Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR20180131482A - 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자 - Google Patents

신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20180131482A
KR20180131482A KR1020180062154A KR20180062154A KR20180131482A KR 20180131482 A KR20180131482 A KR 20180131482A KR 1020180062154 A KR1020180062154 A KR 1020180062154A KR 20180062154 A KR20180062154 A KR 20180062154A KR 20180131482 A KR20180131482 A KR 20180131482A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
compound
layer
light emitting
formula
Prior art date
Application number
KR1020180062154A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102064993B1 (ko
Inventor
양정훈
이동훈
허정오
장분재
허동욱
한미연
정민우
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to PCT/KR2018/006240 priority Critical patent/WO2018221985A1/ko
Priority to US16/609,199 priority patent/US11453650B2/en
Priority to CN201880027499.1A priority patent/CN110573498B/zh
Publication of KR20180131482A publication Critical patent/KR20180131482A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102064993B1 publication Critical patent/KR102064993B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D251/00—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings
    • C07D251/02—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings
    • C07D251/12—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D251/14—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrogen or carbon atoms directly attached to at least one ring carbon atom
    • C07D251/24—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrogen or carbon atoms directly attached to at least one ring carbon atom to three ring carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D213/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/04—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D213/06—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom containing only hydrogen and carbon atoms in addition to the ring nitrogen atom
    • C07D213/16—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom containing only hydrogen and carbon atoms in addition to the ring nitrogen atom containing only one pyridine ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D239/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings
    • C07D239/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings
    • C07D239/24—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings having three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D239/26—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings having three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D239/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings
    • C07D239/70—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D239/72—Quinazolines; Hydrogenated quinazolines
    • C07D239/74—Quinazolines; Hydrogenated quinazolines with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, attached to ring carbon atoms of the hetero ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D487/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H01L51/0067—
    • H01L51/5012—
    • H01L51/5056—
    • H01L51/5072—
    • H01L51/5088—
    • H01L51/5092—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자를 제공한다.

Description

신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자 {NOVEL HETERO-CYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다.
유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물 층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물 층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
한국특허 공개번호 제10-2000-0051826호
본 발명은 신규한 헤테로고리 화합물 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 바이나프탈렌(binaphthalene) 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
L1은 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,
L2는 단일결합, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고,
Ar1은 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4, 또는 화학식 5로 표시되고,
[화학식 2]
Figure pat00002
[화학식 3]
Figure pat00003
[화학식 4]
Figure pat00004
[화학식 5]
Figure pat00005
상기 화학식 2 내지 5에서,
X1, X2, 및 X3는 각각 독립적으로 N 또는 CR4이며, 여기서, N은 적어도 1개 이상이고,
X4, 및 X5는 각각 독립적으로 N 또는 CR5이며, 여기서, N은 적어도 1개 이상이고,
R1, R2, 및 R3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-40 알킬, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고, 또는 R1, R2, 및 R3는 각각 독립적으로 상기 알킬, 아릴, 헤테로아릴의 수소가 중수소 또는 CN으로 치환된 것이고,
R4, 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-40 알킬, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이다.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물 층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입 및 수송, 발광, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.
본 명세서에서,
Figure pat00006
및
Figure pat00007
는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00008
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00009
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00010
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸,사이클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00011
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
상기 화학식 1에서, 특정의 시안기(cyano group)가 결합된 바이나프탈렌 그룹과 Ar1이 결합되는 구조에 따라, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1, 1-2, 1-3, 1-4, 1-5, 1-6, 또는 1-7로 표시될 수 있다:
[화학식 1-1]
Figure pat00012
[화학식 1-2]
Figure pat00013
[화학식 1-3]
Figure pat00014
[화학식 1-4]
Figure pat00015
[화학식 1-5]
Figure pat00016
[화학식 1-6]
Figure pat00017
[화학식 1-7]
Figure pat00018
상기 화학식 1-1, 1-2, 1-3, 1-4, 1-5, 1-6, 및 1-7에서,
L1, L2, R1, R2, 및 R3는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
바람직하게는, L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일결합, 페닐렌기(phenylene), 또는 바이페닐렌기(biphenylene)이다.
바람직하게는, X1, X2, X3, X4, 및 X5는 각각 독립적으로 N이다.
바람직하게는, R1, R2, R3, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 페닐기, 또는 피리디닐기이다.
이와 같이 바이나프탈렌기에 결합된 두 개의 작용기가 서로 다른 구조를 가질 경우, 전자수송 능력, 밴드갭, 에너지 준위 및 열적 특성을 보다 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 나프탈렌의 치환 위치에 따른 전기적, 열적 특성이 쉽게 예측이 가능하며, 특히 정공 및 전자의 수송 특성을 능동적으로 조절할 수 있다. 더욱이, 이러한 비대칭적인 구조적 특징은 대칭적인 구조와 비교하였을 때 다양한 유도체를 합성 가능함에 따라, 소자의 효율, 수명 특성의 능동적인 개선이 가능하다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 대표적인 예는 다음과 같다:
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
일 예로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 Ar1이 상기 화학식 2로 표시되고, L1은 페닐렌이며, L2는 단일결합인 화합물은 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다.
[반응식 1]
Figure pat00029
상기 화학식 1의 화합물 중 나머지 화합물들 또한 치환기를 달리한 반응물을 적용하여 상기 반응식 1과 동일한 또는 유사한 방법으로 제조할 수 있다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물 층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층을 포함할 수 있고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
또한, 상기 유기물 층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
또한, 상기 유기물 층은 전자수송층, 또는 전자주입층을 포함할 수 있고, 상기 전자수송층, 또는 전자주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
또한, 상기 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
또한, 상기 유기물 층은 발광층 및 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물 층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 예시되어 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 중 1층 이상에 포함될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
일례로, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로, 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조를 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
< 제조예 1>
Figure pat00030
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A (20.00 g, 27.26 mmol), 화합물 B (9.68 g, 27.26 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액(150 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.94 g, 0.82 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(23±5 ℃)으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수 황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고, 에틸아세테이트 180 mL로 재결정하여 화합물 1 (compound 1; 11.9 g, 66%)을 제조하였다.
MS[M+H]+ = 622
< 제조예 2>
Figure pat00031
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A (20.00 g, 27.26 mmol), 화합물 C (11.79 g, 27.26 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액(150 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.94 g, 0.82 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(23±5 ℃)으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수 황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고, 에틸아세테이트 180 mL로 재결정하여 화합물 2 (compound 2; 12.2g, 64%)을 제조하였다.
MS[M+H]+ = 738
< 제조예 3>
Figure pat00032
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A (20.00 g, 27.26 mmol), 화합물 D (9.68 g, 27.26 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액(150 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.94 g, 0.82 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(23±5 ℃)으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수 황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고, 에틸아세테이트 180 mL로 재결정하여 화합물 3 (compound 3; 10.9 g, 60%)을 제조하였다.
MS[M+H]+ = 622
< 제조예 4>
Figure pat00033
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A (20.00 g, 27.26 mmol), 화합물 E (9.68 g, 27.26 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액(150 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.94 g, 0.82 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(23±5 ℃)으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수 황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고, 에틸아세테이트 180 mL로 재결정하여 화합물 4 (compound 4; 12.1 g, 67%)을 제조하였다.
MS[M+H]+ = 622
< 제조예 5>
Figure pat00034
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 F (20.00 g, 27.26 mmol), 화합물 E (9.68 g, 27.26 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액(150 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.94 g, 0.82 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(23±5 ℃)으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수 황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고, 에틸아세테이트 180 mL로 재결정하여 화합물 5 (compound 5; 9.8 g, 54%)을 제조하였다.
MS[M+H]+ = 622
< 제조예 6>
Figure pat00035
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 G (20.00 g, 27.35 mmol), 화합물 E (9.71 g, 27.35 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액(150 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.94 g, 0.82 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(23±5 ℃)으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수 황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고, 에틸아세테이트 180 mL로 재결정하여 화합물 6 (compound 6; 11.5 g, 63%)을 제조하였다.
MS[M+H]+ = 620
< 제조예 7>
Figure pat00036
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 H (20.00 g, 33.11 mmol), 화합물 D (11.75 g, 33.11 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액(150 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(1.14 g, 0.99 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(23±5 ℃)으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수 황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고, 에틸아세테이트 180 mL로 재결정하여 화합물 7 (compound 7; 10.2 g, 58%)을 제조하였다.
MS[M+H]+ = 533
< 제조예 8>
Figure pat00037
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 I (20.00 g, 37.52 mmol), 화합물 B (13.32 g, 37.52 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액(150 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(1.30 g, 1.12 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(23±5 ℃)으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수 황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고, 에틸아세테이트 180 mL로 재결정하여 화합물 8 (compound 8; 10.4 g, 56%)을 제조하였다.
MS[M+H]+ = 482
< 제조예 9>
Figure pat00038
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 J (20.00 g, 30.44 mmol), 화합물 K (10.80 g, 30.44 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액(150 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(1.05 g, 0.91 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(23±5 ℃)으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수 황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고, 에틸아세테이트 180 mL로 재결정하여 화합물 9 (compound 9; 11.2 g, 63%)을 제조하였다.
MS[M+H]+ = 586
< 제조예 10>
Figure pat00039
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 L (20.00 g, 36.10 mmol), 화합물 M (12.81 g, 36.10 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액(150 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(1.25 g, 1.08 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(23±5 ℃)으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수 황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고, 에틸아세테이트 180 mL로 재결정하여 화합물 10 (compound 10; 9.8 g, 56%)을 제조하였다.
MS[M+H]+ = 483
< 제조예 11>
Figure pat00040
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A (20.00 g, 27.26 mmol), 화합물 N (7.61 g, 27.26 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액(150 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.94 g, 0.82 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(23±5 ℃)으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수 황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고, 에틸아세테이트 180 mL로 재결정하여 화합물 11 (compound 11; 10.1 g, 63%)을 제조하였다.
MS[M+H]+ = 586
< 실시예 1-1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알코올, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 [HI-A]를 600 Å의 두께로 열 진공증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 하기 화합물 [HAT] (50 Å) 및 하기 화합물 [HT-A] (600 Å)를 순차적으로 진공증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 200 Å으로 하기 화합물 [BH]와 [BD]를 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 상기 제조예 1에서 제조한 화합물 1과 하기 화합물 [LiQ](Lithiumquinolate)를 1:1 중량비로 진공증착하여 350 Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 10 Å 두께로 리튬 플루라이드(LiF)와 1,000 Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
Figure pat00041
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 내지 0.9 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1×10-7 내지 5×10-8 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실시예 1-2 내지 1-11>
상기 실시예 1-1에서 화합물 s 대신 표 1에 기재된 바와 같이 화합물 2 내지 11 중 한 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
< 비교예 1-1 내지 1-3>
상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 표 1에 기재된 바와 같이 하기 구조의 화합물 (I), (II), 또는 (III)를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00042
< 비교예 1-4>
상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 표 1에 기재된 바와 같이 하기 구조의 화합물 (IV)를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00043
< 실험예 1>
상기 실시예 1-1 내지 1-11, 및 비교예 1-1 내지 1-4에서 제조한 유기 발광 소자에 대하여 10 mA/cm2의 전류 밀도에서 구동 전압과 발광 효율을 측정하였으며, 또 20 mA/cm2의 전류 밀도에서 초기 휘도 대비 90%가 되는 시간(T90)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
화합물 전압
(V@10mA/cm2)		 효율
(cd/A@10mA/cm2)		 색좌표
(x,y)		 수명(h)
T90 at 20mA/Cm2
실시예 1-1 1 4.30 5.41 (0.142, 0.099) 162
실시예 1-2 2 4.37 5.27 (0.142, 0.097) 172
실시예 1-3 3 4.46 5.35 (0.142, 0.096) 153
실시예 1-4 4 4.59 5.21 (0.142, 0.099) 203
실시예 1-5 5 4.48 5.34 (0.142, 0.096) 150
실시예 1-6 6 4.38 5.49 (0.142, 0.096) 161
실시예 1-7 7 4.36 5.45 (0.142, 0.097) 163
실시예 1-8 8 4.32 5.43 (0.142, 0.096) 164
실시예 1-9 9 4.32 5.49 (0.142, 0.099) 164
실시예 1-10 10 4.31 5.45 (0.141, 0.046) 173
실시예 1-11 11 4.35 5.42 (0.141, 0.099) 152
비교예 1-1 I 4.71 3.97 (0.138, 0.044) 98
비교예 1-2 II 4.60 4.14 (0.140, 0.047) 111
비교예 1-3 III 4.61 4.18 (0.138, 0.044) 106
비교예 1-4 IV 4.81 5.21 (1.141, 0.048) 99
상기 표 1의 결과로부터, 본 발명에 따라 특정의 시안기와 헤테로 고리가 각각 결합된 바이나프탈렌 골격을 기반으로 하여 비대칭 구조를 갖는 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물이 유기 발광 소자의 전자주입 및 전자수송을 동시에 할 수 있는 유기물층에 사용될 수 있음을 확인할 수 있다.
또, 실시예 1-1 내지 1-11과 비교예 1-1을 비교하면, 상기 화학식 1과 같이 트리아진 등의 헤테로 고리에 비대칭적으로 바이나프탈렌 골격 구조가 결합된 화합물이, 트리아진 골격에 대칭적으로 바이나프탈렌 그룹의 치환기가 모두 치환된 상기 화합물 (I)에 비하여 유기 발광 소자에서 구동전압, 효율 및 수명 면에서 보다 우수한 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 이 같은 결과는, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물이, 비교예 1-1에서처럼 대칭적인 구조의 화합물 (I)과 같이 분자량이 큰 재료에 비해 열적 안정성이 우수하고, 6.0 eV 이상의 깊은 HOMO 준위, 높은 삼중항 에너지(ET) 및 정공 안정성을 갖기 때문이다.
또, 실시예 1-1 내지 1-11과 비교예 1-2를 비교하면, 상기 화합물 (II)와 같이 바이나프탈렌 골격에 비대칭 구조로 질소 원자를 포함하는 헤테로 고리 치환기를 포함하는 경우에도, 본 발명에 따라 트리아진이나 상기 화학식 2 내지 5와 같은 특정의 헤테로 고리가 결합된 화합물이 전압, 효율, 수명 면에서 모두 우월한 특성을 보이는 것을 확인하였다.
특히, 실시예 1-1과 비교예 1-3을 비교하였을 때, 바이나프탈렌을 포함하는 헤테로 화합물의 경우에도, 유기 발광 소자에 이용시 상기 화합물 (III)와 같이 나프틸과 바이페닐렌이 결합된 구조를 골격으로 하는 재료보다 구동전압, 효율 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타내었다.
또, 실시예 1-1 내지 1-11과 비교예 1-4를 비교하면, 상기 화합물 (IV)와 같이 바이나프탈렌 골격에 결합된 두개의 작용기가 모두 트리아진을 기반으로 한 구조인 경우에 비해 바이나프탈렌 골격에 결합된 두 개의 작용기가 서로 다른 구조를 가질 경우, 전자수송 능력, 밴드갭, 에너지 준위 및 열적 특성을 보다 용이하게 조절할 수 있으며, 이로써 전압, 효율, 수명 면에서 모두 우월한 특성을 보이는 것을 확인하였다.
또, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 전자 주입 및 전자수송을 동시에 할 수 있는 유기물층에 사용할 경우, 당업계에서 사용되는 n-형 도펀트를 혼합하여 사용 가능하다. 이에 따라, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물은 낮은 구동전압 및 높은 효율을 가지며, 화합물의 정공 안정성에 의하여 소자의 안정성을 향상시킬 수 있다.
< 실시예 2-1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알코올, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 [HI-A]를 600 Å의 두께로 열 진공증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 하기 화합물 [HAT] (50 Å) 및 하기 화합물 [HT-A] (600 Å)를 순차적으로 진공증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 200 Å으로 하기 화합물 [BH]와 [BD]를 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 상기 제조예 1에서 제조한 화합물 1을 진공증착하여 200 Å의 두께로 전자조절층을 형성하였다. 상기 전자조절층 위에 하기 화합물 [ET] 및 하기 화합물 [LiQ](Lithiumquinolate)를 1:1 중량비로 진공증착하여 150 Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 10 Å 두께로 리튬 플루라이드(LiF)와 1,000 Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
Figure pat00044
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 내지 0.9 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1×10-7 내지 5×10-8 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실시예 2-2 내지 2-10>
상기 실시예 2-1에서 화합물 1 대신 표 2에 기재된 바와 같이 화합물 2 내지 11 중 한 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
< 비교예 2-1 내지 1-3>
상기 실시예 2-1에서 화합물 1 대신 표 2에 기재된 바와 같이 하기 구조의 화합물 (I), (II), 또는 (III)를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00045
< 비교예 2-4>
상기 실시예 2-1에서 화합물 1 대신 표 2에 기재된 바와 같이 하기 구조의 화합물 (IV)를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00046
< 실험예 2>
상기 실시예 2-1 내지 2-11, 및 비교예 2-1 내지 2-4에서 제조한 유기 발광 소자에 대하여 10 mA/cm2의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였으며, 또 20 mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 90%가 되는 시간(T90)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
화합물 전압
(V@10mA/cm2)		 효율
(cd/A@10mA/cm2)		 색좌표
(x,y)		 수명(h)
T90 at 20mA/cm2
실시예 2-1 1 4.11 5.59 (0.142, 0.096) 246
실시예 2-2 2 4.09 5.69 (0.142, 0.096) 237
실시예 2-3 3 4.17 5.57 (0.142, 0.099) 277
실시예 2-4 4 4.21 5.06 (0.142, 0.096) 169
실시예 2-5 5 4.15 5.49 (0.142, 0.098) 248
실시예 2-6 6 4.20 5.46 (0.142, 0.096) 260
실시예 2-7 7 4.36 5.03 (0.142, 0.096) 159
실시예 2-8 8 4.08 5.68 (0.142, 0.096) 225
실시예 2-9 9 4.23 4.96 (0.142, 0.099) 158
실시예 2-10 10 4.18 5.50 (0.141, 0.046) 234
실시예 2-11 11 4.21 5.69 (0.142, 0.096) 240
비교예 2-1 I 4.74 3.77 (0.142, 0.099) 85
비교예 2-2 II 4.52 3.89 (0.151, 0.109) 88
비교예 2-3 III 4.51 3.92 (0.151, 0.109) 84
비교예 2-4 IV 4.81 5.11 (0.151, 0.100) 81
상기 표 2의 결과로부터, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물이 유기 발광 소자의 전자조절층에 사용될 수 있음을 확인할 수 있다.
1: 기판 2: 양극
3: 발광층 4: 음극
5: 정공주입층 6: 정공수송층
7: 발광층 8: 전자수송층

Claims (7)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 바이나프탈렌(binaphthalene) 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00047

    상기 화학식 1에서,
    L1은 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,
    L2는 단일결합, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고,
    Ar1은 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4, 또는 화학식 5로 표시되고,
    [화학식 2]
    Figure pat00048

    [화학식 3]
    Figure pat00049

    [화학식 4]
    Figure pat00050

    [화학식 5]
    Figure pat00051

    상기 화학식 2 내지 5에서,
    X1, X2, 및 X3는 각각 독립적으로 N 또는 CR4이며, 여기서, N은 적어도 1개 이상이고,
    X4, 및 X5는 각각 독립적으로 N 또는 CR5이며, 여기서, N은 적어도 1개 이상이고,
    R1, R2, 및 R3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-40 알킬, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고, 또는 R1, R2, 및 R3는 각각 독립적으로 상기 알킬, 아릴, 헤테로아릴의 수소가 중수소 또는 CN으로 치환된 것이고,
    R4, 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-40 알킬, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1, 1-2, 1-3, 1-4, 1-5, 1-6, 또는 1-7로 표시되는,
    화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure pat00052

    [화학식 1-2]
    Figure pat00053

    [화학식 1-3]
    Figure pat00054

    [화학식 1-4]
    Figure pat00055

    [화학식 1-5]
    Figure pat00056

    [화학식 1-6]
    Figure pat00057

    [화학식 1-7]
    Figure pat00058

    상기 화학식 1-1, 1-2, 1-3, 1-4, 1-5, 1-6, 및 1-7에서,
    L1, L2, R1, R2, 및 R3는 제1항에서 정의한 바와 같다.
  3. 제1항에 있어서,
    L1, 및 L2은 결합, 페닐렌, 또는 바이페닐렌인,
    화합물.
  4. 제1항에 있어서,
    X1, X2, X3, X4, 및 X5는 N인,
    화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    R1, R2, R3, R4, 및 R5는 수소, 페닐, 또는 피리디닐인,
    화합물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
    화합물:

    Figure pat00059

    Figure pat00060

    Figure pat00061

    Figure pat00062

    Figure pat00063

    Figure pat00064

    Figure pat00065

    Figure pat00066

    Figure pat00067

    Figure pat00068

  7. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
KR1020180062154A 2017-05-31 2018-05-30 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자 KR102064993B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2018/006240 WO2018221985A1 (ko) 2017-05-31 2018-05-31 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
US16/609,199 US11453650B2 (en) 2017-05-31 2018-05-31 Heterocyclic compound and organic light emitting device comprising the same
CN201880027499.1A CN110573498B (zh) 2017-05-31 2018-05-31 新的杂环化合物和包含其的有机发光器件

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170067648 2017-05-31
KR20170067648 2017-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180131482A true KR20180131482A (ko) 2018-12-10
KR102064993B1 KR102064993B1 (ko) 2020-01-10

Family

ID=64671031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180062154A KR102064993B1 (ko) 2017-05-31 2018-05-30 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11453650B2 (ko)
KR (1) KR102064993B1 (ko)
CN (1) CN110573498B (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200106821A (ko) * 2019-03-05 2020-09-15 주식회사 엘지화학 바이나프탈렌 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2020226280A1 (ko) * 2019-05-03 2020-11-12 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2021230513A1 (ko) * 2020-05-13 2021-11-18 주식회사 랩토 유기 화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자
WO2024136555A1 (ko) * 2022-12-23 2024-06-27 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102235734B1 (ko) * 2018-10-02 2021-04-02 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100430549B1 (ko) 1999-01-27 2004-05-10 주식회사 엘지화학 신규한 착물 및 그의 제조 방법과 이를 이용한 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
DE10135513B4 (de) 2001-07-20 2005-02-24 Novaled Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
US20060135766A1 (en) 2003-02-28 2006-06-22 Pascal Hayoz Electroluminescent device
JP4552540B2 (ja) 2004-07-09 2010-09-29 ソニー株式会社 コンテンツ記録装置、コンテンツ再生装置、コンテンツ記録方法、コンテンツ再生方法及びプログラム
TW200639193A (en) 2004-12-18 2006-11-16 Merck Patent Gmbh Electroluminescent polymers and their use
CN101291897B (zh) 2005-10-21 2012-09-05 Lg化学株式会社 新的联二萘衍生物、其制备方法及使用该衍生物的有机电子器件
JP4715905B2 (ja) 2008-11-06 2011-07-06 ソニー株式会社 芳香族アミン化合物及びこれを用いた有機電界発光素子、並びに有機電界発光素子を用いた表示装置
KR101567610B1 (ko) 2010-11-04 2015-11-09 주식회사 엘지화학 신규한 질소 함유 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자
KR20120051598A (ko) * 2010-11-12 2012-05-22 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자
KR102269131B1 (ko) 2013-07-01 2021-06-25 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102181234B1 (ko) 2013-08-28 2020-11-23 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102191994B1 (ko) 2013-10-02 2020-12-17 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102500272B1 (ko) 2015-09-16 2023-02-16 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101806464B1 (ko) 2015-11-19 2017-12-07 (주)랩토 피리딜기가 결합된 피리미딘 유도체 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR20170067424A (ko) * 2015-12-08 2017-06-16 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200106821A (ko) * 2019-03-05 2020-09-15 주식회사 엘지화학 바이나프탈렌 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2020226280A1 (ko) * 2019-05-03 2020-11-12 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN113195456A (zh) * 2019-05-03 2021-07-30 株式会社Lg化学 杂环化合物及包含其的有机发光器件
WO2021230513A1 (ko) * 2020-05-13 2021-11-18 주식회사 랩토 유기 화합물 및 이를 포함한 유기전계발광소자
EP4129964A4 (en) * 2020-05-13 2024-07-10 Lapto Co Ltd ORGANIC COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE THEREOF
WO2024136555A1 (ko) * 2022-12-23 2024-06-27 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR102064993B1 (ko) 2020-01-10
US20200181096A1 (en) 2020-06-11
CN110573498A (zh) 2019-12-13
CN110573498B (zh) 2023-08-04
US11453650B2 (en) 2022-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180031224A (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102064992B1 (ko) 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102003351B1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20180115558A (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102064993B1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR101953766B1 (ko) 신규한 유기 발광 재료 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR102016081B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR20180127835A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20180138457A (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20180115217A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR101959513B1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR101937996B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20190135398A (ko) 신규한 트리페닐렌 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20190066895A (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20190027708A (ko) 신규한 페난트렌 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20190053698A (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102566290B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR20200020582A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20190127574A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102538111B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR102064994B1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102106118B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR20220040762A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20200020583A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102486972B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant