의 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)이 제2 조(30)의 상방을 향해 X축 방향(제1 방향)으로 이동하고, 그 이동 후 제2 조(30) 내로 강하한다. 이에 의해, 복수의 기판(W)(후속 기판(W2))이 제2 조(30) 내의 약액에 침지되고, 그 약액에 의해 처리된다. 그 결과, 기판 처리 장치(10)의 케미컬 모듈(14)은 제1 조(32)에서 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))이 세정되고, 제2 조(30)에서 복수의 기판(W)(후속 기판(W2))이 약액 처리된 상태가 된다.
제1 조(32)에서의 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))의 세정이 완료되면, 도 12j에 도시하는 바와 같이, 제1 척(36a)이 상승한다. 상승한 제1 척(36a)의 복수의 지지 로드(36e)상에 재치된 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))을 제2 반송부(20)의 척(26)이 제2의 지지면(26c)을 통하여 유지한다. 제2의 지지면(26c)을 통하여 세정액으로 젖어진 복수의 기판(W)(선행 기판(W1))을 유지함에 의해, 제1의 지지면(26b)이 젖지 않고 끝난다. 그 후, 제1 척(36a)이 제1 조(32) 내로 퇴피하고, 제2 반송부(20)가 기판(W)(선행 기판(W1))을 건조 모듈(16)에 반송한다. 제2 반송부(20)의 척(26)이 케미컬 모듈(14)로부터 퇴출되면, 케미컬 모듈(14)은, 도 12c에 도시하는 상태로 돌아온다. 이후, 도 12c∼도 12j에 도시하는 동작을 반복하여 실행함에 의해, 복수의 기판(W)이 기판 처리 장치(10)에 의해 연속적으로 처리된다.
이상과 같은 본 실시의 형태 1에 의하면, 제1 및 제2의 조(32, 30)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 기판 처리 장치(10)에서, 제1 및 제2의 조(32, 30) 각각의 가동률을 올려서 기판 처리 장치(10)의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
구체적으로는, 2개의 제1 반송부(34, 36)에 의해, 제1 및 제2 조(32, 30)가 비는 일 없이 그 내부에 기판(W)이 존재하는 상태로 유지되어, 제1 및 제2 조(32, 30)의 가동률이 향상한다. 예를 들면, 제1 반송부(34)만을 이용하는 경우에 비해, 제1 및 제2 조(32, 30)의 가동률이 향상한다. 그 결과, 기판 처리 장치(10)의 스루풋이 향상한다.
(실시의 형태 2)
본 실시의 형태 2는 제1 반송부 및 제2 반송부가 다른 점에서, 상술한 실시의 형태 1과 다르다. 따라서 실시의 형태 1과 다른 점을 중심으로, 본 실시의 형태 2에 관해 설명한다. 또한, 상술한 실시의 형태 1의 구성 요소와 실질적으로 동일한 구성 요소에는, 동일한 부호를 붙이고 있다.
도 13은 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치의 사시도이다. 또한, 도 14는 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치에서의 케미컬 모듈의 측면도이다. 또한, 도 15는 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치에서의 제2 반송부의 사시도이다. 그리고, 도 16은 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치에서의 복수의 제1 반송부를 도시하는 사시도이다.
도 13 및 도 14에 도시하는 바와 같이, 본 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치(110)에서, 제2 반송부(120)의 액추에이터(25)는 기판 처리 장치(110)의 X축 방향(제1 방향)에서 제2 조(30)측에 배치되어 있다. 또한, 제2 반송부(120)의 액추에이터(25)는 기판 처리 장치(110)에서의 상부에 배치되어 있다.
또한, 도 16에 도시하는 바와 같이, 본 실시의 형태 2에 관한 기판 처리 장치(110)의 케미컬 모듈(114)에서, 일방의 제1 반송부(136)는 상술한 실시의 형태 1에 관한 제1 반송부(36)와는 다르다. 구체적으로는, 본 실시의 형태 2에 관한 제1 반송부(136)의 제1 척(136a)은 상술한 실시의 형태 1의 제1 척(36a)과 실질적으로 동일하다. 그 한편으로, 제1 반송부(136)의 제1 척(136a)을 지지하는 암(136b)과 그 암(136b)을 승강시키는 액추에이터(136c)의 위치가 다르다. 본 실시의 형태 2에서, 암(136b)과 액추에이터(136c)는, 제1 조(32)의 전방이 아니라, 제1 반송부(34)의 암(34b)과 액추에이터(34c)와 마찬가지로, 제1 조(32)에 대해 Y축 방향(제2 방향)의 일방측에 배치되어 있다. 그 결과, 기판 처리 장치의 X축 방향(제1 방향)의 사이즈가 작아져서, 기판 처리 장치를 소형화할 수 있다.
도 15에 도시하는 바와 같이, 본 실시의 형태 2인 경우, 제2 반송부(120)의 척(126)은 이동 헤드(24)로부터 X축 방향(제1 방향)으로 전방을 향해 연재되며 또한 서로 평행한 상태로 연재되는 2개의 회전 샤프트(126a)와, X축 방향으로 연재되고 복수의 기판(W)이 재치된 2개의 지지바(126b)와, 회전 샤프트(126a)와 지지바(126b)를 연결하는 복수의 링크(126c)로 구성되어 있다. 구체적으로는, 지지바(126b) 각각은 2개의 링크(126c)를 통하여, 대응하는 회전 샤프트(126a)에 매달아 지지되어 있다. 또한, 회전 샤프트(126a) 각각은 2개의 지지바(126b) 사이의 거리(D2)가 변경될 수 있도록, 액추에이터(25)의 이동 헤드(24)에 탑재된 모터(도시 생략)에 의해 제1 방향으로 연재되는 회전 중심선(C2)을 중심으로 하여 회전된다. 거리(D2)가 변화함에 의해, 척(126)은 기판(W)을 유지하거나 또는 기판(W)을 릴리스할 수 있다. 또한, 지지바(126b)에는, 복수의 기판(W) 각각의 외주단과 계합하여 복수의 기판(W)을 소정의 간격을 벌린 상태로 유지하는 복수의 홈(도시 생략)이 형성되어 있다.
본 실시의 형태 2인 경우, 도 14에 도시하는 바와 같이, 제2 반송부(120)의 척(126)은 제1 조(32)의 상방을, Y축 방향(제2 방향)으로 이동한다. 즉, 제1 조(32)의 상방에서, 제2 반송부(120)의 척(126)은 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)으로의 기판(W)의 공급과, 제1 반송부(136)의 제1 척(136a)부터의 기판(W)의 회수를 실행한다.
이상과 같은 본 실시의 형태 2에 의하면, 상술한 실시의 형태 1과 마찬가지로, 제1 및 제2의 조(32, 30)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 기판 처리 장치(110)에서, 제1 및 제2 조(32, 30) 각각의 가동률을 올려서 기판 처리 장치(110)의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
(실시의 형태 3)
본 실시의 형태 3은 제2 반송부가 다른 점에서, 상술한 실시의 형태 1과 다르다.
구체적으로는, 상술한 실시의 형태 1인 경우, 도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(10)는 하나의 제2 반송부(20)를 갖는다. 그 때문에, 케미컬 모듈(14)에서, 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)으로의 기판(W)의 공급과, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)부터의 기판(W)의 회수는 이 하나의 제2 반송부(20)에 의해 실행된다. 이와 달리, 본 실시의 형태 3에 관한 기판 처리 장치는 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)으로의 기판(W)의 공급을 실행하는 제2 반송부와, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)부터의 기판(W)의 회수를 실행하는 다른 제2 반송부를 갖는다. 이 다른 점을 중심으로 하여 실시의 형태 3을 설명한다. 또한, 상술한 실시의 형태 1의 구성 요소와 실질적으로 동일한 구성 요소에는, 동일한 부호를 붙이고 있다.
도 17은 실시의 형태 3에 관한 기판 처리 장치에서의 복수의 제2 반송부의 사시도이다. 또한, 도 18a 및 도 18b는 일방의 제2 반송부로부터 타방의 제1 반송부의 제2 척에의 복수의 기판의 공급을 도시하는 측면도 및 상면도면이다. 그리고, 도 19a 및 도 19b는 일방의 제1 반송부의 제1 척부터 타방의 제2 반송부에의 복수의 기판의 회수를 도시하는 측면도 및 상면도이다.
도 17에 도시하는 바와 같이, 본 실시의 형태 3에 관한 기판 처리 장치는 제2 반송부로서, 2개의 제2 반송부(50, 52)를 갖는다. 일방의 제2 반송부(50)는 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)에 대해 복수의 기판(W)을 공급하지만, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)이 유지하는 복수의 기판(W)을 회수하지 않는다. 그에 대해, 타방의 제2 반송부(52)는 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)이 유지하는 복수의 기판(W)을 회수하지만, 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)에 대해 복수의 기판(W)을 공급하지 않는다.
또한, 2개의 제2 반송부(50, 52)는 상술한 실시의 형태 1의 제2 반송부(20)와 다른 방법으로, 복수의 기판(W)을 유지한다. 제2 반송부(50, 52)는 Y축 방향(제2의 방향)으로 이동하는 액추에이터의 이동 헤드(50a, 52a)와, 이동 헤드(50a, 52a)로부터 기판 처리 장치(10)의 X축 방향(제1 방향)으로 연재되고, 복수의 기판(W)이 재치되는 복수의 지지 로드(50b, 52b)를 구비한다. 또한, 이동 헤드(50a, 52a)가 이동하는 액추에이터의 레일의 도시는 생략되어 있다.
도 18a 및 도 18b에 도시하는 바와 같이, 제2 반송부(50)의 이동 헤드(50a)는 상방(Z축 방향)에서 볼 때, 제1 조(32)의 전방에 위치한다. 그 이동 헤드(50a)로부터 제2 조(30)의 상방을 향해 복수의 지지 로드(50b)가 연재되어 있다. 또한, 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)의 복수의 지지 로드(34f)가 복수의 지지 로드(50b)를 Z축 방향(제3 방향)으로 통과할 수 있도록, 복수의 지지 로드(50b)는 상방에서 볼 때 복수의 지지 로드(34f)에 오버랩하지 않는다.
본 실시의 형태 3인 경우, 도 18a에 도시하는 바와 같이, 제2 반송부(50)로부터 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)에의 복수의 기판(W)의 공급은 제2 조(30)의 상방에서 행해진다. 복수의 기판(W)을 유지하는 제2 반송부(50)의 지지 로드(50b)의 하방에 제2 척(34a)이 배치된 후, 그 제2 척(34a)이 상승한다. 그 상승에 의해, 제2 척(34a)의 복수의 지지 로드(34f)가 복수의 지지 로드(50b)의 사이를 통과하고, 그에 의해, 복수의 기판(W)이 복수의 지지 로드(34f)상에 재치된다. 그 후, 제2 반송부(50)가 제2 조(30)의 상방부터 이동하면, 복수의 기판(W)을 유지하는 제2 척(34a)은 제2 조(30)의 내부를 향해 강하할 수 있다. 또한, 제2 반송부(50)로부터 제2 척(34a)에 복수의 기판(W)을 공급할 때, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)은 제1 조(32) 내에 위치하여, 제2 반송부(50)의 지지 로드(50b)와의 접촉을 회피한다.
도 19a 및 도 19b에 도시하는 바와 같이, 제2 반송부(52)의 이동 헤드(52a)는 상방(Z축 방향)에서 볼 때, 제2 조(32)의 후방에 위치한다. 그 이동 헤드(52a)로부터 제1 조(32)의 상방을 향해 복수의 지지 로드(52b)가 연재되어 있다. 또한, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)의 복수의 지지 로드(36e)가 복수의 지지 로드(52b)의 사이를 Z축 방향(제3 방향)으로 통과할 수 있도록, 복수의 지지 로드(52b)는, 상방에서 볼 때 복수의 지지 로드(36e)에 오버랩하지 않는다.
본 실시의 형태 3인 경우, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)부터 제2 반송부(52)에의 복수의 기판(W)의 회수는 제1 조(32)의 상방에서 행해진다. 제2 반송부(52)의 상방에 복수의 기판(W)을 유지하는 제1 척(36a)이 배치된 후, 그 제1 척(36a)이 강하한다. 그 강하에 의해, 제1 척(36a)의 복수의 지지 로드(36e)가 복수의 지지 로드(52b)의 사이를 통과하고, 그에 의해, 복수의 기판(W)이 복수의 지지 로드(52b)상에 재치된다. 또한, 제1 척(36a)부터 제2 반송부(52)에 복수의 기판(W)을 회수할 때, 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)은 제2 조(30) 내에 위치하여, 제2 반송부(52)의 지지 로드(52b)와의 접촉을 회피한다.
또한, 도 18a 및 도 19a에 도시하는 바와 같이, 제2 반송부(50, 52) 각각은 다른 높이 레벨로 기판 처리 장치(10)의 Y축 방향(제2 방향)으로 이동한다. 즉, 복수의 기판(W)을 유지한 상태로 이동해도 서로 간섭하는 일이 없도록, 제2 반송부(50, 52)는 Z축 방향(제3 방향)에 서로 간격을 벌리고 있다.
이상과 같은 본 실시의 형태 3에 의하면, 상술한 실시의 형태 1과 마찬가지로, 제1 및 제2 조(32, 30)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 기판 처리 장치에서, 제1 및 제2 조(32, 30) 각각의 가동률을 올려서 기판 처리 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
특히, 기판 처리 장치 내에 복수의 케미컬 모듈이 존재하는 경우나 제2 조(30)에의 기판(W)의 침지 시간과 제1 조(32)에의 기판(W)의 침지 시간이 크게 다른 경우에, 본 실시의 형태 3은 유익하다.
이상, 복수의 실시의 형태를 들어 본 발명의 실시의 형태를 설명해 왔다. 그렇지만, 본 발명의 실시의 형태는 이들로 한하지 않는다.
예를 들면, 상술한 실시의 형태 1인 경우, 기판 처리 장치(10)의 후측에 위치하는 제2 조(30)가 약액조이고, 기판 처리 장치(10)의 전측에 위치하는 제1 조(32)가 세정조이다. 그렇지만, 본 발명의 실시의 형태는 이것으로 한하지 않는다. 예를 들면, 제2 조(30)가 세정조로서 사용되고, 제1 조(32)가 약액조로서 사용되어도 좋다. 이 경우, 상술한 실시의 형태 1의 제2 척(34a)과 제1 척(36a)이 서로 기판(W)을 전달 가능하게 구성되어 있기 때문에, 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)부터 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)으로 복수의 기판(W)이 전달된다.
또한, 상술한 실시의 형태 1인 경우, 제2 반송부(20)는 Y축 방향(제2 방향)으로 이동 가능하지만, Z축 방향(제3 방향)으로 이동하지 않는다. 그렇지만, 본 발명의 실시의 형태는 이것으로 한하지 않는다. 본 발명의 실시의 형태에 관한 기판 처리 장치의 제2 반송부는 제1 반송부의 제1 척 및 제1 반송부의 제2 척 각각에 대해 복수의 기판(W)을 공급 및 회수 가능하면, 그 형태를 묻지 않다.
또한, 상술한 실시의 형태 1인 경우, 타방의 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)은 제2 조(30)의 상방 위치와 제1 조(32)의 상방 위치 사이에서 이동 가능하며 또한 승강 가능하다. 이에 대해, 일방의 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)은 제2 조(30)의 상방 위치와 제1 조(32)의 상방 위치 사이에서 이동하지 않고, 승강할 뿐이다. 그렇지만, 본 발명의 실시의 형태는 이것으로 한하지 않는다. 일방의 제1 반송부의 제1의 척도 제1 조의 상방 위치와 제2 조의 상방 위치 사이에서 이동해도 좋다. 이에 의해, 제2 척부터 제1 척으로의 기판의 전달하는 위치 및 제1 척부터 제2 반송부에의 기판의 회수 위치에 관해 설정의 자유도가 향상한다.
또한, 상술한 실시의 형태 1인 경우, 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)부터 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)으로의 기판(W)의 전달하는 위치, 제2 반송부(20)로부터 제2 척(34a)으로의 기판(W)의 공급 위치 및 제1 척(36a)부터 제2 반송부(20)로의 기판(W)의 회수 위치는 제1 조(32)의 상방에 설정되어 있다. 이에 의해, 제2 반송부(20)와 제1 반송부(36)의 구조가 간소화된다. 즉, 제2 반송부(20)의 척(26)과 제1 반송부(36)의 제1 척(36a) 각각은 일방향으로 이동 가능하면, 그 역할을 다할 수 있다(전자가 기판 처리 장치(10)의 Y축 방향(제2 방향)으로만 이동하고, 후자가 Z축 방향(제3 방향)으로만 이동한다).
또한, 상술한 실시의 형태 1인 경우, 도 3a 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 제1 반송부(34)의 제2 척(34a)과 제1 반송부(36)의 제1 척(36a)은 상방(Z축 방향)에서 볼 때 즐치형상의 척이다. 그렇지만, 본 발명의 실시의 형태는 이것으로 한하지 않는다.
도 20은 다른 실시의 형태에 관한 기판 처리 장치에서의 일방의 제1 반송부의 제1 척과 타방의 제1 반송부의 제2 척의 사시도이다. 또한, 도 21은 일방의 제1 반송부의 제1 척과 타방의 제1 반송부의 제2 척 사이의 기판의 전달을 도시하는 도면이다.
도 20 및 도 21에 도시하는 바와 같이, 다른 실시의 형태에 관한 기판 처리 장치에서, 제1 반송부(234)의 제2 척(234a)은 본체부(234b)와, 본체부(234b)로부터 X축 방향(제1 방향)으로 전방을 향해 연재된 판형상의 편측 지지 들보부(234c)와, 편측 지지 들보부(234c)로부터 Z축 방향(제3 방향)으로 돌출하여 X축 방향으로 연재되는 복수의 돌조부(234d)를 구비한다. 제1 반송부(236)의 제1 척(236a)은, 본체부(236b)와, 본체부(236b)로부터 X축 방향으로 후방을 향해 연재되는 판형상의 2개의 편측 지지 들보부(236c)와, 2개의 편측 지지 들보부(236c) 각각으로부터 Z축 방향으로 돌출하면서 X축 방향으로 연재되는 복수의 돌조부(236d)를 구비한다. 복수의 기판(W)은 제2 척(234a)의 복수의 돌조부(234d)상과 제1 척(236a)의 복수의 돌조부(236d)상에 재치된다.
제2 척(234a)으로부터 제1 척(236a)에 복수의 기판(W)을 전달할 때, 제2 척(234a)이 제1 척(236a)을 향해 X축 방향(제1 방향)으로 이동한다. 그 이동에 의해, 도 21에 도시하는 바와 같이, 제1 척(236a)의 2개의 편측 지지 들보부(236c)가 복수의 기판(W)과 제2 척(234a)의 편측 지지 들보부(234c) 사이의 간극에 진입한다. 그 진입 후, 제1 척(236a)이 상승하면, 복수의 기판(W)이 제1 척(236a)의 복수의 돌조부(236d)상에 재치된다.
도 20 및 도 21에 도시하는 제1 및 제2 척(236a, 234a)인 경우, 상술한 실시의 형태 1의 제1 및 제2 척(36a, 34a)과 달리, 서로에 대해 Z축 방향(제3 방향)으로 통과할 수가 없다. 그렇지만, 상술한 실시의 형태 1의 제1 및 제2 척(36a, 34a)과 마찬가지로, 제1 및 제2 척(236a, 234a)은 서로에 대해 기판(W)을 전달할 수 있다.
즉, 본 발명의 한 실시의 형태에 관한 기판 처리 모듈은 광의로는 제1 방향으로 배열되고, 기판을 배치 가능한 제1 조 및 제2 조와, 상기 기판을 반송하는 2개의 제1 반송부를 가지고, 일방의 상기 제1 반송부가 승강 가능하며 기판을 유지한 상태로 상기 제1 조 내에 배치되는 제1 척을 구비하고, 타방의 상기 제1 반송부가, 승강 가능하며 기판을 유지한 상태로 상기 제2 조 내에 배치되는 제2 척을 구비하고, 상기 제1 척 및 상기 제2 척의 적어도 일방이 상기 제1 조 상방 위치와 상기 제2 조의 상방 위치 사이에서 이동 가능하고, 상기 제1 척 및 상기 제2 척이 양자 사이에서 기판을 전달 가능하게 구성되어 있는 기판 처리 모듈이다.
또한, 본 발명의 다른 실시의 형태에 관한 기판 처리 장치는 상술한 기판 처리 모듈과, 상기 기판 처리 모듈에 대해 상기 제1 방향으로 교차하는 제2의 방향으로 연결되는 다른 모듈을 구비하는 기판 처리 장치이다.
이상과 같이, 본 발명에서의 기술의 예시로서, 상술한 실시의 형태를 설명해 왔다. 그 때문에, 도면 및 상세한 설명을 제공하고 있다. 따라서 도면 및 상세한 설명에 기재된 구성 요소 중에는, 과제 해결을 위해 필수적인 구성 요소뿐만 아니라, 상술한 기술을 예시하기 위해, 과제 해결을 위해서는 필수가 아닌 구성 요소도 포함될 수 있다. 그 때문에, 그들의 필수가 아닌 구성 요소가 도면이나 상세한 설명에 기재되어 있음으로써, 곧바로, 그들의 필수가 아닌 구성 요소가 필수라는 인정을 해서는 안된다.
또한, 상술한 실시의 형태는, 본 발명에서의 기술을 예시하기 위한 것이기 때문에, 특허청구의 범위 또는 그 균등한 범위에서 여러 가지의 변경, 치환, 부가, 생략 등을 행할 수가 있다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명은 복수의 조를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 적용 가능하다.
10: 기판 처리 장치
14: 기판 처리 모듈(케미컬 모듈)
30: 제2 조
32: 제1 조
34: 제1 반송부
34a: 제2 척
36: 제1 반송부
36a: 제1 척
W: 기판
14: 기판 처리 모듈(케미컬 모듈)
30: 제2 조
32: 제1 조
34: 제1 반송부
34a: 제2 척
36: 제1 반송부
36a: 제1 척
W: 기판
Claims (9)
- 제1 방향으로 배열되고, 기판을 배치 가능한 제1 조 및 제2 조와,
상기 기판을 반송하는 2개의 제1 반송부를 가지고,
일방의 상기 제1 반송부가 승강 가능하며 기판을 유지한 상태로 상기 제1 조 내에 배치되는 제1 척을 구비하고,
타방의 상기 제1 반송부가 승강 가능하며 기판을 유지한 상태로 상기 제2 조 내에 배치되는 제2 척을 구비하고,
상기 제1 척 및 상기 제2 척의 적어도 일방이 상기 제1 조의 상방 위치와 상기 제2 조의 상방 위치 사이에서 이동 가능하고,
상기 제1 척 및 상기 제2 척이 양자 사이에서 기판을 전달 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 모듈. - 제1항에 있어서,
상기 제1 척이 상기 기판이 재치되는 즐치형상의 척이고,
상기 제2 척이 상기 기판이 재치되는 즐치형상의 척이고,
상기 제1 척과 상기 제2 척이 서로에 대해 승강 방향으로 통과 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 모듈. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 조가 세정조이고,
상기 제2의 조가 약액조인 것을 특징으로 하는 기판 처리 모듈. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 척이 상기 제1 조의 상방 위치와 상기 제2 조의 상방 위치 사이에서 이동 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 모듈. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 조의 상방 위치에서, 상기 제2 척이 유지하는 상기 기판을 상기 제1 척이 수취하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 모듈. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 기판을 반송하는 제2 반송부를 또 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 모듈. - 제6항에 있어서,
상기 제2 반송부가 상기 제2 척에 대해 상기 기판을 공급함과 함께, 상기 제1 척이 유지하는 상기 기판을 회수하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 모듈. - 제7항에 있어서,
상기 제1 조의 상방 위치에서, 상기 제2 반송부가 상기 제2 척에 대해 상기 기판을 공급함과 함께, 상기 제1 척이 지지하는 상기 기판을 회수하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 모듈. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 상기 기판 처리 모듈과, 상기 기판 처리 모듈에 대해 상기 제1 방향으로 교차하는 제2의 방향으로 연결되는 다른 모듈을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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JP2000306880A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
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