KR20170072169A - Conductive particles, conductive material and connection structure - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전극 간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 낮게 할 수 있고, 또한 도전부의 부식을 발생하기 어렵게 할 수 있는 도전성 입자를 제공한다. 본 발명에 따른 도전성 입자는 기재 입자와, 구리를 포함하는 제1 도전부와, 팔라듐을 포함하는 제2 도전부와, 복수의 코어 물질을 구비하고, 상기 기재 입자의 외표면 상에 상기 제1 도전부가 배치되어 있고, 상기 제1 도전부의 외표면 상에 상기 제2 도전부가 배치되어 있고, 상기 제2 도전부가 외표면에 복수의 돌기를 갖고, 상기 코어 물질이, 상기 제2 도전부의 상기 돌기의 내측에 배치되어 있고, 상기 코어 물질에 의해 상기 제2 도전부의 외표면이 융기되어 있고, 상기 코어 물질의 재료가 니켈과는 상이하고, 상기 코어 물질의 재료의 모스 경도가 5를 초과한다.The present invention provides a conductive particle capable of lowering the connection resistance and making it less likely to cause corrosion of the conductive portion when the electrodes are electrically connected. The conductive particle according to the present invention comprises a base particle, a first conductive portion containing copper, a second conductive portion containing palladium, and a plurality of core materials, Wherein the second conductive portion is disposed on an outer surface of the first conductive portion and the second conductive portion has a plurality of projections on an outer surface thereof, Wherein an outer surface of the second conductive portion is raised by the core material, the material of the core material is different from nickel, and the material of the core material has a Mohs hardness of more than 5.
Description
본 발명은 기재 입자와, 해당 기재 입자의 외표면 상에 배치된 도전부를 갖는 도전성 입자에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전성 입자를 사용한 도전재료 및 접속 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a base particle and a conductive particle having a conductive portion disposed on an outer surface of the base particle. The present invention also relates to a conductive material and a connection structure using the conductive particles.
이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 상기 이방성 도전 재료에서는, 결합제 수지 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.Anisotropic conductive paste such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known. In the anisotropic conductive material, the conductive particles are dispersed in the binder resin.
상기 이방성 도전 재료는, 각종 접속 구조체를 얻기 위해서, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판과의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판과의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체 칩과 유리 기판과의 접속(COG(Chip on Glass)), 및 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판과의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용되고 있다.The anisotropic conductive material can be used for various types of connection structures such as a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit (COF (Chip on Film) ), A connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), and a connection between a flexible printed substrate and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)).
상기 도전성 입자의 일례로서, 하기의 특허문헌 1에는 기재 입자와, 해당 기재 입자의 외표면 상에 설치된 구리층과, 해당 구리층의 외표면 상에 설치된 팔라듐층을 구비하는 도전성 입자가 개시되어 있다. 상기 팔라듐층의 평균 두께는 5nm 이상이다. 상기 팔라듐층은, 환원제로서 히드라진 화합물을 포함하는 도금액을 사용하여 형성되어 있다.As an example of the above conductive particles,
또한, 특허문헌 1의 실시예 8 내지 10에서는, 팔라듐층의 외표면에 복수의 돌기를 형성한 도전성 입자가 개시되어 있다. 돌기를 형성하기 위해서, 코어 물질로서, 금속 니켈 입자가 사용되고 있다.Further, in Examples 8 to 10 of
특허문헌 1의 기재와 같은 종래의 도전성 입자에서는, 도전성 입자가 전극에 충분히 접촉하지 않는 경우가 있다. 이것에 의해, 전극 간의 접속 저항이 높아지는 경우가 있다. 특히, 도전부 및 전극의 표면에는, 산화막이 형성되어 있는 경우가 많다. 이 산화막이 도전부와 전극과의 접촉을 방해하는 경우가 있다.In the conventional conductive particles as described in
또한, 장기간 보관된 도전성 입자를 사용하여 전극 간을 접속한 접속 구조체에 있어서, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다. 또한, 도전성 입자를 사용하여 전극 간이 접속된 접속 구조체가 장기간 보관 또는 장기간 사용되었을 때에, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다. 이것은 산 등의 영향에 의해 도전성 입자의 부식이 진행되기 때문이다.Further, in the connection structure in which the electrodes are connected using the conductive particles stored for a long period of time, the connection resistance may be increased. Further, when the connection structure in which the electrodes are connected using the conductive particles is used for a long period of time or is used for a long time, the connection resistance may be increased. This is because the corrosion of the conductive particles proceeds due to the influence of an acid or the like.
본 발명의 목적은, 전극 간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 낮게 할 수 있고, 또한 도전부의 부식을 발생하기 어렵게 할 수 있는 도전성 입자를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, 상기 도전성 입자를 사용한 도전 재료 및 접속 구조체를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a conductive particle which can lower the connection resistance and can make it difficult to cause corrosion of the conductive portion when the electrodes are electrically connected. It is also an object of the present invention to provide a conductive material and a connection structure using the conductive particles.
본 발명의 넓은 국면에 의하면, 기재 입자와, 구리를 포함하는 제1 도전부와, 팔라듐을 포함하는 제2 도전부와, 복수의 코어 물질을 구비하고, 상기 기재 입자의 외표면 상에 상기 제1 도전부가 배치되어 있고, 상기 제1 도전부의 외표면 상에 상기 제2 도전부가 배치되어 있고, 상기 제2 도전부가 외표면에 복수의 돌기를 갖고, 상기 코어 물질이, 상기 제2 도전부의 상기 돌기의 내측에 배치되어 있고, 상기 코어 물질에 의해 상기 제2 도전부의 외표면이 융기되어 있고, 상기 코어 물질의 재료가 니켈과는 상이하고, 상기 코어 물질의 재료의 모스 경도가 5를 초과하는, 도전성 입자가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: providing base particles, a first conductive portion containing copper, a second conductive portion containing palladium, and a plurality of core materials, 1 conductive part is arranged on the outer surface of the first conductive part, the second conductive part is disposed on the outer surface of the first conductive part, the second conductive part has a plurality of projections on the outer surface, Wherein an outer surface of the second conductive portion is raised by the core material, the material of the core material is different from nickel, and the material of the core material has a Mohs hardness of more than 5 , Conductive particles are provided.
상기 제1 도전부와 상기 제2 도전부의 합계 두께의 상기 코어 물질의 평균 직경에 대한 비가 0.1 이상, 6 이하인 것이 바람직하다. 상기 제1 도전부의 두께가 20nm 이상, 300nm 이하인 것이 바람직하다. 상기 코어 물질의 평균 직경이 20nm 이상, 1000nm 이하인 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부의 두께가 3nm 이상, 40nm 이하인 것이 바람직하다. 상기 제1 도전부의 비커스 경도가 100 미만인 것이 바람직하다. 상기 코어 물질의 재료의 모스 경도가 6 이상인 것이 바람직하다.The ratio of the total thickness of the first conductive portion and the second conductive portion to the average diameter of the core material is 0.1 or more and 6 or less. It is preferable that the thickness of the first conductive portion is 20 nm or more and 300 nm or less. The core material preferably has an average diameter of 20 nm or more and 1000 nm or less. The thickness of the second conductive portion is preferably 3 nm or more and 40 nm or less. It is preferable that the Vickers hardness of the first conductive portion is less than 100. It is preferable that the material of the core material has a Mohs hardness of 6 or more.
본 발명의 넓은 국면에 의하면, 상술한 도전성 입자와, 결합제 수지를 포함하는, 도전 재료가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive material comprising the above-mentioned conductive particles and a binder resin.
본 발명의 넓은 국면에 의하면, 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 상기 접속부의 재료가 상술한 도전성 입자이거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료이고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a first connection target member having a first electrode on a surface thereof, a second connection target member having a second electrode on a surface thereof, Wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other by a conductive particle, and the conductive particle is a conductive material including the conductive particles and a binder resin, A connection structure is provided.
본 발명에 따른 도전성 입자는 기재 입자와, 구리를 포함하는 제1 도전부와, 팔라듐을 포함하는 제2 도전부와, 복수의 코어 물질을 구비하고, 상기 기재 입자의 외표면 상에 상기 제1 도전부가 배치되어 있고, 상기 제1 도전부의 외표면 상에 상기 제2 도전부가 배치되어 있고, 상기 제2 도전부가 외표면에 복수의 돌기를 갖고, 상기 코어 물질이 상기 제2 도전부의 상기 돌기의 내측에 배치되어 있고, 상기 코어 물질에 의해 상기 제2 도전부의 외표면이 융기되어 있고, 상기 코어 물질의 재료가 니켈과는 상이하고, 상기 코어 물질의 재료의 모스 경도가 5를 초과하므로, 전극 간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 낮게 할 수 있고, 또한 도전부의 부식을 발생하기 어렵게 할 수 있다.The conductive particle according to the present invention comprises a base particle, a first conductive portion containing copper, a second conductive portion containing palladium, and a plurality of core materials, The second conductive portion is provided on the outer surface of the first conductive portion, the second conductive portion has a plurality of projections on the outer surface thereof, and the core material is provided on the outer surface of the projection portion of the second conductive portion The outer surface of the second conductive portion is raised by the core material, the material of the core material is different from nickel, and the material of the core material has a Moh hardness of more than 5, The connection resistance can be lowered and the corrosion of the conductive portion can be made less likely to occur.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 사용한 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a second embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 상세를 설명한다.Hereinafter, the details of the present invention will be described.
(도전성 입자)(Conductive particles)
본 발명에 따른 도전성 입자는 기재 입자와, 구리를 포함하는 제1 도전부와, 팔라듐을 포함하는 제2 도전부와, 복수의 코어 물질을 구비한다. 본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 기재 입자의 외표면 상에 상기 제1 도전부가 배치되어 있고, 상기 제1 도전부의 외표면 상에 상기 제2 도전부가 배치되어 있다. 본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 제2 도전부가 외표면에 복수의 돌기를 갖는다. 본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 코어 물질이 상기 제2 도전부의 상기 돌기의 내측에 배치되어 있고, 상기 코어 물질에 의해 상기 제2 도전부의 외표면이 융기되어 있다. 상기 코어 물질에 의해 상기 제2 도전부의 외표면이 융기되어 있음으로써, 상기 돌기가 형성되어 있다. 본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 코어 물질의 재료가 니켈과는 상이하고, 상기 코어 물질의 재료의 모스 경도가 5를 초과한다.The conductive particles according to the present invention comprise base particles, a first conductive portion comprising copper, a second conductive portion comprising palladium, and a plurality of core materials. In the conductive particle according to the present invention, the first conductive portion is disposed on the outer surface of the base particle, and the second conductive portion is disposed on the outer surface of the first conductive portion. In the conductive particle according to the present invention, the second conductive part has a plurality of projections on the outer surface. In the conductive particle according to the present invention, the core material is disposed inside the protrusion of the second conductive portion, and the outer surface of the second conductive portion is protruded by the core material. The outer surface of the second conductive portion is protruded by the core material, so that the protrusion is formed. In the conductive particles according to the present invention, the material of the core material is different from nickel, and the material of the core material has a Mohs hardness of more than 5.
본 발명에 따른 상술한 구성에 의해, 본 발명에 따른 도전성 입자를 사용하여 전극 간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 낮게 할 수 있다. 전극의 표면에는, 산화막이 형성되어 있는 경우가 많다. 본 발명에 따른 도전성 입자의 사용에 의해, 전극 간의 접속 시에, 돌기가 산화막을 관통하여, 도전부와 전극을 충분히 접촉시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 상술한 구성에 의해, 도전부의 부식을 발생하기 어렵게 할 수 있다. 특히, 산의 존재 하에서 도전부의 부식을 발생하기 어렵게 할 수 있다. 도전성 입자가 산의 존재 하에 노출되어도, 도전부의 부식이 발생하기 어려운 점에서, 도전성 입자의 성능을 높게 유지할 수 있다. 장기간 보관된 도전성 입자를 사용하여 전극 간을 접속한 접속 구조체에 있어서, 접속 저항을 낮게 할 수 있다. 또한, 도전성 입자를 사용하여 전극 간이 접속된 접속 구조체가 장기간 보관 또는 장기간 사용되었을 때에, 접속 저항이 높아지는 것을 방지할 수 있다. 본 발명에서는, 도통 신뢰성을 높일 수 있다.With the above-described constitution according to the present invention, when the electrodes are electrically connected using the conductive particles according to the present invention, the connection resistance can be lowered. In many cases, an oxide film is formed on the surface of the electrode. By the use of the conductive particles according to the present invention, at the time of connection between the electrodes, the projections penetrate the oxide film, and the conductive parts and the electrodes can sufficiently contact with each other. Further, with the above-described constitution according to the present invention, corrosion of the conductive portion can be made less likely to occur. Particularly, corrosion of the conductive portion can be made less likely to occur in the presence of an acid. Even when the conductive particles are exposed in the presence of an acid, corrosion of the conductive portion is unlikely to occur, so that the performance of the conductive particles can be kept high. It is possible to lower the connection resistance in the connection structure in which the electrodes are connected using the conductive particles stored for a long period of time. Further, it is possible to prevent the connection resistance from becoming high when the connection structure connected between the electrodes using the conductive particles is stored for a long period or used for a long period of time. In the present invention, conduction reliability can be enhanced.
또한, 코어 물질이 니켈 입자이면, 산에 의한 부식이 발생하기 쉽다. 설령 니켈 입자가 도전부에 의해 덮여 있었다고 해도, 도전부에는 근소한 균열이나 핀 홀이 존재하는 경우가 있기 때문에, 니켈 입자의 부식이 발생하기 쉽다. 이에 비해, 본 발명에서는, 코어 물질이 니켈은 아닌 것에 의해서도, 부식을 억제할 수 있다.Further, if the core material is a nickel particle, corrosion with acid is likely to occur. Even if the nickel particles are covered with the conductive portion, there is a case where the conductive portion is slightly cracked or pinholes exist, so that corrosion of the nickel particles is likely to occur. In contrast, in the present invention, corrosion can be suppressed even if the core material is not nickel.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태 및 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 명확히 한다. 또한, 참조한 도면에서는, 크기 및 두께 등은, 도시의 편의상, 실제의 크기 및 두께로부터 적절히 변경되어 있다.Best Mode for Carrying Out the Invention Hereinafter, the present invention will be clarified by explaining specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings. In the drawings referred to, the size, thickness, and the like are appropriately changed from the actual size and thickness for convenience of illustration.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a first embodiment of the present invention.
도 1에 도시한 바와 같이, 도전성 입자(1)는 기재 입자(2)와, 구리를 포함하는 제1 도전부(3)(도전층)와, 팔라듐을 포함하는 제2 도전부(4)(도전층)와, 복수의 코어 물질(5)과, 절연 물질(6)을 구비한다. 도전성 입자(1)에서는, 다층의 도전부가 형성되어 있다.As shown in Fig. 1, the
제1 도전부(3)는 기재 입자(2)의 외표면 상에 배치되어 있다. 제1 도전부(3)는 기재 입자(2)에 접하고 있다. 기재 입자(2)와 제2 도전부(4)와의 사이에, 제1 도전부(3)가 배치되어 있다. 제2 도전부(4)는 제1 도전부(3)의 외표면 상에 배치되어 있다. 제2 도전부(4)는 제1 도전부(3)에 접하고 있다. 도전성 입자(1)는, 기재 입자(2)의 외표면이 제1 도전부(3) 및 제2 도전부(4)에 의해 피복된 피복 입자이다.The first
도전성 입자(1)는, 제2 도전부(4)의 외표면에 복수의 돌기(1a)를 갖는다. 제1 도전부(3)는 외표면에 복수의 돌기(3a)를 갖는다. 제2 도전부(4)는 외표면에 복수의 돌기(4a)를 갖는다. 돌기(1a, 3a, 4a)는 복수이다. 복수의 코어 물질(5)은 기재 입자(2)의 외표면 상에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질(5)은 제1 도전부(3)의 내측에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질(5)은 제1 도전부(3) 및 제2 도전부(4)의 내측에 매립되어 있다. 코어 물질(5)은 돌기(1a, 3a, 4a)의 내측에 배치되어 있다. 제1 도전부(3) 및 제2 도전부(4)는 복수의 코어 물질(5)을 피복하고 있다. 제2 도전부(4)는 제1 도전부(3)를 개재하여, 복수의 코어 물질(5)을 피복하고 있다. 복수의 코어 물질(5)에 의해, 제1 도전부(3) 및 제2 도전부(4)의 외표면이 융기되어 있어, 돌기(1a, 3a, 4a)가 형성되어 있다.The conductive particle (1) has a plurality of projections (1a) on the outer surface of the second conductive portion (4). The first
또한, 제2 도전부(4)의 외표면은 방청 처리되어 있다. 도전성 입자(1)는, 제2 도전부(4)의 외표면 상에 도시하지 않은 방청막이 형성되어 있다.The outer surface of the second
도전성 입자(1)는, 제2 도전부(4)의 외표면 상에 배치된 절연 물질(6)을 갖는다. 제2 도전부(4)의 외표면의 적어도 일부의 영역이 절연 물질(6)에 의해 피복되어 있다. 절연 물질(6)은, 절연성을 갖는 재료에 의해 형성되어 있고, 절연성 입자이다. 이와 같이, 본 발명에 따른 도전성 입자는, 제2 도전부의 외표면 상에 배치된 절연 물질을 갖고 있어도 된다.The conductive particles (1) have an insulating material (6) arranged on the outer surface of the second conductive part (4). At least a part of the outer surface of the second conductive part (4) is covered with an insulating material (6). The insulating
도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a second embodiment of the present invention.
도 2에 도시한 바와 같이, 도전성 입자(1A)는 기재 입자(2)와, 구리를 포함하는 제1 도전부(3A)(도전층)와, 팔라듐을 포함하는 제2 도전부(4A)(도전층)와, 복수의 코어 물질(5)과, 절연 물질(6)을 구비한다.2, the
제1 도전부(3A)는, 기재 입자(2)의 외표면 상에 배치되어 있다. 기재 입자(2)와 제2 도전부(4A)와의 사이에, 제1 도전부(3A)가 배치되어 있다. 제2 도전부(4A)는 제1 도전부(3A)의 외표면 상에 배치되어 있다.The first
도전성 입자(1A)는 제2 도전부(4A)의 외표면에 복수의 돌기(1Aa)를 갖는다. 제1 도전부(3A)는 외표면에 돌기를 갖지 않는다. 제1 도전부(3A)의 외표면 형상은 구 형상이다. 제2 도전부(4A)는 외표면에 복수의 돌기(4Aa)를 갖는다. 돌기(1Aa, 4Aa)는 복수이다. 복수의 코어 물질(5)은 제1 도전부(3A)의 외표면 상에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질(5)은 제1 도전부(3A)의 외측에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질(5)은 제2 도전부(4A)의 내측에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질(5)은 제2 도전부(4A)의 내측에 매립되어 있다. 코어 물질(5)은 돌기(1Aa, 4Aa)의 내측에 배치되어 있다. 제2 도전부(4A)는 복수의 코어 물질(5)을 피복하고 있다. 복수의 코어 물질(5)에 의해, 제2 도전부(4A)의 외표면이 융기되어 있어, 돌기(1Aa, 4Aa)가 형성되어 있다. 이와 같이, 코어 물질은 제1 도전부의 외측에 배치되어 있어도 된다. 코어 물질은, 제2 도전부의 돌기의 내측에 배치되어 있으면, 그의 배치 위치는 특별히 한정되지 않는다. 코어 물질은 제2 도전부의 내부 또는 내측에 배치되어 있어도 된다.The
도전성 입자(1A)는 제2 도전부(4A)의 외표면 상에 배치된 절연 물질(6)을 갖는다. 제2 도전부(4A)의 외표면의 적어도 일부의 영역이 절연 물질(6)에 의해 피복되어 있다.The
이하, 도전성 입자의 상세를 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 「(메트)아크릴」은 「아크릴」과 「메타크릴」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴레이트」는 「아크릴레이트」와 「메타크릴레이트」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미한다.Hereinafter, the details of the conductive particles will be described. In the following description, "(meth) acryl" means one or both of "acrylic" and "methacryl", and "(meth) acrylate" means either One or both.
[기재 입자][Substrate Particle]
상기 기재 입자로서는 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자, 유기 무기 하이브리드 입자 및 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자는, 금속 입자를 제외한 기재 입자인 것이 바람직하고, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 보다 바람직하다. 상기 기재 입자는 코어 쉘 입자이어도 된다.Examples of the base particles include resin particles, inorganic particles other than metal particles, organic-inorganic hybrid particles and metal particles. The base particles are preferably base particles excluding metal particles, more preferably resin particles, inorganic particles other than metal particles, or organic-inorganic hybrid particles. The base particles may be core shell particles.
상기 기재 입자는, 수지 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 더욱 바람직하고, 수지 입자이어도 되고, 유기 무기 하이브리드 입자이어도 된다. 이들 바람직한 기재 입자의 사용에 의해, 전극 간의 전기적인 접속에 보다 한층 적합한 도전성 입자가 얻어진다.The base particles are more preferably resin particles or organic-inorganic hybrid particles, and may be resin particles or organic-inorganic hybrid particles. By using these preferable base particles, conductive particles more suitable for electrical connection between electrodes can be obtained.
상기 도전성 입자를 사용하여 전극 간을 접속할 때에는, 상기 도전성 입자를 전극 간에 배치한 후, 압착함으로써 상기 도전성 입자를 압축시킨다. 기재 입자가 수지 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자이면, 상기 압착 시에 상기 도전성 입자가 변형되기 쉽고, 도전성 입자와 전극과의 접촉 면적이 커진다. 이로 인해, 전극 간의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다.When the electrodes are connected using the conductive particles, the conductive particles are disposed between the electrodes, and then compressed to compress the conductive particles. When the base particles are resin particles or organic-inorganic hybrid particles, the conductive particles are liable to be deformed at the time of pressing, and the contact area between the conductive particles and the electrodes becomes large. As a result, the connection resistance between the electrodes is further reduced.
상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서, 여러가지 유기물이 적절하게 사용된다. 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지; 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리알킬레테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀 포름알데히드 수지, 멜라민 포름알데히드 수지, 벤조구아나민 포름알데히드 수지, 요소 포름알데히드 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰 및 에틸렌성 불포화기를 갖는 여러가지 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시켜 얻어지는 중합체 등을 들 수 있다. 도전 재료에 적합한 임의의 압축시의 물성을 갖는 수지 입자를 설계 및 합성할 수 있으며, 또한 기재 입자의 경도를 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지는, 에틸렌성 불포화기를 복수 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.As the resin for forming the resin particles, various organic materials are suitably used. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; Acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Phenol resin, melamine resin, urea resin, urea resin, urea resin, urea resin, urea resin, phenol resin, melamine resin, urea resin, urea resin, urea resin, It is possible to use various polymerizable monomers having an epoxy resin, an unsaturated polyester resin, a saturated polyester resin, a polysulfone, a polyphenylene oxide, a polyacetal, a polyimide, a polyamideimide, a polyetheretherketone, a polyether sulfone and an ethylenic unsaturated group And polymers obtained by polymerization of one kind or two or more kinds. It is possible to design and synthesize resin particles having physical properties at the time of compression suitable for the conductive material and to control the hardness of the base particles to a suitable range easily. Therefore, the resin for forming the resin particles is preferably an ethylene- It is preferable that the polymer is a polymer obtained by polymerizing at least one polymerizable monomer having a plurality of unsaturated groups.
상기 수지 입자를, 에틸렌성 불포화기를 갖는 단량체를 중합시켜서 얻는 경우에는, 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 단량체로서는, 비가교성의 단량체와 가교성의 단량체를 들 수 있다.When the resin particle is obtained by polymerizing a monomer having an ethylenic unsaturated group, examples of the monomer having an ethylenic unsaturated group include a monomer which is incompatible with the monomer and a monomer which is crosslinkable.
상기 비가교성의 단량체로서는, 예를 들어 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 카르복실기 함유 단량체; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트류; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 산소 원자 함유 (메트)아크릴레이트류; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴 함유 단량체; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르 등의 비닐에테르류; 아세트산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐 등의 산 비닐에스테르류; 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 등의 불포화 탄화수소; 트리플루오로메틸(메트)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 염화비닐, 불화비닐, 클로로스티렌 등의 할로겐 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene-based monomers such as styrene and? -Methylstyrene; Carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl Alkyl (meth) acrylates such as acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; (Meth) acrylates such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate; Nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; Vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether and propyl vinyl ether; Acid vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate and vinyl stearate; Unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene and butadiene; Halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride and chlorostyrene.
상기 가교성의 단량체로서는, 예를 들어 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트류; 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트, 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르, γ-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, 비닐트리메톡시실란 등의 실란 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylol methane tri (meth) acrylate, tetramethylol methane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di Polyfunctional (meth) acrylates such as (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate and 1,4-butanediol di (meth) acrylate; (Meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, trimethylolpropane trimethoxysilane, triallyl trimellitate, divinyl benzene, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether, , Silane-containing monomers such as vinyltrimethoxysilane, and the like.
상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를, 공지된 방법에 의해 중합시킴으로써, 상기 수지 입자를 얻을 수 있다. 이 방법으로서는, 예를 들어 라디칼 중합 개시제의 존재 하에서 현탁 중합하는 방법, 및 비가교의 종(種) 입자를 사용하여 라디칼 중합 개시제와 함께 단량체를 팽윤시켜서 중합하는 방법 등을 들 수 있다.The above-mentioned resin particles can be obtained by polymerizing the above-mentioned polymerizable monomer having an ethylenic unsaturated group by a known method. Examples of the method include suspension polymerization in the presence of, for example, a radical polymerization initiator, and polymerization by swelling a monomer together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.
상기 기재 입자가 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 경우에, 상기 기재 입자를 형성하기 위한 무기물로서는 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨, 지르코니아 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 무기물은 금속이 아닌 것이 바람직하다. 상기 실리카에 의해 형성된 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가수분해성의 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수분해하여 가교 중합체 입자를 형성한 후에, 필요에 따라 소성을 행함으로써 얻어지는 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 예를 들어 가교한 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다.When the base particles are inorganic particles other than metal particles or organic-inorganic hybrid particles, examples of the inorganic substance for forming the base particles include silica, alumina, barium titanate, zirconia and carbon black. The inorganic material is preferably not a metal. The particles formed by the silica are not particularly limited. For example, particles obtained by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, and then firing if necessary, . Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.
상기 유기 무기 하이브리드 입자는 코어와, 해당 코어의 표면 상에 배치된 쉘을 갖는 코어 쉘형의 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다. 상기 코어가 유기 코어인 것이 바람직하다. 상기 쉘이 무기 쉘인 것이 바람직하다. 전극 간의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하는 관점에서는, 상기 기재 입자는 유기 코어와 상기 유기 코어의 표면 상에 배치된 무기 쉘을 갖는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다.The organic-inorganic hybrid particles are preferably core-shell type organic-inorganic hybrid particles having a core and a shell disposed on the surface of the core. The core is preferably an organic core. The shell is preferably an inorganic shell. From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance between the electrodes, the base particles are preferably organic-inorganic hybrid particles having an organic core and an inorganic shell disposed on the surface of the organic core.
상기 유기 코어를 형성하기 위한 재료로서는, 상술한 수지 입자를 형성하기 위한 수지 등을 들 수 있다.As the material for forming the organic core, a resin for forming the above-mentioned resin particles can be mentioned.
상기 무기 쉘을 형성하기 위한 재료로서는, 상술한 기재 입자를 형성하기 위한 무기물을 들 수 있다. 상기 무기 쉘을 형성하기 위한 재료는, 실리카인 것이 바람직하다. 상기 무기 쉘은, 상기 코어의 표면 상에서, 금속 알콕시드를 졸겔법에 의해 쉘 형상물로 한 후, 해당 쉘 형상물을 소성시킴으로써 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 금속 알콕시드는 실란알콕시드인 것이 바람직하다. 상기 무기 쉘은 실란알콕시드에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.Examples of the material for forming the inorganic shell include inorganic materials for forming the base particles described above. The material for forming the inorganic shell is preferably silica. It is preferable that the inorganic shell is formed on the surface of the core by converting the metal alkoxide into a shell-like material by a sol-gel method and then firing the shell-like material. The metal alkoxide is preferably a silane alkoxide. The inorganic shell is preferably formed by a silane alkoxide.
상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자를 형성하기 위한 금속으로서는 은, 구리, 니켈, 규소, 금 및 티타늄 등을 들 수 있다. 단, 상기 기재 입자는 금속 입자가 아닌 것이 바람직하다.When the base particles are metal particles, examples of the metal for forming the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium. However, it is preferable that the base particles are not metal particles.
상기 기재 입자의 입자 직경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이상이고, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이하이다. 특히 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 간의 간격이 작아지고, 또한 도전부의 두께를 두껍게 해도, 작은 도전성 입자가 얻어진다.The particle diameter of the base particles is preferably 0.1 占 퐉 or more, more preferably 0.5 占 퐉 or more, further preferably 1 占 퐉 or more, preferably 100 占 퐉 or less, more preferably 20 占 퐉 or less, Is 5 mu m or less. Particularly preferably not more than 3 mu m. If the particle diameter of the base particles is not less than the above-mentioned lower limit and not higher than the above-mentioned upper limit, small conductive particles can be obtained even if the distance between the electrodes becomes small and the thickness of the conductive portion becomes thick.
상기 기재 입자의 입자 직경은, 기재 입자가 진구 형상인 경우에는, 직경을 나타내고, 기재 입자가 진구 형상이 아닌 경우에는, 최대 직경을 나타낸다.The particle diameter of the base particles indicates the diameter when the base particles are spherical, and the maximum diameter when the base particles are not spherical.
[도전부][Conductive part]
상기 도전성 입자는 도전부로서, 구리를 포함하는 제1 도전부를 구비한다. 제1 도전부에는 금속으로서, 구리만을 사용한 경우뿐만 아니라, 구리와 다른 금속을 사용한 경우도 포함된다. 상기 구리층은 구리 합금층이어도 된다.The conductive particle has a first conductive portion including copper as a conductive portion. The first conductive portion includes not only copper but also copper and other metals. The copper layer may be a copper alloy layer.
상기 제1 도전부에 있어서의 구리 이외의 금속으로서는 금, 은, 백금, 아연, 철, 주석, 납, 알루미늄, 코발트, 니켈, 인듐, 팔라듐, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 탈륨, 게르마늄, 카드뮴, 규소, 텅스텐, 몰리브덴 및 주석 도핑 산화인듐(ITO) 등을 들 수 있다. 이들 금속은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the metal other than copper in the first conductive portion include gold, silver, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, nickel, indium, palladium, chromium, titanium, antimony, bismuth, thallium, germanium, cadmium , Silicon, tungsten, molybdenum and tin-doped indium oxide (ITO). These metals may be used alone, or two or more metals may be used in combination.
상기 제1 도전부는, 구리를 주 금속으로서 포함하는 것이 바람직하다. 상기 제1 도전부 전체 100중량% 중, 구리의 함유량은 50중량% 이상인 것이 바람직하다. 상기 제1 도전부 전체 100중량% 중, 구리의 함유량은 바람직하게는 65중량% 이상, 보다 바람직하게는 80중량% 이상, 더욱 바람직하게는 90중량% 이상, 특히 바람직하게는 93중량% 이상이다. 구리의 함유량이 상기 하한 이상이면 도전성 입자의 유연성이 적절하게 높아지고, 전극 간의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다.The first conductive portion preferably includes copper as a main metal. It is preferable that the content of copper in the first conductive part is 100 wt% or more, and the content of copper is 50 wt% or more. The content of copper is preferably at least 65% by weight, more preferably at least 80% by weight, even more preferably at least 90% by weight, particularly preferably at least 93% by weight, based on 100% by weight of the entire first conductive portion . If the content of copper is lower than the lower limit described above, the flexibility of the conductive particles is appropriately increased and the connection resistance between the electrodes is further lowered.
상기 제1 도전부의 두께는, 바람직하게는 20nm 이상, 보다 바람직하게는 50nm 이상, 더욱 바람직하게는 80nm 이상이고, 바람직하게는 300nm 이하, 보다 바람직하게는 200nm 이하, 더욱 바람직하게는 150nm 이하이다. 상기 제1 도전부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 접속 저항이 효과적으로 낮아져, 도전부의 부식이 보다 한층 발생하기 어려워진다.The thickness of the first conductive portion is preferably 20 nm or more, more preferably 50 nm or more, further preferably 80 nm or more, preferably 300 nm or less, more preferably 200 nm or less, further preferably 150 nm or less. If the thickness of the first conductive portion is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance is effectively lowered, and corrosion of the conductive portion is further prevented.
상기 제1 도전부의 비커스 경도는, 바람직하게는 20 이상, 보다 바람직하게는 40 이상이다. 제1 도전부의 비커스 경도가 상기 하한 이상이면 가압될 때에 도전부의 균열이 적어져, 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성의 향상으로 이어진다. 상기 제1 도전부의 비커스 경도는, 바람직하게는 100 미만, 보다 바람직하게는 70 이하이다. 제1 도전부의 비커스 경도가 상기 상한 이하이면, 가압될 때에 도전부의 균열이 상당히 적어져, 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성의 향상으로 이어진다.The Vickers hardness of the first conductive portion is preferably 20 or more, and more preferably 40 or more. If the Vickers hardness of the first conductive portion is higher than the lower limit described above, cracking of the conductive portion is reduced when the first conductive portion is pressed, leading to improvement in conduction reliability and connection reliability. The Vickers hardness of the first conductive portion is preferably less than 100, more preferably 70 or less. When the Vickers hardness of the first conductive portion is less than the upper limit, cracking of the conductive portion is significantly reduced when pressed, leading to improvement in conduction reliability and connection reliability.
상기 도전성 입자는 도전부로서, 구리를 포함하는 제1 도전부와, 팔라듐을 포함하는 제2 도전부를 구비한다. 제2 도전부에는 금속으로서, 팔라듐만을 사용한 경우뿐만 아니라, 팔라듐과 다른 금속을 사용한 경우도 포함된다. 상기 팔라듐층은 팔라듐 합금층이어도 된다. 상기 제2 도전부는, 도전성 입자에 있어서의 도전성 부분의 최표면(가장 외측의 표면)에 배치되어 있는 것이 바람직하다.The conductive particle has, as a conductive portion, a first conductive portion including copper and a second conductive portion including palladium. The second conductive portion includes not only palladium alone but also palladium and other metals. The palladium layer may be a palladium alloy layer. It is preferable that the second conductive portion is disposed on the outermost surface (the outermost surface) of the conductive portion of the conductive particle.
상기 제2 도전부에 있어서의 금 이외의 금속으로서는, 예를 들어 니켈, 금,은, 구리, 백금, 아연, 철, 주석, 납, 알루미늄, 코발트, 니켈, 인듐, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 탈륨, 게르마늄, 카드뮴, 규소, 텅스텐, 몰리브덴 및 주석 도핑 산화인듐(ITO) 등을 들 수 있다. 이들 금속은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the metal other than gold in the second conductive portion include metals such as nickel, gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, nickel, indium, chromium, , Thallium, germanium, cadmium, silicon, tungsten, molybdenum and tin-doped indium oxide (ITO). These metals may be used alone, or two or more metals may be used in combination.
상기 제2 도전부는 팔라듐을 주 금속으로서 포함하는 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부 전체 100중량% 중, 팔라듐의 함유량은 50중량% 이상인 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부 전체 100중량% 중, 팔라듐의 함유량은 바람직하게는 90중량% 이상, 보다 바람직하게는 95중량% 이상, 더욱 바람직하게는 99.9중량% 이상이다. 팔라듐의 함유량이 상기 하한 이상이면 전극과 도전성 입자가 보다 한층 적절하게 접촉하고, 전극 간의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다.The second conductive portion preferably includes palladium as a main metal. It is preferable that the content of palladium is 50 wt% or more in 100 wt% of the entire second conductive part. The content of palladium in the entire second conductive portion is preferably 90% by weight or more, more preferably 95% by weight or more, and still more preferably 99.9% by weight or more. If the content of palladium is lower than the lower limit described above, the electrode and the conductive particle are more properly in contact with each other, and the connection resistance between the electrodes is further lowered.
상기 제2 도전부의 두께는, 바람직하게는 3nm 이상, 보다 바람직하게는 5nm 이상, 더욱 바람직하게는 10nm 이상이고, 바람직하게는 45nm 이하, 보다 바람직하게는 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 25nm 이하이다. 상기 제2 도전부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 접속 저항이 효과적으로 낮아져, 도전부의 부식이 보다 한층 발생하기 어려워진다.The thickness of the second conductive portion is preferably 3 nm or more, more preferably 5 nm or more, further preferably 10 nm or more, preferably 45 nm or less, more preferably 40 nm or less, further preferably 25 nm or less. If the thickness of the second conductive portion is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance is effectively lowered, and corrosion of the conductive portion is more difficult to occur.
상기 제2 도전부는 외표면에 복수의 돌기를 갖는다. 도전성 입자에 의해 접속되는 전극의 표면에는, 산화 피막이 형성되어 있는 경우가 많다. 도전성의 돌기를 갖는 도전성 입자의 사용에 의해, 전극 간에 도전성 입자를 배치한 후, 압착시킴으로써, 돌기에 의해 산화 피막이 효과적으로 배제된다. 이로 인해, 전극과 도전성 입자를 보다 한층 확실하게 접촉시킬 수 있고, 전극 간의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다. 또한, 도전성 입자가 표면에 절연 물질을 갖는 경우, 또는 도전성 입자가 수지 중에 분산되어 도전 재료로서 사용되는 경우에, 도전성 입자의 돌기에 의해, 도전성 입자와 전극과의 사이의 절연 물질 또는 수지가 효과적으로 배제된다. 이로 인해, 전극 간의 도통 신뢰성이 높아진다.The second conductive portion has a plurality of projections on the outer surface. In many cases, an oxide film is formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. By using the conductive particles having conductive protrusions, conductive particles are arranged between the electrodes, and then the conductive particles are pressed, whereby the oxide film is effectively removed by the protrusions. As a result, the electrode and the conductive particle can be contacted more reliably, and the connection resistance between the electrodes is further reduced. When the conductive particles have an insulating material on the surface or when the conductive particles are dispersed in the resin and used as a conductive material, the protrusions of the conductive particles effectively prevent the insulating material or resin between the conductive particles and the electrode from effectively Is excluded. As a result, the reliability of conduction between the electrodes increases.
상기 돌기는 복수이다. 상기 도전성 입자 1개당의 상기 제2 도전부의 외표면의 돌기는, 바람직하게는 3개 이상, 보다 바람직하게는 5개 이상, 더욱 바람직하게는 15개 이상, 특히 바람직하게는 20개 이상이다. 상기 돌기의 수의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 돌기의 수의 상한은 도전성 입자의 입자 직경 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.The projections are plural. The number of projections on the outer surface of the second conductive portion per one conductive particle is preferably 3 or more, more preferably 5 or more, still more preferably 15 or more, particularly preferably 20 or more. The upper limit of the number of the projections is not particularly limited. The upper limit of the number of the projections can be appropriately selected in consideration of the particle diameter of the conductive particles and the like.
복수의 상기 돌기의 평균 높이는, 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상이고, 바람직하게는 0.9㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 이하이다. 상기 돌기의 평균 높이가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 간의 접속 저항이 효과적으로 낮아진다.The average height of the plurality of protrusions is preferably 0.001 탆 or more, more preferably 0.05 탆 or more, preferably 0.9 탆 or less, and more preferably 0.2 탆 or less. When the average height of the projections is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively lowered.
상기 돌기의 높이는, 도전성 입자의 중심과 돌기의 선단을 연결하는 선(도 1에 도시하는 파선(L1)) 상에 있어서의, 돌기가 없다고 상정했을 경우의 도전부의 가상선(도 (1)에 도시하는 파선(L2)) 상 (돌기가 없다고 상정했을 경우의 구 형상 도전성 입자의 외표면 상)으로부터 돌기의 선단까지의 거리를 나타낸다. 즉, 도 1에 있어서는, 파선 L1과 파선 L2와의 교점으로부터 돌기의 선단까지의 거리를 나타낸다.The height of the protrusions is set such that the imaginary line of the conductive portion on the assumption that there is no protrusion on the line connecting the center of the conductive particle and the tip of the protrusion (broken line L1 shown in Fig. 1) (On the outer surface of the spherical conductive particle when the projection is assumed to be free) to the tip of the projection. That is, in Fig. 1, the distance from the intersection of the broken line L1 and the broken line L2 to the tip of the projection is shown.
[코어 물질][Core material]
상기 코어 물질이 상기 도전부(도전층) 중에 매립되어 있음으로써, 상기 제2 도전부가 외표면에 복수의 돌기를 갖도록 하는 것이 용이하다.Since the core material is embedded in the conductive portion (conductive layer), it is easy for the second conductive portion to have a plurality of protrusions on the outer surface.
상기 돌기를 형성하는 방법으로서는, 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시킨 후, 무전해 도금에 의해 도전부를 형성하는 방법, 및 기재 입자의 표면에 무전해 도금에 의해 도전부를 형성한 후, 코어 물질을 부착시키고, 추가로 무전해 도금에 의해 도전부를 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 돌기를 형성하는 다른 방법으로서는, 기재 입자의 표면 상에, 제1 도전부를 형성한 후, 해당 제1 도전부 상에 코어 물질을 배치하고, 다음으로 제2 도전부를 형성하는 방법, 및 기재 입자의 표면 상에 도전부(제1 도전부 또는 제2 도전부 등)를 형성하는 도중 단계에서, 코어 물질을 첨가하는 방법 등을 들 수 있다.Examples of the method for forming the projections include a method of attaching a core material to the surface of base particles and then forming a conductive portion by electroless plating and a method of forming a conductive portion by electroless plating on the surface of base particles, A method of forming a conductive portion by electroless plating, and the like. As another method of forming the projections, there are a method of forming a first conductive portion on the surface of base particles, then placing a core material on the first conductive portion, and then forming a second conductive portion, A method of adding a core material in the middle step of forming a conductive portion (such as a first conductive portion or a second conductive portion) on the surface of the substrate.
상기 기재 입자의 외표면 상에 코어 물질을 배치하는 방법으로서는, 예를 들어, 기재 입자의 분산액 중에, 코어 물질을 첨가하고, 기재 입자의 표면에 코어 물질을, 예를 들어 반데르발스힘에 의해 집적시켜 부착시키는 방법, 및 기재 입자를 넣은 용기에 코어 물질을 첨가하고, 용기의 회전 등에 의한 기계적인 작용에 의해 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시키는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 부착시키는 코어 물질의 양을 제어하기 쉽기 때문에, 분산액 중의 기재 입자의 표면에 코어 물질을 집적시켜, 부착시키는 방법이 바람직하다.As a method for disposing the core material on the outer surface of the base particles, for example, a core material is added to a dispersion of the base particles, and a core material is coated on the surface of the base particles, for example, by a van der Waals force A method in which a core material is added to a container containing base particles and a core material is adhered to the surface of the base particles by mechanical action by rotating the container or the like. Among them, a method of integrating and adhering the core material on the surface of the base particles in the dispersion is preferable because it is easy to control the amount of the core material to be adhered.
상기 코어 물질의 재료는 니켈과는 상이하고, 또한 코어 물질의 재료의 모스 경도가 5를 초과하고 있으면 특별히 한정되지 않는다. 모스 경도가 5 이하이면, 산화막을 충분히 관통하지 않아, 접속 저항이 높아지는 경향이 있다.The material of the core material is different from nickel and the material of the core material is not particularly limited as long as the Mohs hardness exceeds 5. When the Mohs hardness is 5 or less, the oxide film does not penetrate sufficiently and the connection resistance tends to increase.
상기 코어 물질의 재료의 구체예로서는, 실리카(이산화규소, 모스 경도 6 내지 7), 산화티타늄(모스 경도 7), 지르코니아(모스 경도 8 내지 9), 알루미나(모스 경도 9), 탄화텅스텐(모스 경도 9) 및 다이아몬드(모스 경도 10) 등을 들 수 있다. 상기 코어 물질의 재료는 실리카, 산화티타늄, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐 또는 다이아몬드인 것이 보다 바람직하고, 산화티타늄, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐 또는 다이아몬드인 것이 더욱 바람직하고, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐 또는 다이아몬드인 것이 특히 바람직하다. 상기 코어 물질의 재료의 모스 경도는 바람직하게는 5.5 이상, 보다 바람직하게는 6 이상, 더욱 바람직하게는 7 이상, 특히 바람직하게는 7.5 이상이다. 모스 경도가 상기 하한 이상이면 전극과 도전성 입자가 보다 한층 적절하게 접촉하고, 전극 간의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다.Specific examples of the material of the core material include silica (silicon dioxide, Moh hardness of 6 to 7), titanium oxide (Mohs hardness of 7), zirconia (Moh hardness of 8 to 9), alumina (Mohs hardness of 9), tungsten carbide 9) and diamond (Mohs hardness 10). More preferably, the material of the core material is silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, and more preferably titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, and more preferably zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond Is particularly preferable. The Mohs hardness of the material of the core material is preferably 5.5 or more, more preferably 6 or more, further preferably 7 or more, particularly preferably 7.5 or more. When the Mohs hardness is above the lower limit described above, the electrode and the conductive particles contact each other more appropriately and the connection resistance between the electrodes is further lowered.
상기 코어 물질의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 코어 물질의 형상은 괴상인 것이 바람직하다. 코어 물질로서는, 예를 들어 입자 형상의 덩어리, 복수의 미소 입자가 응집한 응집괴 및 부정형의 괴 등을 들 수 있다.The shape of the core material is not particularly limited. The shape of the core material is preferably massive. The core material may be, for example, a lump of a particle shape, a coagulated mass aggregated by a plurality of microparticles, and a monolithic mass.
상기 코어 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은, 바람직하게는 20nm 이상, 보다 바람직하게는 50nm 이상, 더욱 바람직하게는 100nm 이상이고, 바람직하게는 1000nm 이하, 보다 바람직하게는 600nm 이하, 더욱 바람직하게는 500㎛ 이하, 특히 바람직하게는 250nm 이하이다. 상기 코어 물질의 평균 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 간의 접속 저항이 효과적으로 낮아진다. 상기 코어 물질의 평균 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 접속 저항이 효과적으로 낮아져, 도전부의 부식이 보다 한층 발생하기 어려워진다.The average diameter (average particle diameter) of the core material is preferably 20 nm or more, more preferably 50 nm or more, further preferably 100 nm or more, preferably 1000 nm or less, more preferably 600 nm or less, Is not more than 500 mu m, particularly preferably not more than 250 nm. If the average diameter of the core material is above the lower limit and below the upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively lowered. When the average diameter of the core material is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance is effectively lowered, and the corrosion of the conductive portion is more difficult to occur.
상기 코어 물질의 「평균 직경(평균 입자 직경)」은, 수 평균 직경(수 평균 입자 직경)을 나타낸다. 코어 물질의 평균 직경은, 임의의 코어 물질 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하고, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The " average diameter (average particle diameter) " of the core material indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the core material is obtained by observing 50 pieces of any core material with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.
상기 제1 도전부와 상기 제2 도전부의 합계 두께의 상기 코어 물질의 평균 직경에 대한 비(제1 도전부와 제2 도전부의 합계 두께/코어 물질의 평균 직경)는 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.3 이상이고, 바람직하게는 6 이하, 보다 바람직하게는 5 이하, 더욱 바람직하게는 2 이하이다. 상기 비(제1 도전부와 제2 도전부의 합계 두께/코어 물질의 평균 직경)가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 접속 저항이 효과적으로 낮아져, 도전부의 부식이 보다 한층 발생하기 어려워진다.The ratio of the total thickness of the first conductive portion and the second conductive portion to the average diameter of the core material (total thickness of the first conductive portion and the second conductive portion / average diameter of the core material) is preferably 0.1 or more Preferably 0.3 or more, preferably 6 or less, more preferably 5 or less, further preferably 2 or less. If the ratio (the total thickness of the first conductive portion and the second conductive portion / the average diameter of the core material) is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance is effectively lowered, and corrosion of the conductive portion is further prevented.
[절연 물질][Insulating material]
본 발명에 따른 도전성 입자는, 상기 제2 도전부의 외표면 상에 배치된 절연 물질을 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 도전성 입자를 전극 간의 접속에 사용하면, 인접하는 전극 간의 단락을 방지할 수 있다. 구체적으로는, 복수의 도전성 입자가 접촉했을 때에, 복수의 전극 간에 절연 물질이 존재하므로, 상하의 전극 간이 아닌 가로 방향에 인접하는 전극 간의 단락을 방지할 수 있다. 또한, 전극 간의 접속 시에, 2개의 전극에서 도전성 입자를 가압함으로써, 도전성 입자의 도전부와 전극과의 사이의 절연 물질을 용이하게 배제할 수 있다.The conductive particles according to the present invention preferably include an insulating material disposed on the outer surface of the second conductive portion. In this case, when conductive particles are used for connection between electrodes, it is possible to prevent a short circuit between adjacent electrodes. Concretely, when a plurality of conductive particles are brought into contact with each other, an insulating material exists between a plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between electrodes adjacent to each other in the transverse direction, not between the upper and lower electrodes. Further, at the time of connection between the electrodes, by pressurizing the conductive particles at the two electrodes, the insulating material between the conductive parts of the conductive particles and the electrodes can be easily excluded.
전극 간의 압착 시에 상기 절연 물질을 보다 한층 용이하게 배제할 수 있는 점에서, 상기 절연 물질은 절연성 입자인 것이 바람직하다.It is preferable that the insulating material is an insulating particle in that the insulating material can be easily removed at the time of pressing between the electrodes.
상기 절연 물질의 재료인 절연성 수지의 구체예로서는, 폴리올레핀류, (메트)아크릴레이트 중합체, (메트)아크릴레이트 공중합체, 블록 중합체, 열가소성 수지, 열가소성 수지의 가교물, 열경화성 수지 및 수용성 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the insulating resin that is a material of the insulating material include polyolefins, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked products of thermoplastic resins, thermosetting resins and water- .
상기 폴리올레핀류로서는 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 및 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트 중합체로서는 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸(메트)아크릴레이트 및 폴리부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 블록 중합체로서는 폴리스티렌, 스티렌-아크릴산 에스테르 공중합체, SB형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체 및 SBS형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 및 이들의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 비닐 중합체 및 비닐 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는 에폭시 수지, 페놀 수지 및 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 상기 수용성 수지로서는 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥시드 및 메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 수용성 수지가 바람직하고, 폴리비닐알코올이 보다 바람직하다.Examples of the polyolefins include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, and polybutyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB-type styrene-butadiene block copolymer, SBS-type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include a vinyl polymer and a vinyl copolymer. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, and a melamine resin. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinylpyrrolidone, polyethylene oxide, methylcellulose and the like. Among them, a water-soluble resin is preferable, and polyvinyl alcohol is more preferable.
상기 제2 도전부의 외표면 및 절연성 입자의 표면은 각각, 반응성 관능기를 갖는 화합물에 의해 피복되어 있어도 된다. 제2 도전부의 외표면과 절연성 입자의 표면이란, 직접 화학 결합하고 있지 않아도 되고, 반응성 관능기를 갖는 화합물에 의해 간접적으로 화학 결합하고 있어도 된다. 제2 도전부의 외표면에 카르복실기를 도입한 후, 해당 카르복실기가 폴리에틸렌이민 등의 고분자 전해질을 통해 절연성 입자의 표면 관능기와 화학 결합하고 있어도 상관없다.The outer surface of the second conductive portion and the surface of the insulating particles may each be covered with a compound having a reactive functional group. The outer surface of the second conductive portion and the surface of the insulating particles may not be directly chemically bonded or indirectly chemically bonded by a compound having a reactive functional group. The carboxyl group may be chemically bonded to the surface functional group of the insulating particles through the polymer electrolyte such as polyethyleneimine after introducing the carboxyl group to the outer surface of the second conductive portion.
상기 절연 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은, 도전성 입자의 입자 직경 및 도전성 입자의 용도 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 상기 절연 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은, 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이고, 바람직하게는 1㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이하이다. 절연 물질의 평균 직경이 상기 하한 이상이면, 도전성 입자가 결합제 수지 중에 분산되었을 때에, 복수의 도전성 입자에 있어서의 도전층끼리가 접촉하기 어려워진다. 절연성 입자의 평균 직경이 상기 상한 이하이면, 전극 간의 접속 시에, 전극과 도전성 입자와의 사이의 절연 물질을 배제하기 위해서, 압력을 너무 높게 할 필요가 없어지고, 고온으로 가열할 필요도 없어진다.The average diameter (average particle diameter) of the insulating material can be appropriately selected according to the particle diameter of the conductive particles and the use of the conductive particles. The average diameter (average particle diameter) of the insulating material is preferably 0.005 탆 or more, more preferably 0.01 탆 or more, preferably 1 탆 or less, and more preferably 0.5 탆 or less. When the average diameter of the insulating material is not less than the lower limit described above, the conductive layers in the plurality of conductive particles are less likely to contact each other when the conductive particles are dispersed in the binder resin. When the average diameter of the insulating particles is less than the upper limit, it is not necessary to set the pressure too high in order to remove the insulating material between the electrodes and the conductive particles at the time of connecting the electrodes, and it is not necessary to heat the electrodes at a high temperature.
상기 절연 물질의 「평균 직경(평균 입자 직경)」은, 수 평균 직경(수 평균 입자 직경)을 나타낸다. 절연 물질의 평균 직경은, 입도 분포 측정 장치 등을 사용하여 구해진다.The " average diameter (average particle diameter) " of the insulating material indicates a number-average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the insulating material is obtained by using a particle size distribution measuring apparatus or the like.
[방청 처리][Anticorrosive treatment]
도전성 입자의 부식을 억제하고, 전극 간의 접속 저항을 낮게 하기 위해서, 상기 제2 도전부의 외표면은, 산화 방지제에 의해 방청 처리되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the outer surface of the second conductive portion is rust-proofed with an antioxidant in order to suppress the corrosion of the conductive particles and lower the connection resistance between the electrodes.
상기 산화 방지제는 특별히 한정되지 않는다. 상기 산화 방지제로서는, 질소 함유 화합물 등을 들 수 있다. 상기 질소 함유 화합물로서는, 벤조트리아졸 화합물, 이미다졸 화합물, 티아졸 화합물, 트리아진, 2-머캅토피리미딘, 인돌, 피롤, 아데닌, 티오바르비투르산, 티오우라실, 로다닌, 티오졸리딘티온, 1-페닐-2-테트라졸린-5-티온 및 2-머캅토피리딘 등을 들 수 있다. 상기 산화 방지제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The antioxidant is not particularly limited. Examples of the antioxidant include a nitrogen-containing compound and the like. Examples of the nitrogen-containing compound include a benzotriazole compound, an imidazole compound, a thiazole compound, triazine, 2-mercapto pyrimidine, indole, pyrrole, adenine, thiobarbituric acid, thiouracil, rhodanine, thiazolidinedione , 1-phenyl-2-tetrazolin-5-thione, and 2-mercaptopyridine. The antioxidant may be used alone or in combination of two or more.
상기 벤조트리아졸 화합물로서는 벤조트리아졸, 4-메틸-1H-벤조트리아졸, 4-카르복시-1H-벤조트리아졸, 5-메틸-1H-벤조트리아졸, 5,6-디메틸-1H-벤조트리아졸 및 벤조트리아졸부틸에스테르 등을 들 수 있다. 상기 이미다졸 화합물로서는, 이미다졸 또는 벤즈이미다졸 등을 들 수 있다. 상기 티아졸 화합물로서는, 티아졸 또는 벤조티아졸 등을 들 수 있다.Examples of the benzotriazole compound include benzotriazole, 4-methyl-1H-benzotriazole, 4-carboxy-1H-benzotriazole, 5-methyl-1H- benzotriazole, Sol and benzotriazole butyl esters. Examples of the imidazole compound include imidazole and benzimidazole. Examples of the thiazole compound include thiazole and benzothiazole.
(도전 재료)(Conductive material)
본 발명에 따른 도전 재료는 상술한 도전성 입자와, 결합제 수지를 포함한다. 상기 도전성 입자는 결합제 수지 중에 분산되어 사용되는 것이 바람직하고, 결합제 수지 중에 분산되어 도전 재료로서 사용되는 것이 바람직하다. 상기 도전재료는 이방성 도전 재료인 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 전극 간의 전기적인 접속에 사용되는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 회로 접속용 도전 재료인 것이 바람직하다.The conductive material according to the present invention includes the above-described conductive particles and a binder resin. The conductive particles are preferably dispersed in the binder resin and dispersed in the binder resin to be used as a conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive material is preferably used for electrical connection between the electrodes. The conductive material is preferably a conductive material for circuit connection.
상기 결합제 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 결합제 수지로서, 공지된 절연성의 수지가 사용된다.The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, a known insulating resin is used.
상기 결합제 수지는 열가소성 성분(열가소성 화합물) 또는 경화성 성분을 포함하는 것이 바람직하고, 경화성 성분을 포함하는 것이 보다 바람직하다. 상기 경화성 성분으로서는, 광 경화성 성분 및 열 경화성 성분을 들 수 있다. 상기 광 경화성 성분은 광 경화성 화합물 및 광 중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열 경화성 성분은 열 경화성 화합물 및 열 경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 결합제 수지로서는, 예를 들어 비닐 수지, 열가소성 수지, 경화성 수지, 열가소성 블록 공중합체 및 엘라스토머 등을 들 수 있다. 상기 결합제 수지는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The binder resin preferably includes a thermoplastic component (thermoplastic compound) or a curable component, and more preferably includes a curable component. Examples of the curable component include a photo-curable component and a thermosetting component. The photocurable component preferably includes a photocurable compound and a photopolymerization initiator. The thermosetting component preferably includes a thermosetting compound and a thermosetting agent. Examples of the binder resin include a vinyl resin, a thermoplastic resin, a curable resin, a thermoplastic block copolymer and an elastomer. The binder resin may be used alone or in combination of two or more.
상기 비닐 수지로서는, 예를 들어 아세트산 비닐 수지, 아크릴 수지 및 스티렌 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 예를 들어 폴리올레핀 수지, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 및 폴리아미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지 및 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 또한, 상기 경화성 수지는 상온 경화형 수지, 열 경화형 수지, 광 경화형 수지 또는 습기 경화형 수지이어도 된다. 상기 경화성 수지는 경화제와 병용되어도 된다. 상기 열가소성 블록 공중합체로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 및 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 엘라스토머로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔 공중합 고무 및 아크릴로니트릴-스티렌 블록 공중합 고무 등을 들 수 있다.Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include a polyolefin resin, an ethylene-vinyl acetate copolymer and a polyamide resin. Examples of the curable resin include an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin and an unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room-temperature-curable resin, a thermosetting resin, a photo-curable resin or a moisture-curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated product of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a hydrogenated product of a styrene-isoprene- Additives and the like. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.
상기 도전 재료는, 상기 도전성 입자 및 상기 결합제 수지 이외에, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.The conductive material may contain, in addition to the conductive particles and the binder resin, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, And various additives such as a flame retardant.
본 발명에 따른 도전 재료는 도전 페이스트 및 도전 필름 등으로서 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 도전 재료가 도전 필름인 경우에는, 도전성 입자를 포함하는 도전 필름에, 도전성 입자를 포함하지 않는 필름이 적층되어 있어도 된다. 상기 도전 페이스트는 이방성 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 상기 도전 필름은 이방성 도전 필름인 것이 바람직하다.The conductive material according to the present invention can be used as a conductive paste and a conductive film. When the conductive material according to the present invention is a conductive film, a film not containing conductive particles may be laminated on the conductive film containing conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.
상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 결합제 수지의 함유량은 바람직하게는 10중량% 이상, 보다 바람직하게는 30중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상, 특히 바람직하게는 70중량% 이상이고, 바람직하게는 99.99중량% 이하, 보다 바람직하게는 99.9중량% 이하이다. 상기 결합제 수지의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 간에 도전성 입자가 효율적으로 배치되고, 도전 재료에 의해 접속된 접속 대상 부재의 접속 신뢰성이 보다 한층 높아진다.The content of the binder resin in 100 wt% of the conductive material is preferably 10 wt% or more, more preferably 30 wt% or more, still more preferably 50 wt% or more, particularly preferably 70 wt% Preferably 99.99% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. When the content of the binder resin is not less than the lower limit and not higher than the upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the connection reliability of the member to be connected connected by the conductive material is further enhanced.
상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 0.01중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1중량% 이상이고, 바람직하게는 80중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하, 더욱 바람직하게는 40중량% 이하, 특히 바람직하게는 20중량% 이하, 가장 바람직하게는 10중량% 이하이다. 상기 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 간의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.The content of the conductive particles in 100 wt% of the conductive material is preferably not less than 0.01 wt%, more preferably not less than 0.1 wt%, preferably not more than 80 wt%, more preferably not more than 60 wt% Preferably not more than 40% by weight, particularly preferably not more than 20% by weight, most preferably not more than 10% by weight. When the content of the conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the reliability of the conduction between the electrodes is further enhanced.
(접속 구조체)(Connection structure)
상기 도전성 입자를 사용하여, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료를 사용하여, 접속 대상 부재를 접속함으로써, 접속 구조체를 얻을 수 있다.The connection structure can be obtained by connecting the members to be connected by using the conductive particles or by using a conductive material including the conductive particles and the binder resin.
상기 접속 구조체는, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 제1, 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 해당 접속부의 재료가 상술한 도전성 입자이거나, 또는 상술한 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료인 접속 구조체인 것이 바람직하다. 상기 접속부가 상술한 도전성 입자에 의해 형성되어 있거나, 또는 상술한 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 도전성 입자가 사용된 경우에는, 접속부 자체가 도전성 입자이다. 즉, 제1, 제2 접속 대상 부재가 도전성 입자에 의해 접속된다.The connection structure includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection unit connecting the first and second connection target members, and the material of the connection unit is the above-described conductive particles, And is preferably a connection structure that is a conductive material including conductive particles and a binder resin. It is preferable that the connecting portion is formed by the above-mentioned conductive particles or is formed by a conductive material including the above-mentioned conductive particles and a binder resin. In the case where conductive particles are used, the connection portion itself is conductive particles. That is, the first and second connection target members are connected by the conductive particles.
도 3에, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 사용한 접속 구조체를 모식적으로 단면도로 나타낸다.3 schematically shows a cross-sectional view of a connection structure using conductive particles according to a first embodiment of the present invention.
도 3에 도시하는 접속 구조체(51)는, 제1 접속 대상 부재(52)와, 제2 접속 대상 부재(53)와, 제1, 제2 접속 대상 부재(52, 53)를 접속하고 있는 접속부(54)를 구비한다. 접속부(54)는, 도전성 입자(1)를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 상기 도전 재료가 열 경화성을 갖고, 접속부(54)가 도전 재료를 열 경화시킴으로써 형성되어 있는 것이 바람직하다. 접속부(54)가 도전 재료의 열 경화물인 것이 바람직하다. 또한, 도 3에서는, 도전성 입자(1)는 도시의 편의상, 약도적으로 나타나 있다. 도전성 입자(1)로 돌아가, 도전성 입자(1A) 등을 사용해도 된다.The
제1 접속 대상 부재(52)는 표면(상면)에 복수의 제1 전극(52a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(53)는 표면(하면)에 복수의 제2 전극(53a)을 갖는다. 제1 전극(52a)과 제2 전극(53a)이, 1개 또는 복수의 도전성 입자(1)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1, 제2 접속 대상 부재(52, 53)가 도전성 입자(1)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.The first
상기 접속 구조체의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 접속 구조체의 제조 방법의 일례로서는, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재와의 사이에 상기 도전 재료를 배치하여, 적층체를 얻은 후, 해당 적층체를 가열 및 가압하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 가압의 압력은 9.8×104 내지 4.9×106Pa 정도이다. 상기 가열의 온도는 120 내지 220℃ 정도이다.The manufacturing method of the connection structure is not particularly limited. As an example of a manufacturing method of the connection structure, there is a method in which the conductive material is disposed between the first connection target member and the second connection target member to obtain a laminate, and then the laminate is heated and pressed have. The pressure of the pressurization is about 9.8 x 10 4 to 4.9 x 10 6 Pa. The temperature of the heating is about 120 to 220 占 폚.
상기 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는 반도체 칩, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품, 및 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재는 전자 부품인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 전자 부품에 있어서의 전극의 전기적인 접속에 사용되는 것이 바람직하다.Specifically, examples of the member to be connected include electronic parts such as a semiconductor chip, a capacitor and a diode, and electronic parts such as a printed circuit board, a flexible printed circuit board, a glass epoxy substrate and a circuit board such as a glass substrate. The connection target member is preferably an electronic component. The conductive particles are preferably used for electrical connection of electrodes in electronic parts.
상기 접속 대상 부재에 설치되어 있는 전극으로서는 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 은 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는, 알루미늄만으로 형성된 전극이어도 되고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극이어도 된다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도핑된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도핑된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는 Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Examples of the electrode provided on the member to be connected include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a silver electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode. When the connection target member is a flexible printed circuit board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. When the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of the metal oxide layer. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al and Ga.
이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.
(실시예 1)(Example 1)
(1) 코어 물질의 부착 공정(1) Process of attaching core material
입자 직경이 3.0㎛인 디비닐벤젠 공중합체 수지 입자(세끼스이 가가꾸 고교사제 「마이크로펄 SP-203」)를 기재 입자 A로서 준비하였다.Divinylbenzene copolymer resin particles (Micropearl SP-203, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle diameter of 3.0 占 퐉 were prepared as base material particles A.
상기 기재 입자 A를 에칭하고, 수세하였다. 이어서, 팔라듐 촉매를 8중량% 포함하는 팔라듐 촉매화 액 100mL 중에 상기 기재 입자 A를 첨가하고, 교반하였다. 그 후, 여과하고, 세정하였다. pH 6의 0.5중량% 디메틸아민보란액에 상기 기재 입자 A를 첨가하고, 팔라듐이 부착된 기재 입자 A를 얻었다.The base particle A was etched and washed with water. Subsequently, the base material particle A was added to 100 mL of a palladium-catalyzed liquid containing 8 wt% of a palladium catalyst, and the mixture was stirred. Thereafter, it was filtered and washed. The base particle A was added to a 0.5 wt% dimethylamine borane solution of
팔라듐이 부착된 기재 입자 A를 이온 교환수 300mL 중에서 3분간 교반하고, 분산시켜, 분산액을 얻었다. 이어서, 알루미나 입자 슬러리(평균 입자 직경 150nm, 모스 경도 9) 1g을 3분간 가하여 상기 분산액에 첨가하고, 코어 물질이 부착된 기재 입자 A의 현탁액을 얻었다.Palladium-adhered base particles A were stirred in 300 mL of ion-exchanged water for 3 minutes and dispersed to obtain a dispersion. Subsequently, 1 g of an alumina particle slurry (average particle diameter 150 nm, Mohs hardness 9) was added for 3 minutes to the dispersion to obtain a suspension of the base particle A to which the core material was adhered.
(2) 구리층의 형성 공정(2) Process of forming copper layer
황산구리(5수화물) 40g/L과, 에틸렌디아민4아세트산(EDTA) 100g/L과, 글루콘산나트륨 50g/L과, 포름알데히드 25g/L을 포함하고, 또한 pH 10.5로 조정된 무전해 도금액을 준비하였다.An electroless plating solution containing 40 g / L of copper sulfate (pentahydrate), 100 g / L of ethylenediamine tetraacetic acid (EDTA), 50 g / L of sodium gluconate and 25 g / L of formaldehyde and adjusted to pH 10.5 Respectively.
상기 기재 입자 A의 현탁액에, 상기 무전해 도금액을 서서히 첨가하고, 50℃에서 교반하면서 무전해 구리 도금을 행하였다. 이와 같이 하여 구리층이 표면에 설치된 구리 도금 입자를 얻었다. 구리층의 두께는 125nm였다.The electroless plating solution was gradually added to the suspension of the base particle A, and electroless copper plating was carried out while stirring at 50 캜. Thus, copper-plated particles having a copper layer on its surface were obtained. The thickness of the copper layer was 125 nm.
(3) 팔라듐층의 형성 공정(3) Palladium layer formation process
얻어진 구리 도금 입자 10g을, 초음파 처리기에 의해, 이온 교환수 500mL에 분산시켜, 입자 현탁액을 얻었다.10 g of the obtained copper-plated particles was dispersed in 500 ml of ion-exchanged water by an ultrasonic processor to obtain a particle suspension.
또한, 황산 팔라듐(무수물) 4g/L과, 에틸렌디아민 2.4g/L과, 황산 히드라지늄 4.0g/L과, 차아인산나트륨 3.5g/L을 포함하고, 또한 pH 10으로 조정된 무전해 도금액을 준비하였다.An electroless plating solution containing 4 g / L of palladium sulfate (anhydrous), 2.4 g / L of ethylenediamine, 4.0 g / L of hydrazinium sulfate and 3.5 g / L of sodium hypophosphite and adjusted to pH 10 Prepared.
상기 입자 현탁액을 50℃에서 교반하면서, 상기 무전해 도금액을 서서히 첨가하고, 무전해 팔라듐 도금을 행하였다. 무전해 도금액의 첨가량은, 팔라듐층의 두께가 100nm가 되도록 조정하였다. 얻어진 팔라듐 도금된 수지 입자를 증류수 및 메탄올로 세정한 후, 진공 건조하였다. 이와 같이 하여, 수지 입자의 표면에 구리 층이 형성되어 있고, 또한 구리층의 표면에 팔라듐층이 설치된 도전성 입자를 얻었다. 팔라듐층의 두께는 25nm였다.While stirring the above particle suspension at 50 캜, the above electroless plating solution was gradually added, and electroless palladium plating was performed. The amount of the electroless plating solution to be added was adjusted so that the thickness of the palladium layer became 100 nm. The resulting palladium-plated resin particles were washed with distilled water and methanol, and then vacuum-dried. Thus, conductive particles having a copper layer formed on the surface of the resin particle and a palladium layer formed on the surface of the copper layer were obtained. The thickness of the palladium layer was 25 nm.
(실시예 2)(Example 2)
알루미나 입자를 이산화티타늄 입자(평균 입자 직경 150nm, 모스 경도 7)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that alumina particles were changed to titanium dioxide particles (average particle diameter 150 nm, Mohs hardness 7).
(실시예 3)(Example 3)
알루미나 입자를 탄화텅스텐 입자(평균 입자 직경 150nm, 모스 경도 9)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that alumina particles were changed to tungsten carbide particles (average particle diameter: 150 nm, Mohs hardness: 9).
(실시예 4)(Example 4)
실시예 1에서 얻어진 입자에, 방청 처리를 실시하여, 도전성 입자를 얻었다. 벤조트리아졸을 방청제로서 사용하였다.The particles obtained in Example 1 were subjected to anti-corrosive treatment to obtain conductive particles. Benzotriazole was used as a rust inhibitor.
(실시예 5)(Example 5)
실시예 4와 동일하게 하여 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자를 사용하여, 절연성 입자의 부착 공정을 행하였다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 4. Using the obtained conductive particles, the step of adhering the insulating particles was carried out.
(절연성 입자의 부착 공정)(Step of adhering insulating particles)
4구 세퍼러블 커버, 교반 날개, 삼방 코크, 냉각관 및 온도 프로브가 설치된 1000mL의 세퍼러블 플라스크에, 메타크릴산메틸 100mmol과, N,N,N-트리메틸-N-2-메타크릴로일옥시에틸암모늄클로라이드 1mmol과, 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판)이염산염 1mmol을 포함하는 단량체 조성물을 고형분율이 5중량%가 되도록 이온 교환수에 칭량투입한 후, 200rpm으로 교반하고, 질소 분위기 하 70℃에서 24시간 중합을 행하였다. 반응 종료 후, 동결 건조하여, 표면에 암모늄기를 갖고, 평균 입자 직경 220nm 및 CV값 10%의 절연성 입자를 얻었다.In a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, a stirrer, a three-way cock, a cooling tube and a temperature probe, 100 mmol of methyl methacrylate and 100 mmol of N, N, N-trimethyl- A monomer composition containing 1 mmol of ethylammonium chloride and 1 mmol of 2,2'-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride was weighed into ion-exchanged water to a solid content of 5% by weight, stirred at 200 rpm , And polymerization was carried out at 70 캜 for 24 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the resultant was lyophilized to obtain insulating particles having an ammonium group on the surface and having an average particle diameter of 220 nm and a CV value of 10%.
절연성 입자를 초음파 조사 하에서 이온 교환수에 분산시켜, 절연성 입자의 10중량% 수 분산액을 얻었다.The insulating particles were dispersed in ion-exchanged water under ultrasonic irradiation to obtain a 10 wt% aqueous dispersion of insulating particles.
실시예 4와 동일하게 하여 얻어진 절연성 입자가 부착되어 있지 않은 도전성 입자 10g을 이온 교환수 500mL에 분산시켜, 절연성 입자의 수 분산액 4g을 첨가하고, 실온에서 6시간 교반하였다. 3㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 추가로 메탄올로 세정하고, 건조하여, 절연성 입자가 부착된 도전성 입자를 얻었다.10 g of the conductive particles having no insulating particles attached thereto obtained in the same manner as in Example 4 were dispersed in 500 ml of ion-exchanged water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. The mixture was filtered with a 3 탆 mesh filter, washed with methanol, and dried to obtain conductive particles with insulating particles.
주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰한 바, 도전성 입자의 외표면 상에 절연성 입자에 의한 피복층이 1층만 형성되어 있었다. 화상 해석에 의해 도전성 입자의 중심으로부터 2.5㎛의 면적에 대한 절연성 입자의 피복 면적(즉 절연성 입자의 입자 직경 투영 면적)을 산출한 바, 피복률은 30%였다.As a result of observation by a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer composed of insulating particles was formed on the outer surface of the conductive particles. The coated area of the insulating particles (i.e., the projected area of the particle diameter of the insulating particles) with respect to the area of 2.5 mu m from the center of the conductive particles was calculated by image analysis, and the covering ratio was 30%.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
이산화티타늄 입자를 금속 니켈 입자 슬러리(평균 입자 직경 150nm, 모스 경도 5)로 변경한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 4 except that the titanium dioxide particles were changed to a metallic nickel particle slurry (average particle diameter: 150 nm, Mohs hardness: 5).
(실시예 6 내지 19)(Examples 6 to 19)
기재 입자의 입자 직경과, 코어 물질의 종류, 재료의 모스 경도 및 평균 직경과, 제1 도전부(구리층)의 주 금속, Cu의 함유량, 두께 및 비커스 경도와, 제2 도전부(팔라듐층)의 주 금속, Pd의 함유량 및 두께와, 절연 물질의 유무와, 방청 처리의 유무와, 도전성 입자에 있어서의 돌기의 수를 하기의 표 1에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실시예 6 내지 19의 도전성 입자를 얻었다.The particle diameter of the base particles, the kind of the core material, the Moh hardness and the average diameter of the material, the content of the main metal, Cu, the thickness and the Vickers hardness of the first conductive portion (copper layer) ), The content and thickness of Pd, the presence or absence of an insulating material, the presence or absence of anti-rust treatment, and the number of protrusions in the conductive particles were set as shown in Table 1 below. In the same manner, the conductive particles of Examples 6 to 19 were obtained.
(평가)(evaluation)
(1) 제1 도전부 및 제 2의 도전부에 있어서의 금속의 함유량(1) the content of the metal in the first conductive portion and the second conductive portion
집속 이온빔을 사용하여, 얻어진 도전성 입자의 박막 절편을 제작하였다. 투과형 전자 현미경 FE-TEM(니혼 덴시사제 「JEM-2010FEF」)을 사용하여, 에너지 분산형 X선 분석 장치(EDS)에 의해, 제1 도전부 전체 및 제2 도전부 전체에 있어서의 금속의 함유량을 측정하였다.Using the focused ion beam, thin film slices of the obtained conductive particles were prepared. (EDS) using a transmission electron microscope FE-TEM (" JEM-2010FEF " manufactured by Nihon Denshi Co., Ltd.) .
(2) 초기의 접속 저항(2) Initial connection resistance
얻어진 도전성 입자를 함유량이 10중량%가 되도록, 미쯔이 가가꾸사제 「스트럭트 본드 XN-5A」에 첨가하고, 분산시켜, 이방성 도전 페이스트를 제작하였다.The resultant conductive particles were added to "Scratch Bond XN-5A" made by Mitsui Chemical Industry Co., Ltd. so that the content thereof was 10% by weight and dispersed to prepare an anisotropic conductive paste.
L/S가 20㎛/20㎛인 ITO 전극 패턴을 상면에 갖는 투명 유리 기판을 준비하였다. 또한, L/S가 20㎛/20㎛인 금 전극 패턴을 하면에 갖는 반도체 칩을 준비하였다.A transparent glass substrate having an ITO electrode pattern with L / S of 20 mu m / 20 mu m on its upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip having a gold electrode pattern with L / S of 20 mu m / 20 mu m on the bottom was prepared.
상기 투명 유리 기판 상에, 제작 직후의 이방성 도전 페이스트를 두께 30㎛가 되도록 도공하고, 이방성 도전 페이스트층을 형성하였다. 이어서, 이방성 도전 페이스트층 상에 상기 반도체 칩을, 전극끼리 대향하도록 적층하였다. 그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 185℃가 되도록 헤드의 온도를 조정하면서, 반도체 칩의 상면에 가압 가열 헤드를 싣고, 1MPa의 압력을 가하여 이방성 도전 페이스트층을 185℃에서 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다.Immediately after the preparation, an anisotropic conductive paste was coated on the above-mentioned transparent glass substrate to a thickness of 30 mu m to form an anisotropic conductive paste layer. Subsequently, the semiconductor chips were stacked on the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes were opposed to each other. Thereafter, while the temperature of the head was adjusted so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer was 185 占 폚, a pressure heating head was placed on the upper surface of the semiconductor chip and a pressure of 1 MPa was applied to harden the anisotropic conductive paste layer at 185 占 폚, .
얻어진 접속 구조체의 상하 전극 간의 접속 저항을, 4 단자법에 의해 측정하였다. 2개의 접속 저항의 평균값을 산출하였다. 또한, 전압=전류×저항의 관계로부터, 일정한 전류를 흘렸을 때의 전압을 측정함으로써 접속 저항을 구할 수 있다. 초기의 접속 저항을 다음의 기준으로 판정하였다.The connection resistance between the upper and lower electrodes of the obtained connection structure was measured by the four-terminal method. The average value of the two connection resistances was calculated. From the relationship of voltage = current x resistance, the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed. The initial connection resistance was judged by the following criteria.
[초기의 접속 저항의 판정 기준][Criteria for judging initial connection resistance]
○○: 접속 저항이 2.0Ω 이하○○: Connection resistance is 2.0Ω or less
○: 접속 저항이 2.0Ω를 초과하고, 3.0Ω 이하?: The connection resistance exceeds 2.0?, And 3.0?
△: 접속 저항이 3.0Ω를 초과하고, 5.0Ω 이하?: Connection resistance exceeding 3.0?, Not exceeding 5.0?
×: 접속 저항이 5.0Ω를 초과한다X: Connection resistance exceeds 5.0Ω
(3) 신뢰성 시험 후의 접속 저항(도통 신뢰성)(3) Connection resistance after reliability test (reliability of conduction)
상기 (2) 초기의 접속 저항의 평가에서 얻어진 접속 구조체를, 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건에서 방치하였다. 방치 개시로부터 150시간 후에, 상기 (2) 초기의 접속 저항의 평가와 마찬가지로 전극 간의 접속 저항을 4 단자법에 의해 측정하였다. 신뢰성 시험 후의 접속 저항을 다음의 기준으로 판정하였다.(2) The connection structure obtained in the evaluation of the initial connection resistance was left under the conditions of 85 캜 and 85% relative humidity. After 150 hours from the start of the standing, the connection resistance between the electrodes was measured by the four-terminal method in the same manner as in the evaluation of the initial connection resistance in (2) above. The connection resistance after the reliability test was judged by the following criteria.
[신뢰성 시험 후의 접속 저항의 판정 기준][Criteria for judging connection resistance after reliability test]
○○: 접속 저항(방치 전)의 평균값에 비해, 접속 저항(방치 후)의 평균값이 125% 미만○○: The average value of connection resistance (after leaving) is less than 125%, compared with the average value of connection resistance
○: 접속 저항(방치 전)의 평균값에 비해, 접속 저항(방치 후)의 평균값이 125% 이상, 150% 미만?: The average value of the connection resistance (after leaving) is 125% or more and less than 150%
△: 접속 저항(방치 전)의 평균값에 비해, 접속 저항(방치 후)의 평균값이 150% 이상, 200% 미만?: The average value of the connection resistance (after being left) is 150% or more and less than 200%
×: 접속 저항(방치 전)의 평균값에 비해, 접속 저항(방치 후)의 평균값이 200% 이상X: The average value of the connection resistance (after leaving) is 200% or more
(4) 도전성 입자에 있어서의 도금 균열의 관찰(4) Observation of plating cracks in conductive particles
비스페놀 A형 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸사제 「에피코트 1009」) 10중량부와, 아크릴 고무(중량 평균 분자량 약 80만) 40중량부와, 메틸에틸케톤 200중량부와, 마이크로 캡슐형 경화제(아사히 가세이 케미컬즈사제 「HX3941HP」) 50중량부와, 실란 커플링제(도레이 다우코닝 실리콘사제 「SH6040」) 2중량부를 혼합하고, 도전성 입자를 함유량이 5중량%가 되도록 첨가하고, 분산시켜, 수지 조성물을 얻었다., 10 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin ("Epicote 1009" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 40 parts by weight of an acrylic rubber (weight average molecular weight: about 800,000), 200 parts by weight of methyl ethyl ketone, (Trade name: HX3941HP, manufactured by Kasai Chemical Industries, Ltd.) and 2 parts by weight of a silane coupling agent ("SH6040" available from Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) were added and dispersed to give a conductive particle content of 5 wt% ≪ / RTI >
얻어진 수지 조성물을, 편면이 이형 처리된 두께 50㎛의 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름에 도포하고, 70℃의 열풍에서 5분간 건조하여, 이방성 도전 필름을 제작하였다. 얻어진 이방성 도전 필름의 두께는 12㎛였다.The resulting resin composition was applied to a PET (polyethylene terephthalate) film having a thickness of 50 占 퐉, which had been subjected to one-side mold releasing treatment, and dried in hot air at 70 占 폚 for 5 minutes to prepare an anisotropic conductive film. The thickness of the resulting anisotropic conductive film was 12 占 퐉.
얻어진 이방성 도전 필름을 5mm×5mm의 크기로 절단하였다. 절단된 이방성 도전 필름을, 한쪽에 ITO 전극(높이 0.2㎛, L/S=20㎛/20㎛)을 갖는 유리 기판(폭 3cm, 길이 3cm)의 알루미늄 전극측의 거의 중앙에 부착하였다. 계속해서, Ni 하지 Au 전극을 갖는 2층 플렉시블 프린트 기판(폭 2cm, 길이 1cm)을 전극끼리 겹치도록 위치 정렬을 하고 나서 접합하였다. 이 유리 기판과 2층 플렉시블 프린트 기판과의 적층체를 10N, 180℃ 및 20초간의 압착 조건에서 열 압착하여, 접속 구조체를 얻었다. 또한, 폴리이미드 필름에 Ni 하지와 Au가 순차 형성되어 있는 2층 플렉시블 프린트 기판을 사용하였다.The resulting anisotropic conductive film was cut into a size of 5 mm x 5 mm. The cut anisotropic conductive film was attached to a glass substrate (
도금 균열이 발생한 입자 개수의 카운트:Count of number of particles in which plating cracks occurred:
얻어진 접속 구조체의 접속부에 있어서, 1000개의 도전성 입자 중의 도금 균열이 확인된 도전성 입자의 수를 세었다. 도금 균열을 다음의 기준으로 판정하였다.In the connection portion of the obtained connection structure, the number of conductive particles in which plating cracks in 1000 conductive particles were confirmed was counted. The plating cracks were judged by the following criteria.
[도금 균열의 판정 기준][Judgment criteria for plating crack]
○○: 도금 균열이 확인된 입자의 수가 1000개 중 10개 이하○○: The number of particles with plating cracks confirmed to be 10 or less out of 1000
○: 도금 균열이 확인된 입자의 수가 1000개 중 10개를 초과하고, 50개 이하○: When the number of the particles having cracks in the plating was more than 10, and not more than 50
△: 도금 균열이 확인된 입자의 수가 1000개 중 50개를 초과하고, 200개 이하DELTA: The number of particles in which plating cracks were confirmed exceeded 50 out of 1,000, and 200 or less
×: 도금 균열이 확인된 입자의 수가 1000개 중 200개를 초과한다X: The number of particles with plating cracks exceeded 200 out of 1000
도전성 입자의 상세 및 결과를 다음의 표 1, 2에 나타내었다.Details and results of the conductive particles are shown in Tables 1 and 2 below.
또한, 상기 (3) 신뢰성 시험 후의 접속 저항의 평가에서는, 얻어진 접속 구조체를 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건에서 방치하였다. 접속 구조체를 얻기 전의 도전성 입자를 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건에서 방치한 후에, 접속 구조체를 얻은 경우에도, 접속 저항의 상승 경향에 대해서, 상기 (3) 신뢰성 시험 후의 접속 저항의 평가 결과와 동일한 경향이 보였다.In the evaluation of the connection resistance after the above (3) reliability test, the obtained connection structure was left under the conditions of 85 캜 and 85% relative humidity. Even in the case where the connection structure is obtained after the conductive particles before the connection structure are obtained under the conditions of 85 캜 and 85% relative humidity, the evaluation results of the connection resistance after the reliability test (3) and The same tendency was seen.
실시예 7과 실시예 13과의 (3) 신뢰성 시험 후의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 7쪽이 실시예 13보다도, 접속 저항의 변화량이 작고, 도통 신뢰성이 우수하였다. 이 결과는, 비(제1 도전부와 제2 도전부의 합계 두께/코어 물질의 평균 직경)가 주로 영향을 미치고 있다.With respect to the evaluation results of the connection resistance after (3) the reliability test of Example 7 and Example 13, the variation of the connection resistance of Example 7 was smaller than that of Example 13, and the reliability of conduction was excellent. This result mainly affects the ratio (the total thickness of the first conductive portion and the second conductive portion / the average diameter of the core material).
실시예 1과 실시예 10과의 (2) 초기의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 1쪽이 실시예 10보다도, 접속 저항이 낮고, 도통성이 우수하였다. 또한, 실시예 1과 실시예 10과의 (3) 신뢰성 시험 후의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 1쪽이 실시예 10보다도, 접속 저항의 변화량이 작고, 도통 신뢰성이 우수하였다. 이들 결과는, 제1 도전부의 두께가 주로 영향을 미치고 있다.(2) Initial connection resistance evaluation results of Example 1 and Example 10 The connection resistance of Example 1 was lower than that of Example 10 and the conductivity was excellent. As to the evaluation results of the connection resistance after (3) reliability test in Example 1 and Example 10, the variation in connection resistance of Example 1 was smaller than that of Example 10, and the reliability of conduction reliability was excellent. These results mainly affect the thickness of the first conductive portion.
실시예 8과 실시예 9와의 (2) 초기의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 8쪽이 실시예 9보다도, 접속 저항이 낮고, 도통성이 우수하였다. 또한, 실시예 8과 실시예 9와의 (3) 신뢰성 시험 후의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 8쪽이 실시예 9보다도, 접속 저항의 변화량이 작고, 도통 신뢰성이 우수하였다. 이들 결과는, 제1 도전부의 두께가 주로 영향을 미치고 있다.As to the evaluation results of the initial connection resistance (2) between Example 8 and Example 9, the connection resistance of Example 8 was lower than that of Example 9, and the conductivity was excellent. As to the evaluation results of the connection resistance after the reliability test (3) of Example 8 and Example 9, the variation resistance of the connection resistance of Example 8 was smaller than that of Example 9, and the reliability of conduction was excellent. These results mainly affect the thickness of the first conductive portion.
실시예 1과 실시예 8과의 (3) 신뢰성 시험 후의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 1쪽이 실시예 8보다도, 접속 저항의 변화량이 작고, 도통 신뢰성이 우수하였다. 실시예 8과 실시예 12와의 (2) 초기의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 8쪽이 실시예 12보다도, 접속 저항이 낮고, 도통성이 우수하였다. 또한, 실시예 8과 실시예 12와의 (3) 신뢰성 시험 후의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 8쪽이 실시예 12보다도, 접속 저항의 변화량이 작고, 도통 신뢰성이 우수하였다. 이들 결과는, 코어 물질의 평균 직경이 주로 영향을 미치고 있다.With respect to the evaluation results of the connection resistance after the reliability test (3) of Example 1 and Example 8, the variation of the connection resistance of Example 1 was smaller than that of Example 8, and the conduction reliability was excellent. As to the evaluation results of the initial connection resistance (2) between Example 8 and Example 12, the connection resistance of Example 8 was lower than that of Example 12 and the conductivity was excellent. As to the evaluation results of the connection resistance after the reliability test (3) of Example 8 and Example 12, the variation resistance of the connection resistance of Example 8 was smaller than that of Example 12 and the reliability of the conduction reliability was excellent. These results are mainly affected by the average diameter of the core material.
실시예 1과 실시예 6과의 (2) 초기의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 1쪽이 실시예 6보다도, 접속 저항이 낮고, 도통성이 우수하였다. 또한, 실시예 1과 실시예 6과의 (3) 신뢰성 시험 후의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 1쪽이 실시예 6보다도, 접속 저항의 변화량이 작고, 도통 신뢰성이 우수하였다. 실시예 6과 실시예 7과의 (2) 초기의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 6쪽이 실시예 7보다도, 접속 저항이 낮고, 도통성이 우수하였다. 또한, 실시예 6과 실시예 7과의 (3) 신뢰성 시험 후의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 6쪽이 실시예 7보다도, 접속 저항의 변화량이 작고, 도통 신뢰성이 우수하였다. 실시예 7과 실시예 13과의 (3) 신뢰성 시험 후의 접속 저항의 평가 결과에 대해서는, 실시예 7쪽이 실시예 13보다도, 접속 저항의 변화량이 작고, 도통 신뢰성이 우수하였다. 이 결과는, 코어 물질의 평균 직경이 주로 영향을 미치고 있다.(2) Initial connection resistance evaluation results of Example 1 and Example 6 The connection resistance of Example 1 was lower than that of Example 6, and the conductivity was excellent. As to the evaluation results of the connection resistance after the reliability test (3) of Example 1 and Example 6, the variation of the connection resistance of Example 1 was smaller than that of Example 6, and the reliability of conduction was excellent. As to the evaluation results of the initial connection resistance (2) between Example 6 and Example 7, the connection resistance of Example 6 was lower than that of Example 7, and the conductivity was excellent. As to the evaluation results of the connection resistance after (3) the reliability test of Example 6 and Example 7, the variation of the connection resistance of Example 6 was smaller than that of Example 7, and the conduction reliability was excellent. With respect to the evaluation results of the connection resistance after (3) the reliability test of Example 7 and Example 13, the variation of the connection resistance of Example 7 was smaller than that of Example 13, and the reliability of conduction was excellent. This result mainly affects the average diameter of the core material.
1, 1A…도전성 입자
1a, 1Aa…돌기
2…기재 입자
3, 3A…제1 도전부
3a…돌기
4, 4A…제2 도전부
4a, 4Aa…돌기
5…코어 물질
6…절연 물질
51…접속 구조체
52…제1 접속 대상 부재
52a…제1 전극
53…제2 접속 대상 부재
53a…제2 전극
54…접속부1, 1A ... Conductive particle
1a, 1Aa ... spin
2… Base particles
3, 3A ... The first conductive portion
3a ... spin
4, 4A ... The second conductive portion
4a, 4Aa ... spin
5 ... Core material
6 ... Insulating material
51 ... Connection structure
52 ... The first connection object member
52a ... The first electrode
53 ... The second connection object member
53a ... The second electrode
54 ... Connection
Claims (9)
상기 기재 입자의 외표면 상에 상기 제1 도전부가 배치되어 있고, 상기 제1 도전부의 외표면 상에 상기 제2 도전부가 배치되어 있고,
상기 제2 도전부가 외표면에 복수의 돌기를 갖고,
상기 코어 물질이, 상기 제2 도전부의 상기 돌기의 내측에 배치되어 있고, 상기 코어 물질에 의해 상기 제2 도전부의 외표면이 융기되어 있고,
상기 코어 물질의 재료가 니켈과는 상이하고, 상기 코어 물질의 재료의 모스 경도가 5를 초과하는, 도전성 입자.A base material, a first conductive portion including copper, a second conductive portion including palladium, and a plurality of core materials,
The first conductive portion is disposed on an outer surface of the base particle, the second conductive portion is disposed on an outer surface of the first conductive portion,
The second conductive part has a plurality of projections on the outer surface,
Wherein the core material is disposed inside the protrusion of the second conductive portion, the outer surface of the second conductive portion is protruded by the core material,
Wherein the material of the core material is different from nickel, and the material of the core material has a Mohs hardness of more than 5.
제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고,
상기 접속부의 재료가 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자이거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료이고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체.A first connection target member having a first electrode on its surface,
A second connection target member having a second electrode on its surface,
And a connecting portion connecting the first connection target member and the second connection target member,
Wherein the material of the connecting portion is the conductive particle according to any one of claims 1 to 7 or a conductive material comprising the conductive particle and the binder resin,
Wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
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