KR20220070573A - 개선된 증착 균일성을 위해 다양한 프로파일을 갖는 측부들을 갖는 섀도우 프레임 - Google Patents
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Abstract
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들에 인접한 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들을 포함하는 섀도우 프레임에 관한 것이며, 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들 및 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들은 코너 브래킷에 의해 서로 커플링되고, 코너 브래킷은, 서로에 대해 대체로 직교하는 방향들로 연장되는 레그들을 갖는 코너 인레이를 포함한다.
Description
[0001]
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 섀도우 프레임(shadow frame)에 관한 것이다.
[0002]
현대의 반도체 디바이스들은, 전도성, 반전도성(semiconducting) 및 유전체 재료들의 다수의 층들을 유리 기판에 증착하고 유리 기판으로부터 제거함으로써, OLED들, 트랜지스터들, 및 로우-k 유전체 막들과 같은 피처(feature)들을 형성하는 것을 필요로 한다. 유리 기판 프로세싱 기법들은, PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition), PVD(physical vapor deposition), 에칭 등을 포함한다. 플라즈마 프로세싱은, 막을 증착하기 위해 필요한 비교적 낮은 프로세싱 온도들, 및 플라즈마 프로세스들을 사용하는 것으로부터 유발될 수 있는 양호한 막 품질로 인해, 평판 디바이스들의 생산에서 널리 사용된다.
[0003]
일반적으로, 플라즈마 프로세싱은, 진공 챔버 내에 배치된 지지 부재(종종 서셉터 또는 히터로서 지칭됨) 상에 기판을 포지셔닝하는 것 및 기판의 상부 노출 표면에 인접하게 플라즈마를 형성하는 것을 수반한다. 플라즈마는, 하나 이상의 프로세스 가스들을 챔버 내로 도입하고 전기장을 이용하여 가스들을 여기시켜, 대전된 입자들 및 중성 입자들로의 가스들의 해리를 야기함으로써 형성된다. 플라즈마는, 예컨대 유도성 RF 코일을 사용하여 유도성으로, 그리고/또는 예컨대 평행 플레이트 전극들을 사용하여 용량성으로, 또는 마이크로파 에너지를 사용함으로써 생성될 수 있다.
[0004]
프로세싱 동안, 유리 기판의 에지 및 후면뿐만 아니라 내부 챔버 컴포넌트들은 증착으로부터 보호되어야 한다. 전형적으로, 증착 마스킹 디바이스 또는 섀도우 프레임이 기판의 주변부 주위에 배치되어, 프로세싱 동안 프로세싱 가스들 또는 플라즈마가 기판의 에지 및 후면에 도달하는 것을 방지하고 기판을 지지 부재 상에 홀딩한다. 섀도우 프레임은, 지지 부재가 상승된 프로세싱 포지션으로 이동될 때, 섀도우 프레임이 픽업되어 기판의 에지 부분과 접촉하도록, 프로세싱 챔버 내에서 지지 부재 위에 포지셔닝될 수 있다. 결과적으로, 섀도우 프레임은 기판의 상부 표면의 주변부의 수 밀리미터들을 커버하여, 섀도우 프레임에 의해 커버되는 기판의 부분들 상에서의 후면 및 에지 증착을 방지한다.
[0005]
섀도우 프레임을 사용하는 이익들을 고려하면, 현재의 섀도우 프레임 설계들에 대한 다수의 단점들이 있다. 종래기술의 섀도우 프레임들은 전형적으로, 기판의 에지들 내부쪽의 증착과 비교하여 섀도우 프레임의 에지들 근처의 기판의 커버되지 않은 에지들 상에서의 증착을 감소시킨다. 이 증착 불균일성은 기판의 코너들에서 더 악화된다.
[0006]
따라서, 기판의 주변부 상에 더 많은 증착을 제공하는 섀도우 프레임이 당해 기술분야에 필요하다.
[0007]
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재(minor side frame member)들에 인접한 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재(major side frame member)들을 포함하는 섀도우 프레임에 관한 것이며, 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들 및 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들은 코너 브래킷(corner bracket)에 의해 서로 커플링되고, 코너 브래킷은, 서로에 대해 대체로 직교하는 방향들로 연장되는 레그(leg)들을 갖는 코너 인레이(corner inlay)를 포함한다.
[0008]
다른 실시예에서, 섀도우 프레임이 개시되며, 섀도우 프레임은, 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들에 인접한 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들을 포함하고, 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들 및 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들은, 커플링 계면에서 코너 브래킷에 의해 서로 커플링되고, 각각의 코너 브래킷은, 서로에 대해 대체로 직교하는 방향들로 연장되는 레그들을 갖는 코너 인레이를 포함하고, 그리고 각각의 코너 브래킷은 둥근 코너를 포함한다.
[0009]
다른 실시예에서, 섀도우 프레임이 개시되며, 섀도우 프레임은, 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들에 인접한 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들을 포함하며, 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들 및 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들은, 리세싱된 영역(recessed area)을 포함하는 커플링 계면에서 코너 브래킷에 의해 서로 커플링되고, 각각의 코너 브래킷은, 둥근 코너, 및 서로에 대해 대체로 직교하는 방향들로 연장되는 레그들을 갖는 코너 인레이를 포함하고, 코너 인레이는 평면형 상부 표면, 및 평면형 상부 표면의 평면으로부터 비스듬한(angled), 경사진 평면형 표면(sloped planar surface), 및 리세싱된 영역의 중심에 형성된 노치(notch)를 포함한다.
[0010]
본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0011] 도 1은 일 실시예에 따른 섀도우 프레임을 갖는 예시적인 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도이다.
[0012] 도 2는 일 실시예에 따른 섀도우 프레임 및 도 1의 기판 지지부의 등각도이다.
[0013] 도 3은 도 2의 기판 지지부 및 섀도우 프레임의 확대 등각도이다.
[0014] 도 4는 코너 브래킷의 분해 등각도이다.
[0015] 도 5는, 도 4의 라인들 5-5를 따르는 프레임 부재의 측단면도이다.
[0016] 도 6은, 도 4의 라인들 6-6을 따르는 코너 인레이의 측단면도이다.
[0017] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시된 엘리먼트들이 구체적인 언급이 없이도 다른 실시예들에 유리하게 활용될 수 있음이 고려된다.
[0011] 도 1은 일 실시예에 따른 섀도우 프레임을 갖는 예시적인 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도이다.
[0012] 도 2는 일 실시예에 따른 섀도우 프레임 및 도 1의 기판 지지부의 등각도이다.
[0013] 도 3은 도 2의 기판 지지부 및 섀도우 프레임의 확대 등각도이다.
[0014] 도 4는 코너 브래킷의 분해 등각도이다.
[0015] 도 5는, 도 4의 라인들 5-5를 따르는 프레임 부재의 측단면도이다.
[0016] 도 6은, 도 4의 라인들 6-6을 따르는 코너 인레이의 측단면도이다.
[0017] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시된 엘리먼트들이 구체적인 언급이 없이도 다른 실시예들에 유리하게 활용될 수 있음이 고려된다.
[0018]
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 섀도우 프레임에 관한 것이다. 아래에서 설명되는 하나 이상의 실시예들에서, 섀도우 프레임은 멀티-피스 섀도우 프레임 바디로서 형성된다.
[0019]
섀도우 프레임은, 좁은 에지 립 및 그에 따른 기판의 더 적은 섀도잉(shadowing)으로 인해, 비정질 실리콘 균일성을 향상시킨다. 전기 절연 재료의 균일한 배열이 또한 비정질 실리콘 증착 균일성을 돕는다. 본 개시내용의 실시예들은 아래에서 도면들을 참조하여 더 명확하게 설명된다.
[0020]
도 1은 일 실시예에 따른 섀도우 프레임을 갖는 예시적인 프로세싱 챔버(10)의 개략적인 단면도이다. 본 개시내용으로부터 이익을 얻도록 적응될 수 있는 프로세스 챔버의 일 예는, 캘리포니아 산타클라라에 소재하는 Applied Materials, Inc.의 자회사인 AKT America, Inc.로부터 입수가능한 PECVD 프로세스 챔버이다. 다른 제조사들로부터의 것들을 포함하여, 다른 플라즈마 프로세싱 챔버들이 본 개시내용을 실시하는 데 적응될 수 있는 것으로 고려된다.
[0021]
프로세싱 챔버(10)는, 챔버 바디(12) 및 챔버 바디(12) 상에 배치된 백킹 플레이트(14)를 포함한다. 챔버 바디(12)는 프로세싱 구역(16)을 갖는다. 프로세싱 챔버(10)의 챔버 바디(12) 및 관련된 컴포넌트들의 치수들은 제한되지 않으며, 일반적으로는 프로세싱될 기판(29)의 크기보다 비례적으로 더 크다. 임의의 적합한 기판 크기가 프로세싱될 수 있다. 적합한 기판 크기들의 예들은, 대략 5,500 ㎠ 이상, 이를테면, 대략 25,000 ㎠ 이상, 예컨대 대략 50,000 ㎠ 이상의 표면적을 갖는 기판을 포함한다. 일 실시예에서, 대략 100,000 ㎠ 이상의 표면적을 갖는 기판이 프로세싱될 수 있다.
[0022]
가스 분배 플레이트(18)가 백킹 플레이트(14)에 장착되고, 프로세싱 구역(16)의 상부 경계를 정의한다. 복수의 홀들(20)이 가스 분배 플레이트(18)에 형성되어, 복수의 홀들(20)을 통한 프로세싱 가스들의 전달을 가능하게 한다. 프로세싱 가스를 균등하게 분배하고, 그에 따라 프로세싱 가스를 가스 분배 플레이트(18)를 통해 균일하게 전달하기 위해, 가스 소스(40)가 가스 분배 플레이트(18)와 백킹 플레이트(14) 사이에 형성된 플레넘(plenum)에 가스를 전달할 수 있다. 홀들(20)을 통해 유동하는 프로세싱 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위해, 전력 소스(42)가 가스 분배 플레이트(18)에 전기적으로 커플링된다. 기판 지지부(32)는, 가스 분배 플레이트(18)에 대한 상대-전극(counter-electrode)으로서 기능하기 위해 거의 전체적으로 알루미늄 또는 다른 전도성 금속으로 제조된다. 전력 소스(42)는, PECVD 챔버들에서 사용되는 임의의 타입의 전력 소스, 이를테면, RF 전력 소스일 수 있다. 기판 지지부(32) 상에 배치된 섀도우 프레임(22)이 도시된다. 섀도우 프레임(22)은 섀도우 프레임 바디(24)를 포함하며, 섀도우 프레임 바디(24)에는 프레임 부재(26)가 부착되어 있다.
[0023]
챔버 바디(12)는 또한, 기판 지지부(32) 주위에 환형으로 형성되는 섀도우 프레임 지지부(44)를 포함한다. 기판 지지부(32)가 하강된 포지션에 있을 때, 섀도우 프레임(22)은 섀도우 프레임 지지부(44)에 의해 지지된다.
[0024]
서셉터 또는 히터로 또한 지칭되는 기판 지지부(32)는, 프로세싱 챔버(10) 내에 배치되고 모터(33)에 의해 작동된다. 상승된 프로세싱 포지션에서, 기판 지지부(32)의 기판 지지 표면(34) 상에 기판(29)이 배치되어 있는 기판 지지부(32)는, 기판(29)이 프로세싱 구역(16) 내에 포지셔닝되도록, 섀도우 프레임(22)의 섀도우 프레임 바디(24)를 지지하고 프로세싱 구역(16)의 하부 경계를 정의한다. 프레임 부재(26)는, 섀도우 프레임 바디(24)가 기판 지지 표면(34) 상에 놓여 있는 동안, 기판(29)의 부분 위로 연장될 뿐만 아니라 기판(29)의 부분과 접촉한다.
[0025]
기판(29)은, 슬릿 밸브 메커니즘(도시되지 않음)에 의해 선택적으로 밀봉되는 챔버 바디(12)에 형성된 개구(36)를 통해 프로세싱 챔버(10) 내로 도입되고 그리고 프로세싱 챔버(10)로부터 제거된다. 리프트 핀(lift pin)들(38)이 기판 지지부(32)를 통해 슬라이딩가능하게 배치되고, 리프트 핀들(38)의 상부 단부에 기판을 홀딩하도록 적응될 수 있다. 리프트 핀들(38)은, 모터(33)를 사용하여 기판 지지부(32)를 하강시킴으로써, 작동될 수 있다.
[0026]
도 2는 일 실시예에 따른 섀도우 프레임(22) 및 도 1의 기판 지지부(32)의 등각도이다. 섀도우 프레임(22)은, 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들(28)에 인접한 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들(26)을 포함한다. 메이저 사이드 프레임 부재들(26) 각각은 코너 브래킷들(30)에 의해 마이너 사이드 프레임 부재들(28)에 커플링된다. 추가적으로, 기판 지지부(32)는, 기판 지지부(32)의 주변 렛지(54)와 기판 수용 표면(52) 사이의 계면에 코너 인레이들(50)을 포함한다. 위에서 언급된 바와 같이, 기판 지지부(32)의 바디(56)는, 가스 분배 플레이트(18)와 협력하여 상대-전극으로서 기능하기 위해, 알루미늄 또는 다른 전기 전도성 재료로 제조된다. 그러나, 코너 인레이들(50)은, 바디(56)에 형성된 포켓 내에 리세싱되는 세라믹 재료로 제조될 수 있다. 코너 인레이들(50)은, 기판이 기판 지지부(32)의 기판 수용 표면(52)과 약간 오정렬된 경우, 아킹을 감소시킬 수 있다.
[0027]
도 3은 도 2의 기판 지지부(32) 및 섀도우 프레임(22)의 확대 등각도이다. 코너 인레이(50)는 기판 지지부(32)의 바디(56)에 형성된 포켓(58) 내에 도시된다. 코너 브래킷(30)은 또한, 마이너 사이드 프레임 부재(28)와 메이저 사이드 프레임 부재(26)를 커플링시키는 것으로 도시된다. 코너 브래킷(30)은, 반경을 갖는(radiused) 또는 둥근 코너(60), 및 메이저 사이드 프레임 부재(26)의 길이 방향으로부터 수직으로 연장되는 레그(62)를 포함한다. 일 양상에서, 메이저 사이드 프레임 부재들(26)은 "C" 형상을 가지며, 메이저 사이드 프레임 부재들(26)은 메이저 사이드 프레임 부재들(26)의 대향 단부들 상에 레그(62)를 포함한다. 코너 브래킷(30)은 또한, 메이저 사이드 프레임 부재(26) 및 마이너 사이드 프레임 부재(28)의 내측 주변 에지(66, 68)에 각각 커플링된 코너 인레이(64)를 포함한다. 코너 인레이(64)는 체결구(70)를 사용하여 메이저 사이드 프레임 부재(26)에 체결될 수 있다. 메이저 사이드 프레임 부재(26), 코너 인레이(64) 그리고 마이너 사이드 프레임 부재(28) 사이의 계면을 커버하기 위해 심 커버(seam cover)(72)가 포함될 수 있다. 체결구들(70)은 심 커버(72)를 메이저 사이드 프레임 부재(26)에 고정시키는 데 활용될 수 있다. 코너 인레이(64), 체결구들(70), 메이저 사이드 프레임 부재(26), 마이너 사이드 프레임 부재(28), 및 심 커버(72) 모두는 세라믹 재료로 제조될 수 있다.
[0028]
도 4는 코너 브래킷(30)의 분해 등각도이다. 메이저 사이드 프레임 부재(26)는, 코너 인레이(64)가 배치될 수 있는 리세싱된 영역(74)을 포함한다. 리세싱된 영역(74)에 90° 코너가 형성되기 어려울 수 있기 때문에, 리세싱된 영역(74)의 내측 에지 상에 반경(radius) 또는 노치(76)가 제공될 수 있다. 도 3에 도시된 체결구들(70)을 위한 개구들(78)이 리세싱된 영역(74)에 포함된다.
[0029]
코너 인레이(64)는, 테이퍼형 또는 경사진 평면형 표면(82)으로 전이되는 평면형 표면(80)을 갖는 바디(79)를 포함한다. 도 3에 도시된 체결구들(70)을 수용하기 위한 개구들(78)이 바디(79)에 형성된다. 바디(79)는, 서로에 대해 대체로 직교하는 방향들로 연장되는 2개의 레그들(81 및 83)을 포함한다. 각각의 레그(81 및 83) 상의 경사진 평면형 표면(82)의 교차부는 반경 코너(radius corner)(84)를 포함한다.
[0030]
메이저 사이드 프레임 부재(26)를 마이너 사이드 프레임 부재(28)에 커플링하기 위해, 커플링 계면(86)이 활용된다. 커플링 계면(86)은 복수의 핀들(88)을 포함한다. 핀들(88)은, 메이저 사이드 프레임 부재(26) 및 마이너 사이드 프레임 부재(28)의 에지들에 형성된 개구들에 삽입된다. 체결구들(90)은, 메이저 사이드 프레임 부재(26) 및 마이너 사이드 프레임 부재(28)에 핀들(88)을 고정시키는 데 활용될 수 있다. 핀들(88)은 금속성 재료, 이를테면, 알루미늄일 수 있다. 체결구들(90)은 세라믹 재료로 제조될 수 있다.
[0031]
심 커버들(72) 각각은, 제1 표면(92) 및 제1 표면(92)의 평면 아래로 리세싱된 제2 표면(94)을 포함한다. 리세싱된 제2 표면(94)은 코너 인레이(64)의 경사진 평면형 표면(82)의 각도와 실질적으로 매칭되도록 비스듬할 수 있다.
[0032]
도 5는, 도 4의 라인들 5-5를 따르는 프레임 부재(95)의 측단면도이다. 프레임 부재(95)는 메이저 사이드 프레임 부재(26) 또는 마이너 사이드 프레임 부재(28)일 수 있다. 내측 주변 에지(96)가 도시되며, 내측 주변 에지(96)는 메이저 사이드 프레임 부재(26) 또는 마이너 사이드 프레임 부재(28)의 내측 주변 에지(66, 68)일 수 있다. 내측 주변 에지(96)는, 프레임 부재(95)의 상부 표면(98)의 평면에 직교하는 평면형 표면(97)을 포함한다. 내측 주변 에지(96)는 "불 노우즈(bull nose)" 구성으로 지칭될 수 있다.
[0033]
도 6은, 도 4의 라인들 6-6을 따르는 코너 인레이(64)의 측단면도이다. 경사진 평면형 표면(82)은 평면형 표면(80)의 평면으로부터의 각도(α)를 포함한다. 각도(α)는 대략 6° 내지 대략 8°, 이를테면, 대략 7°일 수 있다. 경사진 평면형 표면(82)은 "나이프 에지(knife edge)" 구성으로 지칭될 수 있다. 기판 커버리지 영역(99)이 도 6에 도시된다. 기판 커버리지 영역(99)은 대략 7 밀리미터, 대략 5 밀리미터, 또는 대략 3 밀리미터일 수 있다.
[0034]
본원에서 설명되는 바와 같이, 섀도우 프레임(22)을 활용하여 광범위한 테스트가 수행되었다. 코너 인레이(64)의 경사진 평면형 표면(82), 및 메이저 사이드 프레임 부재(26) 및 마이너 사이드 프레임 부재(28)의 내측 주변 에지들(66, 68)에 인접한 기판들의 에지 상의 증착은 두께 프로파일의 증가를 보였다.
[0035]
전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 구상될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.
Claims (15)
- 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재(minor side frame member)들에 인접한 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재(major side frame member)들을 포함하며,
상기 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들 및 상기 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들은, 상기 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들과 상기 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들 사이의 교차부들에서 코너 브래킷(corner bracket)에 의해 서로 커플링되고, 각각의 코너 브래킷은, 서로에 대해 대체로 직교하는 방향들로 연장되는 레그(leg)들을 갖는 코너 인레이(corner inlay)를 포함하는,
섀도우 프레임(shadow frame). - 제1 항에 있어서,
코너 브래킷들 각각은, 상기 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들 중의 메이저 사이드 부재 및 상기 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들 중의 마이너 사이드 부재와 개개의 코너 인레이 사이의 계면에 포지셔닝된 심 커버(seam cover)를 포함하는,
섀도우 프레임. - 제2 항에 있어서,
상기 코너 인레이는, 평면형 상부 표면의 평면으로부터 비스듬한(angled), 경사진 평면형 표면(sloped planar surface)을 포함하는,
섀도우 프레임. - 제3 항에 있어서,
상기 경사진 평면형 표면은 상기 평면형 상부 표면으로부터 대략 7°의 각도로 형성되는,
섀도우 프레임. - 제2 항에 있어서,
심 커버들은 제1 표면 및 제2 표면을 갖는,
섀도우 프레임. - 제5 항에 있어서,
상기 제2 표면은 상기 제1 표면의 평면 아래로 리세싱되는(recessed),
섀도우 프레임. - 제6 항에 있어서,
상기 코너 인레이는, 평면형 상부 표면의 평면으로부터 비스듬한, 경사진 평면형 표면을 포함하는,
섀도우 프레임. - 제7 항에 있어서,
상기 제2 표면은 상기 경사진 평면형 표면의 각도와 실질적으로 매칭되게 비스듬한,
섀도우 프레임. - 제1 항에 있어서,
상기 코너 브래킷은 둥근 코너를 포함하는,
섀도우 프레임. - 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들에 인접한 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들을 포함하며,
상기 2개의 대향하는 마이너 사이드 프레임 부재들 및 상기 2개의 대향하는 메이저 사이드 프레임 부재들은, 커플링 계면에서 코너 브래킷에 의해 서로 커플링되고, 각각의 코너 브래킷은, 서로에 대해 대체로 직교하는 방향들로 연장되는 레그들을 갖는 코너 인레이를 포함하고, 그리고 각각의 코너 브래킷은 둥근 코너를 포함하는,
섀도우 프레임. - 제10 항에 있어서,
상기 커플링 계면은 복수의 핀(pin)들을 포함하는,
섀도우 프레임. - 제10 항에 있어서,
상기 커플링 계면은 심 커버를 포함하는,
섀도우 프레임. - 제12 항에 있어서,
심 커버들은 제1 표면 및 제2 표면을 갖는,
섀도우 프레임. - 제13 항에 있어서,
상기 제2 표면은 상기 제1 표면의 평면 아래로 리세싱되는,
섀도우 프레임. - 제14 항에 있어서,
상기 코너 인레이는, 평면형 상부 표면의 평면으로부터 비스듬한, 경사진 평면형 표면을 포함하는,
섀도우 프레임.
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160113708A (ko) * | 2014-01-30 | 2016-09-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로파일 균일성을 개선하기 위한 코너 스포일러 |
KR20170016968A (ko) * | 2014-06-13 | 2017-02-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 더 우수한 균일성 및 증가된 에지 수명을 위한 편평한 에지 설계 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3386986B2 (ja) * | 1997-10-16 | 2003-03-17 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6773562B1 (en) * | 1998-02-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Shadow frame for substrate processing |
US6355108B1 (en) * | 1999-06-22 | 2002-03-12 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Film deposition using a finger type shadow frame |
US7771538B2 (en) * | 2004-01-20 | 2010-08-10 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Substrate supporting means having wire and apparatus using the same |
US7501161B2 (en) * | 2004-06-01 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for reducing arcing during plasma processing |
KR101119780B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-03-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플라즈마 화학증착장치 |
US8435379B2 (en) * | 2007-05-08 | 2013-05-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods |
US20080289686A1 (en) * | 2007-05-23 | 2008-11-27 | Tae Kyung Won | Method and apparatus for depositing a silicon layer on a transmitting conductive oxide layer suitable for use in solar cell applications |
FI20070991L (fi) * | 2007-12-19 | 2009-06-20 | Beneq Oy | Lasituote, tuotteen käyttö ja valmistusmenetelmä |
USD631858S1 (en) * | 2008-11-17 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Shadow frame |
WO2011024853A1 (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置 |
JP5992334B2 (ja) * | 2009-12-31 | 2016-09-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ウエハのエッジおよび斜面の堆積を修正するためのシャドウリング |
TWI509095B (zh) * | 2012-01-12 | 2015-11-21 | 大日本印刷股份有限公司 | A manufacturing method of the imposition-type deposition mask and a manufacturing method of the resulting stencil sheet and an organic semiconductor device |
JP5956564B2 (ja) * | 2012-04-05 | 2016-07-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | フリップエッジシャドーフレーム |
US20140251216A1 (en) * | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Qunhua Wang | Flip edge shadow frame |
US10676817B2 (en) | 2012-04-05 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Flip edge shadow frame |
CN105452523B (zh) * | 2013-08-02 | 2019-07-16 | 应用材料公司 | 用于基板的保持布置以及使用所述用于基板的保持布置的设备和方法 |
WO2015116245A1 (en) * | 2014-01-30 | 2015-08-06 | Applied Materials, Inc. | Gas confiner assembly for eliminating shadow frame |
KR101600265B1 (ko) * | 2014-09-01 | 2016-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 화학기상증착장치 |
CN204361058U (zh) * | 2014-12-23 | 2015-05-27 | 昆山国显光电有限公司 | 遮蔽框组件及基板处理装置 |
-
2018
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160113708A (ko) * | 2014-01-30 | 2016-09-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로파일 균일성을 개선하기 위한 코너 스포일러 |
KR20170016968A (ko) * | 2014-06-13 | 2017-02-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 더 우수한 균일성 및 증가된 에지 수명을 위한 편평한 에지 설계 |
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