KR20180084635A - 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
투과율 파장 의존성이 우수한 새로운 위상 시프트막을 구비한 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크를 제공한다.
위상 시프트 마스크 블랭크는, 투명 기판과, 당해 투명 기판 상에 형성된 위상 시프트막을 구비한다. 상기 위상 시프트막은, 주로 노광 광에 대한 투과율과 위상차를 조정하는 기능을 갖는 위상 시프트층과, 파장 365㎚ 이상 436㎚ 이하의 범위에 있어서의 투과율 파장 의존성을 조정하는 기능을 갖는 메탈층을 적어도 갖는다. 상기 위상 시프트층은, 금속과 규소와, 질소 및 산소 중 적어도 1종을 포함하는 재료로 이루어지고, 상기 메탈층은, 금속과 규소로 구성되는 재료, 또는 금속과 규소와, 탄소, 불소, 질소, 산소 중 적어도 1종으로 구성되는 재료로 이루어진다. 상기 메탈층에 포함되는 금속의 함유율은, 상기 위상 시프트층에 포함되는 금속의 함유율보다 많거나, 혹은 상기 메탈층에 포함되는 금속과 규소의 합계 함유율은, 상기 위상 시프트층에 포함되는 금속과 규소의 합계 함유율보다 많다. 상기 위상 시프트막은, 파장 365㎚ 이상 436㎚ 이하의 범위에 있어서의 투과율 파장 의존성이, 5.5% 이내이다.
위상 시프트 마스크 블랭크는, 투명 기판과, 당해 투명 기판 상에 형성된 위상 시프트막을 구비한다. 상기 위상 시프트막은, 주로 노광 광에 대한 투과율과 위상차를 조정하는 기능을 갖는 위상 시프트층과, 파장 365㎚ 이상 436㎚ 이하의 범위에 있어서의 투과율 파장 의존성을 조정하는 기능을 갖는 메탈층을 적어도 갖는다. 상기 위상 시프트층은, 금속과 규소와, 질소 및 산소 중 적어도 1종을 포함하는 재료로 이루어지고, 상기 메탈층은, 금속과 규소로 구성되는 재료, 또는 금속과 규소와, 탄소, 불소, 질소, 산소 중 적어도 1종으로 구성되는 재료로 이루어진다. 상기 메탈층에 포함되는 금속의 함유율은, 상기 위상 시프트층에 포함되는 금속의 함유율보다 많거나, 혹은 상기 메탈층에 포함되는 금속과 규소의 합계 함유율은, 상기 위상 시프트층에 포함되는 금속과 규소의 합계 함유율보다 많다. 상기 위상 시프트막은, 파장 365㎚ 이상 436㎚ 이하의 범위에 있어서의 투과율 파장 의존성이, 5.5% 이내이다.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017005469 | 2017-01-16 | ||
JPJP-P-2017-005469 | 2017-01-16 | ||
JPJP-P-2017-234903 | 2017-12-07 | ||
JP2017234903A JP6983641B2 (ja) | 2017-01-16 | 2017-12-07 | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180084635A true KR20180084635A (ko) | 2018-07-25 |
KR102541867B1 KR102541867B1 (ko) | 2023-06-12 |
Family
ID=62985518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180000734A KR102541867B1 (ko) | 2017-01-16 | 2018-01-03 | 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6983641B2 (ko) |
KR (1) | KR102541867B1 (ko) |
TW (1) | TWI758382B (ko) |
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-
2017
- 2017-12-07 JP JP2017234903A patent/JP6983641B2/ja active Active
- 2017-12-21 TW TW106145020A patent/TWI758382B/zh active
-
2018
- 2018-01-03 KR KR1020180000734A patent/KR102541867B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201841045A (zh) | 2018-11-16 |
JP6983641B2 (ja) | 2021-12-17 |
TWI758382B (zh) | 2022-03-21 |
JP2018116266A (ja) | 2018-07-26 |
KR102541867B1 (ko) | 2023-06-12 |
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JP2012078441A5 (ko) |
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A201 | Request for examination | ||
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