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KR20180054113A - Led lighting apparatus - Google Patents

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KR20180054113A
KR20180054113A KR1020160151651A KR20160151651A KR20180054113A KR 20180054113 A KR20180054113 A KR 20180054113A KR 1020160151651 A KR1020160151651 A KR 1020160151651A KR 20160151651 A KR20160151651 A KR 20160151651A KR 20180054113 A KR20180054113 A KR 20180054113A
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KR
South Korea
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light emitting
emitting diode
level
diode group
light
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Application number
KR1020160151651A
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Korean (ko)
Inventor
김용근
문경식
Original Assignee
주식회사 실리콘웍스
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Publication date
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    • H05B33/083
    • H05B33/0809
    • H05B33/0845

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Abstract

The present invention discloses a light emitting diode lighting device. The light emitting diode lighting device provides a bypass path to a plurality of light emitting diode groups, thereby improving total harmonic distortion (THD) by increasing a step in which a driving current amount is changed and a change step of a light emitting amount. Also, the light emitting diode lighting device improves a flicker by improving a deviation of a light amount by uniformly dispersing a light emitting time for each light emitting diode group. The light emitting diode lighting device comprises: a first light emitting diode group; a bypass path; a second light emitting diode group; and a driver.

Description

발광 다이오드 조명 장치{LED LIGHTING APPARATUS}LED LIGHTING APPARATUS

본 발명은 발광 다이오드 조명 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광 다이오드 그룹들의 발광 상태를 개선시킨 발광 다이오드 조명 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode lighting apparatus, and more particularly, to a light emitting diode lighting apparatus improved in light emitting state of light emitting diode groups.

조명 장치는 에너지 절감을 위하여 적은 양의 에너지로 높은 발광 효율을 갖는 광원을 이용하도록 개발되고 있다. 조명 장치에 이용되는 대표적인 광원은 발광 다이오드(LED)가 예시될 수 있다.An illumination device is being developed to utilize a light source having a high luminous efficiency with a small amount of energy for energy saving. A representative light source used in the lighting apparatus may be a light emitting diode (LED).

발광 다이오드는 에너지 소비량, 수명 및 광질 등과 같은 다양한 요소에서 다른 광원들과 차별화되는 이점을 갖는다. 발광 다이오드는 전류에 의하여 구동되는 특성을 갖는다. 그러므로, 발광 다이오드를 광원으로 하는 조명 장치는 전류 구동을 위한 추가적인 회로가 많이 필요한 문제점이 있다. Light emitting diodes have the advantage of being differentiated from other light sources in various factors such as energy consumption, lifetime and light quality. The light emitting diode has characteristics driven by a current. Therefore, an illumination device using a light emitting diode as a light source has a problem that a lot of additional circuits for current driving are required.

상기한 문제점을 해결하고자, 조명 장치는 교류 다이렉트 방식(AC DIRECT TYPE)으로 교류 전원을 발광 다이오드에 제공하도록 개발된 바 있다. 조명 장치는 교류 전원을 정류 전압으로 변환하고 정류 전압을 이용한 전류 구동에 의하여 발광 다이오드가 발광하도록 구성된다. 상기한 조명 장치는 인덕터 및 캐패시터를 사용하지 않고 정류 전압을 사용하기 때문에 역률(POWER FACTOR)이 양호한 특성이 있다. 정류 전압은 정류기의 전파 정류에 의하여 교류 전압이 전파 정류된 전압을 의미한다. In order to solve the above problems, the lighting device has been developed to provide an AC power source to the light emitting diodes in an AC direct type. The lighting apparatus is configured to convert the alternating current power into a rectified voltage and to cause the light emitting diode to emit light by current driving using a rectified voltage. The lighting device uses a rectified voltage without using an inductor and a capacitor, and thus has a good power factor. The rectified voltage means a voltage in which an AC voltage is full-wave rectified by full-wave rectification of a rectifier.

교류 다이렉트 조명 장치는 전고조파왜곡(Total Harmonic Distortion : 이하, "THD"라 함)을 개선시키고, 발광 상태 변화시 광 편차를 줄이며, 구동 전류를 발광 다이오드 그룹 별로 분산시켜서 발열을 줄이고, 발광 상태를 개선하기 위하여 플리커를 개선할 필요가 있다.The AC direct lighting device improves the total harmonic distortion (hereinafter referred to as "THD"), reduces the light deviation when the light emitting state changes, reduces the heat by dispersing the driving current by the LED group, Flicker needs to be improved to improve.

본 발명은 구동 전류량이 변화되는 채널을 증가시켜서 구동 전류의 변화를 완화시켜서 THD를 개선함을 목적으로 한다.An object of the present invention is to improve the THD by increasing the channel in which the amount of driving current is changed, thereby alleviating the change in the driving current.

또한 본 발명은 발광 다이오드 그룹 별 전체 발광 시간을 고르게 분산함으로써 플리커를 개선하고, 전류 분산에 따라 발열을 줄이며 발광 분산에 따라 광효율을 개선하며 발광 다이오드 그룹의 수명을 개선함을 또 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to improve the flicker by uniformly dispersing the total light emission time for each light emitting diode group, to reduce the heat generation according to the current dispersion, to improve the light efficiency according to the light emission dispersion, and to improve the life of the light emitting diode group.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 발광 다이오드 조명 장치는, 양단 간에 제1 레벨 이상의 전압이 인가되면 발광하는 제1 발광 다이오드 그룹; 정류 전압에 의하여 노멀 턴온 상태를 유지하며, 상기 제1 발광 다이오드 그룹에 대하여 병렬로 구동 전류의 바이패스 경로를 선택적으로 제공하는 바이패스 회로; 양단 간에 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨 이상의 상기 전압이 인가되면 발광하고, 정류 전압의 레벨에 대응하여 상기 제1 발광 다이오드 그룹과 상기 바이패스 회로 중 어느 하나를 통하여 상기 구동 전류를 제공받는 제2 발광 다이오드 그룹; 및 발광에 대응하여 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹에 전류 경로를 각각 제공하고, 상기 전류 경로의 상기 구동 전류를 레귤레이션하는 드라이버;를 포함하며, 상기 제1 레벨과 상기 제2 레벨을 합한 제3 레벨 이상의 상기 정류 전압에 대응하여 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹이 발광되며, 상기 바이패스 회로는 상기 제2 레벨 이상의 상기 정류 전압에 대응한 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하여 상기 바이패스 경로를 제공하고, 상기 바이패스 경로를 통한 상기 구동 전류의 흐름은 상기 바이패스 회로의 양단 간에 상기 제1 레벨 이상의 전압이 인가되는 상기 정류 전압에 대응한 상기 구동 전류의 센싱에 의하여 차단됨 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode lighting apparatus comprising: a first light emitting diode group emitting light when a voltage of a first level or higher is applied across both ends; A bypass circuit for maintaining a normally turned-on state by a rectified voltage and selectively providing a bypass path of a driving current in parallel to the first light emitting diode group; Wherein the light emitting diode emits light when a voltage of a second level or higher than the first level is applied between both ends of the first light emitting diode group and the bypass circuit, 2 light emitting diode group; And a driver for providing a current path to each of the first and second light emitting diode groups corresponding to light emission and for regulating the driving current in the current path, The first and second light emitting diode groups emit light corresponding to the rectified voltage of three or more levels and the bypass circuit emits light corresponding to the light emission of the second light emitting diode group corresponding to the rectified voltage of the second level or higher, And the flow of the driving current through the bypass path is blocked by sensing the driving current corresponding to the rectified voltage to which the voltage of the first level or higher is applied across both ends of the bypass circuit. .

또한 본 발명의 발광 다이오드 조명 장치는, 양단 간에 제1 레벨 이상의 전압이 인가되면 발광하는 제1 발광 다이오드 그룹; 상기 제1 발광 다이오드 그룹에 대하여 병렬로 구동 전류의 제1 바이패스 경로를 선택적으로 제공하는 제1 바이패스 회로; 양단 간에 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨 이상의 상기 전압이 인가되면 발광하고, 발광시 상기 제1 발광 다이오드 그룹과 상기 바이패스 회로 중 어느 하나를 통하여 상기 구동 전류를 제공받는 제2 발광 다이오드 그룹; 상기 제2 발광 다이오드 그룹에 대하여 병렬로 상기 구동 전류의 제2 바이패스 경로를 선택적으로 제공하는 제2 바이패스 회로; 양단 간에 상기 제1 레벨과 상기 제2 레벨을 합한 제3 레벨보다 높은 제4 레벨 이상의 상기 전압이 인가되면 발광하고, 발광시 상기 제2 발광 다이오드 그룹과 상기 제2 바이패스 회로 중 적어도 어느 하나를 통하여 상기 구동 전류를 제공받는 제3 발광 다이오드 그룹; 및 발광에 대응하여 상기 제1 내지 제3 발광 다이오드 그룹에 전류 경로를 각각 제공하고, 상기 전류 경로의 상기 구동 전류를 레귤레이션하는 드라이버;를 포함하며, 상기 제1 및 제2 바이패스 회로는 상기 정류 전압에 대응하여 노멀 턴온 상태를 유지하고, 상기 제2 발광 다이오드 그룹은 상기 제2 레벨과 상기 제3 레벨 미만의 상기 정류 전압에 대응하여 상기 제1 바이패스 경로를 통하여 상기 구동 전류를 제공받으며, 그리고 상기 제3 발광 다이오드 그룹은 상기 제4 레벨 이상의 정류 전압 중 일부 구간에 대응하여 상기 제2 바이패스 경로를 통하여 상기 구동 전류를 제공받음을 특징으로 한다.In addition, the light emitting diode lighting device of the present invention comprises: a first light emitting diode group which emits light when a voltage of a first level or higher is applied across both ends; A first bypass circuit for selectively providing a first bypass path of a driving current in parallel to the first light emitting diode group; A second light emitting diode group that emits light when a voltage of a second level or higher than the first level is applied between both ends thereof and receives the driving current through either the first light emitting diode group or the bypass circuit during light emission; A second bypass circuit for selectively providing a second bypass path of the driving current to the second light emitting diode group in parallel; Wherein the first light emitting diode group and the second light emitting diode group emit light when a voltage of a fourth level or higher that is higher than a third level that is the sum of the first level and the second level is applied between both ends, A third light emitting diode group that receives the driving current through the first light emitting diode group; And a driver for providing a current path to each of the first to third light emitting diode groups corresponding to the light emission and for regulating the drive current in the current path, And the second light emitting diode group is supplied with the driving current through the first bypass path corresponding to the rectified voltage of the second level and the third level, And the third light emitting diode group receives the drive current through the second bypass path corresponding to a part of the rectified voltage of the fourth level or higher.

또한, 본 발명의 발광 다이오드 조명 장치는, 양단 간에 제1 레벨 이상의 전압이 인가되면 발광하는 제1 발광 다이오드 그룹; 노멀 턴온 상태를 유지하며 상기 제1 발광 다이오드 그룹에 대하여 병렬로 구동 전류의 바이패스 경로를 선택적으로 제공하는 바이패스 회로; 및 양단 간에 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨 이상의 상기 전압이 인가되면 발광하고, 정류 전압의 레벨에 대응하여 상기 제1 발광 다이오드 그룹과 상기 바이패스 회로 중 어느 하나를 통하여 상기 구동 전류를 제공받는 제2 발광 다이오드 그룹;을 포함하며, 상기 제1 레벨과 상기 제2 레벨을 합한 제3 레벨 이상의 상기 정류 전압에 대응하여 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹이 발광되며, 상기 바이패스 회로는 상기 제2 레벨 이상의 상기 정류 전압에 대응한 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하여 상기 바이패스 경로를 제공하고, 상기 바이패스 경로를 통한 상기 구동 전류의 흐름은 상기 바이패스 회로의 양단 간에 상기 제2 레벨 이상의 전압이 인가되는 상기 정류 전압에 대응한 상기 구동 전류의 센싱에 의하여 차단됨을 특징으로 한다.Further, the light emitting diode lighting device of the present invention comprises: a first light emitting diode group emitting light when a voltage of a first level or higher is applied across both ends; A bypass circuit for maintaining a normal turn-on state and selectively providing a bypass path of a driving current in parallel to the first light emitting diode group; And a light emitting unit that emits light when a voltage equal to or higher than a second level higher than the first level is applied between the both ends and receives the driving current through the first light emitting diode group and the bypass circuit corresponding to the level of the rectified voltage Wherein the first and second light emitting diode groups emit light corresponding to the rectified voltage of a third level or higher that is the sum of the first level and the second level, Wherein the bypass circuit provides the bypass path corresponding to the light emission of the second light emitting diode group corresponding to the rectified voltage of the second level or higher, and the flow of the driving current through the bypass path is provided between the both ends of the bypass circuit And is cut off by sensing the driving current corresponding to the rectified voltage to which a voltage of two or more levels is applied.

따라서, 본 발명은 구동 전류량이 변화되는 채널이 증가될 수 있고, 증가된 채널 별 전류의 변화량이 줄어들어서 구동 전류의 변화를 완화시킬 수 있어서 THD 를 개선할 수 있다.Therefore, according to the present invention, the channel in which the amount of driving current is changed can be increased, and the amount of change in the increased current per channel can be reduced, so that the change in driving current can be mitigated, thereby improving the THD.

그리고, 본 발명은 발광 다이오드 그룹 별 전체 발광 시간을 고르게 분산함으로써 플리커를 개선할 수 있다.Further, the present invention can improve the flicker by evenly dispersing the total light emission time for each light emitting diode group.

그리고, 전류의 분산에 의하여 발광 다이오드 그룹 별 발열을 줄일 수 있고, 발광이 분산됨에 따라 광효율이 개선될 수 있다. The dispersion of the current can reduce the heat generation by each light emitting diode group, and the light efficiency can be improved as the light emission is dispersed.

그리고, 상기와 같이 각 발광 다이오드 그룹 별 발광 시간이 분산됨에 따라 발광 다이오드 그룹들의 수명이 개선될 수 있다.As described above, the lifetime of the light emitting diode groups can be improved as the light emitting time of each light emitting diode group is dispersed.

도 1은 본 발명의 발광 다이오드 조명 장치의 바람직한 실시예를 나타내는 회로도.
도 2는 도 1의 바이패스 회로들과 조명부 및 드라이버의 상세 회로도.
도 3은 도 1의 드라이버의 상세 회로도.
도 4는 도 1의 실시예의 동작에 따른 파형도.
도 5는 실시예의 발광 상태 변화를 설명하는 테이블.
도 6은 본 발명의 발광 다이오드 조명 장치의 다른 실시예를 나타내는 회로도.
도 7은 도 6의 바이패스 회로들과 조명부 및 드라이버의 상세 회로도.
1 is a circuit diagram showing a preferred embodiment of a light-emitting diode lighting device of the present invention.
FIG. 2 is a detailed circuit diagram of the bypass circuits, the illumination unit, and the driver of FIG. 1;
3 is a detailed circuit diagram of the driver of Fig.
Figure 4 is a waveform diagram according to the operation of the embodiment of Figure 1;
5 is a table for explaining light emission state change of the embodiment;
6 is a circuit diagram showing another embodiment of the light emitting diode illumination device of the present invention.
FIG. 7 is a detailed circuit diagram of the bypass circuits, the illumination unit, and the driver of FIG. 6;

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of description and should not be interpreted as limiting the scope of the present invention.

본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.The embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are preferred embodiments of the present invention and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention and thus various equivalents and modifications Can be.

본 발명의 조명 장치는 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체 발광 특성을 갖는 광원을 이용할 수 있으며, 반도체 발광 특성을 갖는 광원은 발광 다이오드를 포함할 수 있다. The illumination device of the present invention may use a light source having semiconductor light emission characteristics for converting electrical energy into light energy, and the light source having semiconductor light emission characteristics may include a light emitting diode.

본 발명의 조명 장치는 교류 다이렉트 방식으로 구동되는 것으로 개시된다. 교류 다이렉트 방식은 교류 전원을 변환한 정류 전압 Vrec을 이용하여 발광 다이오드를 발광하는 것을 의미한다. The illumination device of the present invention is disclosed as being driven in an AC direct manner. The AC direct method means that the light emitting diode emits light using the rectified voltage Vrec obtained by converting the AC power.

여기에서 정류 전압 Vrec은 정현파 파형을 갖는 교류 전압을 전파 정류한 파형을 갖는다. 즉, 정류 전압 Vrec은 상용 교류 전압의 반 주기 단위로 레벨이 승하강하는 리플 성분을 갖는 특성이 있다. 정류 전압 Vrec에 대응하여 조명 장치에 흐르는 전류는 구동 전류 Irec라 한다.Here, the rectified voltage Vrec has a waveform of full-wave rectification of an AC voltage having a sinusoidal waveform. That is, the rectified voltage Vrec has a ripple component whose level rises and falls by a half cycle of the commercial AC voltage. The current flowing in the lighting device corresponding to the rectified voltage Vrec is referred to as a driving current Irec.

도 1과 같이, 본 발명의 조명 장치의 실시예는 전원부(100), 조명부(200), 드라이버(300) 및 바이패스 회로들(400, 410)을 포함하여 구성될 수 있다. 1, an embodiment of the lighting apparatus of the present invention may include a power supply unit 100, an illumination unit 200, a driver 300, and bypass circuits 400 and 410.

전원부(100)는 교류 전원의 교류 전압을 전파 정류하여서 정류 전압 Vrec로 출력하는 구성을 갖는다. 전원부(100)는 교류 전압을 제공하는 교류 전원(VAC) 및 교류 전압을 전파 정류하여 정류 전압 Vrec을 출력하는 정류 회로(120)를 포함할 수 있다. The power supply unit 100 has a configuration for full-wave rectification of the AC voltage of the AC power supply and outputting it with the rectified voltage Vrec. The power supply unit 100 may include an AC power supply VAC for providing an AC voltage and a rectifier circuit 120 for full-wave rectifying the AC voltage to output a rectified voltage Vrec.

여기에서, 교류 전원(VAC)은 상용 전원일 수 있다. 본 발명의 실시예에서 정류 전압 Vrec의 상승 또는 하강은 리플 성분의 상승 또는 하강을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. Here, the AC power supply (VAC) may be a commercial power supply. In the embodiment of the present invention, the rise or fall of the rectified voltage Vrec can be understood to mean a rise or a fall of the ripple component.

조명부(200)는 발광 다이오드들을 포함하며, 발광 다이오드들은 하나 이상의 발광 다이오드 그룹으로 구분된다. 발광 다이오드 그룹들은 전원부(100)에서 제공되는 정류 전압 Vrec의 증감에 의하여 발광 및 소광된다.The illumination unit 200 includes light emitting diodes, and the light emitting diodes are divided into one or more light emitting diode groups. The light emitting diode groups are emitted and extinguished by increasing or decreasing the rectified voltage Vrec provided by the power supply unit 100.

도 1에서 조명부(200)는 직렬로 연결된 세 개의 발광 다이오드 그룹(LED1 ~ LED3)을 포함한 것으로 예시된다. 각 발광 다이오드 그룹(LED1~LED3)은 하나 이상의 발광 다이오드를 포함할 수 있다. In FIG. 1, the illumination unit 200 is illustrated as including three light-emitting diode groups (LED1 to LED3) connected in series. Each of the light emitting diode groups (LED1 to LED3) may include one or more light emitting diodes.

발광 다이오드 그룹(LED1)은 양단 간에 제1 레벨(V1) 이상의 전압이 인가되면 발광할 수 있고, 발광 다이오드 그룹(LED2)은 양단 간에 제2 레벨(V2) 이상의 전압이 인가되면 발광 할 수 있다. 여기에서 제2 레벨(V2)은 제1 레벨(V1)보다 높다. 그리고, 발광 다이오드 그룹(LED3)은 양단 간에 제1 레벨(V1)과 제2 레벨(V2)을 합한 제3 레벨(V3)보다 높은 제4 레벨(V4) 이상의 전압이 인가되면 발광할 수 있다. 일례로, 상기한 제1 레벨(V1): 제2 레벨(V2) : 제4 레벨(V4)의 비는 1 : 2: 4로 설정될 수 있다. The light emitting diode group LED1 can emit light when a voltage of the first level V1 or higher is applied across both ends and the light emitting diode group LED2 emits light when a voltage of the second level V2 or higher is applied across the both ends. Wherein the second level V2 is higher than the first level V1. The light emitting diode group LED3 emits light when a voltage higher than a fourth level V4 higher than a third level V3, which is a sum of the first level V1 and the second level V2, is applied across the two ends. For example, the ratio of the first level (V1): the second level (V2): the fourth level (V4) may be set to 1: 2: 4.

드라이버(300)는 정류 전압 Vrec의 변화에 따른 발광 다이오드 그룹들(LED1 ~ LED3)의 발광에 대응하여 발광 다이오드 그룹들(LED1 ~ LED3) 중 하나에 전류 경로를 제공하고, 전류 경로 상의 구동 전류 Irec에 대한 레귤레이션을 수행한다. The driver 300 provides a current path to one of the light emitting diode groups LED1 to LED3 corresponding to the light emission of the light emitting diode groups LED1 to LED3 according to the change of the rectified voltage Vrec, As shown in FIG.

드라이버(300)는 채널 단자들(CH1~CH3), 그라운드에 연결을 위한 그라운드 단자(GND) 및 센싱 저항(Rs)이 연결된 센싱 단자(Riset)를 갖는다. 드라이버(300)는 채널 단자들(CH1~CH3)과 센싱 단자(Riset) 간의 전류 경로의 변화를 제어한다. The driver 300 has channel terminals CH1 to CH3, a ground terminal GND for connection to the ground, and a sensing terminal Riset to which a sensing resistor Rs is connected. The driver 300 controls the change of the current path between the channel terminals CH1 to CH3 and the sensing terminal Riset.

드라이버(300)는 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압과 발광 다이오드 그룹들(LED1 ~ LED3)에 각각 대응하는 기준 전압들을 비교함으로써 발광 다이오드 그룹들(LED1~LED3)에 대한 전류 경로를 제공하도록 구성된다.The driver 300 is configured to provide a current path to the light emitting diode groups LED1 to LED3 by comparing the sensing voltage of the sensing resistor Rs with the reference voltages corresponding to the light emitting diode groups LED1 to LED3 .

본 발명의 실시예는 세 개의 발광 다이오드 그룹(LED1~LED3)을 포함하는 것으로 실시되며, 발광 다이오드 그룹(LED1)의 출력단은 직렬 연결된 다이오드(Da) 및 저항(Ra)을 통하여 발광 다이오드 그룹(LED2)의 입력단에 연결되며, 발광 다이오드 그룹(LED2)의 출력단은 직렬 연결된 다이오드(Db) 및 저항(Rb)을 통하여 발광 다이오드 그룹(LED3)의 입력단에 연결된다. 다이오드들(Da, Db)은 역방향으로 전류가 흐르는 것을 방지하고, 저항들(Ra, Rb)은 구동 전류 Irec의 센싱에 이용될 수 있다.The embodiment of the present invention is implemented by including three light emitting diode groups LED1 to LED3 and the output terminal of the light emitting diode group LED1 is connected to the light emitting diode group LED2 And an output terminal of the light emitting diode group LED2 is connected to an input terminal of the light emitting diode group LED3 through a diode Db and a resistor Rb connected in series. The diodes Da and Db prevent the current from flowing in the reverse direction and the resistors Ra and Rb can be used for sensing the driving current Irec.

그리고, 드라이버(300)의 채널 단자들(CH1~CH3) 중, 채널 단자(CH1)는 발광 다이오드 그룹(LED1)의 출력단과 다이오드(Da) 사이의 노드에 연결되고, 채널 단자(CH2)는 발광 다이오드 그룹(LED2)의 출력단과 다이오드(Db)의 사이에 연결되며, 채널 단자(CH3)는 발광 다이오드 그룹(LED3)의 출력단에 연결된다. Of the channel terminals CH1 to CH3 of the driver 300, the channel terminal CH1 is connected to a node between the output terminal of the light emitting diode group LED1 and the diode Da, Is connected between the output terminal of the diode group LED2 and the diode Db and the channel terminal CH3 is connected to the output terminal of the light emitting diode group LED3.

그리고, 저항(Ra)은 다이오드(Da)와 발광 다이오드 그룹(LED2)의 입력단 사이에 구성되며, 저항(Rb)은 다이오드(Db)와 발광 다이오드 그룹(LED3)의 입력단 사이에 구성된다. 저항들(Ra, Rb)은 등가적으로 전류를 센싱할 수 있는 저항 성분을 갖는 배선이나 기타 소자로 구성될 수 있다. 그리고, 저항(Ra)는 저항(Rb)보다 큰 저항값을 갖는 것으로 구성될 수 있다.The resistor Ra is configured between the diode Da and the input terminal of the light emitting diode group LED2 and the resistor Rb is configured between the diode Db and the input terminal of the light emitting diode group LED3. The resistors Ra and Rb may be composed of a wiring or other element having a resistance component capable of equivalently sensing a current. The resistance Ra may be configured to have a resistance value larger than the resistance Rb.

드라이버(300)의 센싱 저항단(Riset)에 연결된 센싱 저항(Rs)은 드라이버(300) 내부의 전류 경로와 연결된다. 센싱 저항(Rs)은 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Irec를 센싱하고, 구동 전류 Irec의 레벨에 대응하는 센싱 전압을 제공한다.The sensing resistor Rs connected to the sensing resistor Riset of the driver 300 is connected to the current path inside the driver 300. [ The sensing resistance Rs senses the driving current Irec output from the driver 300 and provides a sensing voltage corresponding to the level of the driving current Irec.

센싱 저항(Rs)을 흐르는 구동 전류 Irec는 조명부(200)의 발광 다이오드 그룹들(LED1 ~ LED3)의 발광 상태를 변화시키는 정류 전압 Vrec의 레벨에 따라 변화될 수 있다.The driving current Irec flowing through the sensing resistor Rs may be changed according to the level of the rectified voltage Vrec which changes the light emission state of the light emitting diode groups LED1 to LED3 of the illumination unit 200. [

본 발명의 실시예에서, 한 주기 내에서 정류 전압 Vrec이 상승하는 동안, 조명부(200)의 발광 상태는 발광 다이오드 그룹(LED1)의 발광, 발광 다이오드 그룹(LED2)의 발광, 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)의 발광, 발광 다이오드 그룹(LED3)의 발광, 발광 다이오드 그룹들(LED2, LED3)의 발광 및 발광 다이오드 그룹들(LED1~LED3)의 발광의 순으로 변화된다. 그리고, 한 주기 내에서 정류 전압 Vrec이 피크 레벨(MAX)에서 하강하는 동안, 조명부(200)의 발광 상태는 정류 전압 Vrec의 상승의 역순으로 변화된다.In the embodiment of the present invention, while the rectified voltage Vrec rises within one period, the light emitting state of the illumination unit 200 is switched between the light emission of the light emitting diode group LED1, the light emission of the light emitting diode group LED2, The light emission of the light emitting diode group (LED3), the light emission of the light emitting diode groups (LED2, LED3), and the light emission of the light emitting diode groups (LED1 to LED3). Then, while the rectified voltage Vrec falls at the peak level MAX within one period, the light emitting state of the illumination unit 200 changes in the reverse order of the rise of the rectified voltage Vrec.

본 발명의 실시예의 설명을 위하여, 발광 다이오드 그룹(LED1)을 발광시키는 정류 전압 Vrec은 제1 레벨(V1)로 정의할 수 있고, 발광 다이오드 그룹(LED2)을 발광시키는 정류 전압 Vrec은 제2 레벨(V2)로 정의할 수 있으며, 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)을 모두 발광시키는 정류 전압 Vrec은 제3 레벨(V3)로 정의할 수 있고, 발광 다이오드 그룹(LED3)을 발광시키는 정류 전압 Vrec은 제4 레벨(V4)로 정의할 수 있다. 그리고, 발광 다이오드 그룹들(LED2, LED3)을 모두 발광시키는 정류 전압 Vrec은 제5 레벨(V5)로 정의할 수 있고, 상기한 제2 레벨(V2)과 상기한 제4 레벨(V4)의 합으로 이해될 수 있다. 발광 다이오드 그룹들(LED1~LED3)을 모두 발광시키는 정류 전압 Vrec은 제6 레벨(V6)로 정의할 수 있으며 상기한 제1 레벨(V1), 제2 레벨(V2) 및 제4 레벨(V4)의 합으로 이해될 수 있으며 피크 레벨(MAX) 이하로 형성된다.The rectified voltage Vrec for causing the light emitting diode group LED1 to emit light can be defined as the first level V1 and the rectified voltage Vrec for emitting the light emitting diode group LED2 can be defined as the second level The rectification voltage Vrec for emitting all the light emitting diode groups LED1 and LED2 can be defined as the third level V3 and the rectified voltage Vrec for emitting the light emitting diode group LED3 Can be defined as a fourth level (V4). The rectified voltage Vrec for causing the light emitting diode groups LED2 and LED3 to emit light can be defined as a fifth level V5 and the sum of the second level V2 and the fourth level V4 . The rectified voltage Vrec for causing the light emitting diode groups LED1 to LED3 to emit light is defined as the sixth level V6 and the first level V1, the second level V2, and the fourth level V4, And is formed to be equal to or less than the peak level MAX.

한 주기의 정류 전압 Vrec은 최저 레벨(0V)에서 제1 레벨(V1) 내지 제6 레벨(V6)을 순차적으로 거쳐서 피크 레벨(MAX)로 상승하고, 그 후 피크 레벨(MAX)에서 제6 레벨(V6) 내지 제1 레벨(V1)을 순차적으로 거쳐서 최저 레벨(0V)로 하강한다. The rectified voltage Vrec of one period rises to the peak level MAX sequentially from the first level V1 to the sixth level V6 at the lowest level (0 V), and thereafter increases from the peak level MAX to the sixth level (V6) to the first level (V1) sequentially to the lowest level (0V).

한편, 바이패스 회로(400)는 정류 전압 Vrec에 대하여 발광 다이오드 그룹(LED1)과 병렬로 구성되며 제1 바이패스 경로를 선택적으로 제공한다. 바이패스 회로(410)는 정류 전압 Vrec에 대하여 발광 다이오드 그룹(LED2)과 병렬로 구성되며 제2 바이패스 경로를 선택적으로 제공한다. 보다 구체적으로, 바이패스 회로(400)는 발광 다이오드 그룹(LED2)에 다이오드(Da)와 병렬로 제1 바이패스 경로를 선택적으로 제공하며, 바이패스 회로(410)는 발광 다이오드 그룹(LED3)에 다이오드(Db)와 병렬로 제2 바이패스 경로를 선택적으로 제공한다.Meanwhile, the bypass circuit 400 is configured in parallel with the light emitting diode group LED1 with respect to the rectified voltage Vrec, and selectively provides the first bypass path. The bypass circuit 410 is configured in parallel with the light emitting diode group LED2 with respect to the rectified voltage Vrec, and selectively provides the second bypass path. More specifically, the bypass circuit 400 selectively provides a first bypass path in parallel with the diode Da to the light emitting diode group LED2, and the bypass circuit 410 is connected to the light emitting diode group LED3 And selectively provides a second bypass path in parallel with the diode Db.

바이패스 회로들(400, 410)은 정류 전압 Vrec에 대응하여 노멀 턴온 상태를 유지한다. The bypass circuits 400 and 410 maintain the normally turn-on state corresponding to the rectified voltage Vrec.

상기한 구성에 의하여, 발광 다이오드 그룹(LED2)은 제2 레벨(V2)과 제3 레벨(V3) 미만의 정류 전압 Vrec에 대응하여 노멀 턴온된 바이패스 회로(400)에 형성되는 제1 바이패스 경로를 통하여 구동 전류 Irec를 제공받는다. The light emitting diode group LED2 is turned on in response to the rectified voltage Vrec of less than the second level V2 and the third level V3 by the first bypass formed in the bypass circuit 400 which is normally turned on, And the drive current Irec is supplied through the path.

그리고, 발광 다이오드 그룹(LED3)은 제4 레벨(V4) 이상의 정류 전압 Vrec 중 일부 구간에 대응하여 노멀 턴온된 바이패스 회로(410)에 형성되는 제2 바이패스 경로를 통하여 구동 전류 Irec를 제공받는다. The light emitting diode group LED3 is supplied with the driving current Irec through the second bypass path formed in the bypass circuit 410 which is normally turned on corresponding to a part of the rectified voltage Vrec of the fourth level V4 or more .

보다 구체적으로, 바이패스 회로(410)는 제4 레벨(V4) 이상 및 제6 레벨(V6) 미만의 정류 전압 Vrec에 의한 구동 전류 Irec의 전체 또는 일부를 발광 다이오드 그룹(LED3)으로 제공한다. 이와 달리, 바이패스 회로(410)는 제4 레벨(V4 레벨) 이상 및 제5 레벨(V5 레벨) 미만의 정류 전압 Vrec에 의한 구동 전류 Irec를 발광 다이오드 그룹(LED3)으로 제공한다. 상기한 경우는 저항(Ra, Rb)의 저항값 조절 또는 바이패스 회로들(400, 410)의 직렬 또는 병렬 구성에 의해 변경 가능하며, 이에 대한 구체적인 설명은 후술한다.More specifically, the bypass circuit 410 provides all or part of the driving current Irec by the rectified voltage Vrec higher than the fourth level V4 and lower than the sixth level V6 to the light emitting diode group LED3. Alternatively, the bypass circuit 410 provides the driving current Irec by the rectified voltage Vrec at the fourth level (V4 level) or more and the fifth level (V5 level) to the light emitting diode group LED3. The above case can be changed by adjusting the resistance value of the resistors Ra and Rb or by serial or parallel configuration of the bypass circuits 400 and 410, and a detailed description thereof will be described later.

결과적으로, 바이패스 회로(400)는 발광 다이오드 그룹(LED2)의 발광 및 발광 다이오드 그룹들(LED2, LED3)의 발광에 대응하여 발광 다이오드 그룹(LED2)의 입력단에 제1 바이패스 경로를 제공한다. 그리고, 바이패스 회로(410)는 발광 다이오드 그룹(LED3)의 발광에 대응하여 제3 발광 다이오드 그룹(LED3)의 입력단에 제2 바이패스 경로를 제공한다. 부가적으로, 바이패스 회로(410)는 발광 다이오드 그룹들(LED2, LED3)의 발광에 대응하여 구동 전류 Irec의 분산을 위하여 바이패스 회로(400)와 발광 다이오드 그룹(LED3)의 입력단 사이에 제2 바이패스 경로를 제공할 수 있다.As a result, the bypass circuit 400 provides a first bypass path to the input terminal of the light emitting diode group LED2 corresponding to the light emission of the light emitting diode group LED2 and the light emission of the light emitting diode groups LED2 and LED3 . The bypass circuit 410 provides the second bypass path to the input terminal of the third light emitting diode group LED3 corresponding to the light emission of the light emitting diode group LED3. In addition, the bypass circuit 410 is provided between the bypass circuit 400 and the input terminal of the light emitting diode group (LED3) in order to distribute the driving current Irec corresponding to the light emission of the light emitting diode groups (LED2, LED3) 2 bypass path.

바이패스 회로(400)는 발광 다이오드 그룹(LED2)의 발광에 대응하여 구동 전류 Irec를 레귤레이션할 수 있고, 바이패스 회로(410)는 발광 다이오드 그룹(LED3)의 발광에 대응하여 구동 전류 Irec를 레귤레이션할 수 있다. The bypass circuit 400 can regulate the driving current Irec in response to the light emission of the light emitting diode group LED2 and the bypass circuit 410 regulates the driving current Irec in response to the light emission of the light emitting diode group LED3, can do.

이때, 바이패스 회로(400)에 의해 레귤레이션되는 정전류 레벨은 바이패스 회로(410)에 의해 레귤레이션되는 정전류 레벨보다 낮게 설정됨이 바람직하다. At this time, the constant current level regulated by the bypass circuit 400 is preferably set lower than the constant current level regulated by the bypass circuit 410.

또한, 바이패스 회로(400)에 의해 레귤레이션되는 정전류 레벨은 발광 다이오드 그룹(LED2)의 출력단 또는 발광 다이오드 그룹(LED3)의 출력단에 전류 경로를 제공하는 드라이버(300)의 레귤레이션에 의한 정전류 레벨보다 낮게 설정됨이 바람직하다. 그리고, 바이패스 회로(410)에 의해 레귤레이션되는 정전류 레벨은 발광 다이오드 그룹(LED3)의 출력단에 전류 경로를 제공하는 드라이버(300)의 레귤레이션에 의한 정전류 레벨 보다 낮게 설정됨이 바람직하다. The constant current level regulated by the bypass circuit 400 is lower than the constant current level due to the regulation of the driver 300 that provides the current path to the output terminal of the light emitting diode group LED2 or the output terminal of the light emitting diode group LED3 Preferably set. The constant current level regulated by the bypass circuit 410 is preferably set lower than the constant current level due to the regulation of the driver 300 that provides the current path to the output terminal of the light emitting diode group LED3.

상기한 바이패스 회로들(400, 410)은 정류 전압 Vrec에 대하여 직렬 또는 병렬로 구성될 수 있다. 정류 전압 Vrec에 대하여 직렬로 바이패스 회로들(400, 410)을 구성한 것은 도 1 및 도2의 실시예로 예시되며, 정류 전압 Vrec에 대하여 병렬로 바이패스 회로들(400, 410)을 구성한 것은 도 6 및 도 7의 실시예로 예시된다.The bypass circuits 400 and 410 may be configured in series or in parallel with respect to the rectified voltage Vrec. The configuration of the bypass circuits 400 and 410 in series with respect to the rectified voltage Vrec is exemplified by the embodiment of FIGS. 1 and 2. The configuration of the bypass circuits 400 and 410 in parallel with the rectified voltage Vrec 6 and 7.

도 2를 참조하여, 도 1의 실시예의 구성을 보다 상세하게 설명한다.The configuration of the embodiment of FIG. 1 will be described in more detail with reference to FIG.

조명부(200)에 포함되는 발광 다이오드 그룹들(LED1~LED3)은 각각 다른 수의 발광 다이오드를 포함하도록 예시된다. 보다 구체적으로, 발광 다이오드 그룹(LED1)은 5개의 발광 다이오드를 포함하고, 발광 다이오드 그룹(LED2)은 10개의 발광 다이오드를 포함하고, 발광 다이오드 그룹(LED3)은 20개의 발광 다이오드를 포함하는 것으로 예시한다. 각 발광 다이오드는 발광을 위하여 필요로 하는 양단 간의 전압이 동일하도록 구성됨이 바람직하다. 상기한 구성에 의해서 발광 다이오드 그룹들(LED1~LED3)은 발광을 위하여 필요로 하는 양단 간의 전압이 제1 레벨(V1), 제2 레벨(V2) 및 제4 레벨(V4)로 상이하다. The light emitting diode groups LED1 to LED3 included in the illumination unit 200 are illustrated to include a different number of light emitting diodes. More specifically, the light emitting diode group LED1 includes five light emitting diodes, the light emitting diode group LED2 includes ten light emitting diodes, and the light emitting diode group LED3 includes twenty light emitting diodes. do. Each of the light emitting diodes is preferably configured so that the voltage between both ends required for light emission is the same. According to the above configuration, the voltage between both ends of the light-emitting diode groups LED1 to LED3 required for light emission is different between the first level V1, the second level V2 and the fourth level V4.

바이패스 회로(400)는 발광 다이오드 그룹(LED1)에 병렬로 연결된 NMOS 트랜지스터(Q2)와 NMOS 트랜지스터(Q2)의 동작을 제어하는 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q1)를 포함한다. The bypass circuit 400 includes an NMOS transistor Q2 connected in parallel to the light emitting diode group LED1 and an NPN bipolar transistor Q1 controlling the operation of the NMOS transistor Q2.

NMOS 트랜지스터(Q2)는 드레인에 정류 전압 Vrec이 인가되며 턴온된 상태에서 구동 전류 Irec를 소스 및 저항(Ra)을 통하여 발광 다이오드 그룹(LED2)의 입력단으로 제공한다. NMOS 트랜지스터(Q2)의 게이트에는 저항(R1)을 통하여 정류 전압 Vrec이 인가된다. 그러므로, NMOS 트랜지스터(Q2)는 후술하는 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q1)에 게이트 전압이 영향을 받지 않는 경우 문턱전압 이상의 정류 전압에 대하여 노멀 턴온 상태를 유지하며 제1 바이패스 경로를 형성한다. NMOS 트랜지스터(Q2)를 통한 구동 전류 Irec의 흐름은 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q1)의 동작에 의해 제어될 수 있다.The NMOS transistor Q2 supplies the drive current Irec to the input terminal of the light emitting diode group LED2 through the source and the resistor Ra in a state in which the rectified voltage Vrec is applied to the drain and turned on. A rectified voltage Vrec is applied to the gate of the NMOS transistor Q2 through the resistor R1. Therefore, when the gate voltage is not influenced by the NPN bipolar transistor Q1, which will be described later, the NMOS transistor Q2 maintains the normal turn-on state with respect to the rectified voltage equal to or higher than the threshold voltage and forms the first bypass path. The flow of the driving current Irec through the NMOS transistor Q2 can be controlled by the operation of the NPN bipolar transistor Q1.

NPN 바이폴라 트랜지스터(Q1)는 저항(Ra)을 통하여 흐르는 구동 전류 Irec의 양을 저항(R2)을 통해서 센싱한다. NPN 바이폴라 트랜지스터(Q1)는 상기한 구동 전류의 센싱에 의해서 NMOS 트랜지스터(Q2)를 흐르는 구동 전류 Irec가 미리 설정된 정전류 레벨 이하로 흐르도록 제어한다. 보다 구체적으로, NPN 바이폴라 트랜지스터(Q1)는 저항(Ra)을 흐르는 구동 전류 Irec의 양을 저항(R2)을 통하여 센싱하고, 저항(R2)에 인가되는 전압 레벨에 따라 NMOS 트랜지스터(Q2)의 게이트 전압을 조절한다. 즉, NPN 바이폴라 트랜지스터(Q1)는 NMOS 트랜지스터(Q2)에 의한 제1 바이패스 경로의 구동 전류 Irec를 레귤레이션한다. The NPN bipolar transistor Q1 senses the amount of the driving current Irec flowing through the resistor Ra through the resistor R2. The NPN bipolar transistor Q1 controls the driving current Irec flowing through the NMOS transistor Q2 to flow below a predetermined constant current level by the sensing of the driving current. More specifically, the NPN bipolar transistor Q1 senses the amount of the driving current Irec flowing through the resistor Ra through the resistor R2 and controls the gate of the NMOS transistor Q2 according to the voltage level applied to the resistor R2. Adjust the voltage. That is, the NPN bipolar transistor Q1 regulates the drive current Irec of the first bypass path by the NMOS transistor Q2.

한편, 바이패스 회로(410)도 발광 다이오드 그룹(LED2)에 병렬로 연결된 NMOS 트랜지스터(Q4)와 NMOS 트랜지스터(Q4)의 동작을 제어하는 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q3)를 포함한다.The bypass circuit 410 also includes an NMOS transistor Q4 connected in parallel to the light emitting diode group LED2 and an NPN bipolar transistor Q3 controlling the operation of the NMOS transistor Q4.

NMOS 트랜지스터(Q4)는 노멀 턴온 상태의 NMOS 트랜지스터(Q2)를 통하여 드레인에 정류 전압 Vrec이 인가되며 턴온된 상태에서 구동 전류 Irec를 소스 및 저항(Rb)을 통하여 발광 다이오드 그룹(LED3)의 입력단으로 제공한다. NMOS 트랜지스터(Q4)의 게이트에는 저항(R3)을 통하여 정류 전압 Vrec이 인가된다. 그러므로, NMOS 트랜지스터(Q4)는 후술하는 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q3)에 게이트 전압이 영향을 받지 않는 경우 문턱전압 이상의 정류 전압에 대하여 노멀 턴온 상태를 유지하며 제2 바이패스 경로를 형성한다. NMOS 트랜지스터(Q4)를 통한 구동 전류 Irec의 흐름은 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q3)의 동작에 의해 제어될 수 있다.The NMOS transistor Q4 is turned on when the rectified voltage Vrec is applied to the drain through the NMOS transistor Q2 in the normally turned-on state and the driving current Irec is supplied to the input terminal of the light emitting diode group LED3 through the source and the resistor Rb to provide. A rectified voltage Vrec is applied to the gate of the NMOS transistor Q4 through the resistor R3. Therefore, when the gate voltage is not influenced by the NPN bipolar transistor Q3 described later, the NMOS transistor Q4 maintains the normal turn-on state with respect to the rectified voltage equal to or higher than the threshold voltage and forms the second bypass path. The flow of the driving current Irec through the NMOS transistor Q4 can be controlled by the operation of the NPN bipolar transistor Q3.

NPN 바이폴라 트랜지스터(Q3)는 저항(Rb)를 통하여 흐르는 구동 전류 Irec의 양을 저항(R2)를 통해서 센싱한다. NPN 바이폴라 트랜지스터(Q3)는 상기한 구동 전류의 센싱에 의해서 NMOS 트랜지스터(Q4)를 흐르는 구동 전류 Irec가 미리 설정된 정전류 레벨 이하로 흐르도록 제어한다. The NPN bipolar transistor Q3 senses the amount of the driving current Irec flowing through the resistor Rb through the resistor R2. The NPN bipolar transistor Q3 controls the driving current Irec flowing through the NMOS transistor Q4 to flow below a predetermined constant current level by the sensing of the driving current.

보다 구체적으로, NPN 바이폴라 트랜지스터(Q3)는 저항(Ra)을 흐르는 구동 전류 Irec의 양을 저항(R4)을 통하여 센싱하고, 저항(R4)에 인가되는 전압 레벨에 따라 NMOS 트랜지스터(Q4)의 게이트 전압을 조절한다. 즉, NPN 바이폴라 트랜지스터(Q3)는 NMOS 트랜지스터(Q4)에 의한 제1 바이패스 경로의 구동 전류 Irec를 레귤레이션한다. More specifically, the NPN bipolar transistor Q3 senses the amount of the driving current Irec flowing through the resistor Ra through the resistor R4 and controls the gate of the NMOS transistor Q4 according to the voltage level applied to the resistor R4. Adjust the voltage. That is, the NPN bipolar transistor Q3 regulates the drive current Irec of the first bypass path by the NMOS transistor Q4.

한편, 드라이버(300)의 상세한 구성과 레귤레이션 동작은 도 3를 참조하여 설명한다.On the other hand, the detailed configuration and the operation of the driver 300 will be described with reference to FIG.

드라이버(300)는 스위칭 회로들(31~33)과 기준 전압들 VREF1~VREF3을 제공하기 위한 기준 전압 공급부(30)를 포함한다. The driver 300 includes switching circuits 31 to 33 and a reference voltage supply 30 for providing reference voltages VREF1 to VREF3.

발광 다이오드 그룹(LED1)의 출력단은 드라이버(300)의 채널 단자(CH1)를 통하여 스위칭 회로(31)에 연결된다. 발광 다이오드 그룹(LED2)의 출력단은 드라이버(300)의 채널 단자(CH2)를 통하여 스위칭 회로(32)에 연결된다. 그리고, 발광 다이오드 그룹(LED3)의 출력단은 드라이버(300)의 채널 단자(CH3)를 통하여 스위칭 회로(33)에 연결된다.The output terminal of the light emitting diode group (LED1) is connected to the switching circuit (31) through the channel terminal (CH1) of the driver (300). The output terminal of the light emitting diode group LED2 is connected to the switching circuit 32 through the channel terminal CH2 of the driver 300. The output terminal of the light emitting diode group (LED3) is connected to the switching circuit (33) through the channel terminal (CH3) of the driver (300).

기준 전압 공급부(30)는 제작자의 의도에 따라 다양하게 서로 다른 레벨의 기준 전압들 VREF1~VREF3를 제공하는 것으로 구현될 수 있다.The reference voltage supply unit 30 may be implemented by providing reference voltages VREF1 to VREF3 at various levels according to the manufacturer's intention.

기준 전압 공급부(30)는 예시적으로 정전압 VDD가 인가되는 직렬 연결된 복수의 저항을 포함하며 저항들 간의 노드 별로 서로 다른 레벨의 기준 전압 VREF1~ VREF3을 출력하는 것으로 구성될 수 있다. The reference voltage supply unit 30 may include a plurality of series-connected resistors to which the constant voltage VDD is applied, and may be configured to output reference voltages VREF1 to VREF3 of different levels for each node between the resistors.

기준 전압 공급부(30)는 상기한 구성과 달리 서로 다른 레벨의 기준 전압들 VREF1~ VREF3를 각각 제공하는 독립적인 전압공급원들을 포함하는 것으로 구성될 수 있다. The reference voltage supplier 30 may be configured to include independent voltage sources that provide reference voltages VREF1 to VREF3 of different levels, respectively.

그리고, 기준 전압 공급부(30)는 그라운드를 공유하며 이를 위하여 그라운드 단자(GND)에 연결된다.The reference voltage supply unit 30 shares the ground and is connected to the ground terminal GND for this purpose.

서로 다른 레벨의 기준 전압들 VREF1~ VREF3은 기준 전압 VREF1이 가장 낮은 전압 레벨을 가지며 기준 전압 VREF3가 가장 높은 전압 레벨을 가지고, 기준 전압들 VREF1~VREF3은 기준 전압 VREF1, VREF2, VREF3의 순으로 점차 높은 레벨을 갖도록 설정될 수 있다.The reference voltages VREF1 to VREF3 at different levels have the lowest voltage level of the reference voltage VREF1, the highest voltage level of the reference voltage VREF3, and the reference voltages VREF1 to VREF3 gradually decrease in the order of the reference voltages VREF1, VREF2, It can be set to have a high level.

여기에서, 기준 전압 VREF1은 발광 다이오드 그룹(LED2)이 발광하는 시점의 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압보다 낮아서 스위칭 회로(31)를 턴오프하기 위한 레벨을 갖는다.Here, the reference voltage VREF1 is lower than the sensing voltage of the sensing resistor Rs at the time when the light emitting diode group LED2 emits light, and has a level for turning off the switching circuit 31. [

그리고, 기준 전압 VREF2는 발광 다이오드 그룹(LED3)이 발광하는 시점의 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압보다 낮아서 스위칭 회로(32)를 턴오프하기 위한 레벨을 갖는다. The reference voltage VREF2 is lower than the sensing voltage of the sensing resistor Rs at the time when the light emitting diode group LED3 emits light and has a level for turning off the switching circuit 32. [

그리고, 기준전압 VREF3은 정류 전압 Vrec의 피크 레벨(MAX)까지 대응하는 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압과 같거나 높도록 설정됨이 바람직하다.The reference voltage VREF3 is preferably set to be equal to or higher than the sensing voltage of the corresponding sensing resistor Rs up to the peak level MAX of the rectified voltage Vrec.

한편, 스위칭 회로들(31~33)은 전류 레귤레이션 및 전류 경로 형성을 위하여 센싱 단자(Riset)를 통하여 센싱 저항(Rs)에 공통으로 연결된다.Meanwhile, the switching circuits 31 to 33 are commonly connected to the sensing resistor Rs through a sensing terminal Riset for current regulation and current path formation.

스위칭 회로들(31~33)은 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압과 기준 전압 공급부(30)의 각각의 기준 전압들 VREF1~VREF3을 비교하여서 발광 다이오드 그룹들(LED1~LED3)의 발광에 대응하는 전류 경로를 형성한다.The switching circuits 31 to 33 compares the sensing voltage of the sensing resistor Rs with the reference voltages VREF1 to VREF3 of the reference voltage supplier 30 to determine the corresponding voltages of the light emitting diode groups LED1 to LED3 Thereby forming a current path.

스위칭 회로들(31~33)은 정류 전압이 인가되는 위치에서 먼 발광 다이오드 그룹에 연결된 것일수록 높은 레벨의 기준 전압을 제공받는다. The switching circuits 31 to 33 are provided with a higher level reference voltage as they are connected to the light emitting diode group far from the position where the rectified voltage is applied.

각 스위칭 회로(31~33)는 비교기(36)와 스위칭 소자를 포함하며, 스위칭 소자는 NMOS 트랜지스터(37)로 구성됨이 바람직하다.Each of the switching circuits 31 to 33 preferably includes a comparator 36 and a switching element, and the switching element is composed of an NMOS transistor 37.

각 스위칭 회로(31~33)의 비교기(36)는 포지티브 입력단(+)에 기준 전압이 인가되고, 네가티브 입력단(-)에 센싱 전압이 인가되며, 출력단으로 기준 전압과 센싱 전압을 비교한 결과를 출력한다.The comparator 36 of each of the switching circuits 31 to 33 receives a reference voltage applied to the positive input terminal (+), a sensing voltage applied to the negative input terminal (-), and a comparison result of the reference voltage and the sensing voltage Output.

그리고, 각 스위칭 회로(31~33)의 NMOS 트랜지스터(37)는 게이트로 인가되는 각 비교기(36)의 출력에 따라 구동 전류 Irec의 흐름을 제어하기 위한 동작을 수행한다.The NMOS transistor 37 of each of the switching circuits 31 to 33 performs an operation for controlling the flow of the driving current Irec in accordance with the output of each comparator 36 applied to the gate.

도 1 내지 도 3과 같이 구성되는 본 발명의 실시예의 설명은 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. The description of the embodiment of the present invention constructed as shown in Figs. 1 to 3 will be explained with reference to Figs. 4 and 5. Fig.

도 4에서, ILED1은 발광 다이오드 그룹(LED1)에 흐르는 구동 전류이며, ILED2는 발광 다이오드 그룹(LED2)에 흐르는 구동 전류이고, ILED3는 발광 다이오드 그룹(LED3)에 흐르는 구동 전류이다. Vbp1는 바이패스 회로(400)의 양단에 인가되는 전압이고, Ibp1는 바이패스 회로(400)의 제1 바이패스 경로를 흐르는 구동 전류이다. Vbp2는 바이패스 회로(410)의 양단에 인가되는 전압이고, Ibp2는 바이패스 회로(410)의 제2 바이패스 회로를 흐르는 구동 전류이다.In Fig. 4, ILED1 is a driving current flowing in the light emitting diode group LED1, ILED2 is a driving current flowing in the light emitting diode group LED2, and ILED3 is a driving current flowing in the light emitting diode group LED3. Vbp1 is a voltage applied to both ends of the bypass circuit 400 and Ibp1 is a driving current flowing through the first bypass path of the bypass circuit 400. [ Vbp2 is a voltage applied to both ends of the bypass circuit 410 and Ibp2 is a driving current flowing through the second bypass circuit of the bypass circuit 410. [

도 4의 하부에 한 주기의 정류 전압 Vrec이 변화되는 과정의 발광 다이오드 그룹들(LED1~LED3)의 발광 상태 변화가 도시되며, 해칭으로 표시된 부분은 해당 발광 다이오드 그룹이 발광하는 것을 의미한다. 도 4의 발광 다이오드 그룹들(LED1~LED3)의 발광 상태 변화는 도 5의 발광 다이오드 그룹들(LED1~LED3)의 온(ON) 상태와 동일하다.FIG. 4 shows changes in the light emission state of the light emitting diode groups LED1 to LED3 in the process of changing one period of the rectified voltage Vrec, and a hatched portion means that the corresponding light emitting diode group emits light. The light emitting state changes of the light emitting diode groups LED1 to LED3 of FIG. 4 are the same as the ON state of the light emitting diode groups LED1 to LED3 of FIG.

본 발명의 실시예에서 한 주기의 정류 전압 Vrec은 최저 레벨(0V)에서 제1 레벨(V1) 내지 제6 레벨(V6)을 순차적으로 거쳐서 피크 레벨(MAX)로 상승하고, 그 후 피크 레벨(MAX)에서 제6 레벨(V6) 내지 제1 레벨(V1)을 순차적으로 거쳐서 최저 레벨(0V)로 하강한다. In the embodiment of the present invention, the rectified voltage Vrec of one period rises to the peak level MAX sequentially from the first level (V1) to the sixth level (V6) at the lowest level (0 V) MAX to the lowest level (0V) sequentially through the sixth level (V6) to the first level (V1).

정류 전압 Vrec가 초기 상태인 경우, 드라이버(300)의 각 스위칭 회로(31~33)는 비교기(36)의 포지티브 입력단(+)에 인가되는 기준 전압들 VREF1~VREF3이 비교기(36)의 네가티브 입력단(-)에 인가되는 센싱 전압보다 높으므로 모두 턴온된 상태를 유지한다. 이때 발광 다이오드 그룹들(LED1~LED3)은 소광 상태이다. The reference voltage VREF1 to VREF3 applied to the positive input terminal (+) of the comparator 36 is applied to the negative input terminal of the comparator 36. In the case where the rectified voltage Vrec is in the initial state, Is higher than the sensing voltage applied to the negative polarity (-). At this time, the light emitting diode groups (LED1 to LED3) are in an extinction state.

정류 전압 Vrec이 초기 상태에서 상승하여서 제1 레벨(V1)에 도달하면, 발광 다이오드 그룹(LED1)은 양단에 제1 레벨(V1)의 전압이 인가됨에 따라 발광한다. 발광 다이오드 그룹(LED1)이 발광하면, 구동 전류 Irec는 발광 다이오드 그룹(LED1)과 드라이버(300)의 스위칭 회로(31)의 전류 경로를 통하여 흐른다. 이때, 발광 다이오드 그룹(LED1)을 흐르는 전류 ILED1은 도 4와 같이 구동 전류 Irec와 같은 레벨로 증가한다.When the rectified voltage Vrec rises in the initial state to reach the first level V1, the light emitting diode group LED1 emits light as the voltage of the first level V1 is applied to both ends thereof. When the light emitting diode group LED1 emits light, the driving current Irec flows through the current path of the light emitting diode group LED1 and the switching circuit 31 of the driver 300. At this time, the current ILED1 flowing through the light emitting diode group LED1 increases to the same level as the driving current Irec as shown in FIG.

발광 다이오드 그룹(LED1)이 발광한 상태에서 정류 전압 Vrec이 증가하면, 스위칭 회로(31)는 비교기(36)의 포지티브 입력단(+)에 인가되는 기준 전압 VREF1을 기준으로 구동 전류 Irec의 양을 미리 설정된 정전류 레벨 이하로 레귤레이션한다.When the rectified voltage Vrec increases in a state in which the light emitting diode group LED1 emits light, the switching circuit 31 sets the amount of the driving current Irec based on the reference voltage VREF1 applied to the positive input terminal (+) of the comparator 36 Regulate below the set constant current level.

정류 전압 Vrec이 제1 레벨(V1)에서 상승하여서 제2 레벨(V2)에 도달하면, 발광 다이오드 그룹(LED2)은 노멀 턴온 상태의 바이패스 회로(400)를 통하여 정류 전압 Vrec을 전달받고 양단에 인가되는 제2 레벨(V2)의 전압에 의해 발광한다. 발광 다이오드 그룹(LED2)이 발광하면, 구동 전류 Irec는 바이패스 회로(400)의 NMOS 트랜지스터(Q2)에 의한 제1 바이패스 경로를 통하여 발광 다이오드 그룹(LED2)으로 흐른다. 이때, 드라이버(300)의 스위칭 회로(32)는 발광 다이오드 그룹(LED2)의 발광에 대응한 전류 경로를 제공한다. When the rectified voltage Vrec rises from the first level V1 to reach the second level V2, the light emitting diode group LED2 receives the rectified voltage Vrec through the bypass circuit 400 in the normal turn-on state, And emits light by the applied voltage of the second level (V2). When the light emitting diode group LED2 emits light, the driving current Irec flows to the light emitting diode group LED2 through the first bypass path by the NMOS transistor Q2 of the bypass circuit 400. [ At this time, the switching circuit 32 of the driver 300 provides a current path corresponding to the light emission of the light emitting diode group LED2.

상기한 발광 다이오드 그룹(LED2)의 발광에 의한 구동 전류 Irec의 양은 정류 전압 Vrec의 상승에 따라 증가된다. 그리고, 발광 다이오드 그룹(LED2)을 흐르는 전류 ILED2는 도 4와 같이 증가된다. 그러므로, 센싱 저항(Rs)은 구동 전류 Irec의 증가에 비례하는 증가된 레벨의 센싱 전압을 제공하며, 드라이버(300)의 스위칭 회로(31)는 비교기(36)의 포지티브 입력단(+)에 인가되는 기준 전압 VREF1보다 네가티브 입력단(-)에 인가되는 센싱 전압이 높아지므로 턴오프되고, 발광 다이오드 그룹(LED1)은 소광되며, 발광 다이오드 그룹(LED1)을 흐르는 전류 ILED1는 줄어든다.The amount of the driving current Irec due to the light emission of the above-described light emitting diode group LED2 is increased with the rise of the rectified voltage Vrec. The current ILED2 flowing through the light emitting diode group LED2 is increased as shown in Fig. Therefore, the sensing resistor Rs provides an increased level of sensing voltage proportional to the increase in the driving current Irec, and the switching circuit 31 of the driver 300 is applied to the positive input (+) of the comparator 36 The sensing voltage applied to the negative input terminal (-) becomes higher than the reference voltage VREF1 and is therefore turned off, the light emitting diode group LED1 is extinguished, and the current ILED1 flowing through the light emitting diode group LED1 is reduced.

즉, 발광 다이오드 그룹(LED2)의 발광에 대응하여, 구동 전류 Irec는 바이패스 회로(400)에 의한 제1 바이패스 경로, 발광 다이오드 그룹(LED2) 및 드라이버(300)의 스위칭 회로(32)에 의한 전류 경로를 통하여 흐른다.That is, corresponding to the light emission of the light emitting diode group LED2, the drive current Irec is supplied to the first bypass path by the bypass circuit 400, the light emitting diode group LED2 and the switching circuit 32 of the driver 300 Lt; / RTI >

이때, 바이패스 회로(400)의 제1 바이패스 경로를 형성하는 NMOS 트랜지스터(Q2)의 전압(Vbp1)과 전류(Ibp1)는 도 4와 같이 상승한다.At this time, the voltage Vbp1 and the current Ibp1 of the NMOS transistor Q2 forming the first bypass path of the bypass circuit 400 rise as shown in Fig.

바이패스 회로(400)와 드라이버(300)의 스위칭 회로(32)는 발광 다이오드 그룹(LED2)의 발광에 의한 구동 전류 Irec에 대하여 서로 다른 정전류 레벨을 기준으로 레귤레이션을 수행한다. 본 발명의 실시예는 바이패스회로(400)의 정전류 레벨이 드라이버(300)의 스위칭 회로(32)의 정전류 레벨보다 낮게 설정된다.The bypass circuit 400 and the switching circuit 32 of the driver 300 perform regulation based on different constant current levels with respect to the driving current Irec due to the light emission of the light emitting diode group LED2. The embodiment of the present invention sets the constant current level of the bypass circuit 400 to be lower than the constant current level of the switching circuit 32 of the driver 300. [

그러므로, 발광 다이오드 그룹(LED2)이 발광한 상태에서 구동 전류 Irec는 바이패스 회로(400)에 의해 레귤레이션되며, 바이패스 회로(400)는 저항(Ra)을 흐르는 구동 전류 Irec를 센싱한 전압에 의하여 구동 전류 Irec를 레귤레이션한다.Therefore, the driving current Irec is regulated by the bypass circuit 400 while the light emitting diode group LED2 emits light, and the bypass circuit 400 is controlled by the voltage sensing the driving current Irec flowing through the resistor Ra Thereby regulating the driving current Irec.

발광 다이오드 그룹(LED2)이 발광한 후 정류 전압 Vrec이 제2 레벨(V2) 이상으로 상승하면, 발광 다이오드 그룹(LED2)의 양단 간에 인가되는 전압은 고정되고, 정류 전압 Vrec과 제2 레벨(V2)의 차에 해당하는 거의 대부분의 잉여 전압은 바이패스 회로(400)의 양단 간 즉 NMOS 트랜지스터(Q2)의 드레인과 소스 사이에 인가된다. When the rectified voltage Vrec rises above the second level V2 after the light emitting diode group LED2 emits light, the voltage applied between the two ends of the light emitting diode group LED2 is fixed, and the rectified voltage Vrec and the second level V2 ) Is applied between the both ends of the bypass circuit 400, that is, between the drain and the source of the NMOS transistor Q2.

정류 전압 Vrec의 상승에 의해 바이패스 회로(400)의 양단 간에 인가되는 잉여 전압이 점차 상승한다. 바이패스 회로(400)의 양단 간에 인가되는 잉여 전압이 발광 다이오드 그룹(LED1)을 발광할 수 있는 제1 레벨(V1)에 도달하면, 발광 다이오드 그룹(LED1)이 추가로 발광한다. 이때 정류 전압 Vrec은 제1 레벨(V1)과 제2 레벨(V2)를 합한 제3 레벨(V3)에 도달한 것으로 이해될 수 있다.As the rectified voltage Vrec rises, the surplus voltage applied across the both ends of the bypass circuit 400 gradually rises. The light emitting diode group LED1 further emits light when the surplus voltage applied across the both ends of the bypass circuit 400 reaches the first level V1 at which the light emitting diode group LED1 can emit light. At this time, it can be understood that the rectified voltage Vrec reaches the third level (V3) which is the sum of the first level (V1) and the second level (V2).

발광 다이오드 그룹(LED1)이 추가로 발광하면, 병렬로 연결된 바이패스 회로(400)는 레귤레이션에 의해 저항으로 작용한다. 그러므로, 구동 전류 Irec는 발광에 의해 전기적인 도통(Conduction) 상태로 전환된 발광 다이오드 그룹(LED1)을 통하여 흐르고, 바이패스 회로(400)의 제1 바이패스 경로를 통한 구동 전류 Irec의 흐름은 중지된다. 이때, 바이패스 회로(400)의 NMOS 트랜지스터(Q2)의 양단 간에 인가되는 전압(Vbp1)은 도 4와 같이 발광 다이오드 그룹(LED1)의 양단에 인가되는 전압과 같은 레벨을 유지하나, 바이패스 회로(400)의 전류(Ibp1)는 감소된다.When the light emitting diode group LED1 further emits light, the bypass circuit 400 connected in parallel acts as a resistor by regulation. Therefore, the driving current Irec flows through the light emitting diode group LED1, which is switched to an electrical conduction state by light emission, and the flow of the driving current Irec through the first bypass path of the bypass circuit 400 is stopped do. At this time, the voltage Vbp1 applied across the NMOS transistor Q2 of the bypass circuit 400 maintains the same level as the voltage applied across the light-emitting diode group LED1 as shown in FIG. 4, The current Ibp1 of the transistor 400 is reduced.

상기와 같이, 정류 전압 Vrec이 제3 레벨에 도달하면 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)이 발광하고, 구동 전류 Irec는 발광 다이오드 그룹(LED1), 발광 다이오드 그룹(LED2) 및 드라이버(300)의 스위칭 회로(32)에 의한 전류 경로를 통하여 흐른다.As described above, when the rectified voltage Vrec reaches the third level, the light emitting diode groups LED1 and LED2 emit light and the driving current Irec is applied to the light emitting diode group LED1, the light emitting diode group LED2, And flows through the current path by the switching circuit 32.

상기한 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)의 발광에 의한 구동 전류 Irec의 양은 정류 전압 Vrec의 상승에 따라 증가된다. 그러나. 드라이버(300)의 스위칭 회로(32)는 비교기(36)의 포지티브 입력단(+)에 인가되는 기준 전압 VREF2 이하로 네가티브 입력단(-)에 인가되는 센싱 전압이 형성되므로 턴온을 유지한다.The amount of the driving current Irec due to the light emission of the light emitting diode groups LED1 and LED2 increases as the rectified voltage Vrec increases. But. The switching circuit 32 of the driver 300 maintains the turn-on state since the sensing voltage applied to the negative input terminal (-) is lower than the reference voltage VREF2 applied to the positive input terminal (+) of the comparator 36. [

상기와 같이 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)이 발광한 상태에서 구동 전류 Irec는 드라이버(300)의 스위칭 회로(32)에 의해서 레귤레이션된다. 드라이버(300)의 스위칭 회로(32)의 레귤레이션을 위한 정전류 레벨은 바이패스 회로(400)보다 높게 설정된다. 그러므로 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)의 발광에 대응한 구동 전류 Irec의 양은 발광 다이오드 그룹(LED2)의 발광에 비하여 증가한다.The driving current Irec is regulated by the switching circuit 32 of the driver 300 in a state in which the light emitting diode groups LED1 and LED2 emit light as described above. The constant current level for regulation of the switching circuit 32 of the driver 300 is set higher than the bypass circuit 400. [ Therefore, the amount of the driving current Irec corresponding to the light emission of the light emitting diode groups (LED1, LED2) increases as compared with the light emission of the light emitting diode group (LED2).

발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)이 발광한 상태에서 정류 전압 Vrec가 증가하면, 스위칭 회로(32)는 비교기(36)의 포지티브 입력단(+)에 인가되는 기준 전압 VREF2를 기준으로 구동 전류 Irec의 양을 미리 설정된 정전류 레벨 이하로 레귤레이션한다.When the rectified voltage Vrec increases in a state in which the light emitting diode groups LED1 and LED2 emit light, the switching circuit 32 switches the reference voltage VREF2 applied to the positive input terminal (+) of the comparator 36, And the amount is regulated below a predetermined constant current level.

정류 전압 Vrec이 제3 레벨(V3)에서 상승하여서 제4 레벨(V4)에 도달하면, 발광 다이오드 그룹(LED3)은 노멀 턴온 상태의 바이패스 회로(400) 및 바이패스 회로(410)를 통하여 양단에 인가되는 제4 레벨(V4)의 정류 전압 Vrec에 의해 발광한다. 발광 다이오드 그룹(LED3)이 발광하면, 구동 전류 Irec는 바이패스 회로(400)의 제1 바이패스 경로와 바이패스 회로(410)의 제2 바이패스 경로를 통하여 발광 다이오드 그룹(LED3)으로 제공되며, 발광 다이오드 그룹(LED3)에 연결된 드라이버(300)의 턴온된 스위칭 회로(33)는 발광 다이오드 그룹(LED3)의 발광에 대응한 전류 경로를 제공한다. When the rectified voltage Vrec rises from the third level V3 to reach the fourth level V4, the light emitting diode group LED3 is turned on through the bypass circuit 400 and the bypass circuit 410 in the normal turn- And the rectified voltage Vrec of the fourth level (V4) to be applied to the pixel electrode. When the light emitting diode group LED3 emits light, the driving current Irec is provided to the light emitting diode group LED3 through the first bypass path of the bypass circuit 400 and the second bypass path of the bypass circuit 410 , The turned-on switching circuit 33 of the driver 300 connected to the light emitting diode group LED3 provides a current path corresponding to the light emission of the light emitting diode group LED3.

상기한 발광 다이오드 그룹(LED3)의 발광에 의한 구동 전류 Irec의 양은 정류 전압 Vrec의 상승에 따라 증가되며, 발광 다이오드 그룹(LED3)을 흐르는 전류 ILED3은 도 4와 같이 증가된다. 그러므로, 센싱 저항(Rs)은 구동 전류 Irec의 증가된 양에 비례하는 레벨의 센싱 전압을 제공하며, 드라이버(300)의 스위칭 회로(32)는 비교기(36)의 포지티브 입력단(+)에 인가되는 기준 전압 VREF2보다 네가티브 입력단(-)에 인가되는 센싱 전압이 높아지므로 턴오프되고, 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)은 소광된다.The amount of the driving current Irec due to the light emission of the light emitting diode group LED3 is increased with the increase of the rectified voltage Vrec and the current ILED3 flowing through the light emitting diode group LED3 is increased as shown in FIG. Therefore, the sensing resistor Rs provides a sensing voltage of a level proportional to the increased amount of the driving current Irec and the switching circuit 32 of the driver 300 is applied to the positive input (+) of the comparator 36 The sensing voltage applied to the negative input terminal (-) becomes higher than the reference voltage VREF2, so that the light emitting diode groups LED1 and LED2 are turned off.

즉, 발광 다이오드 그룹(LED3)의 발광에 대응하여, 구동 전류 Irec는 바이패스 회로(400)에 의한 제1 바이패스 경로, 바이패스 회로(410)에 의한 제2 바이패스 경로, 발광 다이오드 그룹(LED3) 및 드라이버(300)의 스위칭 회로(33)에 의한 전류 경로를 통하여 흐른다.That is, corresponding to the light emission of the light emitting diode group (LED3), the drive current Irec is supplied to the first bypass path by the bypass circuit 400, the second bypass path by the bypass circuit 410, LED3) and the current path by the switching circuit 33 of the driver 300.

이때, 바이패스 회로(410)의 NMOS 트랜지스터(Q4)의 드레인과 소스 간 전압(Vbp2)과 전류(Ibp2)는 도 4와 같이 상승한다. 그리고, 바이패스 회로(400)의 NMOS 트랜지스터(Q2)의 양단 간에는 전압(Vbp1)은 형성되지 않고 전류(Ibp1)의 흐름만 발생한다.At this time, the drain-source voltage Vbp2 and the current Ibp2 of the NMOS transistor Q4 of the bypass circuit 410 rise as shown in Fig. The voltage Vbp1 is not formed between both ends of the NMOS transistor Q2 of the bypass circuit 400 and only the current Ibp1 flows.

발광 다이오드 그룹(LED3)의 발광에 대응하여 바이패스 회로(400)에서 발광 다이오드 그룹(LED2)로 흐르는 전류는 센싱되지 않는다. 그러므로, 바이패스 회로(400)는 레귤레이션을 수행하지 않고 전류 흐름을 위한 제1 바이패스 경로를 제공한다. 이와 달리, 바이패스 회로(410)와 드라이버(300)의 스위칭 회로(33)는 상기한 발광 다이오드 그룹(LED3)의 발광에 의한 구동 전류 Irec에 대하여 서로 다른 정전류 레벨을 기준으로 레귤레이션을 수행한다. 본 발명의 실시예는 바이패스 회로(410)의 정전류 레벨이 드라이버(300)의 스위칭 회로(33)의 정전류 레벨보다 낮게 설정된다.The current flowing from the bypass circuit 400 to the light emitting diode group LED2 corresponding to the light emission of the light emitting diode group LED3 is not sensed. Therefore, bypass circuit 400 provides a first bypass path for current flow without performing regulation. The bypass circuit 410 and the switching circuit 33 of the driver 300 perform regulation based on different constant current levels with respect to the driving current Irec due to the light emission of the light emitting diode group LED3. The embodiment of the present invention sets the constant current level of the bypass circuit 410 to be lower than the constant current level of the switching circuit 33 of the driver 300. [

그러므로, 발광 다이오드 그룹(LED3)이 발광한 상태에서 구동 전류 Irec는 바이패스 회로(410)에 의해 레귤레이션되며, 바이패스 회로(410)는 저항(Rb)을 흐르는 구동 전류 Irec를 센싱한 전압에 의하여 구동 전류 Irec를 레귤레이션한다.Therefore, the driving current Irec is regulated by the bypass circuit 410 while the light emitting diode group LED3 emits light, and the bypass circuit 410 controls the driving current Irec flowing through the resistor Rb Thereby regulating the driving current Irec.

발광 다이오드 그룹(LED3)이 발광한 후 정류 전압 Vrec이 제4 레벨(V4) 이상으로 상승하면, 발광 다이오드 그룹(LED3)의 양단에 인가되는 전압은 고정되고, 정류 전압 Vrec과 제4 레벨(V4)의 차에 해당하는 거의 대부분의 잉여 전압은 바이패스 회로(410)의 양단 간 즉 NMOS 트랜지스터(Q4)의 양단 간에 인가된다. When the rectified voltage Vrec rises above the fourth level V4 after the light emitting diode group LED3 emits light, the voltage applied across the light emitting diode group LED3 is fixed, and the rectified voltage Vrec and the fourth level V4 ) Is applied between the both ends of the bypass circuit 410, that is, across the both ends of the NMOS transistor Q4.

정류 전압 Vrec의 상승에 의해 바이패스 회로(410)의 양단에 인가되는 잉여 전압이 점차 상승한다. 바이패스 회로(410)의 양단에 인가되는 잉여 전압이 발광 다이오드 그룹(LED2)을 발광할 수 있는 제2 레벨(V2)에 도달하면, 발광 다이오드 그룹(LED2)이 추가로 발광한다. 이때 정류 전압 Vrec은 제2 레벨(V2)과 제4 레벨(V4)를 합한 제5 레벨(V5)에 도달한 것으로 이해될 수 있다.The surplus voltage applied to both ends of the bypass circuit 410 gradually increases due to the rise of the rectified voltage Vrec. When the surplus voltage applied to both ends of the bypass circuit 410 reaches the second level V2 at which the light emitting diode group LED2 can emit light, the light emitting diode group LED2 further emits light. At this time, it can be understood that the rectified voltage Vrec reaches the fifth level (V5), which is the sum of the second level (V2) and the fourth level (V4).

발광 다이오드 그룹(LED2)이 추가로 발광하면, 병렬로 연결된 바이패스 회로(410)는 레귤레이션에 의해 저항으로 작용한다. 그러므로, 구동 전류 Irec는 발광에 의해 전기적인 도통(conduction) 상태로 전환된 발광 다이오드 그룹(LED2)을 통하여 흐르고, 바이패스 회로(410)의 제2 바이패스 경로를 통한 구동 전류 Irec의 흐름은 중지된다. 이때, 바이패스 회로(410)의 NMOS 트랜지스터(Q4)의 양단 간에 인가되는 전압(Vbp2)은 도 4와 같이 발광 다이오드 그룹(LED2)의 양단에 인가되는 전압과 같은 레벨을 유지하나, 바이패스 회로(410)의 전류(Ibp2)는 감소된다.When the light emitting diode group LED2 further emits light, the bypass circuit 410 connected in parallel acts as a resistor by regulation. Therefore, the driving current Irec flows through the light emitting diode group LED2, which is switched to an electrical conduction state by light emission, and the flow of the driving current Irec through the second bypass path of the bypass circuit 410 is stopped do. At this time, the voltage Vbp2 applied between the both ends of the NMOS transistor Q4 of the bypass circuit 410 maintains the same level as the voltage applied to both ends of the LED group LED2 as shown in Fig. 4, The current Ibp2 of the transistor 410 is reduced.

상기와 같이, 정류 전압 Vrec이 제5 레벨(V5)에 도달하면 발광 다이오드 그룹들(LED2, LED3)은 발광하고, 구동 전류 Irec는 바이패스 회로(400)의 제1 바이패스 경로, 발광 다이오드 그룹(LED2), 발광 다이오드 그룹(LED2) 및 드라이버(300)의 스위칭 회로(33)에 의한 전류 경로를 통하여 흐른다.As described above, when the rectified voltage Vrec reaches the fifth level V5, the light emitting diode groups LED2 and LED3 emit light, and the driving current Irec flows through the first bypass path of the bypass circuit 400, (LED2), the light emitting diode group (LED2), and the switching circuit 33 of the driver 300.

상기한 발광 다이오드 그룹들(LED2, LED3)의 발광에 의한 구동 전류 Irec의 양은 정류 전압 Vrec의 상승에 따라 증가된다. 드라이버(300)의 스위칭 회로(33)는 비교기(36)의 포지티브 입력단(+)에 인가되는 기준 전압 VREF2 이하으로 비교기(36)의 네가티브 입력단(-)에 인가되는 센싱 전압이 형성되므로 턴온을 유지한다. The amount of the driving current Irec due to the light emission of the light emitting diode groups LED2 and LED3 is increased as the rectified voltage Vrec rises. The switching circuit 33 of the driver 300 maintains the turn-on state since the sensing voltage applied to the negative input terminal (-) of the comparator 36 is lower than the reference voltage VREF2 applied to the positive input terminal (+) of the comparator 36 do.

바이패스 회로(400)와 드라이버(300)의 스위칭 회로(33)는 상기한 발광 다이오드 그룹들(LED2, LED3)의 발광에 의한 구동 전류 Irec에 대하여 서로 다른 정전류 레벨을 기준으로 레귤레이션을 수행한다. 본 발명의 실시예는 바이패스 회로(400)의 정전류 레벨이 드라이버(300)의 스위칭 회로(33)의 정전류 레벨보다 낮게 설정된다.The bypass circuit 400 and the switching circuit 33 of the driver 300 perform regulation based on different constant current levels with respect to the driving current Irec due to the light emission of the light emitting diode groups LED2 and LED3. The embodiment of the present invention is set such that the constant current level of the bypass circuit 400 is lower than the constant current level of the switching circuit 33 of the driver 300. [

그러므로, 구동 전류 Irec는 바이패스 회로(400)에 의해 레귤레이션되며, 바이패스 회로(400)는 저항(Ra)을 흐르는 구동 전류 Irec를 센싱한 전압에 의하여 구동 전류 Irec를 레귤레이션한다.Therefore, the drive current Irec is regulated by the bypass circuit 400, and the bypass circuit 400 regulates the drive current Irec by the voltage sensing the drive current Irec flowing through the resistor Ra.

그리고, 바이패스 회로(410)는 바이패스 회로(400)에 의해 레귤레이션되고 남은 구동 전류 Irec를 위한 제2 바이패스 경로를 제공한다. 즉, 구동 전류 Irec는 바이패스 회로(400)와 바이패스 회로(410)에 분산되어 흐를 수 있다. 이 경우, 바이패스 회로(410)에 의한 전류는 바이패스 회로(410)에 의해 레귤레이션된다. The bypass circuit 410 regulates by the bypass circuit 400 and provides a second bypass path for the remaining driving current Irec. In other words, the driving current Irec can be distributed to the bypass circuit 400 and the bypass circuit 410 to flow. In this case, the current by the bypass circuit 410 is regulated by the bypass circuit 410.

그 후, 정류 전압 Vrec이 제5 레벨(V5) 이상으로 상승하면, 발광 다이오드 그룹(LED2)과 발광 다이오드 그룹(LED3)의 양단 간에 인가되는 전압은 고정된다. 그리고, 정류 전압 Vrec과 제5 레벨(V5)의 차에 해당하는 거의 대부분의 잉여 전압은 도 2 에서와 같이 NMOS 트랜지스터(Q2)의 드레인단에서 저항 R1을 통하여 전압이 바이어스가 되고, 트랜지스터(Q1)에 의해 레귤레이션 제어되고 있어서 완전한 도통 상태가 아니므로 바이패스 회로(400)의 양단 간 즉 NMOS 트랜지스터(Q2)의 드레인과 소스 사이에 인가된다.Thereafter, when the rectified voltage Vrec rises above the fifth level (V5), the voltage applied across the light-emitting diode group LED2 and the light-emitting diode group LED3 is fixed. Almost all the surplus voltage corresponding to the difference between the rectified voltage Vrec and the fifth level V5 becomes a bias voltage at the drain terminal of the NMOS transistor Q2 through the resistor R1 as shown in Fig. And is therefore not applied to the bypass circuit 400, that is, between the drain and the source of the NMOS transistor Q2.

정류 전압 Vrec의 상승에 의해 바이패스 회로(400)의 양단에 인가되는 잉여 전압이 발광 다이오드 그룹(LED1)을 발광할 수 있는 제1 레벨(V1)에 도달하면, 발광 다이오드 그룹(LED1)이 추가로 발광한다. 이때 정류 전압 Vrec은 제1 레벨(V1), 제2 레벨(V2) 및 제4 레벨(V4)를 합한 제6레벨(V6)에 도달한 것으로 이해될 수 있다.When the surplus voltage applied to both ends of the bypass circuit 400 reaches the first level V1 at which the light emitting diode group LED1 can emit light due to the rise of the rectified voltage Vrec, . At this time, it can be understood that the rectified voltage Vrec has reached the sixth level V6 which is the sum of the first level (V1), the second level (V2) and the fourth level (V4).

발광 다이오드 그룹(LED1)이 추가로 발광하면, 병렬로 연결된 바이패스 회로(400)는 레귤레이션에 의해 전류가 제한된다. 그러므로, 구동 전류 Irec는 발광에 의해 전기적인 도통(Conduction) 상태로 전환된 발광 다이오드 그룹(LED1)을 통하여 흐르고, 바이패스 회로(400)의 제1 바이패스 경로를 통한 구동 전류 Irec의 흐름은 중지된다. When the light emitting diode group LED1 further emits light, the bypass circuit 400 connected in parallel is current limited by regulation. Therefore, the driving current Irec flows through the light emitting diode group LED1, which is switched to an electrical conduction state by light emission, and the flow of the driving current Irec through the first bypass path of the bypass circuit 400 is stopped do.

상기와 같이, 정류 전압 Vrec이 제6 레벨(V6)에 도달하면 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2, LED3)은 발광하고, 구동 전류 Irec는 발광 다이오드 그룹(LED1), 발광 다이오드 그룹(LED2), 발광 다이오드 그룹(LED3) 및 드라이버(300)의 스위칭 회로(33)에 의한 전류 경로를 통하여 흐른다.As described above, when the rectified voltage Vrec reaches the sixth level V6, the light emitting diode groups LED1, LED2, and LED3 emit light, and the driving current Irec is applied to the light emitting diode group LED1, the light emitting diode group LED2, Through the current path by the light emitting diode group (LED3) and the switching circuit 33 of the driver 300.

상기한 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2, LED3)의 구동 전류 드라이버(300)의 스위칭 회로(33)는 비교기(36)의 포지티브 입력단(+)에 인가되는 기준 전압 VREF3 이하로 비교기(36)의 네가티브 입력단(-)에 인가되는 센싱 전압이 형성되므로 턴온을 유지한다. The switching circuit 33 of the driving current driver 300 of the light emitting diode groups LED1, LED2 and LED3 is turned on and off by the comparator 36 under the reference voltage VREF3 applied to the positive input terminal (+ Since the sensing voltage applied to the negative input terminal (-) is formed, the turn-on is maintained.

상기와 같이 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2, LED3)이 발광한 상태에서 구동 전류 Irec는 드라이버(300)의 스위칭 회로(33)에 의해서 레귤레이션된다. 그러므로 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2, LED3)의 발광에 대응한 구동 전류 Irec의 양은 정류 전압 Vrec의 상승에따라 증가한다.The driving current Irec is regulated by the switching circuit 33 of the driver 300 in a state in which the light emitting diode groups LED1, LED2, and LED3 emit light as described above. Therefore, the amount of the driving current Irec corresponding to the light emission of the light emitting diode groups (LED1, LED2, LED3) increases with the rise of the rectified voltage Vrec.

정류 전압 Vrec은 제6 레벨 이상 상승하여 피크 레벨(MAX)에 도달하고, 그 후 피크 레벨(MAX)에서 제6 레벨(V6)로 하강한다. 상기한 정류 전압 Vrec의 변화 동안 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2, LED3)의 발광은 유지되고, 구동 전류 Irec는 발광 다이오드 그룹(LED1), 발광 다이오드 그룹(LED2), 발광 다이오드 그룹(LED3) 및 드라이버(300)의 스위칭 회로(33)에 의한 전류 경로를 통하여 흐른다. The rectified voltage Vrec rises above the sixth level to reach the peak level MAX, and then falls from the peak level MAX to the sixth level V6. The light emission of the light emitting diode groups LED1, LED2 and LED3 is maintained during the change of the rectified voltage Vrec and the driving current Irec is applied to the light emitting diode group LED1, the light emitting diode group LED2, the light emitting diode group LED3, And flows through the current path by the switching circuit 33 of the driver 300.

그 후, 정류 전압 Vrec은 제6 레벨(V6)에서 최저 레벨(0V)로 순차적으로 하강한다. Thereafter, the rectified voltage Vrec falls sequentially from the sixth level (V6) to the lowest level (0V).

상기한 정류 전압 Vrec의 레벨이 하강됨에 따라, 본 발명의 실시예의 조명부(200)의 발광 상태는 발광 다이오드 그룹들(LED1~LED3)의 발광, 발광 다이오드 그룹들(LED2, LED3)의 발광, 발광 다이오드 그룹(LED3)의 발광, 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)의 발광, 발광 다이오드 그룹(LED2)의 발광, 및 발광 다이오드 그룹(LED1)의 발광의 순으로 변화된다. As the level of the rectified voltage Vrec is lowered, the light emitting state of the illumination unit 200 according to the embodiment of the present invention is changed from the light emission of the light emitting diode groups LED1 to LED3, the light emission of the light emitting diode groups LED2 and LED3, The light emission of the diode group LED3, the light emission of the light emitting diode groups LED1 and LED2, the light emission of the light emitting diode group LED2, and the light emission of the light emitting diode group LED1.

즉, 한 주기의 정류 전압 Vrec의 상승과 하강에 대응하여, 조명부(200)의 발광 상태는 도 5와 같이 변화될 수 있다. That is, corresponding to the rising and falling of the rectified voltage Vrec of one period, the light emitting state of the illumination unit 200 can be changed as shown in Fig.

도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 본 발명의 실시예는 바이패스 회로들(400, 410)을 정류 전압 Vrec에 대하여 직렬로 구성한 것을 예시한 것이다.The embodiment of the present invention described with reference to Figs. 1 to 5 exemplifies that the bypass circuits 400 and 410 are configured in series with respect to the rectified voltage Vrec.

이와 달리, 본 발명의 실시예는 바이패스 회로들(400, 410)을 정류 전압 Vrec에 대하여 병렬로 구성할 수 있다. 이에 대한 실시예는 도 6 및 도 7과 같이 구성될 수 있다.Alternatively, the embodiments of the present invention can configure the bypass circuits 400 and 410 in parallel with respect to the rectified voltage Vrec. An embodiment of this can be configured as shown in Figs. 6 and 7. Fig.

도 6 및 도 7의 실시예는 바이패스 회로들(400, 410)의 구성에 차이가 있을 뿐 나머지 구성은 동일하고 같은 개념으로 동작을 하므로 이에 대한 중복 설명은 생략한다.6 and 7, the bypass circuits 400 and 410 have different configurations, and the remaining configurations are the same and operate in the same concept, so duplicate descriptions thereof will be omitted.

도 6 및 도 7의 실시예는 바이패스 회로(400)에 의한 제1 바이패스 경로와 바이패스 회로(410)에 의한 제2 바이패스 경로가 병렬로 구성된다. 6 and 7, the first bypass path by the bypass circuit 400 and the second bypass path by the bypass circuit 410 are configured in parallel.

그러므로, 바이패스 회로(400)는 발광 다이오드 그룹(LED2)의 발광 및 발광 다이오드 그룹들(LED2, LED3)의 발광에 대해서 바이패스 경로를 제공하며 구동 전류 Irec에 대한 레귤레이션을 수행한다.Therefore, the bypass circuit 400 provides a bypass path for the light emission of the light emitting diode group LED2 and the light emission of the light emitting diode groups LED2 and LED3, and performs regulation on the driving current Irec.

그리고, 바이패스 회로(410)는 발광 다이오드 그룹(LED3)의 발광에 대해서 바이패스 경로를 제공하며 구동 전류 Irec에 대한 레귤레이션을 수행한다.The bypass circuit 410 provides a bypass path for light emission of the light emitting diode group LED3 and performs regulation on the driving current Irec.

즉, 바이패스 회로(410)는 도 1 및 도 2의 실시예와 달리 발광 다이오드 그룹들(LED2, LED3)의 발광할 때 바이패스 회로(400)의 레귤레이션에 의한 정전류 레벨을 초과하는 구동 전류 Irec를 위한 제2 바이패스 경로를 제공하지 않는다.1 and 2, the bypass circuit 410 has a driving current Irec exceeding the constant current level due to the regulation of the bypass circuit 400 when the light emitting diode groups LED2 and LED3 emit light, Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI >

상술한 바와 같이 본 발명은 구동 전류량이 변화되는 채널이 한 주기의 정류 전압에 대해 12 단계로 구분된다. 그러므로, 세 개의 발광 다이오드 그룹을 순차적으로 발광하는 경우보다 많은 수의 단계로 구동 전류량이 변화될 수 있고, 결과적으로 전체 구동 전류의 변화가 완화될 수 있다. As described above, in the present invention, the channel in which the amount of driving current is changed is divided into twelve steps with respect to one period of rectified voltage. Therefore, the amount of driving current can be changed in a larger number of steps than in the case of sequentially emitting three light-emitting diode groups, and as a result, the change in the total driving current can be alleviated.

또한, 본 발명은 한 주기의 정류 전압에 대해 각 발광다이오드 그룹별 구동 전류가 보다 고르게 할당되므로 각 발광 다이오드의 광량편차를 줄일 수 있다. In addition, since the driving current for each light emitting diode group is more uniformly allocated to the rectified voltage of one cycle, the light amount deviation of each light emitting diode can be reduced.

그러므로, 본 발명의 조명 장치는 THD와 플리커를 개선할 수 있다.Therefore, the lighting device of the present invention can improve THD and flicker.

그리고, 본 발명의 조명 장치는 발광 상태 별로 발광하는 발광 다이오드 그룹들을 분산시킴으로써 발광 다이오드 그룹별 발광 시간을 유사하게 분산시킬 수 있다. 그러므로 전류의 분산에 의하여 발광 다이오드 그룹 별 발열이 줄어들 수 있고, 발광이 분산됨에 따라 광효율이 개선될 수 있다. In addition, the lighting apparatus of the present invention can disperse light-emitting time for each light-emitting diode group similarly by dispersing light-emitting diode groups that emit light by each light-emitting state. Therefore, the heat generation can be reduced for each light emitting diode group by the dispersion of the current, and the light efficiency can be improved as the light emission is dispersed.

또한, 본 발명의 조명 장치는 각 발광 다이오드 그룹 별 발광 시간이 분산됨에 따라 발광 다이오드 그룹들의 수명이 개선될 수 있다.In addition, the lifetime of the light emitting diode groups can be improved as the light emitting time of each light emitting diode group is dispersed.

Claims (15)

양단 간에 제1 레벨 이상의 전압이 인가되면 발광하는 제1 발광 다이오드 그룹;
정류 전압에 의하여 노멀 턴온 상태를 유지하며, 상기 제1 발광 다이오드 그룹에 대하여 병렬로 구동 전류의 바이패스 경로를 선택적으로 제공하는 바이패스 회로;
양단 간에 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨 이상의 상기 전압이 인가되면 발광하고, 정류 전압의 레벨에 대응하여 상기 제1 발광 다이오드 그룹과 상기 바이패스 회로 중 어느 하나를 통하여 상기 구동 전류를 제공받는 제2 발광 다이오드 그룹; 및
발광에 대응하여 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹에 전류 경로를 각각 제공하고, 상기 전류 경로의 상기 구동 전류를 레귤레이션하는 드라이버;를 포함하며,
상기 제1 레벨과 상기 제2 레벨을 합한 제3 레벨 이상의 상기 정류 전압에 대응하여 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹이 발광되며,
상기 바이패스 회로는 상기 제2 레벨 이상의 상기 정류 전압에 대응한 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하여 상기 바이패스 경로를 제공하고,
상기 바이패스 경로를 통한 상기 구동 전류의 흐름은 상기 바이패스 회로의 양단 간에 상기 제1 레벨 이상의 전압이 인가되는 상기 정류 전압에 대응한 상기 구동 전류의 센싱에 의하여 차단됨 특징으로 하는 발광 다이오드 조명 장치.
A first light emitting diode group emitting light when a voltage of a first level or higher is applied across both ends;
A bypass circuit for maintaining a normally turned-on state by a rectified voltage and selectively providing a bypass path of a driving current in parallel to the first light emitting diode group;
Wherein the light emitting diode emits light when a voltage of a second level or higher than the first level is applied between both ends of the first light emitting diode group and the bypass circuit, 2 light emitting diode group; And
And a driver for providing a current path to each of the first and second light emitting diode groups corresponding to the light emission and regulating the drive current in the current path,
The first and second light emitting diode groups emit light corresponding to the rectified voltage of the third level or higher, which is the sum of the first level and the second level,
Wherein the bypass circuit provides the bypass path corresponding to the light emission of the second light emitting diode group corresponding to the rectified voltage of the second level or higher,
Wherein the flow of the driving current through the bypass path is blocked by sensing the driving current corresponding to the rectified voltage to which the voltage of the first level or higher is applied across the bypass circuit.
제1 항에 있어서,
상기 제1 발광 다이오드 그룹의 출력단과 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 입력단 사이에 다이오드를 더 포함하고,
상기 바이패스 회로는 상기 다이오드와 병렬로 상기 바이패스 경로를 상기 제2 발광 다이오드 그룹에 선택적으로 제공하는 발광 다이오드 조명 장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a diode between an output terminal of the first light emitting diode group and an input terminal of the second light emitting diode group,
Wherein the bypass circuit selectively provides the bypass path to the second light emitting diode group in parallel with the diode.
제1 항에 있어서,
상기 바이패스 회로는 상기 제2 발광 다이오드 그룹으로 입력되는 상기 구동 전류를 센싱하며 상기 제3 레벨 이상의 상기 정류 전압에 의한 상기 구동 전류에 대응하여 상기 바이패스 경로를 차단함을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the bypass circuit senses the driving current inputted to the second light emitting diode group and cuts off the bypass path corresponding to the driving current based on the rectified voltage of the third level or higher. Device.
제3 항에 있어서,
상기 제1 발광 다이오드 그룹의 출력단과 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 입력단 사이에 상기 구동 전류를 센싱하는 저항이 더 구성되는 발광 다이오드 조명 장치.
The method of claim 3,
And a resistor for sensing the driving current between the output terminal of the first light emitting diode group and the input terminal of the second light emitting diode group.
제3 항에 있어서, 상기 바이패스 회로는,
상기 제1 발광 다이오드 그룹에 병렬로 연결되고, 상기 정류 전압에 대응하여 노멀 턴온 상태를 유지하여 상기 바이패스 경로의 형성에 이용되는 제1 소자; 및
상기 제2 발광 다이오드 그룹으로 입력되는 상기 구동 전류의 양이 상기 제3 레벨 이상의 상기 정류 전압에 대응하면 상기 제1 소자에 의한 상기 바이패스 경로를 차단하는 제2 소자;를 포함하는 발광 다이오드 조명 장치.
The power supply circuit according to claim 3,
A first element connected in parallel to the first light emitting diode group and used for forming the bypass path by maintaining a normally turn-on state corresponding to the rectified voltage; And
And a second element for blocking the bypass path by the first element when the amount of the driving current inputted to the second light emitting diode group corresponds to the rectified voltage of the third level or higher, .
제5 항에 있어서,
상기 제2 소자는 상기 제1 소자에 의한 상기 바이패스 경로를 흐르는 상기 구동 전류의 양이 레귤레이션되도록 제어하는 발광 다이오드 조명 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the second element controls the amount of the driving current flowing through the bypass path by the first element to be regulated.
제1 항에 있어서,
상기 바이패스 회로는 상기 드라이버에 의해 레귤레이션되는 제1 정전류 레벨보다 낮은 제2 정전류의 레벨로 상기 구동 전류의 흐름을 레귤레이션하는 발광 다이오드 조명 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the bypass circuit regulates the flow of the driving current to a level of a second constant current lower than a first constant current level regulated by the driver.
제1 항에 있어서, 상기 제1 발광 다이오드 그룹과 상기 제2 발광 다이오드 그룹은,
상기 제1 레벨 이상 및 상기 제2 레벨 미만의 상기 정류 전압에 대응하는 상기 제1 발광 다이오드 그룹의 발광;
상기 제2 레벨 이상 및 상기 제3 레벨 미만의 상기 정류 전압에 대응하는 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광; 및
상기 제3 레벨 이상의 상기 정류 전압에 대응하는 상기 제1 및 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광;을 수행하는 발광 다이오드 조명 장치.
The light emitting diode according to claim 1, wherein the first light emitting diode group
Light emission of the first light emitting diode group corresponding to the rectified voltage of the first level or higher and lower than the second level;
Light emission of the second light emitting diode group corresponding to the rectified voltage above the second level and below the third level; And
And light emission of the first and second light emitting diode groups corresponding to the rectified voltage of the third level or higher.
양단 간에 제1 레벨 이상의 전압이 인가되면 발광하는 제1 발광 다이오드 그룹;
상기 제1 발광 다이오드 그룹에 대하여 병렬로 구동 전류의 제1 바이패스 경로를 선택적으로 제공하는 제1 바이패스 회로;
양단 간에 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨 이상의 상기 전압이 인가되면 발광하고, 발광시 상기 제1 발광 다이오드 그룹과 상기 바이패스 회로 중 어느 하나를 통하여 상기 구동 전류를 제공받는 제2 발광 다이오드 그룹;
상기 제2 발광 다이오드 그룹에 대하여 병렬로 상기 구동 전류의 제2 바이패스 경로를 선택적으로 제공하는 제2 바이패스 회로;
양단 간에 상기 제1 레벨과 상기 제2 레벨을 합한 제3 레벨보다 높은 제4 레벨 이상의 상기 전압이 인가되면 발광하고, 발광시 상기 제2 발광 다이오드 그룹과 상기 제2 바이패스 회로 중 적어도 어느 하나를 통하여 상기 구동 전류를 제공받는 제3 발광 다이오드 그룹; 및
발광에 대응하여 상기 제1 내지 제3 발광 다이오드 그룹에 전류 경로를 각각 제공하고, 상기 전류 경로의 상기 구동 전류를 레귤레이션하는 드라이버;를 포함하며,
상기 제1 및 제2 바이패스 회로는 상기 정류 전압에 대응하여 노멀 턴온 상태를 유지하고,
상기 제2 발광 다이오드 그룹은 상기 제2 레벨과 상기 제3 레벨 미만의 상기 정류 전압에 대응하여 상기 제1 바이패스 경로를 통하여 상기 구동 전류를 제공받으며, 그리고
상기 제3 발광 다이오드 그룹은 상기 제4 레벨 이상의 정류 전압 중 일부 구간에 대응하여 상기 제2 바이패스 경로를 통하여 상기 구동 전류를 제공받음을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명 장치.
A first light emitting diode group emitting light when a voltage of a first level or higher is applied across both ends;
A first bypass circuit for selectively providing a first bypass path of a driving current in parallel to the first light emitting diode group;
A second light emitting diode group that emits light when a voltage of a second level or higher than the first level is applied between both ends thereof and receives the driving current through either the first light emitting diode group or the bypass circuit during light emission;
A second bypass circuit for selectively providing a second bypass path of the driving current to the second light emitting diode group in parallel;
Wherein the first light emitting diode group and the second light emitting diode group emit light when a voltage of a fourth level or higher that is higher than a third level that is the sum of the first level and the second level is applied between both ends, A third light emitting diode group that receives the driving current through the first light emitting diode group; And
And a driver for providing a current path to each of the first to third light emitting diode groups corresponding to the light emission, and for regulating the drive current in the current path,
Wherein the first and second bypass circuits maintain a normal turn-on state corresponding to the rectified voltage,
The second light emitting diode group is provided with the driving current through the first bypass path corresponding to the rectified voltage of the second level and the third level,
Wherein the third light emitting diode group receives the drive current through the second bypass path corresponding to a part of the rectified voltage of the fourth level or higher.
제9 항에 있어서,
상기 제1 발광 다이오드 그룹의 출력단과 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 입력단 사이의 제1 다이오드와 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 출력단과 상기 제3 발광 다이오드 그룹의 입력단 사이의 제2 다이오드를 더 포함하고,
상기 제1 바이패스 회로는 상기 제1 다이오드와 병렬로 상기 제1 바이패스 경로를 상기 제2 발광 다이오드 그룹에 선택적으로 제공하며,
상기 제2 바이패스 회로는 상기 제2 다이오드와 병렬로 상기 제2 바이패스 경로를 상기 제3 발광 다이오드 그룹에 선택적으로 제공하는 발광 다이오드 조명 장치,
10. The method of claim 9,
Further comprising a first diode between an output terminal of the first light emitting diode group and an input terminal of the second light emitting diode group, a second diode between an output terminal of the second light emitting diode group and an input terminal of the third light emitting diode group,
Wherein the first bypass circuit selectively provides the first bypass path to the second light emitting diode group in parallel with the first diode,
The second bypass circuit selectively providing the second bypass path to the third light emitting diode group in parallel with the second diode,
제9 항에 있어서,
상기 제1 바이패스 회로는 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광 및 상기 제2 및 제3 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하여 상기 제2 발광 다이오드 그룹에 상기 제1 바이패스 경로를 제공하며,
상기 제2 바이패스 회로는 상기 제3 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하여 상기 제3 발광 다이오드 그룹에 상기 제2 바이패스 경로를 제공하는 발광 다이오드 조명 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the first bypass circuit provides the first bypass path to the second light emitting diode group corresponding to light emission of the second light emitting diode group and light emission of the second and third light emitting diode groups,
Wherein the second bypass circuit provides the second bypass path to the third light emitting diode group corresponding to light emission of the third light emitting diode group.
제11 항에 있어서,
상기 제2 바이패스 회로는 상기 제2 및 상기 제3 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하여 상기 제1 바이패스 회로와 상기 제3 발광 다이오드 그룹 사이에 상기 제2 바이패스 경로를 상기 구동 전류의 분산을 위하여 제공하는 발광 다이오드 조명 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the second bypass circuit distributes the driving current in the second bypass path between the first bypass circuit and the third LED group in response to light emission of the second and third LED groups To provide light emitting diode lighting device.
제11 항에 있어서,
상기 제1 바이패스 회로는 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하여 상기 구동 전류의 흐름을 레귤레이션하고,
상기 제2 바이패스 회로는 상기 제3 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하여 상기 구동 전류의 흐름을 레귤레이션하며,
상기 제1 바이패스 회로에 의해 레귤레이션되는 제1 정전류 레벨은 상기 제2 바이패스 회로에 의해 레귤레이션되는 제2 정전류 레벨보다 낮은 발광 다이오드 조명 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the first bypass circuit regulates the flow of the driving current in response to light emission of the second light emitting diode group,
Wherein the second bypass circuit regulates the flow of the driving current in response to light emission of the third light emitting diode group,
Wherein the first constant current level regulated by the first bypass circuit is lower than the second constant current level regulated by the second bypass circuit.
제9 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 발광 다이오드 그룹은,
상기 제1 레벨 이상 및 상기 제2 레벨 미만의 상기 정류 전압에 대응하는 상기 제1 발광 다이오드 그룹의 발광,
상기 제2 레벨 이상 및 상기 제3 레벨 미만의 상기 정류 전압에 대응하는 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광,
상기 제3 레벨 이상 및 상기 제4 레벨 미만의 상기 정류 전압에 대응하는 상기 제1 및 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광,
상기 제4 레벨 이상 및 제5 레벨 미만의 상기 정류 전압에 대응하는 상기 제3 발광 다이오드 그룹의 발광,
상기 제5 레벨 이상 및 상기 제6 레벨 미만의 상기 정류 전압에 대응하는 상기 제2 및 제3 발광 다이오드 그룹의 발광, 및
상기 제6 레벨 이상의 상기 정류 전압에 대응하는 상기 제1 내지 제3 발광 다이오드 그룹의 발광을 수행하며,
상기 제5 레벨은 상기 제2 레벨과 상기 제4 레벨의 합에 해당하고,
상기 제6 레벨은 상기 제1 레벨, 상기 제2 레벨 및 상기 제4 레벨의 합에 해당하는 발광 다이오드 조명 장치.
10. The light emitting diode according to claim 9, wherein the first,
The light emission of the first light emitting diode group corresponding to the rectified voltage higher than the first level and lower than the second level,
The light emission of the second light emitting diode group corresponding to the rectified voltage higher than the second level and lower than the third level,
The light emission of the first and second light emitting diode groups corresponding to the rectified voltage higher than the third level and lower than the fourth level,
The light emission of the third light emitting diode group corresponding to the rectified voltage higher than the fourth level and lower than the fifth level,
Light emission of the second and third light emitting diode groups corresponding to the rectified voltage above the fifth level and below the sixth level, and
Performing light emission of the first to third light emitting diode groups corresponding to the rectified voltage of the sixth level or higher,
The fifth level corresponds to the sum of the second level and the fourth level,
And the sixth level corresponds to a sum of the first level, the second level, and the fourth level.
양단 간에 제1 레벨 이상의 전압이 인가되면 발광하는 제1 발광 다이오드 그룹;
노멀 턴온 상태를 유지하며 상기 제1 발광 다이오드 그룹에 대하여 병렬로 구동 전류의 바이패스 경로를 선택적으로 제공하는 바이패스 회로; 및
양단 간에 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨 이상의 상기 전압이 인가되면 발광하고, 정류 전압의 레벨에 대응하여 상기 제1 발광 다이오드 그룹과 상기 바이패스 회로 중 어느 하나를 통하여 상기 구동 전류를 제공받는 제2 발광 다이오드 그룹;을 포함하며,
상기 제1 레벨과 상기 제2 레벨을 합한 제3 레벨 이상의 상기 정류 전압에 대응하여 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹이 발광되며,
상기 바이패스 회로는 상기 제2 레벨 이상의 상기 정류 전압에 대응한 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하여 상기 바이패스 경로를 제공하고,
상기 바이패스 경로를 통한 상기 구동 전류의 흐름은 상기 바이패스 회로의 양단 간에 상기 제2 레벨 이상의 전압이 인가되는 상기 정류 전압에 대응한 상기 구동 전류의 센싱에 의하여 차단됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명 장치.
A first light emitting diode group emitting light when a voltage of a first level or higher is applied across both ends;
A bypass circuit for maintaining a normal turn-on state and selectively providing a bypass path of a driving current in parallel to the first light emitting diode group; And
Wherein the light emitting diode emits light when a voltage of a second level or higher than the first level is applied between both ends of the first light emitting diode group and the bypass circuit, 2 light emitting diode group,
The first and second light emitting diode groups emit light corresponding to the rectified voltage of the third level or higher, which is the sum of the first level and the second level,
Wherein the bypass circuit provides the bypass path corresponding to the light emission of the second light emitting diode group corresponding to the rectified voltage of the second level or higher,
Wherein the flow of the driving current through the bypass path is blocked by sensing the driving current corresponding to the rectified voltage to which the voltage of the second level or higher is applied across the bypass circuit. .
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KR20230153672A (en) * 2022-04-29 2023-11-07 주식회사 디원라이트 Led illumination device capable of uniformly adjustiong the driving of each led element group

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