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KR20190013519A - Die bond film, dicing die-bonding film, and semiconductor apparatus manufacturing method - Google Patents

Die bond film, dicing die-bonding film, and semiconductor apparatus manufacturing method Download PDF

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KR20190013519A
KR20190013519A KR1020180085160A KR20180085160A KR20190013519A KR 20190013519 A KR20190013519 A KR 20190013519A KR 1020180085160 A KR1020180085160 A KR 1020180085160A KR 20180085160 A KR20180085160 A KR 20180085160A KR 20190013519 A KR20190013519 A KR 20190013519A
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bonding
film
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유이치로 시시도
나오히데 다카모토
겐지 오니시
유타 기무라
아키히로 후쿠이
미치코 야마토
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

Provided are a die-bonding film, a dicing die-bonding film and a method for manufacturing a semiconductor apparatus, which are suitable for suppressing scattering while implementing excellent fracture in an expanding process performed by using a dicing die-bonding film to obtain a semiconductor chip with a die-bonding film. The die-bonding film (10) of the present invention shows yield point strength of 15 N or less, fracture breakage strength of 15 N or less, and the elongation at fracture of 40 to 400% in a tensile test carried out on a die-bonding film test piece having a width of 10 mm at an initial chuck distance of 10 mm, at the temperature of 23°C and at a tensile rate of 300 mm.

Description

다이 본드 필름, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치 제조 방법{DIE BOND FILM, DICING DIE-BONDING FILM, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS MANUFACTURING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a die bonding film, a dicing die-bonding film, and a semiconductor device manufacturing method.

본 발명은, 반도체 장치의 제조 과정에서 사용할 수 있는 다이 본드 필름 및 다이싱 다이 본드 필름, 그리고 반도체 장치 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a die bond film and a dicing die bond film which can be used in the process of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device manufacturing method.

반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 다이 본딩용 칩 상당 사이즈의 접착 필름을 수반하는 반도체 칩, 즉 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 데에, 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름은, 가공 대상인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈를 갖고, 예를 들어 기재 및 점착제층으로 이루어지는 다이싱 테이프와, 그 점착제층측에 박리 가능하게 밀착하고 있는 다이 본드 필름을 갖는다.In the process of manufacturing a semiconductor device, a dicing die-bonding film may be used to obtain a semiconductor chip accompanied by an adhesive film of a size equivalent to a die bonding chip, that is, a semiconductor chip with a die bond film. The dicing die-bonding film has a size corresponding to the semiconductor wafer to be processed and has, for example, a dicing tape comprising a base and a pressure-sensitive adhesive layer and a die-bonding film adhered closely to the pressure-sensitive adhesive layer side.

다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 방법의 하나로서, 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프를 익스팬드하여 다이 본드 필름을 할단하기 위한 공정을 거치는 방법이 알려져 있다. 이 방법에서는, 우선, 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름 위에 워크인 반도체 웨이퍼가 접합된다. 이 반도체 웨이퍼는, 예를 들어 후에 다이 본드 필름과 함께 할단되어 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능하도록 가공된 것이다. 이어서, 각각이 반도체 칩에 밀착하고 있는 복수의 접착 필름 소편이 다이싱 테이프 위의 다이 본드 필름으로부터 발생하도록 당해 다이 본드 필름을 할단하기 위해서, 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프가 익스팬드된다(할단용 익스팬드 공정). 이 익스팬드 공정에서는, 다이 본드 필름 위의 반도체 웨이퍼에서의 다이 본드 필름 할단 개소에 대응하는 개소에서도 할단이 발생하여, 다이싱 다이 본드 필름 내지 다이싱 테이프 위에서 반도체 웨이퍼가 복수의 반도체 칩으로 개편화된다. 이어서, 예를 들어 세정 공정을 거친 후, 각 반도체 칩이 그것에 밀착하고 있는 칩 상당 사이즈의 다이 본드 필름과 함께, 다이싱 테이프의 하측으로부터 픽업 기구의 핀 부재에 의해 밀어 올려진 다음에 다이싱 테이프 위에서 픽업된다. 이와 같이 하여, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩이 얻어진다. 이 다이 본드 필름 부착 반도체 칩은, 그 다이 본드 필름을 통해 실장 기판 등의 피착체에 다이 본딩에 의해 고착되게 된다. 예를 들어 이상과 같이 사용되는 다이싱 다이 본드 필름 및 그것에 포함되는 다이 본드 필름에 관한 기술에 대해서는, 예를 들어 하기의 특허문헌 1 내지 3에 기재되어 있다.As a method of obtaining a semiconductor chip with a die-bonding film by using a dicing die-bonding film, there is known a method of exposing a dicing tape in a dicing die-bonding film to a step of cutting the die-bonding film. In this method, a semiconductor wafer as a workpiece is first bonded onto a die-bonding film of a dicing die-bonding film. This semiconductor wafer is, for example, fabricated so that it can be separated into a plurality of semiconductor chips together with a die bond film. Then, the dicing tape of the dicing die-bonding film is expanded so as to cut off the die-bonding film so that a plurality of pieces of adhesive film each adhering to the semiconductor chip are generated from the die-bonding film on the dicing tape Expanding process for cutting). In this expanding step, a cutoff occurs at a position corresponding to the cut end portion of the die bond film on the semiconductor wafer on the die bond film, and the semiconductor wafer is separated into a plurality of semiconductor chips on the dicing die bonding film or the dicing tape do. Then, after the cleaning process, for example, each semiconductor chip is pushed up by the pin member of the pick-up mechanism from the lower side of the dicing tape together with the die-bonding film of the size corresponding to the chip adhering thereto, Is picked up above. In this manner, a semiconductor chip with a die bond film is obtained. The semiconductor chip with the die-bonding film is fixed to an adherend such as a mounting substrate through die bonding film by die bonding. For example, a technique relating to a dicing die-bonding film and a die-bonding film included in the dicing die-bonding film used as described above is described in, for example, Patent Documents 1 to 3 below.

일본 특허공개 제2007-2173호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2007-2173 일본 특허공개 제2010-177401호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-177401 일본 특허공개 제2012-23161호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-23161

전술한 바와 같이 할단용 익스팬드 공정에 사용되는 다이싱 다이 본드 필름의 일 구성 요소를 이루는 다이 본드 필름에는, 당해 익스팬드 공정에 있어서 할단 예정 개소에서 적절하게 할단될 것이 요구된다. 또한, 다이 본드 필름의 두께가 클수록, 그러한 할단을 발생시키는 것이 곤란해지는 경향이 있다.As described above, it is required that the die-bonding film constituting one component of the dicing die-bonding film used in the expanding process for the cutting process should be appropriately cut at a planned cutting position in the expanding process. In addition, the larger the thickness of the die-bonding film, the more difficult it is to generate such demagnetization.

전술한 바와 같이 할단용 익스팬드 공정에서는, 종래, 다이싱 다이본드 필름에서의 다이 본드 필름의, 워크가 접합되어 있지 않은 영역에서, 다이싱 테이프 위에서의 다이 본드 필름편의 비산이 발생하는 경우가 있다. 또한, 다이 본드 필름의 두께가 클수록, 그 비산은 발생하기 쉬운 경향이 있다. 다이 본드 필름편의 이러한 비산은, 워크의 오염의 원인으로 되는 경우가 있어, 바람직하지 않다.As described above, in the spreading step for cutting, conventionally, scattering of the die-bonding film on the dicing tape may occur in a region of the die-bonding film in the dicing die-bonding film where the work is not bonded . In addition, the larger the thickness of the die-bonding film, the easier it is for scattering. Such scattering of the die-bonding film piece may be a cause of contamination of the work, which is not preferable.

본 발명은, 이상과 같은 사정을 기초로 고안된 것으로서, 그 목적은, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻기 위해 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정에 있어서, 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합한 다이 본드 필름, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치 제조 방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is devised on the basis of the above circumstances and its object is to provide a semiconductor die having a die bonding film and a dicing die- A dicing die-bonding film, and a method of manufacturing a semiconductor device.

본 발명의 제1 측면에 의하면, 다이 본드 필름이 제공된다. 이 다이 본드 필름은, 폭 10㎜의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10㎜, 23℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 항복점 강도(항복점에 이르게 하는 데 요하는 힘)가 15N 이하이고, 상기 시험에서의 파단 강도(파단시키는 데 요하는 힘)가 15N 이하이며, 또한 상기 시험에서의 파단 신도(신장 전의 길이에 대한, 파단 시의 신장분의 길이의 비율)가 40 내지 400％이다. 또한, 본 발명에 있어서, 상기 항복점 강도는, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이고, 상기 파단 강도는, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이며, 상기 파단 신도는, 바람직하게는 40 내지 350％, 보다 바람직하게는 40 내지 300％이다. 이와 같은 구성의 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층측에 밀착된 형태에 있어서, 반도체 장치의 제조 과정에서 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 데 사용할 수 있다.According to a first aspect of the present invention, a die-bonding film is provided. This die-bond film was evaluated for the yield point strength (yield point) in a tensile test carried out on a die-bond film test piece having a width of 10 mm under the conditions of an initial chuck distance of 10 mm, 23 캜 and a tensile rate of 300 mm / ) Is 15 N or less and the breaking strength (force required for breaking) in the above test is 15 N or less and the breaking elongation in the above test (the ratio of the length of elongation at break to the length before elongation ) Is 40 to 400%. In the present invention, the yield point strength is preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less, and the breaking strength is preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less, , Preferably 40 to 350%, and more preferably 40 to 300%. The die-bonding film having such a constitution can be used to obtain a semiconductor chip with a die-bonding film in the process of manufacturing a semiconductor device in a form adhered to the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape.

반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 전술한 바와 같이, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 데에는, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 할단용 익스팬드 공정이 실시되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름의 일 구성 요소를 이루는 다이 본드 필름에 있어서, 폭 10㎜의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10㎜, 23℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하이고, 파단 강도가 15N 이하이며, 또한 파단 신도가 40 내지 400％라는 상기 구성은, 당해 다이 본드 필름이 비교적 두꺼운 경우라도, 익스팬드 공정에 있는 다이 본드 필름에 대하여, 그 할단 예정 개소에 할단을 발생시키면서도 다이싱 테이프 위로부터의 비산을 억제하는 데 적합하다는 사실을 본 발명자들은 알아내었다. 예를 들어, 후술하는 실시예 및 비교예로써 나타내는 바와 같다.In the manufacturing process of the semiconductor device, as described above, there is a case where the cutting process for cutting is performed using a dicing die-bonding film in order to obtain a semiconductor chip with a die-bonding film. In the die-bonding film constituting one component of the dicing die-bonding film, tensile test was performed on a die-bond film test piece having a width of 10 mm at an initial chuck distance of 10 mm, 23 캜 and a tensile rate of 300 mm / , The breaking strength is 15 N or less, the breaking strength is 15 N or less, and the elongation at break is 40 to 400%, even when the die-bonding film is relatively thick, The inventors of the present invention have found out that it is suitable for suppressing scattering from above the dicing tape while generating a cutoff at the place where the cutoff is to be made. For example, as shown in the following examples and comparative examples.

본 다이 본드 필름에서의, 상기 인장 시험에서의 파단 신도가 40 내지 400％, 바람직하게는 40 내지 350％, 보다 바람직하게는 40 내지 300％라는 상기 구성은, 익스팬드 공정에서, 당해 다이 본드 필름을 할단시키기 위한 인장 길이가 과대해지는 것을 방지하면서 당해 다이 본드 필름에 취성 파괴가 아니라 연성 파괴를 발생시키기 쉽게 하는 데 적합한 것이라 생각된다. 익스팬드 공정에서는, 연성 파괴가 발생하기 쉬운 다이 본드 필름일수록, 할단용 응력이 당해 필름의 할단 예정 개소까지 전달되기 쉽고, 따라서, 할단 예정 개소에서 할단되기 쉽다.In the present die-bond film, the above-mentioned constitution in which the elongation at break in the tensile test is 40 to 400%, preferably 40 to 350%, more preferably 40 to 300% It is considered that the die-bonding film is suitable for facilitating generation of ductile fracture instead of brittle failure. In the expanding process, a die-bonding film susceptible to ductile fracture tends to transmit stress for cutting to the site where the film is to be cut, and therefore, it is liable to be cut at a position to be cut.

본 다이 본드 필름에서의, 상기 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이며, 또한 파단 강도가 15N 이하, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하라는 상기 구성은, 할단용 익스팬드 공정에서의 다이 본드 필름의 신장 과정 및 파단 과정에서 당해 필름 내부에 축적되는 변형 에너지를 억제하는 데 적합한 것이라 생각된다. 익스팬드 공정에서는, 신장 과정 및 파단 과정에서의 내부 축적 변형 에너지가 작은 다이 본드 필름일수록, 그 노출 영역(워크에 덮여 있지 않은 영역)에서 파단되어 필름편이 비산되는 현상은 발생하기 어렵다.In the present die-bond film, the yield strength in the tensile test is 15 N or less, preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less, and the breaking strength is 15 N or less, preferably 12 N or less, more preferably 10 N Is considered to be suitable for suppressing the strain energy accumulated in the film during the elongating process and the breaking process of the die-bonding film in the expanding process for cutting. In the expanding process, the phenomenon that the die-bending film having small internal strain deformation energy in the elongating process and the breaking process is less likely to be broken in the exposed area (area not covered with the work) and scattering the film piece.

이상과 같이, 본 발명의 제1 측면에 따른 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층측에 밀착된 형태에서 할단용 익스팬드 공정에 사용되는 경우에, 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합한 것이다.INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the die-bonding film according to the first aspect of the present invention is suitable for suppressing scattering while achieving good breaking when it is used in a spreading step in a form adhered to the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape will be.

본 다이 본드 필름의 두께는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상, 보다 바람직하게는 80㎛ 이상이다. 이와 같은 구성은, 실장 기판에 와이어 본딩 실장된 제1 반도체 칩을 당해 제1 반도체 칩에 접속된 본딩 와이어의 전체 또는 일부와 함께 포매하면서 실장 기판에 제2 반도체 칩을 접합하는 접착제층 형성용 접착 필름(반도체 칩 포매용의 두꺼운 접착 필름)으로서 본 다이 본드 필름을 사용하는 데 적합하다. 또는, 다이 본드 필름의 두께에 관한 당해 구성은, 실장 기판에 와이어 본딩 실장된 제1 반도체 칩의 본딩 와이어 접속 개소를 덮어 당해 본딩 와이어의 일부를 포매하면서 제1 반도체 칩에 제2 반도체 칩을 접합하는 접착제층 형성용 접착 필름(본딩 와이어의 부분적 포매를 수반하는 반도체 칩 간 접합용의 두꺼운 접착 필름)으로서 본 다이 본드 필름을 사용하는 데 적합하다. 또는, 다이 본드 필름의 두께에 관한 당해 구성은, 실장 기판에 플립 칩 실장된 제1 반도체 칩을 포매하면서 실장 기판에 제2 반도체 칩을 접합하는 접착제층 형성용 접착 필름(칩 포매용의 두꺼운 접착 필름)으로서 본 다이 본드 필름을 사용하는 데 적합하다. 또한, 본 다이 본드 필름의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 160㎛ 이하, 보다 바람직하게는 120㎛ 이하이다. 이와 같은 구성은, 본 다이 본드 필름에 대한 항복점 강도나 파단 강도, 파단 신도가 과대해지는 것을 방지하여, 상기 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하이고, 파단 강도가 15N 이하이며, 또한 파단 신도가 40 내지 400％라는 상기 구성을 실현하는 데 있어서 바람직하다.The thickness of the present die-bonding film is preferably 40 占 퐉 or more, more preferably 60 占 퐉 or more, and more preferably 80 占 퐉 or more. This configuration is advantageous in that the first semiconductor chip, which is wire-bonded and mounted on the mounting board, is embedded together with all or a part of the bonding wire connected to the first semiconductor chip, and the adhesive for forming the adhesive layer for bonding the second semiconductor chip to the mounting substrate It is suitable for using the die-bond film as a film (thick adhesive film for semiconductor chip embossing). Alternatively, the constitution relating to the thickness of the die-bonding film may be such that the bonding wire connecting portion of the first semiconductor chip, which is wire-bonded to the mounting board, is covered to join a part of the bonding wire, (A thick adhesive film for bonding between semiconductor chips accompanied by the partial embedding of a bonding wire) for forming an adhesive layer on the surface of the substrate. Alternatively, the constitution relating to the thickness of the die-bonding film is preferably an adhesive film for bonding the second semiconductor chip to the mounting substrate while embedding the first semiconductor chip flip-chip mounted on the mounting board Film) suitable for use with the present die-bond film. The thickness of the die-bond film is preferably 200 占 퐉 or less, more preferably 160 占 퐉 or less, and more preferably 120 占 퐉 or less. Such a configuration prevents the yield point strength, the breaking strength and the elongation at break of the present die-bonding film from becoming excessive, so that the yield point strength in the tensile test is 15 N or less, the breaking strength is 15 N or less, To 400%. ≪ / RTI >

본 다이 본드 필름의 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 300Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 700Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 1000Pa·s 이상이다. 본 다이 본드 필름의 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 5000Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4500Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4000Pa·s 이하이다. 다이 본드 필름의 점도에 관한 이들 구성은, 반도체 칩이나 본딩 와이어의 포매를 수반하는 접착제층을 형성하기 위한 상기 각종 두꺼운 접착 필름으로서 본 다이 본드 필름을 사용하는 데 있어서 적합하다.The viscosity of the present die-bond film in an uncured state at 120 캜 is preferably 300 Pa · s or more, more preferably 700 Pa · s or more, and even more preferably 1000 Pa · s or more. The viscosity of the present die-bond film in an uncured state at 120 캜 is preferably 5,000 Pa · s or less, more preferably 4,500 Pa · s or less, and further preferably 4,000 Pa · s or less. These configurations relating to the viscosity of the die-bonding film are suitable for use with the present die-bonding film as the various thick adhesive films for forming an adhesive layer involving the formation of a semiconductor chip or a bonding wire.

본 다이 본드 필름은 바람직하게는 무기 필러를 함유하고, 본 다이 본드 필름에서의 무기 필러의 함유량은, 바람직하게는 10질량％ 이상, 보다 바람직하게는 20질량％ 이상, 보다 바람직하게는 30질량％ 이상이다. 또한, 본 다이 본드 필름이 무기 필러를 함유하는 경우의 무기 필러 함유량은, 바람직하게는 50질량％ 이하, 보다 바람직하게는 45질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다. 접착제층 형성용 필름 내의 무기 필러 함유량이 증대될수록, 당해 필름의 파단 신도는 작아지는 경향이 있고 또한 항복점 강도는 커지는 경향이 있는바, 본 다이 본드 필름에서의 무기 필러 함유량에 관한 당해 구성은, 본 다이 본드 필름의 노출 영역(워크에 덮여 있지 않은 영역)에서 파단되어 필름편이 비산된다는 전술한 현상을 억제하는 데 적합하다.The present die-bond film preferably contains an inorganic filler, and the content of the inorganic filler in the present die-bonding film is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, still more preferably 30% Or more. When the die-bonding film contains an inorganic filler, the content of the inorganic filler is preferably 50 mass% or less, more preferably 45 mass% or less, and even more preferably 40 mass% or less. As the content of the inorganic filler in the adhesive layer-forming film is increased, the elongation at break of the film tends to decrease and the yield point strength tends to increase. The composition of the inorganic filler in the present die- It is suitable for suppressing the above-described phenomenon that the film is ruptured in the exposed area (area not covered with the work) of the die-bonding film.

본 다이 본드 필름은 바람직하게는 유기 필러를 함유하고, 본 다이 본드 필름에서의 유기 필러의 함유량은, 바람직하게는 2질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5％ 이상, 보다 바람직하게는 8질량％ 이상이다. 또한, 본 다이 본드 필름이 유기 필러를 함유하는 경우의 유기 필러 함유량은, 바람직하게는 20질량％ 이하, 보다 바람직하게는 17질량％ 이하, 보다 바람직하게는 15질량％ 이하이다. 본 다이 본드 필름에서의 유기 필러 함유량에 관한 당해 구성은, 본 다이 본드 필름의 항복점 강도 및 파단 강도를 적정 범위로 제어하는 데 있어서 적합하다.The present die-bond film preferably contains an organic filler, and the content of the organic filler in the present die-bond film is preferably at least 2% by mass, more preferably at least 5% by mass, more preferably at least 8% by mass to be. When the die-bond film contains an organic filler, the content of the organic filler is preferably 20 mass% or less, more preferably 17 mass% or less, and further preferably 15 mass% or less. The constitution relating to the organic filler content in the present die-bond film is suitable for controlling the yield point strength and the breaking strength of the present die-bond film in an appropriate range.

본 다이 본드 필름은, 바람직하게는 유리 전이 온도가 -40 내지 10℃의 아크릴 수지를 함유한다. 이와 같은 구성은, 본 다이 본드 필름에 대하여 상기 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하라는 상기 구성을 실현하는 데 있어서 적합하다.The present die-bond film preferably contains an acrylic resin having a glass transition temperature of -40 to 10 占 폚. Such a configuration is suitable for realizing the above-described structure in which the yield point strength in the tensile test is 15 N or less with respect to the present die-bonding film.

본 발명의 제2 측면에 의하면, 다이싱 다이 본드 필름이 제공된다. 이 다이싱 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프와, 본 발명의 제1 측면에 따른 전술한 다이 본드 필름을 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재 및 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 본 발명의 제1 측면에 따른 다이 본드 필름을 구비하는 이러한 다이싱 다이 본드 필름은, 할단용 익스팬드 공정에 사용되는 경우에, 다이 본드 필름에 있어서 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합하다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a dicing die-bonding film. The dicing die-bonding film comprises a dicing tape and the above-described die-bonding film according to the first aspect of the present invention. The dicing tape has a laminated structure including a base material and a pressure-sensitive adhesive layer. The die-bonding film is adhered to the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape in a peelable manner. Such a dicing die-bonding film having the die-bonding film according to the first aspect of the present invention is suitable for suppressing scattering while achieving good cutoff in the die-bonding film when used in the expanding step for cutting .

본 발명의 제3 측면에 의하면, 반도체 장치 제조 방법이 제공된다. 이 반도체 장치 제조 방법은, 다음의 제1 공정 및 제2 공정을 포함한다. 제1 공정에서는, 본 발명의 제2 측면에 따른 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이 본드 필름 위에 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼, 또는 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼 분할체를 접합한다. 제2 공정에서는, 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프를 익스팬드함으로써, 다이 본드 필름을 할단하여 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는다. 본 발명의 제1 측면에 따른 다이 본드 필름을 구비하는 다이싱 다이 본드 필름이 사용되어 행해지는 제2 공정 즉 할단용 익스팬드 공정을 포함하는 본 반도체 장치 제조 방법은, 당해 익스팬드 공정에 있는 다이 본드 필름에 있어서 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합하다.According to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing method. This semiconductor device manufacturing method includes the following first and second steps. In the first step, a semiconductor wafer which can be separated into a plurality of semiconductor chips or a semiconductor wafer divided body including a plurality of semiconductor chips is bonded onto the die-bonding film in the dicing die-bonding film according to the second aspect of the present invention . In the second step, the dicing tape in the dicing die-bonding film is expanded to remove the die-bonding film to obtain a semiconductor chip with a die-bonding film. The present semiconductor device manufacturing method including the second step, that is, the expanding step for cutting, using a dicing die-bonding film having a die-bonding film according to the first aspect of the present invention, It is suitable for suppressing scattering while realizing good breaking in the bond film.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 단면 모식도이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 3은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 4는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 5는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 6은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 7은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 8은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 9는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 10은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 11은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 12는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 13은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 14는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 15는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.1 is a schematic cross-sectional view of a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 shows a part of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment of the present invention.
Fig. 3 shows a part of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment of the present invention.
4 shows a part of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment of the present invention.
5 shows a part of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment of the present invention.
Fig. 6 shows a part of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment of the present invention.
Fig. 7 shows a part of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment of the present invention.
Fig. 8 shows a part of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment of the present invention.
Fig. 9 shows a part of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment of the present invention.
Fig. 10 shows a part of steps in the semiconductor device manufacturing method according to the embodiment of the present invention.
11 shows a part of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment of the present invention.
12 shows a part of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment of the present invention.
13 shows a part of steps in the semiconductor device manufacturing method according to the embodiment of the present invention.
Fig. 14 shows a part of steps in a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
Fig. 15 shows a part of steps in a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름 X의 단면 모식도이다. 다이싱 다이 본드 필름 X는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이 본드 필름(10)과 다이싱 테이프(20)를 포함하는 적층 구조를 갖는다. 다이싱 테이프(20)는, 기재(21)와 점착제층(22)을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 점착제층(22)은, 다이 본드 필름(10)측에 점착면(22a)을 갖는다. 다이 본드 필름(10)은, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22) 내지 그 점착면(22a)에 박리 가능하게 밀착하고 있다. 다이싱 다이 본드 필름 X는, 반도체 장치의 제조에 있어서 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 과정에서의 예를 들어 후기와 같은 익스팬드 공정에 사용할 수 있는 것이다. 또한, 다이싱 다이 본드 필름 X는, 반도체 장치의 제조 과정에서의 워크인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈의 원판 형상을 갖고, 그 직경은, 예를 들어 345 내지 380㎜의 범위 내(12인치 웨이퍼 대응형), 245 내지 280㎜의 범위 내(8인치 웨이퍼 대응형), 495 내지 530㎜의 범위 내(18인치 웨이퍼 대응형), 또는 195 내지 230㎜의 범위 내(6인치 웨이퍼 대응형)에 있다.1 is a cross-sectional schematic diagram of a dicing die-bonding film X according to an embodiment of the present invention. The dicing die-bonding film X has a laminated structure including the die-bonding film 10 and the dicing tape 20 according to the embodiment of the present invention. The dicing tape 20 has a laminated structure including a base material 21 and a pressure-sensitive adhesive layer 22. The pressure-sensitive adhesive layer 22 has an adhesive surface 22a on the die-bonding film 10 side. The die-bonding film 10 is adhered to the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 or its adhesive surface 22a in a peelable manner. The dicing die-bonding film X can be used in an expansion process such as the later stage in the process of obtaining a semiconductor chip with a die-bonding film in the production of a semiconductor device. The dicing die-bonding film X has a circular plate shape corresponding to a semiconductor wafer, which is a work in the process of manufacturing a semiconductor device, and its diameter is within a range of, for example, 345 to 380 mm (18 inch wafer compatible type) or 195 to 230 mm (6 inch wafer compatible type) in the range of 245 to 280 mm (8 inch wafer compatible type), 495 to 530 mm .

다이싱 다이 본드 필름 X에서의 다이 본드 필름(10)은, 열경화성을 나타내는 다이 본딩용 접착제로서 기능할 수 있는 구성을 갖는다. 다이 본드 필름(10)은, 수지 성분으로서, 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 되고, 경화제와 반응하여 결합을 발생할 수 있는 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 된다. 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 다이 본드 필름(10)이 갖는 경우, 당해 다이 본드 필름(10)은 열경화성 수지를 더 포함할 필요는 없다. 이러한 다이 본드 필름(10)은, 단층 구조를 가져도 되고, 인접층 간에서 조성이 서로 다른 다층 구조를 가져도 된다.The die-bonding film 10 in the dicing die-bonding film X has a structure capable of functioning as an adhesive for die bonding that exhibits thermosetting property. The die bond film 10 may have a composition including a thermosetting resin and a thermoplastic resin as a resin component and a composition including a thermoplastic resin accompanied by a thermosetting functional group capable of reacting with the curing agent to cause bonding. When the die-bonding film 10 has a composition including a thermoplastic resin with a thermosetting functional group, the die-bonding film 10 need not further include a thermosetting resin. Such a die-bonding film 10 may have a single-layer structure or a multi-layer structure in which the composition is different between adjacent layers.

다이 본드 필름(10)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우의 당해 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 및 열경화성 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)은, 1종류의 열경화성 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열경화성 수지를 함유해도 된다. 에폭시 수지는, 다이 본딩 대상인 반도체 칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 경향이 있다는 점에서, 다이 본드 필름(10) 중의 열경화성 수지로서 바람직하다. 또한, 에폭시 수지에 열경화성을 발현시키기 위한 경화제로서는, 페놀 수지가 바람직하다.As the thermosetting resin in the case where the die-bonding film 10 has a composition including a thermosetting resin and a thermoplastic resin, for example, an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, Polyimide resin. The die-bonding film 10 may contain one type of thermosetting resin or two or more types of thermosetting resins. The epoxy resin is preferable as the thermosetting resin in the die-bonding film 10 because the content of ionic impurities or the like which may cause corrosion of the semiconductor chip to be die-bonding tends to be small. As the curing agent for imparting the thermosetting property to the epoxy resin, a phenol resin is preferable.

에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 및 글리시딜아민형의 에폭시 수지를 들 수 있다. 페놀노볼락형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 및 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하며 또한 내열성이 우수하다는 점에서, 다이 본드 필름(10) 중의 에폭시 수지로서 바람직하다.Examples of the epoxy resin include epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type, And epoxy resins of the orthocresol novolak type, the trishydroxyphenylmethane type, the tetraphenylol ethane type, the hydantoin type, the trisglycidyl isocyanurate type and the glycidyl amine type. Phenol novolak type epoxy resins, orthocresol novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenyl methane type epoxy resins and tetraphenylol ethane type epoxy resins are rich in reactivity with phenol resins as curing agents And is preferable as an epoxy resin in the die-bonding film 10 because of its excellent heat resistance.

에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 및 노닐페놀노볼락 수지를 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)은, 에폭시 수지의 경화제로서, 1종류의 페놀 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 페놀 수지를 함유해도 된다. 페놀노볼락 수지나 페놀아르알킬 수지는, 다이 본딩용 접착제로서의 에폭시 수지의 경화제로서 사용되는 경우에 당해 접착제의 접속 신뢰성을 향상시키는 경향이 있으므로, 다이 본드 필름(10) 중의 에폭시 수지용 경화제로서 바람직하다.Examples of the phenol resin which can act as a curing agent of the epoxy resin include novolak type phenol resins, resol type phenol resins, and polyoxystyrenes such as polyparaxyxstyrene. Examples of the novolak-type phenol resin include phenol novolac resins, phenol aralkyl resins, cresol novolac resins, tert-butylphenol novolac resins, and nonylphenol novolac resins. The die-bonding film 10 may contain one kind of phenol resin as a curing agent of the epoxy resin, or may contain two or more kinds of phenolic resins. Phenol novolak resin or phenol aralkyl resin tends to improve connection reliability of the adhesive when it is used as a curing agent of an epoxy resin as an adhesive for die bonding, and therefore is preferable as a curing agent for an epoxy resin in the die- Do.

다이 본드 필름(10)이 에폭시 수지와 그의 경화제로서의 페놀 수지를 함유하는 경우, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대해서 페놀 수지 중의 수산기가 바람직하게는 0.5 내지 2.0당량, 보다 바람직하게는 0.8 내지 1.2당량인 비율로, 양쪽 수지는 배합된다. 이와 같은 구성은, 다이 본드 필름(10)의 경화에 있어서 당해 에폭시 수지 및 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시키는 데 있어서 바람직하다.When the die-bonding film 10 contains an epoxy resin and a phenol resin as its curing agent, the hydroxyl group in the phenolic resin is preferably 0.5 to 2.0 equivalents, more preferably 0.8 to 1.2 equivalents, per equivalent of epoxy group in the epoxy resin As a ratio, both resins are blended. Such a constitution is preferable in sufficiently accelerating the curing reaction of the epoxy resin and the phenolic resin in the curing of the die-bonding film 10. [

다이 본드 필름(10)에서의 열경화성 수지의 함유 비율은, 다이 본드 필름(10)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킨다는 관점에서는, 바람직하게는 5 내지 60질량％, 보다 바람직하게는 10 내지 50질량％이다.The content ratio of the thermosetting resin in the die-bonding film 10 is preferably 5 to 60 mass%, more preferably 10 (mass%) to 10 mass% from the viewpoint of appropriately expressing the function of the thermosetting adhesive in the die- To 50% by mass.

다이 본드 필름(10) 중의 열가소성 수지는 예를 들어 바인더 기능을 담당하는 것이며, 다이 본드 필름(10)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우의 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 아크릴 수지, 천연고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트나 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 및 불소 수지를 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)은, 1종류의 열가소성 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열가소성 수지를 함유해도 된다. 아크릴 수지는, 이온성 불순물이 적고 또한 내열성이 높기 때문에, 다이 본드 필름(10) 중의 열가소성 수지로서 바람직하다.The thermoplastic resin in the die-bonding film 10 is, for example, responsible for a binder function. The thermoplastic resin in the case where the die-bonding film 10 has a composition comprising a thermosetting resin and a thermoplastic resin includes, for example, Wherein the thermoplastic polyimide resin is at least one selected from the group consisting of natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, And polyamide resins such as 6,6-nylon, phenoxy resins, saturated polyester resins such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, polyamideimide resins, and fluororesins. The die-bonding film 10 may contain one kind of thermoplastic resin or two or more kinds of thermoplastic resins. The acrylic resin is preferable as the thermoplastic resin in the die-bonding film 10 because it has few ionic impurities and high heat resistance.

다이 본드 필름(10)이 열가소성 수지로서 아크릴 수지를 함유하는 경우의 당해 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 「(메트)아크릴」은, 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」을 의미하는 것으로 한다. In the case where the die-bonding film 10 contains an acrylic resin as the thermoplastic resin, the acrylic resin most preferably contains the monomer units derived from the (meth) acrylic acid ester in the most by mass ratio. &Quot; (Meth) acrylic " means " acrylic " and / or " methacrylic ".

아크릴 수지의 단량체 유닛을 이루기 위한 (메트)아크릴산에스테르, 즉 아크릴 수지의 구성 단량체인 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및 (메트)아크릴산아릴에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸 에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르(즉 라우릴에스테르), 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 및 에이코실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 시클로펜틸에스테르 및 시클로헥실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 페닐 및 (메트)아크릴산 벤질을 들 수 있다. 아크릴 수지의 구성 단량체로서, 1종류의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 된다. 또한, 아크릴 수지는, 그것을 형성하기 위한 원료 단량체를 중합하여 얻을 수 있다. 중합 방법으로서는, 예를 들어 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 및 현탁 중합을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylate ester which is a constituent monomer of an acrylic resin, that is, a (meth) acrylic ester for forming a monomer unit of an acrylic resin include alkyl Acrylic acid aryl esters. Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include methyl esters, ethyl esters, isopropyl esters, butyl esters, isobutyl esters, s-butyl esters, t-butyl esters, pentyl esters, iso Isohexyl ester, isooctyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester (ie, lauryl ester), tridecyl ester, Tetradecyl ester, hexadecyl ester, octadecyl ester, and eicosyl ester. (Meth) acrylic acid cycloalkyl esters include, for example, cyclopentyl esters and cyclohexyl esters of (meth) acrylic acid. Examples of (meth) acrylic acid aryl esters include phenyl (meth) acrylate and benzyl (meth) acrylate. As the constituent monomers of the acrylic resin, one type of (meth) acrylic acid ester may be used, or two or more kinds of (meth) acrylic acid esters may be used. The acrylic resin can be obtained by polymerizing raw monomers for forming the acrylic resin. Examples of the polymerization method include solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization.

아크릴 수지는, 예를 들어 그 응집력이나 내열성의 개질을 위해서, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 1종류의 또는 2종류 이상의 다른 단량체를 구성 단량체로 해도 된다. 그러한 단량체로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 단량체, 산 무수물 단량체, 히드록시기 함유 단량체, 에폭시기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 아크릴아미드, 및 아크릴로니트릴을 들 수 있다. 카르복시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, (메트)아크릴산 카르복시에틸, (메트)아크릴산 카르복시펜틸, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 및 크로톤산을 들 수 있다. 산 무수물 단량체로서는, 예를 들어 무수 말레산 및 무수 이타콘산을 들 수 있다. 히드록시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, 및 (메트)아크릴산(4-히드록시메틸시클로헥실)메틸을 들 수 있다. 에폭시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 글리시딜 및 (메트)아크릴산 메틸글리시딜을 들 수 있다. 술폰산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산을 들 수 있다. 인산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트를 들 수 있다.For the acrylic resin, for example, one kind or two or more kinds of other monomers copolymerizable with the (meth) acrylic acid ester may be used as a constituent monomer for the purpose of modifying the cohesive force and the heat resistance. Examples of such monomers include carboxyl group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxyl group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, acrylamide and acrylonitrile. Examples of the carboxy group-containing monomer include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid. Examples of the acid anhydride monomers include maleic anhydride and itaconic anhydride. Examples of the hydroxyl group-containing monomer include (meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth) acrylate 4-hydroxybutyl, (meth) (Meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl. Examples of the epoxy group-containing monomer include glycidyl (meth) acrylate and methylglycidyl (meth) acrylate. Examples of the sulfonic acid group-containing monomer include styrene sulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid. have. As the phosphate group-containing monomer, for example, 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate can be mentioned.

다이 본드 필름(10)에 있어서 높은 응집력을 실현한다는 관점에서는, 다이 본드 필름(10)에 포함되는 아크릴 수지는, 바람직하게는 아크릴산 부틸과 아크릴산 에틸과 아크릴로니트릴의 공중합체이다.From the viewpoint of achieving a high cohesive force in the die-bonding film 10, the acrylic resin contained in the die-bonding film 10 is preferably a copolymer of butyl acrylate, ethyl acrylate and acrylonitrile.

다이 본드 필름(10)이, 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우, 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 그러한 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 다이 본드 필름(10)에 함유되는 아크릴 수지의 구성 단량체로서 상기한 것과 마찬가지의 (메트)아크릴산에스테르를 사용할 수 있다. 한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기, 및 이소시아네이트기를 들 수 있다. 이들 중, 글리시딜기 및 카르복시기를 적합하게 사용할 수 있다. 즉, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지로서는, 글리시딜기 함유 아크릴 수지나 카르복시기 함유 아크릴 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에서의 열경화성 관능기의 종류에 따라서, 그와 반응을 발생할 수 있는 경화제가 선택된다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우, 경화제로서는, 에폭시 수지용 경화제로서 상기한 것과 마찬가지의 페놀 수지를 사용할 수 있다.When the die-bonding film 10 has a composition including a thermoplastic resin with a thermosetting functional group, for example, a thermosetting functional group-containing acrylic resin can be used as the thermoplastic resin. The acrylic resin for forming the thermosetting functional group-containing acrylic resin preferably contains a monomer unit derived from (meth) acrylic acid ester in a most mass ratio. As such a (meth) acrylic acid ester, for example, a (meth) acrylic acid ester similar to that described above as a constituent monomer of an acrylic resin contained in the die-bonding film 10 can be used. On the other hand, examples of the thermosetting functional group for forming the thermosetting functional group-containing acrylic resin include a glycidyl group, a carboxy group, a hydroxyl group, and an isocyanate group. Among them, a glycidyl group and a carboxyl group can be suitably used. That is, as the thermosetting functional group-containing acrylic resin, a glycidyl group-containing acrylic resin or a carboxyl group-containing acrylic resin can be suitably used. Depending on the kind of the thermosetting functional group in the thermosetting functional group-containing acrylic resin, a curing agent capable of reacting with the thermosetting functional group is selected. When the thermosetting functional group of the thermosetting functional group-containing acrylic resin is a glycidyl group, a phenol resin similar to that described above as a curing agent for an epoxy resin can be used as a curing agent.

다이 본딩을 위해서 경화되기 전의 다이 본드 필름(10)에 대하여, 어느 정도의 가교도를 실현하기 위해서는, 예를 들어 다이 본드 필름(10)에 포함되는 전술한 수지 성분의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하여 결합을 발생할 수 있는 다관능성 화합물을 가교제로서 다이 본드 필름 형성용 수지 조성물에 배합해 두는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성은, 다이 본드 필름(10)에 대하여, 고온하에서의 접착 특성을 향상시키는 데 있어서, 또한, 내열성의 개선을 도모하는 데 있어서 적합하다. 그러한 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물을 들 수 있다. 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 및 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물을 들 수 있다. 다이 본드 필름 형성용 수지 조성물에서의 가교제 함유량은, 당해 가교제와 반응하여 결합을 발생할 수 있는 상기 관능기를 갖는 수지 100질량부에 대해서, 형성되는 다이 본드 필름(10)의 응집력 향상의 관점에서는 바람직하게는 0.05질량부 이상이며, 형성되는 다이 본드 필름(10)의 접착력 향상의 관점에서는 바람직하게는 7질량부 이하이다. 또한, 다이 본드 필름(10)에서의 가교제로서는, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 폴리이소시아네이트 화합물과 병용해도 된다. In order to realize a certain degree of degree of crosslinking with respect to the die-bonding film 10 before curing for die bonding, for example, it is preferable to react with the functional group at the molecular chain terminal of the above-mentioned resin component contained in the die- It is preferable to blend a polyfunctional compound capable of forming a bond with a resin composition for forming a die bond film as a crosslinking agent. Such a configuration is suitable for improving the adhesive property at a high temperature to the die-bonding film 10 and for improving the heat resistance. As such a crosslinking agent, for example, a polyisocyanate compound can be mentioned. Examples of the polyisocyanate compound include tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylenediisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, and adducts of polyhydric alcohol and diisocyanate. The content of the cross-linking agent in the resin composition for die-bond film formation is preferably from the viewpoint of improving the cohesion of the formed die-bonding film 10 with respect to 100 parts by mass of the resin having the functional group capable of reacting with the cross- Is preferably not less than 0.05 part by mass and preferably not more than 7 parts by mass from the viewpoint of improving the adhesion of the die-bonding film 10 to be formed. As the crosslinking agent in the die-bonding film 10, other polyfunctional compounds such as an epoxy resin may be used in combination with the polyisocyanate compound.

다이 본드 필름(10)에 배합되는 상기의 아크릴 수지 및 상기 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -40 내지 10℃이다. 중합체의 유리 전이 온도에 대해서는, 하기 Fox의 식에 기초하여 구해지는 유리 전이 온도(이론값)를 이용할 수 있다. Fox의 식은, 중합체의 유리 전이 온도 Tg와, 당해 중합체에서의 구성 단량체별 단독중합체의 유리 전이 온도 Tgi의 관계식이다. 하기 Fox의 식에 있어서, Tg는 중합체의 유리 전이 온도(℃)를 나타내고, Wi는 당해 중합체를 구성하는 단량체 i의 중량 분율을 나타내고, Tgi는 단량체 i의 단독중합체의 유리 전이 온도(℃)를 나타낸다. 단독중합체의 유리 전이 온도에 대해서는 문헌값을 사용할 수 있는데, 예를 들어 「신고분자 문고 제7권 도료용 합성 수지 입문」(기타오카 교조 저, 고분자간행회, 1995년)이나 「아크릴에스테르 카탈로그(1997년도 판)」(미츠비시 레이온 가부시키가이샤)에는, 각종 단독중합체의 유리 전이 온도가 예시되어 있다. 한편, 단량체의 단독중합체 유리 전이 온도에 대해서는, 일본 특허공개 제2007-51271호 공보에 구체적으로 기재되어 있는 방법에 의해 구하는 것도 가능하다.The glass transition temperature of the acrylic resin and the thermosetting functional group-containing acrylic resin to be incorporated into the die-bonding film 10 is preferably -40 to 10 占 폚. As the glass transition temperature of the polymer, a glass transition temperature (theoretical value) determined based on the following Fox equation can be used. The formula of Fox is a relational expression of the glass transition temperature Tg of the polymer and the glass transition temperature Tgi of the homopolymer of the constituent monomers in the polymer. In the following Fox equation, Tg represents the glass transition temperature (占 폚) of the polymer, Wi represents the weight fraction of the monomer i constituting the polymer, Tgi represents the glass transition temperature (占 폚) of the homopolymer of the monomer i . For the glass transition temperature of the homopolymer, literature values can be used. For example, " Introduction of Synthetic Resin for Paint 7 of Kogaku Molecular Publishing House ", published by Kitaoka Kogyo Co., Year Edition) " (Mitsubishi Rayon Co., Ltd.), glass transition temperatures of various homopolymers are illustrated. On the other hand, the homopolymer glass transition temperature of the monomer can be determined by a method specifically disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2007-51271.

Fox의 식 1/(273+Tg)=Σ[Wi/(273+Tgi)]Fox's equation 1 / (273 + Tg) =? [Wi / (273 + Tgi)]

다이 본드 필름(10)은, 필러를 함유해도 된다. 다이 본드 필름(10)에 대한 필러의 배합은, 다이 본드 필름(10)의 탄성률이나, 항복점 강도, 파단 신도 등의 물성을 조정하는 데 있어서 바람직하다. 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있다. 필러는, 구형, 바늘형, 플레이크형 등의 각종 형상을 갖고 있어도 된다. 또한, 다이 본드 필름(10)은, 1종류의 필러를 함유해도 되고, 2종류 이상의 필러를 함유해도 된다.The die-bonding film 10 may contain a filler. The combination of the filler with the die-bonding film 10 is preferable for adjusting the physical properties such as the modulus of elasticity of the die-bonding film 10, the yield strength, and the elongation at break. Examples of the filler include an inorganic filler and an organic filler. The filler may have various shapes such as a spherical shape, a needle shape, and a flake shape. The die-bonding film 10 may contain one kind of filler or two or more kinds of fillers.

상기 무기 필러의 구성 재료로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화 알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카 및 비정질 실리카를 들 수 있다. 무기 필러의 구성 재료로서는, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 단체 금속이나, 합금, 아몰퍼스 카본, 그래파이트 등도 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)이 무기 필러를 함유하는 경우의 당해 무기 필러의 함유량은, 바람직하게는 10질량％ 이상, 보다 바람직하게는 20질량％ 이상, 보다 바람직하게는 30질량％ 이상이다. 또한, 상기 함유량은, 바람직하게는 50질량％ 이하, 보다 바람직하게는 45질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다.Examples of the constituent material of the inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, And amorphous silica. As the constituent material of the inorganic filler, a single metal such as aluminum, gold, silver, copper, and nickel, an alloy, amorphous carbon, graphite and the like can be mentioned. When the die-bonding film 10 contains an inorganic filler, the content of the inorganic filler is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and still more preferably 30% by mass or more. The content is preferably 50 mass% or less, more preferably 45 mass% or less, and still more preferably 40 mass% or less.

상기 유기 필러의 구성 재료로서는, 예를 들어 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 및 폴리에스테르이미드를 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)이 유기 필러를 함유하는 경우의 당해 유기 필러의 함유량은, 바람직하게는 2질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5질량％ 이상, 보다 바람직하게는 8질량％ 이상이다. 또한, 상기 함유량은, 바람직하게는 20질량％ 이하, 보다 바람직하게는 17질량％ 이하, 보다 바람직하게는 15질량％ 이하이다.The constituent material of the organic filler includes, for example, polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, polyetherimide, and polyesterimide. When the die-bonding film 10 contains an organic filler, the content of the organic filler is preferably 2% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and even more preferably 8% by mass or more. The content is preferably 20 mass% or less, more preferably 17 mass% or less, and further preferably 15 mass% or less.

다이 본드 필름(10)이 필러를 함유하는 경우의 당해 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 0.005 내지 10㎛, 보다 바람직하게는 0.05 내지 1㎛이다. 당해 필러의 평균 입경이 0.005㎛ 이상이라는 구성은, 다이 본드 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대한 높은 습윤성이나 접착성을 실현하는 데 있어서 적합하다. 당해 필러의 평균 입경이 10㎛ 이하라는 구성은, 다이 본드 필름(10)에 있어서 충분한 필러 첨가 효과를 얻음과 함께 내열성을 확보하는 데 있어서 적합하다. 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식의 입도 분포계(상품명 「LA-910」, 가부시키가이샤 호리바 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 구할 수 있다.When the die-bonding film 10 contains a filler, the average particle diameter of the filler is preferably 0.005 to 10 mu m, more preferably 0.05 to 1 mu m. The structure in which the average particle diameter of the filler is 0.005 탆 or more is suitable for realizing high wettability and adhesion to an adherend such as a semiconductor wafer in the die-bonding film 10. The structure in which the average particle diameter of the filler is not more than 10 mu m is suitable for obtaining sufficient filler addition effect and ensuring heat resistance in the die-bonding film 10. The average particle diameter of the filler can be obtained, for example, by using a particle size distribution meter (trade name " LA-910 " manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.) of a photometric system.

다이 본드 필름(10)은, 열경화 촉매를 함유해도 된다. 다이 본드 필름(10)에 대한 열경화 촉매의 배합은, 다이 본드 필름(10)의 경화에 있어서 수지 성분의 경화 반응을 충분히 진행시키거나, 경화 반응 속도를 높이는 데 있어서, 바람직하다. 그러한 열경화 촉매로서는, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물 및 트리할로겐보란계 화합물을 들 수 있다. 이미다졸계 화합물로서는, 예를 들어 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 및 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸을 들 수 있다. 트리페닐포스핀계 화합물로서는, 예를 들어 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐트릴포스핀, 테트라페닐포스포늄 브로마이드, 메틸트리페닐포스포늄, 메틸트리페닐포스포늄 클로라이드, 메톡시메틸트리페닐포스포늄 및 벤질트리페닐포스포늄 클로라이드를 들 수 있다. 트리페닐포스핀계 화합물에는, 트리페닐포스핀 구조와 트리페닐보란 구조를 병유하는 화합물도 포함되는 것으로 한다. 그와 같은 화합물로서는, 예를 들어 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라-p-트리보레이트, 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 및 트리페닐포스핀트리페닐보란을 들 수 있다. 아민계 화합물로서는, 예를 들어 모노에탄올아민트리플루오로보레이트 및 디시안디아미드를 들 수 있다. 트리할로겐보란계 화합물로서는, 예를 들어 트리클로로보란을 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)은, 1종류의 열경화 촉매를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열경화 촉매를 함유해도 된다.The die-bonding film 10 may contain a thermosetting catalyst. The combination of the thermosetting catalyst with respect to the die-bonding film 10 is preferable in sufficiently accelerating the curing reaction of the resin component in the curing of the die-bonding film 10 or increasing the curing reaction rate. Examples of such a thermal curing catalyst include imidazole-based compounds, triphenylphosphine-based compounds, amine-based compounds and trihalogenborane-based compounds. Examples of the imidazole compound include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl- 2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [ 2 '- undecylimidazolyl- (1')] - ethyl-s-triazine, 2, Methylaminoimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazole Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethyl, 2-phenyl-4, 5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl- ≪ / RTI > Examples of the triphenylphosphine compound include triphenylphosphine, tributylphosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) phosphine, diphenyltriphosphine, tetraphenylphosphonium bromide, methyl Triphenylphosphonium, methyltriphenylphosphonium chloride, methoxymethyltriphenylphosphonium, and benzyltriphenylphosphonium chloride. The triphenylphosphine-based compound also includes a compound having a triphenylphosphine structure and a triphenylborane structure. Examples of such compounds include tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate, benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate, and triphenylphosphine triphenylborane. Examples of the amine compound include monoethanolamine trifluoro borate and dicyandiamide. As the trihalogenborane compound, for example, trichloroborane can be mentioned. The die-bonding film 10 may contain one type of thermosetting catalyst or two or more types of thermosetting catalysts.

다이 본드 필름(10)은, 필요에 따라 1종류의 또는 2종류 이상의 다른 성분을 함유해도 된다. 당해 다른 성분으로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 및 이온 트랩제를 들 수 있다. 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬 및 브롬화 에폭시 수지를 들 수 있다. 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란을 들 수 있다. 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화 비스무트, 함수 산화안티몬(예를 들어 도아 고세이 가부시키가이샤 제조의 「IXE-300」), 특정 구조의 인산 지르코늄(예를 들어 도아 고세이 가부시키가이샤 제조의 「IXE-100」), 규산마그네슘(예를 들어 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 「교와드 600」), 및 규산알루미늄(예를 들어 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 「교와드 700」)을 들 수 있다. 금속 이온 사이에서 착체를 형성할 수 있는 화합물도 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 및 비피리딜계 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 금속 이온 사이에서 형성되는 착체의 안정성의 관점에서는 트리아졸계 화합물이 바람직하다. 그러한 트리아졸계 화합물로서는, 예를 들어 1,2,3-벤조트리아졸, 1-{N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸}벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3-t-부틸-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)벤조트리아졸, 6-(2-벤조트리아졸릴)-4-t-옥틸-6'-t-부틸-4'-메틸-2,2'-메틸렌비스페놀, 1-(2,3-디히드록시프로필)벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시디에틸)벤조트리아졸, 1-(2-에틸헥실아미노메틸)벤조트리아졸, 2,4-디-t-펜틸-6-{(H-벤조트리아졸-1-일)메틸}페놀, 2-(2-히드록시-5-t-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸, 옥틸-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-에틸헥실-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-t-부틸페놀, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)-벤조트리아졸, 2-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로-벤조트리아졸, 2-[2-히드록시-3,5-디(1,1-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀], (2-[2-히드록시-3,5-비스(α,α-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 및 메틸-3-[3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-t-부틸-4-히드록시페닐]프로피오네이트를 들 수 있다. 또한, 퀴놀 화합물이나, 히드록시 안트라퀴논 화합물, 폴리페놀 화합물 등의 소정의 수산기 함유 화합물도, 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 수산기 함유 화합물로서는, 구체적으로는, 1,2-벤젠디올, 알리자린, 안트라루핀, 탄닌, 갈산, 갈산 메틸 및 피로갈롤을 들 수 있다.The die-bonding film 10 may contain one kind or two or more kinds of other components as necessary. Examples of other components include flame retardants, silane coupling agents, and ion trap agents. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin. Examples of the silane coupling agent include? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane, and? -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane. have. Examples of the ion trap agent include hydrotalcites, bismuth hydroxide, antimony oxide (e.g., " IXE-300 ", manufactured by Toagosei Co., Ltd.), zirconium phosphate having a specific structure (E.g., " IXE-100 " manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.), magnesium silicate (e.g., " Kyowade 600 ", manufactured by Kyowa Kagaku Kogyo K.K.) &Quot; Kyo Ward 700 "). A compound capable of forming a complex between metal ions can also be used as an ion trap agent. Examples of such compounds include triazole-based compounds, tetrazole-based compounds, and bipyridyl-based compounds. Of these, triazole-based compounds are preferable from the viewpoint of the stability of the complex formed between the metal ions. Examples of such triazole compounds include 1,2,3-benzotriazole, 1- {N, N-bis (2-ethylhexyl) aminomethyl} benzotriazole, carboxybenzotriazole, 2- (2-hydroxy-3-t-butylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2-hydroxy- Butylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2-hydroxy-3,5-di-t-amylphenyl) benzotriazole, 2- Phenyl) benzotriazole, 6- (2-benzotriazolyl) -4-t-octyl-6'- Dihydroxypropyl) benzotriazole, 1- (1,2-dicarboxydiethyl) benzotriazole, 1- (2-ethylhexylaminomethyl) benzotriazole, 2,4- Benzotriazole, octyl-3- [3-t-butyl-4-methylphenol, 2- (2-hydroxy- Phenyl] propionate, 2-ethylhexyl-3- [3-t-butoxycarbonylamino] Phenyl) propionate, 2- (2H-benzotriazol-2-yl) -6- (1-methyl 2- (2H-benzotriazol-2-yl) -4-t-butylphenol, 2- (2- 2-hydroxy-5-methylphenyl) benzotriazole, 2- (2-hydroxy-5-t-octylphenyl) (2-hydroxy-3,5-di-t-butylphenyl) benzotriazole, 2- (2-hydroxy- Benzotriazole, 2,2'-methylenebis [6- (2H) -phenyl] -2H-benzotriazole, 2- [2-hydroxy- 4- (1,1,3,3-tetramethylbutyl) phenol], (2- [2-hydroxy-3,5-bis (?,? - dimethylbenzyl) Phenyl] -2H-benzotriazole, and methyl-3- [3- (2H-benzotriazol-2-yl) -5-t-butyl-4-hydroxyphenyl] propionate. , A quinoline compound, a hydroxyanthraquinone Hydroxyl group-containing compounds such as certain compound, the polyphenol compound also can be used as the ion trap. Specific examples of such hydroxyl group-containing compounds include 1,2-benzene diol, alizarin, anthroline, tannin, gallic acid, methyl gallate and pyrogallol.

다이 본드 필름(10)의 두께는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상, 보다 바람직하게는 80㎛ 이상이다. 또한, 본 다이 본드 필름의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 160㎛ 이하, 보다 바람직하게는 120㎛ 이하이다.The thickness of the die-bonding film 10 is preferably 40 占 퐉 or more, more preferably 60 占 퐉 or more, and more preferably 80 占 퐉 or more. The thickness of the die-bond film is preferably 200 占 퐉 or less, more preferably 160 占 퐉 or less, and more preferably 120 占 퐉 or less.

다이 본드 필름(10)은, 폭 10㎜의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10㎜, 23℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 항복점 강도가, 15N 이하이고, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이다. 이와 함께, 다이 본드 필름(10)은, 상기 시험에서의 파단 강도가, 15N 이하이고, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이다. 이와 함께, 다이 본드 필름(10)은, 상기 시험에서의 파단 신도가, 40 내지 400％이며, 바람직하게는 40 내지 350％, 보다 바람직하게는 40 내지 300％이다. 이들 항복점 강도, 파단 강도, 및 파단 신도에 대해서는, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 측정할 수 있다. 또한, 다이 본드 필름(10)에서의 항복점 강도, 파단 강도, 및 파단 신도의 조정은, 다이 본드 필름(10)에서의 무기 필러 및/또는 유기 필러의 배합량의 제어나, 다이 본드 필름(10) 중의 전술한 아크릴 수지의 유리 전이 온도의 제어 등에 의해 행하는 것이 가능하다.The die-bonding film 10 has a yield point strength of 15 N or less in a tensile test performed on a 10 mm-wide die-bonding film test piece under the conditions of an initial chuck distance of 10 mm, 23 ° C, and a tensile rate of 300 mm / , Preferably 12 N or less, and more preferably 10 N or less. In addition, the die-bonding film 10 has a breaking strength of 15 N or less, preferably 12 N or less, and more preferably 10 N or less in the above test. In addition, the die-bonding film 10 has a elongation at break of 40 to 400%, preferably 40 to 350%, and more preferably 40 to 300% in the above test. The yield point strength, fracture strength, and elongation at break can be measured using a tensile tester (trade name "Autograph AGS-J" manufactured by Shimadzu Seisakusho Co., Ltd.). The adjustment of the yield point strength, fracture strength and elongation at break of the die-bonding film 10 can be controlled by controlling the compounding amount of the inorganic filler and / or organic filler in the die-bonding film 10, For example, by controlling the glass transition temperature of the above-mentioned acrylic resin.

다이 본드 필름(10)의 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 300Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 700Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 1000Pa·s 이상이다. 또한, 다이 본드 필름(10)의 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 5000Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4500Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4000Pa·s 이하이다.The viscosity at 120 DEG C in the uncured state of the die-bonding film 10 is preferably 300 Pa · s or more, more preferably 700 Pa · s or more, and even more preferably 1000 Pa · s or more. The viscosity at 120 deg. C in the uncured state of the die-bonding film 10 is preferably 5000 Pa · s or less, more preferably 4500 Pa · s or less, and even more preferably 4000 Pa · s or less.

이상과 같은 다이 본드 필름(10)은, 온도 23℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 예를 들어 0.3 내지 20N/10㎜의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 이와 같은 구성은, 다이싱 다이 본드 필름 X 내지 그의 다이 본드 필름(10)에 의한 워크의 보유 지지를 확보하는 데 있어서 적합하다.The die-bonding film 10 as described above can be peeled off from the SUS plane in the peeling test under the conditions of a temperature of 23 占 폚, a peeling angle of 180 占 and a tensile rate of 300 mm / min, for example, of 0.3 to 20 N / 180 DEG peel adhesion strength. Such a configuration is suitable for securing retention of the work by the dicing die-bonding film X or the die-bonding film 10 thereof.

다이싱 다이 본드 필름 X에서의 다이싱 테이프(20)의 기재(21)는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 지지체로서 기능하는 요소이다. 기재(21)는 예를 들어 플라스틱 기재이며, 당해 플라스틱 기재로서는 플라스틱 필름을 적합하게 사용할 수 있다. 플라스틱 기재의 구성 재료로서는, 예를 들어 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리페닐술피드, 아라미드, 불소 수지, 셀룰로오스계 수지 및 실리콘 수지를 들 수 있다. 폴리올레핀으로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체 및 에틸렌-헥센 공중합체를 들 수 있다. 폴리에스테르로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 및 폴리부틸렌테레프탈레이트를 들 수 있다. 기재(21)는, 1종류의 재료로 이루어져도 되고, 2종류 이상이 재료로 이루어져도 된다. 기재(21)는, 단층 구조를 가져도 되고, 다층 구조를 가져도 된다. 기재(21) 위의 점착제층(22)이 후술하는 바와 같이 자외선 경화성인 경우, 기재(21)는 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기재(21)는, 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 비연신 필름이어도 되고, 1축 연신 필름이어도 되며, 2축 연신 필름이어도 된다.The base material 21 of the dicing tape 20 in the dicing die-bonding film X is an element which functions as a support in the dicing tape 20 to the dicing die-bonding film X. The substrate 21 is, for example, a plastic substrate, and a plastic film can be suitably used as the plastic substrate. Examples of the constituent material of the plastic substrate include polyolefins, polyesters, polyurethanes, polycarbonates, polyetheretherketones, polyimides, polyetherimides, polyamides, wholly aromatic polyamides, polyvinyl chlorides, Indene, ridene, polyphenyl sulfide, aramid, fluororesin, cellulose resin and silicone resin. Examples of the polyolefin include low density polyethylene, linear low density polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymerized polypropylene, block copolymerized polypropylene, homopolypolyrolene, polybutene, polymethylpentene, ethylene- Vinyl copolymer, an ionomer resin, an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, an ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, an ethylene-butene copolymer and an ethylene-hexene copolymer. Examples of the polyester include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polybutylene terephthalate. The base material 21 may be made of one kind of material or two or more kinds of materials. The base material 21 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 on the substrate 21 is ultraviolet curable as described later, it is preferable that the substrate 21 has ultraviolet transmittance. When the base material 21 is made of a plastic film, it may be a non-stretched film, a monoaxially stretched film, or a biaxially stretched film.

다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 시에 다이싱 테이프(20) 내지 기재(21)를 예를 들어 부분적인 가열에 의해 수축시키는 경우에는, 기재(21)는 열수축성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기재(21)가 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 다이싱 테이프(20) 내지 기재(21)에 대하여 등방적인 열수축성을 실현하기 위해서는, 기재(21)는 2축 연신 필름인 것이 바람직하다. 다이싱 테이프(20) 내지 기재(21)는, 가열 온도 100℃ 및 가열 처리 시간 60초의 조건에서 행해지는 가열 처리 시험에 의한 열수축률이 바람직하게는 2 내지 30％, 보다 바람직하게는 2 내지 25％, 보다 바람직하게는 3 내지 20％, 보다 바람직하게는 5 내지 20％이다. 당해 열수축률은, 소위 MD 방향의 열수축률 및 소위 TD 방향의 열수축률 중 적어도 한쪽의 열수축률을 의미하도록 한다.When the dicing tape 20 to the substrate 21 are shrunk by partial heating, for example, at the time of using the dicing die-bonding film X, the substrate 21 preferably has heat shrinkability. In the case where the base material 21 is made of a plastic film, the base material 21 is preferably a biaxially oriented film in order to realize isotropic heat shrinkability with respect to the dicing tape 20 to the base material 21. [ The dicing tape 20 to the base material 21 preferably have a heat shrinkage ratio of 2 to 30%, more preferably 2 to 25% by a heat treatment test performed under the conditions of a heating temperature of 100 占 폚 and a heat treatment time of 60 seconds %, More preferably 3 to 20%, and still more preferably 5 to 20%. The heat shrinkage rate means at least one of the so-called heat shrinkage rate in the MD direction and the so-called heat shrinkage rate in the TD direction.

기재(21)에서의 점착제층(22)측의 표면은, 점착제층(22)과의 밀착성을 높이기 위한 물리적 처리, 화학적 처리, 또는 하도 처리가 실시되어 있어도 된다. 물리적 처리로서는, 예를 들어 코로나 처리, 플라스마 처리, 샌드매트 가공 처리, 오존 폭로 처리, 화염 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리, 및 이온화 방사선 처리를 들 수 있다. 화학적 처리로서는 예를 들어 크롬산 처리를 들 수 있다.The surface of the base material 21 on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be subjected to physical treatment, chemical treatment, or priming treatment for enhancing adhesion with the pressure-sensitive adhesive layer 22. Examples of the physical treatment include corona treatment, plasma treatment, sand matte treatment, ozone exposure treatment, flame exposure treatment, high-pressure electric exposure treatment, and ionizing radiation treatment. The chemical treatment includes, for example, chromic acid treatment.

기재(21)의 두께는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 지지체로서 기재(21)가 기능하기 위한 강도를 확보한다는 관점에서는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상, 보다 바람직하게는 55㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상이다. 또한, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 적당한 가요성을 실현한다는 관점에서는, 기재(21)의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150㎛ 이하이다.The thickness of the base material 21 is preferably 40 占 퐉 or more, more preferably 40 占 퐉 or more from the viewpoint of securing the strength for the base material 21 to function as a support in the dicing tape 20 to the dicing die- Is at least 50 탆, more preferably at least 55 탆, and even more preferably at least 60 탆. From the standpoint of realizing appropriate flexibility in the dicing tape 20 to the dicing die-bonding film X, the thickness of the base material 21 is preferably 200 占 퐉 or less, more preferably 180 占 퐉 or less Preferably 150 mu m or less.

다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)은, 점착제를 함유한다. 이 점착제는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해 의도적으로 점착력을 저감시키는 것이 가능한 점착제(점착력 저감 가능형 점착제)여도 되며, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 따라서는 점착력이 대부분 또는 완전히 저감되지 않는 점착제(점착력 비저감형 점착제)여도 된다. 점착제층(22) 중의 점착제로서 점착력 저감 가능형 점착제를 사용하거나 혹은 점착력 비저감형 점착제를 사용할지에 대해서는, 다이싱 다이 본드 필름 X를 사용하여 개편화 될 반도체 칩의 개편화 방법이나 조건 등, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 양태에 따라 적절하게 선택할 수 있다.The pressure sensitive adhesive layer (22) of the dicing tape (20) contains a pressure sensitive adhesive. The pressure-sensitive adhesive may be a pressure-sensitive adhesive (adhesive force-reducing type pressure-sensitive adhesive) which can intentionally reduce the adhesive force by external action in the process of using the dicing die-bonding film X, And may be a pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive force-reducing type adhesive) in which the adhesive force is largely or not completely reduced depending on the action from the outside. Whether or not an adhesive force reducing pressure-sensitive adhesive is used as the pressure-sensitive adhesive in the pressure-sensitive adhesive layer 22 or whether to use the pressure-sensitive adhesive force-reducing pressure-sensitive adhesive is determined by the dicing die bonding film X, Can be appropriately selected in accordance with the mode of use of the single die bond film X.

점착제층(22) 중의 점착제로서 점착력 저감 가능형 점착제를 사용하는 경우, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에 있어서, 점착제층(22)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태와 상대적으로 낮은 점착력을 나타내는 상태를, 구분지어 사용하는 것이 가능하다. 예를 들어, 다이싱 다이 본드 필름 X가 후술하는 익스팬드 공정에 사용될 때에는, 점착제층(22)으로부터의 다이 본드 필름(10)의 들뜸이나 박리를 억제·방지하기 위해서 점착제층(22)의 고점착력 상태를 이용하는 한편, 그보다 후에, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)로부터 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 픽업하기 위한 후술하는 픽업 공정에서는, 점착제층(22)으로부터 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 쉽게 픽업하기 위해서 점착제층(22)의 저점착력 상태를 이용하는 것이 가능하다.In the case of using an adhesive force reducing pressure-sensitive adhesive as the pressure-sensitive adhesive in the pressure-sensitive adhesive layer 22, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer 22 exhibits a relatively high adhesive force and a relatively low adhesive force in the process of using the dicing die- It is possible to use the status separately. For example, when the dicing die-bonding film X is used in an expanding process to be described later, in order to prevent or prevent lifting or peeling of the die-bonding film 10 from the pressure-sensitive adhesive layer 22, In a pickup process to be described later for picking up a semiconductor chip with a die bonding film from the dicing tape 20 of the dicing die bonding film X, the pressure sensitive adhesive layer 22 is removed from the pressure sensitive adhesive layer 22, It is possible to use the low adhesive state of the pressure-sensitive adhesive layer 22 to easily pick up the chips.

이와 같은 점착력 저감 가능형 점착제로서는, 예를 들어 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에 있어서 방사선 조사에 의해 경화시키는 것이 가능한 점착제(방사선 경화성 점착제)나 가열 발포형 점착제 등을 들 수 있다. 본 실시 형태의 점착제층(22)에서는, 1종류의 점착력 저감 가능형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 저감 가능형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(22)의 전체가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)의 일부가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(22)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(22)의 전체가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)에서의 소정의 부위(예를 들어, 워크의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 링 프레임의 접착 대상 영역이며, 중앙 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(22)이 다층 구조를 갖는 경우, 다층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 되고, 다층 구조 중의 일부의 층이 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 된다.Examples of such pressure-sensitive adhesives capable of reducing adhesiveness include pressure-sensitive adhesives (radiation-curable pressure-sensitive adhesives) and heat-foamable pressure-sensitive adhesives that can be cured by irradiation in the course of using the dicing die-bonding film X. In the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the present embodiment, one type of pressure-sensitive adhesive force-reducible pressure-sensitive adhesive may be used, or two or more types of pressure-sensitive adhesive force-reducible pressure-sensitive adhesives may be used. The entirety of the pressure sensitive adhesive layer 22 may be formed of an adhesive force reducing type pressure sensitive adhesive, or a part of the pressure sensitive adhesive layer 22 may be formed of an adhesive force capable of reducing the adhesive force. For example, when the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a single-layer structure, the entire pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed of a pressure-sensitive adhesive force capable of reducing the pressure-sensitive adhesive layer, (The central region which is an area to be bonded of the ring frame) is formed of an adhesive force-reducing type pressure-sensitive adhesive, and another region (for example, a region to be adhered to the ring frame and located outside the central region) is formed of an adhesive force- do. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a multilayer structure, all the layers constituting the multilayer structure may be formed of an adhesive force-reducing pressure-sensitive adhesive, and some of the multilayer structure may be formed of an adhesive force-reducing pressure-sensitive adhesive.

점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선, 또는 X선의 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제를 들 수 있으며, 자외선 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제(자외선 경화성 점착제)를 특히 적합하게 사용할 수 있다.Examples of the radiation-curing pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22 include pressure-sensitive adhesives of the type which is cured by irradiation with electron rays, ultraviolet rays,? Rays,? Rays,? Rays or X rays, Sensitive adhesive (ultraviolet ray-curable pressure-sensitive adhesive) can be suitably used.

점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제인 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 함유하는, 첨가형의 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다.As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22, for example, a pressure-sensitive adhesive containing a base polymer such as an acrylic polymer as an acrylic pressure-sensitive adhesive, and a radiation polymerizable monomer component or oligomer component having a functional group such as a radiation- , And addition-type radiation curable pressure-sensitive adhesives.

상기 아크릴계 중합체는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 아크릴계 중합체의 단량체 유닛을 이루기 위한 (메트)아크릴산에스테르, 즉 아크릴계 중합체의 구성 단량체인 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및 (메트)아크릴산아릴에스테르를 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 다이 본드 필름(10)을 위한 아크릴 수지에 관하여 상기한 것과 마찬가지의 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 아크릴계 중합체의 구성 단량체로서, 1종류의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 된다. 아크릴계 중합체의 구성 단량체로서는, 바람직하게는 아크릴산 2-에틸헥실 및 아크릴산 라우릴을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(22)에서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 중합체의 구성 단량체 전체에서의 (메트)아크릴산에스테르의 비율은, 바람직하게는 40질량％ 이상, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.The acrylic polymer preferably contains a monomer unit derived from (meth) acrylic acid ester most preferably in a mass ratio. Examples of the (meth) acrylic esters for constituting the monomer unit of the acrylic polymer, that is, the constituent monomers of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid cycloalkyl esters, (Meth) acrylic acid esters similar to those described above with respect to the acrylic resin for the die-bonding film 10 can be given. As the constituent monomers of the acrylic polymer, one kind of (meth) acrylic acid ester may be used, or two or more kinds of (meth) acrylic acid esters may be used. Preferred examples of the constituent monomers of the acrylic polymer include 2-ethylhexyl acrylate and lauryl acrylate. In order to appropriately express the basic properties such as adhesiveness by the (meth) acrylic acid ester in the pressure-sensitive adhesive layer 22, the proportion of the (meth) acrylic acid ester in the entire constituent monomers of the acrylic polymer is preferably 40 mass% Or more, and more preferably 60 mass% or more.

아크릴계 중합체는, 예를 들어 그 응집력이나 내열성의 개질을 위해서, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 1종류의 또는 2종류 이상의 다른 단량체를 구성 단량체에 포함해도 된다. 그러한 단량체로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 단량체, 산 무수물 단량체, 히드록시기 함유 단량체, 에폭시기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 아크릴아미드, 및 아크릴로니트릴을 들 수 있으며, 보다 구체적으로는, 다이 본드 필름(10)을 위한 아크릴 수지에 관하여 상기한 것과 마찬가지의 공중합성 단량체를 들 수 있다.The acrylic polymer may contain one kind or two or more kinds of other monomers copolymerizable with the (meth) acrylic acid ester in the constituent monomers for the purpose of modifying the cohesive force and the heat resistance. Examples of such monomers include carboxyl group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxy group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, acrylamide and acrylonitrile, A copolymerizable monomer similar to that described above with respect to the acrylic resin for the bond film 10 can be mentioned.

아크릴계 중합체는, 그 중합체 골격 중에 가교 구조를 형성하기 위해서, (메트)아크릴산에스테르 등의 단량체 성분과 공중합 가능한 다관능성 단량체에서 유래되는 단량체 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그러한 다관능성 단량체로서, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트 및 우레탄(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 「(메트)아크릴레이트」는, 「아크릴레이트」 및/또는 「메타크릴레이트」를 의미하는 것으로 한다. 아크릴계 중합체의 구성 단량체로서, 1종류의 다관능성 단량체가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 다관능성 단량체가 사용되어도 된다. (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(22)에서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 중합체의 구성 단량체 전체에서의 다관능성 단량체의 비율은, 바람직하게는 40질량％ 이하, 보다 바람직하게는 30질량％ 이하이다.The acrylic polymer may include a monomer unit derived from a multifunctional monomer capable of copolymerizing with a monomer component such as (meth) acrylate to form a crosslinked structure in the polymer backbone. Examples of such a polyfunctional monomer include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (Meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, polyglycidyl (meth) acrylate, Acrylate, polyester (meth) acrylate and urethane (meth) acrylate. The term "(meth) acrylate" means "acrylate" and / or "methacrylate". As the constituent monomers of the acrylic polymer, one kind of polyfunctional monomer may be used, or two or more kinds of polyfunctional monomers may be used. (Meth) acrylic acid ester, the proportion of the polyfunctional monomer in the entire constituent monomers of the acrylic polymer is preferably 40% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, Is not more than 30% by mass.

아크릴계 중합체는, 그것을 형성하기 위한 원료 단량체를 중합하여 얻을 수 있다. 중합 방법으로서는, 예를 들어 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 및 현탁 중합을 들 수 있다. 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X가 사용되는 반도체 장치 제조 방법에서의 고도의 청정성의 관점에서는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 점착제층(22) 중의 저분자량 물질은 적은 편이 바람직한바, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 10만 이상, 보다 바람직하게는 20만 내지 300만이다.The acrylic polymer can be obtained by polymerizing a raw material monomer for forming it. Examples of the polymerization method include solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization. From the viewpoint of high cleanliness in the semiconductor device manufacturing method in which the dicing tape 20 to the dicing die bonding film X are used, the dicing tape 20 to the dicing die- The number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 100,000 or more, and more preferably 200,000 to 3,000,000.

점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제는, 아크릴계 중합체 등 베이스 중합체의 수 평균 분자량을 높이기 위해서 예를 들어, 외부 가교제를 함유해도 된다. 아크릴계 중합체 등 베이스 중합체와 반응하여 가교 구조를 형성하기 위한 외부 가교제로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물, 아지리딘 화합물, 및 멜라민계 가교제를 들 수 있다. 점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제에서의 외부 가교제의 함유량은, 베이스 중합체 100질량부에 대해서, 바람직하게는 5질량부 이하, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량부이다.The pressure-sensitive adhesive layer (22) and the pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-sensitive adhesive layer (22) may contain, for example, an external crosslinking agent in order to increase the number average molecular weight of the base polymer such as an acrylic polymer. Examples of the external crosslinking agent for reacting with the base polymer such as an acrylic polymer to form a crosslinked structure include a polyisocyanate compound, an epoxy compound, a polyol compound, an aziridine compound, and a melamine crosslinking agent. The content of the external crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive layer (22) and the pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-sensitive adhesive layer (22) is preferably 5 parts by mass or less, more preferably 0.1 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the base polymer.

방사선 경화성 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 및 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 방사선 경화성 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있으며, 분자량 100 내지 30000 정도의 것이 적당하다. 방사선 경화성 점착제중의 방사선 중합성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 총 함유량은, 형성될 점착제층(22)의 점착력을 적절하게 저하시킬 수 있는 범위에서 결정되고, 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100질량부에 대해서, 바람직하게는 5 내지 500질량부이며, 보다 바람직하게는 40 내지 150질량부이다. 또한, 첨가형의 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허공개 소60-196956호 공보에 개시된 것을 사용해도 된다.Examples of the radiation polymerizable monomer component for forming the radiation curable pressure sensitive adhesive include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra Acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate. Examples of the radiation-polymerizable oligomer component for forming the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based and polybutadiene- It is appropriate. The total content of the radiation-polymerizable monomer component and the oligomer component in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is determined within a range capable of appropriately lowering the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 22 to be formed, Preferably 5 to 500 parts by mass, and more preferably 40 to 150 parts by mass. As the addition type radiation-curable pressure-sensitive adhesive, for example, those disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 60-196956 may be used.

점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 중합체 측쇄나, 중합체 주쇄 중, 중합체 주쇄 말단에 갖는 베이스 중합체를 함유하는 내재형의 방사선 경화성 점착제도 들 수 있다. 이러한 내재형의 방사선 경화성 점착제는, 형성될 점착제층(22) 내에서의 저분자량 성분의 이동에 기인하는 점착 특성의, 의도하지 않은 경시적 변화를 억제하는 데 있어서 적합하다.As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22, for example, a radiation-curing pressure-sensitive adhesive for a pressure-sensitive adhesive layer 22 is preferably used which has a radiation curable pressure-sensitive adhesive containing a base polymer having a functional group such as a radiolabeled carbon-carbon double bond at the polymer side chain, An adhesive may also be used. Such an intrinsic type radiation-curing pressure-sensitive adhesive is suitable for suppressing unintended and time-dependent change of the pressure-sensitive adhesive property due to movement of a low molecular weight component in the pressure-sensitive adhesive layer 22 to be formed.

내재형의 방사선 경화성 점착제에 함유되는 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 그러한 기본 골격을 이루는 아크릴계 중합체로서는, 전술한 아크릴계 중합체를 채용할 수 있다. 아크릴계 중합체에 대한 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어 소정의 관능기(제1 관능기)를 갖는 단량체를 포함하는 원료 단량체를 공중합시켜 아크릴계 중합체를 얻고 난 후, 제1 관능기 사이에서 반응을 발생하여 결합할 수 있는 소정의 관능기(제2 관능기)와 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채 아크릴계 중합체에 대해서 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.As the base polymer contained in the intrinsic radiation-curing pressure-sensitive adhesive, it is preferable that the acrylic polymer has a basic skeleton. As the acrylic polymer forming such basic skeleton, the above-mentioned acrylic polymer can be employed. As a method for introducing a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond to an acrylic polymer, for example, a raw monomer containing a monomer having a predetermined functional group (first functional group) is copolymerized to obtain an acrylic polymer, (Second functional group) and a compound having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond, which are capable of generating a reaction in the condensation reaction of the acrylic polymer with the radiation-polymerizing property of the carbon- Or an addition reaction is carried out.

제1 관능기와 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기를 들 수 있다. 이들 조합 중, 반응 추적의 용이함의 관점에서는, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합이나, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이 바람직하다. 또한, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 중합체를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높으므로, 아크릴계 중합체의 제작 또는 입수의 용이함의 관점에서는, 아크릴계 중합체측의 상기 제1 관능기가 히드록시기이며 또한 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 경우가 보다 바람직하다. 이 경우, 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합과 제2 관능기인 이소시아네이트기를 병유하는 이소시아네이트 화합물, 즉, 방사선 중합성의 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일 이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(MOI), 및 m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질 이소시아네이트를 들 수 있다.Examples of the combination of the first functional group and the second functional group include a carboxyl group and an epoxy group, an epoxy group and a carboxyl group, a carboxyl group and an aziridyl group, an aziridyl group and a carboxy group, a hydroxy group and an isocyanate group, an isocyanate group and a hydroxy group. Among these combinations, a combination of a hydroxy group and an isocyanate group or a combination of an isocyanate group and a hydroxy group is preferable from the viewpoint of easiness of reaction tracking. In addition, from the viewpoint of preparation or availability of an acrylic polymer, since the first functional group on the side of the acrylic polymer is a hydroxyl group and the second functional group is an isocyanate group Is more preferable. In this case, examples of the isocyanate compound containing the radiation-polymerizable carbon-carbon double bond and the isocyanate group as the second functional group, that is, the radiation-polymerizable unsaturated functional group-containing isocyanate compound include methacryloyl isocyanate, Oxyethyl isocyanate (MOI), and m-isopropenyl-?,? -Dimethylbenzyl isocyanate.

점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제는, 바람직하게는 광중합 개시제를 함유한다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드 및 아실 포스포네이트를 들 수 있다. α-케톨계 화합물로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 및 1-히드록시시클로헥실페닐케톤을 들 수 있다. 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2,2-디에톡시아세토페논 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1을 들 수 있다. 벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 및 아니소인메틸에테르를 들 수 있다. 케탈계 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈을 들 수 있다. 방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐 클로라이드를 들 수 있다. 광 활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심을 들 수 있다. 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, 벤조일벤조산, 및 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논을 들 수 있다. 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 및 2,4-디이소프로필티오크산톤을 들 수 있다. 점착제층(22)에서의 방사선 경화성 점착제 중의 광중합 개시제의 함유량은, 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100질량부에 대해서 예를 들어 0.05 내지 20질량부이다.The radiation-curing pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22 preferably contains a photopolymerization initiator. As the photopolymerization initiator, for example, an? -Ketol compound, an acetophenone compound, a benzoin ether compound, a ketal compound, an aromatic sulfonyl chloride compound, a photoactive oxime compound, a benzophenone compound, Compounds, camphorquinones, halogenated ketones, acylphosphine oxides and acylphosphonates. Examples of the? -ketol compound include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone,? -hydroxy- ?,? '- dimethylacetophenone, 2-hydroxypropiophenone, and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone. Examples of the acetophenone compound include methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 2,2-diethoxyacetophenone and 2- - (methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1. Examples of the benzoin ether compound include benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether. As the ketel-based compound, for example, benzyldimethylketal can be given. The aromatic sulfonyl chloride-based compound includes, for example, 2-naphthalenesulfonyl chloride. As the optically active oxime compound, for example, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime can be mentioned. Examples of the benzophenone-based compound include benzophenone, benzoylbenzoic acid, and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone. Examples of the thioxanthone compound include thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4- 2,4-diethyl thioxanthone, and 2,4-diisopropyl thioxanthone. The content of the photopolymerization initiator in the radiation-curing pressure-sensitive adhesive in the pressure-sensitive adhesive layer 22 is, for example, 0.05 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base polymer such as acrylic polymer.

점착제층(22)을 위한 상기의 가열 발포형 점착제는, 가열에 의해 발포나 팽창을 하는 성분(발포제, 열팽창성 미소구 등)을 함유하는 점착제이다. 발포제로서는, 다양한 무기계 발포제 및 유기계 발포제를 들 수 있다. 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질이 외피 내에 봉입된 구성의 미소구를 들 수 있다. 무기계 발포제로서는, 예를 들어 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산암모늄, 수소화붕소나트륨, 및 아지드류를 들 수 있다. 유기계 발포제로서는, 예를 들어 트리클로로모노플루오로메탄이나 디클로로모노플루오로메탄 등의 염불화 알칸, 아조비스이소부티로니트릴이나 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물, 파라톨루엔술포닐히드라지드나 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물, ρ-톨루일렌술포닐세미카르바지드나 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물, 5-모르포릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물, 및 N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민이나 N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물을 들 수 있다. 상기와 같은 열팽창성 미소구를 이루기 위한, 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판 및 펜탄을 들 수 있다. 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을 코아세르베이션법이나 계면 중합법 등에 의해 외피 형성 물질 내에 봉입함으로써, 열팽창성 미소구를 제작할 수 있다. 외피 형성 물질로서는, 열용융성을 나타내는 물질이나, 봉입 물질의 열팽창 작용에 의해 파열될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 그러한 물질로서는, 예를 들어 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴 및 폴리술폰을 들 수 있다.The heat-expandable pressure-sensitive adhesive for pressure-sensitive adhesive layer 22 is a pressure-sensitive adhesive containing components (foaming agent, thermally expandable microspheres, etc.) that foam or expand by heating. Examples of the foaming agent include various inorganic foaming agents and organic foaming agents. The thermally expandable microspheres include, for example, microspheres having a structure in which a material which is easily gasified by heating to be expanded is enclosed in the shell. Examples of the inorganic foaming agent include ammonium carbonate, ammonium hydrogencarbonate, sodium hydrogencarbonate, ammonium nitrite, sodium borohydride, and azide. Examples of the organic foaming agent include azo-based compounds such as azobisisobutyronitrile, azodicarbonamide, barium azodicarboxylate, and the like, fluorinated alkanes such as trichloromonofluoromethane and dichloromonofluoromethane, Hydrazine compounds such as toluenesulfonyl hydrazide, diphenylsulfone-3,3'-disulfonylhydrazide, 4,4'-oxybis (benzenesulfonylhydrazide) and allybis (sulfonylhydrazide), ρ -Carbodiimide compounds such as tolylene sulfonyl semicarbazide and 4,4'-oxybis (benzenesulfonyl semicarbazide), 5-morpholyl-1,2,3,4-thiatriazole And N-nitroso compounds such as N, N'-dinitrosopentamethylenetetramine and N, N'-dimethyl-N, N'-dinitrosoterephthalamide. Examples of the material that can be easily gasified and expanded by heating to form the thermo-expansive microsphere as described above include isobutane, propane, and pentane. A thermally expandable microsphere can be manufactured by enclosing a material which easily gasifies and expands by heating in an envelope forming material by a coacervation method or an interfacial polymerization method. As the sheathing material, a material exhibiting heat melting property or a material capable of being ruptured by thermal expansion action of the enclosed material can be used. Such materials include, for example, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride and polysulfone.

전술한 점착력 비저감형 점착제로서는, 예를 들어 점착력 저감 가능형 점착제에 관하여 전술한 방사선 경화성 점착제를 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제나, 감압형 점착제 등을 들 수 있다. 방사선 경화성 점착제는, 그 함유 중합체 성분의 종류 및 함유량에 따라서는, 방사선 경화되어 점착력이 저감되었을 경우에 있어서도 당해 중합체 성분에 기인하는 점착성을 나타낼 수 있어, 소정의 사용 양태에서 피착체를 점착 유지하는 데 이용 가능한 점착력을 발휘하는 것이 가능하다. 본 실시 형태의 점착제층(22)에 있어서는, 1종류의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(22)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)의 일부가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(22)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(22)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 전술한 바와 같이, 점착제층(22)에서의 소정의 부위(예를 들어, 링 프레임의 접착 대상 영역이며, 웨이퍼의 접착 대상 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 웨이퍼의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(22)이 다층 구조를 갖는 경우, 다층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 다층 구조 중의 일부의 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다.Examples of the above-mentioned adhesive force reducing type pressure-sensitive adhesive include, for example, a pressure-sensitive adhesive in which the above-mentioned radiation-curable pressure-sensitive adhesive is cured by irradiation with radiation, a pressure-sensitive adhesive, and the like. The radiation-curing pressure-sensitive adhesive can exhibit adhesiveness attributable to the polymer component even when the radiation-curing adhesive force is reduced, depending on the type and content of the containing polymer component, so that the adherend can be adhered It is possible to exert the adhesive force available. In the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the present embodiment, one type of pressure-sensitive adhesive force-reducing type pressure-sensitive adhesive may be used, or two or more types of pressure-sensitive adhesive force-reducing type pressure-sensitive adhesives may be used. The entirety of the pressure sensitive adhesive layer 22 may be formed of an adhesive force reducing type pressure sensitive adhesive, or a part of the pressure sensitive adhesive layer 22 may be formed of an adhesive force reducing type pressure sensitive adhesive. For example, in the case where the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a single-layer structure, the entire pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed of a pressure-sensitive adhesive force reducing type adhesive, (For example, a region to be bonded of the ring frame and an area outside the region to be bonded of the wafer) is formed of an adhesive force reducing type pressure-sensitive adhesive, and another region Or may be formed of an adhesive force reducing type adhesive. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a multilayer structure, all the layers constituting the multilayer structure may be formed of an adhesive force reducing type pressure-sensitive adhesive, and some of the multilayer structure may be formed of an adhesive force-reducing pressure-sensitive adhesive.

한편, 점착제층(22)을 위한 감압형 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제나 고무계 점착제를 사용할 수 있다. 점착제층(22)이 감압형 점착제로서 아크릴계 점착제를 함유하는 경우, 당해 아크릴계 점착제의 베이스 중합체된 아크릴계 중합체는, 바람직하게는 (메트)아크릴산 에스테르에서 유래되는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 그러한 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 방사선 경화성 점착제에 관하여 전술한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.On the other hand, as the pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22, for example, an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer can be used. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains an acrylic pressure-sensitive adhesive as a pressure-sensitive adhesive, the base polymerized acrylic polymer of the acrylic pressure-sensitive adhesive preferably contains a monomer unit derived from (meth) acrylic acid ester in a mass ratio. As such an acryl-based polymer, for example, the above-mentioned acrylic polymer can be mentioned in relation to the radiation-curable pressure-sensitive adhesive.

점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제는, 전술한 각 성분 외에도, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 안료나 염료 등의 착색제 등을 함유해도 된다. 착색제는, 방사선 조사를 받아 착색되는 화합물이어도 된다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 류코 염료를 들 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer (22) and the pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-sensitive adhesive layer (22) may contain a crosslinking accelerator, a tackifier, an antioxidant, a colorant such as a pigment or a dye, The colorant may be a compound that is colored by irradiation with radiation. Such compounds include, for example, leuco dyes.

점착제층(22)의 두께는, 바람직하게는 1 내지 50㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 30㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 25㎛이다. 이와 같은 구성은, 예를 들어 점착제층(22)이 방사선 경화성 점착제를 포함하는 경우에 당해 점착제층(22)의 방사선 경화의 전후에서의 다이 본드 필름(10)에 대한 접착력의 균형을 취하는 데 있어서, 적합하다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 22 is preferably 1 to 50 占 퐉, more preferably 2 to 30 占 퐉, and still more preferably 5 to 25 占 퐉. Such a configuration is effective in balancing the adhesive force to the die-bonding film 10 before and after the radiation curing of the pressure-sensitive adhesive layer 22 when the pressure-sensitive adhesive layer 22 includes the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, for example. , Suitable.

이상과 같은 구성을 갖는 다이싱 다이 본드 필름 X는, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. The dicing die-bonding film X having the above-described structure can be produced, for example, as follows.

다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)의 제작에 있어서는, 우선, 다이 본드 필름(10) 형성용 접착제 조성물을 조제한 후, 소정의 세퍼레이터 위에 당해 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성한다. 세퍼레이터로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 및, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이류 등을 들 수 있다. 접착제 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 이어서, 이 접착제 조성물층에 있어서, 가열에 의해, 필요에 따라 건조시키고, 또한, 필요에 따라 가교 반응을 발생시킨다. 가열 온도는 예를 들어 70 내지 160℃이며, 가열 시간은 예를 들어 1 내지 5분간이다. 이상과 같이 하여, 세퍼레이터를 수반하는 형태로 전술한 다이 본드 필름(10)을 제작할 수 있다.In the production of the die-bonding film 10 of the dicing die-bonding film X, the adhesive composition for forming the die-bonding film 10 is first prepared, and then the composition is applied to a predetermined separator to form an adhesive composition layer. Examples of the separator include plastic films and papers that are surface-coated with, for example, a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyethylene film, a polypropylene film, and a releasing agent such as a fluorine releasing agent or a long chain alkyl acrylate releasing agent. Examples of the application method of the adhesive composition include roll coating, screen coating, and gravure coating. Then, in the adhesive composition layer, it is dried by heating, if necessary, and a crosslinking reaction is caused if necessary. The heating temperature is, for example, 70 to 160 占 폚, and the heating time is, for example, 1 to 5 minutes. As described above, the die-bonding film 10 described above can be produced in the form of carrying the separator.

다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)에 대해서는, 준비한 기재(21) 위에 점착제층(22)을 마련함으로써 제작할 수 있다. 예를 들어 수지제의 기재(21)는, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 제막 방법에 의해 제작할 수 있다. 제막 후의 필름 내지 기재(21)에는, 필요에 따라 소정의 표면 처리가 실시된다. 점착제층(22)의 형성에 있어서는, 예를 들어 점착제층 형성용의 점착제 조성물을 조제한 후, 우선, 당해 조성물을 기재(21) 위 또는 소정의 세퍼레이터 위에 도포하여 점착제 조성물층을 형성한다. 점착제 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 이어서, 이 점착제 조성물층에 있어서, 가열에 의해 필요에 따라 건조시키고, 또한, 필요에 따라 가교 반응을 발생시킨다. 가열 온도는 예를 들어 80 내지 150℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 5분간이다. 점착제층(22)이 세퍼레이터 위에 형성되는 경우에는, 당해 세퍼레이터를 수반하는 점착제층(22)을 기재(21)에 접합하고, 그 후, 세퍼레이터가 박리된다. 이에 의해, 기재(21)와 점착제층(22)의 적층 구조를 갖는 전술한 다이싱 테이프(20)가 제작된다.The dicing tape 20 of the dicing die-bonding film X can be produced by providing a pressure-sensitive adhesive layer 22 on the base material 21 prepared. For example, the base material 21 made of resin can be produced by a film-forming method such as a calendar film-forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T die extrusion method, a co-extrusion method and a dry lamination method . The film-to-substrate 21 after the film formation is subjected to a predetermined surface treatment if necessary. In forming the pressure-sensitive adhesive layer 22, for example, after preparing a pressure-sensitive adhesive composition for forming a pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive composition layer is formed by first coating the composition on the substrate 21 or a predetermined separator. Examples of the application method of the pressure-sensitive adhesive composition include roll coating, screen coating, and gravure coating. Subsequently, in the pressure-sensitive adhesive composition layer, it is dried by heating, if necessary, and a crosslinking reaction is caused if necessary. The heating temperature is, for example, 80 to 150 占 폚, and the heating time is, for example, 0.5 to 5 minutes. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 is formed on the separator, the pressure-sensitive adhesive layer 22 accompanying the separator is bonded to the substrate 21, and then the separator is peeled off. Thus, the above-described dicing tape 20 having a laminated structure of the substrate 21 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 is produced.

다이싱 다이 본드 필름 X의 제작에 있어서는, 이어서, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)측에 다이 본드 필름(10)을 예를 들어 압착하여 접합한다. 접합 온도는, 예를 들어 30 내지 50℃이며, 바람직하게는 35 내지 45℃이다. 접합 압력(선압)은, 예를 들어 0.1 내지 20kgf/㎝이며, 바람직하게는 1 내지 10kgf/㎝이다. 점착제층(22)이 전술한 바와 같은 방사선 경화성 점착제를 포함하는 경우, 당해 접합 전에 점착제층(22)에 대해서 자외선 등의 방사선을 조사해도 되고, 당해 접합 후에 기재(21)의 측으로부터 점착제층(22)에 대해서 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 또는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정에서는, 그러한 방사선 조사를 행하지 않아도 된다(이 경우, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에서 점착제층(22)을 방사선 경화시키는 것이 가능함). 점착제층(22)이 자외선 경화형 점착제층인 경우, 점착제층(22)을 경화시키기 위한 자외선 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(조사 영역 R)은, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 점착제층(22)에서의 다이 본드 필름 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.In the production of the dicing die-bonding film X, the die-bonding film 10 is then pressed and bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 22 side of the dicing tape 20, for example. The bonding temperature is, for example, 30 to 50 占 폚, preferably 35 to 45 占 폚. The bonding pressure (line pressure) is, for example, 0.1 to 20 kgf / cm, preferably 1 to 10 kgf / cm. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 includes the radiation-curing pressure-sensitive adhesive as described above, the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be irradiated with radiation such as ultraviolet rays before the bonding, and after the bonding, 22 may be irradiated with radiation such as ultraviolet rays. Alternatively, in the process of producing the dicing die-bonding film X, such irradiation of radiation may be omitted (in this case, the pressure-sensitive adhesive layer 22 can be irradiated in the process of using the dicing die-bonding film X). When the pressure-sensitive adhesive layer 22 is an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer, the ultraviolet radiation dose for curing the pressure-sensitive adhesive layer 22 is, for example, 50 to 500 mJ / cm 2, and preferably 100 to 300 mJ / cm 2. 1, the area (irradiation area R) where the irradiation of the pressure sensitive adhesive layer 22 in the dicing die-bonding film X is performed as a measure for reducing the adhesive strength of the dicing die- Is a region excluding the periphery thereof in the film junction region.

이상과 같이 하여, 다이싱 다이 본드 필름 X를 제작할 수 있다. 다이싱 다이 본드 필름 X에는, 다이 본드 필름(10)측에, 적어도 다이 본드 필름(10)을 피복하는 형태로 세퍼레이터(도시생략)가 설치되어 있어도 된다. 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)보다도 다이 본드 필름(10)이 작은 사이즈이고 점착제층(22)에 있어서 다이 본드 필름(10)이 접합되어 있지 않은 영역이 있는 경우에는 예를 들어, 세퍼레이터는, 다이 본드 필름(10) 및 점착제층(22)을 적어도 피복하는 형태로 설치되어 있어도 된다. 세퍼레이터는, 다이 본드 필름(10)이나 점착제층(22)이 노출되지 않도록 보호하기 위한 요소이며, 다이싱 다이 본드 필름 X를 사용할 때에는 당해 필름으로부터 박리된다.Thus, the dicing die-bonding film X can be manufactured. The dicing die-bonding film X may be provided with a separator (not shown) on the side of the die-bonding film 10 so as to cover at least the die-bonding film 10. When the die bonding film 10 is smaller in size than the pressure sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 and the pressure sensitive adhesive layer 22 has a region where the die bonding film 10 is not bonded, The separator may be provided so as to cover at least the die-bonding film 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22. The separator is an element for protecting the die-bonding film 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 from being exposed. When the dicing die-bonding film X is used, the separator is peeled from the film.

도 2 내지 도 8은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법을 나타낸다.2 to 8 show a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

본 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 우선, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W에 분할 홈(30a)이 형성된다(분할 홈 형성 공정). 반도체 웨이퍼 W는, 제1면 Wa 및 제2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시생략)이 제1면 Wa 위에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 점착면 T1a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T1이 반도체 웨이퍼 W의 제2면 Wb측에 접합된 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 소정 깊이의 분할 홈(30a)이 다이싱 장치 등의 회전 블레이드를 사용하여 형성된다. 분할 홈(30a)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 공극이다(도 2 내지 도 4에서는, 분할 홈(30a)을 모식적으로 굵은 선으로 나타냄).In this semiconductor device manufacturing method, first, as shown in Figs. 2A and 2B, a dividing groove 30a is formed in the semiconductor wafer W (dividing groove forming step). The semiconductor wafer W has a first surface Wa and a second surface Wb. Various semiconductor elements (not shown) are already formed on the side of the first surface Wa of the semiconductor wafer W, and a wiring structure (not shown) necessary for the semiconductor element is already formed on the first surface Wa. In this step, after the wafer processing tape T1 having the adhesive surface T1a is bonded to the second surface Wb side of the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer W is held on the first surface A dividing groove 30a having a predetermined depth is formed on the Wa side using a rotating blade such as a dicing machine. The dividing groove 30a is a gap for separating the semiconductor wafer W into semiconductor chip units (in Figs. 2 to 4, the dividing groove 30a is schematically shown by a thick line).

다음으로, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 점착면 T2a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T2의, 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 대한 접합과, 반도체 웨이퍼 W로부터의 웨이퍼 가공용 테이프 T1의 박리가 행해진다.Next, as shown in Fig. 2 (c), the joining of the wafer processing tape T2 having the adhesive surface T2a to the first surface Wa side of the semiconductor wafer W and the joining of the wafer processing tape T1 Peeling is performed.

다음으로, 도 2의 (d)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화된다(웨이퍼 박화 공정). 연삭 가공은, 연삭숫돌을 구비하는 연삭 가공 장치를 사용하여 행할 수 있다. 이 웨이퍼 박화 공정에 의해, 본 실시 형태에서는, 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)가 형성된다. 반도체 웨이퍼(30A)는, 구체적으로는, 당해 웨이퍼에 있어서 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화되게 될 부위를 제2면 Wb측에서 연결하는 부위(연결부)를 갖는다. 반도체 웨이퍼(30A)에서의 연결부의 두께, 즉 반도체 웨이퍼(30A)의 제2면 Wb와 분할 홈(30a)의 제2면 Wb측 선단과의 사이의 거리는, 예를 들어 1 내지 30㎛이며, 바람직하게는 3 내지 20㎛이다.Next, as shown in FIG. 2 (d), in a state in which the semiconductor wafer W is held on the wafer processing tape T2, the semiconductor wafer W is subjected to grinding from the second surface Wb until the semiconductor wafer W reaches a predetermined thickness Thinned (wafer thinning process). The grinding process can be performed using a grinding machine equipped with a grinding wheel. By this wafer thinning step, a semiconductor wafer 30A that can be separated into a plurality of semiconductor chips 31 is formed in the present embodiment. Specifically, the semiconductor wafer 30A has a portion (connection portion) for connecting a portion to be separated into a plurality of semiconductor chips 31 in the wafer on the second surface Wb side. The distance between the second surface Wb of the semiconductor wafer 30A and the tip of the dividing groove 30a on the second surface Wb side is, for example, 1 to 30 mu m, and the thickness of the connecting portion in the semiconductor wafer 30A, Preferably 3 to 20 mu m.

다음으로, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 보유 지지된 반도체 웨이퍼(30A)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)에 대하여 접합된다. 이 후, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)로부터 웨이퍼 가공용 테이프 T2가 박리된다. 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 점착제층(22)이 방사선 경화성 점착제층인 경우에는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정에서의 전술한 방사선 조사 대신에, 반도체 웨이퍼(30A)의 다이 본드 필름(10)에 대한 접합의 후에, 기재(21)의 측으로부터 점착제층(22)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(도 1에 도시한 조사 영역 R)은, 예를 들어 점착제층(22)에서의 다이 본드 필름(10) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.Next, as shown in Fig. 3A, the semiconductor wafer 30A held on the wafer processing tape T2 is bonded to the die bonding film 10 of the dicing die bonding film X. Then, as shown in Fig. Thereafter, as shown in Fig. 3 (b), the wafer processing tape T2 is peeled from the semiconductor wafer 30A. In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 22 in the dicing die-bonding film X is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer, the die bonding film of the semiconductor wafer 30A 10, the pressure sensitive adhesive layer 22 may be irradiated with radiation such as ultraviolet rays from the side of the substrate 21. The dose is, for example, 50 to 500 mJ / cm 2, preferably 100 to 300 mJ / cm 2. The area (irradiation area R shown in FIG. 1) in which irradiation of the pressure sensitive adhesive layer 22 in the dicing die-bonding film X is performed as a measure for reducing the adhesive force is performed by, for example, ) Region excluding the periphery of the joint region.

다음으로, 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 다이 본드 필름(10) 위에 링 프레임(41)이 점착된 후, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)를 수반하는 당해 다이싱 다이 본드 필름 X가 익스팬드 장치의 보유 지지구(42)에 고정된다.Next, after the ring frame 41 is stuck on the die-bonding film 10 in the dicing die-bonding film X, as shown in Fig. 4 (a), the die The single die bond film X is fixed to the holding support 42 of the expand apparatus.

다음으로, 상대적으로 저온의 조건하에서 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)이, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이 행해져, 반도체 웨이퍼(30A)가 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화됨과 함께, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)이 소편의 다이 본드 필름(11)으로 할단되어 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아 상승되어, 반도체 웨이퍼(30A)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)가, 반도체 웨이퍼(30A)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(20)에 있어서 예를 들어 15 내지 32MPa의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 0.1 내지 100㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 양은 예를 들어 3 내지 16㎜이다.Next, a first expanding process (a cool expansion process) is performed as shown in Fig. 4 (b) under a relatively low temperature condition, and the semiconductor wafer 30A is reorganized into a plurality of semiconductor chips 31 The die-bonding film 10 of the dicing die-bonding film X is cut into the die-bonding film 11 of the small piece, and the semiconductor die 31 with the die-bonding film is obtained. In this process, the hollow columnar push-up member 43 provided in the expanding device is lifted up against the dicing tape 20 at the lower side of the drawing of the dicing die bonding film X, Of the dicing die-bonding film X is stretched so as to stretch in the two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer 30A. This expanse is performed under the condition that a tensile stress of 15 to 32 MPa is generated in the dicing tape 20, for example. The temperature condition in the Cool Expansion process is, for example, 0 deg. C or less, preferably -20 to -5 deg. C, more preferably -15 to -5 deg. C, and more preferably -15 deg. The expansion speed (the speed at which the lifting member 43 rises) in the cooling expansion process is, for example, 0.1 to 100 mm / sec. Further, the amount of expansion in the Cool Expand process is, for example, 3 to 16 mm.

본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서 두께가 얇아서 갈라지기 쉬운 부위에 할단이 발생하여 반도체 칩(31)에 대한 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착하고 있는 다이 본드 필름(10)에 있어서 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈에 대향하는 개소에는, 그와 같은 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(10)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 본 공정의 후, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 밀어올리기 부재(43)가 하강되어, 다이싱 테이프(20)에서의 익스팬드 상태가 해제된다.In this step, the semiconductor wafer 31 is thinned and broken at a portion where the semiconductor wafer 30A is liable to be split, resulting in fragmentation of the semiconductor chip 31. [ In addition, in this step, deformation is suppressed in each region where each semiconductor chip 31 is closely attached to the die-bonding film 10 in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the exposing dicing tape 20 On the other hand, a tensile stress generated in the dicing tape 20 acts in a portion opposed to the dividing groove between the semiconductor chips 31 in a state in which such deformation suppressing action does not occur. As a result, portions of the die-bonding film 10 opposed to the dividing grooves between the semiconductor chips 31 are cut off. After this step, as shown in Fig. 4C, the lifting member 43 is lowered, and the expanded state of the dicing tape 20 is released.

다음으로, 상대적으로 고온의 조건하에서 제2 익스팬드 공정이, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 행해져, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31) 사이의 거리(이격 거리)가 넓혀진다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가 다시 상승되어, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)가 익스팬드된다. 제2 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 10℃ 이상이고, 바람직하게는 15 내지 30℃이다. 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 0.1 내지 10㎜/초이다. 또한, 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드 양은 예를 들어 3 내지 16㎜이다. 후술하는 픽업 공정에서 다이싱 테이프(20)로부터 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)을 적절하게 픽업 가능한 정도로, 본 공정에서는 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)의 이격 거리를 넓힐 수 있다. 본 공정 후, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 밀어올리기 부재(43)가 하강되어, 다이싱 테이프(20)에서의 익스팬드 상태가 해제된다. 익스팬드 상태 해제 후에 다이싱 테이프(20) 위의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)의 이격 거리가 좁아지는 것을 억제하기 위해서는, 익스팬드 상태를 해제하기에 앞서, 다이싱 테이프(20)에서의 반도체 칩(31) 보유 지지 영역보다 외측의 부분을 가열하여 수축시키는 것이 바람직하다.Next, under the relatively high temperature condition, the second expanding process is performed as shown in Fig. 5A, and the distance (spacing distance) between the semiconductor chips 31 with the die bonding film is widened. In this process, the hollow cylinder-shaped push-up member 43 provided in the expand apparatus is raised again, and the dicing tape 20 of the dicing die bonding film X is expanded. The temperature condition in the second expansion step is, for example, 10 DEG C or more, and preferably 15 to 30 DEG C. [ The expand speed (the speed at which the lifting member 43 ascends) in the second expanding process is, for example, 0.1 to 10 mm / sec. Further, the amount of expansion in the second expanding process is, for example, 3 to 16 mm. The separation distance of the semiconductor chip 31 with the die bonding film can be increased to such an extent that the semiconductor die 31 with the die bonding film can be properly picked up from the dicing tape 20 in the pickup process to be described later. After this process, as shown in Fig. 5 (b), the lifting member 43 is lowered, and the expanded state on the dicing tape 20 is released. In order to suppress the distance of the semiconductor chip 31 with the die-bonding film on the dicing tape 20 from being narrowed after the expanded state is released, before releasing the expanded state, It is preferable to heat and shrink the portion of the semiconductor chip 31 located outside the holding region.

다음으로, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(20)에서의 반도체 칩(31)측을 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정을 필요에 따라 거친 후, 도 6에 도시한 바와 같이, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)을 다이싱 테이프(20)로부터 픽업한다(픽업 공정). 예를 들어, 픽업 대상의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)에 대하여, 다이싱 테이프(20)의 도면 중 하측에서 픽업 기구의 핀 부재(44)를 상승시켜 다이싱 테이프(20)를 통해 밀어올린 후, 흡착 지그(45)에 의해 흡착 유지한다. 픽업 공정에 있어서, 핀 부재(44)의 밀어올리기 속도는 예를 들어 1 내지 100㎜/초이며, 핀 부재(44)의 밀어올리기 양은 예를 들어 50 내지 3000㎛이다.Next, after the cleaning step of cleaning the side of the semiconductor chip 31 in the dicing tape 20 carrying the semiconductor chip 31 with the die-bonding film by using a cleaning liquid such as water, if necessary, The semiconductor chip 31 with the die bonding film is picked up from the dicing tape 20 (pickup step). For example, the pin member 44 of the pick-up mechanism is raised and diced through the dicing tape 20 on the lower side of the dicing tape 20 in the drawing with respect to the semiconductor chip 31 with the die- And then adsorbed and held by the adsorption jig 45. In the pick-up process, the pushing-up speed of the pin member 44 is, for example, 1 to 100 mm / second, and the push-up amount of the pin member 44 is, for example, 50 to 3000 탆.

다음으로, 도 7의 (a) 및 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)의 실장 기판(51) 위에 대한 임시 고착이 행해진다. 이 임시 고착은, 실장 기판(51) 위의 반도체 칩(31') 등이, 반도체 칩(31)에 수반하는 다이 본드 필름(11)에 매립되도록 행해진다. 실장 기판(51)으로서는, 예를 들어 리드 프레임, TAB(Tape Automated Bonding) 필름, 및 배선 기판을 들 수 있다. 반도체 칩(31')은, 접착제층(52)을 통해 실장 기판(51)에 고정되어 있다. 반도체 칩(31')의 전극 패드(도시생략)와 실장 기판(51)이 갖는 단자부(도시생략)가, 본딩 와이어(53)를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 본딩 와이어(53)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선, 또는 구리선을 사용할 수 있다. 본 공정에서는, 이와 같이 와이어 본딩 실장된 반도체 칩(31')과, 거기에 접속된 본딩 와이어(53)의 전체가, 반도체 칩(31)에 수반하는 다이 본드 필름(11) 내에 매립된다. 또한, 본 공정에서는, 반도체 칩(31') 및 본딩 와이어(53)가 다이 본드 필름(11) 내에 밀어넣기 쉬운 상태로 하기 위해서, 다이 본드 필름(11)을 가열하여 연화시켜도 된다. 가열 온도는, 다이 본드 필름(11)이 완전한 열경화 상태에 이르지 않는 온도이며, 예를 들어 80 내지 140℃이다.Next, as shown in Figs. 7 (a) and 7 (b), the semiconductor chip 31 with the die bonding film is temporarily fixed on the mounting substrate 51. [ This temporary fixing is performed so that the semiconductor chip 31 'or the like on the mounting substrate 51 is embedded in the die bonding film 11 accompanying the semiconductor chip 31. As the mounting substrate 51, for example, a lead frame, a TAB (Tape Automated Bonding) film, and a wiring board can be given. The semiconductor chip 31 'is fixed to the mounting substrate 51 through the adhesive layer 52. [ (Not shown) of the semiconductor chip 31 'and a terminal portion (not shown) of the mounting substrate 51 are electrically connected through a bonding wire 53. [ As the bonding wire 53, for example, a gold wire, an aluminum wire, or a copper wire can be used. In this step, the entirety of the semiconductor chip 31 ', which is wire-bonded and thus bonded, and the bonding wire 53 connected thereto are embedded in the die-bonding film 11 accompanying the semiconductor chip 31. In this step, the die-bonding film 11 may be heated and softened so that the semiconductor chip 31 'and the bonding wire 53 can easily be pushed into the die-bonding film 11. The heating temperature is a temperature at which the die-bonding film 11 does not reach a completely thermoset state, for example, 80 to 140 占 폚.

다음으로, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 가열에 의해 다이 본드 필름(11)이 경화된다(열경화 공정). 본 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 100 내지 200℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 10시간이다. 본 공정을 거침으로써, 다이 본드 필름(11)이 열경화하여 이루어지는 접착제층이 형성된다. 이 접착제층은, 실장 기판(51)에 와이어 본딩 실장된 반도체 칩(31')(제1 반도체 칩)을, 거기에 접속된 본딩 와이어(53)의 전체와 함께 포매하면서, 실장 기판(51)에 반도체 칩(31)을 접합하는 것이다.Next, as shown in Fig. 7C, the die-bonding film 11 is cured by heating (heat curing step). In this step, the heating temperature is, for example, 100 to 200 占 폚, and the heating time is, for example, 0.5 to 10 hours. By this process, an adhesive layer formed by thermosetting the die-bonding film 11 is formed. This adhesive layer is formed on the mounting substrate 51 while embedding the semiconductor chip 31 '(first semiconductor chip) wire-bonded on the mounting substrate 51 together with the entire bonding wire 53 connected thereto, And the semiconductor chip 31 is bonded to the semiconductor chip 31.

다음으로, 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(31)의 전극 패드(도시생략)와, 실장 기판(51)이 갖는 단자부(도시생략)가, 본딩 와이어(53)를 통해 전기적으로 접속된다(와이어 본딩 공정). 반도체 칩(31)의 전극 패드와 본딩 와이어(53)의 결선, 및 실장 기판(51)의 단자부와 본딩 와이어(53)의 결선은, 가열을 수반하는 초음파 용접에 의해 실현된다. 와이어 본딩에서의 와이어 가열 온도는 예를 들어 80 내지 250℃이고, 그 가열 시간은 예를 들어 수초 내지 수분 간이다. 이러한 와이어 본딩 공정은, 전술한 열경화 공정보다도 앞에 행해도 된다.Next, as shown in Fig. 8A, an electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 31 and a terminal portion (not shown) of the mounting board 51 are electrically connected through a bonding wire 53 And is electrically connected (wire bonding step). The connection of the electrode pad of the semiconductor chip 31 and the bonding wire 53 and the connection of the terminal portion of the mounting board 51 and the bonding wire 53 are realized by ultrasonic welding accompanied by heating. The wire heating temperature in the wire bonding is, for example, 80 to 250 占 폚, and the heating time is, for example, several seconds to several minutes. The wire bonding process may be performed before the heat curing process described above.

다음으로, 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 실장 기판(51) 위의 반도체 칩(31) 등을 밀봉하기 위한 밀봉 수지(54)가 형성된다(밀봉 공정). 본 공정에서는, 예를 들어 금형을 사용하여 행하는 트랜스퍼 몰드 기술에 의해 밀봉 수지(54)가 형성된다. 밀봉 수지(54)의 구성 재료로서는, 예를 들어 에폭시계 수지를 들 수 있다. 본 공정에 있어서, 밀봉 수지(54)를 형성하기 위한 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 60초 내지 수분 간이다. 본 공정에서 밀봉 수지(54)의 경화가 충분하게는 진행되지 않은 경우에는, 본 공정 후에 밀봉 수지(54)를 추가의 가열 처리에 의해 완전히 경화시키기 위한 후경화 공정이 행해진다. 후경화 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 8시간이다. 도 7의 (c)를 참조하여 전술한 공정에 있어서 다이 본드 필름(11)이 완전하게는 열경화되지 않은 경우라도, 밀봉 공정이나 후경화 공정에서는, 밀봉 수지(54)와 함께 다이 본드 필름(11)에 대하여 완전한 열경화를 실현하는 것이 가능하다.Next, as shown in Fig. 8B, a sealing resin 54 for sealing the semiconductor chip 31 and the like on the mounting substrate 51 is formed (sealing step). In this step, a sealing resin 54 is formed by a transfer molding technique using, for example, a metal mold. As a constituent material of the sealing resin 54, for example, an epoxy resin can be mentioned. In this step, the heating temperature for forming the sealing resin 54 is, for example, 165 to 185 占 폚, and the heating time is, for example, 60 seconds to several minutes. If the curing of the sealing resin 54 does not proceed sufficiently in this step, a post-curing step is performed to completely cure the sealing resin 54 after the present step by further heat treatment. In the post-curing process, the heating temperature is, for example, 165 to 185 占 폚, and the heating time is, for example, 0.5 to 8 hours. 7 (c), in the sealing step and the post-curing step, even when the die bonding film 11 is not completely thermally cured in the above-described process, the die bonding film 11) can be realized.

이상과 같이 하여, 복수의 반도체 칩이 다단 실장된 반도체 장치를 제조할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 반도체 칩(31')과, 거기에 접속된 본딩 와이어(52)의 전체가, 다이 본드 필름(11)이 경화하여 이루어지는 접착제층 내에 매립되어 있다. 이에 반하여, 반도체 칩(31')과, 거기에 접속된 본딩 와이어(52)에서의 반도체 칩(31')측의 일부가, 다이 본드 필름(11)이 경화하여 이루어지는 접착제층 내에 매립되어도 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 와이어 본딩 실장된 반도체 칩(31') 대신에, 예를 들어 도 9에 도시한 바와 같이, 플립 칩 실장된 반도체 칩(31')을 채용해도 된다. 도 9에 도시한 반도체 칩(31')은, 실장 기판(51)에 대하여 범프(55)를 통해 전기적으로 접속되어 있으며, 당해 반도체 칩(31')과 실장 기판(51)의 사이에는, 언더필제(56)가 충전되어 열경화되어 있다. 도 9에 도시한 반도체 장치에 있어서는, 다이 본드 필름(11)이 열경화하여 이루어지는 접착제층은, 실장 기판(51)에 플립 칩 실장된 반도체 칩(31')(제1 반도체 칩)을 포매하면서 실장 기판(51)에 반도체 칩(31)(제2 반도체 칩)을 접합하는 것이다.As described above, a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are mounted in a multi-stage can be manufactured. In the present embodiment, the entirety of the semiconductor chip 31 'and the bonding wires 52 connected thereto are embedded in the adhesive layer formed by curing the die-bonding film 11. On the other hand, a part of the semiconductor chip 31 'and the part of the bonding wire 52 connected thereto on the side of the semiconductor chip 31' may be embedded in the adhesive layer formed by curing the die-bonding film 11. In this embodiment, instead of the semiconductor chip 31 ', which is wire-bonded and mounted, a flip-chip mounted semiconductor chip 31' may be employed, for example, as shown in Fig. The semiconductor chip 31 'shown in FIG. 9 is electrically connected to the mounting substrate 51 through the bumps 55. Between the semiconductor chip 31' and the mounting substrate 51, (56) is filled and thermally cured. In the semiconductor device shown in Fig. 9, the adhesive layer formed by thermally curing the die-bonding film 11 is formed by embedding the semiconductor chip 31 '(first semiconductor chip) flip-chip mounted on the mounting substrate 51 And the semiconductor chip 31 (second semiconductor chip) is bonded to the mounting substrate 51. [

도 10 및 도 11은, 본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법의 다른 실시 형태에서의 일부의 공정을 나타낸다. 본 실시 형태에서는, 우선, 도 10의 (a) 및 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 실장 기판(51)에 와이어 본딩 실장된 반도체 칩(31') 위에 대한 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)의 임시 고착이 행해진다. 반도체 칩(31')은, 접착제층(52)을 통해 실장 기판(51)에 고정되어 있다. 반도체 칩(31')의 전극 패드(도시생략)와 실장 기판(51)이 갖는 단자부(도시생략)가, 본딩 와이어(53)을 통해 전기적으로 접속되어 있다. 본 공정에서는, 이와 같이 와이어 본딩 실장된 반도체 칩(31')의 본딩 와이어(53) 접속 개소를 다이 본드 필름(11)이 덮어, 당해 다이 본드 필름(11) 내에 본딩 와이어(53)의 일부가 매립된다. 또한, 본 공정에서는, 본딩 와이어(53)가 다이 본드 필름(11) 내에 밀어넣기 쉬운 상태로 하기 위해서, 다이 본드 필름(11)을 가열하여 연화시켜도 된다. 가열 온도는, 다이 본드 필름(11)이 완전한 열경화 상태에 이르지 않는 온도이며, 예를 들어 80 내지 140℃이다.10 and 11 show a part of steps in another embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention. In this embodiment, first, as shown in Figs. 10 (a) and 10 (b), a semiconductor chip 31 'having a die-bonding film on a semiconductor chip 31' (31) is temporarily fixed. The semiconductor chip 31 'is fixed to the mounting substrate 51 through the adhesive layer 52. [ (Not shown) of the semiconductor chip 31 'and a terminal portion (not shown) of the mounting substrate 51 are electrically connected through a bonding wire 53. [ In this step, the die bonding film 11 covers the connection point of the bonding wire 53 of the semiconductor chip 31 ', which is wire-bonded and thus mounted, and a part of the bonding wire 53 is inserted into the die bonding film 11 Landfill. In this step, the die bonding film 11 may be heated and softened so that the bonding wire 53 can be easily pushed into the die bonding film 11. The heating temperature is a temperature at which the die-bonding film 11 does not reach a completely thermoset state, for example, 80 to 140 占 폚.

다음으로, 도 10의 (c)에 도시한 바와 같이, 가열에 의해 다이 본드 필름(11)이 경화된다(열경화 공정). 본 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 100 내지 200℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 10시간이다. 본 공정을 거침으로써, 다이 본드 필름(11)이 열경화하여 이루어지는 접착제층이 형성된다. 이 접착제층은, 실장 기판(51)에 와이어 본딩 실장된 반도체 칩(31')의 본딩 와이어(53) 접속 개소를 덮어 본딩 와이어(53)의 일부를 포매하면서 반도체 칩(31')(제1 반도체 칩)에 반도체 칩(31)(제2 반도체 칩)을 접합하는 것이다.Next, as shown in Fig. 10 (c), the die-bonding film 11 is cured by heating (heat curing step). In this step, the heating temperature is, for example, 100 to 200 占 폚, and the heating time is, for example, 0.5 to 10 hours. By this process, an adhesive layer formed by thermosetting the die-bonding film 11 is formed. This adhesive layer covers the connection portion of the bonding wire 53 of the semiconductor chip 31 ', which is wire-bonded and mounted on the mounting substrate 51, while embedding a part of the bonding wire 53, The semiconductor chip 31 (the second semiconductor chip) is bonded to the semiconductor chip 31 (the semiconductor chip).

다음으로, 도 11의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(31)의 전극 패드(도시생략)와, 실장 기판(51)이 갖는 단자부(도시생략)가, 본딩 와이어(53)를 통해 전기적으로 접속된다(와이어 본딩 공정). 반도체 칩(31)의 전극 패드와 본딩 와이어(53)의 결선, 및 실장 기판(51)의 단자부와 본딩 와이어(53)의 결선은, 가열을 수반하는 초음파 용접에 의해 실현된다. 와이어 본딩에서의 와이어 가열 온도는 예를 들어 80 내지 250℃이고, 그 가열 시간은 예를 들어 수초 내지 수분 간이다. 이와 같은 와이어 본딩 공정은, 본 실시 형태에서의 전술한 열경화 공정보다도 앞에 행해도 된다.11 (a), an electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 31 and a terminal portion (not shown) of the mounting board 51 are electrically connected to each other through a bonding wire 53 And is electrically connected (wire bonding step). The connection of the electrode pad of the semiconductor chip 31 and the bonding wire 53 and the connection of the terminal portion of the mounting board 51 and the bonding wire 53 are realized by ultrasonic welding accompanied by heating. The wire heating temperature in the wire bonding is, for example, 80 to 250 占 폚, and the heating time is, for example, several seconds to several minutes. Such a wire bonding process may be performed before the above-described heat curing process in the present embodiment.

다음으로, 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이, 실장 기판(51) 위의 반도체 칩(31, 31') 및 본딩 와이어(53)를 밀봉하기 위한 밀봉 수지(54)가 형성된다(밀봉 공정). 본 공정에 있어서, 밀봉 수지(54)를 형성하기 위한 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 60초 내지 수분 간이다. 본 공정에서 밀봉 수지(54)의 경화가 충분하게는 진행되지 않은 경우에는, 본 공정 후에 밀봉 수지(54)를 추가의 가열 처리에 의해 완전히 경화시키기 위한 후경화 공정이 행해진다. 후경화 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 8시간이다. 도 10의 (c)를 참조하여 전술한 공정에 있어서 다이 본드 필름(11)이 완전하게는 열경화되지 않은 경우라도, 밀봉 공정이나 후경화 공정에서는, 밀봉 수지(54)와 함께 다이 본드 필름(11)에 대하여 완전한 열경화를 실현하는 것이 가능하다.11 (b), a sealing resin 54 for sealing the semiconductor chips 31 and 31 'and the bonding wires 53 on the mounting substrate 51 is formed (sealing fair). In this step, the heating temperature for forming the sealing resin 54 is, for example, 165 to 185 占 폚, and the heating time is, for example, 60 seconds to several minutes. If the curing of the sealing resin 54 does not proceed sufficiently in this step, a post-curing step is performed to completely cure the sealing resin 54 after the present step by further heat treatment. In the post-curing process, the heating temperature is, for example, 165 to 185 占 폚, and the heating time is, for example, 0.5 to 8 hours. The die bonding film 11 is not completely thermally cured in the above-described process with reference to Fig. 10 (c). In the sealing step and the post-curing step, 11) can be realized.

이상과 같이 하여, 복수의 반도체 칩이 다단 실장된 반도체 장치를 제조할 수 있다.As described above, a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are mounted in a multi-stage can be manufactured.

본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 도 2의 (d)를 참조하여 전술한 웨이퍼 박화 공정 대신에, 도 12에 도시한 웨이퍼 박화 공정을 행해도 된다. 도 2의 (c)를 참조하여 전술한 과정을 거친 후, 도 12에 도시한 웨이퍼 박화 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 당해 웨이퍼가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화되어, 복수의 반도체 칩(31)을 포함해 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 보유 지지된 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 형성된다. 본 공정에서는, 분할 홈(30a) 그 자체가 제2면 Wb측에 노출될 때까지 웨이퍼를 연삭하는 방법(제1 방법)을 채용해도 되고, 제2면 Wb측에서 분할 홈(30a)에 이르기보다 전까지 웨이퍼를 연삭하고, 그 후, 회전 숫돌로부터 웨이퍼에 대한 압박력의 작용에 의해 분할 홈(30a)과 제2면 Wb의 사이에 크랙을 발생시켜 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성하는 방법(제2 방법)을 채용해도 된다. 채용되는 방법에 따라, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)를 참조하여 전술한 바와 같이 형성되는 분할 홈(30a)의, 제1면 Wa로부터의 깊이는, 적절하게 결정된다. 도 12에서는, 제1 방법을 거친 분할 홈(30a), 또는 제2 방법을 거친 분할 홈(30a) 및 이것에 이어지는 크랙에 대하여, 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다. 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 다음에, 도 3 내지 도 6을 참조하여 전술한 각 공정이 행해져도 된다.In the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, the wafer thinning step shown in Fig. 12 may be performed instead of the wafer thinning step described above with reference to Fig. 2 (d). After the process described above with reference to FIG. 2 (c), in the wafer thinning step shown in FIG. 12, in a state in which the semiconductor wafer W is held on the wafer processing tape T2, until the wafer reaches a predetermined thickness The semiconductor wafer divided body 30B which is thinned by the grinding process from the second surface Wb and held on the wafer processing tape T2 including the plurality of semiconductor chips 31 is formed. In this step, a method (first method) of grinding the wafer until the dividing groove 30a itself is exposed on the second surface Wb side may be adopted. In the step, A method of grinding the wafer up to a point before the grinding step and then generating a crack between the dividing groove 30a and the second face Wb by the action of a pressing force against the wafer from the rotating grindstone to form the semiconductor wafer divided body 30B A second method) may be employed. Depending on the method employed, the depth of the dividing groove 30a formed as described above with reference to Figs. 2A and 2B from the first surface Wa is appropriately determined. In Fig. 12, the dividing grooves 30a through the first method, or the dividing grooves 30a through the second method, and the cracks extending therefrom are schematically shown by thick lines. After the semiconductor wafer divided body 30B thus manufactured is bonded to the dicing die bonding film X instead of the semiconductor wafer 30A, the respective steps described above with reference to Figs. 3 to 6 may be performed.

도 13의 (a) 및 도 13의 (b)는, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 후에 행해지는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 구체적으로 나타낸다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아 상승되고, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)가, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(20)에 있어서, 예를 들어 1 내지 100MPa의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 본 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 본 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 1 내지 500㎜/초이다. 또한, 본 공정에서의 익스팬드 양은, 예를 들어 50 내지 200㎜이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)이 소편의 다이 본드 필름(11)으로 할단되어 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착되어 있는 다이 본드 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(10)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 이와 같이 하여 얻어지는 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)은, 도 6을 참조하여 전술한 픽업 공정을 거친 후, 반도체 장치 제조 과정에서의 실장 공정에 제공되게 된다.Figs. 13A and 13B specifically show the first expanding process (cool expansion process) performed after the semiconductor wafer divided body 30B is bonded to the dicing die-bonding film X . In this process, the hollow cylinder-shaped push-up member 43 provided in the expanding device is lifted up against the dicing tape 20 at the lower side of the drawing of the dicing die bonding film X, The dicing tape 20 of the dicing die-bonding film X to which the semiconductor wafer 30B is bonded is stretched so as to stretch in the two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer divided body 30B. This expanse is carried out under the condition that a tensile stress of, for example, 1 to 100 MPa is generated in the dicing tape 20. The temperature condition in this step is, for example, 0 deg. C or less, preferably -20 to -5 deg. C, more preferably -15 to -5 deg. C, and more preferably -15 deg. The expansion speed (the speed at which the lifting member 43 ascends) in this step is, for example, 1 to 500 mm / sec. Further, the amount of expanded in this step is, for example, 50 to 200 mm. By this cooling expansion process, the die-bonding film 10 of the dicing die-bonding film X is cut into the die-bonding film 11 of the piece, and the semiconductor die 31 with the die-bonding film is obtained. More specifically, in this step, the semiconductor chips 31 of the semiconductor wafer divided body 30B in the die-bonding film 10 adhered to the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the exposing dicing tape 20, The deformation of the dicing tape 20 is suppressed in the regions in which the dicing tape 20 is adhered while the deformation is suppressed in the regions where the dicing tape 20 is in close contact with the semiconductor chips 31. On the other hand, Tensile stress acts. As a result, portions of the die-bonding film 10 opposed to the division grooves 30a between the semiconductor chips 31 are cut off. The semiconductor chip 31 with the die-bonding film thus obtained is subjected to the pick-up process described above with reference to FIG. 6, and is then provided to the mounting process in the semiconductor device manufacturing process.

본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 반도체 웨이퍼(30A) 또는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된다는 전술한 구성 대신에, 다음과 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합되어도 된다.In the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, the semiconductor wafer 30C or the semiconductor wafer 30C manufactured in the following manner is used instead of the above-described configuration in which the semiconductor wafer 30A or the semiconductor wafer divided body 30B is bonded to the dicing die bonding film X ) May be bonded to the dicing die-bonding film X.

반도체 웨이퍼(30C)의 제작에 있어서는, 우선, 도 14의 (a) 및 도 14의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W에 개질 영역(30b)이 형성된다. 반도체 웨이퍼 W는, 제1면 Wa 및 제2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시생략)이 제1면 Wa 위에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 점착면 T3a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T3이 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 접합된 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞춰진 레이저 광이 웨이퍼 가공용 테이프 T3과는 반대 측으로부터 반도체 웨이퍼 W에 대해서 그 분할 예정 라인을 따라 조사되고, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의하여 반도체 웨이퍼 W 내에 개질 영역(30b)이 형성된다. 개질 영역(30b)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 취약화 영역이다. 반도체 웨이퍼에 있어서 레이저 광 조사에 의해 분할 예정 라인 위에 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허공개 제2002-192370호 공보에 상세히 설명되어 있는바, 본 실시 형태에서의 레이저 광 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절하게 조정된다.In manufacturing the semiconductor wafer 30C, first, as shown in Figs. 14A and 14B, the modified region 30b is formed in the semiconductor wafer W. In Fig. The semiconductor wafer W has a first surface Wa and a second surface Wb. Various semiconductor elements (not shown) are already formed on the side of the first surface Wa of the semiconductor wafer W, and a wiring structure (not shown) necessary for the semiconductor element is already formed on the first surface Wa. In this step, after the wafer processing tape T3 having the adhesive surface T3a is bonded to the first surface Wa side of the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer W is held on the wafer processing tape T3, The light is irradiated to the semiconductor wafer W along the line to be divided from the side opposite to the wafer processing tape T3 and the modified region 30b is formed in the semiconductor wafer W by ablation by multiphoton absorption. The modified region 30b is a weakening region for separating the semiconductor wafer W into semiconductor chips. A method of forming a modified region 30b on a line to be divided by laser light irradiation in a semiconductor wafer is described in detail in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-192370, The light irradiation condition is suitably adjusted within the range of, for example, the following conditions.

<레이저 광 조사 조건>&Lt; Laser irradiation condition >

(A) 레이저 광(A) Laser light

레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd: YAG 레이저Laser light source Semiconductor laser excitation Nd: YAG laser

파장 1064nmwavelength 1064 nm

레이저 광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠Laser light spot cross-sectional area 3.14 x 10 &lt; -8 &gt;

발진 형태 Q스위치 펄스Rash type Q switch pulse

반복 주파수 100㎑ 이하Repetition frequency 100 kHz or less

펄스폭 1㎲ 이하Pulse width 1 μs or less

출력 1mJ 이하Print 1mJ or less

레이저 광 품질 TEM00Laser light quality TEM00

편광 특성 직선 편광Polarization characteristic Linear polarization

(B) 집광용 렌즈(B) a condenser lens

배율 100배 이하Magnification 100 times or less

NA 0.55NA 0.55

레이저 광 파장에 대한 투과율 100％ 이하Transmittance to laser light wavelength 100% or less

(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280㎜/초 이하(C) The moving speed of the loading table on which the semiconductor substrate is loaded 280 mm / sec or less

다음으로, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화되고, 이에 의해, 도 14의 (c)에 도시한 바와 같이, 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30C)가 형성된다(웨이퍼 박화 공정). 이상과 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)가 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 다음, 도 3 내지 도 6을 참조하여 전술한 각 공정이 행해져도 된다.Next, in a state in which the semiconductor wafer W is held on the tape T3 for wafer processing, the semiconductor wafer W is thinned by grinding from the second surface Wb to a predetermined thickness, , A semiconductor wafer 30C that can be separated into a plurality of semiconductor chips 31 is formed (wafer thinning step). After the semiconductor wafer 30C thus manufactured is bonded to the dicing die bonding film X in place of the semiconductor wafer 30A, the respective steps described above with reference to Figs. 3 to 6 may be performed.

도 15의 (a) 및 도 15의 (b)는, 반도체 웨이퍼(30C)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 후에 행해지는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 구체적으로 나타낸다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아 상승되고, 반도체 웨이퍼(30C)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)가, 반도체 웨이퍼(30C)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(20)에 있어서, 예를 들어 1 내지 100MPa의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 본 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 본 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 1 내지 500㎜/초이다. 또한, 본 공정에서의 익스팬드 양은, 예를 들어 50 내지 200㎜이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)이 소편의 다이 본드 필름(11)으로 할단되어 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30C)에 있어서 취약한 개질 영역(30b)에 크랙이 형성되어 반도체 칩(31)에 대한 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착하고 있는 다이 본드 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼(30C)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 웨이퍼의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(10)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 이와 같이 하여 얻어지는 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)은, 도 6을 참조하여 전술한 픽업 공정을 거친 후, 반도체 장치 제조 과정에서의 실장 공정에 제공되게 된다.Figs. 15A and 15B specifically show a first expand process (a cool expansion process) performed after the semiconductor wafer 30C is bonded to the dicing die-bonding film X. Fig. In this process, the hollow columnar push-up member 43 provided in the expanding device is lifted up against the dicing tape 20 on the lower side of the dicing die bonding film X in the figure, and the semiconductor wafer 30C The dicing tape 20 of the dicing die-bonding film X to which the dicing die bonding film X is bonded is expanded so as to stretch in the two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer 30C. This expanse is carried out under the condition that a tensile stress of, for example, 1 to 100 MPa is generated in the dicing tape 20. The temperature condition in this step is, for example, 0 deg. C or less, preferably -20 to -5 deg. C, more preferably -15 to -5 deg. C, and more preferably -15 deg. The expansion speed (the speed at which the lifting member 43 ascends) in this step is, for example, 1 to 500 mm / sec. Further, the amount of expanded in this step is, for example, 50 to 200 mm. By this cooling expansion process, the die-bonding film 10 of the dicing die-bonding film X is cut into the die-bonding film 11 of the piece, and the semiconductor die 31 with the die-bonding film is obtained. Specifically, in this step, a crack is formed in the weakened modified region 30b of the semiconductor wafer 30C, and the semiconductor chip 31 is fragmented. In this step, the semiconductor chips 31 of the semiconductor wafer 30C adhere closely to each other in the die-bonding film 10 adhered to the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the exposing dicing tape 20 The tensile stress generated in the dicing tape 20 is applied to a portion opposed to the portion where cracks are formed in the wafer, without such deformation suppressing action occurring. As a result, the portion of the die-bonding film 10 opposite to the portion where cracks are formed between the semiconductor chips 31 is cut off. The semiconductor chip 31 with the die-bonding film thus obtained is subjected to the pick-up process described above with reference to FIG. 6, and is then provided to the mounting process in the semiconductor device manufacturing process.

예를 들어 이상과 같은 반도체 장치 제조 과정에 있어서 사용될 수 있는 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 다이 본드 필름(10)에 있어서, 폭 10㎜의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10㎜, 23℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하이고, 파단 강도가 15N 이하이며, 또한 파단 신도가 40 내지 400％라는 전술한 구성은, 당해 다이 본드 필름(10)이 비교적 두꺼운 경우라도, 익스팬드 공정에 있는 다이 본드 필름(10)에 대하여, 그 할단 예정 개소에 할단을 발생시키면서도 다이싱 테이프(20) 위로부터의 비산을 억제하는 데 적합하다는 사실을 본 발명자들은 알아내었다. 예를 들어, 후술하는 실시예 및 비교예로써 나타내는 바와 같다.For example, in the die-bonding film 10 in the dicing die-bonding film X that can be used in the semiconductor device manufacturing process as described above, the die boding film test piece having a width of 10 mm has an initial chuck distance of 10 mm, , And a tensile test at a tensile rate of 300 mm / min, a breaking strength of 15 N or less, a breaking strength of 15 N or less, and a fracture elongation of 40 to 400% 10) is relatively thick, it is preferable for the die-bonding film 10 in the expanding process to be suitable for suppressing scattering from above the dicing tape 20 while generating a cut at a position to be cut off. The inventors found out. For example, as shown in the following examples and comparative examples.

다이 본드 필름(10)에서의, 상기 인장 시험에서의 파단 신도가 40 내지 400％이며, 바람직하게는 40 내지 350％, 보다 바람직하게는 40 내지 300％라는 전술한 구성은, 할단용 익스팬드 공정에서, 다이 본드 필름(10)을 할단시키기 위한 인장 길이가 과대해지는 것을 방지하면서 당해 다이 본드 필름(10)에 취성 파괴가 아니라 연성 파괴를 쉽게 발생시키는 데 있어서 바람직한 것이라고 생각된다. 연성파괴가 발생하기 쉬운 다이 본드 필름일수록, 할단용 익스팬드 공정에서 할단용 응력이 당해 필름의 할단 예정 개소에까지 전달되기 쉽고, 따라서, 할단 예정 개소에서 할단되기 쉽다.The above-described constitution that the elongation at break in the tensile test in the die-bonding film 10 is 40 to 400%, preferably 40 to 350%, and more preferably 40 to 300% It is considered desirable that the die-bonding film 10 is not brittle but easily ductile, while preventing the tensile length for cutting the die-bonding film 10 from becoming excessive. The more the die bond film in which ductile fracture tends to occur is likely to be transmitted to the portion where the film is to be cut out in the expansing step for cutting in the process of releasing the film.

다이 본드 필름(10)에서의, 상기 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하이고, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이고, 또한, 상기 인장 시험에서의 파단 강도가 15N 이하이며, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하라는 전술한 구성은, 할단용 익스팬드 공정에서의 다이 본드 필름(10)의 신장 과정 및 파단 과정에서 당해 필름 내부에 축적되는 변형 에너지를 억제하는 데 있어서 바람직한 것이라고 생각된다. 할단용 익스팬드 공정에서는, 신장 과정 및 파단 과정에서의 내부 축적 변형 에너지가 작은 다이 본드 필름일수록, 그 노출 영역(워크에 덮여 있지 않은 영역)에서 파단되어 필름편이 비산된다고 하는 현상은, 발생하기 어렵다.The yield strength of the die-bonding film 10 in the tensile test is 15 N or less, preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less, and the breaking strength in the tensile test is 15 N or less The above-described configuration of 12 N or less, more preferably 10 N or less, is effective in suppressing the strain energy accumulated in the film during the stretching process and the breaking process of the die-bonding film 10 in the expaning process for stripping Which is considered to be preferable. In the expanding process for the cutting, the phenomenon that the die-bending film having a small internal strain energy in the elongating process and the breaking process is broken in the exposed area (area not covered with the work) and the film piece is scattered is hard to occur .

이상과 같이, 다이 본드 필름(10)은, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)측에 밀착된 형태에서 할단용 익스팬드 공정에 사용되는 경우에, 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합한 것이다. 또한, 다이싱 다이 본드 필름 X는, 할단용 익스팬드 공정에 사용되는 경우에, 다이 본드 필름(10)에 있어서 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합하다.As described above, when the die-bonding film 10 is used in the extender process for cutting in the form of being closely attached to the pressure-sensitive adhesive layer 22 side of the dicing tape 20, . Further, the dicing die-bonding film X is suitable for suppressing scattering while achieving good cutoff in the die-bonding film 10 when used in the expanding step for cutting.

다이 본드 필름(10)의 두께는, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상, 보다 바람직하게는 80㎛ 이상이다. 이와 같은 구성은, 반도체 칩 포매용 접착 필름이나, 본딩 와이어의 부분적 포매를 수반하는 반도체 칩간 접합용 접착 필름으로서, 다이 본드 필름(10)을 사용하는 데 있어서 적합하다. 또한, 다이 본드 필름(10)의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 160㎛ 이하, 보다 바람직하게는 120㎛ 이하이다. 이와 같은 구성은, 다이 본드 필름(10)에 대한 항복점 강도나 파단 강도, 파단 신도가 과대해지는 것을 방지하여, 상기 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하이고, 파단 강도가 15N 이하이며, 또한 파단 신도가 40 내지 400％라는 상기 구성을 실현하는 데 있어서 바람직하다.The thickness of the die-bonding film 10 is preferably 40 占 퐉 or more, more preferably 60 占 퐉 or more, and more preferably 80 占 퐉 or more, as described above. Such a configuration is suitable for use in the die-bonding film 10 as an adhesive film for semiconductor chip embedding or an adhesive film for bonding between semiconductor chips accompanied by partial embedding of a bonding wire. The thickness of the die-bonding film 10 is preferably 200 占 퐉 or less, more preferably 160 占 퐉 or less, and more preferably 120 占 퐉 or less. Such a structure prevents the yield point strength, the breaking strength and the elongation at break of the die-bonding film 10 from becoming excessive, so that the yield point strength in the tensile test is 15 N or less, the breaking strength is 15 N or less, Is in the range of 40 to 400%.

다이 본드 필름(10)의 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도는, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 300Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 700Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 1000Pa·s 이상이다. 다이 본드 필름(10)의 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 5000Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4500Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4000Pa·s 이하이다. 다이 본드 필름(10)의 미경화 상태에서의 점도 내지 연질 정도에 관한 이들 구성은, 반도체 칩 포매용 접착 필름이나, 본딩 와이어의 부분적 포매를 수반하는 반도체 칩간 접합용 접착 필름으로서, 다이 본드 필름(10)을 사용하는 데 있어서 적합하다.The viscosity at 120 deg. C in the uncured state of the die-bonding film 10 is preferably 300 Pa · s or more, more preferably 700 Pa · s or more, and even more preferably 1000 Pa · s or more as described above . The viscosity at 120 deg. C in the uncured state of the die-bonding film 10 is preferably 5000 Pa · s or less, more preferably 4500 Pa · s or less, and even more preferably 4000 Pa · s or less. These structures relating to the viscosity or degree of softness of the die-bonding film 10 in the uncured state are an adhesive film for semiconductor chip embedding and an adhesive film for bonding between semiconductor chips accompanied by the partial embedding of the bonding wire, 10). &Lt; / RTI &gt;

다이 본드 필름(10)이 무기 필러를 함유하는 경우의 그 무기 필러 함유량은, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 10질량％ 이상, 보다 바람직하게는 20질량％ 이상, 보다 바람직하게는 30질량％ 이상이다. 또한, 상기 함유량은, 바람직하게는 50질량％ 이하, 보다 바람직하게는 45질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다. 접착제층 형성용 필름 내의 무기 필러 함유량이 증대될수록, 당해 필름의 파단 신도는 작아지는 경향이 있고 또한 항복점 강도는 커지는 경향이 있는바, 다이 본드 필름(10)에서의 무기 필러 함유량에 관한 당해 구성은, 다이 본드 필름(10)의 노출 영역(워크에 덮여 있지 않은 영역)에서 파단되어 필름편이 비산된다는 전술한 현상을 억제하는 데 적합하다.The content of the inorganic filler in the case where the die-bonding film 10 contains an inorganic filler is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and still more preferably 30% by mass or more to be. The content is preferably 50 mass% or less, more preferably 45 mass% or less, and still more preferably 40 mass% or less. As the content of the inorganic filler in the adhesive layer-forming film is increased, the elongation at break of the film tends to become smaller and the yield point strength tends to become larger. The composition of the inorganic filler in the die- , It is suitable for suppressing the above-mentioned phenomenon that the film is broken in the exposed area (area not covered with the work) of the die-bonding film 10 and the film piece is scattered.

다이 본드 필름(10)은 바람직하게는 유기 필러를 함유하고, 다이 본드 필름(10)에서의 유기 필러의 함유량은, 바람직하게는 2질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5질량％ 이상, 보다 바람직하게는 8질량％ 이상이다. 또한, 다이 본드 필름(10)이 유기 필러를 함유하는 경우의 그의 함유량은, 바람직하게는 20질량％ 이하, 보다 바람직하게는 17질량％ 이하, 보다 바람직하게는 15질량％ 이하이다. 다이 본드 필름(10)에서의 유기 필러 함유량에 관한 당해 구성은, 다이 본드 필름(10)의 항복점 강도 및 파단 강도를 적정 범위로 제어하는 데 있어서 적합하다.The die-bonding film 10 preferably contains an organic filler, and the content of the organic filler in the die-bonding film 10 is preferably 2% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, Is not less than 8% by mass. When the die-bonding film 10 contains an organic filler, its content is preferably 20 mass% or less, more preferably 17 mass% or less, and further preferably 15 mass% or less. This constitution relating to the organic filler content in the die-bonding film 10 is suitable for controlling the yield point strength and the breaking strength of the die-bonding film 10 in an appropriate range.

다이 본드 필름(10)은, 바람직하게는 유리 전이 온도가 -40 내지 10℃의 아크릴 수지를 함유한다. 이와 같은 구성은, 다이 본드 필름(10)에 대하여 상기 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하라는 상기 구성을 실현하는 데 있어서 적합하다.The die-bonding film 10 preferably contains an acrylic resin having a glass transition temperature of -40 to 10 占 폚. Such a configuration is suitable for realizing the above-described configuration in which the yield point strength in the tensile test is 15 N or less with respect to the die-bonding film 10.

실시예Example

〔실시예 1〕[Example 1]

<다이 본드 필름(DAF)의 제작>&Lt; Production of die-bonding film (DAF)

아크릴 수지 A1(상품명 「테이산레진 SG-708-6」, 중량 평균 분자량은 70만, 유리 전이 온도 Tg는 4℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 18질량부와, 에폭시 수지(상품명 「KI-3000-4」, 신닛테츠 스미킨 가가쿠 가부시키가이샤 제조) 28질량부와, 페놀 수지(상품명 「LVR8210-DL」, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조) 14질량부와, 무기 필러(상품명 「SE-2050MC」, 실리카, 평균 입경은 0.5㎛, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조) 40질량부와, 경화 촉매인 유기 촉매(상품명 「TPP-MK」, 홋코 가가쿠 가부시키가이샤 제조) 0.1질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하고 혼합하여, 접착제 조성물을 얻었다. 이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 38㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 접착제 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성하였다. 이어서, 이 조성물층에 대하여 130℃에서 2분간의 가열 건조를 행하고, PET 세퍼레이터 위에 두께 100㎛의 실시예 1의 다이 본드 필름을 제작하였다. 실시예 1, 그리고 후술하는 각 실시예 및 각 비교예에서의 다이 본드 필름의 조성을 표 1에 기재한다(표 1에 있어서, 다이 본드 필름의 조성을 나타내는 각 수치의 단위는, 당해 조성 내에서의 상대적인 "질량부"이다).18 parts by mass of an acrylic resin A1 (trade name " TESAN RESIN SG-708-6 ", weight average molecular weight: 700,000, glass transition temperature Tg: 4 DEG C, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) (Trade name: "LVR8210-DL", manufactured by Gunpo Chemical Industries Co., Ltd.), 14 parts by mass of an inorganic filler (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., (Trade name &quot; TP-MK &quot;, manufactured by Hokko Chemical Industry Co., Ltd.) 0.1 part by weight as a curing catalyst, 40 parts by weight of silica Mass part were added to methyl ethyl ketone and mixed to obtain an adhesive composition. Subsequently, an adhesive composition was applied onto the silicone release treated surface of a PET separator (having a thickness of 38 mu m) having a surface subjected to the silicon release treatment using an applicator to form an adhesive composition layer. Subsequently, this composition layer was heated and dried at 130 占 폚 for 2 minutes to prepare a die-bonding film of Example 1 having a thickness of 100 占 퐉 on a PET separator. The composition of the die-bonding film in Example 1 and each of the below-described Examples and Comparative Examples is shown in Table 1 (in Table 1, the unit of each numerical value showing the composition of the die-bonding film is a relative value Quot; mass ").

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 아크릴산 2-에틸헥실 86.4질량부와, 아크릴산 2-히드록시에틸 13.6질량부와, 중합 개시제인 과산화 벤조일 0.2질량부와, 중합 용매된 톨루엔 65질량부를 포함하는 혼합물을, 61℃에서 6시간, 질소 분위기하에서 교반하였다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 중합체 P1을 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이어서, 이 아크릴계 중합체 P1을 함유하는 중합체 용액과, 2-메타크릴로일옥시 에틸이소시아네이트(MOI)와, 부가 반응 촉매로서의 디부틸주석디라우릴레이트를 포함하는 혼합물을, 50℃에서 48시간, 공기 분위기하에서 교반하였다(부가 반응). 당해 반응 용액에 있어서, MOI의 배합량은, 상기 아크릴계 중합체 P1 100질량부에 대해서 14.6질량부이며, 디부틸주석디라우릴레이트의 배합량은, 아크릴계 중합체 P1 100질량부에 대해서 0.5질량부이다. 이 부가 반응에 의해, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 중합체 P2를 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이어서, 당해 중합체 용액에, 아크릴계 중합체 P2 100질량부에 대해서 2질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)과, 5질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, BASF사 제조)를 첨가하고 혼합하여, 점착제 조성물을 얻었다. 이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 38㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 점착제 조성물을 도포하여 점착제 조성물층을 형성하였다. 이어서, 이 조성물층에 대하여 120℃에서 2분간의 가열 건조를 행하고, PET 세퍼레이터 위에 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 이어서, 라미네이터를 사용하여, 이 점착제층의 노출면에 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA)제의 기재(상품명 「FUNCRARE NRB#115」, 두께 115㎛, 군제 가부시키가이샤 제조)를 실온에서 접합하였다. 이상과 같이 하여 다이싱 테이프를 제작하였다.In a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen inlet tube, a thermometer and a stirring device, 86.4 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 13.6 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 0.2 parts by mass of benzoyl peroxide , And 65 parts by mass of polymerized toluene was stirred at 61 ° C for 6 hours under a nitrogen atmosphere (polymerization reaction). Thus, a polymer solution containing the acrylic polymer P 1 was obtained. Then, a mixture containing the polymer solution containing the acrylic polymer P 1 , 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) and dibutyltin dilaurate as an addition reaction catalyst was stirred at 50 ° C for 48 hours , And stirred in an air atmosphere (addition reaction). In the reaction solution, the blending amount of MOI is 14.6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer P 1 , and the blending amount of dibutyltin dilaurate is 0.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer P 1 . By this addition reaction, a polymer solution containing an acrylic polymer P 2 having a methacrylate group in its side chain was obtained. Then, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name: Coronate L, manufactured by Tosoh Corporation) and 5 parts by mass of a photopolymerization initiator (trade name: Irgacure 651 (trade name)) were added to the polymer solution in an amount of 2 parts by mass based on 100 parts by mass of the acrylic polymer P 2 Quot ;, manufactured by BASF) was added and mixed to obtain a pressure-sensitive adhesive composition. Subsequently, a pressure-sensitive adhesive composition was applied onto the silicone release-treated surface of a PET separator (having a thickness of 38 mu m) having a surface subjected to the silicon release treatment using an applicator to form a pressure-sensitive adhesive composition layer. Subsequently, the composition layer was heated and dried at 120 캜 for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 탆 on a PET separator. Subsequently, a substrate made of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) (trade name: FUNCRARE NRB # 115, thickness: 115 mu m, manufactured by Gunze Kagaku Co., Ltd.) was bonded to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer at room temperature using a laminator . Thus, a dicing tape was produced.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작> <Production of dicing die-bonding film>

PET 세퍼레이터를 수반하는 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름을 직경 330㎜의 원형으로 펀칭 가공하였다. 이어서, 당해 다이 본드 필름으로부터 PET 세퍼레이터를 박리되고 또한 전술한 다이싱 테이프로부터 PET 세퍼레이터를 박리한 후, 당해 다이싱 테이프에 있어서 노출된 점착제층과, 다이 본드 필름에 있어서 PET 세퍼레이터의 박리에 의해 노출된 면을, 롤 라미네이터를 사용하여 접합하였다. 이 접합에 있어서, 접합 속도를 10㎜/분으로 하고, 온도 조건을 40℃로 하며, 압력 조건을 0.15MPa로 하였다. 이어서, 이와 같이 하여 다이 본드 필름과 접합된 다이싱 테이프를, 다이싱 테이프의 중심과 다이 본드 필름의 중심이 일치하도록, 직경 390㎜의 원형으로 펀칭 가공하였다. 이어서, 다이싱 테이프에서의 점착제층에 대해서, EVA 기재의 측으로부터 자외선을 조사하였다. 자외선 조사에 있어서는, 고압 수은램프를 사용하고, 조사 적산 광량을 400mJ/㎠로 하였다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프와 다이 본드 필름을 포함하는 적층 구조를 갖는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.The above-mentioned die-bonding film of Example 1 accompanied by a PET separator was punched into a circular shape having a diameter of 330 mm. Then, the PET separator was peeled off from the die-bonding film and the PET separator was peeled off from the dicing tape. After that, the pressure-sensitive adhesive layer exposed on the dicing tape and the PET separator in the die- Were bonded to each other using a roll laminator. In this bonding, the bonding speed was 10 mm / min, the temperature condition was 40 ° C, and the pressure condition was 0.15 MPa. Then, the dicing tape bonded to the die-bonding film was punched in a circular shape having a diameter of 390 mm such that the center of the dicing tape and the center of the die-bonding film coincided with each other. Subsequently, the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing tape was irradiated with ultraviolet rays from the EVA base material side. For ultraviolet irradiation, a high-pressure mercury lamp was used, and the irradiated cumulative light amount was set to 400 mJ / cm 2. Thus, a dicing die-bonding film of Example 1 having a laminated structure including a dicing tape and a die-bonding film was produced.

〔실시예 2〕[Example 2]

아크릴 수지 A1 18질량부 대신에 아크릴 수지 A2(상품명 「테이산레진 SG-70L」, 중량 평균 분자량은 90만, 유리 전이 온도 Tg는 -13℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 18질량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 실시예 2의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.18 parts by mass of acrylic resin A 2 (trade name: "TAYASA RESIN SG-70L", weight average molecular weight: 900,000, glass transition temperature Tg: -13 ° C, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used instead of 18 parts by mass of acrylic resin A 1 (Thickness: 100 占 퐉) of the die-bonding film of Example 2 was prepared in the same manner as in the die-bonding film of Example 1, A dicing die-bonding film of Example 2 was fabricated in the same manner as in the dicing die-bonding film of Example 1, except that the die-bonding film of Example 2 was used in place of the die-bonding film of Example 1 .

〔실시예 3〕[Example 3]

아크릴 수지 A1 18질량부 대신에 아크릴 수지 A3(상품명 「테이산레진 SG-280」, 중량 평균 분자량은 90만, 유리 전이 온도 Tg는 -29℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 18질량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 실시예 3의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.18 parts by mass of acrylic resin A 3 (trade name: "TAYASA RESIN SG-280", weight average molecular weight: 900,000, glass transition temperature: Tg: -29 ° C, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used instead of 18 parts by mass of acrylic resin A 1 (Thickness: 100 m) of the die-bonding film of Example 3 was produced in the same manner as in the die-bonding film of Example 1, A dicing die-bonding film of Example 3 was produced in the same manner as in the dicing die-bonding film of Example 1, except that the die-bonding film of Example 3 was used in place of the die-bonding film of Example 1 .

〔실시예 4〕[Example 4]

아크릴 수지 A1 18질량부 대신에 아크릴 수지 A2(상품명 「테이산레진 SG-70L」, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 18질량부를 사용한 것, 에폭시 수지(상품명 「KI-3000-4」, 신닛테츠 스미킨 가가쿠 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 28질량부 대신에 22질량부로 한 것, 페놀 수지(상품명 「LVR8210-DL」, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 14질량부 대신에 10질량부로 한 것, 및 무기 필러(상품명 「SE-2050MC」, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조)의 배합량을 40질량부 대신에 50질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 4의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 실시예 4의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 4의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Except that 18 parts by mass of an acrylic resin A 2 (trade name: "TAYASA RESIN SG-70L", manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used instead of 18 parts by mass of an acrylic resin A 1 , an epoxy resin (trade name "KI- Except that the compounding amount of phenol resin (trade name &quot; LVR8210-DL &quot;, manufactured by Gun-Ei Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha) was changed to 22 mass parts instead of 28 mass parts, Except that the blending amount of an inorganic filler (trade name &quot; SE-2050MC &quot;, manufactured by Admatech Co., Ltd.) was changed to 50 parts by mass instead of 40 parts by mass, , A die-bonding film (thickness 100 탆) of Example 4 was produced. A dicing die-bonding film of Example 4 was produced in the same manner as in the dicing die-bonding film of Example 1 except that the die-bonding film of Example 4 was used in place of the die-bonding film of Example 1 .

〔실시예 5〕[Example 5]

무기 필러(상품명 「SE-2050MC」, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조)의 배합량을 40질량부 대신에 30질량부로 한 것, 및 유기 필러(상품명 「아트 펄 J-4PY」, 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 네가미 고교 가부시키가이샤 제조) 10질량부를 더 배합한 것 이외에는, 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 5의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 실시예 5의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 5의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.(Trade name &quot; Art Pearl J-4PY &quot;, trade name: &quot; SE-2050MC &quot;, manufactured by Admatech Co., Ltd.) in an amount of 30 parts by mass instead of 40 parts by mass, (100 mu m in thickness) of Example 5 was produced in the same manner as in Example 1, except that 10 parts by mass of a thermosetting resin (PMMA, manufactured by Negami Chemical Industries, Ltd.) was further blended. A dicing die-bonding film of Example 5 was prepared in the same manner as in the dicing die-bonding film of Example 1, except that the die-bonding film of Example 5 was used in place of the die-bonding film of Example 1 .

〔실시예 6〕[Example 6]

아크릴 수지 A1 18질량부 대신에 아크릴 수지 A3(상품명 「테이산레진 SG-280」, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 18질량부를 사용한 것, 무기 필러(상품명 「SE-2050MC」, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조)의 배합량을 40질량부 대신에 30질량부로 한 것, 및 유기 필러(상품명 「아트 펄 J-4PY」, 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 네가미 고교 가부시키가이샤 제조) 10질량부를 더 배합한 것 이외에는, 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 6의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 실시예 6의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 6의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.18 parts by mass of an acrylic resin A 3 (trade name "TAYASA RESIN SG-280", manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used instead of 18 parts by mass of an acrylic resin A 1 , an inorganic filler (trade name: SE-2050MC, (Trade name &quot; Art Pearl J-4PY &quot;, polymethyl methacrylate (PMMA), manufactured by Negami Kogyo K.K.) in an amount of 30 parts by mass instead of 40 parts by mass, (100 占 퐉 thick) of Example 6 was produced in the same manner as the die-bonding film of Example 1, A dicing die-bonding film of Example 6 was produced in the same manner as in the dicing die-bonding film of Example 1, except that the die-bonding film of Example 6 was used in place of the die-bonding film of Example 1 .

〔실시예 7〕[Example 7]

아크릴 수지 A1 18질량부 대신에 아크릴 수지 A3(상품명 「테이산레진 SG-280」, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 18질량부를 사용한 것, 무기 필러(상품명 「SE-2050MC」, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조)의 배합량을 40질량부 대신에 30질량부로 한 것, 유기 필러(상품명 「아트 펄 J-4PY」, 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 네가미 고교 가부시키가이샤 제조) 10질량부를 더 배합한 것, 및 두께를 100㎛ 대신에 200㎛로 한 것 이외에는, 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 7의 다이 본드 필름을 제작하였다. 또한, 이 실시예 7의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 7의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.18 parts by mass of an acrylic resin A 3 (trade name "TAYASA RESIN SG-280", manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used instead of 18 parts by mass of an acrylic resin A 1 , an inorganic filler (trade name: SE-2050MC, Manufactured by Admatech Co., Ltd.) in an amount of 30 parts by mass instead of 40 parts by mass, an organic filler (trade name: Art Pearl J-4PY, polymethyl methacrylate (PMMA), manufactured by Negami Chemical Industries, Ltd.) 10 A die-bonding film of Example 7 was prepared in the same manner as in the die-bonding film of Example 1 except that the mass portion was further blended and that the thickness was changed to 200 占 퐉 instead of 100 占 퐉. The dicing die-bonding film of Example 7 was fabricated in the same manner as the dicing die-bonding film of Example 1 except that the die-bonding film of Example 7 was used in place of the die-bonding film of Example 1 .

〔비교예 1〕[Comparative Example 1]

에폭시 수지(상품명 「KI-3000-4」, 신닛테츠 스미킨 가가쿠 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 28질량부 대신에 22질량부로 한 것, 페놀 수지(상품명 「LVR8210-DL」, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 14질량부 대신에 10질량부로 한 것, 및 무기 필러(상품명 「SE-2050MC」, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조)의 배합량을 40질량부 대신에 50질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 1의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 비교예 1의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 1의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다., A phenol resin (trade name: &quot; LVR8210-DL &quot;, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) instead of 28 parts by mass of an epoxy resin (trade name &quot; KI- (Trade name &quot; SE-2050MC &quot;, manufactured by Admatech Co., Ltd.) was used in an amount of 50 parts by mass instead of 40 parts by mass, in place of 14 parts by mass of an inorganic filler (manufactured by Kugo K. K.) A die-bonding film (thickness 100 탆) of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in the die-bonding film of Example 1 except that the thickness was changed. A dicing die-bonding film of Comparative Example 1 was prepared in the same manner as in the dicing die-bonding film of Example 1, except that the die-bonding film of Comparative Example 1 was used in place of the die-bonding film of Example 1 .

〔비교예 2〕[Comparative Example 2]

아크릴 수지 A1 18질량부 대신에 아크릴 수지 A2(상품명 「테이산레진 SG-70L」, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 24질량부를 사용한 것, 에폭시 수지(상품명 「KI-3000-4」, 신닛테츠 스미킨 가가쿠 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 28질량부 대신에 24질량부로 한 것, 및 페놀 수지(상품명 「LVR8210-DL」, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 14질량부 대신에 12질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 비교예 2의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Except that 24 parts by mass of an acrylic resin A 2 (trade name "TAYASA RESIN SG-70L", manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used instead of 18 parts by mass of an acrylic resin A 1 , an epoxy resin (trade name "KI- Except that the compounding amount of phenol resin (trade name &quot; LVR8210-DL &quot;, manufactured by Guneyi Kagaku Kogyo Co., Ltd.) was changed to 14 parts by mass instead of 28 parts by mass with 14 A die-bonding film (thickness 100 탆) of Comparative Example 2 was produced in the same manner as in the die-bonding film of Example 1, except that the mass part was replaced with 12 parts by mass. A dicing die-bonding film of Comparative Example 2 was produced in the same manner as in the dicing die-bonding film of Example 1, except that the die-bonding film of Comparative Example 2 was used in place of the die-bonding film of Example 1 .

〔비교예 3〕[Comparative Example 3]

두께를 100㎛ 대신에 200㎛로 한 것 이외에는 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 다이 본드 필름을 제작하였다. 또한, 이 비교예 3의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.A die-bonding film of Comparative Example 3 was produced in the same manner as the die-bonding film of Example 1 except that the thickness was changed to 200 占 퐉 instead of 100 占 퐉. A dicing die-bonding film of Comparative Example 3 was produced in the same manner as in the dicing die-bonding film of Example 1, except that the die-bonding film of Comparative Example 3 was used in place of the die-bonding film of Example 1 .

<다이 본드 필름의 인장 시험>&Lt; Tensile test of die-bonding film &

실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 3의 전술한 다이 본드 필름으로부터 잘라낸 각 다이 본드 필름 시험편(폭 10㎜×길이 30㎜)에 대하여, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 인장 시험을 행하여, 항복점 강도, 파단 강도, 및 파단 신도를 측정하였다. 이 인장 시험에 있어서, 초기 척간 거리는 10㎜이고, 온도 조건은 23℃이며, 인장 속도는 300㎜/분이다. 측정된 항복점 강도(N), 파단 강도(N), 및 파단 신도(％)의 각 값을 표 1에 기재한다.Each of the die-bond film test pieces (10 mm wide × 30 mm long) cut out from the above-described die bond films of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 was subjected to a tensile tester (trade name "Autograph AGS-J" Manufactured by Shimadzu Seisakusho Co., Ltd.), and the yield point strength, the breaking strength, and the elongation at break were measured. In this tensile test, the initial chuck distance is 10 mm, the temperature condition is 23 占 폚, and the tensile speed is 300 mm / min. The measured values of the yield point strength (N), the breaking strength (N), and the elongation at break (%) are shown in Table 1.

<다이 본드 필름의 점도 측정>&Lt; Measurement of viscosity of die-bonding film &

실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 3의 전술한 각 다이 본드 필름에 대하여, 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도를 측정하였다. 구체적으로는, 다이 본드 필름으로부터 채취된 0.1g의 시료를 측정 플레이트인 패럴렐 플레이트(직경 20㎜)에 투입하고, 레오미터(상품명 「RS-1」, HAAKE사 제조)를 사용하여, 패럴렐 플레이트법에 의해 당해 시료의 용융 점도(Pa·s)를 측정하였다. 본 측정에 있어서, 패럴렐 플레이트 간의 갭은 0.1㎜이고, 변형 속도는 5/초이고, 승온 속도는 10℃/분이며, 측정 온도 범위는 90 내지 150℃이다. 측정 결과를 표 1에 기재한다.The viscosity of each die-bond film of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 at 120 ° C in an uncured state was measured. Specifically, 0.1 g of the sample collected from the die-bonding film was placed in a parallel plate (diameter 20 mm) serving as a measurement plate, and the result was measured using a parallel plate method (trade name: RS-1, manufactured by HAAKE) To measure the melt viscosity (Pa · s) of the sample. In this measurement, the gap between the parallel plates is 0.1 mm, the deformation rate is 5 / sec, the temperature raising rate is 10 deg. C / min, and the measurement temperature range is 90 to 150 deg. The measurement results are shown in Table 1.

<다이 본드 필름의 할단성과 비산의 평가>&Lt; Evaluation of durability and scattering of die-bond film &

실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 3의 전술한 각 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여, 이하와 같은 접합 공정, 할단을 위한 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정), 및 이격을 위한 제2 익스팬드 공정(상온 익스팬드 공정)을 행하였다.Using the respective dicing die-bonding films of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, the following bonding process, the first expand process (cool expansion process) for separation, and the separation process 2 expanding process (room temperature expanding process).

접합 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「UB-3083D」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)에 보유 지지된 반도체 웨이퍼 분할체를 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름에 대해서 접합하고, 그 후, 반도체 웨이퍼 분할체로부터 웨이퍼 가공용 테이프를 박리하였다. 접합에 있어서는, 라미네이터를 사용하여, 접합 속도를 10㎜/초로 하고, 온도 조건을 50 내지 80℃로 하며, 압력 조건을 0.15MPa로 하였다. 또한, 반도체 웨이퍼 분할체는, 다음과 같이 하여 형성하여 준비한 것이다. 우선, 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「V12S-R2-P」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)에 링 프레임과 함께 보유 지지된 상태에 있는 베어 웨이퍼(직경 12인치, 두께 780㎛, 도쿄 가코 가부시키가이샤 제조)에 대하여, 그 한쪽 면의 측으로부터, 다이싱 장치(상품명 「DFD6361」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여 그 회전 블레이드에 의해 개편화용 분할 홈(폭 25㎛, 깊이 50㎛, 1 구획 6㎜×12㎜의 격자 형상을 이룸)을 형성하였다. 이어서, 분할 홈 형성면에 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「UB-3083D」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)를 접합한 후, 상기 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「V12S-R2-P」)를 웨이퍼로부터 박리하였다. 이 후, 백 그라인드 장치(상품명 「DGP8760」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여, 웨이퍼의 다른 쪽 면(분할 홈이 형성되어 있지 않은 면)의 측으로부터의 연삭에 의해 당해 웨이퍼를 두께 20㎛에 이르기까지 박화하고, 계속해서, 상기 장치를 사용하여 행하는 드라이 폴리쉬에 의해 당해 연삭면에 대해서 경면 마무리를 실시하였다. 이상과 같이 하여, 반도체 웨이퍼 분할체(웨이퍼 가공용 테이프에 보유 지지된 상태에 있음)를 형성하였다. 이 반도체 웨이퍼 분할체에는, 복수의 반도체 칩(6㎜×12㎜)이 포함되어 있다.In the bonding step, the semiconductor wafer divided body held by a wafer processing tape (trade name "UB-3083D", manufactured by Nitto Denko KK) is bonded to the die bonding film of the dicing die bonding film, And the wafer processing tape was peeled from the divided pieces. In the bonding, a laminator was used to set the bonding speed to 10 mm / sec, the temperature condition to 50 to 80 ° C, and the pressure condition to 0.15 MPa. The semiconductor wafer divided body is prepared and prepared as follows. First, a bare wafer (diameter: 12 inches, thickness: 780 m, manufactured by Tokyo Kako K.K.) in a state of being held together with a ring frame on a wafer processing tape (trade name "V12S-R2-P", manufactured by Nitto Denko K.K.) (Having a width of 25 mu m, a depth of 50 mu m, and a width of one division 6 (a width of 25 mu m) was formed by a rotating blade from a side of one side thereof with a dicing machine (trade name &quot; DFD6361 &quot;, manufactured by DISCO Corporation) Mm &lt; / RTI &gt; x 12 mm). Subsequently, a wafer processing tape (trade name "UB-3083D", manufactured by Nitto Denko K.K.) was bonded to the dividing groove forming surface, and the above wafer processing tape (trade name "V12S-R2-P") was peeled from the wafer. Thereafter, by using a back grinding machine (trade name: DGP8760, manufactured by Disco Co., Ltd.), the wafer was grinded from the side of the other side of the wafer And then the mirror surface was subjected to the mirror surface finishing by the dry polishing performed using the above apparatus. As described above, the semiconductor wafer divided body (held by the wafer processing tape) was formed. This semiconductor wafer divided body includes a plurality of semiconductor chips (6 mm x 12 mm).

쿨 익스팬드 공정은, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS2300」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여, 그 쿨 익스팬드 유닛에서 행하였다. 구체적으로는, 우선, 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 전술한 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프 점착제층에, 직경 12인치의 SUS제 링 프레임(가부시키가이샤 디스코 제조)을 실온에서 점착하였다. 이어서, 당해 다이싱 다이 본드 필름을 장치 내에 세트하고, 상기 장치의 쿨 익스팬드 유닛에서, 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드하였다. 이 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 온도는 -15℃이고, 익스팬드 속도는 300㎜/초이며, 익스팬드 양은 10㎜이다.The Cool Expansion process was performed in the Cool Expand Unit using a Die Separating Device (trade name &quot; Die Separator DDS2300 &quot;, manufactured by Disco Co., Ltd.). Specifically, first, a 12-inch diameter SUS ring frame (manufactured by Kabushiki Kaisha Disco) was adhered to the dicing tape pressure-sensitive adhesive layer in the above-described dicing die-bonding film accompanied by the semiconductor wafer part at room temperature. Subsequently, the dicing die-bonding film was set in the apparatus, and a dicing tape of a dicing die-bonding film accompanied by a semiconductor wafer divider was expanded in a cool expand unit of the apparatus. In this CU-Expand process, the temperature is -15 占 폚, the expand speed is 300 mm / sec, and the Expand amount is 10 mm.

상온 익스팬드 공정은, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS2300」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여, 그 상온 익스팬드 유닛에서 행하였다. 구체적으로는, 전술한 쿨 익스팬드 공정을 거친 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를, 상기 장치의 상온 익스팬드 유닛에서 익스팬드하였다. 이 상온 익스팬드 공정에 있어서, 온도는 23℃이고, 익스팬드 속도는 1㎜/초이며, 익스팬드 양은 10㎜이다. 이 후, 상온 익스팬드를 거친 다이싱 다이 본드 필름에서의, 워크 접착 영역보다 외측의 주연부에 대하여, 가열 수축 처리를 실시하였다.The room temperature expanding process was carried out in a room temperature expanding unit using a die separating apparatus (trade name &quot; Dye separator DDS2300 &quot;, manufactured by Disco Corporation). More specifically, the dicing tape of the dicing die-bonding film accompanied by the above-described semiconductor wafer divided body subjected to the Cool Expansion process was expanded in the room temperature expanding unit of the above apparatus. In this room temperature expanding step, the temperature is 23 占 폚, the expanding speed is 1 mm / sec, and the expand amount is 10 mm. Thereafter, heat shrinkage treatment was performed on the peripheral portion outside the work adhesion area in the dicing die-bonding film passed through the room temperature expander.

다이 본드 필름의 할단성에 대해서는, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행한, 이상과 같은 과정을 거친 후에, 할단 예정 라인 전역에 있어서 할단이 발생한 경우를 양호(○)라고 평가하고, 그렇지 않은 경우를 불량(×)이라고 평가하였다. 다이본드 필름의 비산에 관해서는, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행한, 이상과 같은 과정을 거친 후에, 다이싱 테이프 위로부터 박리되어 반도체 웨이퍼 위에 비산된 다이 본드 필름편이 확인된 경우를 불량(×)이라고 평가하고, 그렇지 않은 경우를 양호(○)라고 평가하였다. 이들 평가 결과를 표 1에 기재한다.With respect to the cut-off properties of the die-bonding film, after the above-described process using the dicing die-bonding film, the case where the cutoff occurred in the entire cutoff line is evaluated as good (O) (X). With respect to scattering of the die-bonding film, the case where the die-bonding film piece peeled from the top of the dicing tape and scattered on the semiconductor wafer after the above-mentioned process using the dicing die-bonding film was identified as poor ), And when it was not, it was evaluated as good (O). The results of these evaluations are shown in Table 1.

[평가][evaluation]

실시예 1 내지 7의 다이 본드 필름에 의하면, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻기 위해서 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정에 있어서, 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제할 수 있었다.According to the die bond films of Examples 1 to 7, scattering can be suppressed while achieving good breaking in the expanding process using a dicing die-bonding film to obtain a semiconductor chip with a die bond film.

Figure pat00001
Figure pat00001

X: 다이싱 다이 본드 필름
10, 11 다이 본드 필름
20: 다이싱 테이프
21: 기재
22: 점착제층
W, 30A, 30C: 반도체 웨이퍼
30B: 반도체 웨이퍼 분할체
30a: 분할 홈
30b: 개질 영역
31: 반도체 칩X: Dicing die-bonding film
10, 11 die bond film
20: Dicing tape
21: substrate
22: pressure-sensitive adhesive layer
W, 30A, and 30C: semiconductor wafers
30B: Semiconductor wafer parted body
30a: Split groove
30b: modified region
31: Semiconductor chip

Claims (12)

폭 10㎜의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10㎜, 23℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하이고, 파단 강도가 15N 이하이며, 파단 신도가 40 내지 400％인, 다이 본드 필름.A tensile strength of 15 N or less and a fracture strength of 15 N or less in a tensile test carried out under the conditions of an initial chuck distance of 10 mm, 23 占 폚 and a tensile rate of 300 mm / min on a 10 mm wide die- Wherein the elongation is 40 to 400%. 제1항에 있어서,
40 내지 200㎛의 두께를 갖는, 다이 본드 필름.The method according to claim 1,
And having a thickness of 40 to 200 占 퐉. 제1항에 있어서,
120℃에서의 점도가 300 내지 5000Pa·s인, 다이 본드 필름.The method according to claim 1,
And a viscosity at 120 占 폚 of 300 to 5000 Pa 占 퐏. 제1항에 있어서,
무기 필러를 10 내지 50질량％의 비율로 함유하는, 다이 본드 필름.The method according to claim 1,
And an inorganic filler in a proportion of 10 to 50 mass%. 제1항에 있어서,
유기 필러를 2 내지 20질량％의 비율로 함유하는, 다이 본드 필름.The method according to claim 1,
A die-bonding film containing an organic filler in a proportion of 2 to 20 mass%. 제4항에 있어서,
유기 필러를 2 내지 20질량％의 비율로 함유하는, 다이 본드 필름.5. The method of claim 4,
A die-bonding film containing an organic filler in a proportion of 2 to 20 mass%. 제1항에 있어서,
유리 전이 온도가 -40 내지 10℃의 아크릴 수지를 함유하는, 다이 본드 필름.The method according to claim 1,
A die-bond film comprising an acrylic resin having a glass transition temperature of -40 to 10 占 폚. 제1항에 있어서,
실장 기판에 와이어 본딩 실장된 제1 반도체 칩을 당해 제1 반도체 칩에 접속된 본딩 와이어의 전체 또는 일부와 함께 포매하면서 상기 실장 기판에 제2 반도체 칩을 접합하는 접착제층 형성용의, 다이 본드 필름.The method according to claim 1,
A die bonding film for forming an adhesive layer for bonding a first semiconductor chip wire-bonded to a mounting substrate together with all or a part of a bonding wire connected to the first semiconductor chip and bonding the second semiconductor chip to the mounting substrate . 제1항에 있어서,
실장 기판에 와이어 본딩 실장된 제1 반도체 칩의 본딩 와이어 접속 개소를 덮어 당해 본딩 와이어의 일부를 포매하면서 상기 제1 반도체 칩에 제2 반도체 칩을 접합하는 접착제층 형성용의, 다이 본드 필름.The method according to claim 1,
A die-bonding film for forming an adhesive layer to cover a bonding wire connection portion of a first semiconductor chip wire-bonded to a mounting substrate and to join a second semiconductor chip to the first semiconductor chip while embedding a part of the bonding wire. 제1항에 있어서,
실장 기판에 플립 칩 실장된 제1 반도체 칩을 포매하면서 상기 실장 기판에 제2 반도체 칩을 접합하는 접착제층 형성용의, 다이 본드 필름.The method according to claim 1,
A die-bonding film for forming an adhesive layer for bonding a first semiconductor chip flip-chip mounted on a mounting substrate to a mounting substrate. 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,
상기 다이싱 테이프에서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있는, 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 다이 본드 필름을 구비하는, 다이싱 다이 본드 필름.A dicing tape having a laminated structure including a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer;
The dicing die-bonding film according to any one of claims 1 to 10, which is adhered to the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape in a releasable manner. 제11항에 기재된 다이싱 다이 본드 필름에서의 상기 다이 본드 필름 위에, 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼, 또는 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼 분할체를 접합하는 제1 공정과,
상기 다이싱 다이 본드 필름에서의 상기 다이싱 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 다이 본드 필름을 할단하여 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 제2 공정
을 포함하는, 반도체 장치 제조 방법.A method for manufacturing a dicing die-bonding film, comprising the steps of: bonding a semiconductor wafer which can be separated into a plurality of semiconductor chips or a semiconductor wafer divided body including a plurality of semiconductor chips onto the die-bonding film in the dicing die-
A second step of exposing the dicing tape on the dicing die-bonding film to obtain a semiconductor chip with a die-bonding film;
Wherein the semiconductor device is a semiconductor device.
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