KR20150113638A - Light Emitting Module - Google Patents
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- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000001012 protector Effects 0.000 claims description 15
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 8
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 210000005036 nerve Anatomy 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B45/40—Details of LED load circuits
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
- H05B47/10—Controlling the light source
- H05B47/105—Controlling the light source in response to determined parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/50—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/50—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits
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Abstract
실시 예의 발광 모듈은 서로 직렬 연결된 제1 내지 제N(여기서, N은 1이상의 양의 정수) 발광 소자 패키지와, 제N 발광 소자 패키지에 흐르는 전류의 레벨을 조정하는 전류 레벨 조정부를 포함하고, 제1 내지 제N 발광 소자 패키지 각각은 각각이 적어도 하나의 발광 소자를 포함하며 서로 직렬 또는 병렬 연결된 복수의 서브 셀을 포함하는 발광 셀 및 복수의 서브 셀의 사이에 연결되고, 외부 구동 전압의 레벨에 따라 발광 셀에 전류가 흐르는 경로를 선택적으로 형성하는 점멸 제어부를 포함하고, 제1 내지 제N 발광 소자 패키지 중 적어도 하나는 발광 셀의 출력에 연결되는 제1 전류 조절 저항을 더 포함한다.The light emitting module of the embodiment includes first to Nth (where N is a positive integer equal to or greater than 1) light emitting device package connected in series with each other, and a current level adjusting unit for adjusting a level of a current flowing in the Nth light emitting device package, Each of the first through Nth light emitting device packages is connected between a light emitting cell including a plurality of subcells each including at least one light emitting element and connected in series or parallel to each other and a plurality of subcells, And a first current regulating resistor connected to the output of the light emitting cell. The first current controlling resistor may be connected to the output of the light emitting cell.
Description
실시 예는 발광 모듈에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting module.
발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.Light emitting diodes (LEDs) are a kind of semiconductor devices that convert the electricity into infrared rays or light by using the characteristics of compound semiconductors, exchange signals, or use as a light source.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등 발광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.III-V nitride semiconductors (group III-V nitride semiconductors) are attracting attention as a core material for light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) due to their physical and chemical properties.
이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.Since such a light emitting diode does not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in conventional lighting devices such as incandescent lamps and fluorescent lamps, it has excellent environmental friendliness, and has advantages such as long life and low power consumption characteristics. .
일반적으로 발광 모듈은 발광 소자 패키지를 포함하며, 발광 소자 패키지는 LED와 같은 발광 소자를 포함한다.Generally, the light emitting module includes a light emitting device package, and the light emitting device package includes a light emitting device such as an LED.
도 1은 기존의 발광 모듈에서 교류 전압을 전파 정류한 맥류 전압의 파형도를 나타내며, V는 전압을 나타내고, I는 전류를 나타낸다.1 is a waveform diagram of a ripple voltage obtained by full-wave rectification of an AC voltage in a conventional light emitting module, in which V denotes a voltage and I denotes a current.
일반적으로 LED를 조명 장치로 사용하는 경우, 복수의 LED는 직렬이나 병렬로 연결되고, 발광 모듈 내의 구동 집적회로(IC:Integrated Circuit)에 의해 LED의 점등과 소등이 제어된다. 이와 같이, 복수의 LED를 제어하는 구동 IC는 일반적으로 교류(AC:Alternating Current) 구동 전압을 정류하고, 정류된 맥류 전압의 레벨 변화에 따라 복수의 LED를 순차적으로 점등시키거나 소등시킨다. 이때, 구동 전압이 인가되는 시간과 레벨을 달리하여, 조명 장치의 전 고주파 왜곡(THD:Total Harmonic Distortion)과 역률(PF:Power Factor)이 결정될 수 있다. 도 1의 파형을 참조하면, 맥류 전압의 특성상 LED가 반복적으로 점등과 소등을 되풀이한다. 즉, 전파 정류된 맥류 전압의 각 주기에서 맥류 전압이 일정치 이상인 구간에서는 소정 패턴의 전류가 연속적으로 공급되어 해당 LED가 점등되지만, 맥류 전압이 일정치보다 작은 구간(10)에서는 전류가 공급되지 않아 LED가 소등된다.In general, when an LED is used as a lighting device, a plurality of LEDs are connected in series or in parallel, and the LEDs are turned on and off by an integrated circuit (IC) in the light emitting module. In this way, a driving IC for controlling a plurality of LEDs generally rectifies an alternating current (AC) driving voltage and sequentially turns on or off the plurality of LEDs according to the level change of the rectified pulsating voltage. At this time, the total harmonic distortion (THD) and the power factor (PF) of the lighting apparatus can be determined by varying the time and level at which the driving voltage is applied. Referring to the waveform of FIG. 1, the LED repeatedly turns on and off repeatedly due to the characteristics of the pulsating voltage. That is, in a period where the pulsating voltage is equal to or greater than a constant value in each period of the full-wave rectified pulsating voltage, the predetermined pattern current is continuously supplied to turn on the corresponding LED, but in the
전술한 바와 같이, 기존의 발광 모듈은 LED의 점등과 소등을 매우 빠른 주기로 제어하기 때문에, 불가피하게 플리커(flicker)를 발생시킨다. 플리커는 인간의 눈으로 쉽게 식별되지 않는다고 하더라도, 눈이 플리커에 장시간 노출될 경우 신경에 거슬리게 되고 피로감을 쉽게 느낄 수 있는 문제점이 있다.As described above, the conventional light emitting module inevitably generates flicker because it controls the lighting and lighting of the LED at a very fast cycle. Even if the flicker is not easily recognized by the human eye, if the eyes are exposed to the flicker for a long time, the flicker is disturbed to the nerve, and fatigue is easily felt.
도 2는 일반적인 플리커 지수(flicker index)를 설명하기 위한 그래프로서, 횡축은 시간을 나타내고 종축은 광 출력을 각각 나타낸다.2 is a graph for explaining a general flicker index, in which the horizontal axis represents time and the vertical axis represents light output, respectively.
플리커의 정도는 플리커 지수로 표현될 수 있다. 도 2를 참조하면, 플리커 지수는 다음 수학식 1과 같이 표현된다.The degree of flicker can be expressed by the flicker index. Referring to FIG. 2, the flicker index is expressed by the following equation (1).
여기서, 도 2를 참조하면, A1은 평균 광 출력(AV)보다 큰 면적인 상위 면적을 나타내고, A2는 평균 광 출력(AV)보다 작은 면적인 하위 면적을 나타낸다. 즉, 플리커 지수는 평균 면적 대비 상위 면적의 비율로 표현될 수 있다. 이러한 플리커 지수는 '0' 내지 '1'의 값을 갖는다.Here, referring to FIG. 2, A1 represents an upper area which is an area larger than the average light output (AV), and A2 represents a lower area which is an area smaller than the average light output (AV). That is, the flicker index can be expressed as a ratio of the upper area to the average area. This flicker index has a value of '0' to '1'.
도 1 및 도 2를 참조하면, 전류(I)의 레벨 차가 클수록 플리커 지수가 증가하므로 이의 개선이 요구됨을 알 수 있다. 또한, 발광 모듈은 높은 내압을 견디도록 설계될 필요성이 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, it can be seen that the larger the level difference of the current I is, the more the flicker index increases. In addition, the light emitting module needs to be designed to withstand a high withstand voltage.
실시 예는 개선된 플리커 지수를 가지며 높은 내압을 견딜 수 있는 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module having an improved flicker index and capable of withstanding a high breakdown voltage.
실시 예의 발광 모듈은 서로 직렬 연결된 제1 내지 제N(여기서, N은 1이상의 양의 정수) 발광 소자 패키지; 상기 제N 발광 소자 패키지에 흐르는 전류의 레벨을 조정하는 전류 레벨 조정부를 포함하고, 상기 제1 내지 제N 발광 소자 패키지 각각은 각각이 적어도 하나의 발광 소자를 포함하며 서로 직렬 또는 병렬 연결된 복수의 서브 셀을 포함하는 발광 셀; 및 상기 복수의 서브 셀의 사이에 연결되고, 외부 구동 전압의 레벨에 따라 상기 발광 셀에 전류가 흐르는 경로를 선택적으로 형성하는 점멸 제어부를 포함하고, 상기 제1 내지 제N 발광 소자 패키지 중 적어도 하나는 상기 발광 셀의 출력에 연결되는 제1 전류 조절 저항을 더 포함할 수 있다.The light emitting module of the embodiment includes first to Nth (where N is a positive integer equal to or greater than 1) light emitting device package connected in series with each other; And a current level adjusting unit for adjusting a level of a current flowing in the Nth light emitting device package, wherein each of the first through Nth light emitting device packages includes at least one light emitting device and includes a plurality of serially or parallelly connected sub- A light emitting cell including a cell; And a flicker control unit connected between the plurality of sub-cells and selectively forming a path through which a current flows in the light emitting cells according to a level of an external driving voltage, wherein at least one of the first to Nth light emitting device packages May further include a first current adjusting resistor connected to the output of the light emitting cell.
상기 점멸 제어부는 상기 발광 셀에 흐르는 전류를 제어하는 제1 전류 제어 IC를 포함할 수 있다.The flickering control unit may include a first current control IC for controlling a current flowing in the light emitting cells.
상기 발광 모듈은, 상기 제N 발광 소자 패키지와 상기 전류 레벨 조정부 사이에 배치되어, 소정 전압 이하의 서지 전압으로부터 상기 발광 모듈을 보호하는 제1 서지 보호부를 더 포함할 수 있다.The light emitting module may further include a first surge protector disposed between the Nth light emitting device package and the current level adjusting unit to protect the light emitting module from a surge voltage lower than a predetermined voltage.
상기 제1 서지 보호부는 상기 제N 발광 소자 패키지와 연결되는 드레인; 상기 외부 구동 전압과 연결되는 게이트; 및 상기 전류 레벨 조정부와 연결된 소스를 포함할 수 있다.The first surge protector includes a drain connected to the Nth light emitting device package; A gate connected to the external driving voltage; And a source connected to the current level adjusting unit.
상기 발광 모듈은, 교류 형태의 상기 외부 구동 전압을 정류하고, 상기 정류된 외부 구동 전압을 상기 제1 내지 제N 발광 소자 패키지에 공급하는 정류부를 더 포함할 수 있다.The light emitting module may further include a rectifier for rectifying the external driving voltage of the AC type and supplying the rectified external driving voltage to the first to Nth light emitting device packages.
상기 발광 모듈은, 상기 정류부와 병렬 연결되어, 상기 소정 전압보다 큰 서지 전압으로부터 상기 발광 모듈을 보호하는 제2 서지 보호부를 더 포함할 수 있다.The light emitting module may further include a second surge protector connected in parallel with the rectifier to protect the light emitting module from a surge voltage greater than the predetermined voltage.
상기 제2 서지 보호부는 상기 정류부와 병렬 연결되는 배리스터를 포함할 수 있다.The second surge protector may include a varistor connected in parallel with the rectifier.
상기 발광 모듈은 상기 교류 형태의 외부 구동 전압과 상기 정류부 사이에 배치된 퓨즈를 더 포함할 수 있다.The light emitting module may further include a fuse disposed between the rectifying part and the external driving voltage of the AC type.
상기 발광 모듈은 상기 정류부와 상기 제1 발광 소자 패키지 사이의 제1 접점과 연결된 일측을 갖는 제너 저항; 및 상기 제너 저항의 타측과 연결된 양극 및 상기 전류 레벨 조정부와 연결된 음극을 갖는 제너 다이오드를 더 포함할 수 있다.Wherein the light emitting module has a zener resistor having one side connected to the first contact between the rectifying part and the first light emitting device package; And a Zener diode having an anode connected to the other side of the Zener resistor and a cathode connected to the current level adjusting unit.
상기 서브 셀은 서로 병렬 연결된 복수의 발광 소자를 갖는 제1 서브 셀; 및 상기 제1 서브 셀과 직렬로 연결되며, 서로 병렬 연결된 복수의 발광 소자를 갖는 제2 서브 셀을 포함할 수 있다.Wherein the sub-cell comprises: a first sub-cell having a plurality of light emitting devices connected in parallel to each other; And a second sub-cell connected in series with the first sub-cell and having a plurality of light emitting devices connected in parallel to each other.
상기 점멸 제어부는 상기 서브 셀 사이의 접점과 상기 발광 셀의 출력단 사이에 연결되고, 제1 스위칭 제어 신호에 응답하여 스위칭하는 제1 스위칭 소자; 상기 발광 셀의 상기 출력단의 전압과 제1 기준 전압을 비교하고, 비교된 결과를 상기 제1 스위칭 제어 신호로서 출력하는 제1 비교부; 상기 서브 셀 사이의 접점과 상기 점멸 제어부의 출력단 사이의 전압을 이용하여 상기 제1 기준 전압을 발생하는 제1 기준 전압 발생부; 및 상기 발광 셀의 출력단과 상기 점멸 제어부의 상기 출력단 사이에 연결되는 제1 전류원을 포함할 수 있다.A first switching element connected between a contact between the sub-cells and an output terminal of the light emitting cell and switching in response to a first switching control signal; A first comparator for comparing a voltage of the output terminal of the light emitting cell with a first reference voltage and outputting a comparison result as the first switching control signal; A first reference voltage generator for generating the first reference voltage by using a voltage between a contact between the sub-cells and an output terminal of the flicker control unit; And a first current source connected between an output terminal of the light emitting cell and the output terminal of the flickering control unit.
상기 점멸 제어부는 상기 제1 전류원의 전류를 제어하는 제1 모드 선택단을 더 포함할 수 있다.The flickering control unit may further include a first mode selection stage for controlling the current of the first current source.
상기 전류 레벨 조정부는 제2 전류 조절 저항; 상기 소스와 상기 제2 전류 조절 저항의 일측 사이에 연결되고, 제2 스위칭 제어 신호에 응답하여 스위칭하는 제2 스위칭 소자; 상기 제2 전류 조절 저항의 일측의 전압과 제2 기준 전압을 비교하고, 비교된 결과를 상기 제2 스위칭 제어 신호로서 출력하는 제2 비교부; 상기 소스와 상기 제2 전류 조절 저항의 타측 사이의 전압을 이용하여 상기 제2 기준 전압을 발생하는 제2 기준 전압 발생부; 및 상기 제2 전류 조절 저항의 일측과 타측 사이에 연결되는 제2 전류원을 포함할 수 있다.Wherein the current level adjusting unit comprises: a second current adjusting resistor; A second switching element connected between the source and one side of the second current control resistor and switching in response to a second switching control signal; A second comparator for comparing a voltage of one side of the second current regulation resistor with a second reference voltage and outputting a comparison result as the second switching control signal; A second reference voltage generator for generating the second reference voltage using the voltage between the source and the other side of the second current regulating resistor; And a second current source connected between one side and the other side of the second current regulating resistor.
상기 발광 모듈은, 상기 제2 전류원의 전류를 제어하는 제2 모드 선택단을 더 포함할 수 있다.The light emitting module may further include a second mode selection stage for controlling the current of the second current source.
상기 발광 모듈은, 상기 정류된 외부 구동 전압의 최대 레벨과 최소 레벨 간의 레벨 차를 감소시켜 출력하는 밸리 필 회로를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 밸리 필 회로는 상기 정류된 외부 구동 전압의 낮은 전위와 연결되는 양극을 제1 다이오드; 상기 정류된 외부 구동 전압의 높은 전위와 상기 제1 다이오드의 음극 사이에 연결된 제1 커패시터; 상기 제1 다이오드의 음극과 연결된 양극을 갖는 제2 다이오드; 상기 제2 다이오드의 음극과 상기 정류된 외부 구동 전압의 높은 전위에 각각 연결된 양극 및 음극을 갖는 상기 제3 다이오드; 및 상기 제2 다이오드의 음극과 상기 정류된 외부 구동 전압의 낮은 전위 사이에 연결된 제2 커패시터를 포함할 수 있다.The light emitting module may further include a valley fill circuit for reducing a level difference between a maximum level and a minimum level of the rectified external drive voltage and outputting the level difference. Here, the valley fill circuit includes a first diode connected to a low potential of the rectified external drive voltage, A first capacitor connected between the high potential of the rectified external driving voltage and the cathode of the first diode; A second diode having a cathode connected to the cathode of the first diode; The third diode having a cathode and a cathode respectively connected to a cathode of the second diode and a high potential of the rectified external drive voltage; And a second capacitor connected between the cathode of the second diode and the low potential of the rectified external driving voltage.
실시 예에 따른 발광 모듈은 밸리 필 회로를 이용하여 구동 전류의 최대값과 최소값 간의 차이를 줄여 플리커를 개선시킬 수 있으며, 제1 및 제2 전류 조절 저항을 이용하여 플리커 지수를 더욱 낮출 수 있고, 제1 서지 보호부를 이용하여 높은 서지 전압으로부터 보호될 수 있다.The light emitting module according to the embodiment can improve the flicker by reducing the difference between the maximum value and the minimum value of the driving current by using the valley fill circuit and can further lower the flicker index using the first and second current adjusting resistors, It can be protected from a high surge voltage by using the first surge protective portion.
도 1은 기존의 발광 모듈에서 교류 전압을 전파 정류한 맥류 전압의 파형도를 나타낸다.
도 2는 일반적인 플리커 지수를 설명하기 위한 그래프이다.
도 3은 실시 예에 의한 발광 모듈의 회로도를 나타낸다.
도 4는 도 3에 도시된 점멸 제어부 각각의 실시 예에 의한 회로도를 나타낸다.
도 5a 내지 도 5c는 도 3에 예시된 발광 모듈이 도 3에 예시된 바와 같은 밸리 필 회로를 포함하지 않거나 포함할 경우, 제1 내지 제N 발광 소자 패키지를 구동하는 구동 신호의 파형도를 나타낸다.
도 6은 도 3에 예시된 발광 모듈이 제1 및 제2 전류 조절 저항을 포함하지 않을 경우, 제1 내지 제N 발광 소자 패키지를 구동시키는 전류의 파형도를 나타낸다.
도 7은 도 3에 예시된 발광 모듈이 제1 및 제2 전류 조절 저항을 포함할 경우, 제1 내지 제N 발광 소자 패키지를 구동시키는 구동 전류의 파형도를 나타낸다.
도 8a 내지 도 8c는 도 6 및 도 7에 예시된 바와 같은 형태로 구동 전류가 인가될 때 서브 셀의 점멸되는 모습을 나타낸다.1 is a waveform diagram of a ripple voltage obtained by full-wave rectification of an AC voltage in a conventional light emitting module.
2 is a graph for explaining a general flicker index.
3 is a circuit diagram of a light emitting module according to an embodiment.
FIG. 4 shows a circuit diagram according to the embodiment of each of the flashing control units shown in FIG.
5A to 5C show waveform diagrams of drive signals for driving the first to Nth light emitting device packages when the light emitting module illustrated in Fig. 3 does not include or includes a valley fill circuit as illustrated in Fig. 3 .
FIG. 6 is a waveform diagram of a current driving the first through Nth light emitting device packages when the light emitting module illustrated in FIG. 3 does not include the first and second current regulating resistors.
7 is a waveform diagram of driving currents for driving the first to Nth light emitting device packages when the light emitting module illustrated in FIG. 3 includes first and second current regulating resistors.
FIGS. 8A to 8C show a state in which a sub-cell is flickered when a driving current is applied in the form illustrated in FIGS. 6 and 7. FIG.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention. However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.It is also to be understood that the terms "first" and "second," "upper / upper / upper," and "lower / lower / lower" But may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element, without necessarily requiring or implying an order.
도 3은 실시 예에 의한 발광 모듈(100)의 회로도를 나타낸다.3 shows a circuit diagram of a
도 3을 참조하면, 발광 모듈(100)은 퓨즈(110), 정류부(120), 제1 내지 제N 발광 소자 패키지(130-1 ~ 130-N), 전류 레벨 조정부(140), 제1 및 제2 서지 보호부(150, 160) 및 밸리 필(valley fill) 회로(170)를 포함한다. 여기서, N은 1 이상의 양의 정수일 수 있다. 이하, 실시 예의 이해를 돕기 위해, N=2인 것으로 가정하여 설명하지만, 이에 국한되지 않는다. 즉, N이 2보다 크거나 작은 경우에도 아래의 설명은 적용될 수 있다.3, the
먼저, 제1 및 제2 발광 소자 패키지(130-1, 130-2)는 서로 직렬 연결된다. 제1 및 제2 발광 소자 패키지(130-1, 130-2) 각각은 발광 셀(132-1) 및 점멸 제어부(134-1)를 포함한다.First, the first and second light emitting device packages 130-1 and 130-2 are connected in series with each other. Each of the first and second light emitting device packages 130-1 and 130-2 includes a light emitting cell 132-1 and a flashing control unit 134-1.
제1 발광 소자 패키지(130-1)에 포함된 발광 셀(132-1)은 복수의 서브 셀(132-1-1, 132-1-2)을 포함할 수 있다. 도 3에 예시된 바와 같이 복수의 서브 셀(132-1-1, 132-1-2)은 서로 직렬 연결될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 복수의 서브 셀(132-1-1, 132-1-2)은 서로 병렬 연결될 수도 있다. 복수의 서브 셀(132-1-1, 132-1-2) 각각은 적어도 하나의 발광 소자를 포함할 수 있다. 즉, 복수의 서브 셀 중에서, 제1 서브 셀(132-1-1)은 두 개의 병렬 연결된 발광 소자(D11, D12)를 포함하고, 제2 서브 셀(132-1-2)은 두 개의 병렬 연결된 발광 소자(D21, D22)를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에 의하면, 도 3에 예시된 바와 달리, 제1 및 제2 서브 셀(132-1-1, 132-1-2) 각각에 포함된 발광 소자[(D11, D12) 또는 (D21, D22)]는 서로 직렬 연결될 수도 있다.The light emitting cell 132-1 included in the first light emitting device package 130-1 may include a plurality of sub cells 132-1-1 and 132-1-2. As illustrated in FIG. 3, the plurality of sub-cells 132-1-1 and 132-1-2 may be connected in series with each other, but the embodiments are not limited thereto. That is, according to another embodiment, the plurality of sub-cells 132-1-1 and 132-1-2 may be connected in parallel with each other. Each of the plurality of sub-cells 132-1-1 and 132-1-2 may include at least one light emitting device. That is, among the plurality of sub-cells, the first sub-cell 132-1-1 includes two parallel-connected light emitting devices D11 and D12, and the second sub-cell 132-1-2 includes two parallel And connected light emitting devices D21 and D22. 3, the light emitting devices [D11, D12] or [D21, D21, D12] included in the first and second subcells 132-1-1 and 132-1-2, respectively, D22) may be connected to each other in series.
제1 발광 소자 패키지(130-1)와 유사하게, 제2 발광 소자 패키지(130-2)에 포함된 발광 셀(132-2)은 복수의 서브 셀(132-2-1, 132-2-2)을 포함할 수 있다. 도 3에 예시된 바와 같이 복수의 서브 셀(132-2-1, 132-2-2)은 서로 직렬 연결될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 복수의 서브 셀(132-2-1, 132-2-2)은 서로 병렬 연결될 수도 있다. 복수의 서브 셀(132-2-1, 132-2-2) 각각은 적어도 하나의 발광 소자를 포함할 수 있다. 즉, 복수의 서브 셀 중에서, 제1 서브 셀(132-2-1)은 두 개의 병렬 연결된 발광 소자(D31, D32)를 포함하고, 제2 서브 셀(132-2-2)은 두 개의 병렬 연결된 발광 소자(D41, D42)를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에 의하면, 도 3에 예시된 바와 달리, 제1 및 제2 서브 셀(132-2-1, 132-2-2) 각각에 포함된 발광 소자[(D31, 32) 또는 (D41, D42)]는 서로 직렬 연결될 수도 있다.Similar to the first light emitting device package 130-1, the light emitting cell 132-2 included in the second light emitting device package 130-2 includes a plurality of subcells 132-2-1 and 132-2- 2). As illustrated in FIG. 3, the plurality of sub-cells 132-2-1 and 132-2-2 may be connected in series with each other, but the embodiments are not limited thereto. That is, according to another embodiment, the plurality of sub-cells 132-2-1 and 132-2-2 may be connected in parallel with each other. Each of the plurality of sub-cells 132-2-1 and 132-2-2 may include at least one light emitting element. That is, among the plurality of sub-cells, the first sub-cell 132-2-1 includes two parallel-connected light emitting devices D31 and D32, and the second sub-cell 132-2-2 includes two parallel And connected light emitting elements D41 and D42. According to another embodiment, unlike the example illustrated in FIG. 3, the light emitting devices [D31, 32] or (D41, D42) may be connected to each other in series.
발광 소자(D11, D12, D21, D22, D31, D32, D41, D42) 각각은 예를 들면 발광 다이오드(LED) 형태일 수 있다. 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV:UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 그러나, 실시 예는 발광 소자(D11, D12, D21, D22, D31, D32, D41, D42)의 종류에 국한되지 않는다.Each of the light emitting elements D11, D12, D21, D22, D31, D32, D41 and D42 may be in the form of a light emitting diode (LED), for example. The light emitting diode may include a colored light emitting diode that emits red, green, blue, or white colored light, and a UV light emitting diode that emits ultraviolet (UV) light. However, the embodiment is not limited to the kinds of the light emitting elements D11, D12, D21, D22, D31, D32, D41, and D42.
또한, 제1 발광 소자 패키지(130-1)에 포함된 점멸 제어부(134-1)는 복수의 서브 셀(132-1-1, 132-1-2)의 사이에 연결되어, 외부 구동 전압(VAC)의 레벨에 따라 발광 셀(132-1)에서 전류가 흐르는 경로를 선택적으로 형성한다. 이와 비슷하게, 제2 발광 소자 패키지(130-2)에 포함된 점멸 제어부(134-2)는 복수의 서브 셀(132-2-1, 132-2-2)의 사이에 연결되어, 외부 구동 전압(VAC)의 레벨에 따라 발광 셀(132-2)에서 전류가 흐르는 경로를 선택적으로 형성한다.The blinking control unit 134-1 included in the first light emitting device package 130-1 is connected between the plurality of subcells 132-1-1 and 132-1-2 to generate an external driving voltage V AC , a path through which current flows in the light emitting cell 132-1 is selectively formed. Similarly, the blinking controller 134-2 included in the second light emitting device package 130-2 is connected between the plurality of subcells 132-2-1 and 132-2-2, A path through which the current flows in the light emitting cell 132-2 is selectively formed according to the level of the voltage V AC .
점멸 제어부(134-1, 134-2) 각각은 발광 셀(132-1, 132-2)에 흐르는 전류를 제어하는 제1 전류 제어 집적회로(IC:Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.Each of the flashing control units 134-1 and 134-2 may include a first current control integrated circuit (IC) that controls a current flowing in the light emitting cells 132-1 and 132-2.
도 4는 도 3에 도시된 점멸 제어부(134-1, 134-2) 각각의 실시 예(200)에 의한 회로도를 나타낸다.FIG. 4 shows a circuit diagram of an
도 4를 참조하면, 점멸 제어부(200)는 스위칭 소자(210), 비교부(220), 기준 전압 발생부(230) 및 전류원(240)을 포함한다. 여기서, 점멸 제어부(200)는 IC 형태로 구현될 경우, 복수의 핀(C, A, K, M)을 포함할 수 있다. 여기서, 핀(C)을 통해 전류가 감지되고, 핀(A)을 통해 전류가 받아들여지고, 핀(K)을 통해 전류가 출력되고, 핀(M)을 통해 전류원(240)에 흐르는 전류의 레벨이 조정될 수 있다.Referring to FIG. 4, the
도 4에 예시된 점멸 제어부(200)가 도 3에 예시된 제1 발광 소자 패키지(130-1)의 점멸 제어부(134-1)에 해당할 경우, 스위칭 소자(210)는 서브 셀(132-1-1, 132-1-2) 사이의 접점(N3)과 발광 셀(132-1)의 출력단(N4) 사이에 연결되고, 스위칭 제어 신호에 응답하여 스위칭한다. 이 경우, 핀(A)은 서브 셀(132-1-1, 132-1-2) 사이의 접점(N3)에 연결되고, 핀(C)은 출력단(N4)에 연결된다.When the
예를 들어, 스위칭 소자(210)는 도 4에 예시된 바와 같이 전계 효과 트랜지스터(FET:Field Effect Transistor)(Q1)로 구현될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 다른 실시 예에 의하면, 스위칭 소자(210)는 바이폴라 트랜지스터로 구현될 수도 있다.For example, the switching
전계 효과 트랜지스터(Q1)의 드레인(D)은 서브 셀(132-1-1, 132-1-2) 사이의 접점(N3)(즉, 핀 A)에 연결되고, 게이트(G)는 스위칭 제어 신호에 연결되고, 소스(S)는 발광 셀(132-1)의 출력단(N4)(즉, 핀 C)에 연결된다.The drain D of the field effect transistor Q1 is connected to the contact N3 (i.e., pin A) between the subcells 132-1-1 and 132-1-2 and the gate G is connected to the switching control Signal, and the source S is connected to the output terminal N4 (i.e., pin C) of the light emitting cell 132-1.
비교부(220)는 발광 셀(132-1)의 출력단(N4)(즉, 핀 C)의 전압과 기준 전압을 비교하고, 비교된 결과를 스위칭 제어 신호로서 스위칭 소자(210)로 출력한다.The comparing
기준 전압 발생부(230)는 서브 셀(132-1-1, 132-1-2) 사이의 접점(N3)(즉, 핀 A)과 점멸 제어부(200)의 출력단(N5)(즉, 핀 K) 사이의 전압을 이용하여 기준 전압을 발생하고, 발생된 기준 전압을 비교부(220)로 출력한다.The reference
전류원(240)은 발광 셀(132-1)의 출력단(N4)(즉, 핀 C)과 점멸 제어부(200)의 출력단(N5)(즉, 핀 K) 사이에 연결된다. 이때, 점멸 제어부(200)는 적어도 하나의 모드 선택단(M)을 더 포함할 수 있다. 모드 선택단(M)은 전류원(240)에 흐르는 전류의 레벨을 가변시키는 역할을 한다.The
도 4에 예시된 점멸 제어부(200)가 도 3에 예시된 제2 발광 소자 패키지(130-2)의 점멸 제어부(134-2)에 해당할 경우, 스위칭 소자(210)는 서브 셀(132-2-1, 132-2-2) 사이의 접점(N6)(즉, 핀 A)과 발광 셀(132-2)의 출력단(N7)(즉, 핀 C) 사이에 연결되고, 스위칭 제어 신호에 응답하여 스위칭한다. 예를 들어, 스위칭 소자(210)는 도 4에 예시된 바와 같이 전계 효과 트랜지스터(Q1)로 구현될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 다른 실시 예에 의하면, 스위칭 소자(210)는 바이폴라 트랜지스터로 구현될 수도 있다.When the
전계 효과 트랜지스터(Q1)의 드레인은 서브 셀(132-2-1, 132-2-2) 사이의 접점(N6)(즉, 핀 A)에 연결되고, 게이트는 스위칭 제어 신호에 연결되고, 소스는 발광 셀(132-2)의 출력단(N7)(즉, 핀 C)에 연결된다.The drain of the field effect transistor Q1 is connected to the contact N6 (i.e., pin A) between the subcells 132-2-1 and 132-2-2, the gate is connected to the switching control signal, Is connected to the output terminal N7 (i.e., pin C) of the light emitting cell 132-2.
비교부(220)는 발광 셀(132-2)의 출력단(N7)(즉, 핀 C)의 전압과 기준 전압을 비교하고, 비교된 결과를 스위칭 제어 신호로서 스위칭 소자(210)로 출력한다.The
기준 전압 발생부(230)는 서브 셀(132-2-1, 132-2-2) 사이의 접점(N6)(즉, 핀 A)과 점멸 제어부(200)의 출력단(N8)(즉, 핀 K) 사이의 전압을 이용하여 기준 전압을 발생하고, 발생된 기준 전압을 비교부(220)로 출력한다.The reference
전류원(240)은 발광 셀(132-2)의 출력단(N7)(즉, 핀 C)과 점멸 제어부(200)의 출력단(N8)(즉, 핀 K) 사이에 연결된다. 이때, 점멸 제어부(200)는 적어도 하나의 모드 선택단(M)을 더 포함할 수 있다. 모드 선택단(M)은 전류원(240)의 전류를 제어하는 역할을 한다.The
한편, 제1 내지 제N 발광 소자 패키지 중 적어도 하나는 발광 셀의 출력에 연결되는 제1 전류 조절 저항을 더 포함할 수 있다. 도 3의 경우, N=2일 경우 제1 및 제2 발광 소자 패키지(130-1, 130-2) 각각이 모두 제1 전류 조절 저항(R1, R2)을 포함하는 것으로 도시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 제1 및 제2 발광 소자 패키지(130-1, 130-2) 중 하나만이 제1 전류 조절 저항(R1, R2)을 포함할 수 있다.At least one of the first to Nth light emitting device packages may further include a first current adjusting resistor connected to an output of the light emitting cell. In the case of FIG. 3, when N = 2, the first and second light emitting device packages 130-1 and 130-2 are all shown as including the first current adjusting resistors R1 and R2, Is not limited to this. That is, according to another embodiment, only one of the first and second light emitting device packages 130-1 and 130-2 may include the first current adjusting resistors R1 and R2.
다시 도 3을 참조하면, 제1 서지 보호부(150)는 제N 발광 소자 패키지(만일, N=2인 경우 130-2)와 전류 레벨 조정부(140) 사이에 배치되어, 소정 전압 이하의 서지 전압(또는, 내압)으로부터 발광 모듈(100) 내부의 소자들을 보호하는 역할을 한다. 이를 위해, 제1 서지 보호부(150)는 전계 효과 트랜지스터(Q2)로 구현될 수 있다. 즉, 전계 효과 트랜지스터(Q2)는 제N 발광 소자 패키지(130-2)와 연결되는 드레인, 외부 구동 전압과 연결되는 게이트 및 전류 레벨 조정부(140)와 연결된 소스를 포함한다. 예를 들어, 소정 전압은 300 내지 800볼트일 수 있으나, 실시 예는 소정 전압의 레벨에 국한되지 않는다.Referring to FIG. 3 again, the
다른 실시 예에 의하면, 제1 서지 보호부(150)는 도 3에 예시된 바와 다른 형태로 배치될 수도 있다. 예를 들어, 제1 서지 보호부(150)는 도 3에 예시된 바와 달리, 밸리 필 회로(170)와 제1 발광 소자 패키지(130-1) 사이에 배치될 수도 있고, 제1 발광 소자 패키지(130-1)와 제2 발광 소자 패키지(130-2) 사이에 배치될 수도 있다.According to another embodiment, the
또한, 전류 레벨 조정부(140)는 제N 발광 소자 패키지에 해당하는 제2 발광 소자 패키지(N=2인 경우)(130-2)에 흐르는 전류의 레벨을 조정하는 역할을 한다. 예를 들어, 전류 레벨 조정부(140)는 제2 전류 조절 저항(RI) 및 전류 레벨 제어기(142)를 포함한다. 전류 레벨 제어기(142)는 스위칭 소자, 비교부, 기준 전압 발생부 및 전류원을 포함할 수 있다. 여기서, 전류 레벨 제어기(142)의 스위칭 소자, 비교부, 기준 전압 발생부 및 전류원은 도 4에 예시된 스위칭 소자(210), 비교부(220), 기준 전압 발생부(230) 및 전류원(240)에 각각 해당하며 동일한 구성 및 동일한 동작을 수행할 수 있다. 따라서, 전류 레벨 조정부(140)는 IC 형태로 구현될 수 있으며, 핀(A, C, K, M)을 포함할 수 있다.Also, the current
이 경우, 도 4를 참조하면, 스위칭 소자(210)는 제1 서지 보호부(150)의 소스와 제2 전류 조절 저항(RI)의 일측 사이에 연결되고, 스위칭 제어 신호에 응답하여 스위칭한다. 핀(A)은 제1 서지 보호부(150)의 소스와 연결되고, 핀(C)은 제2 전류 조절 저항(RI)의 일측과 연결된다.In this case, referring to FIG. 4, the
예를 들어, 스위칭 소자(210)는 도 4에 예시된 바와 같이 전계 효과 트랜지스터(Q1)로 구현될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 다른 실시 예에 의하면, 스위칭 소자(210)는 바이폴라 트랜지스터로 구현될 수도 있다.For example, the switching
전계 효과 트랜지스터(Q1)의 드레인은 제1 서지 보호부(150)의 소스(즉, 핀 A)에 연결되고, 게이트는 스위칭 제어 신호에 연결되고, Q1의 소스는 제2 전류 조절 저항(RI)의 일측(즉, 핀 C)에 연결된다.The drain of the field effect transistor Q1 is connected to the source (i.e., pin A) of the first
비교부(220)는 제2 전류 조절 저항(RI)의 일측(즉, 핀 C)의 전압과 기준 전압을 비교하고, 비교된 결과를 스위칭 제어 신호로서 스위칭 소자(210)로 출력한다.The
기준 전압 발생부(230)는 제1 서지 보호부(150)의 소스(즉, 핀 A)와 제2 전류 조절 저항(RI)의 타측(즉, 핀 K) 사이의 전압을 이용하여 기준 전압을 발생하고, 발생된 기준 전압을 비교부(220)로 출력한다.The reference
전류원(240)은 제2 전류 조절 저항(RI)의 일측과 타측 사이에 연결된다. The
이때, 전류 레벨 조정부(200)는 적어도 하나의 모드 선택단(M)을 더 포함할 수 있다. 모드 선택단(M)은 전류원(240)의 전류를 제어하는 역할을 한다.At this time, the current
한편, 퓨즈(110)는 교류 형태의 외부 구동 전압(VAC)과 정류부(120) 사이에 배치되어, 순간적으로 높은 레벨을 갖는 전류로부터 발광 모듈(100) 내부의 소자들을 보호하는 역할을 한다.Meanwhile, the
또한, 정류부(120)는 교류 형태의 외부 구동 전압(VAC)을 정류하고, 정류된 외부 구동 전압을 제1 내지 제N 발광 소자 패키지(130-1, 130-2)와 전류 레벨 조정부(140)에 공급한다. 이를 위해, 정류부(120)는 브릿지 다이오드(BD1, BD2, BD3, BD4)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 정류부(120)는 교류 형태의 외부 구동 전압을 전파 정류할 수 있다.The rectifying
제2 서지 보호부(160)는 정류부(120)와 병렬 연결되어, 소정 전압보다 큰 서지 전압으로부터 발광 모듈(100)의 내부 소자들을 보호하는 역할을 한다. 이를 위해, 제2 서지 보호부(160)는 정류부(120)와 병렬 연결되는 배리스터(varistor)(또는, Metal Oxide Varistor)(162)를 포함할 수 있다.The second
예를 들어, 소정 전압이 800볼트일 경우, 제1 서지 보호부(160)는 800볼트이하의 서지 전압에서 발광 모듈(100)의 내부 소자들을 보호하는 역할을 하고, 제2 서지 보호부(160)는 800볼트보다 높은 서지 전압으로부터 발광 모듈(100)의 내부 소자들을 보호하는 역할을 한다. 만일, 800볼트 이하의 레벨의 서지 전압에서 발광 모듈(100)이 제1 서지 보호부(160)에 의해 보호될 경우, 800볼트보다 높은 레벨의 서지 전압으로부터 발광 모듈(100)이 보호될 수 있어 1000볼트 이상의 높은 서지 전압에서도 발광 모듈(100)이 보호될 수 있다.For example, when the predetermined voltage is 800 volts, the
제너 저항(RZ)은 정류부(120)와 제1 발광 소자 패키지(130-1) 사이의 접점(N1)과 연결된 일측을 갖고, 제너 다이오드(ZD)의 양극과 연결되는 타측을 갖는다.The Zener resistor RZ has one side connected to the contact N1 between the rectifying
제너 다이오드(ZD)는 제너 저항(RZ)의 타측과 연결된 양극 및 전류 레벨 조정부(140)에서 제2 전류 조절 저항(R2)의 타측(N2)과 연결된 음극을 갖는다.The Zener diode ZD has a cathode connected to the other side of the Zener resistor RZ and a cathode connected to the other side N2 of the second current regulating resistor R2 in the
한편, 밸리 필 회로(170)는 정류부(120)에서 정류된 외부 구동 전압의 최대 레벨과 최소 레벨 간의 레벨 차를 감소시켜 출력할 수 있다.On the other hand, the
도 3에 예시된 밸리 필 회로(170)는 제1 내지 제3 다이오드(DV1 ~ DV3), 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)를 포함한다.The
제1 다이오드(DV1)는 정류된 외부 구동 전압의 낮은 전위와 연결되는 양극을 갖고 제1 커패시터(C1)와 연결된 음극을 갖는다.The first diode DV1 has a cathode connected to the low potential of the rectified external driving voltage and a cathode connected to the first capacitor C1.
제1 커패시터(C1)는 정류된 외부 구동 전압의 높은 전위와 제1 다이오드(DV1)의 음극 사이에 연결된다.The first capacitor C1 is connected between the high potential of the rectified external driving voltage and the cathode of the first diode DV1.
제2 다이오드(DV2)는 제1 다이오드(DV1)의 음극과 연결된 양극을 갖고, 제3 다이오드(DV3)의 양극과 연결된 음극을 갖는다.The second diode DV2 has a cathode connected to the cathode of the first diode DV1 and a cathode connected to the anode of the third diode DV3.
제3 다이오드(DV3)는 제2 다이오드(DV2)의 음극과 연결된 양극을 갖고, 정류된 외부 구동 전압의 높은 전위에 연결된 음극을 갖는다.The third diode DV3 has a cathode connected to the cathode of the second diode DV2 and a cathode connected to a higher potential of the rectified external drive voltage.
제2 커패시터(C2)는 제2 다이오드(DV2)의 음극과 정류된 외부 구동 전압의 낮은 전위 사이에 연결된다.The second capacitor C2 is connected between the cathode of the second diode DV2 and the lower potential of the rectified external driving voltage.
이하, 전술한 구성을 갖는 실시 예에 의한 발광 모듈(100)의 동작을 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 살펴본다.Hereinafter, the operation of the
도 5a 내지 도 5c는 도 3에 예시된 발광 모듈(100)이 도 3에 예시된 바와 같은 밸리 필 회로(170)를 포함하지 않거나 포함할 경우, 제1 내지 제N 발광 소자 패키지(130-1, 130-2)를 구동하는 구동 신호(즉, 구동 전압과 구동 전류)의 파형도를 나타낸다.5A to 5C show that when the
도 5a를 참조하면, 교류 형태의 외부 구동 전압(300)이 도 3에 예시된 발광 모듈(100)로 인가된다. 이때, 외부 구동 전류(302)는 외부 구동 전압(300)의 레벨에 따라 변함을 알 수 있다.Referring to FIG. 5A, an
이후, 도 5b를 참조하면, 정류부(120)에서 외부 구동 전압은 정류되고, 정류된 외부 구동 전압(310)과 외부 구동 전류(312)가 밸리 필 회로(170)로 출력된다.5B, the external driving voltage is rectified in the
이후, 도 3 및 도 5c를 참조하면, 밸리 필 회로(170)에서, 정류부(120)로부터 제공되는 정류된 외부 구동 전압의 대략 중간 레벨까지 충전 경로(330)를 통해 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)에 정류된 외부 구동 전압이 충전된다(도 5a의 'S2' 구간). 정류된 외부 구동 전압의 레벨이 피크 값 아래의 밸리(valley) 위상으로 떨어질 때, 노드(N1)의 전압 레벨은 정류된 외부 구동 전압의 대략 절반까지 떨어진다. 이때, 도 5a 및 도 5c를 참조하면, 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)에 충전된 전압(320)은 방전 경로(332, 334)를 통해 노드(N1)로 출력된다(도 5a의 'S1' 및 'S3' 구간). 도 5a에 도시된 바와 같이, 'S1' 내지 'S3' 구간이 반복된다.3 and 5C, in the
도 1 및 도 5a를 참조하면, 밸리 필 회로(170)는 정류된 외부 구동 전압(310)의 최대 레벨(MAX)과 최소 레벨(MIN1) 간의 레벨 차(d1)를 소정 레벨(ΔL)만큼 감소시켜 노드(N1)로 출력한다. 따라서, 밸리 필 회로(170)로부터 출력되는 신호의 최대 레벨(MAX)과 최소 레벨(MIN2) 간의 레벨 차(d2)는 다음 수학식 2와 같이 레벨 차(d1)보다 작아지므로 플리커가 개선될 수 있다.1 and 5A, the
예를 들어, 소정 레벨(ΔL)은 전체 레벨(d1)의 40% 내지 50% 정도일 수 있다.For example, the predetermined level? L may be about 40% to 50% of the entire level d1.
도 6은 도 3에 예시된 발광 모듈(100)이 제1 및 제2 전류 조절 저항(R1, R2, RI)을 포함하지 않을 경우 제1 내지 제N 발광 소자 패키지를 구동시키는 전류의 파형도를 나타낸다.6 is a waveform diagram of currents for driving the first to Nth light emitting device packages when the
도 1 및 도 5b를 참조하면, 정류된 외부 구동 전류(312)의 레벨 변화에 상응하여 발광 소자 패키지(130-1, 130-2)에 포함된 서브 셀(132-1-1, 132-1-2, 132-2-1, 132-2-2)의 점등과 소등이 제어될 경우, 구간(10, PA)에서 플리커가 발생한다.Referring to FIGS. 1 and 5B, the sub-cells 132-1-1 and 132-1 included in the light emitting device packages 130-1 and 130-2, corresponding to the level change of the rectified external driving current 312, -2, 132-2-1, 132-2-2 are controlled, flicker occurs in the
반면에, 도 5c 및 도 6을 참조하면, 밸리 필 회로(170)를 이용하여 구간(PA)의 레벨을 구간(PB)의 레벨과 동일하거나 유사한 레벨로 증가시킨다. 이로 인해, 도 1과 비교할 때 제1 내지 제N 발광 소자 패키지(130-1, 130-2)를 구동시키는 전류의 평균값(400)이 증가하게 된다. 즉, 서브 셀(132-1-1, 132-1-2, 132-2-1, 132-2-2)의 미점등 구간(PA)이 제거됨으로 인해 플리커가 개선될 수 있다. 5C and 6, the
이하, 서브 셀(132-1-1, 132-1-2, 132-2-1, 132-2-2)의 점등과 소등을 구체적으로 설명하기 이전에, 점멸 제어부(134-1, 134-2) 및 전류 레벨 제어기(142) 각각의 실시 예에 해당하는 도 4에 도시된 회로(200)의 동작을 다음과 같이 살펴본다.Prior to specifically describing the on / off states of the sub-cells 132-1-1, 132-1-2, 132-2-1, and 132-2-2, the blinking control units 134-1 and 134- 2, and the
핀(A)과 핀(K) 양단의 전압을 이용하여, 기준 전압 발생부(230)가 기준 전압을 발생하여 비교부(220)로 출력한다. 비교부(220)는 양의 입력단자(+)로 인가된 기준 전압의 레벨이 핀(C)에 걸리는 전압보다 클 경우 "고" 논리 레벨의 스위칭 제어 신호를 출력한다. 그러나, 비교부(220)는 음의 입력단자(-)로 인가된 핀(C)에 걸리는 전압이 양의 입력단자(+)로 인가된 기준 전압보다 높으면 "저" 논리 레벨의 스위칭 제어 신호를 출력한다.The reference
이때, 스위칭 소자(210)에 해당하는 FET(Q1)는 "고" 논리 레벨의 스위칭 제어 신호에 응답하여 턴 온되고, "저" 논리 레벨의 스위칭 제어 신호에 응답하여 턴 오프된다.At this time, the FET Q1 corresponding to the
만일, 스위칭 소자(210)가 턴 오프될 경우 회로(200)는 도 3에 예시된 발광 모듈(100)에서 해당하는 위치의 전류 경로를 차단하여 서브 셀들[(132-1-1, 132-1-2) 또는 (132-2-1, 132-2-2)]을 통해 전류가 흐르도록 하고, 스위칭 소자(210)가 턴 온될 경우 회로(200)는 해당하는 위치의 전류 경로가 형성되어 서브 셀(132-1-2 또는 132-2-2)을 통해 전류가 흐르지 않도록 한다.If the
예를 들어, 회로(200)가 도 3에 예시된 점멸 제어부(134-1)에 해당할 경우, 회로(200)가 턴 오프될 경우 노드(N1)를 통해 인가된 구동 전류가 서브 셀(132-1-1, 132-1-2)을 통해 노드(N5)로 흐른다. 그러나, 회로(200)가 턴 온될 경우 노드(N1)를 통해 인가된 구동 전류는 서브 셀(132-1-1)을 통해 회로(200)를 거쳐서 노드(N5)로 흐른다. 이 경우, 회로(200)가 턴 온 상태이므로, 서브 셀(132-1-2)로는 전류가 흐르지 않는다. 회로(200)가 도 3에 예시된 점멸 제어부(134-2)나 전류 레벨 제어기(142)에 해당할 경우에도 회로(200)는 비슷하게 동작함을 알 수 있다.For example, when the
도 7은 도 3에 예시된 발광 모듈(100)이 제1 및 제2 전류 조절 저항(R1, R2, RI)을 포함할 경우, 제1 내지 제N 발광 소자 패키지(130-1, 130-2)를 구동시키는 구동 전류의 파형도를 나타낸다.FIG. 7 is a diagram illustrating a state in which the
도 3에 예시된 발광 모듈(100)의 경우, 각 발광 소자 패키지(130-1, 130-2)가 제1 전류 조절 저항(R1, R2)을 각각 포함하고, 전류 레벨 조정부(140)는 제2 전류 조절 저항(RI)을 포함한다.In the case of the
만일 제1 전류 조절 저항(R1, R2)의 값을 감소시킬 경우, 도 6에 예시된 구간(PA, PB)에서의 구동 전류의 레벨은 도 7에 예시된 바와 같이 구간(PC)에서의 레벨까지 또는 구간(PC)에서의 레벨에 근접하도록 증가한다. 또한, 제2 전류 조절 저항(RI)의 값을 증가시킬 경우, 도 6에 예시된 구간(PD)에서의 구동 전류의 레벨은 도 7에 예시된 바와 같이 감소하게 된다. 이로 인해, 도 6과 비교할 때 제1 내지 제N 발광 소자 패키지(130-1, 130-2)를 구동시키는 전류의 평균값(410)이 증가하여 플리커 지수가 더욱 작아질 수 있다.If the value of the first current regulation resistors R1 and R2 is decreased, the level of the driving current in the intervals PA and PB illustrated in FIG. 6 is the level of the level PC in the interval PC as illustrated in FIG. Or to a level at the interval (PC). Further, when the value of the second current control resistor RI is increased, the level of the drive current in the period PD illustrated in FIG. 6 is reduced as illustrated in FIG. 6, the
이하, 전술한 퓨즈(110), 정류부(120), 밸리 필 회로(170) 및 회로(134-1, 134-2, 142)의 동작을 바탕으로, 도 3에 예시된 발광 모듈(100)에서 서브 셀들(132-1-1, 132-1-2, 132-2-1, 132-2-2)의 점등과 소등을 다음과 같이 살펴본다.Based on the operation of the
도 8a 내지 도 8c는 도 6 및 도 7에 예시된 바와 같은 형태로 구동 전류가 인가될 때 서브 셀(132-1-1, 132-1-2, 132-2-1, 132-2-2)의 점멸되는 모습을 나타낸다.FIGS. 8A to 8C are cross-sectional views of subcells 132-1-1, 132-1-2, 132-2-1, 132-2-2 ) Is shown in a blinking manner.
설명의 편의상, 도 8a 내지 도 8c에서, 서브 셀(132-1-1, 132-1-2, 132-2-1, 132-2-2)을 각각 'LED4', 'LED1', 'LED3', 'LED2'라 칭하고, 제1 및 제2 점멸 제어부(134-1, 134-2)를 각각 'U1' 및 'U2'라 칭하고, 전류 레벨 제어기(142)를 'U3'라 칭한다.8A to 8C, the sub-cells 132-1-1, 132-1-2, 132-2-1, and 132-2-2 are referred to as LED4, LED1, LED3 The first and second flicker control units 134-1 and 134-2 are referred to as U1 and U2 and the
먼저, 노드(N1)로 인가되는 구동 전류가 도 6에 예시된 바와 같은 형태를 가질 경우, 도 3에 예시된 발광 모듈(100)의 동작을 다음과 같이 살펴본다.First, when the driving current applied to the node N1 has a shape as illustrated in FIG. 6, the operation of the
구간(PA, PB)에서 발광 모듈(100)은 도 8a에 예시된 바와 같이 동작한다. 즉, 도 8a를 참조하면, 구간(PA, PB)에서 U1 내지 U3는 모두 턴 온되어 전류가 화살표 방향(①)으로 흐르는 경로가 형성된다. 따라서, LED4와 LED3은 점등되는 반면 LED1과 LED2는 소등된다.In the sections PA and PB, the
또한, 구간(PC)에서 발광 모듈(100)은 도 8b에 예시된 바와 같이 동작한다. 즉, 도 8b를 참조하면, 구간(PC)에서 U1은 턴 오프되고, U2와 U3는 각각 턴 온되어, 전류가 화살표 방향(②)으로 흐르는 경로가 형성된다. 따라서, LED4, LED1 및 LED3은 점등되는 반면, LED2만이 소등된다.In the section PC, the
또한, 구간(PD)에서 발광 모듈(100)은 도 8c에 예시된 바와 같이 동작한다. 즉, 도 8c를 참조하면, 구간(PD)에서 U1과 U2는 턴 오프되고, U3만이 턴온되어, 전류가 화살표 방향(③)으로 흐르는 경로가 형성된다. 따라서, LED1, LED2, LED3, LED4가 모두 점등된다.In addition, in the period PD, the
다음으로, 노드(N1)로 인가되는 구동 전류가 도 7에 예시된 바와 같은 형태를 가질 경우, 도 3에 예시된 발광 모듈(100)의 동작을 다음과 같이 살펴본다.Next, when the driving current applied to the node N1 has a form as illustrated in FIG. 7, the operation of the
구간(PA, PB, PC)에서 발광 모듈(100)은 도 8b에 예시된 바와 같이 동작한다. 즉, 도 8b를 참조하면, 구간(PA, PB, PC)에서 U1은 턴 오프되고, U2와 U3는 각각 턴 온되어, 전류가 화살표 방향(②)으로 흐르는 경로가 형성된다. 따라서, LED4, LED1 및 LED3은 점등되는 반면, LED2만이 소등된다.In the sections PA, PB and PC, the
또한, 구간(PD)에서 발광 모듈(100)은 도 8c에 예시된 바와 같이 동작한다. 즉, 도 8c를 참조하면, 구간(PD)에서 U1과 U2는 턴 오프되고, U3만이 턴온되어, 전류가 화살표 방향(③)으로 흐르는 경로가 형성된다. 따라서, LED1, LED2, LED3, LED4가 모두 점등된다. 이때, 제2 전류 조절 저항(RI)의 저항값을 높일 경우, 구간(PD)에서의 전류 레벨은 도 6으로부터 도 7과 같이 감소할 수 있다.In addition, in the period PD, the
도 7 및 도 8에 도시된 각 구간(PA, PB, PC, PD)별로 LED1 내지 LED4의 동작 및 U1 내지 U3의 동작은 다음 표 1과 같다.The operation of LED1 to LED4 and the operation of U1 to U3 for each section PA, PB, PC, PD shown in FIG. 7 and FIG. 8 are shown in the following Table 1.
여기서, '0'는 턴 온을 나타내고, 'X'는 턴 오프를 나타낸다.Here, '0' indicates turn-on and 'X' indicates turn-off.
한편, 제1 및 제2 점멸부(134-1, 134-2)와 전류 레벨 제어기(142)를 각각 구현하는 도 4에 도시된 회로(200)에 흐르는 전류값을 서로 달리 설정하면, 구간(PA, PB, PC, PD)별 전류값을 조절할 수 있어, 전류값의 최대값(MAX)과 최소값(MIN2) 간의 차이를 줄여 플리커를 개선시킬 수 있다.On the other hand, if the values of the currents flowing through the
또한, 도 5b에 예시된 구동 신호를 이용할 경우 발광 모듈(100)의 THD는 11%이고 PF는 99%이고, 리플 팩터(ripple factor)는 100%이다. 반면에, 발광 모듈(100)이 밸리 필 회로(170)를 포함할 경우, 즉, 도 5c에 예시된 구동 신호를 이용할 경우, 발광 모듈(100)의 THD는 22%이고, PF는 96%이고 리플 팩터는 34.2%이다. 따라서, 밸리 필 회로(170)를 이용할 경우 리플 팩터가 40% 이하로 감소함을 알 수 있다. 이때, 도 1에 예시된 미점등 구간(PA)의 레벨이 도 5b 및 도 6에 예시된 바와 같이 증가될 경우 수학식 1에 표기된 플리커 지수는 낮아질 수 있다.When the drive signal illustrated in FIG. 5B is used, the THD of the
나아가, 실시 예에 의하면, 제1 전류 조절 저항(R1, R2)의 저항값을 감소시킴으로써 도 6에 예시된 구간(PA, PB)의 전류 레벨이 도 7에 예시된 바와 같이 구간(PC)의 전류 레벨까지 또는 도 7에 예시된 구간(PC)의 전류 레벨에 근사하도록 증가될 수 있고, 제2 전류 조절 저항(RI)의 저항값을 증가시킴으로써 도 6에 예시된 구간(PD)의 전류 레벨이 도 7에 예시된 바와 같이 감소될 수 있다. 이 경우, 도 6에 예시된 구동 전류의 평균값(400)이 도 7에 예시된 평균값(410)으로 증가한다. 따라서, 전술한 수학식 1에 표시된 바와 같이 플리커 지수가 더욱 낮아질 수 있다.Further, according to the embodiment, by decreasing the resistance value of the first current regulation resistors R1 and R2, the current levels of the sections PA and PB illustrated in FIG. Can be increased to the current level or to approximate the current level of the section PC shown in Fig. 7 and by increasing the resistance value of the second current adjusting resistor RI, the current level of the section PD shown in Fig. 6 Can be reduced as illustrated in Fig. In this case, the
전술한 바와 같이, 밸리 필 회로(170)를 이용하면서 제1 및 제2 전류 조절 저항(R1, R2, RI)의 저항값을 조정하여 플리커 지수를 개선시킬 경우 THD는 25%가 되고 PF는 95%일 수 있다.As described above, when the flicker index is improved by adjusting the resistance values of the first and second current control resistors R1, R2, and RI while using the
또한, 실시 예에 의한 발광 모듈(100)은 제1 서지 보호부(150)를 포함함으로써, 높은 서지 전압으로부터 보호될 수 있다.In addition, the
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
100: 발광 모듈
110: 퓨즈
120: 정류부
130-1, 130-2: 제1 및 제2 발광 소자 패키지
132-1, 132-2: 발광 셀
134-1, 134-2: 점멸 제어부
132-1-1, 132-1-2, 132-2-1, 132-2-2: 서브 셀
140: 전류 레벨 조정부
142: 전류 레벨 제어기
150, 160: 서지 보호부
170: 밸리 필 회로
200: 점멸 제어부 또는 전류 레벨 제어기
210: 스위칭 소자
220: 비교부
230: 기준 전압 발생부
240: 전류원
R1, R2: 제1 전류 조절 저항
RI: 제2 전류 조절 저항100: light emitting module 110: fuse
120: rectification part 130-1, 130-2: first and second light emitting device packages
132-1, 132-2: light emitting cells 134-1, 134-2:
132-1-1, 132-1-2, 132-2-1, 132-2-2:
140: current level adjuster 142: current level controller
150, 160: Surge protection unit 170: Valley fill circuit
200: Flashing control unit or current level controller
210: switching element 220:
230: reference voltage generator 240: current source
R1, R2: first current regulation resistor RI: second current regulation resistor
Claims (16)
상기 제N 발광 소자 패키지에 흐르는 전류의 레벨을 조정하는 전류 레벨 조정부를 포함하고,
상기 제1 내지 제N 발광 소자 패키지 각각은
각각이 적어도 하나의 발광 소자를 포함하며 서로 직렬 또는 병렬 연결된 복수의 서브 셀을 포함하는 발광 셀; 및
상기 복수의 서브 셀의 사이에 연결되고, 외부 구동 전압의 레벨에 따라 상기 발광 셀에 전류가 흐르는 경로를 선택적으로 형성하는 점멸 제어부를 포함하고,
상기 제1 내지 제N 발광 소자 패키지 중 적어도 하나는 상기 발광 셀의 출력에 연결되는 제1 전류 조절 저항을 더 포함하는 발광 모듈.First to Nth (where N is a positive integer equal to or greater than 1) light emitting device packages connected in series to each other;
And a current level adjusting unit for adjusting a level of a current flowing in the Nth light emitting device package,
Each of the first through N < th >
A light emitting cell including a plurality of sub-cells each including at least one light emitting element and connected in series or parallel to each other; And
And a flashing control unit connected between the plurality of sub-cells and selectively forming a path through which a current flows in the light emitting cells according to a level of an external driving voltage,
At least one of the first to Nth light emitting device packages further includes a first current adjusting resistor connected to an output of the light emitting cell.
상기 발광 셀에 흐르는 전류를 제어하는 제1 전류 제어 IC를 포함하는 발광 모듈.The apparatus of claim 1, wherein the flashing control unit
And a first current control IC for controlling a current flowing in the light emitting cells.
상기 제N 발광 소자 패키지와 연결되는 드레인;
상기 외부 구동 전압과 연결되는 게이트; 및
상기 전류 레벨 조정부와 연결된 소스를 포함하는 발광 모듈.The apparatus of claim 3, wherein the first surge protector
A drain connected to the Nth light emitting device package;
A gate connected to the external driving voltage; And
And a source connected to the current level adjusting unit.
상기 정류부와 병렬 연결되는 배리스터를 포함하는 발광 모듈.The apparatus of claim 6, wherein the second surge protector
And a varistor connected in parallel with the rectifying part.
상기 정류부와 상기 제1 발광 소자 패키지 사이의 제1 접점과 연결된 일측을 갖는 제너 저항; 및
상기 제너 저항의 타측과 연결된 양극 및 상기 전류 레벨 조정부와 연결된 음극을 갖는 제너 다이오드를 더 포함하는 발광 모듈.The light emitting module according to claim 5,
A zener resistor having one side connected to the first contact between the rectifying part and the first light emitting device package; And
A zener diode having an anode connected to the other side of the Zener resistor and a cathode connected to the current level adjusting unit.
서로 병렬 연결된 복수의 발광 소자를 갖는 제1 서브 셀; 및
상기 제1 서브 셀과 직렬로 연결되며, 서로 병렬 연결된 복수의 발광 소자를 갖는 제2 서브 셀을 포함하는 발광 모듈.The method of claim 1, wherein the sub-
A first subcell having a plurality of light emitting elements connected in parallel to each other; And
And a second subcell connected in series with the first subcell, the second subcell having a plurality of light emitting devices connected in parallel to each other.
상기 서브 셀 사이의 접점과 상기 발광 셀의 출력단 사이에 연결되고, 제1 스위칭 제어 신호에 응답하여 스위칭하는 제1 스위칭 소자;
상기 발광 셀의 상기 출력단의 전압과 제1 기준 전압을 비교하고, 비교된 결과를 상기 제1 스위칭 제어 신호로서 출력하는 제1 비교부;
상기 서브 셀 사이의 접점과 상기 점멸 제어부의 출력단 사이의 전압을 이용하여 상기 제1 기준 전압을 발생하는 제1 기준 전압 발생부; 및
상기 발광 셀의 출력단과 상기 점멸 제어부의 상기 출력단 사이에 연결되는 제1 전류원을 포함하는 발광 모듈.The apparatus of claim 1, wherein the flashing control unit
A first switching device connected between a contact between the sub-cells and an output terminal of the light emitting cell, the first switching device switching in response to a first switching control signal;
A first comparator for comparing a voltage of the output terminal of the light emitting cell with a first reference voltage and outputting a comparison result as the first switching control signal;
A first reference voltage generator for generating the first reference voltage by using a voltage between a contact between the sub-cells and an output terminal of the flicker control unit; And
And a first current source connected between the output terminal of the light emitting cell and the output terminal of the flickering control unit.
상기 제1 전류원의 전류를 제어하는 제1 모드 선택단을 더 포함하는 발광 모듈.12. The apparatus according to claim 11, wherein the flashing control section
And a first mode selection stage for controlling the current of the first current source.
제2 전류 조절 저항;
상기 소스와 상기 제2 전류 조절 저항의 일측 사이에 연결되고, 제2 스위칭 제어 신호에 응답하여 스위칭하는 제2 스위칭 소자;
상기 제2 전류 조절 저항의 일측의 전압과 제2 기준 전압을 비교하고, 비교된 결과를 상기 제2 스위칭 제어 신호로서 출력하는 제2 비교부;
상기 소스와 상기 제2 전류 조절 저항의 타측 사이의 전압을 이용하여 상기 제2 기준 전압을 발생하는 제2 기준 전압 발생부; 및
상기 제2 전류 조절 저항의 일측과 타측 사이에 연결되는 제2 전류원을 포함하는 발광 모듈.The method of claim 4, wherein the current level adjustment unit
A second current regulation resistor;
A second switching element connected between the source and one side of the second current control resistor and switching in response to a second switching control signal;
A second comparator for comparing a voltage of one side of the second current regulation resistor with a second reference voltage and outputting a comparison result as the second switching control signal;
A second reference voltage generator for generating the second reference voltage using the voltage between the source and the other side of the second current regulating resistor; And
And a second current source connected between one side and the other side of the second current regulating resistor.
상기 정류된 외부 구동 전압의 낮은 전위와 연결되는 양극을 제1 다이오드;
상기 정류된 외부 구동 전압의 높은 전위와 상기 제1 다이오드의 음극 사이에 연결된 제1 커패시터;
상기 제1 다이오드의 음극과 연결된 양극을 갖는 제2 다이오드;
상기 제2 다이오드의 음극과 상기 정류된 외부 구동 전압의 높은 전위에 각각 연결된 양극 및 음극을 갖는 상기 제3 다이오드; 및
상기 제2 다이오드의 음극과 상기 정류된 외부 구동 전압의 낮은 전위 사이에 연결된 제2 커패시터를 포함하는 발광 모듈.16. The circuit of claim 15, wherein the valley-
A first diode connected to a lower potential of the rectified external driving voltage;
A first capacitor connected between the high potential of the rectified external driving voltage and the cathode of the first diode;
A second diode having a cathode connected to the cathode of the first diode;
The third diode having a cathode and a cathode respectively connected to a cathode of the second diode and a high potential of the rectified external drive voltage; And
And a second capacitor connected between a cathode of the second diode and a lower potential of the rectified external driving voltage.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140037885A KR102140276B1 (en) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | Light Emitting Module |
CN201580017983.2A CN106134292B (en) | 2014-03-31 | 2015-03-23 | Light emitting module |
PCT/KR2015/002808 WO2015152548A1 (en) | 2014-03-31 | 2015-03-23 | Light-emitting module |
US15/300,489 US9775204B2 (en) | 2014-03-31 | 2015-03-23 | Light-emitting module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140037885A KR102140276B1 (en) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | Light Emitting Module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150113638A true KR20150113638A (en) | 2015-10-08 |
KR102140276B1 KR102140276B1 (en) | 2020-07-31 |
Family
ID=54240809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140037885A KR102140276B1 (en) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | Light Emitting Module |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9775204B2 (en) |
KR (1) | KR102140276B1 (en) |
CN (1) | CN106134292B (en) |
WO (1) | WO2015152548A1 (en) |
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- 2014-03-31 KR KR1020140037885A patent/KR102140276B1/en active IP Right Grant
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2015
- 2015-03-23 WO PCT/KR2015/002808 patent/WO2015152548A1/en active Application Filing
- 2015-03-23 US US15/300,489 patent/US9775204B2/en active Active
- 2015-03-23 CN CN201580017983.2A patent/CN106134292B/en active Active
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---|---|
CN106134292B (en) | 2019-05-31 |
CN106134292A (en) | 2016-11-16 |
US9775204B2 (en) | 2017-09-26 |
US20170127486A1 (en) | 2017-05-04 |
WO2015152548A1 (en) | 2015-10-08 |
KR102140276B1 (en) | 2020-07-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20140331 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20190328 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20140331 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20200410 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20200713 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20200727 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20200728 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230613 Start annual number: 4 End annual number: 4 |